DE1588778A1

DE1588778A1 - Electronically controllable inductive reactance

Info

Publication number: DE1588778A1
Application number: DE19671588778
Authority: DE
Inventors: Toussaint Dipl-In Hans-Norbert; Olfs Dipl-Ing Peter
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1967-09-29
Filing date: 1967-09-29
Publication date: 1970-10-22

Description

Elektronisch steuerbare induktive Reaktanz Elektronisch steuerbare Induktivitäten mit Kernmaterialien, deren Permeabilität von einem Vormagnetisierungsfeld einstellbarer Feldstärke abhängig ist, besitzen zwar einen relativ großen Variationsbereich, doch ist ihre Belastbarkeit infolge von Sättigungserscheinungen nicht allzu groß. So liegt die Grenze der Belastbarkeit für Ferrit-Ringkerne bei etwa 2 W.Electronically controllable inductive reactance Electronically controllable inductors with core materials, the permeability of which is dependent on a bias field of adjustable field strength, have a relatively large range of variation, but their resilience is not too great due to saturation phenomena. The limit of the load capacity for ferrite toroidal cores is around 2 W.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektronisch #.steuerbare induktive Reaktanz zu schaffent die bei einem großen Variationsbereich wesentlich stärker belastbar ist als die bekannten Anordnungen dieser Art. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erzielt, daß eine steuerbare Kapazitätsdiode und eine Induktivität in Serie geschaltet sind, daß der Betrag des induktiven Blindwiderstands größer gewählt ist als die einstellbaren Beträge der kapazitiven Blindwide stände und daß die Kapazitätsdiode durch eine einstellbare Vorspannung und/oder eine gegebenenfalls einstellbare Wechselspannung sowohl in Sperrichtung als auch in Durchlaßrichtung aussteuerbar ist.The invention is based on the object of an electronically controllable Creating inductive reactance with a large range of variation is essential is more resilient than the known arrangements of this type. This is according to the invention achieved in that a controllable capacitance diode and an inductance in series are connected so that the amount of the inductive reactance is selected to be greater as the adjustable amounts of the capacitive Blindwide and that the capacitance diode by an adjustable bias voltage and / or an optionally adjustable alternating voltage can be controlled both in the reverse direction and in the forward direction.

Dabei wird von der Erkenntnis ausgegangen, daß die in den bekannten Schaltungen mit steuerbaren Kapazitätsdioden neben der ersten Aussteuerungsgrenze für die resultierende Diodenspannung dem in Sperrichtung der Diode liegenden Durchbruchwert bestehende zweite Aussteuerungsgrenze -. der Übergang in die Flußrichtung - überschritten werden kannp sofern eine Induktivität in Serie zu der stäuerbaren Kapazität.sdiode vorgesehen ist, deren induktiver Blindwiderstand innerhalb des ganzen Variationebereiches größer ist als der einstellbare kapazitive Blindwiderstand. Außerdem sollte die Lebensdauer der Laduiigsträger innerhalb der Diode zweckmäßigerweise groß gegen die Periodendauer eine-s die Diode durchfließenden Wechselstromes sein. Hierdurch wird der Variationsbereich der Kapazitätsdiode wesentlich erweitert', da gerade in der Umgebung der letztgenannten Aussteuerungsgrenze die Steilheit der Änderung des kapazitiven Blindwiderstands in Abhängigkeit von der Steuerspannung groß ist.This is based on the knowledge that in the known circuits with controllable capacitance diodes, in addition to the first modulation limit for the resulting diode voltage, the breakdown value in the reverse direction of the diode -. the transition in the flow direction - can be exceeded if an inductance is provided in series with the controllable capacitance diode, the inductive reactance of which is greater than the adjustable capacitive reactance within the entire range of variation. In addition, the service life of the charge carriers within the diode should expediently be long compared to the period of an alternating current flowing through the diode. This significantly expands the range of variation of the capacitance diode, since the steepness of the change in the capacitive reactance as a function of the control voltage is great in the vicinity of the last-mentioned modulation limit.

