DE1564521B1 - Storage electrode for a television pickup tube - Google Patents
Storage electrode for a television pickup tubeInfo
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Description
ϊ 564 521ϊ 564 521
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Die Erfindung betrifft eine Speicherelektrode für oder amorphes Selen oder eine geeignete Selenlegieeine Fernsehaufnahmeröhre mit einer fotoleitenden rung. Glasartiges Selen ist insbesondere für blaues Schicht aus Selen oder einer Selenlegierung, die auf und grünes Licht empfindlich, während eine Legieeiner elektrisch leitenden Oberfläche einer transpa- rung aus glasartigem Selen, Tellur, Arsen oder Antirenten Frontplatte angeordnet und mit einer den 5 mon eine panchromatische Empfindlichkeit besitzt. Dunkelstrom der fotoleitenden Schicht herabsetzen- Bei der Benutzung von glasartigem Selen in einer den Schicht versehen ist. Fernsehaufnahmeröhre werden dünne stabilisierendeThe invention relates to a storage electrode for or amorphous selenium or a suitable selenium alloy TV pick-up tube with a photoconductive ring. Vitreous selenium is especially for blue Layer of selenium or a selenium alloy that is sensitive to and green light while an alloy one electrically conductive surface of a transparency made of vitreous selenium, tellurium, arsenic or anti-pension Arranged front panel and has a panchromatic sensitivity with one of the 5 mon. Reduce the dark current of the photoconductive layer - when using vitreous selenium in a the layer is provided. TV pickup tubes are thin stabilizing
Eine Fernsehaufnahmeröhre der hier behandelten Füme auf beiden Seiten der fotoleitfähigen Schicht Art besitzt eine Speicherplatte, welche eine durch- angebracht, um die Umwandlung des Selens aus der sichtige Unterlage enthält, die mit einer leitenden io glasartigen Form in eine kristalline Form zu verhin-Schicht überzogen' ist, welche eine Signalelektrode dem. Fotoleitfähige Schichten aus glasartigem Selen, bildet. Auf diese leitende Schicht ist eine Schicht aus welche in dieser Weise stabilisiert sind, zeigen einen einem fotoleitfähigen Material aufgebracht. Die Spei- verhältnismäßig großen Dunkelstrom, welcher zum cherplatte ist in einem evakuierten Kolben derart Teil den stabilisierenden Finnen zugeschrieben werangebracht, daß die fotoleitende Schicht einem Elek·- 15 den kann. Ein verhältnismäßig großer Dunkelstrom tronenstrahlerzeugungssystem zugewendet ist. Mit tritt auch dann auf, wenn die Selenlegierung bei dem Elektronenstrahl wird die fotoleitende Schicht hohem Vakuum von etwa 10 ~5 Torr aufgebracht zeilenmäßig abgetastet. Dabei werden die Strahlelek- wird, um die gewünschte Empfindlichkeit zu ertronen gebremst, so daß sie sich der fotoleitenden halten.A television tube of the type discussed here has a storage plate on both sides of the photoconductive layer, which is coated with a layer that has been attached to prevent the conversion of selenium from the visible substrate, which is coated with a conductive glass-like form into a crystalline form 'which is a signal electrode to the. Photoconductive layers made of vitreous selenium, forms. A layer which is stabilized in this way and shows a photoconductive material is applied to this conductive layer. The storage of the comparatively large dark current, which is applied to the chopper plate in an evacuated flask, is attributed to the stabilizing fins in such a way that the photoconductive layer can reach an electrode. A relatively large dark current electron beam generation system is turned towards. With also occurs when the selenium alloy is scanned line by line when the electron beam is applied, the photoconductive layer is high vacuum of about 10 ~ 5 Torr. The beam elec- tron is slowed down to achieve the desired sensitivity, so that they keep to the photoconductive.
