DE1524812A1 - Magneto-optical readout device - Google Patents

Magneto-optical readout device

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DE1524812A1
DE1524812A1 DE19671524812 DE1524812A DE1524812A1 DE 1524812 A1 DE1524812 A1 DE 1524812A1 DE 19671524812 DE19671524812 DE 19671524812 DE 1524812 A DE1524812 A DE 1524812A DE 1524812 A1 DE1524812 A1 DE 1524812A1
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magnetic
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readout
magnetization
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DE19671524812
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Philip Smaller
David Treves
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Ampex Corp
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Description

Magnetooptische tIuslesevorrichtung Die vorliegende Erfindung betrifft eine magnetooptiticlie Auslesevorrichtung mit verbessertem Sigtial-Rauschve hältn.is der -Auslesesignale, iti der ein magnetisches Speichermedium zur Speicherung von Eiformation in form von atiol;ewählten hiagnetisierungszustnnden und eine Abtastung des Speichermediums durch einen Lcht.strahl vorgesehen ist. Durch magnetooptische Auslesevorrichtungen--künnen magnetische Aufzeichnungen hoherBitdchten schnell und genau wiedererhalten werden. Bei bekannten magne toop tischen Auslesevorrichtungen, wie sie z.B. in der U:-Pa- tetifichrift 3 171 "154 beschrieben wcrd-en@ wird der (@ianf:;ry,. toop tische Kerr-- oder i@':o,r.e;d@l,y.Lf fek ali@üen i ty t, tirci (i:1., Vorhandensein voll tnanc@ ti@aclien Aufzeichnungen in einem :peicrier'tuediuni @es-t@amtel`leti. v:EzmnGz@;@mtoc@@tu.@@c;lm@ @@£:z@x@@ fiffekt tritt beispit;l3wolfie F311 maliELi:3Ct en Pllollen £111x vielche mit einem Strahl polarisierten Lic;titoe beir:uc;lltet YTerden. Die Polar1.'sationsebene eitles von eintir in ainer iiichtu:ng magnetisierten Oberfläche refl"ktierten @ltr$111@3 wird in bezog- auf die Polarisationgebene eineu voll oller :in entgegengesetzter Richtung lua@;tletirsif:zt;t;n t)t>St@£Liotl.:' - r'erlektierten S-tral(ilti in eitler be;3t.tnnit;eti Richtung ge- dreht. De enLg(:gt;ni;eaetzte Maüretitiierung vont'@t:i:@flä@chen tritt beisp i_e13we ise bei der d:igl tal(:n Aufze chnung =luf@ Wird der peilax#i@ii:i#tr: "tr.:liil voll einem feil: einer Oberfläche relel"tiert, in- der ein hosi tvet3- tn@igne tiech=3 Bit gespeichert ist, so-wird die Pol.avi3atlotioebt<tie dtcl - re.flektierteri Strahls um einen bestimmten Winkel Ü@@rli:@ell%. Wird der polarioierte Strahl vc)i eitler überrläch t r°f: =1@ax t.iert9 in der' ein rlegativuti magnetLche3 Bit gespeichert; ist, - so wird die Po larilatiollt3ebene wtl einen anderen W < tl- kel gedretlt.- Diese Drehung ist generela ati t,nymme txy-irt)tli Oder en tgegen fiese tz t zur .Drehurig durch das posi-t i ve . - Bit. Auf diese Weisse kann das Vorhanden,#ain einen in cin;mi --peichermedium gespficher-tetpofti vr t1 oder negativen 13i`ts fentgestell t werden, in dem das @Lafl und/oder der Winkel. de-r- Drehung der Ro-tationaebent(ies' rßflektlertE:t1 Strahls beiitittmit; wird, In derartigen magnetooptibchen Auslesesystemen wird immer eiti Räuschen infolge von Oberflächenungenauigkeiten und hirhtstreurnigen festgestellt. 1-s mu:B daher Vorsorge dafür güti-offen vierden, dag das Rauschen soweit als möglich uutezorifck z. wird, um eine optimale Aualesuug durch die Vorrt:htut:x, z u erhalten. üs sind magnetooptische Auslese- vorr i rltunge n bekarint geworden, bei denen Modulations- '`t,aiiäeti redtx:##.iererici auf die hffcsltte des Rauschens Irrfolge von C?t:eril<<c:lzeritinenatzigl@eit und Licht:streuungeu wirken, Derartige wt,;lesei=rarriel:tun#err in den US-1=atentschrift-en 3 2i34 785 und 3 c? E379 sind beschrieben. Bei diesca Vor- richtungen wird der abtastende hiclitstralil moduliert. Der vorliegenden Erfindung licht die: Aufgabe zugr:iizde, eine t:=t@cooptT .c=_ic@,cnilesevorrichtungen--mit verbessertem Gig- na 7.--_tauscl--Vipi°lrältnis des Auslesesignals anzugeben. i ne Vorrfel11 b-txg der eitrgangs genannten Art ist zur Itüaung der vorgenannten Aufgabe durch. folgende Merkmale gekenn- zeichnet: einen. Speicher- und Auslesebereich, Welcher einen feil dee Spechermediuaie bildet, wobei im Speicher- und Auslese- teil :die Information in Form von ausgewählten Nagne ti- siPrungszxzs-üän. den gespeichert ist, eine mit dem Speicher- medi.ui=#(i. gck:" pe";->be Einrichtung zum Aufprägen eines t.u.ege- wähl ten- äut::iz Abfragesgnale auf das Speichermedi =i. m, ccm die:@; ii erungszt@stätnde ,,m. Spei ;;fier- und Au;. le;3e- bereich zu ändern.,: derart,, daB die geänderten Magnetisierungszus.tä;nde eine bestimmte modulierte Komponente refgektiertenLichtes hervorrufen, die- den@ausgewählten Magnetisierungszuständen entspricht, und eine mit dem Speichermedium gekoppelte Dektektoreinrichtung zur Bestimmung der modulierten Komponente des reflektierten Lichte und damit der Magnetisierungszustände. Die Erfindung sieht allgemein ein Re:ustreduzierungsschema für magnetooptischeAuslesevorrichtungen mit magnetischen Speichermedien vor, in denen der der gespeicherten Information entsprechende Magnetisierungszustand selbst moduliert oder geändert wird, um eine modulierte Komponente des: von den-Speichermedien reflektierten lichtes zu erzeugen, welche gemäß der gespeicherten Information geändert wird und bei Abfragung ein der Information entsprechende® Auslesesignal darstellt. Die Speichermedien können konventionelle magnetische Speicherfilme oder Speicherbänder sein, wobei die Aaslesung durch Feststellung der Änderung des Lichtwertes herbeigeführt wird, wenn: der Magnetieierungszustand durch äußere Abfragemittel, wie beispielsweise ein magnetisches Feld, lokal zugeführte Wärme oder mechanische Spannung, gestört oder geändert wird. Die Abfragung kann entweder periodisch oder aperiodisch sein. Weiterhin kann die Amtslesung entweder zerstörend oder zerstörungerei sein. Die Änderung des festgestellten Lichtwertes ist ein Maß für die gespeicherte Information; in einem Binärsystem< unterscheidet sich der Lichtwert für ein "l"-Bit vom lichtwert für :ein "Null"-Bit, so daß eine Feststellung und Auslesung möglich ist. Gemäß einer besonderen Ausführungsform der Erfindung findet: ein spezielles Speichermedium Verwendung, das eine heterogene- Struktur aufweist und beispielsweise aus einem Substrat und in bestimmter Konfiguration aufgebrachten Materialien mit geringer und großer goerzitivkrait besteht, um einen Speicherbereich und einen Auslesebereich im Medium zu--bilden. Die Information wird im Speicherbereich gespeichert, der- seinerseits über ein Feld mit dem Auslesebereich gekoppelt ist, um im letzteren Bereich ein gleichartiges Magnetisierungsraster herbeizuführen. In einem derartigen Speichermedium mit zwei Materialien muß ein Kopplungsmechanismus, wie beispielsweise eine magnetostatische Wechselwirkung oder eine Austauschwechselwirkung zwischen dem Speicher- und Auslesebereich des Speichermediums existieren, damit eine eindeutige Relation zwischen der Magnetisierung oder den Spiri-Konfigurationen der Bereiche vorhanden ist. Darüber hinaus muß das zwischen da4ereichen e=istierende effektive Koppelfeld kleiner als die goerzitivkraft des Speicherbereichs und: größer als die goerzitivkraft des Auslesebereichs sein. Dem Speichermedium wird ein modulierendes magnetisches Wechselwield aufgeprägt, um die Magnetisierung im Auslesebereich ohne Beeinflußung der Magnetisterang im Speicherbereich zu modulieren. Bei einer derartigen Modulation der Magnetisierung im Speicherbereich und bei Feststellung der Signale in einem Frequenzband, dessen Mittenfrequenz die Frequenz der Magnetisierungsmodulation ist, ist das beider Auslesung erhaltene auslesesignal nur eine Funktion der Magaetisierungsänderung. Der Einfluß von anderen Lichtquellen geht dabei in die Auslesung nicht ein. Das erfindungsgemäße magnetoptische Auslesesystem stellt ein verbessertes System dar, weil das Rauschen: infolge von Oberflächenungpnauigkeiten und Lichtstreuungen weitgehend vermindert wird. Dies führt zu einer wesentlichen Verbesserung des Signal-Rausch-yerhältnisee® im magnetooptischen Auslesesystem. Durch Modulation der Magnetisieruagszustände im Speichermedium ist es daher leicht möglich, das durch die Ungenauigkeiten reflektierte licht von dem durch die: Magnetisierung reflektierten Licht-zu unterscheiden, wodtnch die Ausleeung durch Rauscheu nicht bee-influßt wird: Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aua der nachfolgenden Beschreibung von Ausftihhrungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigt: Fig. l ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung gemäß der Erfindung Fig. 2 eine perapektische Ansicht eines Teils einer erfindungsgemäßen eines Speichermediums in Form einer Dreischichtenstruktur; rig. 3 und 4 je eine perspektivische Ansicht je eines weiteren Aun.führungsbeispiels des erfindungsgemäßen Speichermediums Fig. > ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung welche gemäß der Erfindung in: Verbindung mit den Speichermedien nach den Fig. 2, 3 und 4 verwendbar ist; Fig. 6 eine graphische Darstellung der Übertragungsfunktion eines Analysators der Vorrichtung gemäß Fig. 4,:, welcher in bezug auf eine ausgewählte Bezugsstellung auf einen Winkel. ® eingestellt ist; Fig. 7 und ß je eine Serie von Signalformeä, welche unterschiedliche Arten der Realisierung des erfindungsgemäßen gonsepts.angeben, wobei longitudinale Nodulationswechselfelder ausgenutzt werden; Fig. q und 12 je eine Serie von Signalformen, welche weitere unterschiedliche Arten der realisierung des erfindungsgemäßen Konzepts angeben, wobei trans= versale Modulatianswechselfelder ausgenutzt werden;: Fig.10, 11, 13 und 14 je eine Vektordarstellung von un- terschJAlichen Arten der Realisierung des erfin- dungsgemäßen Konzeptes, wie es in den Fig. 9 und 12 dargestellt ist; und Fig.15 eine graphische Darstellung, aus der die beacht- liche Qualität einen gemäß der Erfindung auegele- sehen Signals ersichtlich ist. Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung ein Ausführungs- beispiel der Vorrichtung gemäß der Erfindung. Dabei ist ein magnetischen Speichermedium 2 vorgesehen, in dem In- formation in Form von ausgewählten Magnetisierungszuetän- den aufgezeichnet ist. Mit diesem Medium 2 ist eine lbfrageeinriohtung 4 einwirkend gekoppelt, um die in dem Medim aufgezeichneten Magnetisierungszustände zu modulieren oder zu ändern. Die lbfrageeinrichtung kann verschiedene Formen von Quellen von Koppelgliedern ent- halten, um beispielsweise ein magnetisches Feld, eine lokale Temperatur, eine mechanische Spannung usw., auf- das Medium 2 zur Einwirkung zu` bringen. Eine Lichtquelle 6, wie beispielsweise ein Zaser, richtet einen Lichtstrahl auf das Medium 2. Ein Lichtreflektor 8 empfängt die von Medium 2 reflektierte Komponente des Lichtes. Gemäß der Erfindung werden die im Medium 2 aufgezeichneten Magne- tieierungszust#inde als Funktion der Abfragung durch die Abfrageeinrichtung 4 moduliert oder geändert, wobei sich das von Lichtdetektor 8 von einem Magnetisierungsaustand das ist eine,"1"-Ziffer ) empfangene modulierte Licht vom modulierten licht, das von einem anderen Magnetisierungszustand ( das ist ein "Null"-Digit) empfangen wird, un- terscheidet. Daher ergibt die Feststellung der modulier- ten Komponente des reflektierten (oder über den Paraday ausgesandten) lichtes eine Anzeige der Magnetisierungezustände und damit eine Äuslesung der gespeicherten Information. In den im folgenden beschriebenen Figuren sind Auaführungeformen oder Anwendungen den erfindungagemUen Konzeptes dargestellt. 73g. 2 zeigt ein erstes magnetisches Speichermedium 10 in Yorm einer Dreischiohtenstruktur, wel- ches unter anderem die Leistungsfähigkeit einer erfindungsgemä9en magnetooptischen Auslesevorrichtung ver- bessert. **'Diese Medium besitzt eine heterogene Struktur, wobei die Heterogenität durch#...$chiohten aus unterschied- liehen Materialien zustande ko»t. Das Medium 10 besteht aus einem Substrat 11 aus einem Material, wie beispiels- weise Kunststoff, einer Speichersdicht 12 und einer Aus- leseashicht 14, wobei die beiden letzteren Schichten durch eine nichtmagnetische Abetandsschicht 16 voneinander ge- trennt sind. Die zu speichernde magnetische Information wird beispielsweise mittels eines (nicht dargentellten) magnetischen Aufnahmekopfes in der Speicherschicht 12 aufgezeichnet. Di.e Speicherschicht 12 besteht aus magne- tischen Material mit einer relativ hohen Koerzitivkraft, welche mit Hcs bezeichnet wird. Die Ausleseschicht 14, mit der die magnetische Information beispielsweise durch den In oben genannten Patent beschriebenen Magnetoptik-Kerr-Effekt wiedergegeben werden kann, besteht aus magnetischem Material mit einer relativ kleinen Koerzitivkraft, welche mit Her bbzeichnet wird. Die Speicherschicht 12 soll ausreichend dick Bein, so das sie im Zustand der Magnetiaierung ein magnetischen Koppelfeld h in den entsprechenden Bereichen der Auslese- schicht 14 erzeugt, das zur Nagnetisierung der letztge- nannten Schicht ausreicht. Die Koerzitivkraft Hcs der Speicherschicht 12 soll so groß sein, das ein zur Ein- wirkung gebrachtes Modulationsteld Ha nicht zu Irrever- aiblen Veränderungen ihrer Magnetisierung fUhrt. lndererseite soll ihre Koerzitivkraft Hcs jedoch nicht so groß sein, das die Aufzeichnung von Information schwierig wird. Die Koerzitivkraft Her und die Dicke der Auslese- schicht 14 0011 so klein sein, daB diese Schicht leicht durch das Koppelfeld h der Speicherschicht 12 magneti- siert werden kann. Beim Speichermedium 10 kann eine Speicherschicht 12 bei- spielsweise aus einer Mittel-Kobalt--Phooophorlegierung mit einer Dicke zwischen beispielsweise 50 und 10 000 Angström und einer Koerzitivkraft ia der. (3rc;t3EC<<.jr°tluung von wenigen 100 Örsted verwendet werden. Die nichtmagne- tische Schicht 16 wird auf der Schicht 12 aufgebracht und besteht aus einer Mittel-Phosophorlegierung mit einer Dicke in der Größenordnung von wenigen 100 Angatröm. Die Aus- lesesehicht 14 wird auf der nichtmagnetischen Schicht 16 aufgebracht und kann beispielsweise aus Pesalloy mit einer Dicke von 50 bis 10 OOO Angströn und einer Koer- zitivkraft in der Größenordnung von wenigen üeted be- stehen. Bei dieser Konfiguration des Mediums 10 handelt es sich bei dem magnetischen Kopplungsmechanismus zwi- schen den Schichten 12 und 14 um einen aagnetostatischen Kopplungseffekt. in Fig. 2 sind Magnetisierungszuntändd -H, +M und -M eingetragen, welche ein "Nulle-, 01"- und "pull"- Bit darstellen. Bei den durch einen Pfeil 19 angegebe- nen Modulationsfeld eia handelt es sich um ein longi- tudinalen Feld. Fig. 3 zeigt eine weitere heterogene Struktur in Pormr von Schichten, aus Materialien unterschiedlicher Ko- erzitivkraft, wobei es sich beim Koppelfeld zwischen der Speicher-. und Ausleseschicht nicht ut ins magneto- statische Wechselwirkung, sondern um eine Austausch- wechselwirkung. Dieses in Fig. 3 dargestellte Aufzeich- nuugemediurn 10# wird durch ein Substrat 111 und eine dfirauf @raehte Speicherschicht 12' aus magneti@- ecliGm 1-lateral gebildet, wobei es sich beim magneti- sehen Material um ferromagnetisches, ferrimagnetisches oder antiferromagnetisches Mater:b1landeln kann, daB eine relativ hohe Koerzitivkraft H es besitzt. Auf der Speicherschicht 12' ist eine Ausleseschicht 14' aus magnetischen Material relativ geringer Koerzitivkraft Her direkt aufgebracht. Die Magnetisierung der Ausleseschicht 14' wird durch die benachbarte Speicherschicht 12' aufgrund der vorerwähnten Austauschwechselwirkung herbeigeführt, wobei die Spin-Konfiguratißn der Speicherschicht in der Nähe der Ausleseschicht geringer Koerzitivkraft die Spin-Konfiguration und damit den Magnetisierungszustand dieser Ausleseschicht 14' bestimmt. Die dargestellten Magnetisierungszustände -M, +M und -M können ein "Null"-, "1"- und "Null"-Hit darstellen. Das durch einen Pfeil 19' dargestellte Modulationsfeld Ha kann beispielsweise ein longitudinales Feld sein. Als ferromagaetisehes Material kann beispielsweise Kobalt, Eisen, Nickel und entsprechende Verbindungen Verwendung finden; als ferriaagnetisches Mterial kommt eines der verschiedenen Ferrite, wie beispielsweise Magnetit (Fe 304) und als antiferromagnetisches Material Cr203, -,L -Fe 203 und Ni0 in Betracht.Magneto-optical reading device The present invention relates to a magneto-optical reading device with an improved signal-to-noise ratio of the reading signals, with a magnetic storage medium for storing egg information in the form of atiol; selected states of hiagnetization and scanning of the storage medium by a light beam. Magneto-optical readout devices - magnetic recordings of high bit density can be quickly and accurately retrieved. In known magnetic toop tables readout devices, such as those in the U: -Pa- tetifichrift 3 171 "154 is described wcrd-en @ the (@ianf:; ry ,. toop tables Kerr-- or i @ ': o, re; d @ l, y.Lf fek ali @ üen i ty t, tirci (i: 1., Presence of full tnanc @ ti @ aclien records in one : peicrier'tuediuni @ es-t @ amtel`leti. v: EzmnGz @; @ mtoc @@ tu. @@ c; lm @ @@ £: z @ x @@ fiffekt steps in; l3wolfie F311 maliELi: 3Ct en P llollen £ 111x many Lic; titoe beir: uc; lltet polarized with a beam Y earth. The polar 1st station plane from eintir in ainer iiichtu: ng magnetized surface reflected @ ltr $ 111 @ 3 becomes more full in relation to the polarization given : in the opposite direction lua @; tletirsif: zt; t; nt) t> St @ £ Liotl .: '- r'erlektierten S-tral (ilti in vain be; 3t.tnnit; eti direction ge turns. De enLg (: gt; ni; eaelte Maüretitiierung vont '@ t: i: @ flä @ chen occurs example i_e13we ise at the d: igl valley (: n recording = luf @ Will the peilax # i @ ii: i # tr: "tr.:liil full of one feil: one Surface, in which a hosi tvet3- tn @ igne tiech = 3 Bit is saved, so the Pol.avi3atlotioebt <tie dtcl - reflected beam by a certain angle Ü @@ rli: @ ell%. If the polarized ray vc) i vainly surreptitiously tr ° f: = 1 @ ax t.iert9 in which a rlegativuti magnetic3 bit is stored; is, - then the polarization level wtl another W <tl- kel gedretlt.- This rotation is generela ati t, nymme txy-irt) tli Or against nasty tz t to .Trehurig through the posi-t i ve. - Bit. In this way, what is present, in one in cin; mi - storage medium secured-tetpofti vr t1 or negative 13i`ts are displayed in which the @Lafl and / or the Angle. de-r- rotation of the Rotationaebent (ies' rßflektlertE: t1 Beam assistance; will, In such magneto-optical readout systems, there is always eiti noise due to surface inaccuracies and shepherdess found. 