DE1521353A1 - Arrangement for the production of surface protection for solids - Google Patents

Arrangement for the production of surface protection for solids

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DE1521353A1
DE1521353A1 DE19631521353 DE1521353A DE1521353A1 DE 1521353 A1 DE1521353 A1 DE 1521353A1 DE 19631521353 DE19631521353 DE 19631521353 DE 1521353 A DE1521353 A DE 1521353A DE 1521353 A1 DE1521353 A1 DE 1521353A1
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Description

11. 10, 1963 P 94 00111.10.1963 P 94 001

Anordnung zur Herateilung eines Oberflächensohutzes bei FestkörpernArrangement for the division of a surface protection for solids

In der Technik tritt häufig die Forderung auf, Festkörper an ihrer Oberfläche mit einer dünnen bcuieht zum üehutze gegen Korrosion, zur mechanik dien Oberflächenstabilisierung oder auch zur elektrischen Isolierung oder speziellen Kontaktierung zu überziehen.In technology there is often the requirement that solids on its surface with a thin cover to cover it against corrosion, surface stabilization is used for mechanics or for electrical insulation or special contacting to cover.

Eine entsprechende Oberflächenbehandlung ist besonders bei Halbleiterkörpern von groüer Bedeutung. Beispielsweise wirkt ein Oxydüberzug in vorteilhafter Weise konservierend und mechanisch festigend, und eine mit einer Oxydhaut überzogene Siliziumoberflache zeigt konstante elektrische uigenschaften und große Korrosionsbeständigkeit.Appropriate surface treatment is particularly important Semiconductor bodies of great importance. For example, an oxide coating has an advantageous preservative and mechanically strengthening, and a silicon surface coated with an oxide skin shows constant electrical properties and great corrosion resistance.

Zur herstellung vorteilhafter üchichten auf Festkörpern, beispielBweibe einer Oxydschicht auf einem UuIbleiterelernent* sind bereite viele Verfauren bekannt geworden. Besonderen Raum nimmt unter anderen Verfahren die thermische Oxydation ein, die sowohl unter bestimmten uruck als auch unter bestimmten Atmosphärenverhältnistsen, nämlich in f eucuter oder trockener Sauerstoffatmosphäre, ausgeführt wird. Bekanat ist außerdem die anodische Oxydation in einem Elektrolyten. Yiela Oxydschichten, die nach diesen bekannten Verfahren aufgebracht wurden^ weisen jedoch noch unerwünschte Mängel, witi beispielsweise eine ungenügende Haftfestigkeit, Reinheit und Diohfce auf * -Diese Mängel bewirken in den meisten lallen, daß der Überzug selbst und der überzogene Festkörper gegenüber äußerm Einwirkungen unbeständig ist. Bei Halbleiteroberflachen werden auch häufig ungünstige Veränderungen der elektrischen fcIgenschaften, beispielsweise eine Versehlechteiung der Bperr-.charakteristik bei einer Diode, festgestellt.For the production of advantageous layers on solids, For example, there is an oxide layer on a UuIconductor element * many writers have already become known. Special ones Thermal oxidation takes up space among other processes, both under certain pressure and under certain conditions Atmospheric conditions, namely in f eucuter or dry oxygen atmosphere. Bekanat is also the anodic oxidation in an electrolyte. Yiela Oxide layers applied according to these known methods were ^ however still have undesirable defects, witi for example insufficient adhesive strength, purity and diohfce on * -These deficiencies cause in most of the slurps that the Coating itself and the coated solid opposite extremely Influences is impermanent. In the case of semiconductor surfaces also often unfavorable changes in the electrical properties, for example a misrepresentation of the barrier characteristic at a diode.

BAD ORIGtNAtORIGINAL BATHROOM

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- 2 - P 94 001- 2 - P 94 001

Mit Hilfe der in der vorliegenden Erfindung beschriebenen Anordnung und des damit durchführbaren Verfahrens kann nicht nur eine Oxydierung sondern auch eine Nietrierung in kürzestst Zeit vorgenommen werden. Vor allem werden durch eine Oxydschichtbildung, beispielsweise auf einer Halbleiteroberfläche, überraschend vorteilhafte Eigenschaften erzielteWith the help of those described in the present invention Arrangement and the process that can be carried out with it cannot only an oxidation but also a riveting in the shortest possible time Time to be made. Above all, the formation of an oxide layer for example on a semiconductor surface, achieved surprisingly advantageous properties

