DE1614595B2 - BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE - Google Patents

BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE

Info

Publication number
DE1614595B2
DE1614595B2 DE19671614595 DE1614595A DE1614595B2 DE 1614595 B2 DE1614595 B2 DE 1614595B2 DE 19671614595 DE19671614595 DE 19671614595 DE 1614595 A DE1614595 A DE 1614595A DE 1614595 B2 DE1614595 B2 DE 1614595B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
preparation
cooling
corpuscular
corpuscular beam
frozen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19671614595
Other languages
German (de)
Other versions
DE1614595A1 (en
Inventor
Karl Heinz Dr 1000 Berlin Herrmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19671614595 priority Critical patent/DE1614595B2/en
Priority to GB1232878D priority patent/GB1232878A/en
Publication of DE1614595A1 publication Critical patent/DE1614595A1/en
Publication of DE1614595B2 publication Critical patent/DE1614595B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
    • H01J2237/24415—X-ray
    • H01J2237/2442—Energy-dispersive (Si-Li type) spectrometer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446—Position sensitive detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature

Description

strahloptischen Abbildung, sondern auch im Rah- Die Erfindung läßt sich beispielsweise dadurchoptical imaging, but also within the scope of the invention, for example

men der spektroskopischen Untersuchung des Prä- weiterbilden, daß mehrere Halbleiterdetektoren inmen of the spectroscopic investigation of the pre- further educate that several semiconductor detectors in

parates. vorzugsweise rotationssymmetrischer Anordnung be-ready. preferably rotationally symmetrical arrangement

Die Verwendung einer Spektrometereinrichtung züglich des Korpuskularstrahles durch wärmeleitendeThe use of a spectrometer device plus the corpuscular beam through thermally conductive

mit zumindest einem Halbleiterdetektor und gegebe- 5 Verbindungen an dem tiefgekühlten Bauteil befestigtwith at least one semiconductor detector and given 5 connections attached to the frozen component

nenfalls über Vorverstärker nachgeschaltetem Im- sowie elektrisch zusammengeschaltet sind,If necessary, they are connected to the downstream Im- and electrically connected via the preamplifier,

pulshöhenanalysator bietet gegenüber den üblicher- Während die eben beschriebene AusführungsformPulse height analyzer offers compared to the usual- While the embodiment just described

weise verwendeten Proportionalzählrohren den Vor- die Befestigung mehrerer Halbleiterdetektoren anwise used proportional counter tubes in front of the attachment of several semiconductor detectors

teil eines höheren Energieauflösungsvermögens. Es einem tiefgekühlten Bauteil betraf, lassen sich meh-part of a higher energy resolution. When it came to a frozen component, several

hat sich ferner gezeigt, daß dieses Energieauflösungs- io rere Halbleiterdetektoren bei einer Einrichtung zurhas also been shown that this energy resolution io rere semiconductor detectors in a device for

vermögen weiter vergrößert wird, wenn der Halb- Präparatraumkühlung mit mehreren tiefgekühltencapacity is further increased when the semi-specimen room cooling with several deep-frozen

leiterdetektor auf tiefe Temperaturen abgekühlt wird. Bauteilen auch jeweils einzeln oder zu mehreren aufconductor detector is cooled to low temperatures. Components also individually or in groups

Insofern löst also die Einrichtung zur Präparatraum- mehreren dieser Bauteile anordnen. Wichtig ist dabeiIn this respect, the device for the preparation room solves arranging several of these components. It is important here

kühlung auch Aufgaben im Bereich der Einrichtung stets, daß die Befestigung unter Wahrung eines gu-cooling also tasks in the area of the facility always that the fastening while maintaining a good

zur Spektrometrie. 15 ten Wärmekontaktes hergestellt wird, damit diefor spectrometry. 15 th thermal contact is made so that the