Die Güte der aus der Serienschaltung der Kapazitätsdiode und der Induktivität gebildeten induktiven Reaktanz ist bei Einhaltung der vorstehend angegebenen Bemessung der einzel-' .nen Blindwiderstände auch im Durchlaßbereich-der Kapazitätsdiode hinreichend groß, wobei die Belastbarkeit der Schaltung wesentlich höher liegt als bei den bexannten elektronisch steuerbaren Induktivitäten. Mit besonderem Vorteil ist die elektronisch steuerbare induktive Reaktanz nach der Erfindung als frequenzbestimmendes Element einer Oszillatorschaltung anwendbar, wobei insbes.ondere auf emittergekoppelte Transistor-Oszillatoren hingewiesen-sei.The quality of the series connection of the capacitance diode and the inductance formed inductive reactance is when adhering to the dimensions given above the individual reactances are also sufficient in the pass band of the capacitance diode large, whereby the load capacity of the circuit is significantly higher than that of the known ones electronically controllable inductors. It is electronic with particular advantage controllable inductive reactance according to the invention as a frequency-determining element an oscillator circuit, in particular on emitter-coupled transistor oscillators be advised.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher beschrieben'. Dabei zeigt Fig.1 eine steuerbare induktive Reaktanz nach der Erfindung mit einer Schaltung zur Vorspannungserzeugung, Fig.2 eine ohne Vorspannung betriebene induktive Reaktanz, Fig.3 eine weitere Schaltung zur Vorspannungserzeugung, Fig.4 eine Variante zu Fig.3, Fig.5 einen emittergekoppelten-Transistor mit einer steuerbaren induktiven Reaktanz als frequenzbestimmendes Element, Fig.6 eine Schaltungsväriante zu Fig.5#,und Fig0'7 eine weitere Schaltungsvariante zu Fig.5. In Fig.1 ist eine steuerbare Kapazitätsdiode D mit-einer Induktivität li hochfrequenzmäßig in Serie geschaltet. Die Hochfrequenzspannung U HF li ' egt an den Klemmen 1, 2, während den Klemmen 1"3 eine Gleichspannung U 0 einstellbarer Größe und Polarität zugdführt wird, die der Batterie 4 entnommen wirdi Diese Vorspannung wird an dem Abgriff 5 eines Poten--#iometers'6 einerseits und an dem Teilungspunkt 7 eines aus den ohmschen Widerständen 8 und 9 bestehenden Spannungsteilers andererseits abgegriffen und über ein Siebglied, welcheslau#s der Induktivität 10 und der Kapazität 11 besteht, der Kapazitäts,diode D zugeführt. Bei dieser Schaltung ist es ja nach der Stellung des Abgriffs 5 möglich, D in Durchlaßrichtung oder in Sperrichtung vorzuspannen. Der Trennkondensator C T in Eig.1 dient dazu, D gleichstrommäßig abzutrennen$ Falls die Hochfreq'uenzspannung UHF eine Frequenz aufweist, die der Resonanzfrequenz des aus L und D bestehenden Resonanz-.kreises zumindest annähernd entspricht, kann sich infolge der Resonanzüberhöhung an D eine Teilspannung U HF 1 ausbilden, die größer ist als UHF. Bei Aussteuerung der Diode D -in Flußrichtung verringert sich zwar die Güte von D, doch stört dies nicht, wenn der Betrag des induktiven Blindwiderstands von L -bei der gerade betrachteten Frequenz wesentlich größer ist als die im Variationsbereich von D liegenden Beträge der kapazitiven Blindwiderstände. Unter dieser Bedingung kann der VariationsUereich der Kapazitätsdiode gegenüber der herkömmlichen Betriebsart, bei der nur im Sper.rbereich ausgesteuert wird, wesentlich erweitert werden.The invention is described in more detail below with the aid of some exemplary embodiments shown in the drawing. 1 shows a controllable inductive reactance according to the invention with a circuit for bias voltage generation, FIG. 2 shows an inductive reactance operated without bias voltage, FIG. 3 shows another circuit for bias voltage generation, FIG. 4 shows a variant of FIG. 3, FIG an emitter-coupled transistor with a controllable inductive reactance as the frequency-determining element, FIG. 6 a circuit variant for FIG. 5 #, and FIG. 7 a further circuit variant for FIG. 5. In FIG. 1, a controllable capacitance diode D with an inductance li is connected in series in terms of high frequencies. The high-frequency voltage U HF li 'egt at the terminals 1, 2, while the terminals 1 "3, a DC voltage U is zugdführt 0 adjustable magnitude and polarity, the wirdi taken from the battery 4 This bias is applied to the tap 5 of a poten - # iometers 6 on the one hand and at the dividing point 7 of a voltage divider consisting of the ohmic resistors 8 and 9 on the other hand and fed to the capacitance diode D via a filter element, which consists of the inductance 10 and the capacitance 11. In this circuit it is possible to the position of the tap 5 to bias D in the forward direction or in the reverse direction. the separation capacitor CT in Eig.1 serves to separate D direct current $ If the Hochfreq'uenzspannung UHF having a frequency corresponding to the resonant frequency of the group consisting of L and D resonance -.kreises corresponds at least approximately, a partial voltage U HF 1 can develop as a result of the resonance increase at D , which is greater than UHF Controlling the diode D -in the direction of flow decreases the quality of D, but this does not interfere if the amount of the inductive reactance of L -at the frequency under consideration is significantly greater than the amounts of the capacitive reactances lying in the range of variation of D. Under this condition, the range of variation of the varactor diode can be significantly expanded compared to the conventional operating mode, in which control is only carried out in the blocking range.

In vielen Anwendungen der Schaltung nach Fig.1 ist die Amplitude der Hochfrequenzspannung U HF so groß, z.B. einige Volt, daß auch bei einer sperrenden Vorspannung U 0 an D der DurchlaßbAreich durch die resultierende Diodenspannung erreicht werden kann. In diesen Fällen ist es möglich, die Widerstände 8 und 9-wegzulassen und die Klemme 1 direkt mit dem negativen Pol der Batterie 4 zu verbinden. Hierbei entsteht an den Klemmen 1, 3 lediglich eine-sperrende Vors-Pannun,-(oder im Grenzfall die Spannung Null).In many applications of the circuit according to FIG. 1, the amplitude of the high-frequency voltage U HF is so large, for example a few volts, that even with a blocking bias voltage U 0 at D, the passage area can be achieved by the resulting diode voltage. In these cases it is possible to omit the resistors 8 and 9 and to connect the terminal 1 directly to the negative pole of the battery 4. In this case, there is only a blocking pre-tension at terminals 1, 3 (or, in the limit, zero voltage).

In beiden Schaltungsvarianten wird ein Begrenzungswiderstand 12 in Serie zum Potentiemeter 6 vorgesehen, der beim Erreichen der Durchbruchspannung an der' Diode D, z.B. in Stellung b des Potentiometers 5, den dann auftretenden Durchbruchstrom auf hinreichend kleine und damit für den Transistor -ungefährliche Werte begrenzt.In both circuit variants, a limiting resistor 12 is provided in series with the potentiometer 6 , which when the breakdown voltage is reached at the diode D, e.g. in position b of the potentiometer 5, limits the breakdown current that occurs to sufficiently small and therefore harmless values for the transistor.

Wird die Diode'D ohne eine besondere Vorspannung betrieben, was z.B. dadurch erreicht werden kann, daß die Verbindungen zwischen der Batterie 4 und dem Potentiometer 6 unterbrochen werden, so ergibt sich eine Schaltung entsprechend Fig.22 wobei die Hochfrequenzspannung U HF 1 durch eine Spannungsquelle 13 angedeutet ist. Hierbei entsteht durch Gleichrichtung von U HF ''an der pn-Grenzschicht von D eine negative, d.h.-sperrendeg Vorspannung bestimmter Größe, die durch Veränderung der Stellung des Abgriffs 5 in einem gewissen Bereich variiert werden kann. Der sich hieraus ergebende Variationsbereich für die aus D und 1 bestehende induktive Reaktanz entspricht bereits in vielen Fällen den gestellten Anforderungen.If the Diode'D operated without a special bias voltage, which for example can be achieved in that the connections between the battery 4 and the potentiometer are interrupted 6, the result is a circuit corresponding to Figure 22 wherein the high-frequency voltage U HF 1 by a voltage source 13 is indicated. The rectification of U HF ″ at the pn boundary layer of D creates a negative, ie, blocking bias of a certain magnitude, which can be varied within a certain range by changing the position of the tap 5. The resulting range of variation for the inductive reactance consisting of D and 1 already corresponds to the requirements made in many cases.

Fig.3 zeigt eine weitere Schaltung, die dem Typus der Schal-,tung nach Fig.1 entspricht und bei*der die einstellbare Vorspannung U 0 ebenfalls durch eine Spannungsteilerschaltung mit einstellbarem Teilungsverhältnis erzeugt wird. Hierbei ist die Klemme 3 über das Siebglied 10, 11 mit dem Teilungspunkt 14 einer Gleichstrombatterie Bl, B 2 verbunden, während die Klemme 1 mit dem Teilungspunkt eines aus dem W iderstand 15 und d'er Emitter-Kollektorstrecke eines Transistors 16 bestehenden Spannungsteilers verbunden ist, der an der gesamten. Batteriespannung von Bi und B 2 liegt. Die Vorspannung U 0 ergibt sich als Summe der Spannung von B 2 und des an 15 durch den Kollektorstrom i. gebildeten Spannungsabfalls. Die Basis-Emitterstrecke von 16 ist mit einer Steuerspannung U BE verbunden, die zum Zwecke der Einstellung von U 0 variiert wird.# U BE wird dabei -einer Steuerspannungsquelle _B 3 entnommen, deren Innenwiderstand-klein gegenüber dem Eingangswiderstand des Transistors 16, d.h. der Basis-Emitterstrecke, ist. Für UBE,= 0 ist 16 gesperrt,. so daß D durch B 2 in-Flußrichtung gepolt istö Mit wachsender Spannung U BE wird die zunächst in Durchlaßrichtung von D gepolte Spannung U 0 kleiner, wechselt schließlich das Vorzeichen-und stellt dann eine rasch ansteigende Sperrspannung dar. Mit dieser Schaltung wird erreicht, daß die hichtlineare-Abhängigkeit zwischen dem Kollektorstrom i C und U BE dazu benutzt wird, die Nichtlinearität der Abhängigkeit zwischen der Sperrschichtkapazität von D und der Steuerspannung U BE zu verringern. Soll nur in Sperrichtung vorgespannt werden, kann B 2 -auch entfallen.FIG. 3 shows a further circuit which corresponds to the type of circuit according to FIG. 1 and in which the adjustable bias voltage U 0 is also generated by a voltage divider circuit with an adjustable division ratio. Here, terminal 3 is connected via filter element 10, 11 to division point 14 of a direct current battery B1, B 2, while terminal 1 is connected to the division point of a voltage divider consisting of resistor 15 and the emitter-collector path of a transistor 16 that at the entire. Battery voltage of Bi and B 2 is. The bias voltage U 0 results from the sum of the voltage of B 2 and that of 15 through the collector current i. formed voltage drop. The base-emitter path of 16 is connected to a control voltage U BE, which is varied for the purpose of setting U 0. # U BE is taken from a control voltage source _B 3 , the internal resistance of which is small compared to the input resistance of transistor 16, ie the Base-emitter path is. For UBE = 0 , 16 is blocked. so that D is polarized in the forward direction by B 2. As the voltage U BE increases, the voltage U 0 , which is initially polarized in the forward direction of D , decreases, finally changes its sign and then represents a rapidly increasing reverse voltage. This circuit achieves that the non-linear dependence between the collector current i C and U BE is used to reduce the non-linearity of the dependence between the junction capacitance of D and the control voltage U BE. If the pre-tensioning is only to be carried out in the blocking direction, B 2 can also be omitted.

