DE1573771C3 - Device for monitoring a thread of a textile machine - Google Patents

Device for monitoring a thread of a textile machine

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DE1573771C3 DE19651573771 DE1573771A DE1573771C3 DE 1573771 C3 DE1573771 C3 DE 1573771C3 DE 19651573771 DE19651573771 DE 19651573771 DE 1573771 A DE1573771 A DE 1573771A DE 1573771 C3 DE1573771 C3 DE 1573771C3
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Description

3 43 4

kannter Weise dem Transistorverstärker 105 ein be- stärkers weit unterhalb der Durchlaßschwelle desAs is known, the transistor amplifier 105 is an amplifier well below the transmission threshold of the

sonderes Schaltverhalten gibt. Außerdem sind die Richtleiters 160 liegen, erfolgt dieser Regelausgleichspecial switching behavior. In addition, if the directional ladder 160 is lying, this rule adjustment takes place

Ströme der Transistoren 103 bis 105 über einen ver- immer über den Ladewiderstand 117 und infolgedes-Currents of the transistors 103 to 105 via an always via the charging resistor 117 and as a result-

änderbaren Widerstand 110 geführt, welcher sehr sen mit der notwendigen Zeitkonstante,changeable resistor 110 led, which very sen with the necessary time constant,

niederohmig ist. Mit ihm kann infolge der entstehen- 5 Im Ausführungsbeispiel des Hauptpatentes lag imis low resistance. With it, as a result of the 5 In the exemplary embodiment of the main patent lay in

den Gegenkopplung die Verstärkung bzw. die Emp- Stromkreis des Transistors 105 das die nicht darge-the negative feedback, the gain or the emp- circuit of the transistor 105 that is not shown

findlichkeit des Verstärkers geregelt werden. stellte Fadentrennvorrichtung auslösende Relais.sensitivity of the amplifier can be regulated. set the thread separator triggering relay.

In den Kollektorzweigen der Transistoren 103 und Wird nun gemäß vorliegender Erfindung der Lade-In the collector branches of the transistors 103 and If, according to the present invention, the charging

104 erkennt man wiederum die Widerstände 112 und widerstand 117 des elektrischen Speichergliedes 118 104 , the resistors 112 and resistor 117 of the electrical storage element 118 can again be seen

113 sowie den veränderbaren Widerstand 115 im io durch einen parallelgeschalteten Richtleiter 160 113 as well as the variable resistor 115 in the io by means of a parallel-connected directional conductor 160

Emitterkreis des Transistors 106. überbrückt, so können unter ungünstigen UmständenEmitter circuit of the transistor 106. bridged, so can under unfavorable circumstances

Wird die Fotozelle 101 durch eine Dickstelle, von dem im Stromkreis des Transistors 105 angeordeinen Doppelfaden od. dgl. abgeschattet, so wird der neten Relais bei seinem Schalten Induktionsspannun-Verstärker wie bei der Vorrichtung nach dem Haupt- gen ausgelöst werden, die als Störspannungen über patent ausgesteuert, so daß der Transistor 105 durch- 15 den PunktD in den Regelkreis gelangen und so groß lässig wird und ein Strom über den Arbeitswider- sind, daß sie die Durchlaßschwelle des Richtleiters stand 100' fließen kann. Damit der Verstärker nur 160 überschreiten. Um derartige störende Indukauf plötzliche Änderungen des Eingangsgrundwertes, tionsspannungen im Regelstromkreis zu vermeiden, hervorgerufen durch Dickstellen, Doppelfäden kann es gemäß der weiteren Erfindung vorteilhaft od. dgl., nicht aber auf langsame Änderungen an- ao sein, wenn als Arbeitswiderstand des Verstärkers ein spricht, wird der Ausgangswert des Verstärkers am rein Ohmscher Widerstand 100' dient, dessen Span-Punkt D durch eine Regelstrecke konstant gehalten, nungsabfall zur Steuerung einer als Entkopplungsdurch die die Ausgangsspannung der an der Ein- stufe dienenden Verstärkerstufe mit dem Transistor gangsklemme K liegenden Eingangsgrundspannung 161 dient.If the photocell 101 is shaded by a thick spot from which a double thread or the like arranged in the circuit of the transistor 105 is shaded, the next relay is triggered when it is switched patent controlled, so that the transistor 105 pass through the point D in the control loop and is so great and a current through the work resistance that it can flow the threshold of the directional conductor 100 '. So that the amplifier only exceed 160. In order to avoid such disruptive induction sudden changes in the basic input value, tion voltages in the control circuit, caused by thick places, double threads, according to the further invention it can be advantageous or the like, but not slow changes, if a working resistance of the amplifier speaks, If the output value of the amplifier is used at the purely ohmic resistor 100 ' , the span point D of which is kept constant by a control system, voltage drop is used to control an input base voltage 161, which is used as a decoupling through the output voltage of the amplifier stage with transistor input terminal K, which is used at the single stage .