Sie wirkt sich aber nicht nur hinsichtlich einer Er- durch die Abkühlung der Halbleiterdetektoren anhöhung der Auflösung bei der spektrometrischen gestrebte Erhöhung der Empfindlichkeit tatsächlich Untersuchung durch Beeinflussung der Eigenschaften eintritt. Man kann also beispielsweise einen gut des Halbleiterdetektors aus, sondern hat bei diesen wärmeleitenden Kleber oder wärmeleitende metal-Untersuchungen auch hinsichtlich der Vermeidung 20 listhe Verbindungselemente verwenden,
der Präparatverschmutzung besondere Bedeutung. Es Sind die Halbleiterdetektoren verschiedenen tiefhat sich ergeben, daß bei kleinem Durchmesser des gekühlten Bauteilen im Bereich des Präparates zuge-Korpuskularstrahles im Bereich des Präparates und ordnet, so können die jeweils auf einem der Bauteile bei großen Strahlintensitäten die Verschmutzung befestigten Halbleiterdetektoren elektrisch zusamdeshalb stark zunimmt, weil die Erwärmung des 25 mengeschaltet sein. Man hat dann mehrere voneinbestrahlten Präparatbereiches nur noch gering ist. ander getrennte Detektorkreise und kann die unter Bei spektroskopischen Untersuchungen strebt man bestimmten Winkeln emittierte Röntgenstrahlung heute Durchmesser des Korpuskularstrahles im Be- richtungsselektiv erfassen.However, it does not only have an effect with regard to an increase in the resolution in the case of the spectrometric-aimed increase in sensitivity, which actually occurs by influencing the properties, through the cooling of the semiconductor detectors. So you can, for example, use one of the semiconductor detectors, but instead use 20 listhe connecting elements with these thermally conductive adhesives or thermally conductive metal investigations, also with regard to avoidance.
the contamination of the specimen is of particular importance. If the semiconductor detectors are of different depths, it has emerged that with a small diameter of the cooled components in the area of the specimen and arranging the corpuscular beam in the area of the specimen, the semiconductor detectors attached to one of the components with high beam intensities can therefore increase electrically, because the heating of the 25 must be switched on. You then have several of the irradiated preparation area is only small. separate detector circuits and can selectively detect the X-rays emitted under spectroscopic examinations at certain angles, the diameter of the corpuscular beam today.

reich des Präparates von V10 μΐη und darunter an, Verständlicherweise kann man aber auch allerich in the preparation of V 10 μΐη and below, but understandably one can also use all

um durch sehr feine Abrasterung des Präparates 30 Halbleiterdetektoren elektrisch zusammenschalten,to electrically interconnect 30 semiconductor detectors through very fine scanning of the specimen,

auch räumlich sehr kleine Inhomogenitäten desselben Die Zusammenschaltung (Parallelschaltung) kannalso spatially very small inhomogeneities of the same The interconnection (parallel connection) can

meßtechnisch erfassen zu können. Aus diesem auch hinter individuellen Vorverstärkern erfolgen,to be able to capture by measurement. For this also take place behind individual preamplifiers,

Grunde ist die verschmutzungshindernde Wirkung um Kapazitätsvervielfachungen am VerstärkereingangThe reason is the pollution-preventing effect by multiplying capacities at the amplifier input

der im Korpuskularstrahlgerät vorhandenen Einrich- zu vermeiden.to avoid the device in the corpuscular beam device.

tung zur Präparatraumkühlung gerade auch für die 35 Im Hinblick auf die Erfassung eines möglichstdevice for cooling the specimen room, especially for the 35 With regard to the detection of a possible

mit einer Einrichtung zur nichtdispersiven Spektro- großen Raumwinkels der Röntgenstrahlung wirdwith a device for the non-dispersive spectro-large solid angle of the X-ray radiation

skopie der Röntgenstrahlung durchgeführten Unter- man die Halbleiterdetektoren zweckmäßigerweise socopy of the X-ray radiation carried out under the semiconductor detectors expediently so

suchungen, bei denen der Strahldurchmesser in einem nahe am Präparat anordnen, wie es die KonstruktionSearches in which the beam diameter is arranged in a close proximity to the specimen, as is the design

Bereich liegt, in dem in der beschriebenen Weise die des Gerätes zuläßt.Range is in which the device allows in the manner described.

Präparatverschmutzung zunimmt, von großer Be- 40 Sind zwei tiefgekühlte Bauteile in Gestalt vonThe contamination of the preparation increases, of great importance 40 Are two deep-frozen components in the form of

deutung. Blenden vorhanden, von denen je eine in Strahlrich-interpretation. Orifices are available, one of which each

Zusammenfassend kann also gesagt werden, daß tung vor und hinter dem Präparat angeordnet ist, durch die erfindungsgemäße Anordnung unter mehr- so wird man die Halbleiterdetektoren auf den dem fächer Ausnutzung der Einrichtung zur Präparat- Präparat zugekehrten Oberflächen der tiefgekühlten raumkühlung sowohl hinsichtlich der korpuskular- 45 Blenden durch wärmeleitende Verbindungen bestrahloptischen Abbildung als auch hinsichtlich der festigen.In summary, it can be said that the device is arranged in front of and behind the specimen, by the arrangement according to the invention under more so one is the semiconductor detectors on the dem fan utilization of the device for preparation-preparation facing surfaces of the frozen Room cooling both in terms of the corpuscular 45 diaphragms by means of heat-conducting connections, irradiation-optical Figure as well as in terms of consolidate.