Fig.4 zeigt eine Variante-der Schaltung nach Fig.3, bei der der Widerstand 15 durch die Emitter-Kollektorstrecke eines Transistors-17 in Serie mit einem Emitterwiderstand 18 einst ellbarer Größe ersetzt ist. Wird die Basis von 17 über einen ohmschen Spannungsteiler 19, 20 an die Batterie B" geschaltet, so bewirkt die S-erienschaltung 17, 18, daß der Kollektorstrom i C auf einem konstanten Wert gehalten wird.FIG. 4 shows a variant of the circuit according to FIG. 3, in which the resistor 15 is replaced by the emitter-collector path of a transistor 17 in series with an emitter resistor 18 of an adjustable size. If the base of 17 is connected to the battery B ″ via an ohmic voltage divider 19, 20, the series circuit 17, 18 has the effect that the collector current i C is kept at a constant value.

Fig.5 zeigt einen an sich bekannten emittergekoppelten Transistor-Oszillator, bei dem-zwischen dem Kollektor 21 und dem Emitter 22 eines Transistors 23 eine Serienschaltung aus einer Kapazität 24 und einem Lastwiderstand R 1 vorgesehen ist, -zwischen -der Basis 25 und dem Kollektor 21 eine veränderbare Induktivität 26, die durch eine induktive Reaktanz. nach der-Erfindung gebildet wird. Die hierzu dienende Teilschaltung entspricht nach Aufbau und Wirkung'sweise-der Fig.1, wenn dort der ohmsche Spannungsteiler 8, 9-weggelassen und die Klemme 1 mit dem negativen Pol der Batterie 4 verbunden wird. Bei einem ausgeführten Schaltbeispiel dieses Oszillators ergab sich in Abhängigkeit von einer über einän Bereich von 0,26 V bis 85 V variierten Sperrvorspannung U 0 ein Variationsbereich der Oszillatorfrequenz von 250 MHz bis 500 MHz. Die Aus.gangsleistung des Oszillators lag im gesamten Durchstimmbereich bei etwa 3 W. Fig.6 zeigt eine Oszillatorschaltung entsprechend Fig.5. bei der die Induktivität L durch einen Koaxialleitungsabschnitt 27-ersetzt ist. Dabei wird die Länge der Leitung 27 beispielsweise so bemessen, daß sie für die tiefsten Frequenzen -des Variationsbereiches etwa beträgt und zusammen mit den dann in Flußrichtung gepolten Kapazitätsdioden D,9 D 2 9 die einen Kurzschluß.bzw. eine Verlängerung um durch-ein offenes Leitungsstück darstellen, eine Gesamtlänge von etwas mehr als ergibt, so daß eine relativ große Induktivität L e, am Leitungseingang entsteht.- Für die höchsten Frequenzen des Variationsbereiches, die z.B. um etwa 1 Oktave-höher liegen, entspricht dann die Länge von 27 etwa -wobei die nun gesperrten Dioden Di, D 2 als verlängerndes offenes Leitungsstück aufgefaßt werden können, so daß sich eine Gesamtlänge von etwa und dementsprechend eine relativ-kleine Induktivität L ergibt.5 shows an emitter-coupled transistor oscillator known per se, in which a series circuit comprising a capacitor 24 and a load resistor R 1 is provided between the collector 21 and the emitter 22 of a transistor 23, and between the base 25 and the collector 21 a variable inductance 26, which by an inductive reactance. is formed according to the invention. The subcircuit used for this corresponds in structure and mode of operation - to FIG. 1, if the ohmic voltage divider 8, 9 there - is omitted and the terminal 1 is connected to the negative pole of the battery 4. In an executed switching example of this oscillator, there was a variation range of the oscillator frequency from 250 MHz to 500 MHz as a function of a reverse bias voltage U 0 varied over a range from 0.26 V to 85 V. The output power of the oscillator was around 3 W in the entire tuning range. Fig. 6 shows an oscillator circuit according to Fig. 5. in which the inductance L is replaced by a coaxial line section 27. The length of the line 27 is dimensioned, for example, so that it is approximately for the lowest frequencies of the range of variation is and together with the capacitance diodes D, 9 D 2 9 then polarized in the forward direction, the one Kurzschluss.bzw. an extension by by-represent an open section of pipe, a total length of a little more than results, so that a relatively large inductance L e arises at the line input.- For the highest frequencies of the variation range, which are about 1 octave higher, for example, the length of 27 then corresponds to about - with the now blocked diodes Di, D 2 as a lengthening one open line piece can be understood, so that a total length of about and accordingly a relatively small inductance L. results.

e Die_Kapazitätsdiode D kann.g'emäß einer Weiterbildung der Erfindung auch durch eine Serienschaltung zweier Kapazitätsdioden D 1 und D 2 ersetzt werden, wie aus Fig.6 entnommen werden kann. Damit wird erreicht, daß sich dile resultierende Sperrspannung erhöht oder die resultierende'Kapazität verringert. Neben dieser Ausführung ist es selbstverständlich-auch möglichy mehr'ere Dioden zueinander in.Serie zu schalten.i Die Anwendung einer elektronisch steuerbaren induktiven Reaktanz nach der Erfindung ist nicht auf die z.B. in den Figuren 5 und 6 dargestellten emittergekoppelten Transistor-Oszillatoren beschränkt, sondern ist darüber hinaus von allgem einer Bedeutung So ist eine induktive Reaktanz nach der Erfindung in vorteilhafter Weise als frequenzbestimmendes Element in Oszillatorschaltungen der verschiedensten Arten eins,etzbar.are e Die_Kapazitätsdiode D kann.g'emäß a development of the invention also by a series connection of two capacitance diodes D 1 and D 2 is replaced, as can be seen in Figure 6. This ensures that the resulting reverse voltage increases or the resulting capacitance is reduced. In addition to this embodiment, it is of course-also möglichy mehr'ere diodes to one another to in.Serie schalten.i The application of an electronically controllable inductive reactance of the invention not shown in the example in Figures 5 and 6, the emitter-coupled transistor oscillators limited, but is also of general importance. An inductive reactance according to the invention can advantageously be used as a frequency-determining element in oscillator circuits of the most varied of types.

In den Figuren ist teilweise angedeutet, daß die Kapazitätsdioden einseitig an Masse liegend betrieben werden. Dies ist günstig, weil hierdurch die in den Dioden gebildete Wärme gut abgeleitet wird. Unter Umständen kann es auch zweckmäßig sein, den Kristall der Varaktordiode unmittelbar auf das Chassisblech des Oszillators zu löten. Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Kapazitätsdiode von einem sinusförmigen Wechselstrom durchflossen ist. Um die durch die Kapazitätsdioden hervorgerufenen nichtlinearen Verzerrungen zu verringern, kann es ferner zweckmäßig sein, zwei Kapazitätsdioden in einer sogenannten Anti-Serienschaltung zu betreiben, in der sie in gegensinniger Polung angeordnet sind. Ein Schaltbeispiel hierfür, das in den übrigen'Schaltungsteilen mit der Anordnung nach Fig.5 übereinstihmt, -ist in Fig*.7-dargestellt. Lediglich die Zuführung der Diodenvorspannungen erfolgt hierbei in anderer Weise, nämlich zwischen dem Verbindungspunkt 28 der Dioden und den Schaltungspunkten 29 und 30, wobei der erstere direkt, der letztere über eine HF-DrosAel 31-mit Masse verbunden ist. Eine-Verringerunä der nichtlinearen Verzerrungen ergibt sich auch bei einer Anti-Parallelschaltung zweier Kapazitätsdioden. In den Figuren 5, 6 und 7 wird der Transistor 23 gleichstromimäßig jeweils in Basisschaltung betrieben. Dabei ist der Emitter 22 z.B. über einen aus einer HF-Drossel 32 und einem Durchführungskondensator bestehenden Tiefpaß sowie über einen Widerstand 34 mit dem einen Pol einer Emitterbatterie 35 verbunden, deren zweiter Pol über einen entsprechenden Tiefpaß 36.- 37 an die Basis 25 geführt ist, während eine Kollektorbatteri-e 38.zwischen Basis 25 und Kollektor 21 vorgesehen ist.In the figures it is partially indicated that the varactor diodes are operated on one side while being connected to ground. This is beneficial because it allows the heat generated in the diodes to be dissipated well. Under certain circumstances it can also be useful to solder the crystal of the varactor diode directly onto the chassis plate of the oscillator. Furthermore, it has proven to be advantageous if a sinusoidal alternating current flows through the capacitance diode. In order to reduce the non-linear distortion caused by the varactor diodes, it can also be expedient to operate two varactor diodes in a so-called anti-series circuit in which they are arranged with opposite polarity. A circuit example for this, which in the remaining circuit parts corresponds to the arrangement according to FIG. 5, is shown in FIG. 7. Only the supply of the diode bias voltages takes place in a different way, namely between the connection point 28 of the diodes and the circuit points 29 and 30, the former being connected directly to ground, the latter being connected to ground via an HF-DrosAel 31. A reduction in the non-linear distortion also results from an anti-parallel connection of two varactor diodes. In FIGS. 5, 6 and 7 , the transistor 23 is operated with direct current in a common base circuit. The emitter 22 is connected to one pole of an emitter battery 35 , for example via a low-pass filter consisting of an RF choke 32 and a feed-through capacitor and via a resistor 34, the second pole of which is connected to the base 25 via a corresponding low-pass filter 36-37 , while a collector battery 38 is provided between base 25 and collector 21.

Claims

2 atentans p r ü che electronically controllable inductive reactance, d a- d urch g e k ennzei seframe that a controllable capacitance diode (D) and an inductance (Z) are connected in series such that the magnitude of the inductive reactance is selected to be greater than the adjustable amounts of the capacitive reactances and that the capacitance diode (D) 'can be controlled by an adjustable bias voltage (U 0) and / or a given adjustable alternating voltage (UHFI) both in the spex direction and in the forward direction.

2. Inductive reactance according to claim 1, d a d urch g ek en nzeich that the preload (U 0) on a voltage divider with adjustable division ratio (6; 15, 16) can be tapped and that the capacitance diode (D) is preferably between the dividing point (5, 1) of the voltage divider (6; 159 16) and the division point - (79 14) of a Gleichäpannungsquelle (4; connected Bl, B 2 3. Inductive reactance according to claim 2, d a d u rch g ek ennzeichnet. that a divider resistance of the - voltage divider (15, 16) consists of the emitter-collector path of a transistor (16) which is connected on the input side to a control voltage source (B 3 , whose.internal resistance is small compared to the transistor input resistance. 4. Inductive reactance after one of the claims 1 to 39 d a d u., rc h g e k ennzeichnet that are in the same direction or opposite directions polarity instead of a Kapazitätadiode (D) two or more (DLT D 2) to each other in series or in parallel. 5. Inductive reactance by e INEM of claims 1 to 4, d a d g e k urch ennzeich ne t that the IndÜktivität (E) is formed by a coaxial line (27). 6. Inductive reactance of the preceding claims, d a d g e k urch $ ennzeichnet that, insbesond'ere in an emitter-coupled transistor oscillator (23) 9 is used for a in a oscillation circuit as the frequency determining element (26).