entgegengeschaltet wird. Diese Regelstrecke besteht 25 Wie aus dem Ausführungsbeispiel vorliegender Erwiederum aus der Zenerdiode 116, dem Ladewider- findung ersichtlich, wird die durch den Spannungsabstand 117 und dem als Arbeitspunktspeicher dienen- fall am rein Ohmschen Widerstand 100' hervorgeruden Kondensator 118, dessen Ladespannung der fene Ausgangsspannung im Punkte D zur Steuerung Eingangsgrundspannung über eine Verstärkerstufe eines zusätzlichen pnp-Entkopplungstransistors 161 mit dem Transistor 106 und dem Widerstand 115 zu- 30 verwendet. Der Bezugspunkt dieses Transistors 161 geführt wird. Wie im Hauptpatent sind auch hier liegt also am Potential der Klemmet. Das die Fawieder zwei Kondensatoren 120 und 121 zur Verhin- dentrennvorrichtung auslösende Relais 100" liegt im derung von Hochfrequenzschwingungen im Verstär- Emitterkreis dieses Transistors 161. Infolgedessen ist ker vorgesehen sowie ein Widerstand 122 zur Be- diese Entkopplungsstufe ein Emitterfolger, so daß Stimmung des Arbeitspunktes der Schwellwertdiode 35 unter Vernachlässigung der Basis-Emitter-Schwelle 109. von etwa 150 mV die am Relais 100" anstehendeis counteracted. This controlled system is 25, as in the embodiment of the present Erwiederum from the Zener diode 116, the Ladewider- invention can be seen, the 100 'hervorgeruden by the voltage interval 117 and as a working point memory dienen- case at a purely ohmic resistor capacitor 118, the charging voltage of the fene output voltage Points D are used to control the basic input voltage via an amplifier stage of an additional pnp decoupling transistor 161 with transistor 106 and resistor 115 . The reference point of this transistor 161 is performed. As in the main patent, this is also due to the potential of the Klemmet. The relay 100 ″, which triggers the two capacitors 120 and 121 for the prevention disconnection device, is in the control of high-frequency oscillations in the amplifier-emitter circuit of this transistor 161. As a result, ker is provided as well as a resistor 122 for connecting this decoupling stage, an emitter follower, so that the working point is tuned of the threshold value diode 35, neglecting the base-emitter threshold 109. of approximately 150 mV, the one present at the relay 100 ″

Bei Inbetriebnahme des bisher beschriebenen Ver- Spannung gleich der am Arbeitswiderstand 100' desWhen the previously described comparison voltage is put into operation, it is equal to that at the working resistor 100 ' des

stärkers muß sich also unter Vernachlässigung der Verstärkers anstehenden Spannung ist, die an demThis means that the amplifier must be neglecting the voltage applied to the amplifier

Schwellenspannung der Zenerdiode 116 der als elek- Meßgerät 140 abgelesen werden kann. Eine DiodeThreshold voltage of the Zener diode 116 which can be read as an electrical measuring device 140. A diode

irisches Speicherglied dienende Kondensator 118 auf 40 162 dient zur Verhinderung von Induktionsspan-Irish storage element serving capacitor 118 on 40 162 is used to prevent induction voltage

das Potential des Punktes D aufladen. Diese Aufla- nungsspitzen am Relais 100". charge the potential of point D. These bulging peaks on relay 100 ″.