Schicht mit geringer Geschwindigkeit nähern und ein 20 Aus der USA.-Patentschrift 3 020 442 ist bereits Teil von ihnen auf die Schicht auffällt, die dadurch eine Speicherelektrode mit einer fotoleitenden Schicht praktisch das Potential der Kathode annimmt. Wenn aus Selen bekannt, die auf einer elektrisch leitenden sich dieses Potential auf der fotoleitenden Schicht Oberfläche einer transparenten Frontplatte angeordausgebildet hat, werden die übrigen Elektronen zu- net und mit einer den Dunkelstrom der fotoleitenden rück zum Strahlerzeugungssystem reflektiert. An die 25 Schicht herabsetzenden Schicht versehen ist. Diese leitende Signalelektrode der Speicherplatte wird ein letztgenannte Schicht ist eine mindestens 4 Mikron Potential angelegt, das um mehrere Volt von dem dicke Antimontrisulfidschicht, die mit der Selen-Kathodenpotential auf der Oberfläche der fotoleiten- schicht eine fotoleitende Doppelschicht bildet. Die den Schicht abweicht. An der fotoleitenden Schicht Antimontrisulfidschicht verhindert in erwünschter herrscht dadurch eine Potentialdifferenz. Infolge der 30 Weise das Wachsen von Kristallen in der Selen-Fotoleitfähigkeit der Speicherplatte fließt beim Auf- schicht. Durch die AntimontrisuLfidschicht wird aber treffen von Licht auf die fotoleitende Schicht ein das spektrale Ansprechverhalten der bekannten Spei-Strom über die belichteten Flächenstellen, so daß cherplatte beeinträchtigt, deren panchromatische dort die Plattenoberfläche auf der dem Strahlerzeu- Empfindlichkeit wesentlich schlechter ist als diejenige gungssystem zugewandten Seite aut das Potential der 35 von Selen allein. Die bekannte Speicherplatte ent-Signalelektrode aufgeladen wird. Diejenigen Stellen spricht also einer solchen mit einem beliebigen andeder Platte, welche nicht belichtet werden, sollen nur ren fotoleitenden Material relativ geringen Dunkeleinen geringen oder keinen Stromfluß über die foto- Stroms, jedoch schlechter Farbempfindlichkeit, leitende Schicht ergeben und bleiben daher genau Es ist auch schon bekannt (deutsche PatentschriftApproach layer at low speed and a 20 From U.S. Patent 3,020,442 is already Part of them falls on the layer, which creates a storage electrode with a photoconductive layer practically assumes the potential of the cathode. If known from selenium, which on an electrically conductive This potential is formed on the photoconductive layer surface of a transparent front plate has, the remaining electrons are added and with one the dark current the photoconductive reflected back to the beam generation system. At the 25 layer depressing layer is provided. These The conductive signal electrode of the storage disk will be a latter layer which is at least 4 microns Potential applied by several volts from the thick layer of antimony trisulfide that is connected to the selenium cathode potential forms a photoconductive double layer on the surface of the photoconductive layer. the the layer deviates. Antimony trisulfide layer on the photoconductive layer prevents a desirable one as a result, there is a potential difference. As a result of the 30 ways the growth of crystals in the selenium photoconductivity the storage disk flows as it is stacked. However, through the antimony sulphide layer when light hits the photoconductive layer, the spectral response behavior of the well-known Spei current over the exposed areas, so that cherplatte affects their panchromatic there the plate surface on which the emitter generation sensitivity is significantly worse than that The side facing the system has the potential of the 35 selenium alone. The well-known storage disk ent signal electrode being charged. Those passages are spoken by one with any other Plate, which are not exposed, should only ren photoconductive material with relatively little darkness little or no current flow via the photocurrent, but poor color sensitivity, result in a conductive layer and therefore remain accurate It is also already known (German patent specification
