DE1521094A1 - Method for doping a surface layer of semiconductor bodies - Google Patents
Method for doping a surface layer of semiconductor bodiesInfo
- Publication number
- DE1521094A1 DE1521094A1 DE19651521094 DE1521094A DE1521094A1 DE 1521094 A1 DE1521094 A1 DE 1521094A1 DE 19651521094 DE19651521094 DE 19651521094 DE 1521094 A DE1521094 A DE 1521094A DE 1521094 A1 DE1521094 A1 DE 1521094A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- doping
- silicon
- oxide layer
- electrolyte
- anodic oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 title claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims description 3
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
■■■"■■eiwrtrtPPetWPloration " WoiT.'^-von-Sieinens-Str. 50■■■ "■■ eiwrtrtPPetWPloration" WoiT. '^ - von-Sieinens-Str. 50
Pittsburgh, PA. ■Pittsburgh, PA. ■
PLA 65/8232 1521094PLA 65/8232 1521094
Verfahren zum Dotieren einer Oberflächenschicht von Halbleiterkörpern Method for doping a surface layer of semiconductor bodies
Für diese Anmeldung wird die Priorität der entsprechenden US-Anmeldung, Serial No. 5b:- 256, vom 28. April 1964 beansprucht.For this application, priority is given to the corresponding US application, serial no. 5b: - 256, claimed April 28, 1964.
Dünne Cxydschichten auf der Oberfläche von Halbleiterkörpern können für verschiedene Zwecke verwendet werden. Beispielsweise können sie als Oberflächenschutz oder als selektives Diaphragma dienen, um das Eindiffundieren von bestimmten spezifischen Verunreinigungen in den Halbleiterkörper zu verhindern. In der Oxydschicht enthaltenes Dotierungsmaterial kann jedoch in das Halbleitermaterial oinaiffundleren.Thin layers of oxide on the surface of semiconductor bodies can be used for various purposes. For example, they can be used as surface protection or as a selective diaphragm serve to prevent the diffusion of certain specific impurities to prevent in the semiconductor body. In the oxide layer contained doping material can, however, in the semiconductor material oinaiffundleren.
ο Die Gxydsohich.ten wurden bisher durch anodische Oxydation hergeco ο The Gxydsohich.ten were previously hergeco by anodic oxidation
steil?., wowed t bekannt, waren aber keine Elektrolyten zur anodischen ° Oxydation verfügbar, mit denen Phosphor in die Oxydschicht einge- _» lagert werden konnte, ohne daß durch die erforderlichen hohensteep?., wowed t known but were no electrolytes for anodic ° Oxidation available, with which phosphorus is incorporated into the oxide layer. _ »Could be stored without the required high
ο Forrni eruri;;.f;cpannungen Gasblasen entstanden. Erfindungsgemäß werden diese und auch andere Schwierigkeiten durch Verwenden eines geeig-ο Forrni eruri ;;. f ; tensions of gas bubbles formed. According to the invention, these and other difficulties are overcome by using a suitable
_ 1 _ BAD ORIGINAL_ 1 _ ORIGINAL BATHROOM
PLA 65/3252PLA 65/3252
neten Elektrolyten überwunden.Neten electrolytes overcome.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren einer überfläehen-r schicht von Halbleiterkörpern, insbesondere von halbleitendem Silizium, durch Diffusion aus einer die Dotierungssubctariz enthaltenden anodisch oxidierten Oberfläche und besteht darin, daß durch anodische Oxydation mittels einec Pyrophoophorsäure enthaltenden Elektrolyten Phosphor in die Gxydachicht eingelagert wird.The invention relates to a method for doping a surface area layer of semiconductor bodies, in particular of semiconducting silicon, by diffusion from one containing the doping sub-elements anodically oxidized surface and consists in that by anodic Oxidation by means of an electrolyte containing pyrophoric acid Phosphorus is stored in the Gxydachicht.
Da sich in dem neuen Elektrolyten keine Gasblasen bliüen, an denen Licht ges treut werden kann, werden nicht nur gute iiigenöchaf ten dor Cxydschichten ersielt, ccnuern es lülit sich auch das .'/achsen einer CxydGchicht,s.B. auf n-leiter;dem oiii^ium, durch Beieuji: öen aer Oberfläche steuern.Since no gas bubbles bloom in the new electrolyte, on which light can be streamed, not only are good connections between the oxide layers obtained, the axis of a oxide layer, sB on n-conductor; the oiii ^ ium, through Beieuji: to control the surface.