dung erfolgt, wie bereits erwähnt, über den Lade- Im Ausführungsbeispiel erkennt man weiterhin widerstand 117. Um die erforderliche Zeitverzöge- einen Richtleiter 159, welcher gemäß einem älteren rung beim Laden des Kondensators 118 zu erreichen, Vorschlag einen Rückstrom von dem Speicherkonkann der Ladewiderstand 117 nicht beliebig klein ge- 45 densator 118 über die Zenerdiode 116 verhindert, wählt werden. Zur Beschleunigung der Betriebsbe- Außerdem ist die Zenerdiode 116 durch einen reitschaft des Verstärkers wird gemäß vorliegender Widerstand 158 zusätzlich belastet, welcher parallel Erfindung dem Ladewiderstand 117 ein in Auflade- zum Ladestromkreis des Kondensators 118 mit dem richtung des Kondensators 118 durchlässiger Rieht- Widerstand 117 und den Dioden 159 und 160 geleiter 160 parallel geschaltet. Beim Einschalten des 50 schaltet ist. Dadurch wird verhindert, daß der Kon-Verstärkers ist der Speicherkondensator 118 noch densator 118 durch die bei Zenerdioden unvermeidleer, so daß eine verhältnismäßig hohe Differenz- baren Leckströme in der Nähe der Durchbruchspannung an der als Richtleiter dienenden Germani- schwelle zusätzlich aufgeladen und damit der Grundumdiode 160 ansteht. Diese Differenzspannung über- arbeitspunkt des Verstärkers verfälscht wird. Diese windet leicht die Durchlaßschwelle der Germanium- 55 Leckströme werden nämlich nunmehr über den BeIadiode, welche etwa in der Größenordnung von stungswiderstand 158 abgeleitet
150 mV liegt. Infolgedessen fließt der Ladestrom un- Schließlich unterscheidet sich auch das Ausfühgehindert über die Diode 160 am Ladewiderstand rungsbeispiel nach vorliegender Anmeldung gegen- 117 vorbei, so daß der Kondensator 118 in kürzester über demjenigen nach der Hauptanmeldung noch da-Zeit aufgeladen ist. Die der Durchlaßschwelle ent- 60 durch, daß für die Fotozelle 101 eine solche gewählt sprechende Restspannung von etwa 15OmV fließt wurde, die sehr niederohmig ist. Um dennoch eine dann über den Ladewiderstand 117, bis der Regel- vom Schaltzustand des Transistors 103 unabhängige ausgleich erreicht ist. Da, wie bereits erwähnt, die Charakteristik der Fotozelle 101 zu erhalten, ist ein üblichen Regelabweichungen beim Betrieb des Ver- hochohmiger Vorlastwiderstand 163 vorgesehen.-making takes place, as already mentioned, over the loading In the exemplary embodiment is 117 detects further resistance by the required Zeitverzöge- an isolator 159, to reach which according to an older tion during charging of the capacitor 118, proposed by a backflow from the Speicherkonkann the charging resistor 117 the capacitor 118 via the zener diode 116 cannot be selected to be arbitrarily small. In addition, the Zener diode 116 is additionally loaded according to the present resistor 158 , which parallel invention to the charging resistor 117 is a rectifying resistor 117 and permeable in the charging to the charging circuit of the capacitor 118 with the direction of the capacitor 118 to accelerate the operation the diodes 159 and 160 conductors 160 connected in parallel. When switching on the 50 is switched on. This prevents that the Kon amplifier is the storage capacitor 118 nor the capacitor 118 due to the unavoidable in Zener diodes, so that a relatively high differential leakage currents in the vicinity of the breakdown voltage are additionally charged at the Germani threshold serving as a directional conductor and thus the basic diode 160 is pending. This differential voltage is falsified at the amplifier's operating point. This easily overcomes the threshold of the germanium leakage currents are now derived via the auxiliary diode, which is roughly of the order of magnitude of resistance 158
150 mV. As a result, the charging current flows un- Finally, the execution prevented by the diode 160 at the charging resistor approximately example according to the present application against 117 , so that the capacitor 118 is charged in the shortest possible time over the one according to the main application. This corresponds to the conduction threshold 60 that such a selected speaking residual voltage of about 150 mV was flowing for the photocell 101, which is very low-resistance. In order, however, then via the charging resistor 117 until the control independent of the switching state of the transistor 103 is achieved equalization. Since, as already mentioned, the characteristics of the photocell 101 are to be preserved, the usual control deviations are provided when the high-ohmic preload resistor 163 is operated.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (2)

