DE1615209C3

DE1615209C3 - Device for the simultaneous heating of a large number of semiconductor components

Info

Publication number: DE1615209C3
Application number: DE19671615209
Authority: DE
Inventors: Sydney Costa Mesa Calif. Dix (V.St.A.)
Original assignee: Gti Corp (ndgesdstaates Rhode Island) Meadville Pa (vsa)
Current assignee: Gti Corp (ndgesdstaates Rhode Island) Meadville Pa (vsa)
Priority date: 1967-01-16
Filing date: 1967-01-16
Publication date: 1973-09-20
Also published as: DE1615209B2; DE1615209A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur gleichzeitigen Erwärmung einer großen Zahl von Halbleiterbauelementen für Massenherstellungszwecke, bei der die einzelnen Halbleiterbauelemente ganz oder teilweise in Hohlräume einer Platte aus Widerstandsmaterial eingesetzt werden, die durch einen durch sie fließenden elektrischen Strom geheizt wird.The invention relates to a device for the simultaneous heating of a large number of semiconductor components for mass production purposes, in which the individual semiconductor components are used in whole or in part in cavities of a plate made of resistance material, which is through a electric current flowing through them is heated.

Eine Wärmebehandlung ist bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen der verschiedensten Art erforderlich, z. B. beim Zuschmelzen von Dioden, Transistoren, integrierten Schaltungen oder Zungenschaltern, um diese Bauelemente gegen Außeneinflüsse abzudichten. Zu diesem Zweck wurden bisher verschiedene Vorrichtungen verwendet. Bei einer dieser bekannten Vorrichtungen wird jedes einzelne Halbleiterbauelement von einer Heizspule umgeben, wobei mehrere solcher Heizspulen in einer Kammer angeordnet sind, so daß die Bauelemente während des Erwärmens unter bestimmten Umgebungsbedingungen, wie z. B. unter Druck, unter Vakuum oder unter einer Schutzgasatmosphäre, gehalten werden können. Eine solche Vorrichtung kann nur eine geringe Anzahl von Bauelementen gleichzeitig aufnehmen und eignet sich nicht für eine automatische Beschickung, so daß eine Massenproduktion mit einer solchen Vorrichtung nicht durchgeführt werden kann. Bei einer anderen bekannten Vorrichtung wer-A heat treatment is involved in the manufacture of semiconductor components of the most varied of types required, e.g. B. when melting diodes, transistors, integrated circuits or reed switches, to seal these components against external influences. To this end have been hitherto various devices are used. In one of these known devices each one Semiconductor component surrounded by a heating coil, with several such heating coils in one chamber are arranged so that the components during heating under certain environmental conditions, such as B. under pressure, under vacuum or under a protective gas atmosphere be able. Such a device can only accommodate a small number of components at the same time and is not suitable for automatic loading, so that mass production with a such a device cannot be carried out. In another known device

3 43 4

den die zu erwärmenden Halbleiterbauelemente kon- Je nach dem Zweck der Erwärmung und der Art tinuierlich, z. B. auf einer Trommel, durch eine Er- der zu erwärmenden Bauelemente können diese wärmungszone geführt, was zwar eine hohe Produk- Hohlräume die Bauelemente ganz umschließen oder tionsleistung ermöglicht, wobei jedoch andererseits nur diejenigen Bereiche der Bauelemente umschlieein verhältnismäßig hoher Ausschuß geliefert wird 5 ßen, die erhitzt werden sollen. Um die Wärmebela- und festgelegte Umgebungsbedingungen bei der Er- stung des Halbleitermaterials möglichst gering zu wärmung nicht eingehalten werden können. Dies halten, kann es zweckmäßig sein, die nicht zu erhitwird bei einer weiteren bekannten Vorrichtung da- zenden Bereiche der Halbleiterelemente mit Wärme durch erreicht, daß die Bauelemente zur Erwärmung abführenden Flächen zu umschließen. Eine Vereinfaauf eine Halterung durch einen Ofen geführt werden, io chung beim Betrieb der Vorrichtung ergibt sich unter in dem die gewünschten Umgebungsbedingungen ein- Umständen dadurch, daß die Platte in zwei Teilelegestellt werden können. Bei dieser Vorrichtung muß mente aufgeteilt ist, deren Hohlräume verschiedene der Ofen für das kontinuierliche Beschicken und Ab- Bereiche der Bauelemente umschließen, dabei könführen der Bauelemente äußerst kompliziert gebaut nen die beiden Teilelemente unmittelbar aneinander sein und innerhalb des Ofens wird das gesamte Halb- 15 angrenzen und zusammen die Halbleiterbauelemente leitermaterial erhitzt, was zu einer Beschädigung die- praktisch vollständig umschließen, oder es kann ein ses Materials führen kann. Es wurde auch bereits Wärme abführendes Element zwischen den Teilelevorgeschlagen, die Halbleiterbauelemente in Hohl- menten vorgesehen sein, das zwischen diesen lieräume einer Platte einzusetzen, die elektrisch beheizt gende Bereiche der Bauelemente umschließt. Das wird, wofür im allgemeinen eine indirekte Heizung 20 Widerstandmaterial, aus dem die Platte hergestellt durch Widerstandsdrähte verwendet wurde. Eine ist, kann in vorteilhafter Weise aus Graphit bestehen, solche indirekte Heizung ergibt aber infolge der loka- Die Stromzuführung zu der Platte kann federnd anlen Erhitzung der Platte und der unterschiedlichen einandergepreßte Kontaktelemente aufweisen. Falls Erwärmung der einzelnen Widerstandsdrähte keine bei der Herstellung auf die Halbleiterelemente ein gleichmäßige Erwärmung der gesamten Platte, so 25 Druck ausgeübt werden soll, kann über der Platte, daß die einzelnen Beuelemente unterschiedlich er- die in diesem Falle waagerecht angeordnet ist, eine wärmt werden, was eine solche Vorrichtung für die Belastungseinrichtung angeordnet sein. Falls es für Herstellung von Halbleiterbauelementen mit hoher die Herstellung der Halbleiterbauelemente notwendig Qualität ungeeignet macht. Um eine solche ungleich- ist, diese während des Erwärmens unter festgelegten mäßige Erwärmung der die Bauelemente umschlie- 30 Umgebungsbedingungen zu halten, wird die Platte in ßenden Platte zu vermeiden, ist bei einer anderen be- einer mit gesteuerten Gasanschlüssen versehenen verkannten Vorrichtung diese Platte aus Widerstands- schließbaren Kammer angeordnet. In diesem Falle material hergestellt und wird direkt durch einen sind die eventuell vorhandenen Kontaktelemente mit durch sie fließenden elektrischen Strom geheizt. Da- einem Deckel der Kammer so mechanisch gekuppelt, bei war es jedoch erforderlich, die Platte verhältnis- 35 daß sie beim Schließen des Deckels federnd aneinanmäßig schmal auszubilden und die Halbleiterbauele- dergepreßt werden. Soll die Vorrichtung für ein Ermente in einer Reihe hintereinander in Stromrichtung wärmen unter Schutzgasatmophäre verwendet weranzuordnen, um eine ausreichend gleiche Erwär- den, so ist zweckmäßigerweise die Steuerung der mung sämtlicher Bauelemente zu erhalten. Auf diese Gaszufuhr durch die Gasanschlüsse so ausgebildet, Weise wird die Zahl der gleichzeitig zu erwärmenden 40 daß während der Stromzufuhr zu der Platte eine Bauelemente klein und die Vorrichtung eignet sich Druckerhöhung stattfindet. Zur Vereinfachung der ebenfalls nicht für Massenherstellungszwecke. Konstruktion kann es vorteilhaft sein, wenn diedepending on the purpose of the heating and the type continuously, e.g. B. on a drum, these components can be heated by an earth Warming zone led, which although a high product cavities completely enclose the components or tion performance enables, but on the other hand only enclosing those areas of the components relatively high scrap is delivered 5 ßen that are to be heated. In order to and specified environmental conditions for the first time of the semiconductor material to be as low as possible warming cannot be maintained. Keeping this, it may be useful, which is not going to increase in a further known device, heat the adjacent areas of the semiconductor elements achieved by that the components to enclose surfaces dissipating heating. A simplicity a bracket can be passed through an oven, io chung when operating the device results under in which the desired environmental conditions can be achieved in that the plate is placed in two parts can be. In this device, elements must be divided, the cavities of which are different Enclose the furnace for the continuous loading and unloading areas of the components, thereby being able to guide them of the components built in an extremely complicated manner, the two sub-elements are built directly next to one another and within the furnace the entire semi-conductor and together the semiconductor components will adjoin Conductor material heats up, which can damage the- practically completely enclose it, or it can be a this material can lead. A heat-dissipating element between the parts has also been proposed, the semiconductor components can be provided in cavities, the space between them use a plate that encloses electrically heated lowing areas of the components. The is what is generally an indirect heater 20 resistor material from which the plate is made by resistance wires was used. One is, can advantageously consist of graphite, However, such indirect heating results as a result of the local The power supply to the plate can be resilient Have heating of the plate and the different contact elements pressed together. If The individual resistance wires are not heated during manufacture on the semiconductor elements uniform heating of the entire plate, so that 25 pressure can be exerted over the plate, that the individual bag elements are arranged differently in this case horizontally, one be warmed what such a device can be arranged for the loading device. If it's for Manufacture of semiconductor components with high the production of semiconductor components necessary Makes quality unsuitable. To such unequal, this is laid down during heating under To maintain moderate heating of the components enclosing the ambient conditions, the plate is in Avoiding an ßenden plate is misunderstood with another one provided with controlled gas connections Device arranged this plate from resistance closable chamber. In this case material and is produced directly by any contact elements that may be present heated by electric current flowing through them. Since a lid of the chamber is so mechanically coupled, however, it was necessary to keep the plate relatively resilient when the cover is closed to be made narrow and the semiconductor components are pressed. Should the device for a Ermente in a row one behind the other in the direction of flow heating under protective gas atmosphere in order to achieve a sufficiently equal expectation, it is expedient to control the mation of all components. Designed on this gas supply through the gas connections, Way, the number of 40 to be heated at the same time that during power supply to the plate is one Components are small and the device is suitable for pressure increase taking place. To simplify the also not for mass production purposes. Construction, it can be advantageous if the

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Platte selbst bzw. eines ihrer Teilelemente als Haltevorrichtung zur Erwärmung von Halbleiterbauele- rung für die Bauelemente ausgebildet ist. Sind die menten so auszubilden, daß sie sich für Massenher- 45 Halbleiterbauelemente mit Anschlußdrähten versestellungszwecke von Bauelementen mit hoher Quali- hen, so werden in diesem Falle zweckmäßigerweise tat eignet. Dies bedeutet, daß die Vorrichtung eine die Hohlräume von durchgehenden Löchern gebildet, große Anzahl von Bauelementen gleichzeitig in kur- die so abgestuft sind, daß sie am einen Ende einen zer Zeit erwärmen kann, was für große Produktions- größeren Durchmesser als am anderen haben. Bei zahlen erforderlich ist. Um außerdem eine hohe Qua- 50 verschiedenen Halbleiterbauelementen ist es dagegen lität der Bauelemente zu erreichen, muß die Erwär- zweckmäßig, zusätzlich zu der Platte ein besonderes mung für alle Bauelemente gleich sein, die Erwär- Halterungsglied für die Halbleiterbauelemente bzw. mung soll möglichst auf die Teile des Bauelements für ein Ende derselben vorzusehen. Ist ein solches beschränkt sein, wo sie erforderlich ist, während das Halterungsglied und/oder eine Belastungseinrichtung übrige Material des Bauelements möglichst wenig er- 55 vorgesehen, so wird vorteilhafterweise diesen Teilen wärmt werden soll, um das Halbleitermaterial nicht Strom zugeführt, um darin eine der Wärmeausdehzu beschädigen, und die Halbleiterbauelemente sol- nung der Platte entsprechende Wärmeausdehnung len während des Erwärmens unter genau festgelegten hervorzurufen.The object of the invention is to design a plate itself or one of its sub-elements as a holding device for heating semiconductor components for the components. If the elements are to be designed in such a way that they are suitable for mass-produced semiconductor components with connecting wires for the purpose of establishing high-quality components, then in this case they are expediently suitable. This means that the device has the cavities formed by through holes, a large number of components are simultaneously stepped in such a way that they can heat one end for a time, which for large production has larger diameters than at the other. When paying is required. In addition, in order to achieve a high quality of the components, the heating element must be the same for all components in addition to the plate to provide the parts of the structural element for one end thereof. If this is limited where it is required, while the retaining member and / or a loading device other material of the component is provided as little as possible, then these parts are advantageously to be heated so that the semiconductor material is not supplied with electricity to one of the Wärmeausdehzu damage, and the semiconductor components of the sol-plate voltage corresponding thermal expansion len during heating under specified hervorz urufen.

Umgebungsbedingungen gehalten werden können, Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht esAmbient conditions can be maintained, the device according to the invention makes it possible

falls dies in bestimmten Fällen erforderlich ist. 60 gleichzeitig eine große Anzahl von Halbleiterbauele-if this is necessary in certain cases. 60 simultaneously a large number of semiconductor components

Dies wird erfindungsgemäß bei einer Vorrichtung menten zu erwärmen, so daß eine wirtschaftliche der eingangs genannten Art dadurch erreicht, daß die Massenherstellung möglich wird. Wird die Vorrich-Hohlräume zur Aufnahme der zu erwärmenden tung zum Zuschmelzen von Dioden verwendet, so Halbleiterbauelemente in einem zweidimensionalen kann die Platte z. B. so ausgebildet sein, daß sie etwa Muster angeordnet sind, und daß die Stromzuführun- 65 500 Dioden gleichzeitig aufnehmen kann. Durch gen an den jeweiligen Enden der Platte sich über de- diese große Zahl von Elementen, die gleichzeitig erren ganze Breite in Form einer Sammelschiene er- wärmt werden können, ist es selbst für die Massenstrecken, herstellung nicht mehr erforderlich, die Bauelemente This is according to the invention in a device to heat elements, so that an economical of the type mentioned achieved in that mass production is possible. Will the device cavities used to accommodate the device to be heated for fusing diodes, so semiconductor components in a two-dimensional, the plate z. B. be designed so that they are about Patterns are arranged, and that the power supply 65 can accommodate 500 diodes at the same time. Through genes at the respective ends of the plate over which this large number of elements that erren at the same time the entire width can be heated in the form of a busbar, it is no longer necessary even for the bulk production, the components

5 65 6

kontinuierlich zuzuführen, was bei der Erfindung den Fi g. 9 und 10 zeigen zwei verschiedene Ausfüh-continuously feed, which in the invention the Fi g. 9 and 10 show two different designs

Vorteil liefert, daß das Erwärmen ohne großen kon- rungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung,The advantage provides that the heating without major conformations of the device according to the invention,

struktiven Aufwand in einer abgeschlossenen Kam- bei der die Platte in Teilelemente geteilt ist;structural effort in a closed chamber in which the plate is divided into sub-elements;

mer durchgeführt werden kann in der die gewünsch- F i g. 11 zeigt eine Abwandlung der in F i g. 5 ge-mer can be carried out in which the desired F i g. 11 shows a modification of the one shown in FIG. 5 ge

fen Umgebungsbedingungen, wie etwa Druck- oder 5 zeigten Ausführungsform der erfindungsgemäßenEnvironmental conditions such as pressure or 5 demonstrated embodiment of the invention

Schutzatmosphäre, aufrechterhalten werden kön- Vorrichtung;Protective atmosphere that can be maintained- Device;

nen. Die Erfindung liefert über die gesamte Breite Fig. 12 zeigt eine Ausführungsform der Erfindungnen. The invention provides across the full width. Figure 12 shows an embodiment of the invention

der Platte eine gleichmäßige Stromverteilung, so daß zum Zuschmelzen eines Zungenschalters, bei dem diethe plate a uniform current distribution, so that to melt a reed switch, in which the

die Platte an allen Punkten in gleicher Weise er- Platte doppelt ausgebildet ist;the plate is formed twice at all points in the same way.

wärmt wird, auf diese Weise ergibt sich trotz der io Fig. 13 zeigt eine Ausführungsfom der erfin-is warmed, this results in spite of the io Fig. 13 shows an embodiment of the invention

zweidimensionalen Anordnung der Bauelemente für dungsgemäßen Vorrichtung, bei der die Platte intwo-dimensional arrangement of the components for the device according to the invention, in which the plate in

alle diese Elemente eine völlig gleiche Erwärmung, Teilelemente geteilt ist, wobei ein Teilelement als Be-all these elements have a completely equal heating, sub-elements are divided, with one sub-element as loading

die eine hohe Qualität der hergestellten Halbleiter- lastungseinrichtung verwendet wird;which high quality manufactured semiconductor load device is used;

bauelemente garantiert. Außerdem wird durch das Fig. 14 zeigt eine Draufsicht auf eine Ausfüh-components guaranteed. In addition, FIG. 14 shows a plan view of an embodiment

unmittelbare Umschließen der Bauelemente durch 15 rungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung, dieimmediate enclosing of the components by 15 approximate shape of the device according to the invention, the

die Platte ein sehr schnelles Erwärmen durch War- zum Zuschmelzen flacher integrierter Schaltungenthe plate heats up very quickly by hot-melt flat integrated circuits

meleitung und Wärmestrahlung bewirkt, so daß es verwendet wird;conduction and thermal radiation causes so that it is used;

auch möglich ist, nur eine oberflächliche Erwärmung Fig. 15 zeigt eine Einzelheit der in Fig. 14 darge-is also possible, only a superficial heating. Fig. 15 shows a detail of the shown in Fig. 14

zu erzielen, wie es z.B. von Vorteil ist, wenn ein stellten Ausführungsform im Querschnitt.to achieve, as it is e.g. advantageous if a presented embodiment in cross-section.

Halbleiterbauelement eingeschmolzen werden soll 20 In F i g. 1 ist eine verschließbare Kammer 10 ge-Semiconductor component is to be melted down 20 In F i g. 1 is a lockable chamber 10

ohne daß das Halbleitermaterial einer stärkeren zeigt, die eine Platte 12 enthält, die gleichzeitig alswithout the semiconductor material showing a stronger one which contains a plate 12, which at the same time as

Wärmebelastung ausgesetzt ist. Außerdem ermög- Halterung für die zu erwärmenden Halbleiterbauele-Exposed to heat. In addition, the holder for the semiconductor components to be heated

licht diese gute Wärmeübertragung ein Arbeiten der mente 14, z. B. Dioden, dient. Die von der Platte 12light this good heat transfer a working of the elements 14, z. B. Diodes, is used. The one from plate 12

Vorrichtung mit einer verhältnismäßig niedrigen getragenen Dioden 14 werden durch eine plattenför-Device with a relatively low carried diodes 14 are supported by a plate-conveying

Temperatur. Die Wärmeeinwirkung kann auch auf 25 mige Belastungseinrichtung 16 unter Druck gesetzt,Temperature. The effect of heat can also be put under pressure on 25 moderate loading device 16,

einzelne Bereiche des zu erwärmenden Bauelements Die Platte 12 wird von der Stromversorgung 18individual areas of the component to be heated. The plate 12 is supplied by the power supply 18

beschränkt werden, was insbesondere dann wir- durch die Anschlüsse 20 und 22 mit Strom versorgt,limited, which in particular is then supplied with power through the connections 20 and 22,

kungsvoll ist, wenn zusätzlich die Wärme abführen- Die Anschlüsse 20 und 22 sind von der Kammer 10It is effective if the heat is also dissipated - The connections 20 and 22 are from the chamber 10

den Elemente vorgesehen sind. Die erfindungsge- durch isolierende Stützglieder 24 und 26 elektrischthe elements are provided. The invention by insulating support members 24 and 26 electrically

mäße Vorrichtung ermöglicht also insbesondere in 30 isoliert. Der Wechselstrom wird vom Netz 28 überThus, in particular, a suitable device enables it to be isolated in FIG. The alternating current is from the network 28 via

Verbindung mit einer automatischen Beschickungs- einen Temperaturregler 30 der Stromversorgung 18Connection to an automatic loading system and a temperature controller 30 of the power supply 18

anlage eine hohe Produktionsrate und eine hervorra- zugeführt. Der Temperaturregler kann z. B. ein dieplant has a high production rate and an excellent. The temperature controller can, for. B. a die

gende Qualität der hergestellten Halbleiterbauele- Stromstärke regelnder Widerstand sein. Die Tempe-The quality of the manufactured semiconductor components- amperage regulating resistance. The tempe-

mente. ratur der durch den durch sie fließenden Strom er-ments. the temperature of the current flowing through it

Im folgenden wird die Erfindung an Hand von 35 hitzten Platte 12 wird durch den TemperaturmesserIn the following the invention is illustrated by means of 35 heated plate 12 by the temperature meter

Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die 32 überwacht. Die Kammer 10 kann, falls es erfor-Embodiments with reference to FIG. 32 monitored. The chamber 10 can, if required

Zeichnung näher erläutert. derlich ist, durch die Gaszuführung 34 z. B. mitDrawing explained in more detail. is that, through the gas supply 34 z. B. with

F i g. 1 zeigt schematisch eine erste Ausführungs- einem Schutzgas versorgt werden, oder durch die Va-F i g. 1 shows schematically a first embodiment, a protective gas can be supplied, or through the Va-

form der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit kuumeinrichtung 36 evakuiert werden. Der Druck inform of the device according to the invention with kuumeinrichtung 36 are evacuated. The pressure in

den zugehörigen Versorgungs- und Steuerungs- 40 der Kammer 10 wird durch den Druckmesser 38the associated supply and control 40 of the chamber 10 is determined by the pressure gauge 38

elementen , überwacht. Zur Steuerung des Ablaufs des Erwär-elements, monitored. To control the process of heating

Fig.2 zeigt eine perspektivische Vorderansicht mungsvorgangs werden die Stromzuführung 18, dieFig.2 shows a perspective front view of the power supply 18, the

einer ersten Ausführungsform einer Dioden-Zu- Gaszuführung 34 und die Vakuumeinrichtung 36a first embodiment of a diode supply gas supply 34 and the vacuum device 36

schmelzanlage, die mit der erfindungsgemäßen Vor- durch den Zeitgeber 40 gesteuert,Melting plant, which is controlled by the timer 40 with the advance according to the invention,

richtung ausgestattet ist, wobei der Deckel der Kam- 45 Die Arbeitsweise dieser Anlage verläuft z. B. beimdirection is equipped, with the lid of the chamber 45 The operation of this system is z. B. at

mer geschlossen ist; Zuschmelzen von Dioden folgendermaßen. Die diemer is closed; Fusing diodes as follows. The those

F i g. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht der An- Dioden 14 tragende Platte 12 wird in die Kammer 10F i g. 3 shows a perspective view of the plate 12 carrying the anode diodes 14 being inserted into the chamber 10

lage der Fig. 2 wobei der Deckel der Kammer geöff- gebracht und an die elektrischen Anschlüsse 20 undposition of FIG. 2, the lid of the chamber being opened and connected to the electrical connections 20 and

net ist; 22 angeschlossen. Nachdem die Kammer 10 dichtnet is; 22 connected. After the chamber 10 is tight

■ F i g. 4 zeigt eine Ausführungsform der erfindungs- 50 verschlossen ist, wird der Zeitgeber 40 eingeschaltet,■ F i g. 4 shows an embodiment of the invention 50 is locked, the timer 40 is switched on,

gemäßen Vorrichtung, bei der die Platte auch als Dieser steuert zunächst die Gaszuführung 34, die dieaccording to the device, in which the plate as this first controls the gas supply 34, which the

Halterung für die Halbleiterbauelemente dient; Kammer 10 mit einem inerten Gas durchspült. UmHolder for the semiconductor components is used; Chamber 10 flushed with an inert gas. Around

F i g. 5 zeigt eine andere Ausführungsform der er- alle Fremdgase zuverlässig aus der Kammer 10 abzu-F i g. 5 shows another embodiment of the reliable removal of all foreign gases from the chamber 10.

findungsgemäßen Vorrichtung, bei der die Halterung ziehen, wird diese durch die Vakuumeinrichtung 36According to the device according to the invention, in which the holder pulls, this is carried out by the vacuum device 36

für die Halbleiterbauelemente von der Platte ge- 55 evakuiert. Dann wird durch den Zeitgeber 40 nochfor the semiconductor components evacuated from the plate. Then by the timer 40 still

trennt ausgebildet ist; . einmal die Gaszuführung 34 angesteuert, um dieis formed separates; . once the gas supply 34 is controlled to the

Fig. 6 zeigt schematisch eine zweite Ausführungs- Kammer 10 bis zu einem gewünschten Druck mitFig. 6 shows schematically a second execution chamber 10 up to a desired pressure

form der gesamten mit der erfindungsgemäßen Vor- dem inerten Schutzgas zu füllen. Darauf wird dieform the entire with the inventive front to fill the inert protective gas. Then the

richtung ausgestatteten Anlage; Stromversorgung 18 angesteuert, um den Heizstromdirection-equipped facility; Power supply 18 controlled to the heating current

F i g. 6 a und 6 b zeigen im Schnitt zwei verschie- 60 durch die Platte 12 fließen zu lassen. Durch denF i g. 6 a and 6 b show, in section, two different types of flow through the plate 12. Through the

dene Ausführungsformen des Zusammenwirkens der Temperatunnesser 32 und den Temperaturregler 30Other embodiments of the interaction of the temperature units 32 and the temperature controller 30

Platte mit dem zu erwärmenden Halbleiterbauele- wird die Stromstärke durch die Platte und damit dieThe plate with the semiconductor component to be heated is the current intensity through the plate and thus the

ment; Temperatur dieser Platte geregelt. Die Dauer, in derment; Temperature of this plate regulated. The duration in which

F i g. 7 zeigt in perspektivischer Ansicht die An- der Strom durch die Platte 12 fließt, ist verhältnismä-F i g. 7 shows in a perspective view that the current flows through the plate 12, is relatively

lage der F i g. 6, wobei die Kammer mit geschlosse- 65 ßig kurz. Besteht die Platte z. B. aus Graphit, Koh-location of the F i g. 6, with the chamber closed with 65 short. Is the plate z. B. made of graphite, carbon

nem Deckel gezeigt ist; . lenstoff, Metall oder Verbindungen davon und ist sonem lid is shown; . fuel, metal or compounds thereof and is like that

F i g. 8 zeigt in Draufsicht die geöffnete Kammer gebaut, daß sie 500 Dioden aufnehmen kann, soF i g. Fig. 8 shows a plan view of the opened chamber built to hold 500 diodes, so

der Anlagenach Fig. 7; kann das Zuschmelzen durchgeführt werden, indemthe system of Fig. 7; the fusing can be done by

7 87 8

die Temperatur auf etwa 900° C gebracht wird, wo- schlußdrähte 216 und 218 erstrecken sich in das röhbei für 15 see Strom durch die Platte 12 geleitet wird. renförmige Teil 214 hinein und enden in Kontakt-Der Strom kann dann unterbrochen werden, und stücken 220 und 222, die dicht in das äußere Teil nach einer sehr kurzen Zeit von etwa 5 see kann das 214 eingepaßt sind. Das äußere röhrenförmige Teil erwärmte Gas in der Kammer 10 in die Atmosphäre 5 214 paßt dicht in den Abschnitt 210, wobei das Konabgelassen werden. Zusätzlich kann Kühlgas durch taktstück 220 durch dessen Bodenwand getragen die Gaszuführung 34 eingeleitet werden, um die wird und der Anschlußdraht 216 durch den Ab-Platte 12 innerhalb von etwa zwei Minuten auf Zim- schnitt 212 führt. Ein Stück eines Halbleitermaterials mertemperatur zu kühlen. Auf diese Weise kann eine 224 ist in dem röhrenförmigen Teil 214 zwischen den große Zahl von Dioden mit hoher Genauigkeit in io beiden Kontaktstücken 220 und 222 angeordnet,
sehr kurzer Zeit zugeschmolzen werden, wobei die Um einen ausreichenden elektrischen Kontakt zwi-Umgebungsbedingungen in der Kammer 10 genau sehen den Kontaktstücken 220 und 222 und dem eingestellt werden können. Halbleitermaterial 224 zu gewährleisten, ist oberhalbthe temperature is brought to about 900 ° C., connecting wires 216 and 218 extend into the röhbei current is passed through the plate 12 for 15 seconds. Ren-shaped part 214 into and end in contact - the flow can then be interrupted, and pieces 220 and 222 which can fit tightly into the outer part after a very short time of about 5 seconds. The outer tubular member heated gas in the chamber 10 into the atmosphere 5 214 fits tightly into the section 210, releasing the cone. In addition, cooling gas can be introduced through the contact piece 220 through its bottom wall, the gas supply 34, around which and the connecting wire 216 leads through the Ab-plate 12 to Zimschnitt 212 within about two minutes. To cool a piece of semiconductor material at mertemperature. In this way a 224 is arranged in the tubular part 214 between the large number of diodes with high accuracy in both contact pieces 220 and 222,
be melted shut very short time, in order to ensure sufficient electrical contact between the ambient conditions in the chamber 10 precisely see the contact pieces 220 and 222 and the can be set. To ensure semiconductor material 224 is above

Die Fig.2 und3 zeigen in perspektivischer An- der Platte 200 eine Belastungseinrichtung angeordsicht eine praktische Ausführungsform der oben be- 15 net, um einen konstanten Druck auf den Anschlußschriebenen Dioden-Zuschmelzanlage der Fig. 1. draht 218 zu erzeugen. Die Belastungseinrichtung be-Die Kammer 10 ist im Oberteil eines Gehäuses 100 steht aus einem ersten Plattenteil 226, der entsprevorgesehen und wird durch einen Deckel 102 ver- chend jedem der Hohlräume in der Platte 200 eine schlossen. Der Deckel 102 wird von einem um eine erste Öffnung 228 aufweist, die den Anschlußdraht Achse 106 schwenkbaren Arm 104 getragen, der 20 218 aufnimmt. Die Öffnung 228 erstreckt sich nicht einen Bolzen 108 aufweist, der auf einem an dem ganz durch die Platte 226 und wird durch eine grö-Rand 112 der Kammer 10 angebrachten Glied 110 ßere Öffnung 230 in ihrer Verlängerung vervollstäneinrasten kann. Nach dem Einrasten kann der Deckel digt, die durch die Platte 226 hindurchführt. Ein Be-102 durch einen Hebel 114 gegen den Rand 112 der lastungsglied 232, z.B. ein Gewicht, sitzt über der Kammer 10 abgesenkt werden, um die Kammer ge- 25 Platte 226 in der Öffnung 230 und drückt den Angenüber der Atmosphäre abzudichten. An der rech- schlußdraht 218 nach unten. Um das Gewicht 232 in ten Seite des Gehäuses 100 befindet sich ein An- seiner Stellung zu halten, wird ein Abdeckteil 234 Schluß 116 für die Vakuumeinrichtung 36 und An- verwendet, das verhindert, daß das Gewicht aus der Schlüsse 118 und 120 für das Absaugen und Zufüh- Öffnung 230 herauskippt. Die gesamte Belastungsren von Gas mit der Gaszuführeinrichtung 34. An 30 einrichtung wird in einem festgelegten Abstand über der Rückseite des Gehäuses 100 befindet sich von der Heizplatte 200 durch Stifte 236 gehalten, die aus einem Gestell 124 die Bedienungstafel 122. Sie ent- einem isolierenden Material bestehen, so daß kein hält den Druckmesser 38 und den Temperaturmes- Strom zwischen den Platten 200 und 226 fließen ser 32 sowie eine Sicherung 126, einen Ein-Aus- kann.FIGS. 2 and 3 show a loading device arranged in perspective on the plate 200 a practical embodiment of the above described, in order to ensure a constant pressure on the connecting letters Diode melting system of FIG. 1. wire 218 to generate. The loading device be-Die Chamber 10 is in the upper part of a housing 100 is composed of a first plate part 226, the corresponding and becomes one of the cavities in the plate 200 through a cover 102 closed. The lid 102 has a first opening 228 around it, the lead wire Axis 106 supported pivotable arm 104 which receives 20 218. The opening 228 does not extend has a bolt 108, which is on one on which all the way through the plate 226 and is through a grö-edge 112 of the chamber 10 attached member 110 ßere opening 230 completeness in its extension can. After it has clicked into place, the cover, which passes through the plate 226, can be closed. A Be-102 by a lever 114 against the edge 112 the load member 232, e.g., a weight, sits above the Chamber 10 is lowered to the chamber- 25 plate 226 in opening 230 and presses the opposite to seal off the atmosphere. Down on the right-hand wire 218. To the weight 232 in A cover part 234 is to be held on the th side of the housing 100 Conclusion 116 is used for the vacuum device 36 and application, which prevents the weight from getting out of the Keys 118 and 120 for suction and feed opening 230 tilts out. The entire load ren of gas with the gas supply device 34. At 30 device is over at a fixed distance The back of the housing 100 is held out by the heating plate 200 by pins 236 a frame 124 the control panel 122. They consist of an insulating material, so that no keeps pressure gauge 38 and temperature measuring current flowing between plates 200 and 226 ser 32 and a fuse 126, an on-off can.

schalter 128 und Anzeigelampen 132, 134, 136 und 35 Wird Strom durch die Platte 200 geleitet, so er-switch 128 and indicator lights 132, 134, 136 and 35 If current is passed through the plate 200,

138. Diese Anzeigelampen dienen dazu, den jeweili- wärmt sich diese Platte auf Grund ihres elektrischen138. These indicator lamps serve to indicate that this plate warms up due to its electrical

gen Arbeitsvorgang anzuzeigen, der im Verlauf des Widerstands, wobei ihre Temperatur und die Ge-to indicate the work process that occurs in the course of the resistance, with its temperature and the

von dem Zeitgeber 40 gesteuerten Zyklus durchge- schwindigkeit, in der diese Temperatur erreicht wird,cycle controlled by the timer 40 through the speed at which this temperature is reached,

führt wird. durch die Zusammensetzung des Widerstandsmate-will lead. through the composition of the resistance material

F i g. 4 zeigt im Detail eine Ausführungsform, bei 4° rials, die Gestalt der Platte und die Stromstärke beder die Platte sowohl als Heizelement als auch als stimmt sind. Die Wärme der Platte 200 wird auf die Halterung für die zu erwärmenden Bauelemente Diode in dem Hohlraum 210 durch Wärmeleitung dient. Die Platte 200 wird in der Kammer 10 durch und Wärmestrahlung übertragen. Der Wärmeübereinen Pfosten 202 getragen, der auch als Stromsam- gang ist anfangs auf den röhrenförmigen Teil 214 bemelschiene dient. Die Platte 200 ist mit dem Pfosten 45 schränkt, da dieser Teil am nächsten an der Platte 202 durch eine Schraube 204 verbunden. Die Sam- 200 anliegt. Der aus Glas bestehende Röhrenteil 214 melschiene 202 führt durch die Bodenwand 206 der schmilzt, wodurch die Kontaktstücke 220 und 222 Kammer 10 hindurch, wobei sie durch einen Ring zugeschmolzen werden. Da die Platte 200 sehr 208 isoliert und abgedichtet wird und ist dann an die schnell aufgeheizt wird und der röhrenförmige Teil Stromversorgung 18 angeschlossen. In F i g. 4 ist nur 50 214 dicht an der Platte 200 anliegt, wird die Wärme ein Ende der Platte dargestellt, das andere Ende der schnell auf diesen röhrenförmigen Teil 214 übertra-Platte ist selbstverständlich symmetrisch zu dem in gen, so daß die Platte nur für kurze Zeit vom Strom Fig.4 gezeigten Ende. Die Platte 200 ist mit einer durchflossen werden muß. Dadurch wird der Strom-Vielzahl von Hohlräumen ausgestattet, die durch die verbrauch für die Anlage sehr niedrig. Außerdem Platte hindurch verlaufen. In Fig.4 ist lediglich 55 wird in dieser kurzen Zeit wenig Wärme von der einer dieser Hohlräume gezeigt. Der Hohlraum be- Platte 200 zu dem Halbleitermaterial 224 übertragen, steht aus einem ersten Abschnitt 210, der nicht voll- so daß keine Gefahr für eine Beschädigung dieses ständig durch die Platte hindurch führt, an diesen Materials besteht. Zusätzlich leiten die Kontaktschließt sich ein zweiter Abschnitt 212 an, der vom stücke 220 und 222 noch die auf das Halbleitermate-Boden des Abschnitts 210 vollständig durch die 60 rial 224 übertragene Wärme ab.
Platte 200 verläuft. Die zwei Abschnitte 210 und 212 F i g. 5 zeigt im Detail eine andere Ausführungsdes Hohlraums dieser Ausführungsform sind in die- form der Vorrichtung, bei der eine von der erwärser speziellen Form ausgebildet, um einen besonderen menden Platte getrennte Halterung für die HaIb-Diodentyp aufzunehmen, wobei die Gestaltung bei leiterbauelemente vorgesehen ist. Die Halterung 300 anderen Halbleiterbauelementen entsprechend an- 65 weist Öffnungen mit erstem Abschnitt 302, der nicht ders gewählt werden kann. In F i g. 4 besitzt die zu- ganz durch die Halterung 300 hindurch verläuft, und zuschmelzende Diode ein röhrenförmiges äußeres einen zweiten sich daran nach unten anschließenden Teil 214, das gewöhnlich aus Glas besteht. Zwei An- engeren Abschnitt 304 auf. Ein abgewinkelter TeilF i g. Fig. 4 shows in detail an embodiment, at 4 ° rials, the shape of the plate and the amperage when the plate is both as a heating element and as correct. The heat from the plate 200 is used to hold the diode to be heated in the cavity 210 by conducting heat. The plate 200 is transmitted in the chamber 10 by and thermal radiation. The heat is carried by a post 202, which is also used as a current input initially on the tubular part 214. The plate 200 is interconnected with the post 45, since this part is connected closest to the plate 202 by a screw 204. The Sam-200 is present. The tube part 214 made of glass mel rail 202 leads through the bottom wall 206 which melts, whereby the contact pieces 220 and 222 chamber 10 through, whereby they are melted shut by a ring. Since the plate 200 is very insulated and sealed 208 and is then quickly heated and the tubular part of the power supply 18 is connected. In Fig. 4 is only 50 214 close to the plate 200, the heat is shown at one end of the plate, the other end of the plate transferred quickly to this tubular part 214 is of course symmetrical to that in gene, so that the plate is only for a short time end shown by the stream Fig.4. The plate 200 has to be traversed by a flow. As a result, the electricity is equipped with a multitude of cavities, which is very low due to the consumption for the system. Also run plate through it. In Figure 4, only 55 is shown little heat from one of these cavities in this short time. The cavity in which the plate 200 is transferred to the semiconductor material 224 consists of a first section 210 which, so that there is no risk of damage to this continuously through the plate, to this material. In addition, the contacts are followed by a second section 212, which from pieces 220 and 222 also conducts the heat transferred completely through the 60 rial 224 to the semiconductor mate base of section 210.
Plate 200 runs. The two sections 210 and 212 Fig. 5 shows in detail another embodiment of the cavity of this embodiment are in the form of the device, in which one of the special form heated to accommodate a special Menden plate separate holder for the Halb diode type, the design is provided for ladder components. The holder 300, corresponding to other semiconductor components, has openings with a first section 302, which cannot be selected. In Fig. 4, which runs all the way through the holder 300, and the fusing diode has a tubular outer and a second part 214 adjoining it at the bottom, which is usually made of glass. Two narrower section 304 on. An angled part

9 109 10

306 trägt die Halterung 300 über dem Boden 308 der Diodenaufbaus beschränkt. Im Zusammenhang mit verschließbaren Kammer. In dem Boden 308 ist ein F i g. 5 wurde das Zuschmelzen der Diode zwischen Einschnitt 310 vorgesehen, der den abgewinkelten dem röhrenförmigen Teil 312 und dem Randstück Teil 306 aufnimmt, um dadurch die Halterung in ih- 326 beschrieben. Ebenso kann diese Vorrichtung narer Lage genau festzulegen. 5 türlich z. B. auch dazu verwendet werden, das HaIb-306 supports the bracket 300 confined above the floor 308 of the diode assembly. In connection with lockable chamber. In the floor 308 there is a fig. 5 was melting the diode between Incision 310 is provided that the angled the tubular part 312 and the edge piece Part 306 receives, thereby the holder described in ih- 326. Likewise, this device can narer Determine the exact location. 5 of course z. B. can also be used to

In dem Abschnitt 302 der Öffnung der Halterung leitermaterial 320 an das Kontaktstück 218 des An-300 befindet sich die zu verschmelzende Diode. schlußdrahtes 314 anzulöten, indem ein Lötmaterial Diese besteht aus einem röhrenförmigen Teil 312, zwischem dem Halbleitermaterial und dem Kontakteinem Anschlußdraht 314, der am Boden des röhren- stück angeordnet und durch die Vorrichtung erwärmt förmigen Teils 312 durch ein dichtendes Randstück io wird. Zur Durchführung dieses Vorgangs wäre die 316 abgedichtet ist, einem Kontaktstück 318, das Verwendung der Platte 200 der F i g. 4 geeignet. Auf sich an dem oberen Ende des Anschlußdrahtes 314 die gleiche Weise könnte z. B. auch das Anschmelzen befindet, einem Stück Halbleitermaterial 320, das des Anschlußdrahts 314 an das röhrenförmige Teil von diesem Kontaktstück 318 getragen wird, einem 312 mit Hilfe des Randstücks 316 durchgeführt werzweiten Anschlußdraht 322, der in einem F-förmigen 15 den.In the section 302 of the opening of the holder conductor material 320 to the contact piece 218 of the An-300 is the diode to be fused. connecting wire 314 to be soldered by a soldering material This consists of a tubular part 312, between the semiconductor material and the contact one Connection wire 314, which is arranged at the bottom of the tube piece and heated by the device shaped part 312 by a sealing edge piece io. To perform this process would be the 316 is sealed, a contact piece 318 using the plate 200 of FIG. 4 suitable. on at the upper end of the lead 314 the same way could e.g. B. also the melting is a piece of semiconductor material 320 that attaches lead 314 to the tubular member is carried by this contact piece 318, carried out a 312 with the help of the edge piece 316 Lead wire 322, which is in an F-shaped 15 den.

Stück eines federnden Materials 324 endet, welches Die F i g. 6,7 und 8 zeigen eine andere Ausfüh-End of a piece of resilient material 324 which is shown in FIG. 6, 7 and 8 show another embodiment

den Kontakt mit dem Halbleitermaterial 320 her- rungsform einer Anlage zum gleichzeitigen Erwärstellt, und einem Randstück aus isolierendem Mate- men einer großen Zahl von Halbleiterbauelementen, rial 326, das den Anschlußdraht 322 umgibt. Das Bei dieser Ausführungsform befindet sich in der ver-Zuschmelzen der Diode wird durch ein Verschmel- 20 schließbaren Kammer 400 eine in zwei Teilelemente zen zwischen dem röhrenförmigen Teil 312 und dem geteilte Platte 402 aus Widerstandsmaterial. Die ge-Randstück 326 bewirkt. Auf die in der Halterung teilte Platte 402, die die Dioden 404 trägt, weist an 300 angeordneten Dioden wird ein Druck durch ihren Enden mehrere Sammelschienen 406 bis 412 einen Belastungsmechanismus ausgeübt, der dem in auf. Diese Sammelschienen erstrecken sich quer zu F i g. 4 gezeigten entspricht, um einen zwangläufigen 35 den Enden der geteilten Platte 402 und sorgen für Kontakt zwischen dem federnden Endstück 324 und eine gleichförmige Stromverteilung in dieser Platte, dem Halbleitermaterial 320 sicherzustellen. Der Strom wird der Platte 402 von einer Stromver-makes contact with the semiconductor material 320 in the form of a system for simultaneous heating, and an edge piece made of insulating materials from a large number of semiconductor components, rial 326 surrounding the lead wire 322. The in this embodiment is in the merging process The diode is divided into two sub-elements by a fusible chamber 400 zen between the tubular part 312 and the divided plate 402 of resistance material. The ge-edge piece 326 causes. The plate 402, which is divided in the holder and carries the diodes 404, instructs 300 arranged diodes is a pressure through their ends multiple busbars 406-412 exerted a loading mechanism similar to that in. These bus bars extend across F i g. 4 corresponds to an inevitable 35 the ends of the split plate 402 and provide Contact between the resilient end piece 324 and a uniform current distribution in this plate, the semiconductor material 320 to ensure. Power is supplied to plate 402 from a power supply

Zwischen der Platte 226 des Belastungsmechanis- sorgung 414 über Leitungen 416 und 418 zugeführt, mus und der Halterung 300 befindet sich die der Er- Die Leitungen 416 und 418 werden wegen der hohen wärmung dienende Platte 328. Diese Platte weist 30 Stromstärke durch zwei Kühlkammern 420 und 422 Hohlräume 330 auf, die jeweils eine Diode umgeben. gekühlt, denen Kühlwasser durch die Rohrleitungen Die in F i g. 5 gezeigte Platte ist sehr einfach im Auf- 424, 426 und 428 zu- und abgeführt wird. Die Leibau, da die Hohlräume 330 lediglich aus durch die tungen 416 und 418 sind an Elektroden 430 und 432 Platte 328 führenden Bohrungen mit konstantem angeschlossen, die durch Isolierungen 434 und 436 Durchmesser bestehen. Die Platte 328 sitzt auf einem 35 isoliert durch die Wand der Kammer 400 führen. Am als Sammelschiene dienendem Pfosten 332, an dem oberen Ende sind die Elektroden 430 und 432 abgesie durch eine Schraube 334 befestigt ist. Die Sam- stuft, so daß sie den Sammelschienen 408 bzw. 412 melschiene 332 erstreckt sich durch die Bodenwand angepaßt sind. Sie umfassen zusätzlich Stangenteile 308 der Kammer wobei sie von einer Isolierung 336 438 und 440, die sich durch Öffnungen in den Samgehalten und abgedichtet wird. Die Sammelschiene 4° melschienen und der geteilten Platte 402 erstrecken, 332 kann mit Hilfe einer Zahnstange 338 und eines so daß diese auf den Stangenteilen verschiebbar sind. Zahnrads 340 angehoben und abgesenkt werden. Das Die geteilte Platte 402 und die Elektroden 430 und Anheben der Sammelschiene 332 und damit der 432 werden durch Federkontaktelemente 442 und Platte 328 erleichtert das Anordnen der Halterung 444 in gutem elektrischem Kontakt gehalten. Wie in 300 in der Kammer in den Einschnitten 310. Wenn 45 F i g. 6 an dem teilweise im Schnitt dargestellten sich die Halterung 300 in der vorgesehenen Lage be- Kontaktelement 442 gezeigt ist, enthalten die Federfindet, wird die Platte 328 abgesenkt, bis sie sich in kontaktelemente einen leitenden Endteil 446, der der in Fig.5 gezeigten Stellung befindet. Selbstver- eine Öffnung zur Aufnahme des Stangenteils 438 ständlich ist es ebenso möglich, die Platte 328 fest- aufweist. Eine äußere Hülse 448 umschließt eine Festehend anzubringen und die Halterung 300 anzuhe- 5° der 450, die an ihrem oberen Ende mit einem isolieben und abzusenken. Ebenso kann das Anheben und renden Teil 452 in Berührung steht. Eine äußere Absenken während des Erwärmungsvorgangs durch- Hülse 454 hält den isolierenden Teil 452 in seiner geführt werden, so daß die zuzuschmelzenden Dio- Stellung und wirkt durch den Schlitz 456 und den den durch die Platte 328 hindurchgeführt werden, Stift 458 als Anschlag. Die Kontaktelemente 442 und während der Strom die Platte aufheizt. Auf diese 55 444 ragen bei offener Kammer über den oberen Weise kann die Platte 328 vorgeheizt werden und die Rand der Kammer 400 hinaus, so daß sie zusammen-Diode wird durch die vorgeheizte Platte hindurchge- gedrückt werden, um einen guten Kontakt zwischen führt, um sicherzustellen, daß das Halbleitermaterial den Elektroden 430 und 432 und der geteilten Platte 320 die kürzest mögliche Zeit der Wärmeeinwirkung 402 herzustellen, wenn die Kammer 400 durch das ausgesetzt ist. 60 Aufbringen und Niederdrücken des Deckels 460 ver-Between the plate 226 of the loading mechanism supply 414 via lines 416 and 418, The lines 416 and 418 are because of the high heating plate 328. This plate has 30 current through two cooling chambers 420 and 422 Cavities 330, each surrounding a diode. cooled, which cooling water through the pipelines The in F i g. The plate shown in FIG. 5 is very easy to supply and remove 424, 426 and 428. The Leibau, Since the cavities 330 are only connected to electrodes 430 and 432 through the lines 416 and 418 Plate 328 leading bores with constant connected by insulators 434 and 436 Diameter exist. The plate 328 sits on an insulated 35 guide through the wall of the chamber 400. At the Post 332 serving as a busbar, at the upper end the electrodes 430 and 432 are sealed off is fastened by a screw 334. The Sam stages so that they match the busbars 408 and 412, respectively Melschiene 332 extends through the bottom wall are adapted. They also include rod parts 308 of the chamber being held by insulation 336 438 and 440 extending through openings in the sam and is sealed. The busbar 4 ° and the split plate 402 extend 332 can with the help of a toothed rack 338 and one so that these can be displaced on the rod parts. Gear 340 can be raised and lowered. The divided plate 402 and electrodes 430 and The busbar 332 and thus the 432 are raised by means of spring contact elements 442 and Plate 328 facilitates placement of bracket 444 kept in good electrical contact. As in 300 in the chamber in the incisions 310. If 45 F i g. 6 on the partially shown in section the holder 300 is shown in the intended position with contact element 442 containing the spring the plate 328 is lowered until it is in contact with a conductive end portion 446, the the position shown in Fig.5 is located. Of course, an opening for receiving the rod part 438 It is of course also possible to have the plate 328 fixed. An outer sleeve 448 encloses a fixed to attach and to lift the bracket 300 5 ° of the 450, which is insulated at its upper end with a and lower. Likewise, the lifting and rending part 452 is in contact. An outer one Lowering during heating by sleeve 454 holds insulating portion 452 in place be guided so that the to be melted Dio position and acts through the slot 456 and the which are passed through the plate 328, pin 458 as a stop. The contact elements 442 and while the current heats the plate. When the chamber is open, these 55 444 protrude over the upper one Way, the plate 328 can be preheated and the edge of the chamber 400 added so that they diode together will be pushed through the preheated plate to ensure good contact between leads to ensure that the semiconductor material covers electrodes 430 and 432 and the split plate 320 to establish the shortest possible time of heat exposure 402 when the chamber 400 through the is exposed. 60 Applying and pressing down the cover 460

Der besondere Vorteil dieser Ausführungsform be- schlossen und abgedichtet wird.The particular advantage of this embodiment is resolved and sealed.

steht darin, daß die zu erwärmenden Dioden in einer F i g. 8 zeigt in Draufsicht das Innere der Kammerit says that the diodes to be heated are in a fig. Figure 8 shows the interior of the chamber in plan view

Halterung eingesetzt werden, die sich besonders für 400. Die Kammer weist zwei Gasdurchlaßöffnungen eine automatische Beschickung eigent, so daß ein 462 und 464 für die Herstellung der gewünschten großer Teil der manuellen Arbeit ausgeschaltet wer- 65 Umgebungsbedingungen, ein mit der Platte 402 verden kann und dadurch die Herstellungskosten verrin- bundenes Thermoelement 466, das durch eine abgegert werden. Weiter ist bei dieser Ausführungsform dichtete Öffnung 468 in der Kammerwand verläuft, die Erwärmung auf einen bestimmten Bereich des und ein Sicherheitsüberdruckventil 470 auf.Bracket can be used, which is particularly suitable for 400. The chamber has two gas passage openings an automatic loading system, so that a 462 and 464 can be used to make the desired A large part of the manual work is eliminated with the plate 402 can and thereby the manufacturing costs reduced thermocouple 466, which is degerted by a will. Furthermore, in this embodiment, sealed opening 468 runs in the chamber wall, the heating to a certain area of the and a safety pressure relief valve 470 on.

11 1211 12

Wie Fig.7 zeigt, ist die Anlage von einem Ge- vorgesehen, das für eine bessere Verteilung der häuse 472 umgeben, und der Deckel 460 ist mit Wärme für den oberen Zuschmelzvorgang zwischen einem Mechanismus 474 ausgestattet, um ihn ähnlich der Glasrohre 526 und dem Kontaktstück 518 sorgt, wie in den Fig.2 und3 zur Abdichtung gegen den um den Temperaturunterschied zwischen zwei VerRand der Kammer nach unten zu drücken. 5 Schmelzungsstellen zu verringern.As Fig.7 shows, the system is provided by a Ge, which for a better distribution of the housing 472 surrounded, and the lid 460 is with heat for the upper sealing process between a mechanism 474 is provided to provide it similar to the glass tubes 526 and the contact piece 518, as in Figures 2 and 3 for sealing against the temperature difference between two verand to push the chamber down. Reduce 5 melting points.

Die übrigen in den F i g. 6 bis 7 dargestellten Be- Eine noch gleichmäßigere Temperaturverteilung standteile der Anlage entsprechen im wesentlichen an beiden Verschmelzungsstellen erhält man durch denen der in den Fig. 1 bis3 gezeigten Anlage. Mit die geteilte Platte 524 der Fig. 6b, die aus einem den Durchschlagsöffnungen 462 und 464 ist eine oberen Teilelement 526 und einem unteren Teil-Gaszuführ- und Auslaßeinrichtung 476 verbunden, io element 528 zusammengesetzt ist. Da sich bei dieser zusätzlich ist eine Vakuumpumpe 478 mit einer der Platte die Diode völlig symmetrisch in beiden Teil-Durchlaßöffnungen verbunden, das Thermoelement elementen befindet ist ein Temperaturunterschied 466 ist elektrisch mit einem Temperaturregler und zwischen der oberen und der unteren Zuschmelzungs- -anzeiger 480 verbunden, der die Stromstärke regelt, stelle völlig ausgeschlossen. Trotz der gleichförmigen und schließlich ist ein Zeitgeber 482 vorgesehen, um 15 Wärmeverteilung der Platte der Fig. 6b hat die gedie Arbeitsweise dieser Teile in der bereits beschrie- teilte Platte der Fig. 6a dieser gegenüber gewisse benen Weise zu steuern. Diese Teile sind herkömm- Vorteile dadurch, daß sie leichter mit den Halbleiterliche Vorrichtungen, die daher nicht näher beschrie- bauelementen zu beschicken ist als die Platte der ben zu werden brauchen. Fig. 6 b, bei der die Dioden über das unteren Teil-The rest of the FIGS. 6 to 7 shown loading An even more even temperature distribution components of the system essentially correspond to both merging points through those of the system shown in Figs. With the split plate 524 of FIG. 6b, which consists of a the breakthrough openings 462 and 464 is an upper part element 526 and a lower part gas supply and outlet device 476 connected, io element 528 is assembled. Since this in addition, a vacuum pump 478 with one of the plate is the diode completely symmetrical in both partial passage openings connected to the thermocouple elements is a temperature difference 466 is electrically connected to a temperature controller and between the upper and lower fusible indicator 480 connected, which regulates the amperage, is completely excluded. Despite the uniform and finally, a timer 482 is provided to prevent heat distribution of the plate of FIG. 6b The way in which these parts work in the already described plate in FIG benign way to control. These parts are conventional in that they are easier to use with semiconductors Devices that are therefore not to be loaded in any more detail than the plate of the need to be practiced. Fig. 6 b, in which the diodes over the lower part

Bei dem Temperaturregler 480 kann z.B. durch 20 element 528 hervorragen.In the case of the temperature controller 480, for example, element 528 can protrude through 20.

einen Einstellknopf 484 die Stellung eines Einstell- Die F i g. 9 und 10 zeigen zwei verschiedene Auszeigers 486 eingestellt werden, die die gewünschte führungsformen für eine geteilte Platte, die in der Temperatur festlegt, während durch einen Zeiger 488 Anlage der F i g. 6 verwendet werden kann, um einen die tatsächliche momentane Temperatur der Platte Lötvorgang durchzuführen. Die Platte 530 besteht aus 402 angezeigt wird. Wie F i g. 7 zeigt, weist die an 25 einem oberen Teilelement 132 und einem unteren dem Gehäuse 472 angebrachte Schalttafel außerdem Teilelement 534. Sammelschienen 536 und 538 dieeine Überlastungssicherung 490, einen Ein-Aus- nen zur Verteilung des Stroms von der Elektrode Schalter 492 und einen Ein-Schalter 494 auf. Weiter 430. Die geteilte Platte 530 dient zum Anlöten sind Anzeigelampen 496 bis 508 vorgesehen, um den zweier Anschlußdrähte 540 und 542 an die Kontaktjeweiligen Betriebszustand der Anlage anzuzeigen, 30 stücke einer vorher zugeschmolzenen Diode 544. z. B. das Durchspülen der Kammer mit inertem Gas, Zwei vorgeformte Lötmaterialstücke 546 und 548 das Evakuieren der Kammer, das Heizen der Platte werden zwischen die Kontaktstücke der Diode 544 usw. und die Anschlußdrähte 540 und 542 gebracht. Einean adjustment knob 484 the position of an adjustment The FIG. 9 and 10 show two different indicators 486 can be set, which the desired guide shapes for a split plate, which in the Determines the temperature, while a pointer 488 attachment of FIG. 6 can be used to create a the actual instantaneous temperature of the board to perform soldering operation. The plate 530 consists of 402 is displayed. Like F i g. 7 shows, the at 25 has an upper sub-element 132 and a lower The switchboard attached to the housing 472 also includes sub-element 534. Busbars 536 and 538 are one Overload fuse 490, an in-out to distribute the current from the electrode Switch 492 and an on switch 494. Next 430. The split plate 530 is used for soldering Indicator lamps 496 to 508 are provided to indicate the two connecting wires 540 and 542 to the respective operating status of the system, 30 pieces of a previously fused diode 544. z. B. purging the chamber with inert gas, two preformed pieces of solder 546 and 548 the evacuation of the chamber, the heating of the plate are between the contact pieces of the diode 544 etc. and the connecting wires 540 and 542 brought. One

Die Arbeitsweise der in den F i g. 6 bis 8 gezeigten untere Abstandsplatte 550 wird durch ein isolieren-Anlage ist folgendermaßen. Die zu erwärmenden 35 des Teil 552 in einem festen Abstand von der Platte Halbleiterbauelemente werden mit einer geeigneten 530 gehalten. Eine obere Belastungsplatte 554 mit Beschickungsvorrichtung in die Platte 402 zwischen zahlreichen Belastungsgewichten 556 wird in einem deren Teilelemente eingesetzt, die Platte 402 wird bestimmten Abstand von der Platte 530 durch ein über die Stangenteile 438 und 440 geschoben, dann isolierendes Teil 558 gehalten. Die Abstände dieser werden die Federkontaktelemente 442 und 444 eben- 40 oberen und unteren Platte 550 und 554 sind so gefalls über diese Stangenteile geschoben, und schließ- wählt, daß sie die Anschlußdrähte 540 und 542 auflich wird der Deckel 460 auf die Kammer 400 ge- nehmen und genau in ihre vorgeschriebene Stellung bracht und durch den Mechanismus 474 nach unten bringen. Die obere Belastungsplatte 554 sorgt außergedrückt, um die Kammer zu verschließen und einen dem für einen ausreichenden Druck, um einen einguten elektrischen Kontakt zwischen der Platte 402 45 wandfreien Lötvorgang zu gewährleisten,
und den Elektroden 430 und 432 durch die Feder- In der Ausführungsform der F i g. 9 ist das obere kontaktelemente herzustellen. Durch den Ein-Aus- und das untere Teilelement 532 und 534 der Platte Schalter 492 wird die Stromversorgung eingeschaltet 530 im Aufbau gleich. Zum Einsetzen der Haibund schließlich wird durch den Ein-Schalter 494 der leiterbauelemente wird das obere Teilelement 532 Zeigeber 482 in Betrieb gesetzt, um den Zuschmel- 5° und die Belastungsplatte 554 entfernt. Der Anzungsvorgang in der bereits früher beschriebenen schlußdraht 542 wird zwischen die untere Abstands-Weise zu steuern. platte 550 und das untere Teilelement 534 eingesetzt.The operation of the in the F i g. 6 through 8, the lower spacer plate 550 shown is secured by an isolating facility as follows. The semiconductor components to be heated 35 of the part 552 at a fixed distance from the plate are held with a suitable 530. An upper loading plate 554 with a loading device in the plate 402 between numerous loading weights 556 is inserted in one of their sub-elements, the plate 402 is pushed a certain distance from the plate 530 by an insulating part 558 over the rod parts 438 and 440, then held. The distances between these are the spring contact elements 442 and 444 evenly. 40 Upper and lower plates 550 and 554 are pushed over these rod parts in such a way that they open the connecting wires 540 and 542. The cover 460 is placed on the chamber 400. and bring it exactly into its prescribed position and bring it down through mechanism 474. The upper loading plate 554, when unpressed, ensures that the chamber is closed and that there is sufficient pressure to ensure a good electrical contact between the plate 402 45 smooth soldering process,
and electrodes 430 and 432 by the spring. In the embodiment of FIG. 9 the upper contact element is to be established. The on-off and lower sub-members 532 and 534 of the switch 492 switch the power supply switched on 530 in the same structure. Finally, to insert the collar, the upper part element 532 pointer 482 is put into operation by the on switch 494 of the ladder components, in order to remove the sealing 5 ° and the loading plate 554. The attracting process in the previously described connecting wire 542 is between the lower spacing modes to control. Plate 550 and the lower sub-element 534 inserted.

Die F i g. 6 a und 6 b stellen zwei verschiedene Das vorgeformte Lötmaterial 548 fällt in den Hohl-Ausführungsformen einer geteilten Heizplatte dar, raum im unteren Teilelement 534 und bleibt auf dem wie sie in F i g. 6 mit 402 bezeichnet ist. Die geteilte 55 Anschlußdraht 542 liegen. Nun wird die Diode 544 Platte 510 der Fig. 6 a besteht aus einem oberen in den Hohlraum eingesetzt und liegt mit ihrem unte-Teilelement 512 und einem unteren Teilelement 514. ren Kontaktstück auf dem vorgeformten Lötmaterial Die Platte 510 ist dafür vorgesehen eine Diode zwei- 548 auf. Das obere Teilelement 532 wird umgedreht, fach zuzuschmelzen, die einen oberen Anschlußdraht und das vorgeformte Lötmaterial 546 fällt in den 416, der an ein Kontaktstück 518 gelötet ist, und 60 Hohlraum des Teilelements 532. In diesem Hohleinen unteren Anschlußdraht 520, der an ein zweites raum wird das vorgeformte Lötmaterial in irgendei-Kontaktstück 522 angelötet ist, und ein Stück eines ner Weise, z. B. durch eine Vakkuumplatte, gehalten, Halbleitermaterials 524 zwischen diesen Kontakt- und das Teilelement 532 wird daraufhin umgedreht stücken aufweist. Zum Einkapseln der Diode soll und über dem unteren Teilelement 534 angeordnet, eine Glasrohre 526 an den Kontaktstücken 518 und 65 Das vorgeformte Lötmaterial 564 liegt dann auf dem 522 angeschmolzen werden. Die Platte 510 der oberen Kontaktstück der Diode 544 auf. Anschlie-Fig. 6 a ist der Platte 200 der Figur ähnlich, es ist ßend wird der obere Anschlußdraht 540 zwischen lediglich noch zusätzlich das obere Teilelement 512 dem oberen Teilelement 532 und der Belastungs-The F i g. 6 a and 6 b represent two different ones. The preformed solder 548 falls in the hollow embodiments a split heating plate, space in the lower sub-element 534 and remains on the as shown in FIG. 6 is denoted by 402. The divided 55 connecting wire 542 lie. Now the diode becomes 544 Plate 510 of Fig. 6a consists of an upper inserted into the cavity and lies with its lower sub-element 512 and a lower sub-element 514. Ren contact piece on the preformed solder material The plate 510 is provided for a diode two-548. The upper sub-element 532 is turned over, fold to melt the one upper lead wire and the preformed solder 546 falls into the 416, which is soldered to a contact piece 518, and 60 cavity of the partial element 532. In this cavity Lower lead 520 that connects to a second space will place the preformed solder in any contact piece 522 is soldered, and a piece of a ner way, e.g. B. held by a vacuum plate, Semiconductor material 524 between these contact and the sub-element 532 is then turned over has pieces. To encapsulate the diode and should be arranged over the lower sub-element 534, a glass tube 526 on the contact pieces 518 and 65. The preformed solder material 564 then lies on top of the 522 are melted. The plate 510 of the upper contact piece of the diode 544 on. Then Fig. 6 a is the plate 200 of the figure similar, it is ßend the upper connecting wire 540 between only in addition the upper sub-element 512, the upper sub-element 532 and the load

13 1413 14

platte 554 in die vorgesehene Lage gebracht und das 611. Isolatoren 612 und 614 halten die Abstands-plate 554 brought into the intended position and the 611th insulators 612 and 614 hold the spacing

Gewicht 556 eingesetzt. platten 606 und 608 in einem geeigneten AbstandWeight 556 inserted. plates 606 and 608 at a suitable distance

Bei.der Ausführungsform der Fig. 10 ist ein zu- von den Heizplatten 594 und 596. Zusätzlich kannIn the embodiment of FIG. 10, there is also one of the heating plates 594 and 596. In addition,

sätzliches Teilelement 560 vorgesehen, das den obe- mit Hilfe von Isolatoren 618 und 620 ein Wärme ab-Additional partial element 560 is provided, which dissipates heat from the above with the help of insulators 618 and 620

ren Anschlußdraht 540 aufnimmt. Dadurch ist eine 5 führendes Element 616 angeordnet werden, um den ^ren connecting wire 540 receives. This allows a 5 leading element 616 to be placed around the ^

Einrichtung (z. B. Vakuumplatte) zum Festhalten des mittleren Teil des Zungenschalters 586 während desMeans (e.g. vacuum plate) for holding the central portion of the reed switch 586 in place during the

vorgeformten Lötmaterials 546 in seiner Lage erfor- Zuschmelzens auf einer niedrigeren Temperatur zuPreformed solder 546 in its position to be melted down at a lower temperature

derlich. Das obere Teilelement 532 weist hier einen halten. Dies kann insbesondere deshalb notwendigso. The upper sub-element 532 has a hold here. This may therefore be necessary in particular

Hohlraum auf, der so groß ist, daß er das vorge- sein, da zu hohe Temperaturen die magnetischenA cavity that is so large that it can exist because the magnetic temperature is too high

formte Lötmaterial 564 von der Oberseite aufneh- io Eigenschaften der magnetischen Zungenglieder 590·Formed soldering material 564 from the top with the properties of the magnetic tongue members 590 ·

men kann. Das zusätzliche Teilelement 560 sorgt und 592 beeinflussen können. Im übrigen kann einemen can. The additional sub-element 560 provides and can influence 592. Incidentally, a

dann dafür, daß der obere Anschlußdraht 540 in der Anlage ähnlich der in F i g. 6 gezeigten verwendetthen ensure that the upper connecting wire 540 in the system is similar to that in FIG. 6 is used

vorgesehenen Stellung gehalten wird, wird die ge- werden.provided position is held, the will be.

teilte Heizplatte530 der Fig. 9 oder 10 von Strom Fig. 13 zeigt eine Ausführungsform, die sich fürshared heating plate 530 of Fig. 9 or 10 from stream Fig. 13 shows an embodiment which can be used for

durchflossen und erhitzt, so werden die Enden der 15 ein doppeltes Zuschmelzen einer Diode, wie sie inflowed through and heated, the ends of 15 are a double fusing of a diode, as shown in

Anschlußdrähte 540 und 542 an die Kontaktstücke den Fig. 9 und 10 gezeigt ist, eignet. Hier bestehtConnecting wires 540 and 542 to the contact pieces shown in FIGS. 9 and 10 is suitable. Here is

der Diode 544 angelötet. Die geteilte Platte sorgt da- die geteilte Platte 622 aus einem unteren Teilele-the diode 544 soldered on. The split plate ensures that the split plate 622 consists of a lower part element

bei für eine gleichmäßige Wärmeverteilung, so daß ment 624 und einem oberen Teilelement 626. Sam-at for even heat distribution, so that element 624 and an upper sub-element 626. Sam-

keine Temperaturdifferenz zwischen der oberen und melschienen 628 bis 634 sorgen für eine gleichmä-no temperature difference between the upper and milk rails 628 to 634 ensure an even

der unteren Lötstelle auftritt. 20 ßige Stromverteilung in der Platte 622. Das oberethe lower solder joint occurs. 20 ßige current distribution in the plate 622. The upper

F i g. 11 zeigt eine Platte 562 zum Zuschmelzen Teilelement 626 wirkt nicht nur als Teil der heizen-F i g. 11 shows a plate 562 for fusing down sub-element 626 not only acts as part of the heating

einer Diode in der in F i g. 5 gezeigten Weise. Die den Platte 622, die für eine gleiche Temperatur ana diode in the in F i g. 5 way shown. The the plate 622, which for an equal temperature

Ausführungsform der F i g. 11 kann in Verbindung der oberen und der unteren Zuschmelzstelle derEmbodiment of FIG. 11 can be used in connection with the upper and lower sealing points of the

mit der Anlage der Fig.6 verwendet werden, wobei Diode sorgt, sondern auch als Belastungsplatte. Dascan be used with the plant of Fig.6, with diode providing, but also as a loading plate. The

Sammelschienen 564 und 566 am Ende der Platte 25 obere Teilelement 626 enthält Belastungsglieder 636,Busbars 564 and 566 at the end of the plate 25 upper sub-member 626 contains loading members 636,

562 für eine gleichmäßige Stromverteilung in der die einen Druck auf die Dioden ausüben, um einen562 for an even current distribution in which one exerts pressure on the diodes to create a

Platte sorgen. Bei der Ausführungsform der Fig. 11 guten Kontakt zu erzielen. Die Stromzuführung zuPlate worries. To achieve good contact in the embodiment of FIG. The power supply to

wird der Halbleiterteil der Diode durch ein Wärme dem oberen Teilelement 626 sorgt einerseits für eineIf the semiconductor part of the diode is heated to the upper sub-element 626 on the one hand, it provides a

abführendes Element 568 unterhalb einer bestimm- gleichmäßige Erwärmung der oberen und der unte-discharging element 568 below a certain uniform heating of the upper and lower

ten Temperatur gehalten. Der gute elektrische Kon- 30 ren Zuschmelzstelle. Andererseits dehnt sich das un-held temperature. The good electrical con-30 ren melting point. On the other hand, the un-

takt der Diode wird durch eine Federkraft auf- tere Teilelement 624 aus wenn es durch den durchflie-clock of the diode is switched off by a spring force on the upper sub-element 624 when it flows through the

rechterhalten, indem der obere Anschlußdraht der ßenden Strom erwärmt wird, so daß sich die relativeto the right by heating the upper connecting wire of the ßenden current, so that the relative

Diode durch eine obere Abstandsplatte 570 festge- Lage von Diode und Gewicht 636 verändern würde,Diode would change position of diode and weight 636 through an upper spacer plate 570,

legt wird, die durch einen Isolator 572 in geeignetem wenn kein Strom durch das obere Teilelement 626 ge-is laid, which by an insulator 572 in a suitable when no current through the upper sub-element 626

Abstand von der Platte 562 gehalten wird. Der un- 35 leitet würde. Eine solche Relativbewegung zwischenDistance from the plate 562 is maintained. The un- 35 would lead. Such a relative movement between

tere Anschlußdraht der Diode wird über ein Teil 574 Gewicht 636 und Diode würde eine Spannung in derThe tere connecting wire of the diode is going over part 574 weight 636 and would put a voltage in the diode

durch eine Druckfeder 578 federbelastet, die beide in Diode erzeugen, die zu einer schlechten Abdichtungspring loaded by a compression spring 578, both of which produce a diode that results in a poor seal

einer Öffnung in einer unteren Platte 576 angeordnet führen kann.an opening arranged in a lower plate 576 can lead.

sind. Der durch die Feder 578 ausgeübte Druck kann In den Fig. 14 und 15 ist eine Vorrichtung zum durch eine Schraube 580 eingestellt werden. Das 40 Zuschmelzen flacher integrierter Schaltungen gezeigt. Wärme abführende Element 568 kann entweder ein Eine solche flache integrierte Schaltung 640 besteht zirkulierendes Kühlmittel enthalten oder lediglich aus einem Bodenteil 642, die aus einem isolierenden aus einem Wärme leitenden Material mit großer Material besteht, aus einem sich längs des Umfangs Wärmekapazität aufgebaut sein. Durch Isolierungen des Bodenteils 642 nach oben erstreckenden Wand-582 und 584 wird das Wärme abführende Element in 45 teil 644, aus Anschlußdrähten 646, die durch die geeignetem Abstand von der Platte 562 und der un- Wand 644 führen und in die geschlossene Mittelteren Platte 576 gehalten. fläche hineinragen, und aus einem an dem Bodenteilare. The pressure exerted by the spring 578 can be used in FIGS. 14 and 15 is a device for can be adjusted by a screw 580. The 40 melting down of flat integrated circuits is shown. Heat dissipating element 568 can be either one such flat integrated circuit 640 is composed contained circulating coolant or only from a bottom part 642, which consists of an insulating consists of a thermally conductive material with a large material, from a extending along the perimeter Be built up heat capacity. By isolating the bottom part 642 upwardly extending wall-582 and 584 is the heat dissipating element in 45 part 644, made of lead wires 646 passing through the a suitable distance from the plate 562 and the un-wall 644 lead and into the closed central one Plate 576 held. surface protrude, and from one on the bottom part

F i g. 12 zeigt eine Ausführungsform der Vorrich- 642 angebrachten Halbleitermaterial 648, das eine tung, die für eine doppelte Zuschmelzung eines Zun- geeignete Gestaltung aufweist, um eine besondere genschalters 586 vorgesehen ist. Der Zungenschalter 50 Schaltanordnung herzustellen. Die Anschlußdrähte 586 besteht aus einer äußeren Glashülse 588 und 646 sind an bestimmten Stellen des Halbleitermatezwei magnetischen Zungengliedern 590 und 592, die rials 648 durch dünne Drähte 650 angeschlossen, durch die Enden der Glashülse führen und einander Dieser Aufbau der flachen integrierten Schaltung ist in der Mitte der Hülse über eine kurze Strecke über- durch eine metallische Deckplatte 652 abzudichten,
lappen und sich beim Anlegen eines Magnetfeldes 55 Die Platte 638 aus Widerstandsmaterial der Voranziehen und den Kontakt zwischen den Enden des richtung weist Hohlräume 654 auf, die wegen der Schalters schließen. Die doppelte Zuschmelzung zwi- metallischen Deckplatte 652 durch ein isolierendes sehen den magnetischen Gliedern 590 und 592 und Material, z. B. ein keramisches Material 66, ausgeder Glashülse 588 wird durch zwei Platten 594 und kleidet sind. Der Platte 638 wird Strom durch Sam-596 erzeugt. Sammelschienen 598 bis 604 sorgen für 60 melschienen 658 und 660 zugeführt, um eine gleicheine gleichmäßige Stromverteilung in diesen Platten förmige Stromverteilung zu erreichen. Wird die und für einen geeigneten Abstand zwischen ihnen. Platte 638 durch den durchfließenden Strom erhitzt, Obere und untere Abstandsplatten 606 und 608 sind so wird das obere Ende der Wand 644 mit der Deckvorgesehen, um die magnetischen Zungenglieder 690 platte 652 verschmolzen. Falls es erwünscht ist, kann und 592 in die richtige Stellung zu bringen. Sie neh- 65 ein Dichtungsmaterial 662 zwischen der Wand 644 men die Zungenglieder in Vertiefungen auf und kön- und der Deckplatte 652 angebracht werden, um nen mit Einrichtungen zum Einspannen dieser Glie- bessere Abdichtung zu erzielen. Soll während des der versehen sein, z.B. durch Federglieder 610 und Zuschmelzens der flachen integrierten Schaltung 640F i g. 12 shows an embodiment of device 642 attached semiconductor material 648 having a device configured for double fusing of a fuse to a particular counter switch 586. The reed switch 50 produce switching assembly. The connecting wires 586 consists of an outer glass sleeve 588 and 646 are two magnetic tongue members 590 and 592, the rials 648 connected by thin wires 650, lead through the ends of the glass sleeve and each other at certain points on the semiconductor mat. This structure of the flat integrated circuit is in the middle to seal the sleeve over a short distance with a metallic cover plate 652,
lobes and when a magnetic field is applied 55 The plate 638 made of resistance material of the pre-attraction and the contact between the ends of the direction has cavities 654 which close because of the switch. The double fusing between metallic cover plate 652 by an insulating see the magnetic members 590 and 592 and material, e.g. B. a ceramic material 66, the glass sleeve 588 is clad by two plates 594 and are. Power is generated to plate 638 by Sam-596. Bus bars 598 to 604 provide for 60 milk bars 658 and 660, in order to achieve an even, uniform current distribution in these plate-shaped current distribution. Will the and for a suitable distance between them. Plate 638 heated by the flowing current, upper and lower spacer plates 606 and 608 are so the upper end of wall 644 is provided with the deck, around the magnetic tongue members 690 plate 652 fused. If desired, and can move 592 into the correct position. They hold a sealing material 662 between the wall 644 and the tongue members in recesses and can be attached to the cover plate 652 in order to achieve a better seal with means for clamping these members. Should be provided during the, for example by means of spring members 610 and melting the flat integrated circuit 640

die Temperatur des Halbleitermaterials 648 unter einem bestimmten Wert gehalten werden, damit das Halbleitermaterial nicht beschädigt wird, so kann eine Kombination einer Belastungsplatte und eines Wärme abführenden Elements 664 verwendet wer-the temperature of the semiconductor material 648 can be kept below a certain value so that the Semiconductor material is not damaged, so a combination of a stress plate and a Heat dissipating element 664 can be used

den, die zusätzlich für einen Druck auf die integrierte Schaltung sorgt, um eine gute Abdichtung herzustellen. Dieses Wärme abführende Element 664 kann aus einem schweren Metallstück bestehen oder durch Wasser oder Gas gekühlt sein.the one, which also ensures a pressure on the integrated circuit in order to produce a good seal. This heat dissipating element 664 can consist of a heavy piece of metal or through Water or gas cooled.

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Device for the simultaneous heating of a large number of semiconductor components for mass production purposes in which the individual semiconductor components are wholly or partially be inserted into cavities of a plate of resistance material, which is passed through it flowing electric current is heated, characterized in that the hollow spaces (210, 212; 330; 654) for receiving the semiconductor components to be heated (14; 220 to 224; 312 to 324; 404; 516 to 526; 544; 586; 640) arranged in a two-dimensional pattern are, and that the power supply lines at the respective ends of the plate (12; 200; 328; 402; 510; 524; 530; 562; 594,596; 622; 638) extends over its entire width in the form of a busbar (20, 22; 202; 332; 406 to 412; 536, 538; 564, 566; 598 to 604; 628 to 634; 658, 660).

2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the cavities are formed are that they completely enclose the semiconductor components. .

3. Apparatus according to claim 1, characterized in that the cavities are only those Enclose areas of the semiconductor components that are to be heated.

4. Apparatus according to claim 3, characterized in that the remaining regions of the semiconductor components are enclosed by heat dissipating elements (568; 616; 664).

5. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Plate (510; 524; 530; 622) is divided into two sub-elements (512, 514; 526, 528; 532, 534; 624, 626), the cavities of which have different areas enclose the semiconductor components.

6. Apparatus according to claim 5, characterized in that the two sub-elements directly adjoin each other and together the semiconductor components practically completely enclose.

7. Apparatus according to claim 4 and 5, characterized in that a heat dissipating Element (616) between the sub-elements (594, 596) is provided, the between these encloses lying areas of the semiconductor components.

8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Plate is made of graphite.

9. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Power supply line to the plate comprises resiliently pressed against one another contact elements (442, 444).

10. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Plate is arranged horizontally, and that a loading device (16; 226 to 234; 554, 556; 578; 636) is arranged, which exerts a pressure on the semiconductor components.

11. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Plate in a closable one provided with controlled gas connections (34, 36; 116 to 120; 462, 464) Chamber (10; 400) is arranged.

12. The device according to claim and 11, characterized characterized in that the contact elements (442, 444) with the lid (460) of the chamber (400) are mechanically coupled so that they are resiliently pressed against one another when the lid is closed will.

13. The apparatus according to claim 11, characterized in that the control of the gas supply is formed by the gas connections (34, 36; 116 to 120; 462, 464) that during the Supplying power to the plate, a pressure increase in the chamber (10; 400) takes place.

14. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the Plate (12; 200; 402; 638) itself or one of its sub-elements (514; 528; 534; 624) as a holder is designed for the semiconductor components.

15. The device according to claim 14, characterized in that the cavities for receiving of semiconductor components with leads (216, 218) of through holes are formed, which are stepped so that they have a larger diameter at one end (210) than have (212) at the other end.

16. Device according to one of the preceding claims, characterized in that in addition to the plate (328) a special holder (300) for the semiconductor components or is provided for one end thereof.

17. The apparatus of claim 10 and / or 16, characterized in that current to the Loading device (626, 636) and / or the holder is fed to one of the Thermal expansion of the plate (622) cause corresponding thermal expansion.