Der neue Elektrolyt ist eine Lesung von Pyrophosphorsäure in Tetrahydrofurfurylalkchol. Unter pyrophosphorsäure werden lüisohungen von verschiedenen Phosphorsäuren, deren stöchiome Irische Formel H1 P0 O7 ist, oder allgemein solche Kisehungen verstanden, die einen Anteil an Pp Or von mindestens 75 Gewichtsprozenten, vorzugsweise ungeführ 70 '$, enthalten. Ss wurde festgestellt, daI3 V/assergehalt die Reproduzierbarkeit der Ergebnisse ungünstig beeinflußt. Es .:ir.a daher vorzugsweise Säureanhydride mit einem PpO^-Anteil ν- η 78 % zuThe new electrolyte is a reading of pyrophosphoric acid in tetrahydrofurfuryl alcohol. Pyrophosphoric acid is understood to mean solutions of various phosphoric acids, the stoichiomous Irish formula of which is H 1 P 0 O 7 , or generally those solutions which contain at least 75 percent by weight of Pp Or, preferably about 70%. It was found that the water content had an unfavorable effect on the reproducibility of the results. Es.: Ir.a therefore preferably acid anhydrides with a PpO ^ proportion ν- η 78 %
verwenden.Der lyrophospharsäurciphalt der Lösung kann 2 bis 25 Vcx.<
b»j- <o
O tragen, vorteilhaft ist der Bereich zwischen 12 und 18 fo. AllgemeinThe lyrophospharic acid content of the solution can be 2 to 25 Vcx. <b »j- <o
Wear O, the range between 12 and 18 fo is advantageous. Generally
??gilt: Je höher der Anteil der Pyrophosphorsäure, desto größer ist der?? The following applies: The higher the proportion of pyrophosphoric acid, the greater the
v^ Phosphorgeha ■ t in aer entstehender. Oxydschicht.v ^ Phosphoreha ■ t arising in aer. Oxide layer.
°Die Pyrophosphorsäure kann nach einem herkömmlichen Vorfahren hergestellt werden. Es ist gebräuchlich, von handelsgängiger° The pyrophosphoric acid can be produced according to a conventional ancestor will. It is common to be more tradable
- 2 - Zi/Ar- 2 - room / ar
BAD OBiG'NAU BAD OBiG'NAU
PLA 65/8232PLA 65/8232
Phosphorsäure mit einem Gehalt von 105 $> PpC'K auszulohen, die ungefähr 42 io Pyrophocphorsäure enthält. Die Säuredichte wird gemessen und daraus die Menge Wasser bestimmt, die entfernt werden muß, um den Anteil der Pyro'phosphorsäure auf maximal 49 Gewichtsprozent zu erhöhen. Dann wird die vorher bestimmte Wassermenge abgedampft. Selbstverständlich können auch andere Verfahren angewendet werden.Auszulohen phosphoric acid with a content of 105 $> PPC 'K, which contains about 42 io Pyrophocphorsäure. The acid density is measured and the amount of water that has to be removed in order to increase the proportion of pyrophosphoric acid to a maximum of 49 percent by weight is determined from this. Then the previously determined amount of water is evaporated. Of course, other methods can also be used.
Cell eine genügend dicke Oxydschicht an bestimmten, beleuchteten Stellen aufgebracht v/erden, so liegt an dem unbeleuchteten Kalbleiter eine verhältnismäßig höbe-Spannung. Folglich ist es wichtig, daß das verwendete Halbleitermaterial, beispielsweise n-leitendes üjIizium, einen spezifischen Widerstand von mindestens 1 Ohm-cm oder größer, z.B. 10 bis 100 0hm-cm oder größer, 4iat. Wird die Seite des Halbleiterkörpers, auf der sich eine Oxydschicht bilden seil, so beleuchtet, daß das Li.:kt auf diese fällt und dann in. den Halbleiterkörper eindringt, so ist dessen Dicke für das Verfahren belanglos. Durchdringt das Licht jedoch zunächst den Halbleiterkörper und tritt dann an der zu oxydierenden Oberfläche aus, bzw. wird die Oberfläche von der Rückseite beleuchtet, so muß der Halbleiterkörper ve hältnismäßig dünn sein, beispielsweise 0,15 nun. ä Besonders geeignete Halbleiterkörper können mit einem Verfahren hergestellt werden, das in der U.S.-Patentschrift 3 129 061 beschrieben ist und mittels dem zfjei parallele Si-liziumdendrite, zwischen denen sich ein 0,05 tis 0,30 mm dickes einkristallines SiIiziumplättchen bildet, aus einer Schmelze gezogen wird. Derart hergestellte Siliziumkörper sind daher mit besonderem Vorteil zu verwenden, wenn die Abmessungen der Cxydschicht durch Beleuchten der Rückseite des Siiiziumplättchens, das trocken sein kann, gesteuertIf a sufficiently thick oxide layer is applied to certain, illuminated areas, there is a relatively high voltage on the non-illuminated caldera. Consequently, it is important that the semiconductor material used, for example n-conductive silicon, have a specific resistance of at least 1 ohm-cm or greater, for example 10 to 100 ohm-cm or greater, 4iat. If the side of the semiconductor body on which an oxide layer is formed is illuminated in such a way that the Li.:kt falls on it and then penetrates into the semiconductor body, its thickness is irrelevant for the process. However, if the light first penetrates the semiconductor body and then exits the surface to be oxidized, or if the surface is illuminated from the rear, the semiconductor body must be relatively thin, for example 0.15 now. etc. Particularly suitable semiconductor body can be prepared by a process which is described in U.S. Patent 3,129,061, and between which forms SiIiziumplättchen by means of the parallel zfjei Si liziumdendrite, a 0.05 tis 0.30 mm thick single-crystal from a Melt is drawn. Silicon bodies produced in this way are therefore to be used with particular advantage if the dimensions of the oxide layer are controlled by illuminating the rear side of the silicon wafer, which can be dry
werden seil. Diese durch eine Folie verbundenen Dendrite sind aber tbe rope. However, these dendrites connected by a foil are t
909830/1100909830/1100
- ; - * * BAD ORIGINAL Z,/Ar -; - * * BAD ORIGINAL Z , / Ar
PLA 65/8232PLA 65/8232
auch dann vorteilhaft zu verwenden,wenn die zu oxydierende Seite direkt beleuchtet wird. Ein Querschnitt senkrecht zur Hauptachse der Dendrite ähnelt in etwa einer Hantelform. Infolgedessen bilden die Dendrite mit dem Plättchen eine Mulde, in der eine geringe Menge Elektrolytflüssigkeit enthalten sein kann, die jedoch sehr klein ist und daher nur eine geringe Streuung des durchstrahlten Lichtes verursacht.also advantageous to use if the side to be oxidized is directly illuminated. A cross-section perpendicular to the main axis of the dendrite is roughly similar to a dumbbell shape. As a result, make up the dendrites with the platelets form a well in which a small amount of electrolyte fluid can be contained, but which is very large is small and therefore causes only a small amount of scattering of the transmitted light.
Wie schon bemerkt, enthält die gemäß- der Erfindung hergestellte Oxydschicht Phosphor und kann daher als Diffusionsquelle dienen. Dies wird-gemäß einer weiteren Erfindung vorteilhaft angewandt. Handelt es sich z.B. um einen Siliziumkörper, der mit einer Phos-As noted, the one made in accordance with the invention includes Oxide layer is phosphorus and can therefore serve as a diffusion source. According to a further invention, this is advantageously used. If, for example, it is a silicon body that is coated with a
. phor enthaltenden Oxydschicht versehen ist, so kann er einer Galliumatmosphäre ausgesetzt werden. Die Phosphorkonzentration in der Oxydschicht, die Temperatur des Siliziumkörpers und die Temperatur der Galliumquelle können so gewählt werden, daß das Diffusionsvermögen des Phosphors geringer ist, als das des Galliums, aber an der Oberfläche des Siliziumkörpers die Konzentration des Phosphors größer ist als die des Galliums. Da das Gallium unter diesen Diffusionsbedingungen tiefer in den Siliziumkörper eindiffundieren kann ,als der Phosphor, kann, wenn das Ausgangsmaterial n-leitendes Silizium ist, in einem einzigen Diffusionsverfahren eine doppelt diffundierte npn-Transistor-Struktur erreicht werden. Dieser Diffusionsprozeß kann in einem Ofen bei einer Temperatur von ungefähr 1000° bis 1250° C in einem Zeitraum von einer halben bis zu 20. Phoriferous oxide layer is provided, so it can be a gallium atmosphere get abandoned. The phosphorus concentration in the oxide layer, the temperature of the silicon body and the temperature the gallium source can be chosen so that the diffusivity of the phosphor is less than that of the gallium, but on The concentration of phosphorus on the surface of the silicon body is greater than that of gallium. Since the gallium under these diffusion conditions can diffuse deeper into the silicon body than the phosphorus, if the starting material is n-conductive Silicon is a double diffused npn transistor structure can be achieved in a single diffusion process. This diffusion process can be in an oven at a temperature of approximately 1000 ° to 1250 ° C for a period of half up to 20
■· Stunden durchgeführt werden. In einer zweiten Temperaturzone des-. selben Ofens wird Gallium bei einer Temperatur vcn 800 bis 950° G verdampft. Im allgemeinen ist die Tiefe der entstehenden pn-Ubergä,nge abhängig von der Diffusionszeit und läßt· sich beispielsweise zwischen zwei und 40/u oder mehr ändern.■ · hours to be carried out. In a second temperature zone of the-. In the same furnace, gallium is vaporized at a temperature of 800 to 950 ° G. In general, the depth of the resulting pn junctions is depending on the diffusion time and can be changed, for example, between two and 40 / u or more.
/ 909830/1100 / 909830/1100
- 4 - Zi/Ar '- 4 - room / ar '
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
PLA 65/8232PLA 65/8232
Ein Ausführungsbeispiel einer.Anordnung zur Durchführung der anodischen Oxydation von η-leitendem Silizium wird an Hand der Zeichnung beschrieben. Der Elektrolyt 12 befindet sich in dem Behälter 10, . der aus einem den elektrischen Strom nicht leitenden Material, beispielsweise Glas, Kunststoff oder Keramik, besteht. Die Scheibe 14 von üblicher Größe aus η-leitendem Silizium, dessen spezifischer Widerstand mindestens 1 Ohm-cm oder größer sein muß, ist auf einem nicht leitenden Träger 16 gelagert, der aus ähnlichem Material wie der Behälter 10 gefertigt sein kann.-Für das Oxydieren von p-leitendem Material ist keine untere Grenze des spezifischen Widerstandes erforderlich.- Um eine Streuung des Lichts in dem Elektrolyten zu vermeiden, werden die Höhe des Trägers 16 und die Elektrolytmenge so gewählt, daß die Oberseite 15 der Scheibe 14 nur we'nig unter die Oberfläche des Elektrolyten 12 zu liegen kommt; denn je dünner die durchstrahlte elektrolytische Schicht ist, um so weniger Licht wird in ihr gestreut. Die Elektrode 18 ist durch einen ohmschen Kontakt mit der Unterseite 15a dor Siliziumscheibe verbunden und an den positiven Pol der Gleichstromquelle 20 angeschlossen. Der ohmsche Kontakt wird dadurch hergestellt, daß ein Metall geringer Austrittjsarbeit, z.B. -Aluminium oder Zink, auf das Silizium aufgedampft und ein Leiter an dem Metallniederschlag angelötet wird. Eine zweite Elektrode 22, die beispielsweise aus Platin gefertigt ist, ist dicht über der Oberseite 15 der Siliziumscheibe in den Elektrolyten eingetaucht und an dem negativen Pol der Gleichspannungsquelle 20 angeschlossen. Schließlich ist über der Siliziumscheibe außer-An embodiment of an arrangement for carrying out the anodic Oxidation of η-conductive silicon is shown on the basis of the drawing described. The electrolyte 12 is located in the container 10,. made of a material that does not conduct electricity, for example, glass, plastic or ceramic. The disk 14 of usual size made of η-conductive silicon, its more specific Resistance must be at least 1 ohm-cm or greater is on one non-conductive support 16 stored, which is made of similar material as the container 10 can be made.-For oxidizing p-type Material, no lower limit of the specific resistance is required. - In order to allow scattering of the light in the electrolyte avoid, the height of the carrier 16 and the amount of electrolyte are chosen so that the top 15 of the disk 14 is only slightly below the surface of the electrolyte 12 comes to rest; than ever thinner the irradiated electrolytic layer is, the less light is scattered in it. The electrode 18 is an ohmic one Contact connected to the underside 15a of the silicon wafer and connected to the positive pole of the direct current source 20. Of the Ohmic contact is made by evaporating a low work function metal, e.g. aluminum or zinc, onto the silicon and soldering a conductor to the metal deposit. A second electrode 22, made for example of platinum, is just above the top 15 of the silicon wafer in the electrolyte immersed and connected to the negative pole of the DC voltage source 20. Finally, above the silicon wafer, there is
o halb des Elektrolyten eine Lichtquelle 24 angebracht, mit der örtlieh begrenzte Stellen der Siliziumscheibe beleuchtet werden können. ° Es können zwar verschiedenartige Lichtquellen verwendet werden; wird _» aber die zu oxydierende Oberfläche direkt beleuchtet, so erweist sicho half of the electrolyte a light source 24 attached, with the local limited areas of the silicon wafer can be illuminated. ° It is true that different types of light sources can be used; will _ »But the surface to be oxidized is directly illuminated, so it turns out
ο blaues Licht als am geeignetsten, da dieses nur wenige Mikron in Silizium eindringt. Wird die zu oxydierende Oberfläche jedoch vonο blue light as the most suitable as it is only a few microns in Silicon penetrates. However, if the surface to be oxidized is affected by
BAD ORiG1NAL - 5 - Zi/ArBATHROOM ORiG 1 NAL - 5 - room / ar
PLA 65/8232PLA 65/8232
der Rückseite her, bzw. so beleuchtet, daß zunächst der Silziumkörper durchstrahlt wird, verwendet man weißes ptier anderes Licht. Da die Raumbeleuchtung das Verfahren beeinflußt, kann die ganze Anordnung in ein lichtundurchlässiges Gehäuse eingeschlossen werden.the back, or illuminated so that first the silicon body is penetrated, white ptier other light is used. Since the room lighting affects the process, the whole Arrangement to be enclosed in an opaque housing.
Infolge der an die Elektroden angelegten Spannung fließt an den beleuchteten Stellen der Oberfläche der Siliziumscheibe ein Strom, dessen Flächendichte bei konstanter Spannung von der Lichtintensität abhängig ist. Die Phosphormenge, die in die Oxydschicht eingelagert wird, ist in dem Bereich von 3 bis 5 m A/cm im wesentlichen unabhängig von der Stromdichte. Im allgemeinen wird eine Lichtintensität von mindestens 4 Photonen pro Siliziumatom in der Siliz^iumoberfläche eingestrahlt, wenn auch das Zwanzigfache dieser Intensität verwendet werden kann. Von Vorteil ist eine möglichst schwache Lichtintensität, so daß alle injizierten Träger für das Wachsen der Oxydschicht verwendet werden können.As a result of the voltage applied to the electrodes flows to the Illuminated places on the surface of the silicon wafer generate a current, the areal density of which depends on the light intensity at constant voltage is dependent. The amount of phosphorus stored in the oxide layer is essentially independent in the range of 3 to 5 mA / cm on the current density. In general, a light intensity of at least 4 photons per silicon atom in the silicon surface irradiated, although twenty times this intensity can be used. The weakest possible light intensity is advantageous, so that all injected carriers can be used for growing the oxide layer.
Um eine Oxydschicht mittels anodischer Oxydation auf einer Scheibe aus η-leitendem Silizium herzustellen, wird-bei Verwenden von beispielsweise ungefähr 15 $> Pyrophosphorsäure in Tetrahydrofurfurylalkohol als Elektrolyt mittels der Spannungsquelle 20 eine Spannung von 150 V oder mehr an die Elektroden gelegt, und durch die Lichtquelle 24 wird die Siliziumscheibe an den Stellen, an denen die Oxydation stattfinden soll, mit blauem Licht bestrahlt. Unter diesen Bedingungen bildet sich nach, mindestens einer halben Stunde eine Oxydschicht von ungefähr 500 S. In zahlreichen Versuchen wurde ermittelt, daß pro Volt Pormierungsspannung ungefähr eine OxydschichtdiGke von 5 $ erreicht wird. Ein besonderer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß der neue Elektrolyt den Gebrauch hoher Formierungsspannungen zuläßt und daher dicke Oxydschichten hergestellt werden In order to produce an oxide layer by means of anodic oxidation on a disk made of η-conductive silicon, when using, for example, about 15 $> pyrophosphoric acid in tetrahydrofurfuryl alcohol as the electrolyte, a voltage of 150 V or more is applied to the electrodes by means of the voltage source 20, and through the With light source 24, the silicon wafer is irradiated with blue light at the points where the oxidation is to take place. Under these conditions, an oxide layer of about 500 S is formed for at least half an hour. In numerous tests it has been determined that an oxide layer thickness of about 5 $ is achieved per volt of formation voltage. A particular advantage of the invention is that the new electrolyte allows the use of high forming voltages and therefore thick oxide layers are produced
909830/1100909830/1100
- 6 - Zi/Ar- 6 - room / ar
BAD ORiGiNALBAD ORiGiNAL
PLA 65/8232PLA 65/8232
können. Es wurden Cxydschichten bis zu einer Dicke von ungefähr 3000 S mit einem PhosphorgeLalt bis zu etwa 23 Gewichtsprozentcan. There were layers of oxide to a thickness of approximately 3000 S with a PhosphorgeLalt up to about 23 percent by weight
2121
oder Konzentrationen bis zu ungefähr 4 x 10 Atome pro ecm hergestellt. or made concentrations up to about 4 x 10 atoms per cm.
Im f.Inenden werden einige mit dem beschriebenen Verfahren erzielte Ergebnisse wiedergegeben. Eine Scheibe aus η-leitendem Silizium der Gr"iSe 1 χ 2 cm wurde in einer Mischung von 9 Teilen Salpetersäure una einem Teil Pluorsäure eine Minute lang geätzt und anschließend nach dem beschriebenen Verfahren bei einer Elektrodenspannung von 100 V eine Oxidschicht von 500 8 Dicke aufgebracht, deren Analyse einen Phcsphorgehalt von 14 Gewichtsprozent ergab, .•.ufn-il'.mnn iiit einem Elektronenmikroskop zeigten, daß die Schicht dicht una frei von Fr-hlorn war, im Gegensatz zu den Oxydschiehten, die normalerweise entstehen, wenn der elektrolyt Blasen bildet. Mehrere derart oxydierte Siliziumscheiben wurden in einem mit Argon gefüllten Quarzrührenofen, in den zwei Temperaturzonen erzeugt werden können, auf ungefähr 1"75° C erhitzt. In der zweiten Temperaturzone von etwa 900° C wurde Gallium aus einem Behälter verdampft. In verschiedenen Versuchen wurden diese Bedingungen für Zeiträume von Λ 1 1/.2 bis 5 1/6 Stunden aufrechterhalten. Die Untersuchung der erhaltenen n-p-n-Strukturen ergab, daß in einer Siliziumscheibe, deren Oberfläche bei 100 V Elektrodenspannung oxydiert wurde, nach einer Lif:"usionszoit vcn 1 1/2 Stunden ein n+/pn-Übergang in einer Tiefe von -5,V/U und eir. n+p/n-Übergang in einer Tiefe von 4,77/U entstanden war. V/urdc dio Oxydschijhi mit einer Elektrodenspannung von 150 V aui'tT! bracht und betrug die Diffusionszeit 5 1/6 Stunden, so war der n+.-'pn-Üborgang in einer Tiefe von 6,52 /u und der n+p/n-Übergang in '. einer Tiefe von 9,o4/U.In the f. A disk of η-conductive silicon of size 1 χ 2 cm was etched for one minute in a mixture of 9 parts of nitric acid and one part of fluoric acid and an oxide layer of 500 8 thickness was then applied by the method described at an electrode voltage of 100 V , the analysis of which showed a phosphorus content of 14 percent by weight. • .ufn-il'.mnn ii with an electron microscope showed that the layer was dense and free from early glare, in contrast to the oxide layers that normally form when the electrolyte bubbles Several silicon wafers oxidized in this way were heated to approximately 1 "75 ° C. in a quartz stirring furnace filled with argon, in which two temperature zones can be generated. In the second temperature zone of about 900 ° C, gallium was evaporated from a container. In various experiments, these conditions were maintained for periods of Λ 1 1/2 to 5 1/6 hours. The investigation of the npn structures obtained showed that in a silicon wafer, the surface of which was oxidized at an electrode voltage of 100 V, an n + / pn transition at a depth of -5, V / U and eir. n + p / n junction at a depth of 4.77 / U was formed. V / URDC dio Oxydschijhi with an electrode voltage of 150 V aui 't T! applied and the diffusion time was 5 1/6 hours, the n + pn transition was at a depth of 6.52 / u and the n + p / n transition was at a depth of 9.04 / u.
809830/1100809830/1100
- 7 - Zi/Ar- 7 - room / ar
BADBATH
PLA. 65/8232PLA. 65/8232
Zahlreiche weitere Versuche wurden mit anderen erfindungsgemäßen Elektrolyten, die verschiedene Säurekonzentrationen in Alkohol aufwiesen und deren Verwendung daher verschiedene Phosphordotierungen zur Folge hatte, durchgeführt. Auch in diesen Versuchen wurden dichte Oxydschichten, deren Oberfläche beleuchtet worden war, auf n-leitendem ■ Silizium erzielt. Es ist klar ersichtlich, daß die, Eigenschaft des Elektrolyten,auch beim Verwenden hoher Formierungsspannungen keine Blasen zu bilden, einzigartig ist und dadurch dicke Oxydschichten durch anodische Oxydation hergestellt werden können.Numerous other attempts have been made with others according to the invention Electrolytes which had different acid concentrations in alcohol and their use therefore different phosphorus dopings resulted in carried out. In these experiments, too, dense oxide layers, the surface of which had been illuminated, were deposited on n-conducting ■ silicon achieved. It is clear that the 'property of Electrolytes, even when using high formation voltages, none Forming bubbles is unique and allows thick layers of oxide to be created by anodic oxidation.
P Aus den aufgeführten Ergebnissen des Diffusionsprozesses ist weiter ersichtlich, daß die Erfindung einen vorteilhaften Weg zeigt, Flächentransistoren herzustellen.P From the listed results of the diffusion process is further it can be seen that the invention shows an advantageous way of producing junction transistors.
Die Erfindung wurde hinsichtlich spezieller Bedingungen, Materialien und dergleichen beschrieben. Doch sollte dadurch die Erfindung nicht unnötig begrsnst sein. Beispielsweise kann der Elektrolyt auch zur -.nodisciien Oxydation von ρ-loitenüem Halbleitermaterial verwendet v/e.1·-:"/:-^ 5 wenr> «^cr die 3rfiadmig a;: ifeüd der anodischen Oxydation νOi' U--?.el ::e:ndc;;i '<;;-.ceriäl beschrieben wurde» Auch weitere Substitu- x'lo.-'^.i-i A'bäiiäir-ur.;. 5?; und dergleichen liegen innerhalb der Abgrenzung aer ZrfirKiuag* The invention has been described in terms of specific conditions, materials, and the like . However, the invention should not thereby be unnecessarily welcomed. For example , the electrolyte can also be used for nodisciien oxidation of ρ-loi tenüem semiconductor material. 1 · - "/ - ^ 5 wenr>« ^ cr the 3rfiadmig a;: ifeüd the anodic oxidation νOi 'U - ?. el :: e: ndc ;; i'<;; - described ceriäl. " Further substitu- x'lo .- '^. Ii A'bäiiäir-ur.;. 5 ?; and the like are within the definition of ZrfirKiuag *
1)±e '■'■■■ίΖί'.Ίϊ.νίβϋ-ϊ'ΛΖ-. 'ΐηά die dargestellten Merk/aale, Arbeitsvorgänge und Arr»7e.isu:;g-3r; >-tallen, soweit nicht vorbekannt, im einzelnen, ebetiSG ?.:'.β i-tire 1''''-^kirietionen uKtereicaiider, wertvolle erfinderische 1) ± e '■' ■■■ ίΖί'.Ίϊ.νίβϋ-ϊ'ΛΖ-. 'ΐηά the characteristics, work processes and arrangements shown, 7e.isu:; g-3r; > -tallen, if not previously known, in detail, ebetiSG?.: '. β i-tire 1''''- ^ kirietionen uKtereicaiider, valuable inventive
90S830/110090S830 / 1100
BAD 0RIG5NALBATHROOM 0RIG5NAL
Claims (5)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US361865A US3303070A (en) | 1964-04-22 | 1964-04-22 | Simulataneous double diffusion process |
| US363236A US3345275A (en) | 1964-04-28 | 1964-04-28 | Electrolyte and diffusion process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1521094A1 true DE1521094A1 (en) | 1969-07-24 |
Family
ID=27001456
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW39026A Pending DE1279664B (en) | 1964-04-22 | 1965-04-22 | Process for the production of a semiconductor body with zones of different conductivity types |
| DE19651521094 Pending DE1521094A1 (en) | 1964-04-22 | 1965-04-28 | Method for doping a surface layer of semiconductor bodies |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW39026A Pending DE1279664B (en) | 1964-04-22 | 1965-04-22 | Process for the production of a semiconductor body with zones of different conductivity types |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (2) | BE662913A (en) |
| DE (2) | DE1279664B (en) |
| GB (2) | GB1045514A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2754833A1 (en) | 1977-12-09 | 1979-06-13 | Ibm Deutschland | PHOSPHORUS DIFFUSION PROCESS FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS |
| US5911864A (en) * | 1996-11-08 | 1999-06-15 | Northrop Grumman Corporation | Method of fabricating a semiconductor structure |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2823149A (en) * | 1953-10-27 | 1958-02-11 | Sprague Electric Co | Process of forming barrier layers in crystalline bodies |
| BE547274A (en) * | 1955-06-20 | |||
| NL210216A (en) * | 1955-12-02 | |||
| DE1058634B (en) * | 1956-06-07 | 1959-06-04 | Ibm Deutschland | Gas diffusion process for manufacturing a transistor |
| US3070466A (en) * | 1959-04-30 | 1962-12-25 | Ibm | Diffusion in semiconductor material |
| GB951103A (en) * | 1959-06-23 | 1964-03-04 | Ass Elect Ind | Improvements relating to the production of unipolar transistors |
-
1965
- 1965-04-12 GB GB15464/65A patent/GB1045514A/en not_active Expired
- 1965-04-12 GB GB15465/65A patent/GB1045515A/en not_active Expired
- 1965-04-22 BE BE662913A patent/BE662913A/xx unknown
- 1965-04-22 BE BE662914A patent/BE662914A/xx unknown
- 1965-04-22 DE DEW39026A patent/DE1279664B/en active Pending
- 1965-04-28 DE DE19651521094 patent/DE1521094A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE662914A (en) | 1965-08-17 |
| BE662913A (en) | 1965-08-17 |
| DE1279664B (en) | 1968-10-10 |
| GB1045514A (en) | 1966-10-12 |
| GB1045515A (en) | 1966-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1032404B (en) | Process for the production of surface semiconductor elements with p-n layers | |
| DE1146982B (en) | Process for the production of semiconductor zones with a precise thickness between planar PN junctions in monocrystalline semiconductor bodies of semiconductor components, in particular three-zone transistors | |
| DE4126955C2 (en) | Process for the production of electroluminescent silicon structures | |
| DE2727557A1 (en) | METHOD FOR FORMATION OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE | |
| DE3123234C2 (en) | Process for making a pn junction in a group II-VI semiconductor material | |
| EP0590508B1 (en) | Removal of impurities and improvement of minority carriers life-time in silicon | |
| DE2513034A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING DOPED THIN SEMICONDUCTOR LAYERS | |
| DE2039381C3 (en) | Process for the production of a p-type gallium phosphide layer epitaxially grown on an n-type substrate from gallium phosphide | |
| DE2704413A1 (en) | A PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS IN WHICH A DOPING CONTAMINATION FROM A POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER IS DIFFUSED INTO AN UNDERLYING SINGLE CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL | |
| DE1024640B (en) | Process for the production of crystallodes | |
| DE1219121B (en) | Electroluminescent semiconductor luminous surface | |
| DE2131391A1 (en) | Electroluminescent semiconductor components | |
| EP0173642B1 (en) | Photoactive pyrite film, method for its preparation and application of such a pyrite film | |
| DE2621165A1 (en) | PROCEDURE FOR MAKING A METAL CONTACT | |
| DE2062041A1 (en) | Process for the production of semiconductors transited in solid solutions by epitaxy in the liquid phase, as well as light detectors and light-emitting devices containing these transitions | |
| DE2102897A1 (en) | Process for the simultaneous double diffusion of conductivity-determining interfering substances into a semiconductor substrate when manufacturing semiconductor components and integrated circuits | |
| DE1521094A1 (en) | Method for doping a surface layer of semiconductor bodies | |
| DE3882882T2 (en) | Method for producing a silicon structure on an insulator. | |
| DE2316520B2 (en) | Process for doping semiconductor wafers by diffusion from a layer applied to the semiconductor material | |
| DE2825387C2 (en) | Semiconductor light emitting element | |
| DE669992C (en) | Gear planing machine with a device for lifting and repositioning the tool at its stroke ends | |
| DE1619973C3 (en) | Process for the production of semiconductor material by deposition from the gas phase | |
| DE2923065A1 (en) | ELECTROLUMINESCENTS AND / OR LIGHT DETECTING DIODES AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE DIODES | |
| DE1129624B (en) | Method of manufacturing a drift transistor having a plaque-shaped semiconductor body with a resistance gradient along its thickness | |
| DE2013625A1 (en) | Process for the pre-deposition of foreign matter on a semiconductor surface |