1-s mu: B therefore precaution for it Güti-open, that the noise as far as possible uutezorifck z. is used to ensure the best possible Aualesuug through the Vorrt: htut: x, to receive. üs are magneto-optical readout provisions have become known for which modulation '`t, aiiäeti redtx: ##. iererici on the hffcslte of the noise error from C? t: eril << c: lzeritinenatzigl @ eit and light: act without scattering, Such wt,; lesei = rarriel: do # err in the US-1 = atentschrift-en 3 2i34 785 and 3 c? E379 are described. With this approx. directions the scanning hiclitstralil is modulated. The present invention light the: task zugr: iizde, a t: = t @ cooptT .c = _ic @, cnile devices - with improved gig na 7. - _ Tauscl - Vipi ° lrälnis of the readout signal to be indicated. i ne Vorrfel11 b-txg of the kind mentioned is for the purification the aforementioned task. the following features draws: a. Storage and readout area, what a feil dee Storage media forms, with the storage and readout part: the information in the form of selected Nagne ti- siPrungszxzs-üän. which is stored, one with the memory medi.ui = # (i. gck: "pe";-> be facility for imprinting a daily select ten- äut :: iz query signals on the storage medium = i. m, ccm die: @; ii erungszt @ stätnde ,, m. Spei ;; fier- and Au ;. le; 3e- range to change Magnetization states. The invention generally provides a re: ustreduction scheme for magneto-optical readout devices with magnetic storage media, in which the magnetization state corresponding to the stored information is itself modulated or changed to produce a modulated component of the light reflected from the storage media, which changes according to the stored information and when queried, a readout signal corresponding to the information is displayed. The storage media can be conventional magnetic storage films or storage tapes, whereby the reading is brought about by determining the change in the light value when: the magnetization state is disturbed or changed by external interrogation means, such as a magnetic field, locally supplied heat or mechanical tension. The query can be either periodic or aperiodic. Furthermore, the official reading can be either destructive or destructive. The change in the determined light value is a measure of the stored information; In a binary system <the light value for an "1" bit differs from the light value for: a "zero" bit, so that detection and reading is possible. According to a particular embodiment of the invention: a special storage medium is used, which has a heterogeneous structure and consists, for example, of a substrate and materials applied in a certain configuration with low and large goerzitivkrait to form a storage area and a readout area in the medium. The information is stored in the memory area, which in turn is coupled to the readout area via a field in order to bring about a similar magnetization grid in the latter area. In such a storage medium with two materials, a coupling mechanism, such as a magnetostatic interaction or an exchange interaction between the storage and readout areas of the storage medium, must exist so that there is a clear relationship between the magnetization or the spiral configurations of the areas. In addition, the effective coupling field between the two areas must be smaller than the governing force of the storage area and greater than the governing force of the read-out area. A modulating alternating magnetic field is impressed on the storage medium in order to modulate the magnetization in the readout area without influencing the magnetism range in the storage area. With such a modulation of the magnetization in the memory area and when the signals are detected in a frequency band whose center frequency is the frequency of the magnetization modulation, the read-out signal obtained during the readout is only a function of the change in magnetization. The influence of other light sources is not included in the reading. The magneto-optical readout system according to the invention represents an improved system because the noise: as a result of surface imprecision and light scattering is largely reduced. This leads to a significant improvement in the signal-to-noise ratio in the magneto-optical readout system. By modulating the magnetization states in the storage medium, it is therefore easily possible to distinguish the light reflected by the inaccuracies from the light reflected by the magnetization, so that the reading is not influenced by noise: Further features and details of the invention are also given the following description of exemplary embodiments based on the figures. 1 shows a schematic block diagram of a device according to the invention; FIG. 2 shows a perspective view of part of a storage medium according to the invention in the form of a three-layer structure; rig. 3 and 4 each a perspective view of a further exemplary embodiment of the storage medium according to the invention; Fig. 6 is a graphical representation of the transfer function of an analyzer of the device according to Fig. 4, which in relation to a selected reference position to an angle. ® is set; 7 and 8 each show a series of signal forms which indicate different types of implementation of the inventive concept, with longitudinal alternating nodulation fields being used; FIGS. Q and 12 each show a series of signal forms which indicate further different types of implementation of the inventive concept, with trans = alternating modulation fields being used; Fig. 10, 11, 13 and 14 each have a vector representation of un- different ways of realizing the according to the concept, as shown in FIGS. 9 and 12 is shown; and Fig. 15 is a graphic representation from which the noteworthy Liche quality an acceptable according to the invention see signal is evident. Fig. 1 shows a schematic representation of an embodiment example of the device according to the invention. It is a magnetic storage medium 2 is provided, in the in- formation in the form of selected magnetization components which is recorded. With this medium 2 is a lbfrageeinriohtung 4 interactively coupled to the in states of magnetization recorded by the medim modulate or change. The query facility can different forms of sources of coupling links hold, for example, a magnetic field, a local temperature, mechanical stress, etc. to bring the medium 2 to act. A source of light 6, such as a zaser, directs a beam of light on the medium 2. A light reflector 8 receives the from Medium 2 reflected component of the light. According to the Invention , the magnetic recorded in medium 2 status as a function of the query by the Interrogator 4 modulated or changed, whereby the light detector 8 by a Magnetisierungsaustand which is a "1" digit), differs received modulated light from the modulated light, which is a "zero" -Digit) is received from another magnetization state (which is un-. Therefore , the determination of the modulated component of the reflected (or emitted via the Paraday) light results in a display of the magnetization states and thus a reading of the stored information. In the figures described below, embodiments or applications of the inventive concept are shown. 73g. 2 shows a first magnetic storage medium 10 in a Yorm Dreischiohtenstruktur, ches among other things, the performance of a WEL erfindungsgemä9en magneto-optical readout device improved. ** 'This medium has a heterogeneous structure, the heterogeneity being caused by # ... chiohten from different materials . The medium 10 comprises a substrate 11 of a material such as plastic beispiels-, a memory 12 and a sealing off leseashicht 14, the latter two layers are separated by a nonmagnetic Abetandsschicht 16 from each other overall. The magnetic information to be stored is recorded in the storage layer 12 by means of a magnetic recording head (not shown), for example. The storage layer 12 consists of a magnetic material with a relatively high coercive force, which is denoted by Hcs. The readout layer 14, with which the magnetic information can be reproduced, for example by the magnetic optics Kerr effect described in the above-mentioned patent , consists of magnetic material with a relatively small coercive force, which is denoted by Her. The storage layer 12 should be sufficiently thick so that in the state of magnetization it generates a magnetic coupling field h in the corresponding areas of the readout layer 14, which is sufficient to magnetize the last- mentioned layer. The coercive force Hcs the storage layer 12 is to be so large, that does not lead to an effective input accommodated modulation Steld Ha to irrevers- aiblen changes in their magnetization. lndererseite coercive force Hcs should however not be so great that the recording of information is difficult. The coercive force Her and the thickness of the readout layer 14 0011 must be so small that this layer can easily be magnetized by the coupling field h of the storage layer 12. In the case of the storage medium 10, a storage layer 12 can be for example from a medium cobalt phosphor alloy with a thickness between, for example, 50 and 10,000 Angstrom and a coercive force ia the. (3rc; t3EC <<. Jr ° tluung can be used by a few 100 Örsted. The non-magnetic table layer 16 is applied to layer 12 and consists of a medium phosphorus alloy with a thickness in the order of a few 100 Angatröm. From- reading layer 14 is formed on the non-magnetic layer 16 applied and can for example from Pesalloy with a thickness of 50 to 10 000 Angströn and a body civic force in the order of magnitude of a few stand. In this configuration of the medium 10 is it be- in the magnetic coupling mechanism between layers 12 and 14 by an aagnetostatic Coupling effect. in Fig. 2, magnetization points are -H, + M and -M entered, which are a "zero, 01" and "pull" Represent bit. With the indicated by an arrow 19 modulation field eia is a longi- tudinal field. Fig. 3 shows another heterogeneous structure in Pormr of layers, made of materials of different co- eritivkraft, whereby it is the coupling field between the memory-. and readout layer not into the magneto static interaction, but rather an exchange interaction. This recording shown in Fig. 3 Nuugemediurn 10 # is made up of a substrate 111 and a dfirauf @raehte storage layer 12 'made of magneti @ - ecliGm 1-laterally formed, whereby the magnetic see material around ferromagnetic, ferrimagnetic, or antiferromagnetic material: it may seem that it has a relatively high coercive force. A readout layer 14 'made of magnetic material with a relatively low coercive force Her is applied directly to the storage layer 12'. The magnetization of the readout layer 14 'is brought about by the adjacent storage layer 12' due to the aforementioned exchange interaction, the spin configuration of the storage layer in the vicinity of the readout layer of low coercive force determining the spin configuration and thus the magnetization state of this readout layer 14 '. The magnetization states -M, + M and -M shown can represent a "zero", "1" and "zero" hit. The modulation field Ha represented by an arrow 19 'can for example be a longitudinal field. For example, cobalt, iron, nickel and corresponding compounds can be used as ferromagetic material; one of the various ferrites, such as magnetite (Fe 304) , for example, and the antiferromagnetic material Cr203, -, L-Fe 203 and Ni0 come into consideration as a ferromagnetic material.

Fig. 4 zeigt eine weitere heterogene Struktur in Form von zwei unterschiedlichen magnetischen Materialien, wobei ein Material in Fonavon Partikeln in anderen gemischt oder im anderen Material abgeschieden ist, wobei ein Speichermedium 10" aus einer einzigen Schicht 18 mit heterogener Zusammensetzung entsteht, die auf einem Substrat 11" aufgebracht ist. Auf diese Weise wird eine Ausleseschicht 20 als Teilabr Schicht 18 gebildet, wobei die Speicher-"Schicht" in Form von Partikeln 22 vorge- sehen ist, welche die Ausleseschicht 20 über ihren Qurschnitt durchsetzen. Die Ausleseschicht 20 besteht aus einem Material relativ geringer Koerzitivkraft, während die Speicherpartikel 22 aus ferromagnetischem, ferrimagnetischem oder antiferromagnetischem Material be- stehen. Das Koppelfeld zwischen den Speicherpartikeln 22 und derAualeaeschicht 20 entspricht dem den Speichermediums 109 nach Rig. 3, d.h. es handelt sich um eine Austauschwechselwirkung. Die Magnetisierungazustände -M, +M und -M nach Rig. 4 können ein "Null"-, "10- und "Null"-Bit bilden. Das durch einen Pfeil 19" darge- stellte Modulationafeld Ha ist ein longitudinales Feld. Die Feststellung des Magnetisierungszuatandea und damit der gespeicherten Information in der Speiohersohicht 12 des Mediums 10 kann unter Verwendung einer konventionel- len magnetooptischen Auslesevorrichtung 25 vorgenommen werden, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist. Obwohl die folgenden Erläuterungen aus Zweclomäßigkeitagründen in Verbindung mit dem Speichermedium 10 gemäß Fig. 2 ge- macht werden, ist festzuhalten, daß dieses Medium 10 durch das Medium 101 und/oder das Medium 10" nach Fig. 3 und/oder Fig. 4 ersetzbar ist. Gemäß der Erfindung wird ein magnetisches Modulationswechselfeld Ha vorgegebener Frequenz, die im Bereich von beispielsweise 100 Hz bis viele MHz variieren kann, auf das magnetiache Speichermedium 10 zur Einwirkung gebracht. Der Spitzenwert Hp des Feldes Ha ist im Vergleich zum Wert Her und zum Koppelfeld h zwischen den Schichten 12 und 14 ausreichend groß, so daß die Ausleseschicht 14 in Richtung des Feldes Ha magnetisiert wird. Der vorgenannte Spitzenwert ist jedoch im Vergleich zum Wert Hcs ausreichend klein, so daß die in der Speicherschicht 12 gespeicherte Information nicht gestört wird. Die effektive Wirkung des Modulationswechselfeldes Ha besteht in einer Modulation der Magnetisierung in derAusleseschicht 14, welche ihrerseits eine Modulation des Ausgangssignals der magnetooptischen Auslesevorrichtung herbeiführt. Das Modulation®feld Ha wird in bezug auf Richtung und Zeitab- hängigkeit derart zur Einwirkung gebracht, daß die Wechsel- komponente des Ausgangssignals der msgietooptischen Aus- lesevorrichtung für unterschiedliche, in der Speicherschicht 12 gespeicherte Informatione-Bits, wie beispieleweise eine "1"- und "Null"-Binäraiffer, entweder in der Phase oder in der Amplitude verschieden ist. Die zum größten Teil konventionelle magnetooptische Auslesevorrichtung 25 umfaßt beispielsweise eine hochenergetische Lichtquelle 24, welche einen Lichtstrahl über einen Polarisator 26 und eine Sammellinse 28 aussendet, wonach dieser Strahl auf die Oberfläche des Mediums 10 fokussiert wird. Der Strahl wird vom Medium 10 in eine Objektivlinse 30 reflektiert und über einen Analysator 32 in einen Lichtdetektor, wie beispielsweise einen Photodetektor 36, geschickt. Das durch den Photodetektor 36 erzeugte elektrische Signal wird über ein Bandpaßfilter 30 an eine Ausgangsklemme 40 gegeben. Dieses Bandpaßfilter 38 führt zu einer Arbeitsweise der Vorrichtung 25, bei der nur Signale in einem bestimmtenFrequenzband festgestellt werden, dessen Mittenfrequenz die Frequenz der biagnetisierurgsmodulation ist. Gemäß der Erfindung enthält die Auslesevorrichbg 25 weiterhin eine Modulationewechselquelle 42, welcher an einer Einrichtung zur Aufprägung ihres Signals das Medium ]D in Form des magnetischen Modulationsfeldes üa angekoppelt ist. Als Ausführungsform dieser Einrichtung ist in der Vorrichtung naehFig. 5 ein Magnetkopf 44 mit breitem Spalt vorgesehen. Dieser Mag- netkopf 44 kann so orientiert werden, daß das magneti- sche Modulationsfeld Ha transvereal oderlongitudinal zu den Magnetisierungasuständen aufgeprägt wird. Die magnetooptische Auslesevorrichtung 25 gemäß Fig. 5 ist einer Diskriminatorwirkung gegen Rauschen fähig, das sich aua streuenden Drehungen der Polarisationsebene infolge von Oberflächenungenauigkeiten und streuenden Amplitudenänderungen ergibt; diese Diskriminatorwirkung ergibt. sich aua der Tatsache, dap lediglich Amplitudeti- -#nderungen in Frequenzband mit dem Hoohtrequeneträger cis Mittenrrequens Über das Detektoray®tem Übertragen werden. Diese Selektion wird Über das vorbesohriebene Bsndpattilter 38 herbeigetUhrt. 8auechenergie, welche außerhalb den Übertragumge-Prequensbanäes des Detektor- ejmtema liegt, wird stark reduziert.' Mr eine gegebene Zeitaebhäugigceit der Nagnetisierung der Auueleeeschioht 12 ergibt e3.oh das Photodetektoraue- gangseig@a@ aMr den longitadinalen Zerr-Bffekt aus Pig: 6, welche die Übertragungsfunktion den auf einen bentimten Winkel 0 in bezug auf eine Besugepoeition eingestellten Anslysatore 32 darstellt Der Winkel 0 ist der Lerr- Wiakel# wobei +0 die Drehu" der Polarisationsebene fUr einen +Ms-isgaetisisrrsustand und .-0 die Drehung der Polarieationnebeae tür einen #Xs-Magaetisierange- zustand ist. Ist Q 2er als 0 so ist den durch den Analysator übertragene Licht der ton dem Aulesestrahl gesehenen Magnetiaierung etwa proportional. Das Augange- signal des Photodetkeotrs 36 ist daher proportional zur Magnetisierung. Typische Beispiele für die gemäß der Erfindung aufgepreßten Feldformen und die sich daraus ergebenden Magnetisierungen der Ausleseschichten 14, 14' und 20 sind in den Fig. i bis 10 dargestellt, Die Fig. 7 und i, :--1 `R.Imerl, welche die 'ts.#r@z@.@äswei@se bei lvn-- w:j gituUnalen hochfrequenten Modu]Kionsfeldern Ha wieder- geben. Die Fig. 9 und 12 zeigen Signalformen, welche die Wir- kungsweise bei transversalen Modulationefeldern H$ beschrieben. Die vorgenannten Figuren beschreiben also Ausführungsbeispiele,@bei denen das Modulationsfeld Ha bezogen auf die Magnetisierungsrichtung in den Medien 10, 101 und/oder 10" entweder longitudinal oder trans- versal aufgeprägt wird. In Fig. 7a stellt der Signalzug 60 die zeitliche Ab- hängigkeit des aufgeprägten Modulationsweohselfeldes Ha dar, das symmetrisch um die Nullinie schwingt. Der Wert Hav, bzw. -Hav stellt den positiven bsw. negativen Mittel- wert für die positiven und negativen Signalteile des schwingenden Feldes Ha dar. Fig. 7b gibt in Form der Kurve 62 das Koppelfeld h wieder, das von der Speicher- schicht auf die Ausleseschicht wirkt. Dieses Koppelfeld ist aus Zweckmäßigkeitsgründen für ein "1"-Informations- bit negativ angenommen. Fig. 7o zeigt in Form des Sig- nalzuges 64 das gesamte auf die Ausleseschicht 14 wir- kende Magnetfeld; dieses Magnetfeld ergibt sich aus der Addition der Kurven nach Fig. 7a und 7b. Die Feld- stärke Kav nach fig. 7a ist gleich der Feldstärke des Koppelfeldes h. Ist der Wert Her kleiner als der Wert von HP, wobei Hk gleich dm Spitzenwert des oszillierenden Feldes Na nach Pia. 7o iet, so ändert sich der Xagae-- tieierungzuetand, welcher ein u1"-Bit angibt, zeitlich in 7orm den Signalenger 66 naohBig. 7b. Der Nagnetisie- runge:ustand schwingt fttr positive Werte des Feldes Ha zwiechen +M, und -Ms und bleibt für negative Werte des Feldes Ha auf dem Wert -Xe konstant. Der Fall einen "Null"-Bite ist in den 71g. 7e bis 7; dargestellt. Dabei zeigt Pia. 7e das von der Speicher- schicht auf die Ausleaeschicht wirkende Koppelfeld +h in Form der Kurve 68, welche für ein "Null"-Informationa- bit positiv definiert ist. Wird das Feld +h zum auf- geprägten Feld Ha nach Fig. 7a addiert, eo ergibt sich ein reaultierender, dem Signalzug 64 entsprechender Sig- nalzug 70, der in bezug auf die Nullinie tau positiven Werten verschoben ist. Pia. 7g zeigt einen Signalzug 72, welcher den Magnetisierungszustand für ein "Null"- Bit wiedergibt, wobei poeitive Werte den aufgeprägten Feldes zu einem konstanten Wert +M, und negative Werte des aufgeprägten Feldes Ha zu einer Oszillation um die Nullinie zwischen +M, und -Ma führen. Durch Koinzidenz- Featstellungzwischen dem aufgeprägten Feld Ha und dem elektrischen Signal des Photodetektors 36 können daher die Differenz zwischen den Bite und damit die Bite eelbet festgestellt werden. Fig. 8a meist einen Signalsur ?4, den aufgeprägten Par- netfeldes Ha, das uzt einen lconntatiten Mittelwert das schwingt.Iabei handelt so Miwr eine weitere Möglieä- keit der- Autprägunr des »ä1&Uird#n lteohteltelder. Fig. mb zeigt einen 131rnalnur tig der dun durch die Speicherschicht erzeugte Ko»elftä8 -h wiedergibt. Die Summe der Felder nach dem , und 8b Ist iK Form eines Signalzuges'B ini . so gentellt, »x» eher um die Nullinie zwischen tft wen +ßp md schwingt. Bei den vorgenannten Yefä1'##" ist tft ._ Mittelwert Hai, des aufgeprägtes Zelden ,8leioä 44b des Feldes h und der Wert Xor klein im 'f«Ileif* gib'. Wert Hp . Der Magnetisierunrs»taad für ein 8114-2i6 iää in Fig. 8d in Fora eines Signalzuges 80 dargestellt, eher zeitlich in beeug auf die Nullinie zwischen 41t8 "v ten +M$ und -X14 schwingt. Daraus ergibt sich ein AU-: gangseignal den Photodetektors 36 mit einer Frequenz, die gleich der Frequenz des aufgeprägten Feldes Ha ist- Fig. 8e bim 8g zeigten Signalsäge für ein "Null" -Bit, wobei eine Kurve 82 gef Pig. 8e las durch die Speicherschicht 12 erzeugte rappelfeld +h wiedergibt. Bei Addition diesen Koppelfeldes arm aufgeprägten Wech- selfeld Ha.V nach Eig. 8a ergibt sich ein Signalzug 8¢ nach Fig. 8f, welcher nicht durch 3u11 geht. Der Mag- netisierun.gszustand für ein "Null"-Bit bleibt gemäß einem Signalzug 86 nach Fig. 8g auf einem 'eiert +A s kon- stant, wobei auch das Ausgangesignal des Photodetektore konstant ist. Dieses konstante Signal führt am Ausgang des Bandpaßfilters 38 zu einem Null-Signal. Während sich bei den Verhältnissen nach Fig. 7 die Ausgangesignale für zwei Arten von Bite in der Phase.unterscheiden, ergeben sich bei den Verhältnissen nach Fig. 8 für unter- schiedliche Bito ("Null"- und "1"-Bit) keine Phasen- änderen, sondern Amplitudenänderungen. Die =i. 4 und legen Signalformen für unterschied- lic:@wc.e4$, wobei dao adulationefeld tranever- sa:L . l'° wi°,R.h. die Richtung des Feldes Ha $th; auf der ,gmetisierungerichtung, welche 3 7p- e l io'.1-4e, j(.# "ns2-o= Y.yon n der Speicherschicht @+u a< i '_hemaa 12 die nach denFig. 9 .und 12 unters °-ci..lfrmen der longitudiaalen Kompo- ys. _ a;r=ng und A.t die Aangssignaie für nnbts rl, a.i.;° pur ,`%se des aufgeprägten ass, SDie longi td'tldiSalrn- Komponente Ä..-onente in der wr'ei@q ur il@_ci tu des d 11 - A;;1 1J111 . 1 '@ iy 1 y #n der 1 $'; n .w i Harmonische. Der Signalzug 90 gemäß Fig. 9b gibt die Longitudinalkomp#nente der Magnetisierung für ein "Null"-Bit wieder, welche zwischen dem Wert -Ms und Null schwingt. Diese longitudinale Komponente der Magnetisierung nimmt den Wert -Ms an, wenn das aufgeprägte Feld Ha gleich Null ist. Dieser Sachverhalt wird durch eine gestrichelte Linie 91 wieclacgegeben. Gemäß Fig. 9c gibt ein Signalzug 92 die Lon4gitudinalkompanente der Magnetisierung für ein "1"-Bit wieder, welche zwischen Null und dem Wert W.Ms schwingt. Diese Longitudinalkomponente der Magnetisierung ist gleich dem Wert +M2, wenn das aufgeprägte Feld Ha gleich Null ist. Eine gestrichelte Linie 93 zeigt für den Maximalwert des aufgeprägten Feldes Ha, daß der "Null"-Bit-Signalzug 90 und der "1"-Bit-Signalzug 92 in diesem Zeitpunkt gleich Null ist. Das "Null"-Bit und das "1"-Bit werden daher durch Ausgangssignale wiedergegeben, welche, wie die Signalzüge 90 und 92 zeigen, in der Phase gegeneinander verschoben sind. Die Ausgangssignale können durch einen (nicht dargestellten) konventionellen Phasendetektor festgestellt werden, welcher Teil der magnetooptischen Auslesevorrichtung 25 ist. Die Fig. 9 und 10 zeigen Vetkordaratellungen der Magnetisierung in der Ausleseschicht und zwar speziell die Magnetisierungsrichtung im Sättigungszeitpunkt. Fig. 10 zeigt die Magnetisierung für ein I'1"-Bit bei einem, Koppelfeld +h zwischen der Speicherschicht und der Aueleaeschicht und einem trausversal zur Richtung der l1agnetislerung der Speicherschicht aufgeprägten Modu- la.tionafeld "?a 9 das eich von 8u11 zu einem den. Wert +h nicht .EÄ,3reeigendan positiven Wert ändert. Ist aufgepr.gl:e Feld fla gleich 8i.11, so ist die Maguetisie- ruag in dfeem Zeitpunkt parallel zum Koppelfeld h. orien- tiert und n-`- den Wert Ma au.. Wenn das Feld, fäa viel größer als .reg Pe`i d, h ist und setakrecht auf diesem stelzt, so ist die 1-h-netiolerung in diesem Zeitpuast senkrecht zip3°l@ hies#z.t und nimmt den Wart 1-l s an. Fig e 11 zeigt für das leiohe aufgeprägte Feld Ha und nogativzKorelfel d -?`ä , daß bei 11, gleich Null die Magneti A; :;zun!,.@- z@iFeld h orieatiert ist und wer-e@@.'.@, Wgn das Feld H ee63Y@ viel gröiJ6)r "`a a in aas! d 3n .-Lot und #v @@@;^e auf diesem steht, so Ist die@@. zum Feld h. orientiert. Gemäß Fi. 12a, °,K'ao -@r.-v elBn.1 aufgebrachte. iZiodu1,a- i. @8'e.#@-_5.ü F f:in durüh Signalsug " ' 7.gieder^gegeL7ene3 j ;'a ..a a k "'a F$ PG %, 6' o den 4- 'a h 'W.'35 a. T. bie zu einem pooi°von und negea tiven°`- a zchwia.@.@ GemC U Figw 12i wird, da@@r?_`i d@-ä° C aher durch die loagtudile Kom- ponentc, derg@,e°,isiru,g wiedergegeben, wie lev Signal- zug 96 zig`tv wobei sieh der Wert zwis-hea Nuli undkt. ändert-. hei int j edoch @.> l3eK.luenz in bezug aiaf das au.lgep.:imäte Peld°,afF.fz. .,:@ t: G.,..5u.@W °@a-.y6,`°L3afi #.;;..e. verdoppelt. Ein durch die hongitduina73romponente der Magnetisierung dargestellten "1"-Bit ist durch einen Wellenzug 98 nach Fig. 12o wiedergegeben, weicher zwi- schen dem Wort !lull und dem Wort +M, schwingt. Dabei ist die Frequenz in bezug auf das aufgeprägte Feld Ha ebenfalls verdoppelt. Die 8ig»lsüge 96 und 98 sind in der Phase verschoben und meheen den minimalen Wert -M2 bzw. den maximalen Wort +M, in einem Zeitpunkt an, wenn das aufgeprägte Feld Iia durch Null geht, wie eine gestrichelte Linie 99 in 11g. 12 zeigt. Weiterhin neh- aea die Signalzüge 96 und 98 den Wort Null an, wenn das aufgeprägte Feld Ha seinen positiven oder negativen Spitzenwert annimmt, wie die gestrichelten Linien 100 und 102 zeigen. Die Fig. 13 und 14 zeigen Vektordarstellungea der Mag- netisierung in der Ausleseschicht mit der Richtung im Sättigungszeitpunkt, wobei das Feld Ha transversal zur Richtung der Magnetisierung in der Speicherschicht auf- geprägt wird und sich um den Null-Wert um positiven zum negativen Spitzenwert ändert. Fig. 13 zeigt die Magnetisierung für ein "1"-Bit bei einem Koppelfeld h. Wenn Ha positiv und sehr viel größerals h ist, so ist die Magnetisierung senkrecht zum Feld h orientiert. Wird das Feld Ha gleich Null, so ist die Magnetisie- ruug parallel zum Koppelfeld h orientiert und nimmt den Wert +M -. an. Wenn Ha negativ und sehr viel grißer als h @@: A# , su ist die Magnetisierung wieäe_- se,:--Lrecht zum Feld h orientiert. Fig. 14 zeigt die Magnetisierung für ein "Null"-Bit bei einem Koppelfeld -h. Ist das Feld Ha positiv und sehr viel größer als h,so ist die Magnetisierung senk- recht zum Koppelfeld h orientiert. Wird das Feld Ha gleich Null, so ist die MagnetisJwung paralell zum Feld h orientiert und nimmt den Wert ;.M e an. Wird Ha negativ und sehr viel größer als h, so ist die Magnetisierung wieder senkrecht cum Koppelfeld h orientiert. Ersicht- lich dreht dich also der Zeiger der Magnetisierung doppelt_ so schnell als der des aufgeprägten Felds "a. Bei den Verhältnissen nach Fig. 12 werden das "Null"- und "1"- Bit durch Ausgangssignale repräsentiert, welche bei dop- pelter Frequenz in bezug auf das Feld Ha phasenverschoben sind, wie die Signalzüge 96 und 96 zeigen. Diese Signale können daher durch einen (nicht dargestellten) konventio- nellen Phasendetektor festgestellt werden. Fig. 15 zeigt ein Beispiel einer Abtastung, aus der die beachtiche Qualität des durch die erfindungsgemäße Aus- lesung erhaltenen Ausgangssignals ersichtlich ist. Es handelt sich um eine Abtastung von 50 /u-bits mit einer Modulation durch ein rechteckförmiges @4,Dchfrequenzeignal mit 180 mA und 100 KHz. Ersichtlich ist das Verhältnis des äpochirequt#iz?.signals zwj sahen "1"- :its und "1Iu11'1-- °._.; e;0 Ledre-: * Dies is': Differenz. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Für breitbpandige Anwendungsfälle ist es beispielsweise vorteilbßft, ein Modulationsfeld Ha relativ hoher Frequenz zu verwenden, während für andere Verwendungszwecke ein Modulationsfeld Ha sehr kleiner Frequenz in der Genordnung von eigen 100 Hz vorteilhaft sein kann. Obwohl die zusammenhänge nach den Fig. T, 8,9 und 12 in Verbindung mit einem dreischichtigen Speichermedium 10 nach Fig. 2 und einem magnetostatischen Kopplungseffekt beschrieben wurden, gelten die Ausführungen auch für Medien 101 und/oder 10" mit einer Austauschwechselwirkung als Kopplungseffekt. Anstelle des longitudinalen Kerr-Effektes sind auch andere magnetooptische Effekte, wie beispielsweise der Faraday-Effekt und transversale Effekte aasnutzbar, wobei das die Aaslesung herbeiführende Zieht nicht vom Medium reflektiert, sondern durch dieses hindurch gestrahlt wird. Anstelle eines binären Systems kann auch ein auf einer Analog-Tnformationsauslesung basierendes Analogsystem ausgenutzt werden.4 shows a further heterogeneous structure in the form of two different magnetic materials, one material being mixed in Fonavon particles in another or deposited in the other material, a storage medium 10 "being formed from a single layer 18 of heterogeneous composition, which is deposited on one Substrate 11 "is applied. In this way, a readout layer 20 is formed as a partial layer 18, the storage "layer" being provided in the form of particles 22 which penetrate the readout layer 20 over their cross-section . The readout layer 20 is made of a material of relatively low coercivity, whereas the storage particles are sawn from ferromagnetic, ferrimagnetic or antiferromagnetic material 22nd The coupling field between the storage particles 22 and the update layer 20 corresponds to that of the storage medium 109 according to Rig. 3, ie it is an exchange interaction. The magnetization states -M, + M and -M according to Rig. "10, and" zero "bit form by the arrow 19." Presented ones shown, Modulationafeld Ha is a longitudinal field - 4, a "zero" can. The determination of the Magnetisierungszuatandea and therefore the information stored in the Speiohersohicht 12 of the medium 10 can be made 25, as shown in Fig. 5 by using a conven- tional magneto-optical readout device. Although the following explanations of Zweclomäßigkeitagründen in connection with the storage medium 10 of FIG. 2 makes overall, it should be noted that this medium 10 replaced by the medium 101 and / or the media 10 "in FIG. 3 and / or Fig. 4 According to the invention, an alternating magnetic modulation field Ha of predetermined frequency, which can vary in the range from, for example, 100 Hz to many MHz, is applied to the magnetic storage medium 10. The peak value Hp of the field Ha is compared to the value Her and the coupling field h between the layers 12 and 14 is sufficiently large so that the readout layer 14 is magnetized in the direction of the field Ha. However, the aforementioned peak value is sufficiently small compared to the value Hcs that the information stored in the storage layer 12 is not disturbed The effective effect of the modulation alternating field Ha consists in a modulation of the magnetization in the readout layer 14, which is its e already brings about a modulation of the output signal of the magneto-optical readout device. The Modulation®feld Ha is dependence with respect to direction and time intervals so made to act, that the AC component of the output signal of the msgietooptischen initial reading device for different stored in the storage layer 12 Informations of bits, as examples, a "1" - and "zero" binary digits, differing in either phase or amplitude. The largely conventional magneto-optical readout device 25 comprises, for example, a high-energy light source 24 which emits a light beam via a polarizer 26 and a collecting lens 28, after which this beam is focused on the surface of the medium 10 . The beam is reflected from the medium 10 into an objective lens 30 and sent via an analyzer 32 into a light detector, such as a photodetector 36, for example. The electrical signal generated by the photodetector 36 is given to an output terminal 40 via a band-pass filter 30. This band-pass filter 38 results in a mode of operation of the device 25 in which only signals in a certain frequency band are detected, the center frequency of which is the frequency of the biagnetic modulation. According to the invention, the readout device 25 furthermore contains a modulation alternation source 42 which is coupled to a device for impressing its signal with the medium] D in the form of the magnetic modulation field ua. An embodiment of this device is shown in the device. 5, a magnetic head 44 with a wide gap is provided. This magnetic head 44 can be oriented in such a way that the magnetic modulation field Ha is impressed transvereally or longitudinally to the magnetization states. The magneto-optical readout device 25 according to FIG. 5 is capable of a discriminator effect against noise which results from scattering rotations of the plane of polarization as a result of surface inaccuracies and scattering amplitude changes; this discriminator effect results. is based on the fact that only amplitude - # Changes in the frequency band with the high-frequency carrier cis mid-frequency transmission via the detector array will. This selection is made over the pre-designed Bsndpattilter 38 brought in . 8auechenergie, which outside of the transmission e-Prequensbanäes of the detector ejmtema is greatly reduced. ' Mr a given period of time of magnetization the Auueleeeschioht 12 results in e3.oh the photodetector gangseig @ a @ aMr the longitudinal distortion effect from Pig: 6, which the transfer function needed on one Angle 0 set with respect to a B esugepoeition Anslysatore 32 represents The angle 0 is the learning Wiakel # where +0 is the rotation of the plane of polarization for a + Ms-isgaetisisrrsustand and -0 the rotation the polarization fog for a # Xs-Magaetisierange- state is. If Q is 2er than 0 then it is through the Analyzer transmitted light the sound of the reading beam Magnetiaierung seen roughly proportional. The initial signal of the Photodetkeotrs 36 is therefore proportional to Magnetization. Typical examples of the pressed-box according to the invention and forms the magnetizations of the readout resultant layers 14, 14 'and 20 are shown in Figs. I illustrated to 10, Figs. 7 and i,: - 1 `R.Imerl, which the 'ts.#r@z @. @ äswei @ se at lvn-- w: j gituUnalen high frequency Modu] Kionsfeldern Ha re- give. 9 and 12 show waveforms which the effects for transversal modulation fields H $ described. The aforementioned figures thus describe Embodiments @ in which the modulation field Ha based on the direction of magnetization in the media 10, 101 and / or 10 "either longitudinally or trans- is stamped on all sides. In Fig. 7a, the signal train 60 represents the time interval dependence of the impressed modulation oscillation field Ha that oscillates symmetrically around the zero line. The value Hav, or -Hav represents the positive bsw. negative mean value for the positive and negative signal parts of the oscillating field Ha. Fig. 7b gives in the form of Curve 62 the switching matrix h again, which is from the memory layer acts on the readout layer. This switching matrix is for reasons of convenience for a "1" information bit assumed negative. Fig. 7o shows in the form of the nalzuges 64 the whole of the readout layer 14 is kende magnetic field; this magnetic field results from the addition of the curves according to FIGS. 7a and 7b. The field strength kav according to fig. 7a is equal to the field strength of the Switching matrix h. If the Her value is less than the value of HP, where Hk is equal to the peak value of the oscillating Field Na to Pia. 7o iet, the Xagae will change-- tation, which indicates a u1 "bit, in time in 7orm the signal generator 66 close. 7b. The magnetizing Runge: state oscillates for positive values of the field Ha between + M, and -Ms and remains for negative values of the Ha field on the value -Xe constant. The case of a "zero" bit is in the 71g. 7e to 7; shown. In doing so, Pia. 7e that from the memory layer acting on the output layer coupling field + h in the form of curve 68, which represents a "zero" information bit is defined positively. If the field + h is used to embossed field Ha according to Fig. 7a added, eo results a resulting signal corresponding to the signal train 64 nal train 70, which is positive with respect to the zero line tau Values is shifted. Pia. 7g shows a signal train 72, which shows the magnetization state for a "zero" Bit reproduces, with poeitive values the imprinted Field to a constant value + M, and negative values of the impressed field Ha to an oscillation around the Run the zero line between + M and -Ma. Through coincidence Feature position between the imprinted field Ha and the electrical signal of the photodetector 36 can therefore the difference between the bite and thus the bite eelbet to be established. Fig. 8a mostly a signal signal? 4, the impressed par- net field Ha, that uses an implicit mean value In doing so, Miwr is acting as a further possibility the ability of the »ä1 & Uird # n lteohteltelder. Fig. Mb shows a 13 1rnalnur tig the dun through the Storage layer generated K o » e lftä8 -h reproduces. The sum of the fields after, and 8b is iK Form of a signal train'B in i . so right, "x" rather around the zero line between tft wen + ßp md swings. For the aforementioned Yefä1 '## "is tft ._ Average value Hai, of the impressed Zelden, 8leioä 44b of the field h and the value Xor small im 'f «Ileif * g ib '. Value Hp. The magnetization rate for an 8114-2i6 iää shown in Fig. 8d in the form of a signal train 80 , rather temporally in relation to the zero line between 41t8 "BC ten + M $ and -X14 oscillates. This results in an AU-: output signal the photodetector 36 at a frequency, which is equal to the frequency of the applied field Ha- Fig. 8e to 8g show signal saw for a "zero" Bit, where a curve 82 is found Pig. 8e read through the Storage layer 12 generated rappelfeld + h reproduces. When adding this coupling field, the poorly impressed alternating selfeld Ha.V after Eig. 8a results in a signal train 8 ¢ according to Fig. 8f, which does not go through 3u11. The Mag- The netization state for a "zero" bit remains in accordance with a signal train 86 according to Fig. 8g on a 'eiert + A s con- constant, whereby the output signal of the photodetector is also constant . This constant signal leads to a zero signal at the output of the bandpass filter 38. While at the ratios shown in FIG. 7, the Ausgangesignale for two types of Bite in the Phase.unterscheiden, arise in the conditions according to Fig. 8 for a wide different Bito ("zero" and "1" bit) no phase change, but amplitude changes. The = i. 4 and lay out signal forms for different lic: @ wc.e4 $, where dao adulationefeld tranever- sa: L. l '° wi °, Rh is the direction of the field Ha $ th; on the direction of gmetization which 3 7p- el io'.1-4e, j (. # " Ns2-o = Y.yon n of the storage layer @ + u a < i '_hemaa 12 the according to fig. 9. And 12 under ° -ci..lforms of the longitudinal compo- ys. _ a; r = ng and At the Aangssignaie for nnbts rl, ai; ° pur, `% se des imprinted ass, S The longi td'tldiSalr n component Ä .. component in the wr'ei @ q ur il @ _ci tu des d 11 - A ;; 1 1J111 . 1 '@ iy 1 y #n the 1 $ '; n. wi Harmonics. The signal train 90 according to FIG. 9b represents the longitudinal component of the magnetization for a "zero" bit, which oscillates between the value -Ms and zero. This longitudinal component of the magnetization assumes the value -Ms when the applied field Ha is equal to zero. This state of affairs is indicated by a broken line 91 wieclac. According to FIG. 9c, a signal train 92 reproduces the longitudinal component of the magnetization for a "1" bit, which oscillates between zero and the value W.Ms. This longitudinal component of the magnetization is equal to the value + M2 when the applied field Ha is equal to zero. A dashed line 93 shows for the maximum value of the impressed field Ha that the "zero" bit signal train 90 and the "1" bit signal train 92 are equal to zero at this point in time. The "zero" bit and the "1" bit are therefore represented by output signals which, as signal trains 90 and 92 show, are shifted in phase from one another. The output signals can be determined by a conventional phase detector (not shown) which is part of the magneto-optical readout device 25. 9 and 10 show the representation of the magnetization in the readout layer, specifically the direction of magnetization at the time of saturation. Fig. 10 shows the magnetization for an I'1 "bit at one, switching matrix + h between the storage layer and the Aueleaeschicht and a trausversal to the direction of the l1agnetization of the storage layer impressed modul la.tionafeld "? a 9 the calibration from 8u11 to a den. value + h not .EÄ, 3 r eeigenan changes to a positive value. is aufepr.gl:e field fla is equal to 8i.11, then the Maguetisie- ruag in dfeem point in time parallel to the switching matrix h. orient tiert and n-`- the value Ma au .. If the field, fäa a lot greater than .reg Pe`id, h is and stilts right on this, so the 1-hour dissolution is vertical at this time zip3 ° l @ was called # zt and accepts the response 1-ls. Fig e 1 1 shows for the leiohe imprinted field Ha and nogati v z Korelfel d -? `ä that at 11, equal to zero the Magneti A; :; zu!,. @ - z @ iFeld is oriented and who - e @@. '. @, Wgn the field H ee63Y @ much larger "a a in aas! d 3n.-Lot and #v @@@; ^ e it says so is the@@. to field h. oriented. According to Fi. 12a, °, K'ao -@r.-v elBn.1. iZiodu1, a- i. @ 8'e. # @ -_ 5.ü F f: i n durüh Sig n alsu g "'7.gieder ^ GegeL7ene3 j; 'a ..aak "' a F $ PG%, 6 ' o den 4-' ah 'W.'35 a. T. bie to a pooi ° von und negea tiven ° `- a zchwia. @. @ GemC U Figw 12i is, because @@ r? _`id @ -ä ° C rather through the loagtudile com- ponentc, the g @, e °, isiru, g reproduced as lev signal- train 96 zig`tv where see the value between hea nuli andkt. changes-. Hei int j edoch @.> l3eK.luenz in relation to aiaf das au.lgep.:imate Pel d °, afF.fz. .,: @ t: G., .. 5u. @ W ° @ a-.y6, `° L3afi #. ;; .. e. doubled. One through the hongitduina73r component of the The "1" bit represented by magnetization is represented by a Wave train 98 shown in Fig. 12o, soft between between the word ! lull and the word + M, vibrates. Included is the frequency with respect to the impressed field Ha also doubled. The eighties 96 and 98 are shifted in phase and measure the minimum value -M2 or the maximum word + M, at a point in time when the imprinted field Iia goes through zero, like one dashed line 99 in Figure 11g. 12 shows. Continue to take aea the signal trains 96 and 98 display the word zero if the impressed field Ha its positive or negative Peak value assumes, like the dashed lines 100 and 102 show. 13 and 14 show vector representations a of the mag- netization in the readout layer with the direction im Saturation time, the field Ha being transverse to Direction of magnetization in the storage layer is marked and is positive around the zero value changes to the negative peak value. Fig. 13 shows the Magnetization for a "1" bit in a switching matrix h. If Ha is positive and much greater than h, then it is the magnetization is oriented perpendicular to the field h. If the field Ha equals zero, the magnetization ruug is oriented parallel to the switching matrix h and takes the Value + M -. at. If Ha is negative and much greater than h @@: A #, see below is the magnetization wieäe_- se,: - Lrecht zum Field h oriented. 14 shows the magnetization for a "zero" bit with a switching matrix -h. Is the field Ha positive and much larger than h, the magnetization is oriented right to the switching matrix h. If the field Ha equals zero, the magnetic force is parallel to the field h orientates and accepts the value; .M e. Ha becomes negative and much larger than h, so is the magnetization again oriented vertically cum switching matrix h. Insight Lich the pointer of the magnetization turns twice_ as fast as that of the imprinted field "a. At the Relationships according to Fig. 12 are the "zero" - and "1" - Bit represented by output signals, which in the case of double pelter frequency out of phase with respect to the Ha field are, as the signal lines 96 and 96 show. These signals can therefore be replaced by a (not shown) conventional nellen phase detector can be determined. Fig. 15 shows an example of a scan from which the considerable quality of the construction according to the invention reading received output signal can be seen. It is a sample of 50 / u-bits with a Modulation by a square-wave @ 4 frequency signal with 180 mA and 100 KHz. The ratio is evident of the äpochirequt # iz? .signal zwj saw "1" -: its and "1Iu11'1-- ° ._ .; e; 0 Ledre-: * This is': Difference. The present invention is not restricted to the exemplary embodiments described. For broadband applications it is, for example, advantageous to use a modulation field Ha of a relatively high frequency, while for other purposes a modulation field Ha of a very low frequency in the order of 100 Hz can be advantageous. Although the relationships according to FIGS. 8, 9 and 12 have been described in connection with a three-layer storage medium 10 according to FIG. 2 and a magnetostatic coupling effect, the explanations also apply to media 101 and / or 10 ″ with an exchange interaction as a coupling effect. Instead of the longitudinal Kerr effect, other magneto-optical effects, such as the Faraday effect and transversal effects, can also be used, whereby the drawing causing the reading is not reflected by the medium, but is radiated through it. Instead of a binary system, a Analog system based on analog information readout can be used.

Claims (1)

P A i E N T A N S P R Ü G H E 1; Magnetemptische Auslesevorrichtung mit verbessertem Signal-
Rauschverhältnis de22 Ausleseeignale, in der ein magneti- sches Speichexedium zur Speicherung von Informatiac. in Fzi von ausgew.h.@ en. Mag'@tisIerungszuständen und eine Abtastung deo r,@`d.@.@l@3 durch einen Lichttrahi vcrgesehenist, gekennzeichnet durch einen Speicher-- und Auslesebereich (12-,14; l@ a i &. g@, 9 welche einen "11'e,.1. fas Speicheadiwn10 ; 10-111011) bilden, wobel 3,m Spa:a.cher- @. ia f-@ von -.usgewä.iil- ;ae@ignetisie°@@@mustdr@ iat, eine ,mit, @'i 4 4 .@ i !.xt1
_7i auf 5J. e, _.....2 U @t "F C_ ZU ..ynde .4L'A S. är .@@ rtl -_AI I@ 5Ä@ 1 f@@ a._ -ix -- f rn dc#la,daß d.rv _.,.@ ._>VA. vid;4.e @ifJ..dviä U t 9
sde ü@.
daß die Detektoreinrichtung ein optisches Detektorsystem (30,32,36,38) telfaßt, das die modulierte Komponente des reflektierten Lichts empfängt, und zwischen einem, von einem ersten Xsgnetisierungs$ustand und einem von einem zweiten läffletisierungs:uetand reflektierten Licht- wert unterscheidet. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vektorsyst« (30,32,36,3g) ein Bandpaßfilter (38) aufweist, das einem Durchlaßfrequenz mit einer der Frequenz der Nagnetisierungsmodulation entsprechenden Mittenfrequen$ besitzt, in dem dem modulierten Magne- tisierun.gs$ustsnd entsprechende und durch das Detektor- System erzeugte elektrische Signale liegen, wodurch eine Bestlsaung der gespeieheria MagnetisE,erungs:ustände erreicht wird. 4. Vorrichtung nach einem der lasprüohe 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der einen Teil des 'jpeichermediums (10;10#; l0!) bildende Speicherbereich (12;12';22) und der einen weiteren Teil des Speichermediums bildende Auslesebereich (14;14',20) durch ein Magnetfeld gekoppelt sind. 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet" daß die Einrichtung (4;42,44) zum Auf- Prägen eines äußeren Abfragesignals auf das Speicher- @-#@I 's um #l19;101; 100,' eine Einrichtung zum Aufprägen e.nes
.modulierenden magnetischen Wechelfeldes bildet. 6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (42,44) zum Ausprägen eines modulierenden magnetischen Wechselfeldes einen am Speichermedium (10; 109; 10") angeordneten Magnetkopf (44) mit großer Spaltbreite und eine an den Magnetkopf angekoppelte Wechselstromquelle (42) aufweist, die einen Wechselstrom vorgegebener Frequenz in den Magnetkopf einspeist. 'T. Vorrichtung nach Anspruch 3 und 5 , dadurch gekennzeich- net, daß die Wechselstromquelle 4s (42) ein Wechselsig- nal im Frequenzbereich von 100 Hz bis mehrere MHz lie- fert, das einem vorgegebenen Gleichstromsignal überlagert ist.
B. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ausgewählten Magnetisierungazustände im Speicherbereich (12;12';22) eingeschrieben Bind, wobei. als Funktion der gespeicherten Magnetisierungszustände zwischen dem Speicherbereich und dem Auslesebereich (14;141;20) ein magnetisches Koppelfeld existiert, so daß im Auslesebereich den Magnetisierungszustä.nden im Speicherbereich entsprechende Magnetisierungszustände erzeugt werden. 9.. @Vorri&tung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Speichermedium.(10) ein Substrat (11) besitzt, daß der Speicherbereich (12) alsSchicht aus einem "eterial hoher Koerzitivkraft auf dem Substrat aufgebracht ist, daß auf der Speicherschcicht eine Schicht (16) aus nichtmagnetischem Material aufgebracht ist und daß der Auslesebereich (14) als Schicht aus einem Material geringer Koerzitivkraft auf der nichtmagnetischen Schicht aufgebracht ist, so daß die Speicherschicht und die Ausleseschicht über einen magnetostatiachen Effekt gekoppelt sind. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (12) aus Nickel-Kobalt-Phosphor-Zegierung mit einer Dicke in der Größenordnung von 50 bis 10 000 Angström und einer Koerzitivkraft von 100 Örated, die Ausleseschicht (14) aus Permalloy mit einer Dicke von 50 bis 10 000 Angström und einer goerzitivkraft von wenigen Örated und die nichtmagnetische Schicht aus Nickel-Phosphor-Legierung mit einer Dicke von wenigen 100 Angström gebildet sind. 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Speichermedium (10t) ein Substrat (11') aufweist, daß der Speicherbereich (12') als Schicht aus ferromagnetischem, ferrimagnetischen oder antiferromagnetischem Material *it hoher Koerzitivkraft auf dem Substrat aufgebracht ist und daß der Auslesebereich (14') als Schicht aus einem Material geringer Koerzitivkraft auf der Speicheraoehicht aufgebracht ist, so daß die Speicherschicht und die#usleseschicht über eine Austauschwechselwirkung magnetisch gekoppelt sind. 12. Vorrichtung nach einem der Anspräche 1 bis ß, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Speichermedium (10') ein Subabt (11") aufweist, daß der Auslesebereich (20) als Schicht aus Material geringer Koerzitivkraft auf dem Substrat aufgebracht ist und daß der Speicherbereich (22) in Form von Partikeln aus ferromagnetischem, ferrimagnetischen oder antiferromagnetischem Material ausgebildet ist, die im Material der Ausleseschicht verteilt sind. 13. Verfahren zur Verbesserung des Signal-Rxuschverhältnisses eines magnetooptischen Auslesesignals, wobei die Information in Form von ausgewählten Magnetisierungazuständen in einem magnetischen Speichermedium gespeichert ist, dadurch gekennzeichnet, daß im Speichermedium ein der aufgezeichneten Information entsprechendes magnetisches Raster erzeugt wird, dass dem magnetischen Speichermedium ein äußeres Abfragesignal aufgeprägt wird, um die Magnetisierungazustände im Speichermedium zu ändern und eine modulierte Komponente vom Speichermedium reflektier ten Lichtes zu erzeugen, welche ein Maß für die Magnetisierungszustände ist und daß die modulierte Komponente des reflektierten hichtee zur Unterscheidung der Magne- tisierungezustände festgestellt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dai3 als äußeres Abfragesignal ein magnetisches Feld ver- wendet wird, daß die im Speichermedium vorhandenen Mag- netieierungssustände moduliert und äaß die modulierten Magnetisierungssustände im Speichermedium in einem aus- gewählten Frequenzband, dessen Mittenfrequenz die Fre- quenz der Magnetisierungmodulstion, festgestellt wer- den, um dem .im Speichermedium aufgezeichneten Magneti- siersuständen entsprechende Ausgangssignale zu erzeugen.
PA i RELEASED 1; Magnetic readout device with improved signal
Noise ratio de22 readout suitable, in which a magnetic cal storage medium for storing informatics. in Fzi from selected h. @ En. Mag '@tization states and a Scanning deo r, @ `d. @. @ L @ 3 through a light track marked by a memory - and Readout area (12-, 14; l @ ai &. G @, 9 which have a "11'e, .1. fas spoke adiwn10; 10-111011), wobel 3, m Spa: a.cher- @. ia f- @ by -.usgewä.iil- ; ae @ ignetisie ° @@@ mustdr @ iat, one, with, @ 'i 4 4. @ i ! .xt1
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sde ü @.
that the detector device is an optical detector system (30,32,36,38) containing the modulated component of the reflected light , and between one , of a first state of xsgnetization and one of a second fl etization: uetand reflected light worth different. 3. Apparatus according to claim 2, characterized in that the vector system "(30,32,36,3g) a bandpass filter (38) having a pass frequency with one of the Frequency corresponding to the magnetization modulation Center frequencies $ in which the modulated magnetic tisierun.gs $ ustsnd appropriate and determined by the detector System generated electrical signals are thereby An assessment of the stored magnetism, state of affairs is achieved. 4. Device according to one of the lasprüohe 1 to 3, thereby characterized in that one part of the storage medium (10; 10 #; l0!) Forming memory area (12; 12 '; 22) and that forming a further part of the storage medium Readout area (14; 14 ', 20) coupled by a magnetic field are. 5. Device according to one of claims 1 to 4, characterized marked "that the device (4; 42,44) for up- Imprinting an external interrogation signal on the memory @ - # @I 's at # l19; 101; 100, ' a device for imprinting e.nes
.modulating alternating magnetic field. 6. Apparatus according to claim 5, characterized in that the device (42, 44) for developing a modulating magnetic alternating field has a magnetic head (44) arranged on the storage medium (10; 109; 10 ") with a large gap width and an alternating current source coupled to the magnetic head (42) which feeds an alternating current of a predetermined frequency into the magnetic head. 'T. Device according to claims 3 and 5, characterized in that net that the alternating current source 4s (42) has an alternating signal nal in the frequency range from 100 Hz to several MHz fert, which is superimposed on a given direct current signal is.
B. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the selected magnetization states are written in the memory area (12; 12 '; 22), wherein. As a function of the stored magnetization states between the memory area and the readout area (14; 141; 20) there is a magnetic coupling field, so that magnetization states corresponding to the magnetization states in the memory area are generated in the readout area. 9 .. @ Provision according to one of the preceding claims, characterized in that the magnetic storage medium (10) has a substrate (11) that the storage area (12) is applied to the substrate as a layer of a substantially high coercive force that on a layer (16) of non-magnetic material is applied to the storage layer and that the read-out area (14) is applied as a layer of a material of low coercive force on the non-magnetic layer, so that the storage layer and the read-out layer are coupled via a magnetostatic effect according to claim 9, characterized in that the storage layer (12) made of nickel-cobalt-phosphorus alloy with a thickness of the order of 50 to 10,000 angstroms and a coercive force of 100 orated, the readout layer (14) made of permalloy with a thickness from 50 to 10,000 Angstroms and a goerzitivkraft of a few orated and the non-magnetic layer made of nickel-phospho r alloy with a thickness of a few 100 angstroms are formed. 11. Device according to one of claims 1 to 8, characterized in that the magnetic storage medium (10t) has a substrate (11 ') that the storage area (12') as a layer of ferromagnetic, ferrimagnetic or antiferromagnetic material * it has a high coercive force is applied to the substrate and that the readout area (14 ') is applied as a layer made of a material of low coercive force on the memory layer, so that the memory layer and the read layer are magnetically coupled via an exchange interaction. 12. Device according to one of claims 1 to ß, characterized in that the magnetic storage medium (10 ') has a Subabt (11 "), that the readout area (20) is applied as a layer of material of low coercive force on the substrate and that the Storage area (22) is designed in the form of particles of ferromagnetic, ferrimagnetic or antiferromagnetic material, which are distributed in the material of the readout layer Storage medium is stored, characterized in that a magnetic grid corresponding to the recorded information is generated in the storage medium, that an external interrogation signal is impressed on the magnetic storage medium in order to change the magnetization states in the storage medium and a modulated component from the storage medium to generate flexed light, which is a measure of the magnetization states and that the modulated component of the reflected hichtee to distinguish the magnetic tisierungezustände is determined.
14. The method according to claim 13, characterized in that dai3 as an external interrogation signal, a magnetic field is used that the mag- Modulated conditions and ate the modulated ones Magnetization states in the storage medium in an selected frequency band, the center frequency of which is the frequency frequency of the magnetization modulus, can be determined the magnetic tape recorded in the storage medium. to generate corresponding output signals.
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