1 2 , Zweck allgemein verwendeten Germaniumdioden, Patentansprüche: besitzen sämtlich auch in Durchlaßrichtung eine . Durchlaßschwelle. Diese liegt bei Germaniumdioden1 2, Purpose of generally used germanium diodes, claims: all also have one in the forward direction. Pass threshold. This is with germanium diodes 1. Vorrichtung zur Überwachung eines Fadens etwa in der Größenordnung von 15OmV. Wenn das einer Textilmaschine mit einer Meßvorrichtung, 5 elektrische Speicherglied beim Einschalten der Vordie beim Auftreten von Dickstellen, Mehrfachfä- richtung noch leer ist, steht eine größenordnungsmäden od. dgl. einem Grundwert überlagerte elektri- ßig erheblich höhere Differenzspannung zur Verfüsche Impulse erzeugt, welche zur Auslösung einer gung, die also leicht die Durchlaßschwelle der Diode die Weiterverarbeitung des Fadens verhindernden überschreitet.-Der Ladestrom fließt infolgedessen Vorrichtung dienen, und bei der die elektrischen io beim Einschalten der Vorrichtung über die Diode Impulse einem Gleichspannungsverstärker züge- ungehindert am Ladewiderstand vorbei, so daß das führt sind, dessen Ausgangsspannung bei Ände- elektrische Speicherglied in wenigen Sekunden bis rangen der Eingangsgrundspannung auf kon- auf den Restbetrag, welcher der Durchlaßschwelle stante Größe geregelt wird und jede auf einer entspricht, aufgeladen ist. Dieser Restbetrag fließt Änderung der Eingangsgrundspannung beru- 15 dann über den Ladewiderstand, bis der Regelaushende Schwankung der Ausgangsspannung über gleich erreicht ist. Da die üblichen Regelabweichunein spannungsdifferenzbildendes Bauelement gen beim Betrieb der Vorrichtung weit unterhalb der einem elektrischen Speicherglied zugeführt ist, Durchlaßschwelle des Richtleiters liegen, erfolgt der dessen Spannung der Eingangsgrundspannung durch die Regelabweichungen hervorgerufene Ausentgegengeschaltet ist, nach Patent 1 473 577, ao gleich immer über den Ladewiderstand mit der notdadurch gekennzeichnet, daß einem im wendigen Zeitkonstante.1. Device for monitoring a thread of the order of 150 mV. If that a textile machine with a measuring device, 5 electrical storage element when switching on the front die if thick spots occur, multiple threads are still empty, there is a thread of the order of magnitude or the like. A significantly higher electrical difference voltage superimposed on a basic value is available Pulses are generated which trigger a movement, which is therefore easily the passage threshold of the diode exceeds the further processing of the thread. The charging current flows as a result Serve device, and in which the electrical io when switching on the device via the diode Pulses from a DC voltage amplifier pass the charging resistor unhindered, so that the leads are whose output voltage when changing electrical storage element in a few seconds the basic input voltage struggled on the remaining amount, which is the transmission threshold constant size is regulated and each one corresponds to one, is charged. This remaining amount flows The change in the basic input voltage then takes place via the charging resistor until the end of the regulation Fluctuation of the output voltage over equal is reached. Because the usual deviation voltage difference-forming component gene when operating the device far below the is fed to an electrical storage element, the transmission threshold of the directional conductor is carried out whose voltage is switched against the basic input voltage caused by the control deviations is, according to patent 1 473 577, ao always about the charging resistance with the emergency characterized that one in the agile time constant. Ladestromkreis des elektrischen Speichergliedes Die Anordnung eines in Aufladerichtung durchläs-Charging circuit of the electrical storage element The arrangement of a permeable in the charging direction (118) angeordneten Ladewiderstand (117) ein in sigen Richtleiters parallel zu dem im Ladestromkreis (118) arranged charging resistor (117) an in sigen directional conductor parallel to that in the charging circuit Aufladerichtung durchlässiger Richtleiter (160) des elektrischen Speichergliedes angeordneten Ladeparallel geschaltet ist. 25 widerstand macht es aber erforderlich, daß induktive Charging direction permeable directional conductor (160) of the electrical storage element arranged charging is connected in parallel. 25 resistance makes it necessary that inductive 2. Vorrichtung nach Ansprach 1, dadurch ge- Störspitzen im Regelkreis unter allen Umständen kennzeichnet, daß als Arbeitswiderstand des Ver- vermieden werden, da diese induktiven Störspitzen stärkers ein rein Ohmscher Widerstand (100') die Durchlaßschwelle des Richtleiters leicht überdient, dessen Spannungsabfall zur Steuerung schreiten könnten.2. Device according to spoke 1, characterized ge interference spikes in the control loop under all circumstances that are avoided as the working resistance of the Ver, since this inductive spikes stronger a purely ohmic resistance (100 ') slightly over-served the threshold of the directional conductor, its voltage drop to Control could step. einer als Entkopplungsstufe dienenden Ver- 30 Im Ausführungsbeispiel des Hauptpatentes dienta coupling that serves as a decoupling stage stärkerstufe (161) dient. der Verstärker zur Steuerung eines eine nicht dargestellte Fadentrennvorrichtung auslösenden Relais,stronger level (161) is used. the amplifier for controlling a relay that triggers a thread cutting device, not shown, welches somit praktisch den Arbeitswiderstand deswhich thus practically the work resistance of the Verstärkers bildet. Um die von diesem Relais hervor-Amplifier forms. In order to achieve the Im Hauptpatent ist eine Vorrichtung zur Überwa- 35 gerufenen induktiven Störspannungen im RegelkreisThe main patent includes a device for monitoring inductive interference voltages in the control loop chung eines Fadens einer Textilmaschine mit einer zu vermeiden, ist weiterhin als Arbeitswiderstand deschung to avoid a thread of a textile machine with one is still called the working resistance of the Meßvorrichtung beschrieben, die beim Aufteten von Verstärkers ein rein Ohmscher Widerstand verwen-Described measuring device that uses a purely ohmic resistance when an amplifier is used. Dickstellen, Mehrfachfäden od. dgl. einem Grand- det, dessen Spannungsabfall zur Steuerung einer alsThick places, multiple threads or the like. A Grand- det whose voltage drop is used to control a wert überlagerte elektrische Impulse erzeugt, welche Entkopplungsstufe dienenden Verstärkerstufe dient,value-superimposed electrical impulses generated, which decoupling stage serves the amplifier stage, zur Auslösung einer die Weiterverarbeitung des Fa- 40 an die nunmehr das vorerwähnte Relais angeschlos-to trigger a further processing of the Fa- 40 to which the aforementioned relay is now connected. dens verhindernden Vorrichtung dienen, und bei der sen werden kann, ohne schädliche Störspannungen indens preventive device, and can be used in the sen, without harmful interference voltages in die elektrischen Impulse einem Gleichspannungsver- den Regelkreis überführen zu können,to be able to transfer the electrical impulses to a DC voltage control circuit, stärker zugeführt sind, dessen Ausgangsspannung bei An Hand des in der Figur dargestellten Ausfüh-are supplied more, the output voltage of which is based on the execution shown in the figure Änderungen der Eingangsgrandspannung auf kon- rungsbeispieles sei die Erfindung näher erläutert. DasThe invention will be explained in more detail with changes in the basic input voltage based on the example. The stante Größe geregelt wird und jede auf einer Ände- 45 Ausführungsbeispiel zeigt einen Gleichstromverstär-constant size is regulated and each on a change- 45 embodiment shows a direct current amplifier rung der Eingangsgrundspannung beruhende ker entsprechend Fig. 2 des Hauptpatentes, jedochtion of the basic input voltage based ker according to FIG. 2 of the main patent, however Schwankung der Ausgangsspannung über ein span- mit dem Unterschied, daß an Stelle der im Hauptpa-Fluctuation of the output voltage over a span with the difference that instead of the one in the main nungsdifferenzbildendes Bauelement einem elektri- tent verwendeten pnp-Transistoren der Verstärkervoltage difference-forming component an electri- tent used pnp transistors of the amplifier sehen Speicherglied zugeführt ist, dessen Spannung nunmehr auf npn-Transistoren umgestellt wurde,see memory element is supplied, the voltage of which has now been switched to npn transistors, der Eingangsgrundspannung entgegengeschaltet ist. 50 Derartige neuerdings verwendete npn-Transistorenthe basic input voltage is switched opposite. 50 such recently used npn transistors Ein Nachteil dieser im Hauptpatent beschriebenen weisen den Vorteil einer höheren Stromverstärkung Vorrichtung besteht darin, daß sie bei Arbeitsbeginn auf, so daß bei dem in der Figur dargestellten Ausnicht gleich meßbereit ist, sondern etwa eine Minute führungsbeispiel die in Fig. 2 des Hauptpatentes benötigt wird, bis das elektrische Speicherglied über vorhandene erste Verstärkerstufe fortgelassen werden in seinem Ladestromkreis angeordneten Lade- 55 den konnte. Wie im Hauptpatent dient auch bei vorwiderstand aufgeladen ist. In dieser Zeit ist also eine liegender Anmeldung der Verstärker wiederum zur Überwachung des Fadens nicht möglich. Steuerung eines eine nicht dargestellte Fadentrenn-A disadvantage of those described in the main patent has the advantage of a higher current gain The device consists in that it is opened at the start of work, so that not in the case of the Ausnicht shown in the figure is ready to measure, but about a minute management example in Fig. 2 of the main patent is required until the electrical storage element can be omitted via the existing first amplifier stage 55 arranged in its charging circuit. As in the main patent, it is also used for series resistance is charged. During this time, a lying registration of the amplifier is again for Monitoring of the thread not possible. Control of a thread separating (not shown) Die Aufgabe vorliegender Erfindung besteht darin, vorrichtung auslösenden Relais 100" in Abhängigdie Vorrichtung nach dem Hauptpatent dahingehend keit von einer an den Eingangsklemmen K und L anzu verbessern, daß sie nach Arbeitsbeginn schneller 60 geschlossenen Fotozelle 101. Der Verstärker besteht meßbereit ist, d. h. also, daß die Aufladezeit des aus den Verstärkerstufen 103, 104 und 105 sowie der elektrischen Speichergliedes verkürzt wird. Gelöst Regelstufe mit dem Transistor 106. Sämtliche Tranwird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, sistoren 103 bis 106 liegen zwischen den Polens daß einem im Ladestromkreis des elektrischen und B einer nicht eingezeichneten Gleichspannungs-Speichergliedes angeordneten Ladewiderstand ein in 65 quelle, deren Minuspol B geerdet ist.
Aufladerichtung durchlässiger Richtleiter parallel ge- In dem von dem Transistor 105 gesteuerten schaltet ist. Stromkreis liegt wie im Hauptpatent eine Diode 109, The object of the present invention is to improve the device triggering relay 100 " depending on the device according to the main patent to the effect of one at the input terminals K and L that it closes more quickly 60 photocell 101 after the start of work. The amplifier is ready to measure, that is, that the charging time of the amplifier stages 103, 104 and 105 as well as the electrical storage element is shortened. Solved control stage with the transistor 106. All this task is achieved according to the invention by having sistors 103 to 106 between the poles that one in the charging circuit of the electrical and B of a DC voltage storage element, not shown, a charging resistor in 65 source, the negative pole B of which is grounded.
The direction of charge of the permeable directional conductor in parallel is switched in the one controlled by the transistor 105. Circuit is like in the main patent a diode 109, Richtleiter, insbesondere die heute für diesen welche eine Schwellwertdiode darstellt und in be-Directional guide, especially the one that represents a threshold value diode for these today and is in
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