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Herstellung eines Oberflächenschutzes bei Pestkörpern, vorzugsweise bei Halbleiterfestkörpern mit oder ohne einem oder mehreren pn-Über-" gangen und besteht darin, daß ein Oberflächenüberzug mittels einem durch Funkenentladung hervorgerufenen, hochionisierten Plasma, in einem evakuierbaren Entladungsgefäß εit vakuumdicht durchgeführten Elektroden, von denen mindestens eine aus gleichem Material ist, wie der zu behandelnde Festkörper, unter einem für die Behandlung notwendigen Medium, erzeugt wird.The invention relates to an arrangement for producing a Surface protection for plague bodies, preferably for semiconductor solids with or without one or more pn over- " and consists in that a surface coating by means of a caused by spark discharge, highly ionized Plasma, in a discharge vessel that can be evacuated, is vacuum-tight electrodes carried out, at least one of which is made of the same material as the solid body to be treated, under a medium necessary for the treatment.

In einer evakuierbaren Anordnung, beispielsweise aus zwei in Glas eingeschmolzenen Elektroden bestehend, wird ein auf sei in; Oberfläche zu behandelnder Festkörper in einer gewünschten Atmosphäre, in bestimmter i/eise einer Funkenentladung auage- setzt. Der zu behandelnde Festkörper wird in das durch die Funkenentladung hervorgerufene, stark ionisierte Ga&plasna gebracht und damit der Einwirkung dieses Plasmas voll ausgesetzt. Da die Plusmaeinwirkung bei periodischem Funkenüterschlag nur kurzzeitig erfolgt, findet nur an der Oberfläche des zu behandelnden Festkörpers eine wesentliche rfärmeeinwirkung statt. Die Beschränkung der Wärmeeinwirkung aul' die Oberfläche gewährleistet bei Halbleitern die Erhaltung der leber. 3 ~ dauer und die Erhaltung der guten Sperreigenscfc.£.ften der pxx-Ubergänge« In an evacuable arrangement, for example consisting of two electrodes fused in glass, an on be in; Surface of the solid body to be treated in a desired atmosphere, subject to a spark discharge in a certain way . The solid body to be treated is brought into the strongly ionized Ga & plasna caused by the spark discharge and thus fully exposed to the action of this plasma. Since the plus-measure effect occurs only briefly in the case of periodic sparks, a significant thermal effect only takes place on the surface of the solid body to be treated. The limitation of the effect of heat on the surface ensures that the liver is preserved in the case of semiconductors. 3 duration and the maintenance of the good blocking properties of the pxx transitions "

Mindestens eine der Elektroden ist in vorteilhafter weise aus dem Material des mit einem Oberflächenschutz zu vergehenden Festkörpers.Die Elektroden selbst können zur .Erzielung ge-At least one of the electrodes is advantageously made of the material of the solid body to be passed with a surface protection. The electrodes themselves can be used to.

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- :·* ■ ρ 94 οοι-: · * ■ ρ 94 οοι

wünschter günstiger Effekte auch besonders ausgebildet sein« Beispielsweise können eine oder mehrere der Elektroden eine düsenfürmige Durchbohrung in Längsrichtung aufweisen,, durch die ein bestimmtes strömendes Medium, beispielsweise ein Sauerstoffstrom, auf das zu behandelnde, beispielsweise zu oxydierende Materialstück gerichtet, geblasen werden kann.desired beneficial effects also be specially designed " For example, one or more of the electrodes can have a nozzle-shaped perforation in the longitudinal direction that a certain flowing medium, for example a stream of oxygen, towards the to be treated, for example towards oxidizing piece of material directed, can be blown.

Besonders vorteilhaft kann durch eine spezielle Ausbildung der einzelnen Elektroden bewirkt werden, daß die Funkenentladung und der Verfahrensablauf bei einer Oxydierung oder Nitrierung günstig vor sich geht« So weist die Ausgangs» elektrode einer Funkenentladung am äußeren Ende vorzugsweise eine relativ geringe räumliche Ausdehnung, beispielsweise eine spitzen- oder kugelförmige Ausbildung und die Gegenelektrode eine relativ große räumliche Ausdehnung, 'oeispielf weise eine kegelstumpf-, teller- oder hohlkugelförmige Ausbildung auf.A special training can be particularly advantageous of the individual electrodes are effected that the spark discharge and the process sequence in an oxidation or Nitriding works favorably "This is how the output" electrode preferably exhibits a spark discharge at the outer end a relatively small spatial extent, for example a pointed or spherical design and the counter electrode a relatively large spatial expansion, for example a truncated cone, plate or hollow spherical formation.

Die räumlich relativ große Ausdehnung ist besonders als Halterung des zu behandelnden Gegenstandes, der sowohl isoliert als auch in besonderen Fällen elektrisch !Leiteftd ftUf die Gegenelektrode angebracht werden kann, geeignet· AUßerdi m kann ein im Plaema der Funkenentladung zu behandelnder P«et körper auch mittels einer besonderen HalterungeVorrichtung im Raum vor der Gegenelektrode, vorteilhafterweisβ mittels einer Saughalterung, angebracht sein. Der Recipient,, in dem die Funkenentladung abläuft, ist entweder aus einem vakuumdichten elektrisch isolierenden Material, wie Glue oder Qua '?·<aufgebaut oder auf der Innenseite elektrisch isoliert. Die •Elektroden sind dann entweder in vakuumdichter tSinaohmelzun : oder mit einer zusätzlichen isolierenden Durchführung im Rezipienten angeordnet.The relatively large spatial expansion is particularly than Holder of the object to be treated, which is both insulated and, in special cases, electrically! Leiteftd ftUf the counter electrode can be attached, suitable · outside di m can a P «et to be treated in the area of the spark discharge body also by means of a special holding device in the space in front of the counter electrode, advantageously by means of a suction holder. The recipient, in which the spark discharge is either made of a vacuum-tight, electrically insulating material such as glue or Qua '? · < or electrically insulated on the inside. the • Electrodes are then either in vacuum-tight tSinaohmelzun: or arranged in the recipient with an additional insulating bushing.

Eine weiter bildung der erfindungsgemäßen Anordnung beisteht darin, daß jeweils zwei oder mehr gleichartige Elektroden parallel angeordnet sind und entweder gemeinsam über eine Durchführung oder jede für sich elektrisch eingespeist werö *:/iA further development of the arrangement according to the invention is available in that there are two or more electrodes of the same type are arranged in parallel and either jointly via a Implementation or each individually electrically fed werö *: / i

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■1 P 94 001■ 1 P 94 001

Au'*h in einer B0.loh.cn .Anordnung können die ISJ ex I ro den in vo χ ti il haJ'te ν Weise alt» Jiliilaiiduaen ausgebildet a «in. Zur Verstärkung oer IMc ht ν/ϊ.'.'!<■ ung deu strömenden Mediums v/erden die JSinXaj; düsen zylindcirrüraig, vorzugsweise konisch auu^ebiJ det«Also in a B0.loh.cn. Arrangement, the ISJ ex I ro den in vo χ ti il haJ'te ν way old "Jiliilaiiduaen trained a" in. To reinforce the flowing medium, the JSinXaj; nozzles cylindrical, preferably conical

Mit dieser erfindungsgemäßon Anordnung kann in überraschend einfacher Weise, beispielsweise ein Halbleiterkörper mit oder ohne einem oder mehreren pn-Übürgängen oxydiert werden, lter Halbleiterkörper, beispielsweise Silizium, wird also isoliert auf die Gegenelektrode aufgebracht« Die Funkenentladung» die in einem strömenden Medium, vorzugsweise in trockenem oder feuchtem Sauerstoff, stattfindet ν bewirkt eine Oxydschicht.-bildung in einem Zeitraum von einigen Sekunden, Eine so erzielte Oxidschicht ist den in bisher bekannten Verfahren herhergesteilten, an Güte und Beständigkeit überlegen und gewährleistet außerdem noch die Erhaltung von elektrischen Daten& With this arrangement according to the invention, for example, a semiconductor body with or without one or more pn transitions can be oxidized in a surprisingly simple manner dry or moist oxygen, ν causes an oxide layer to be formed in a period of a few seconds, an oxide layer obtained in this way is superior in quality and durability to those produced in previously known processes and also guarantees the preservation of electrical data &

Durch mechanische Abdeckungen ist es möglich, eine Qxydsahialit bildung zu. begrenzen und an vorbestimmten Stellen zu verhindsrj Wird der zu oxydierende Halbleiterkörper in elektrisch leitender Verbindung auf die Gegenelektrode gebracht, dann ist d&ü Material und die Ausbildung dieser Gegenelektrode dafür bestimmend, ob der Fimkenübersohlag auf dem au oxydierende! Körper oder auf der Elektrode stattfindet. Der durch den Übe.v-Bchiag des Funkens auftretende Abtrag des M&terials kann in besonderen Fällen an bestimmten Stellen eines zu oxydierenden Körpers vorteilhaft sein und deshalb gewünscht warden» Die Schwierigkeit dabei liegt aber in der normalerweise gegebenen Unbestimmtheit des örtlichen FunkenübersciJageß. tfenn dl** Gegenelektrode und der zu oxydierende Körper aus gleichen Material, beispielsweise aus Silizium* besteht und in beutium™ ter Entfernung vor den zu oxydierenden Körper eine isolierte Blende, beispielsweise eine Ringblende, angebracht.wirdf danu kann die Funkenentladung nur in einem dur«h die .!!ende bi;-stimiuten Bereich auf der Oberfläche des zu oxydierenden Körn» r.ci Mechanical covers make it possible to form a Qxydsahialit . If the semiconductor body to be oxidized is brought to the counter electrode in an electrically conductive connection, then the material and the design of this counter electrode determine whether the oversole on the oxidizing! Body or on the electrode. The erosion of the material caused by the practice of the spark can in special cases be advantageous at certain points of a body to be oxidized and therefore desired. tfenn dl ** counter electrode and the distance to oxidative body made of the same material, for example made of silicon * and ter in beutium ™ before to oxidizing body an insulated aperture, for example, a ring diaphragm, angebracht.wird f danu, the spark discharge in only one major "H the. !! end bi; -stimute area on the surface of the grain to be oxidized" r. ci

909830/0566 BADOR1G1NAL 909830/0566 BADOR 1 G 1 NAL

stattfinden« Die Entladungsenergie beatimmt die Abtragun der Materie an der iStelle des Überschlags o An diener üt&lle tritt demnach keine Oxydhaut bildung auf, während an der· übri gen Oberfläche, aufgrund der Einwirkung des hochionitiei+an Plasmas eine entsprechende Oxydierung erfolgt."held the discharge energy beatimmt the Abtragun of matter at the I site of the rollover o An servant ut & lle thus occurs no oxide skin education, while gen at the · übri surface, a corresponding oxidation occurs due to the action of hochionitiei + in plasma.

Bei der Oxydation über Funkenentladung ißt ein sauorstoffhaltiges Medium erforderlich, das ruhend oder strömend sein kann. Die Vorteile einee strömenden Medium« liegen uul der Hand» Als Medium kann beispielsweise sowohl Kauerstuff als auch ein sauerstoffhaltigea Gas oder eine gasförmig».: Sauerstoffverbindung verwendet werden*In the case of oxidation via spark discharge, an oxygen-containing one eats Medium required, which must be static or flowing can. The advantages of a flowing medium lie below Hand »As a medium, for example, both Kauerstuff and also an oxygen-containing gas or a gaseous ».: oxygen compound be used*

Des weiteren kann durch eine als Elektrode ausgebuchte Düat: oder eine separate Düse ein den Prozeü begünstigende« fms«'! ges Medium eingespritzt werden und zwar vorteilhaft dor&rtj. daß der zu oxydierende Gegenstand an seiner Oberfläche benetzt wird οIn addition, a Düat that is booked out as an electrode can: or a separate nozzle for an "fms" that promotes the process! ges medium are injected and indeed advantageously dor & rtj. that the object to be oxidized is wetted on its surface ο

iHir eine Nitrierung bieten sich die gleichen überraschend vorteilhaften, technischen Lösungen an, wie sie für die Oxydierung ausführlich beschrieben sind» Das ruher.ce oder strömende, zum Verfahren notwendige Medium 1st dabei übicketoff, bzw ο ein stickstoffhaltiges Gaa oder eine &asfeinige stickst off verbindung«,iHir nitration to provide the same surprisingly advantageous, technical solutions, as described in detail for the oxidation "That ruher.ce or flowing, necessary for the process medium 1st this übicketof f, or ο a nitrogen-containing Gaa or & asfeinige embroider off connection «,

9 0 9 8 3 0/0566 bad9 0 9 8 3 0/0566 bad

Claims (23)

11ο 10. 1963 · / Paten bansprüche11ο 10. 1963 / Patent claims 1) Anordnung zur Herstellung eines Oberflächen?ohutzos bei Festkörpern; vorzugsweise bsi Ealbleiteiküi» eix«. mit oder ohne einem oder mehreren pn-Übergängen, dadurch ge kennzeichnet» daß ein Oberflächenüberzug mittel*: eir&iii durch Funkeneutiadung hervorgerufenen, hochJonieierten Plasma, in einem evakuierbarer, .dnblfcdungügeiäß mit vakuumdicht durchgeführten .rilek .-/roden, von oenen rvü .bestens eine ausi gleichem Material ißt, vrta σ.tr zu be-uirdelnde Festkörper, unter einem für die ßeh^r31u:ng notwendigen Medium, erzeugt wird*1) Arrangement for the production of a surface? Ohutzos in solids; preferably to Ealbleiteiküi "eix". with or without one or more pn junctions, characterized in that a surface coating medium *: eir & iii, highly ionized plasma caused by spark ejection, in an evacuable, from the same material eats, vrta σ.tr to be-uirdelte solids, under a medium necessary for the ßeh ^ r31u: ng, is generated * 2) Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekermwoichnet. .Λ\ die Funk^nentiaclung in eine?u s trollender. Medium nommen wird.2) Arrangement according to claim 1, characterized gekermwoichnet. . Λ \ the func ^ nentiaclung in a? Out trolling. Medium is taken. 3) Anordnung nach Anspruch 1 und 2f dadurch gekeimt ic haet, daß das strömende Medium über einö oder mehrere siinl- ·.£»- düsen eine Hichtwirkung erfährt,3) The arrangement according to claim 1 and 2 f has germinated that the flowing medium experiences a thinning effect via one or more siinl nozzles, 4) Anordnung nach. Anspruch 1 bis 3» dadurch gekannzuich ,:t daß das Entladungsgefäß aus elektrisch isolierendem Material, beispielsweise aus Glas oder ^uara, besteh;«4) according to. Claims 1 to 3 »being able to: t that the discharge vessel is made of electrically insulating material, for example of glass or ^ uara; " 5) Anordnung nach Anspruch 1 bis 3f dadurch5) arrangement according to claim 1 to 3 f thereby daß das Entladungsgefäß mindestens auf seiner elektrisch isolierend ist.that the discharge vessel is electrically insulating at least on its. 6) Anordnung nach Anspruch 1 bis 5» dadurch gekenr.aoichnefc. daß mindestens eine der Elektrodenr vorzugswaite die aus dem gleichen Material wie der mit einer Schutzschicht zu überziehende Festkörper bestehende Elektrode, als löinlab ■ düse ausgebildet6) Arrangement according to claim 1 to 5 »thereby gekenr.aoichnefc. that at least one of the electrodes r preferably the electrode consisting of the same material as the solid body to be coated with a protective layer, designed as a Löinlab ■ nozzle BAD ORIGINAL. 909830/0566 BATH ORIGINAL. 909830/0566 P 94 001P 94 001 7} Anordnung nach Anspruch 1 Ms» 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangs elektrode einer l*unkexient'J.ec ung am äußeren Ende eine relativ geringe räumliche Aus dehnung f beispielsweise eine spitzen- oder kugelförmige jltißbildung und die Gegenelektrode eine relativ gieße räumliche Ausdehnung, beispielsweise eine kegelstumpf-, teller- odur hohlkugelförmige Ausbildung aufweist.7} Arrangement according to claim 1 Ms »6, characterized in that the output electrode of a l * unkexient'J.ec ung at the outer end has a relatively small spatial expansion f, for example, a pointed or spherical jltissbildung and the counter electrode a relatively poured spatial Expansion, for example a truncated cone, plate or hollow spherical formation. 8} Anordnung nach Anspruch 1 bis 7f dadurch gekennzeichnet, daß in eineu evakuierbaren liezipienten jeweils zwei oder mehr gleichartige Elektroden in entsprechender v-eiee parallel angebracht sind.8} Arrangement according to claims 1 to 7 f, characterized in that two or more electrodes of the same type are attached in parallel in a corresponding v-shape in a liezipient which can be evacuated. 9) Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnetf daß die Stromzuführung der einzelnen Elektroden einer Parallel· reihe über eine einzige oder mehrere Durchführungen von außen in den Rezipientsn erfolgt.9) The assembly of claim 8, characterized in that the current supply for the individual electrodes of a parallel · series via a single multiple passages from the outside takes place in the Rezipientsn or. 10) Anordnung nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrodendüse aus einer isolierei.den Föhre mit ein««* e3.ektrisch leitenden Seele gebildet wirdo10) Arrangement according to claim 1, characterized in that an electrode nozzle made of an insulating pine with a «« * e3. electrically conductive soul is formed o 11} Anordnung nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekeimzeir· met,. daß die Einlaßdüsen zylinderfürmig oder kor π sch bildet sind.,11} Arrangement according to Claims 1 to 10, characterized in that it is germinated. that the inlet nozzles cylindrical or kor π sch forms are., 12} Anordnung nach Anspruch 1 bi.s 11, caduieh ^ daß ein zu behandelnder Gegenstand mittels einer Oaus;--halterung im Rezipienten gehalten wird«12} Arrangement according to claim 1 to 11, caduieh ^ that an object to be treated by means of an Oaus; - holder is held in the recipient " 13) Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet;, daß die Saughalterung gleichzeitig Elektrode isi,13) Arrangement according to claim 12, characterized; that the suction holder is also the electrode, 14) AnordnuKg nach Anspruch 1 bis 11, dadurch £;ekenuzelehnet daß ein zu behandelnder Festkörper elektrisch isoliert auf der Gegenelektrode gehalten oder mittels einer gesonderten isolierten Halterung in den i)ntlt.c ungsrauir ro* die Gegenelektrode £ebracWwird0 BAD 14) Arrangement according to claims 1 to 11, characterized in that a solid body to be treated is held in an electrically insulated manner on the counter-electrode or by means of a separate insulated holder in the i) ntlt.c ungsrauir ro * the counter-electrode is 0 BAD 909830/0566909830/0566 15) Anordnung nach Anspruch 1 bis 14» dadurch gekennzeichnet, daß der zu behandelnde Festkörper ein Halbleiterkörper, vorzugsweise aus Silizium* ist.15) arrangement according to claim 1 to 14 »characterized in that that the solid body to be treated is a semiconductor body, is preferably made of silicon *. 16) Anordnung nach Anspruch 1 bis 14 t dadurch gekennzeichnet, daß der zu behandelnde Festkörper eine Halbl'.eitüranordnung mit einem oder mehreren pn-Übergängen ist.16) Arrangement according to claim 1 to 14 t, characterized in that the solid body to be treated is a half-door arrangement with one or more pn junctions. 17} Anordnung nach Anspruch 1 bis 16? dadurch gekennzeichnet, daß das Medium trockener oder feuchter Saue:'stoff ist.1 7 } arrangement according to claim 1 to 16 ? characterized in that the medium of dry or moist sow: 'is substance. 18) Anordnung nach Anspruch 1 bis 16„ dadurch gekennzeichnet, W daß das Medium ein sauerstoffhaltiges Gas ocer eine gaeförmige Sauerstoffverbindung isto18) Arrangement according to claim 1 to 16 "characterized in that W that the medium is an oxygen-containing gas ocer a gaefiform oxygen compound 19) Anordnung nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet» daß das Medium Stickstoff ist.19) Arrangement according to claim 1 to 16, characterized in that » that the medium is nitrogen. 20) Anordnung nach Anspruch 1 bis I6f dadurch gekennzeichnet, daß das Medium stickstoffhaltiges Gas oder gasförmige Stickstoffverbindung isto20) Arrangement according to claim 1 to I6 f, characterized in that the medium is nitrogen-containing gas or gaseous nitrogen compound 21) Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem zu behandelnden Festkörper eine isolierte Blende,21) Arrangement according to claim 1, characterized in that an insulated screen in front of the solid to be treated, k beispielsweise eine Hingblende, geschaltet ist.k, for example, a Hingblende, is switched. 22) Anordnung nach Anspruch 1 bis 21» dadurch gekennzeichnet daß über eine Einlaßdüse vorzugsweise über ein« ale Elektrode ausgebildete Düse ein flüssiges Mittel allein oder als Zusatz zum gasförmigen Medium in den Rezipiente ι eingespritzt wird,22) arrangement according to claim 1 to 21 »characterized that via an inlet nozzle, preferably via an electrode, a liquid medium alone or as an additive to the gaseous medium in the recipient ι is injected, 23) Verfahren und Anordnung nach Anspruch 22 1 da lure Ii gekennzeichnet, daß das flüssige Medium so in ien Kezipien ;er eingebracht wird» daß es den zu behandelnden Festkörper benetzt.23) Method and arrangement according to claim 22 1, characterized in that the liquid medium is introduced into a Kezipien in such a way that it wets the solid to be treated. 5 Seiten Beschreibung ß BAD Original 5 pages description ß BAD Original Ii Seiten Patentansprüche 909830/0566 Ii pages of claims 909830/0566
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