oder annähernd auf dem Kathodenpotential. Der 4° 935 249 und USA.-Patentschrift 2 881 340), in einer Elektronenstrahl führt das Potential an den belich- Fernsehaufnahmeröhre zwischen die Speicherplatte teten Plattenstellen auf das Kathodenpotential zurück. und die Signalelektrode eine relativ dicke Isolier-Da die Signalelektrode mit der abgetasteten Seite der schicht aus SiO2 oder Antimonoxid zu legen, die an Platte kapazitiv gekoppelt ist, führt die Entladung zahlreichen Stellen unterbrochen ist, wo sich die der fotoleitenden Seite der Platte durch den Strahl 45 Elektrode und die fotoleitende Schicht berühren. Mit auf das Kathodenpotential zur Entstehung einer dieser Isolierschicht ist das Problem des Dunkel-Spannung an der Signalelektrode. Diese Spannung Stroms bei einer stabilisierten Selenschicht nicht zu bildet das Ausgangssignal der Röhre, wie es in der lösen, und außerdem würde durch die Isolierschicht USA.-Patentschrift 2 833 675 beschrieben ist. die durch eine Selenschicht erreichbare panchro-or approximately at the cathode potential. The 4 ° 935 249 and USA.-Patent 2 881 340), in an electron beam, leads the potential at the exposure television recording tube between the storage disk back to the cathode potential. and the signal electrode has a relatively thick insulating layer, since the signal electrode with the scanned side of the layer of SiO 2 or antimony oxide, which is capacitively coupled to the plate, results in the discharge being interrupted in numerous places where the photoconductive side of the plate passes through the plate Beam 45 touch the electrode and the photoconductive layer. Using the cathode potential to create one of these insulating layers is the problem of the dark voltage at the signal electrode. This voltage of current in a stabilized selenium layer does not form the output signal of the tube, as it would in the dissolve, and furthermore would through the insulating layer USA.-Patent 2,833,675 is described. the panchro-
Ein fotoleitendes Material, welches für eine der- 50 matische Empfindlichkeit der Röhre beeinträchtigt artige Fernsehaufnahmeröhre geeignet ist, muß einen werden.A photoconductive material which interferes with a dermal sensitivity of the tube like television tube is suitable, must be one.
niedrigen Dunkelstrom aufweisen, um eine Speiche- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einehave low dark current to a spoke. The object of the invention is to provide a
rung in der Röhre zu ermöglichen, da das vom Elek- fotoleitende Schicht aus Selen oder einer Selenlegietronenstrahl auf der Oberfläche der fotoleitenden rung anzugeben, bei welcher der Dunkelstrom herab-Schicht gebildete Potential an den nicht belichteten 55 gedrückt wird, ohne daß dadurch die panchromati-Stellen aufrechterhalten werden muß. Wenn das foto- sehen Eigenschaften verschlechtert werden, leitfähige Material einen verhältnismäßig hohen Dun- Die Erfindung besteht darin, daß eine Schicht austion in the tube, since the electoconductive layer made of selenium or a selenium alloy beam on the surface of the photoconductive tion indicate at which the dark current down-layer formed potential is pressed on the unexposed 55, without thereby the panchromati sites must be maintained. If the photographic properties are deteriorated, conductive material has a relatively high Dun- The invention consists in that a layer of
kelstrom aufweist, wird durch diesen Dunkelstrom reinem glasartigen Selen, deren Dicke zwischen 100 die Oberfläche der fotoleitfähigen Platte an den und 1800 Angström beträgt, als Blockierungsschicht dunklen Stellen entladen und daher das Ausgangs- 60 zwischen der elektrisch leitenden Oberfläche und der signal der hellen Stellen gestört. Ein Verfahren zur fotoleitenden Schicht angeordnet ist. Verminderung des Dunkelstromes bei einer speziellen Durch die Blockierungsschicht wird der Widerstandkelstrom, pure vitreous selenium, whose thickness is between 100 the surface area of the photoconductive plate at and is 1800 angstroms as a blocking layer dark areas and therefore the output 60 between the electrically conductive surface and the signal of the bright spots disturbed. A method for the photoconductive layer is arranged. Reduction of the dark current at a special one. The blocking layer increases the resistance
fotoleitfähigen Schicht ist in der USA.-Patentschrift zwischen der Signalelektrode und der fotoleitenden 687 784 beschrieben. Selenschicht so stark erhöht, daß der Dunkelstromphotoconductive layer is in the U.S. Patent between the signal electrode and the photoconductive 687 784. Selenium layer increased so much that the dark current
Bei manchen Anwendungen von Fernsehaufnahme- 65 auf einen nicht mehr störenden Wert herabgedrückt röhren ist eine panchromatische Empfindlichkeit er- wird. Die Blockierungsschicht beeinträchtigt jedoch wünscht. Ein fotoleitfähiges Material, welches zu nicht die gewünschte panchromatische Empfinddiesem Zweck benutzt werden kann, ist glasartiges lichkeit.In some applications, television recording 65 is reduced to a value that is no longer disruptive tubing is a panchromatic sensitivity. However, the blocking layer degrades wishes. A photoconductive material that does not produce the desired panchromatic sensation Purpose that can be used is vitreous.
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Vorzugsweise wird die elektrisch leitende Ober- Selen unmittelbar auf der Signalelektrode angebracht fläche durch eine Schicht aus einem Stabilisierungs- werden. Wenn stabilisierende Schichten anderer Art material gebildet, welches der Neigung des Selens der als die oben genannten Schichten benutzt werden Blockierungsschicht eine kristalline Form anzuneh- sollen, so kann man sie an Stelle einer oder beider men entgegenwirkt, wie dies, wie schon erwähnt 5 Schichten 32 und 34 anbringen oder anderweitig in wurde, an sich aus der USA.-Patentschrift 3 020 442 den Fotoleiter einlagern. Jedenfalls ist es wichtig, bekannt ist. daß die Selenlegierung 28 durch die Blockierungs-The electrically conductive upper selenium is preferably applied directly to the signal electrode surface through a layer of a stabilization. If stabilizing layers of another kind material which the addiction of selenium that are used as the above layers If the blocking layer is intended to assume a crystalline form, it can be used in place of either or both men counteracts how this, as already mentioned, apply 5 layers 32 and 34 or otherwise in was to incorporate the photoconductor per se from US Pat. No. 3,020,442. Anyway, it is important is known. that the selenium alloy 28 by the blocking
Die Erfindung soll nun an einem bevorzugten Aus- schicht 30 von einer benachbarten leitenden Schicht führungsbeispiel näher erläutert werden. getrennt ist. Eine solche Abschirmung verhindertThe invention is now intended to apply to a preferred layer 30 from an adjacent conductive layer management example are explained in more detail. is separated. Such a shield prevents
Die Zeichnung zeigt eine Teilansicht aus einer ins- io einen ohmischen Kontakt zwischen der leitenden gesamt mit 10 bezeichneten Fernsehaufnahmeröhre Signalplatte 26 und der Selenlegierung 28 während (Vidikonröhre), in welche der fotoleitfähige Schirm des Betriebs der Röhre. Eine derartige Ausschalgemäß einer Ausführungsform der Erfindung herge- tung eines ohmischen Kontakts führt zu einer stellt ist. nennenswerten Verkleinerung des DunkelstromesThe drawing shows a partial view of an ohmic contact between the conductive one overall with 10 designated television recording tube signal plate 26 and the selenium alloy 28 during (Vidicon tube) into which the photoconductive screen of the operation of the tube. Such a striking one embodiment of the invention production of an ohmic contact leads to a is. significant reduction of the dark current
Die Röhre 10 besitzt einen langen Glaskolben 14, 15 der Röhre.The tube 10 has a long glass envelope 14, 15 of the tube.
der am einen Ende durch einen insgesamt mit 12 Durch die Stabilisierungsschichten 32 und 34 wirdwhich is at one end by a total of 12 through the stabilization layers 32 and 34
bezeichneten Schirm abgeschlossen ist, sowie durch eine Temperaturstabilisation des Schirms erreicht, eine transparente Stirnplatte 16 aus Glas. Diese Stirn- Das Vorhandensein einer Trennfläche zwischen der platte 16 ist an einen Ring 18 aus Indium ange- Selenlegierung 28 und der glasartigen Selenschicht 30 schmolzen, welcher sich innerhalb eines Klemmrings 20 hat keinen Verlust der Temperaturstabilisation zur 20 befindet. Der Indiumring ist seinerseits mit dem Folge.designated screen is completed, as well as achieved by a temperature stabilization of the screen, a transparent faceplate 16 made of glass. This forehead- The presence of an interface between the Plate 16 is attached to a ring 18 made of indium selenium alloy 28 and the vitreous selenium layer 30 melted, which is located within a clamping ring 20 has no loss of temperature stabilization 20 is located. The indium ring, in turn, is the result.
Ende des Rohres 14 verbunden, so daß der Schirm Die Dicke jeder der erwähnten Schichten wirdEnd of tube 14 connected so that the screen becomes the thickness of each of the layers mentioned
12 die Röhre abschließt. In geringem Abstand vom möglichst günstig gewählt. Die Signalelektrode 26 Schirm 12 befindet sich ein Maschengitter 22, wel- muß so dünn sein, daß sie lichtdurchlässig ist und ches das Ende einer rohrförmigen Fokussierungselek- 25 muß andererseits dick genug sein, um die gewünschte trode 24 überspannt. Am anderen Ende des Rohres Leitfähigkeit in der Schichtebene zu besitzen, um als 10 befindet sich ein Elektronenstrahlerzeuger zur Signalelektrode dienen zu können. Diese beiden For-Lieferung eines Elektronenstrahls. Mit diesem Elek- derungen lassen sich dadurch erfüllen, daß man die tronenstrahl wird der Schirm abgetastet. Dicke zu etwa 10 ~3 mm wählt, wenn Zinnoxyd be-12 completes the tube. Chosen as cheap as possible at a short distance from. The signal electrode 26 screen 12 is a mesh grid 22, which must be so thin that it is transparent and the end of a tubular focusing electrode 25 must on the other hand be thick enough to span the desired electrode 24. At the other end of the tube to have conductivity in the layer plane in order to be able to serve as an electron beam generator for the signal electrode. These two for-delivery of an electron beam. This elec- tron can be fulfilled by the fact that the electron beam is scanned over the screen. Thickness selected to about 10 ~ 3 mm, when tin oxide loading
Der Schirm 12 enthält eine dünne Schicht 26 aus 30 nutzt wird. Obgleich die stabilisierende Schicht 32 einem elektrisch leitenden Material, wie beispiels- fortgelassen werden kann, ist es empfehlenswert, eine weise Zinnoxyd, auf der Innenseite der Glasplatte 16. solche Schicht zu benutzen, da diese zu der thermi-Diese Schicht 26 ist lichtdurchlässig und dient als sehen Stabilisation der reinen glasartigen Selenschicht Signalplatte. Im Betrieb kann an dieser Schicht 26 30 beiträgt, wenn dieses Material als Blockierungseine Spannung von +30 Volt liegen. Außerdem ent- 35 schicht verwendet wird. Die Schicht 32 trägt auch zur hält der Schirm eine Schicht 28 aus einer Selenlegie- Stabilisation der fotoleitfähigen Selenlegierung 28 bei. rung, die durch Aufdampfen im Vakuum erzeugt ist Es ist wünschenswert, der Schicht 32 nur eine Dicke und aus 15 bis 27 Gewichtsprozent Tellur, aus 0,5 bis von etwa 6 bis 30 Angström zu geben. Die Schicht 30 5 Gewichtsprozent Arsen oder Antimon, Rest Selen, muß eine solche Dicke erhalten, um als Blockierungsbestehen kann. Zwischen der Selenlegierung 28 und 40 schicht dienen zu können. Die Dicke dieser Schicht der Signalplatte 26 ist eine Blockierungsschicht 30 darf nicht weniger als etwa 100 Angström und nicht angebracht, welche in diesem speziellen Beispiel aus mehr als etwa 1800 Angström betragen. Durch Verreinem glasartigen Selen besteht, welches durch Auf- suche wurde ermittelt, daß die optimale Dicke der dampfen im Vakuum angebracht wird. Die Aufgabe Schicht 30 zwischen 100 und etwa 600 Angström der Blockierungsschicht 30 besteht darin, die Selen- 45 liegt. Die Selenlegierung 28 soll eine Schichtdicke legierung 28 von der elektrisch leitenden Schicht 26 von etwa 3 bis 10 mal 10~3 mm besitzen. Die stabilizu trennen. sierende Schicht 34 soll eine Dicke von etwa 10 bisThe screen 12 includes a thin layer 26 made from 30 uses. Although the stabilizing layer 32, an electrically conductive material, can be omitted, for example, it is advisable to use a tin oxide layer on the inside of the glass plate 16, as this layer 26 is translucent and is used for the thermal protection as see stabilization of the pure vitreous selenium layer signal plate. In operation, 30 may contribute to this layer 26 when this material acts as a block at a voltage of +30 volts. In addition, a coating is used. The layer 32 also contributes to keeping the screen a layer 28 of a selenium alloy stabilization of the photoconductive selenium alloy 28. It is desirable to give layer 32 a thickness of 15 to 27 percent by weight tellurium, 0.5 to about 6 to 30 angstroms. The layer 30, 5 percent by weight arsenic or antimony, the remainder selenium, must have a thickness such that it can exist as a blockage. To be able to serve between the selenium alloy 28 and 40 layer. The thickness of this layer of the sign plate 26 is a blocking layer 30 must not be less than about 100 angstroms and not attached, which in this particular example is greater than about 1800 angstroms. By means of purifying vitreous selenium, which has been determined through research, the optimum thickness of the vapor is applied in a vacuum. The task of layer 30 between 100 and about 600 angstroms of blocking layer 30 is to provide the selenium 45. The selenium alloy 28 should have a layer thickness of the alloy 28 from the electrically conductive layer 26 of about 3 to 10 by 10 -3 mm. Separate the stable. Sizing layer 34 should have a thickness of about 10 to
Die Selenlegierungsschicht 28 und die aus glas- 60 Angströmeinheiten aufweisen, artigem Selen bestehende Blockierungsschicht 30 Die Wirkungsweise der blockierenden Schicht 30The selenium alloy layer 28 and made of glass 60 angstrom units have, blocking layer 30 consisting of selenium
können als glasartige Schichten dadurch stabilisiert 5° und ihr Einfluß auf den Dunkelstrom läßt sich noch werden, daß man eine Unterlageschicht 32 zwischen nicht einwandfrei erklären. Es besteht die Möglichder Signalplatte 26 und der Blockierungsschicht 30 keit, daß diese Blockierungsschicht als elektrischer und eine weitere Schicht 34 auf der Selenlegierungs- Isolator wirkt, oder daß sie die Austrittsarbeit des schicht 28 vorsieht. Diese Schichten 32 und 34 bewir- leitenden Films 26 oder 32, der sich in Kontakt ken eine erhebliche Verlangsamung der Umwandlung 55 mit dem fotoleitfähigen Film 28 befindet, beeindes Selens in den beiden Schichten aus dem glas- flußt.can be stabilized as vitreous layers by 5 ° and their influence on the dark current can still be be that you can not properly explain a backing layer 32 between. There is a possibility Signal plate 26 and the blocking layer 30 keit that this blocking layer as an electrical and another layer 34 acts on the selenium alloy insulator, or that it increases the work function of the layer 28 provides. These layers 32 and 34 produce conductive film 26 or 32, which are in contact There is a significant slowdown in conversion 55 with photoconductive film 28, both Selenium in the two layers from the glass flow.
artigen Zustand in die kristalline Form. Vermutlich In dem beschriebenen Schirm verhindert die Blok-like state into the crystalline form. Presumably in the screen described, the blocking
wird diese Stabilisierung durch eine mechanische Ab- kierungsschicht 30 einen ohmischen Kontakt zwischen bremsung bzw. Verhinderung des Kristallwachstums der Selenlegierung 28 und einer leitenden Unterlage, des Selens bewerkstelligt. Für die Schicht 32 ist Gold 60 beispielsweise der Stabilisierungsschicht 32 oder der ein günstiges Material; sie kann aber beispielsweise Signalplatte 26. Dies ist möglicherweise auf die erauch aus Silber, Kupfer, Rhodium, Palladium, Ger- heblich größere Bandlückenbreite von reinem glasmanium, Germaniumoxyd, Antimontrisulfid oder artigen Selen zurückzuführen, welches als elektrischer Antimontrioxyd bestehen. Die Schicht 34 kann aus Isolator wirkt, so daß ohne Belichtung der Dunkel-Germanium, Germaniumoxyd, Antimontrisulfid oder 65 strom verkleinert wird.If this stabilization is achieved by a mechanical stripping layer 30, there is an ohmic contact between braking or preventing the crystal growth of the selenium alloy 28 and a conductive base, of selenium accomplished. For the layer 32, gold 60 is, for example, the stabilization layer 32 or the a cheap material; but it can, for example, signal plate 26. This may also be due to the made of silver, copper, rhodium, palladium, considerably larger band gap width of pure glasmanium, Germanium oxide, antimony trisulfide or similar selenium, which is called electrical Consist of antimony trioxide. The layer 34 can act from insulator, so that without exposure the dark germanium, Germanium oxide, antimony trisulfide or 65 current is reduced.
Antimontrioxyd bestehen. Es ist bekannt, daß die beschriebene SelenlegierungConsist of antimony trioxide. It is known that the selenium alloy described
Wenn die Stabilisierungsschichten 32 und 34 nicht als fotoleitfähiges Material einen nicht allzu großenIf the stabilization layers 32 and 34 are not used as a photoconductive material, not too large
benutzt werden, kann die Schicht 30 aus amorphem Dunkelstrom aufweist, daß jedoch bei unmittelbarercan be used, the layer 30 of amorphous dark current has, but that with immediate
Berührung mit einer leitenden Schicht, wie beispielsweise der Stabilisierungsschicht 32, der Dunkelstrom unzulässig hoch ansteigt. Die Schicht 32 scheint verhältnismäßig viele Löcher in die Selenlegierung zu injizieren, welche zu einem starken Ansteigen des Dunkelstroms führen. DieWirkung der Blockierungsschicht zwischen der Schicht 32 und der fotoleitenden Schicht 28, d. h. die durch diese Blockierungsschicht hervorgerufene Verkleinerung des Dunkelstroms, ist möglicherweise auf die Änderung der Austrittsarbeit des leitenden Films 32 zurückzuführen, d. h. darauf, daß dieser in die fotoleitende Schicht nicht so viele Löcher injiziert und der Dunkelstrom daher auf ein erträgliches Maß reduziert wird.Contact with a conductive layer, such as the stabilization layer 32, the dark current rises inadmissibly high. The layer 32 appears to have a relatively large number of holes in the selenium alloy inject, which lead to a strong increase in the dark current. The effect of the blocking layer between layer 32 and the photoconductive one Layer 28, i.e. H. is the reduction in the dark current caused by this blocking layer possibly due to the change in the work function of the conductive film 32; H. thereon, that this does not inject as many holes into the photoconductive layer and therefore the dark current on one tolerable level is reduced.
Die Erfindung kann auch auf andere fotoleitfähige Vorrichtungen als Fernsehaufnahmeröhren angewendet werden, da auch in anderen Fällen fotoleitfähige Schichten benutzt werden und die Notwendigkeit besteht, den Dunkelstrom durch das fotoleitfähige Material zu reduzieren.The invention is also applicable to photoconductive devices other than television pickup tubes because photoconductive layers are also used in other cases and there is a need to reduce the dark current through the photoconductive material.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US437252A US3405298A (en) | 1965-03-04 | 1965-03-04 | Photoconductive device having a target including a selenium blocking layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564521B1 true DE1564521B1 (en) | 1970-09-10 |
Family
ID=23735686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661564521 Withdrawn DE1564521B1 (en) | 1965-03-04 | 1966-03-03 | Storage electrode for a television pickup tube |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3405298A (en) |
| JP (1) | JPS444726B1 (en) |
| DE (1) | DE1564521B1 (en) |
| FR (1) | FR1470727A (en) |
| GB (1) | GB1137107A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |