DE1541504A1 - Protection device for the output stage of a radio serider - Google Patents
Protection device for the output stage of a radio seriderInfo
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Description
no. IHN- 1355
22.AuguSt 1966no. IHN- 1355
22.Augu S t 1966
"Sohutsvorriohtung fur die Ausgang·· tuf β «ine· FunJujenders""Sohutvorriohtung for the exit ·· tuf β« ine · FunJujenders "
Sie Erfindung betrifft «ine Vorrichtung zum Sohütsen
dee (der) Translator· (Transistoren) der Ausgangestufe eines
üblicherweise la Dienstbetrieb oder von Amateuren benutsten Senders«
The invention relates to a device for soothing the translator (transistors) of the output stage of a
usually by service or by amateurs used transmitter «
Zuffllige Erreigniese, velohe den übliohen Betrieb
eines solobe» Sendere stiren können, wie s*B* eine Unterbreohunf
oder eine irdYerbindunf dee Antennenkreieee» beeintrlohtigen oder
unterbrechen die norsmle SaergiesufUto der Aueesncsstufe «η die An»
teent» !%■ Erhalten ive direkte ron 4e* fender mit die A»tenneRandom events, speed up the usual operation
A solobe "senders can die, like s * B * an interruption or an earth connection dee antenna circles" impaired or interrupt the normal SaergiesufUto the Aueesncsstufe "η the an" teent "!% ■ Receive ive direct ron 4e * fender with the A" antenna
009814/01*3009814/01 * 3
PHI 1355PHI 1355
übertragenen Wellen und der reflektierten, von der unterbrochenen oder entregelt·!! Antenne auf den Sender surüok übertragenen Wellen verursacht das Auftreten stehender Wellen und Ueberlaetung des (der) Transistor· (Transistoren) an Ausgangsstufe des Senders· Diese Ueberlastung kann derart sein, dass die aaxiaal zulässigen Qrenswerte an den Kleeuaen des Transistors (insbesondere die Spannungen) überschritten werden, wodurch die Transistoren vernichtet werden·transmitted waves and the reflected, interrupted or deregulated from the · !! Antenna on the transmitter surüok transmitted waves causes the occurrence of standing waves and overloading of the transistor (s) at the output stage of the transmitter thereby destroying the transistors
Bs 'ist somit notwendig, den (die) Transistor(en) durch ein« Vorrichtung su sohütsen, die sofort beim Auftreten des Fehlere wirksaa wird·Bs' is thus necessary to pass the transistor (s) through a «device su sohütsen that immediately when the error occurs effective
Die Schutzvorrichtung nach der Erfindung enthält nur Halbleitorteile ohne Kontakte, die durch den Auegang einer gerichteten Antennenkupplung entnommene Signale gesteuert werden und die bei Fehlanpassung der Antenneniapedanz die Wirkung der der Ausgangsstufe vorangehenden Stufe regeln·The protective device according to the invention contains only semiconductor parts without contacts, which are controlled by the output of a directional antenna coupling and the signals extracted in the event of a mismatch in the antenna impedance, the effect of the output stage regulate the previous stage
lach der Erfindung wird dl· Schutzvorrichtung für dielach the invention will dl · protection device for the
Ausgangsstufe eines Funksendera dadurch gekennseiohnet, dass sie parallel alt den Sender »wischen der der Ausgangsstufe vorangehenden Stuf« und einer gerichteten Antennenkupplung verbunden ist und ein er·te· Halbleiterorgan enthält, das direkt alt de« Ausgang des Kopplungseleaentes verbunden ist und beia Auftreten einer ansteigenden Spannung an dieaea Ausgang die Leitung eines zweiten Halbleiterorgans steuert, dessen Ausgang direkt »it de« Steuerorgan der der Ausgangsstufe vorangehenden Stuf· derart verbund·» ist, dass dies· Stet· gesperrt wird» wenn di· Leitfähigkeit de« zweiten Halbleiterorgsna suniaat·The output stage of a radio transmitter is identified by the fact that it parallel alt the transmitter »wipe the one preceding the output stage Stage and a directional antenna coupling and contains a first semiconductor element which is directly connected to the output of the coupling element is connected and when a rising voltage occurs at the output the line of a second semiconductor element controls whose output directly »it de« control organ of the output stage previous stage is connected in such a way that this is always It is blocked "if the conductivity of the" second semiconductor organ suniaat
Oa su vMNMi&wtf da·· furinf* Ipanraaijpiänderung·» infolge einer 8peisMp>niiuwgas»aw*akuaf ua4 nioht infolge eine»Oa su vMNMi & wtf da ·· furinf * change to Ipanraaijpi · » as a result of a 8peisMp> niiuwgas »aw * akuaf ua4 nioht as a result of a»
14/070214/0702
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
IW 1355IW 1355
BUfIlügen Störung d«e Antennenkreis·· dl· Vorrichtung naoh der Erfindung wirk·»« macht, enthllt diese Vorrichtung «in Spannungsregelorgan, dM dl» Spannung «o Ausgang dee zweiten Halbl«it«ror~ gone innerhalb. b#« timater Qren«en stabilisiert und das kursgeeohlos-BUfIl lie disturbance of the antenna circuit ·· dl · device near the Invention effective "" makes this device "contained in the voltage regulator," dM dl "voltage" o output of the second half "it" ror ~ gone within. b # «timater Qren« en stabilized and the exchange rate geohlos-
I 1I 1
sen wird« wenn die Leitungsänderung dies·· «weiten Organ» einen be» etimaten 3ohwellenwert übersohreitet»sen will «if the change in management affects this ··« wide body » etimaten 3ohwellewert covered »
Das «rste und das «weite Halbleiterorgan können vorteilhaft durch Translatoren gebildet werden, die an der Basis gesteuert werden* während das Spannung·regelorgan «ine Zenerdiode sein kann, deren Arbeitepunkt auf den Tertikaien Teil der Kennlinie liegt·The first and the wide semiconductor organ can be advantageous are formed by translators that are controlled at the base * while the voltage regulator can be a Zener diode, whose working point lies on the tertiary part of the characteristic curve
Bine vorteilhafte Aueführungefora der Sohutavorrlohtung nach der Erfindung enthalt einen ersten Transistor, dessen Basis mit dem Ausgang ds« gericht·ten Kopplung·«lernent·· verbunden ist und der eines solohen Typs ist und in beaug auf die sur Verfügung stehenden Spannungen derart gespeist wird, dass er la normalen Betrieb des Senders etwas leitend ist, also wenn keine Spannung von dem Kupplungselement am Eingang wirksam 1st· Der Kollektor des er- ^sten Transistors ist direkt mit der Basis eines «weiten Transistors verbunden und diese swei Elektroden sind über den gleichen Widerstand 'mit der Speisespannung verbunden, so dass «ine Aenderung des Kollektorstrome· des ereten Transistors über diesen Widerstand ein· Potentiallnderung an der Basis des «weiten Transistors hervorruft. Zwisohen dem Slitter und dem Kollektor des «weiten Transistors ist parallel «in· Zenerdiode angebracht, die an «loh in H«lh· mit einem Widerstand «wischen Erde und Hoohspannungekleome verbunden ist, wobei dl· Diod· und der Widerstand ein· Br&Ok· bilden« Di· Polaritlt dar Diodenverbindung in dieser Brücke 1st derart« dass sie von einemBine advantageous form of the sun hat prowess According to the invention, it contains a first transistor, the base of which is connected to the output of the directional coupling and who is of a solo type and available on the sur standing voltages is fed in such a way that it la normal operation of the transmitter is somewhat conductive, i.e. when no voltage from the coupling element is effective at the input The first transistor is directly connected to the base of a wide transistor and these two electrodes are connected to the supply voltage via the same resistance, so that the Collector currents of the first transistor via this resistor A change in potential at the base of the "wide transistor" causes. Between the slitter and the collector of the "wide transistor" is parallel «in · Zener diode, which is connected to« loh in H «lh · with a Resistance «between earth and high voltage kleome is connected, whereby dl · Diod · and the resistance a · Br & Ok · form «Di · Polarity The diode connection in this bridge is such that it is connected by a
PH» 1355PH »1355
Rttckwärtsstrom durchflössen wird« dessen mittlerer Wert einen Arbeitepunkt auf dem vertikalen Zweig der Kennlinie entspricht I. - f(V. ), wobei der Rückwärtsspannung I. als Funktion der Rüokw&rtaspannung V. aufgetragen ist, also in einem Bereich naheau konstanten Potentiale trots der verhältnismässig groesen Aenderungen der Auegangespannung), damit die Diode als Spannungeregler wirksam sein kann. Das Potential des Emitters des zweiten Traneis tore wird auf diese Weise stabilisiert und Im normalen Betrieb entspricht es einem diesen Transie tor durohf Hess enden, geringen Strom, der beim Auftreten einer Spannung von dem Kopplungeβlament an der Basis des ersten Transistors zunimmt·Reverse current flows through «whose mean value corresponds to a working point on the vertical branch of the characteristic I. - f (V.), Where the reverse voltage I. as a function of Reverse voltage V. is plotted, i.e. in a range close to constant potentials in spite of the relatively large changes the output voltage) so that the diode works as a voltage regulator can be. The potential of the emitter of the second Traneis gate will stabilized in this way and in normal operation, it corresponds to a low current that transi tor durohf Hess ends when tension occurs from the coupling parliament at the base of the first transistor increases
Gemeinsame bilden der erste und der sweite Transistor und die Zenerdiode die Sohutsvorriohtung, die durch den Emitter des aweiten Transistors mit der Basie des Steuertranaletore des Senders verbunden ist, wobei dae mittlere Potential dieser Basis somit gleich dem des erwähnten Emitters ist* Das Potential des Kollektors und das des Emitters des 3teuertransistors werden selbstverständlich derart gewählt, dass dieser Transistor im normalen Betrieb in richtiger Weise leitend wird und die verlangte Verstärkung liefert.The first and the second transistor form common elements and the Zener diode, the hat device through the emitter of the A wide transistor with the base of the control port of the transmitter is connected, the mean potential of this base thus being equal that of the emitter mentioned is * The potential of the collector and that of the emitter of the control transistor are taken for granted chosen in such a way that this transistor is correctly conductive during normal operation and provides the required gain.
Ia Falle einer Störung des Antennenkreises kann die Spannung aa Eingang des ersten Transistors diesen sperren und dessen Kollektorstroa unterdrücken* Der Spannungefall über den den Kollektorkreis des ersten Transistors und der Basis des «weiten Transistors gemeinsamen Widerstand nimmt ab, so dass der Potentialuntereohied «wischen Slitter und Basis des zweiten Transistor· sich derart fndert, das· der Transistorstrom bis sum Sättigungspunkt sunehmen kann. Der Emitter-Kollektorkreie des «weiten Transistors bildet denn einenIn the event of a disturbance in the antenna circuit, the Voltage aa input of the first transistor block this and its Suppress collector current * The voltage drop across the collector circuit of the first transistor and the base of the second transistor common resistance decreases, so that the potential difference «Wipe the slitter and base of the second transistor · changes in such a way that that · the transistor current can take up to the saturation point. Of the The emitter-collector circles of the "wide transistor" then form one
0 0 9 8 U / 0 7 0 2 BAD 0 0 9 8 U / 0 7 0 2 BAD
. 5 -■ PHH 1355 . 5 - ■ PHH 1355
Kurssohluss fur dit Zenerdiode» die mit den Klemmen verbunden ist· Es tritt Bomit eine Aenderung de« Basispotentials des Steuertransietore des Senders auf» wobei die Polarität dieser Aenderung den Transistor in der Sperriohtung steuert» wodurch der Eingangsspannungspegel a.w Bndstufe des Senders proportional erniedrigt wird» bo dasβ diese Stufe vor der beeinträchtigenden Wirkung der Störung des Antennenkreises geschützt wird.Course base for the Zener diode »which is connected to the terminals · There is a change in the« base potential of the control transistor gate of the transmitter »whereby the polarity of this change controls the transistor in the blocking direction» whereby the input voltage level aw output stage of the transmitter is proportionally reduced »bo that this stage is protected from the detrimental effect of disturbance of the antenna circuit.
Die Erfindung wird an Band der Zeichnung näher erläutert. The invention is explained in more detail on the basis of the drawing.
Der in der einsigen Fi&ur schematiach dargestellte Teil des Senders enthält einen Transistor T. des n-p-n Typs in der Steuerstufe des Senders» einen Kopplungskreis 11 «wischen dea Transie tor T. und dem Transistor T1. auoh des n-p-n Type» der einen Teil der Ausgangsetufe bildet und den geachütsten SÜnselteil darstellt» und das Gebilde 12 des Antennenkreises mit Kondensatoren» Spulen und Schaltern.The part of the transmitter shown schematically in the single figure contains a transistor T. of the NPN type in the control stage of the transmitter "a coupling circuit 11" between the transistor T. and the transistor T 1 . also the npn type »which forms part of the initial stage and represents the most honored part» and the structure 12 of the antenna circuit with capacitors »coils and switches.
Ein gerichtetes Kupplungselement 13» durch welches die Antenne 17 mit dem Senderkreis verbunden ist» ist eines bekannten Typs; es sind verschiedene Konstruktionen k&uflioh erhältlich als Zubehörteile koaxialer Hochfrequenzkabel. Das Kopplungselement enthält s.B. ein an einem Ende mit Erde verbundene« leitendes Kiement, das induktiv und kapazitiv mit der Innenleitung verbunden ist» und eine Diode und einen Detektorkondeneator. Wenn infolge einer Fehlebati amung oder einer Störung im Antennenkreis eine reflektierte Welle grSsserer Intensität in der Innenleitung dea Kopplungselementes auftritt» erseugt diese eine Oleiohspannung an der Klemme 14 des Kopplungselements· 13» deren Wert sieh mit der Intensität der reflektierten Welle ändert. Di··· Gleichspannung tritt an der Singangsklemme 16 derA directed coupling element 13 »through which the Antenna 17 is connected to the transmitter circuit »is a well-known one Type; different constructions are available as Accessories for coaxial radio frequency cables. The coupling element contains s.B. a conductive bond connected to earth at one end, that is inductively and capacitively connected to the inner line »and a diode and a detector capacitor. If there is a reflected wave as a result of a malfunction or a disturbance in the antenna circuit greater intensity occurs in the inner line of the coupling element » This replaces an oleic voltage at the terminal 14 of the coupling element · 13 »whose value depends on the intensity of the reflected Wave changes. The DC voltage occurs at the input terminal 16 of the
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In der dargestellten Ausführungefora ist die Plusklemme der dem Sender und der Schutzvorrichtung gemeinsamen Spannung»quelle mit Erde N verbunden*In the illustrated embodiment, the positive terminal is the voltage source common to the transmitter and the protective device connected to earth N *
Die Transistoren T. und T2 der Schutzvorrichtung sind hier des p-n-p-Typs. Die Basis 20 dee Transistors T. ist direkt mit der Eingangsklemme 16 und der Emitter 19 ist mit Erde N verbunden) ein Polarisierungswiderstand R2 hohen Wertes zwisohen der öaeis 20 und dem Kollektor 21 begrenzt den Basisstrom von T. und bringt das Basispotential dieses Transistors auf einen negativen, nahezu Null-Wert. Die Basis 22 des Transistors Tg ist direkt mit dem Kollektor von T. verbunden^ so dass der Widerstand R„ durch Gegenkopplung das Basispotential von T- stabilisiert, welcher Transistor dadurch weniger empfindlich ist für Toleranzen des Transistors T1 infolge Aelterung und der Auswahl» Der Kollektor 21 von T1 ist mit dem Minuspol der Speiseepannungequelle über einen Widerstand R. von einigen Tausend Ohm verbunden. Der Kollektoratrom von T1I der den Widerstand R. durohfliesst, ist dabei gering. Der Widerstand R, befindet sich auch in dem Basiskreis von T2 infolge der Verbindung zwischen Basis 22 und Kollektor 21. Der Durchgang des Kollektorstroms von T1 duroh den Widerstand R-. erzeugt einen Spannungefall, der das Potential der Basis 22 von T2 auf einen geringfügig negativen Wert in bezug auf den Emitter 23 einstellt, wodurch der niedrige Anfangestrom von T2 bestimmt wird. Der Kollektor 24 von T2 ist direkt mit der Minusklemme der Speisespannungsquelle verbunden. Bine Zenerdiode Z ist •wischen dem Emitter 23 und dem Kollektor 24 des Transistors T2 geschaltet und ihr· Anode ist mit der MinusklMae der Speisespannung «grbunden. l The transistors T. and T 2 of the protection device are here of the pnp type. The base 20 of the transistor T. is directly connected to the input terminal 16 and the emitter 19 is connected to ground N) a polarization resistor R 2 of high value between the Öaeis 20 and the collector 21 limits the base current of T. and brings the base potential of this transistor to a negative, almost zero value. The base 22 of the transistor T g is directly connected to the collector of T. ^ so that the resistance R "by negative feedback, the base potential of T stabilized, which transistor thereby is less sensitive to tolerances of the transistor T 1 due Aelterung and selecting" The collector 21 of T 1 is connected to the negative pole of the supply voltage source via a resistor R. of a few thousand ohms. The collector atom of T 1 I, which durohflies the resistance R., is low. The resistor R, is also in the base circuit of T 2 as a result of the connection between base 22 and collector 21. The passage of the collector current from T 1 through the resistor R-. creates a voltage drop which sets the potential of the base 22 of T 2 to a slightly negative value with respect to the emitter 23, thereby determining the low initial current of T 2 . The collector 24 of T 2 is connected directly to the negative terminal of the supply voltage source. A Zener diode Z is connected between the emitter 23 and the collector 24 of the transistor T 2 and its anode is connected to the minus terminal of the supply voltage. l
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Die Ausgangsklemae 25 (Emitter 23) der.Schutzvorrichtung 18 ist bei K mit dem Eingang der Steueretufe über eine Hoohfrequenzinduktivitlt L mit vemaohlSesigbarem, ohraiechem Widerstand verbunden, die durch einen Kondensator C, L, C überbrückt wird, der die Wirkung der Vorrichtung nicht beeinflusst»The output terminals 25 (emitter 23) of the protection device 18 is at K with the input of the control stage via a high frequency inductivity L with vemaohlSigbarem, incense resistance connected, which is bridged by a capacitor C, L, C, the does not affect the effectiveness of the device »
Im normalen Betrieb ist das Potential der Baalβ 26 des Transietors T, auf einen negativen Wert eingestellt, der von dem Wert des Widerstands R1 und von der Kennlinie der zugehörenden, zwischen der Minusklemme der Speisespannung und Erde N in Reihe verbundenen Diode abhängig ist» Der Spannungsfall über den Widerstand R. hängt von dem Strom In ab, der den Widerstand durchflieaet und gleich der Summe der Ströme (l~, + I«ß^ "*" *z ^β8 ElIli-'b'tere von τρ* Λθβ 2aBialcre:'-~ see von T, und der Diode 2 ist.In normal operation, the potential of the Baalβ 26 of the transit gate T, is set to a negative value, which depends on the value of the resistor R 1 and on the characteristic of the associated diode connected in series between the negative terminal of the supply voltage and earth N »Der The voltage drop across the resistor R. depends on the current I n , which flows through the resistor and is equal to the sum of the currents (l ~, + I «ß ^" * "* z ^ β8 ElIli - ' b ' tere from τ ρ * Λθβ 2 aBialcre: '- ~ see from T, and the diode 2 is.
Eine Verringerung der Summe I2^+ ^o*: infolge B.B. einer kleinen Aenderung der Speisespannung erhöht den Wert des Potentials am Punkt K und somit den Spannungswert an der Klemme von Zi I„ nimmt dabei zu, woduroh ganz oder teilweise die Abnahme der Summe der zwei anderen Stromteile I0 ausgeglichen wird, so dass der AnfangewertA decrease in the sum I 2 ^ + ^ o *: as a result of a small change in the supply voltage increases the value of the potential at point K and thus the voltage value at the terminal of Zi I "increases, whereby the total or partial decrease in the sum of the two other current parts I 0 is balanced, so that the initial value
R1
dee Potentiale am Punkt K wieder erreicht wird. R 1
the potentials at point K is reached again.
Umgekehrt führt «in· Zunahme der Summe I2I + *26 6^ηθ Verringerung des Potentials am Punkt K horbei, die der Abnahme vonConversely, an increase in the sum I 2 I + * 26 6 ^ ηθ leads to a decrease in the potential at point K, which in turn leads to a decrease in
. 1. 1
und das Potential an Punkt K des Anfangspotential näher kommen kann*and the potential at point K can come closer to the initial potential *
Di« Diode Z wirkt al· Spannungsregler so lang· der Strom I2, einen niedrigen Wert hat und somit so lange der Sender normal wirksam ist.The diode Z acts as a voltage regulator as long as the current I 2 has a low value and thus as long as the transmitter is normally active.
Bs wird nunmehr angenommen, da·· eine Störung des Antennenkreis es das gerichtete Kopplung·element 13 veranlasst, eine Streu-It is now assumed that there is a disturbance in the antenna circuit it causes the directional coupling element 13 to produce a scattering
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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
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spannung pOfclUrer PolaritSt in b««u(j auf Erde Iu detektieren, welch« Spannung dem Eingang 16 der Schut«vorrichtung äu£«führt wird* Dan Potential der Baal» SO dee Translators T., daß etwas negativ in besug auf da· de* Emitter» 19 war, wird dann positiv, wodurch der Transistor dee p-n-p Type gesperrt wird. Der den Widerstand 3fL durohfliestende Strom nimmt ab, to dass das Potential der Baei· 22 de« Tranei·tor· Tg verringert wird. Der Potenzialunterschied ewisohen dea Slitter und der. Baeie in diesem Transistor nimmt eu, wodurch eine erhebliche Zunahme de· Bhiitteretroaui I2, auftritt* Der infolgedeeeen auftretende Spannung·fall Quer am Widerstand R. erteugt einen Potentialfall Uk Punkt K, der in diesem Falle nicht von der Diode Z ausgeglichen werden kann, da die resultierende Abnahme ihres Strotte· I„ unabhängig von der erheblichen Zunahme von I„, ist« Die Diode Z wird praktisch durch den Eaitter-Kollektorkreis des Transistors T2 kursgesohlossen»voltage pOfclUrer polarity in b «« u (j on earth Iu detect what voltage is going to the input 16 of the protective device outside * Dan potential of the Baal »SO the translator T., that something is negative in relation to the de * emitter »19 then becomes positive, whereby the transistor dee pnp type is blocked. The current flowing through the resistor 3fL decreases, to that the potential of the baei · 22 de« tranei · tor · T g is reduced. The potential difference ewisohen dea slitter and the. Baeie in this transistor takes eu, which means a considerable increase in de · Bhiitteretroaui I 2 occurs * the infolgedeeeen occurring voltage · case cross the resistor R. erteugt a potential case Uk point K, which in this case not by the Diode Z can be compensated because the resulting decrease in its current · I "is independent of the considerable increase in I", "The diode Z is practically closed by the Eaitter collector circuit of the transistor T 2 "
Di« Potentialabnahme aa Punkt K verringert den Spannung·- unter«ohied «xisohen der Basis 26 und de« Baitter 27 de« Transistor· T. (bei Sättigung von T~ ist seine Bnitter-Basiaspannung sehr gering und der Punkt K hat das Potential der Minueklea«e der Speisespannung) so da·· dieser Transistor gesperrt wird und auf dies« Weise die weitere Stufe T5 isoliert.The decrease in potential at point K reduces the voltage under the base 26 and the baitter 27 of the transistor T. the minucleae of the supply voltage) so that this transistor is blocked and in this way the further stage T 5 is isolated.
Bs sei bemerkt, dass das Antennenkopplung·element 13 eine Spannung liefert, die proportional «it der Störung i«t, dl· aber bei einer bestirnten Veretieeung proportional «it de« su übertragenden Spannung·pegel ist. Die Schutzvorrichtung kann keinenfalls die VIr* kitng de« Senders beeinflussen wenn die Anpassungsverhlltnl··· richtig sind« It should be noted that the antenna coupling element 13 is a Supplies voltage which is proportional to the disturbance i «t, dl but at to a starred distribution proportional to "it de" su transferred Voltage level is. Under no circumstances can the protective device break the VIr * kitng de "Influence the transmitter if the adaptation ratio · ·· is correct«
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0098U/07020098U / 0702
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Bb ist daher möglich, die Sohut«vorrichtung nach der Erfindung mit eine« Aneeigegerät für die richtige Eineteilung des Antennenkreieee »u koabinieren. Ss genügt su diesem Zweck ein Messwerte 15 Bit beweglichem Rahmen hinreichender Empfindlichkeit »wischen den Ausgang H des Kopplungselemente« 11 und Erde K au gehalten unter <*iger Äwisohenfügung eines Widerstandes R, in Reihe mit dem Mess-15· Bb is therefore possible to use the Sohut device after the Invention with a display device for the correct division of the Antennenkreieee »u koabinieren. One measured value is sufficient for this purpose 15 bit movable frame of sufficient sensitivity »wipe the output H of the coupling elements «11 and earth K au held under <* iger connection of a resistor R, in series with the measuring 15
Die richtige Sinsteilung des Antennenkreises und die Qualität der Anpassung der Impedansen der verschiedenen Organe des Kreises sind ersichtlich durch eine minimale oder keine Ausweichung de« Mesawerkee 15·The correct pitch of the antenna circle and the Quality of the adaptation of the impedans of the various organs of the Circle are evident from a minimal or no deviation from the «Mesawerkee 15 ·
Sine praktische Ausführungeform der Schutzvorrichtung nach der Brfladung hatte die nachfolgenden Binselteilet T1 t AP 114 Sj I 1,2 kOhm SpeiBeapannungi 24 T T2 t AST Π B2 t 4?O kOba Keaswerk 15« Empfindlichkeit 30 μΑ Z ι 12 Z 4 R. ι 6,8 kOhm R, t 1,5 kOhmThe following Binselteilet T 1 t AP 114 Sj I 1.2 kOhm SpeiBeapensioni 24 T T 2 t AST Π B 2 t 4? O kOba Keaswerk 15 «Sensitivity 30 μΑ Z ι 12 Z 4 R. ι 6.8 kOhm R, t 1.5 kOhm
SelhetverstlndLlioh können durch Srsats gleichwertiger Einselteile Abarten dieser Aueführungeform entworfen werden innerhalb dem Rahmens dear Erfindung. SelhetverstlndLlioh can be equivalent through Srsats Some variations of this embodiment shape are designed within the scope of the invention.
BAD QRK5WALBAD QRK5WAL
U.M. U-/Q?AROUND. U- / Q?
Claims (2)
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Cited By (1)
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FR2693058A1 (en) * | 1992-06-26 | 1993-12-31 | Thomson Csf | Excitation stage of a transmission tube for short wave transmitter. |
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- 1967-03-20 DE DE19671602105 patent/DE1602105A1/en active Pending
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DE2040488A1 (en) * | 1970-08-14 | 1972-02-17 | Tekade Felten & Guilleaume | Protection circuit for power transistors against overvoltages |
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GB1150584A (en) | 1969-04-30 |
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