spektrometrischen Untersuchung des Präparates be- Man kann aber auch mehrere Blenden als tiefge-spectrometric examination of the specimen.However, several apertures can also be used as deep

sonders günstige Verhältnisse geschaffen sind. kühlte Bauteile verwenden, die das Präparat inparticularly favorable conditions are created. use cooled components that the preparation in

Gegenüber der Anordnung der gesamten Einrich- Strahlrichtung gesehen zwischen sich einschließen, tung zur nichtdispersiven Spektroskopie außerhalb 5° und in denjenigen Bereichen der Blenden, die im des Vakuumraumes des Korpuskularstrahlgerätes Raumwinkel der von den Halbleiterdetektoren erbietet die erfindungsgemäße Anordnung des Halb- faßten Röntgenstrahlung liegen, Ausnehmungen leiterdetektors innerhalb des Vakuumraumes den (Löcher) zum ungehinderten Durchtritt der Röntweiteren Vorteil, daß der Detektor sehr nahe am genstrahlung zu den Halbleiterdetektoren vorsehen. Präparat angeordnet sein kann und demgemäß in- 55 Dann hat man eine größere Freiheit in der Ausbilfolge eines größeren erfaßten Raumwinkels der dung der Einrichtung zur Präparatraumkühlung und Röntgenstrahlung die Empfindlichkeit der Anord- der Anordnung der Halbleiterdetektoren, ohne daß nung merkbar gesteigert wird. Da ferner der Halb- die weiche Röntgenstrahlung abgeschaltet wird,
leiterdetektor von Teilen der ohnehin vorhandenen Vielfach enthält die Einrichtung zur Spektroskopie Einrichtung zur Präparatraumkühlung getragen sein 60 den Halbleiterdetektoren nachgeschaltete Vorversoll, kann auf zusätzliche Tragelemente, die infolge stärker mit Feldeffekttransistoren. Diese Transistoder beengten Platzverhältnisse im Korpuskularstrahl- ren besitzen einen hohen Eingangswiderstand und gerät nur schwer untergebracht werden können, ver- eine niedrige Eingangskapazität sowie — was für ziehtet werden. Das schließt nicht aus, daß gegebe- spektroskopische Untersuchungen besonders wichnen falls kleinere wärmeleitende Teile zwischen De- 65 tig ist — ein geringes Rauschen, so daß bereits getektor und Einrichtung zur Präparatraumkühlung an- ringe Impulshöhen im Analysator der Einrichtung geordnet sind, um den Detektor in einer bestimmten zur Spektroskopie angezeigt werden. Hinsichtlich Stellung zu halten. des Rauschverhaltens dieser Transistoren kann esCompared to the arrangement of the entire set-up beam direction, include between them, direction for non-dispersive spectroscopy outside 5 ° and in those areas of the diaphragms that are in the solid angle of the vacuum space of the corpuscular beam device offered by the semiconductor detectors according to the invention of the arrangement of the half-summed X-ray radiation head detector within the vacuum space the (holes) for the unhindered passage of the X-ray further advantage that the detector provide very close to the gene radiation to the semiconductor detectors. The preparation can be arranged and accordingly there is greater freedom in the formation of a larger recorded solid angle of the device for cooling the preparation room and X-rays, the sensitivity of the arrangement of the semiconductor detectors, without noticeably increasing the sensitivity. Since, furthermore, the semi-soft X-ray radiation is switched off,
conductor detector of parts of the already existing multiple contains the device for spectroscopy device for cooling the specimen room to be carried 60 Vorversoll downstream of the semiconductor detectors, can on additional support elements, which are stronger with field effect transistors as a result. These transistors or cramped spaces in the corpuscular radiator have a high input resistance and devices are difficult to accommodate, they have a low input capacitance and - what are the draws? This does not exclude the possibility that counter-spectroscopic examinations may be particularly useful if there is smaller heat-conducting parts between the detector - a low level of noise, so that the detector and the device for cooling the specimen room are already arranged in pulse heights in the analyzer of the device in order to keep the detector in a specific to be displayed for spectroscopy. Regarding to hold a position. the noise behavior of these transistors can

vorteilhaft sein, sie ebenfalls durch wärmeleitende Verbindungen an der Einrichtung zur Präparatraumkühlung zu befestigen.It can also be advantageous to use heat-conducting connections on the device for cooling the specimen room to fix.

Damit ist auch eine sehr kapazitätsarme elektrische Verbindung zwischen Detektor und Vorverstärker gewährleistet. Die Transistoren brauchen aber nicht an derartigen Teilen und Flächen der Einrichtung zur Präparatraumkühlung befestigt zu sein, deren Lage die Beaufschlagung der Transistoren mit der zu erfassenden Röntgenstrahlung sicherstellt.This also creates a very low-capacitance electrical connection between detector and preamplifier guaranteed. However, the transistors do not need such parts and surfaces of the device to be attached to the specimen room cooling, the position of which the application of the transistors with the Ensures the X-ray radiation to be detected.

Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in seinen wesentlichen Teilen, wobei der Fall eines Elektronenmikroskops mit dem zu einer Strahlsonde gebündelten Elektronenstrahl 1, einem Präparatverstelltisch 2 und der in diesen eingesetzten Präparatpatrone 3, die an ihrem unteren rüsselförmigen Ende das in diesem Falle durchstrahlbare Präparat 4 trägt, angenommen ist. Der Präparatverstelltisch 2 stützt sich über Gleitnasen 5 auf das obere Polschuhteil 6 der Objektivlinse querverschiebbar ab, deren unteres Polschuhteil mit 7 bezeichnet ist und in deren Linsenspalt 8 außer dem Aperturblendenschieber 9, in den in diesem Ausführungsbeispiel drei Blenden verschiedenen Durchmessers eingesetzt sind, die untere tiefgekühlte Blende 10 der allgemein mit 11 bezeichneten Einrichtung zur Präparatraumkühlung hineinragt. Man erkennt, daß die tiefgekühlte Blende 10 und ebenso die oberhalb des Präparates 4 liegende zweite tiefgekühlte Blende 12 jeweils eine Bohrung 13 bzw. 14 zum Durchtritt des Elektronenstrahles 1 besitzen, der das durchstrahlbare Objekt 4 durchsetzt und auf einen nicht dargestellten Leuchtschirm vergrößert abbildet.The figure shows an embodiment of the invention in its essential parts, the case an electron microscope with the electron beam 1 bundled to form a beam probe, a specimen adjustment table 2 and the preparation cartridge 3 used in these, the trunk-shaped at its lower The end of the specimen 4 which can be irradiated in this case is assumed. The slide table 2 is based on sliding lugs 5 on the upper pole piece 6 of the objective lens, which can be displaced transversely lower pole shoe part is designated with 7 and in the lens gap 8 except for the aperture diaphragm slide 9, in which three diaphragms of different diameters are used in this exemplary embodiment, the lower frozen panel 10 of the device generally designated 11 for cooling the specimen room protrudes. It can be seen that the frozen diaphragm 10 and also the one above the preparation 4 lying second deep-frozen aperture 12 each have a bore 13 or 14 for the passage of the electron beam 1, which penetrates the radiolucent object 4 and onto a fluorescent screen, not shown enlarged images.

Der Fortsatz 15 an der unteren tiefgekühlten Blende 10 steht, gegebenenfalls über stabförmige Verbindungselemente aus wärmeleitendem Material, in gut wärmeleitender Verbindung mit einem Tiefkühlmittel, also beispielsweise flüssigem Stickstoff oder flüssigem Helium, das sich in einem in diesem Ausführungsbeispiel außerhalb des Vakuumraumes des Elektronenmikroskops angeordneten wärmeisolierenden Gefäß befindet. Die wärmeleitende Verbindung zwischen den gekühlten Blenden 10 und 12 wird durch Kupferbolzen 16 in geeigneter Anzahl sichergestellt.The extension 15 on the lower frozen panel 10 stands, possibly via rod-shaped Connection elements made of thermally conductive material, in good thermally conductive connection with a deep-freeze, So for example liquid nitrogen or liquid helium, which is in a in this Embodiment arranged outside the vacuum space of the electron microscope heat-insulating Vessel is located. The thermally conductive connection between the cooled screens 10 and 12 is ensured by copper bolts 16 in a suitable number.

Erfindungsgemäß tragen die beiden tiefgekühlten Blenden 10 und 12 an ihren dem Präparat zugekehrten Oberflächen Halbleiterdetektoren 17 bis 20, dieAccording to the invention, the two frozen diaphragms 10 and 12 bear on their faces facing the specimen Surface semiconductor detectors 17 to 20, the

ίο wärmeleitend mit den Blenden verklebt sind und im Bereich der durch unterbrochene Linien angedeuteten, vom Elektronenstrahl 1 im Präparat 4 ausgelösten Röntgenstrahlung liegen. Wie aus der Lage der Halbleiterdetektoren 17 und 18 hervorgeht, befinden sie sich so nahe am Präparat, wie es die konstruktive Gestaltung des oberen Objektivpolschuhteiles 6 zuläßt.ίο are thermally bonded to the panels and in Area indicated by broken lines triggered by electron beam 1 in preparation 4 X-rays lie. As can be seen from the location of the semiconductor detectors 17 and 18, are located they are as close to the specimen as the structural design of the upper lens pole piece 6 allows.

Die Halbleiterdetektoren sind, wie lediglich beim Detektor 17 angedeutet, elektrisch mit den Eingängen von Vorverstärkern verbunden, die Feldeffekttransistoren 21 enthalten. Diese Transistoren sind bei dem figürlich dargestellten Ausführungsbeispiel ebenfalls durch wärmeleitende Verbindungen an gekühlten Teilen der Einrichtung zur Präparatraumkühlung befestigt.As only indicated in the case of detector 17, the semiconductor detectors are electrically connected to the inputs connected by preamplifiers containing field effect transistors 21. These transistors are in the embodiment shown in the figures, also cooled by thermally conductive connections Parts of the device for cooling the specimen room attached.

Verständlicherweise sind auch Abweichungen von dem dargestellten Ausführungsbeispiel möglich; insbesondere kann auch die Einrichtung zur Präparatraumkühlung in anderer Weise aufgebaut sein.Understandably, deviations from the illustrated embodiment are also possible; In particular, the device for cooling the specimen room can also be constructed in a different way.

Beispielsweise kann zumindest eine der Blenden durch einen hütchen- oder trichterförmigen tiefgekühlten Einsatz ersetzt sein, der das untere Teil der Patrone 3 umgibt. Die Detektoren können auch mittels zusätzlicher Metallteile gehalten sein. Stets ist aber durch die Erfindung die Verwendung des Korpuskularstrahlgerätes außer zur Präparatabbildung zur Durchführung röntgenspektroskopischer Untersuchungen mit guter Auflösung und großer Empfindlichkeit ermöglicht.For example, at least one of the diaphragms can be frozen by a hat-shaped or funnel-shaped one Insert that surrounds the lower part of the cartridge 3 must be replaced. The detectors can also use additional metal parts. However, the use of the particle beam device is always ensured by the invention except for specimen imaging for performing X-ray spectroscopic examinations with good resolution and great sensitivity.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (9)

1 2 Patentansprüche· ebenfalls durch wärmeleitende Verbindungen an der Einrichtung (11) zur Präparatraumkühlung1 2 Claims · also through heat-conducting connections on the device (11) for cooling the specimen room 1. Korpuskularstrahlgerät zur Abbildung eines befestigt sind.1. Corpuscular beam device for imaging a are attached. in einem Vakuumraum des Gerätes befindlichen 9. Korpuskularstrahlgerät nach einem der AnPräparates mittels Korpuskeln, insbesondere 5 Sprüche 1 bis 6 oder Anspruch 8 mit mehreren Elektronenmikroskop, mit einer Einrichtung zur die tiefgekühlten Bauteile bildenden Blenden (10, Präparatraumkühlung, die im Vakuumraum zu- 12), die das Präparat (4) in Stra'hlrichtung gemindest ein den Korpuskularstrahl im Bereich sehen zwischen sich einschließen, dadurch gedes Präparates umgebendes, mit einem Tiefkühl- kennzeichnet, daß die Blenden (10, 12) in ihren mittel in wärmeleitender Verbindung stehendes io Bereichen, die im Raumwinkel der von den Halbtiefgekühltes Bauteil enthält, dadurch ge- leiterdetektoren (17 bis 20) erfaßten Röntgenkennzeichnet, daß an dem tiefgekühlten strahlung liegen, Ausnehmungen zum ungehinder-Bauteil (10, 12) durch wärmeleitende Verbin- ten Durchtritt der Röntgenstrahlung aufweisen,
dung zumindest ein Halbleiterdetektor (17 bis 20)
einer Einrichtung zur nichtdispersiven Spektro- 15
skopie der vom Korpuskularstrahl (1) im Präparat (4) erzeugten Röntgenstrahlung im Wege diedieser Röntgenstrahlung liegend befestigt ist. Die Erfindung betrifft ein Korpuskularstrahlgerät9th corpuscular beam device located in a vacuum chamber of the device according to one of the preparations by means of corpuscles, in particular 5 Proverbs 1 to 6 or Claim 8 with several electron microscopes, with a device for diaphragms (10, preparation chamber cooling that close in the vacuum chamber) which include the preparation (4) in the beam direction at least one of the corpuscular beam in the area between them, thereby surrounding the preparation, with a deep-freeze denotes that the diaphragms (10, 12) are in heat-conducting connection in their middle areas which contains the X-ray beam detectors (17 to 20) detected by the semi-frozen component in the solid angle, characterized in that the deep-frozen radiation has recesses to the unobstructed component (10, 12) through heat-conducting compounds for the X-ray radiation to pass through,
at least one semiconductor detector (17 to 20)
a device for non-dispersive spectro-15
A copy of the X-ray radiation generated by the corpuscular beam (1) in the specimen (4) is attached horizontally by way of this X-ray radiation. The invention relates to a particle beam device 2. Korpuskularstrahlgerät nach Anspruch 1, zur Abbildung eines in einem Vakuumraum des Gedadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiter- 20 rätes befindlichen Präparates mittels Korpuskeln, detektoren (17, 18) in vorzugsweise rotations- insbesondere Elektronenmikroskop, mit einer Einsymmetrischer Anordnung bezüglich des Korpus- richtung zur Präparatraumkühlung, die im Vakuumkularstrahles (1) durch wärmeleitende Verbin- raum zumindest ein den Korpuskularstrahl im Bedungen an dem tiefgekühlten Bauteil (10) be- reich des Präparates umgebendes, mit einem Tieffestigt sowie elektrisch zusammengeschaltet sind. 25 kühlmittel in wärmeleitender Verbindung stehendes2. corpuscular beam device according to claim 1, for imaging one in a vacuum space of the Gedasst characterized in that several semiconductor devices are located by means of corpuscles, detectors (17, 18) in a preferably rotational, in particular electron microscope, with a one-symmetrical Arrangement with regard to the direction of the body for cooling the specimen, which is in the vacuum circular beam (1) at least one corpuscular beam in the condition through heat-conducting connection space on the frozen component (10) area surrounding the preparation, fastened with a deep and are electrically interconnected. 25 coolant in thermally conductive connection 3. Korpuskularstrahlgerät nach Anspruch 1 tiefgekühltes Bauteil enthält.3. Corpuscular beam device according to claim 1 contains frozen component. oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Dabei soll unter der Abbildung eines Präparatesor 2, characterized in that in the case of this, under the image of a preparation Einrichtung (11) zur Präparatraumkühlung mit mittels Korpuskeln, also beispielsweise Elektronen,Device (11) for cooling the specimen room with by means of corpuscles, for example electrons, mehreren tiefgekühlten Bauteilen (10, 12) im Be- nicht nur die Herstellung eines korpuskularstrahl-several deep-frozen components (10, 12) in the area not only the production of a corpuscular beam reich des Präparates (4) an mehreren dieser 30 mikroskopischen Bildes auf einem Leuchtschirm,rich of the preparation (4) in several of these 30 microscopic images on a luminescent screen, Bauteile (10, 12) zumindest je ein Halbleiter- sondern eine Abbildung von Präparateigenheiten imComponents (10, 12) each have at least one semiconductor but an image of the peculiarities of the preparation in the detektor (17, 18; 19, 20) durch wärmeleitende weitesten Sinne verstanden werden. Zu Korpuskular-detector (17, 18; 19, 20) can be understood by the broadest sense of heat conducting. To corpuscular Verbindung befestigt ist. Strahlgeräten im Sinne der Erfindung gehören daherConnection is attached. Blasting devices within the meaning of the invention therefore belong 4. Korpuskularstrahlgerät nach Anspruch 3, auch Elektronenbeugungsgeräte, die ein Bild des dadurch gekennzeichnet, daß an mehreren tief- 35 Aufbaues des Präparates herzustellen gestatten,
gekühlten Bauteilen (10, 12) jeweils mehrere Es ist bekannt, derartige Korpuskularstrahlgeräte Halbleiterdetektoren (17, 18; 19, 20) durch mit einer Einrichtung zur Präparatraumkühlung auswärmeleitende Verbindungen befestigt und die zurüsten, um dadurch die Verschmutzungsgefahr des an jeweils einem der Bauteile (10,12) befestigten Präparates durch Niederschlagen von noch im Va-Halbleiterdetektoren (17, 18; 19, 20) elektrisch 40 kuumraum befindlichen Molekülen und Atomen zusammengeschaltet sind. herabzusetzen. Eine speziell für den Fall der seit-4. corpuscular beam device according to claim 3, also electron diffraction devices, which allow an image of the characterized in that at several deep 35 structure of the preparation to produce,
-cooled components (10, 12) each having a plurality It is known, such Korpuskularstrahlgeräte semiconductor detectors (17, 18; 19, 20) through w ith a device for preparation room cooling auswärmeleitende compounds attached and which equip, thereby the risk of contamination of in each case one of the components ( 10, 12) attached preparation are interconnected by depositing molecules and atoms still in the Va-semiconductor detectors (17, 18; 19, 20) electrically 40 in the vacuum space. to belittle. A specially designed for the case of 5. Korpuskularstrahlgerät nach Anspruch 3, liehen Präparateinführung vorgesehene Präparatdadurch gekennzeichnet, daß an mehreren tief- raumkühlung beschreibt die deutsche Auslegeschrift gekühlten Bauteilen (10, 12) jeweils mehrere 1152 766, 21g 37/01.5. Corpuscular beam device according to claim 3, lent preparation introduction provided preparation thereby marked that on several deep-space cooling describes the German interpretation cooled components (10, 12) each with several 1152 766, 21g 37/01. Halbleiterdetektoren (17, 18; 19, 20) durch 45 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einSemiconductor detectors (17, 18; 19, 20) through 45 The invention is based on the object of a wärmeleitende Verbindungen befestigt und alle Korpuskularstrahlgerät der beschriebenen Art unterheat-conducting connections attached and all corpuscular beam device of the type described below Halbleiterdetektoren (17 bis 20) elektrisch zu- Verwendung der Einrichtung zur Präparatraumküh-Semiconductor detectors (17 to 20) electrically to use the device for the preparation room cooling sammengeschaltet sind. lung zur Durchführung anderer Untersuchungen ge-are interconnected. to carry out other examinations. 6. Korpuskularstrahlgerät nach einem der An- eignet zu machen. Diese Aufgabe wird erfindungsgesprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die 50 maß dadurch gelöst, daß an dem tiefgekühlten Bau-Halbleiterdetektoren (17 bis 20) so nahe am Prä- teil durch wärmeleitende Verbindung zumindest ein parat angeordnet sind, wie es die Konstruktion Halbleiterdetektor einer Einrichtung zur nichtdisperdes Gerätes zuläßt. siven Spektroskopie der vom Korpuskularstrahl im6. To make corpuscular beam device according to one of the appropriate. This task becomes inventive controversy 1 to 5, characterized in that the 50 measure solved that on the frozen construction semiconductor detectors (17 to 20) are arranged as close to the pre-part by means of a thermally conductive connection at least one ready, as it is the construction of a semiconductor detector of a device for nondisperdes Device. sive spectroscopy of the corpuscular beam im 7. Korpuskularstrahlgerät nach einem der An- Präparat erzeugten Röntgenstrahlung im Wege diesprüche 3 bis 6 mit zwei die tiefgekühlten Bau- 55 ser Röntgenstrahlung liegend befestigt ist.7. Corpuscular beam device according to one of the an preparation generated X-rays by way of dasprüche 3 to 6 with two deep-frozen Bau- 55 ser X-rays attached horizontally. teile bildenden Blenden (10,12) von denen je eine Die Erfindung besteht also nicht in der grundin Strahlrichtung vor (12) und hinter (10) dem sätzlichen Kombination eines Röntgenspektrometers Präparat (4) angeordnet ist, dadurch gekenn- und eines Elektronenmikroskops, wie sie die deutsche zeichnet, daß die Halbleiterdetektoren (17 bis 20) Auslegeschrift 1 058 166, 21 g 37/01, beschreibt, auf den dem Präparat (4) zugekehrten Ober- 60 sondern es wird eine ganz spezielle Einrichtung zur flächen der tiefgekühlten Blenden (10, 12) durch nichtdispersiven Spektroskopie der vom Korpuswärmeleitende Verbindungen befestigt sind. kularstrahl im Präparat erzeugten Röntgenstrahlung parts forming diaphragms (10, 12) each of which is one. The invention does not consist in the Grundin Beam direction in front of (12) and behind (10) the additional combination of an X-ray spectrometer Preparation (4) is arranged, thereby marked and an electron microscope, as it is the German records that the semiconductor detectors (17 to 20) Auslegeschrift 1 058 166, 21 g 37/01 describes, on the upper face facing the preparation (4) but it becomes a very special device for surfaces of the frozen panels (10, 12) are attached by non-dispersive spectroscopy of the body heat-conducting connections. X-ray radiation generated in the specimen 8. Korpuskularstrahlgerät nach einem der An- ausgewählt und der Halbleiterdetektor dieser Einsprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die richtung, auf einer bestimmten Einrichtung, Einrichtung zur Spektroskopie, wie an sich be- 65 nämlich der zur Präparatraumkühlung dienenden, kannt, den Halbleiterdetektoren (17) nachge- des Korpuskularstrahlgerätes befestigt. 8. Corpuscular beam device selected according to one of the claims and the semiconductor detector of these objections 1 to 7, characterized in that the direction, on a certain device, Device for spectroscopy, such as the one used for cooling the specimen room, Knows, attached to the semiconductor detectors (17) after the corpuscular beam device. Dabei löst schaltete Vorverstärker mit Feldeffekttransistoren die Einrichtung zur Präparatraumkühlung nicht (21) enthält, und daß diese Transistoren (21) nur Aufgaben im Rahmen der korpuskular-It solves did not switch the preamplifier with field effect transistors to the device for cooling the specimen room (21), and that these transistors (21) only perform tasks in the context of corpuscular
DE19671614595 1967-09-01 1967-09-01 BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE Withdrawn DE1614595B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19671614595 DE1614595B2 (en) 1967-09-01 1967-09-01 BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE
GB1232878D GB1232878A (en) 1967-09-01 1968-08-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19671614595 DE1614595B2 (en) 1967-09-01 1967-09-01 BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1614595A1 DE1614595A1 (en) 1970-10-29
DE1614595B2 true DE1614595B2 (en) 1972-03-30

Family

ID=5682002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614595 Withdrawn DE1614595B2 (en) 1967-09-01 1967-09-01 BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE1614595B2 (en)
GB (1) GB1232878A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010056321B9 (en) * 2010-12-27 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Particle beam microscope
CN105789004B (en) * 2016-04-20 2018-01-23 兰州大学 A kind of full field scan Electronic Speculum original position physical measurement platform of warm area thermoelectricity two and measuring method
US9972474B2 (en) 2016-07-31 2018-05-15 Fei Company Electron microscope with multiple types of integrated x-ray detectors arranged in an array

Also Published As

Publication number Publication date
DE1614595A1 (en) 1970-10-29
GB1232878A (en) 1971-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19758363C2 (en) Arrangement for digital subtraction angiography
DE102008062612B4 (en) X-ray analyzer
DE102014226985B4 (en) Method for analyzing an object, computer program product and particle beam device for carrying out the method
DE2547981A1 (en) NUCLEAR MEDICAL DIAGNOSTIC DEVICE FOR DETERMINING THE DISTRIBUTION PATTERN OF A RADIOACTIVE EMITTER
DE2005682A1 (en) Device for scanning electron microscopy and electron beam microanalysis
DE112011105007T5 (en) Sample holder for an electron microscope and sample inspection method
DE102008012312A1 (en) Magnetic resonance device with a PET unit
DE19838600A1 (en) Energy filter for electron microscope
DE102009001587A1 (en) Method for adjusting operating parameter of particle radiation device, involves providing sample holder with sample receptacle for receiving reference sample
EP1092974A2 (en) Detector for large wafers areas
DE1614595B2 (en) BODY BLAST DEVICE FOR IMAGING A PREPARATION WITH A COOKING IN PARTICULAR ELECTRON MICROSCOPE
EP2878004B1 (en) Multi-module photon detector and use thereof
DE1614595C (en) Corpuscular beam device for imaging a specimen by means of corpuscles, in particular a special electron microscope
DE3918249C1 (en)
DE102009041993B4 (en) Observation and analysis device
EP1953537A1 (en) Device for detecting or guiding x-radiation using x-ray optics
DE3035524A1 (en) SCREEN RAY SCREENING ARRANGEMENT
DE102017130072B4 (en) Pulse-resolving photoelectron spectrometer and method for pulse-resolving photoelectron spectroscopy
DE1058166B (en) electron microscope
DE1204350B (en) electron microscope
DE2726195C3 (en) Magnetic objective lens for particle beam devices operating under vacuum, in particular objective lens for electron microscopes
AT517438B1 (en) DEVICE AND METHOD FOR DETECTING RADIATION
DE1764467A1 (en) microscope
DE112015006104B4 (en) ELECTRON MICROSCOPE
DE764609C (en) Microscope based on the principle of the shadow microscope

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee