DE1514829C3

DE1514829C3 - Optoelectronic coupling element

Info

Publication number: DE1514829C3
Application number: DE19651514829
Authority: DE
Inventors: James Robert Richardson; Merryman Jerry Dale Dallas; Tex. Biard (V.StA.)
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1964-06-29
Filing date: 1965-06-26
Publication date: 1976-09-02

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Koppelelement mit einer als Halbleiterdiode ausgebildeten Lichtquelle und einer mit dieser über ein dazwischenliegendes, optisch transparentes, elektrisch isolierendes Medium optisch gekoppelten, lichtempfindlichen Photodiode mit zwei durch einen gleichrichtenden PN-Übergang voneinander getrennten Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, von denen die erste im wesentlichen in die zweite eingebettet ist.The invention relates to an optoelectronic coupling element with a semiconductor diode Light source and one with this via an optically transparent, electrically insulating one in between Medium optically coupled, light-sensitive photodiode with two through a rectifying PN junction separate zones of opposite conductivity type, the first of which is essentially is embedded in the second.

Ein derartiges optoelektronisches Koppelelement ist in der Zeitschrift »electronics«, Volumen 36 vom 12. November 1963, S. 23 bis 27 beschrieben.Such an optoelectronic coupling element is in the magazine "electronics", volume 36 from November 12, 1963, pp. 23-27.

Bei dem bekannten optoelektronischen Koppelelement ist das zwischen der Lichtquelle und der Photodiode liegende transparente Medium ein Lichtleiter in Form eines Stabes, dessen Enden mit der Lichtquelle bzw. der lichtempfindlichen Photodiode verklebt sind.
Ein derartiges optoelektronisches Koppelelement bietet fertigungstechnisch erhebliche Schwierigkeiten und ist damit wesentlich teurer als ein in integrierter Technik ausgeführtes optoelektronisches Koppelelement, wie es beispielsweise in der DT-AS 11 30 535 beschrieben ist. Andererseits ist es bei dem zuletztgenannten optoelektronischen Koppelelement ein Nachteil, daß über das Halbleitermaterial zwischen Lichtquelle und lichtempfindlicher Photodiode störende kapazitive Kopplungen entstehen, so daß hochfrequente Wechselspannungssignale über derartige Koppelelemente nicht mehr einwandfrei übertragen werden können. In the known optoelectronic coupling element, the transparent medium lying between the light source and the photodiode is a light guide in the form of a rod, the ends of which are glued to the light source or the light-sensitive photodiode.
Such an optoelectronic coupling element presents considerable difficulties in terms of production engineering and is therefore significantly more expensive than an optoelectronic coupling element implemented using integrated technology, as is described, for example, in DT-AS 11 30 535. On the other hand, the last-mentioned optoelectronic coupling element has a disadvantage that disruptive capacitive couplings arise via the semiconductor material between the light source and the light-sensitive photodiode, so that high-frequency AC voltage signals can no longer be transmitted properly via such coupling elements.

Ausgehend vom beschriebenen Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Koppelelement anzugeben, welches einerseits hinsichtlich der übertragenen Lichtenergie einen hohen Wirkungsgrad besitzt und bei dem andererseits störende kapazitive Kopplungen vermieden sind.
Diese Aufgabe ist durch ein optoelektronisches Koppelelement der eingangs beschriebenen Art gelöst, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Photodiode eine als gut leitende elektrostatische Abschirmung dienende dritte Zone aufweist, welche die Oberfläche der zweiten Zone und die Oberfläche der darin eingebetteten ersten Zone überdeckt und den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die zweite Zone besitzt, und daß die Lichtquelle in unmittelbarer Nachbarschaft des gleichrichtenden Übergangs zwischen der ersten Zone und der dritten Zone der Photodiode angeordnet ist.Starting from the described prior art, the invention is based on the object of specifying an optoelectronic coupling element which, on the one hand, has a high degree of efficiency with regard to the transmitted light energy and, on the other hand, avoids disruptive capacitive couplings.
This object is achieved by an optoelectronic coupling element of the type described above, which is characterized in that the photodiode has a third zone serving as a good conductive electrostatic shield, which covers the surface of the second zone and the surface of the first zone embedded therein and the same Has conductivity type like the second zone, and that the light source is arranged in the immediate vicinity of the rectifying junction between the first zone and the third zone of the photodiode.

Das optoelektronische Koppelelement gemäß der Erfindung läßt sich so aufbauen, daß die Lichtquelle sehr nahe an der Photodiode liegt, so daß Lichtverluste weitgehend vermieden werden und diesbezüglich ein hoher Wirkungsgrad erreicht wird. Gleichzeitig wird durch die als elektrostatische Abschirmung dienende dritte Zone das Auftreten von störenden Kapazitäten weitgehend unterdrückt.The optoelectronic coupling element according to the invention can be constructed so that the light source is very close to the photodiode, so that light losses are largely avoided and, in this regard, a high efficiency is achieved. At the same time it is used as an electrostatic shield third zone the occurrence of disruptive capacities largely suppressed.

Weitere Einzelheiten der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche. Sie werden nachstehend an Hand eines in den Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigtFurther details of the invention are the subject of the subclaims. They are below on hand an embodiment shown in the drawing explained in more detail. It shows

F i g. 1 eine perspektivische Darstellung eines Ausführungsbeispiels der lichtempfindlichen Photodiode eines Koppelelements gemäß der Erfindung, teilweise im Schnitt,F i g. 1 shows a perspective illustration of an exemplary embodiment the light-sensitive photodiode of a coupling element according to the invention, partially on average,

F i g. 2 einen Schnitt längs der Linie 1-1 in Fig. 1, wobei zusätzlich die Lichtquelle des Koppelelements dargestellt ist,F i g. 2 shows a section along the line 1-1 in FIG. 1, with the light source of the coupling element is shown

F i g. 3 ein Ersatzschaltbild des Koppelelements gemaß F i g. 2,F i g. 3 shows an equivalent circuit diagram of the coupling element F i g. 2,

F i g. 4 einen Schnitt durch die Photodiode gemäß F i g. 1 längs der Linie 4-4 in dieser Figur,F i g. 4 shows a section through the photodiode according to FIG. 1 along the line 4-4 in this figure,

F i g. 5 eine Draufsicht auf die Photodiode gemäß F i g. 1 undF i g. 5 shows a plan view of the photodiode according to FIG. 1 and

Fig.6A, A' bis 6E, E' Schnitte durch die Photodiode in verschiedenen Phasen des Herstellungsprozesses.Fig. 6A, A 'to 6E, E' sections through the photodiode in different phases of the manufacturing process.

Gemäß F i g. 1 und 2 besitzt die lichtempfindliche Photodiode 16 des Koppelelements einen Grundkörper, der nachstehend als zweite Zone 60 bezeichnet ist, sowie eine Kathode, die nachstehend als erste Zone 62 bezeichnet ist. Die erste Zone 62 ist beim Ausführungsbeispiel N-leitend, etwa kreis- bzw. kreisscheibenförmig und im wesentlichen in die zweite Zone 60 einge-According to FIG. 1 and 2, the light-sensitive photodiode 16 of the coupling element has a base body, hereinafter referred to as second zone 60, and a cathode, hereinafter referred to as first zone 62 is designated. In the exemplary embodiment, the first zone 62 is N-conductive, approximately in the shape of a circular or circular disk and essentially in the second zone 60

bettet. Über den in einer Ebene liegenden Oberseiten der ersten und zweiten Zone — die zweite Zone ist P-leitend — liegt eine dritte Zone 64 in Form einer P-leitenden Schicht. Diese dritte Zone 64 wird durch Eindiffundieren von P-leitendem Material erzeugt, wobei vor Durchführung des Diffusionsvorganges eine Maske in Form eines schmalen Steges erzeugt wird, so daß unter dem Steg eine schmale Kanalzone 63 entsteht, der dort, wo der Steg über der ersten Zone 62 verläuft, N-leitend und dort, wo der Steg über der zweiten Zone 60 verläuft, P-leitend ist. Die N-leitende erste Zone 62 ist stärker dotiert als der Halbleiterkörper bzw. die zweite Zone 60, so daß die ursprüngliche P-Leitfähigkeit in der ersten Zone 62 in eine N-Leilfähigkeit überführt wird. Ähnlich wird die dritte Zone 64 stärker dotiert als der Halbleiterkörper bzw. die zweite Zone 60, wodurch die dritte Zone 64 über der ersten Zone 62 eine P-Leitfähigkeit erhält. Anschließend wird ein Material, das eine N-Leitfähigkeit zur Folge hat, selektiv in die Kanalzone 63 eindiffundiert, um eine engere Kanalregion 66 vom N-Typ zu erzeugen, welche innerhalb der Kanalzone 63 liegt, jedoch stärker als diese dotiert ist und einen niedrigeren Widerstand aufweist. Die Leitfähigkeit der Kanalregion 66 ist mit N + bezeichnet. Die Kanalregion 66 ist stärker dotiert, um die Abschnitte der Kanalzone 63 mit P-Leitfähigkeit in N-leitendes Material umzuwandeln und einen Gleichrichterübergang 67 zu bilden. Man erkennt, daß die N-leitende erste Zone 62 mit Ausnahme der Kanalzone 63 von dem P-leitenden Material der zweiten Zone 60 und der dritten Zone 64 umgeben ist. Zwischen der ersten Zone 62 und der dritten Zone 64 liegt ein gleichrichtender Übergang 65, während zwischen der ersten Zone 62 und der zweiten Zone 60 ein gleichrichtender Übergang 61 vorhanden ist. Dagegen entsteht kein gleichrichtender Übergang zwischen der P-ieitenden dritten Zone 64 und der zweiten Zone 60 sowie zwischen der Kanalregion 66 und der ersten Zone 62. so daß die Kanalregion 66 eine elektrische Verbindung zu der durch die erste Zone 62 gebildeten versenkten Kathode bildet., Es besteht jedoch ein gleichrichtender Übergang 67 zwischen der Kanalregion 66 und dem Halbleiterkörper bzw. der zweiten Zone 60, um einen Kurzschluß zwischen Anode und Kathode zu vermeiden. Auf die gesamte vorstehend beschriebene Anordnung wird eine Oxidschicht 68 aufgebracht. Anschließend wird ein kreisförmiger zentraler Bereich der Oxidschicht 68 wieder entfernt, und zwar derart, daß das Oberflächenstück 74 der P-leitenden dritten Zone 64, der über der N-leitenden ersten Zone 62 liegt sowie ein kreisringförmiger Teil 71 der dritten Zone 64 der die erste Zone 62 umgibt, freigelegt wird, mit Ausnahme eines Streifens 69, wo die Oxidschicht erhalten bleibt. Der Streifen 69 überdeckt die Kanalzone 63, die sich bis in die erste Zone 62 erstreckt. Danach wird auf der Oberseite der Oxidschicht 68 eine Elektrode 70 gebildet, die den kreisringförmigen Teil 71 der dritten Zone 64 überlappt und mit dieser in Kontakt steht. Die Elektrode 70 besitzt einen streifenförmigen Teil 72, der über der Kanalzone 63 liegt. Eine weitere Elektrode 73 wird auf dem äußersten Ende der N⁺- !eilenden Kanalregion 66 gebildet, die unter der Elektrode 70 hindurchläuft und die ebenfalls von der gleichen Oxidschicht 68 umgeben ist. Die Dicke der Oxidschicht 6S ist außer?: gering, daher können die Grenzen der Kanalzon- 63 und der Kanalregion 66, die unter der Elektrode 70 hindurchlaufen, neben der Elektrode gesehen werden. Die äußeren Grenzen der Kanaizone 63 und der Kanalregion 66 sind voneinander getrennt, um die Streukapazität zwischen der dritten Zone 64 und der Kanalregion 66 herabzusetzen. Dies bedeutet, daß die Kanalregion 66 mit ihren äußeren Grenzflächen an den P-leitenden Teil der Kanalzone 63 und mit ihrem Boden an dem Halbleiterkörper bzw. die zweite Zone 60 angrenzt, so daß dort ein gleichrichtender Übergang 67 entsteht. Die Kanalregion 66 ist somit von der stärker dotierten P-leitenden dritten Zone 64 getrennt. Die Kapazität eines gleichrichtenden Überganges ist umso größer, je stärker die Dotierung auf gegenüberliegenden Seiten desselben ist. Daraus erklärt sich die kleine Streukapazität des gleichrichtenden Übergangs 67 zwischen der Kanalregion 66 einerseits und dem P-leitenden Teil der Kanaizone 63 sowie der zweiten Zone 60 andererseits, und zwar im Vergleich zu der Kapazität, die sich ergeben würde, wenn man einen gleichrichtenden Übergang zwischen der N ⁺ -leitenden Kanalregion 66 und der stärker dotierten P-leitenden dritten Zone 64 herstellen würde.beds. A third zone 64 in the form of a P-conductive layer lies over the upper sides of the first and second zones lying in one plane - the second zone is P-conductive. This third zone 64 is created by diffusing P-conductive material, a mask in the form of a narrow ridge being created before the diffusion process is carried out, so that a narrow channel zone 63 is created under the ridge, which is where the ridge is above the first zone 62 runs, N-conductive and where the web runs over the second zone 60, P-conductive. The N-conductive first zone 62 is more heavily doped than the semiconductor body or the second zone 60, so that the original P-conductivity in the first zone 62 is converted into an N-conductivity. Similarly, the third zone 64 is more heavily doped than the semiconductor body or the second zone 60, as a result of which the third zone 64 is given a P conductivity above the first zone 62. Subsequently, a material which results in an N conductivity is selectively diffused into the channel zone 63 in order to produce a narrower channel region 66 of the N-type, which lies within the channel zone 63 but is more heavily doped than this and has a lower resistance having. The conductivity of the channel region 66 is denoted by N +. The channel region 66 is more heavily doped in order to convert the sections of the channel zone 63 with P-conductivity into N-conductive material and to form a rectifier junction 67. It can be seen that the N-conducting first zone 62, with the exception of the channel zone 63, is surrounded by the P-conducting material of the second zone 60 and the third zone 64. A rectifying junction 65 is located between the first zone 62 and the third zone 64, while a rectifying junction 61 is present between the first zone 62 and the second zone 60. In contrast, there is no rectifying transition between the P-conductive third zone 64 and the second zone 60 and between the channel region 66 and the first zone 62, so that the channel region 66 forms an electrical connection to the submerged cathode formed by the first zone 62., However, there is a rectifying transition 67 between the channel region 66 and the semiconductor body or the second zone 60 in order to avoid a short circuit between the anode and the cathode. An oxide layer 68 is applied to the entire arrangement described above. Subsequently, a circular central area of the oxide layer 68 is removed again in such a way that the surface piece 74 of the P-conductive third zone 64, which lies above the N-conductive first zone 62 and an annular part 71 of the third zone 64 of the first Surrounding zone 62 is exposed, with the exception of a strip 69 where the oxide layer is retained. The strip 69 covers the channel zone 63, which extends into the first zone 62. Thereafter, an electrode 70 is formed on the upper side of the oxide layer 68, which electrode overlaps the annular part 71 of the third zone 64 and is in contact therewith. The electrode 70 has a strip-shaped part 72 which lies above the channel zone 63. Another electrode 73 is formed on the outermost end of the N ⁺ -! Flowing channel region 66 which runs under the electrode 70 and which is also surrounded by the same oxide layer 68. The thickness of the oxide layer 6S is exceptionally small, so the boundaries of the channel zone 63 and the channel region 66 which pass under the electrode 70 can be seen adjacent to the electrode. The outer boundaries of the channel zone 63 and the channel region 66 are separated from one another in order to reduce the stray capacitance between the third zone 64 and the channel region 66. This means that the channel region 66 adjoins the P-conductive part of the channel zone 63 with its outer boundary surfaces and adjoins the semiconductor body or the second zone 60 with its bottom, so that a rectifying junction 67 is produced there. The channel region 66 is thus separated from the more heavily doped P-conductive third zone 64. The capacitance of a rectifying junction is greater, the stronger the doping on opposite sides of the junction. This explains the small stray capacitance of the rectifying junction 67 between the channel region 66 on the one hand and the P-conducting part of the channel zone 63 and the second zone 60 on the other hand, compared to the capacitance that would result if a rectifying junction between the N ⁺ -type channel region 66 and the more heavily doped P-type third zone 64 would produce.

Die erste Zone 62 ist nun im wesentlichen von P-leitenden Zonen umgeben und eingeschlossen, nämlich von der zweiten Zone 60 und der dritten Zone 64, und zwar mit Ausnahme der schmalen Kanalregion 66, die zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit der ersten Zone 62 bzw. der Kathode dient. Der streifenförmige Teil 72 der Elektrode 70 liegt über der Kanalzone 63 und der Kanalregion 66, um auch diese Teile der Halbleiterschaltung elektrostatisch abzuschirmen. Mit den Elektroden 70 und 73 sind Zuleitungen 75 bzw. 76 verbunden, wobei die Zuleitung 75 die Verbindung zu der Anode der Photodiode bildet und an eine Klemme 20 oder an Signalerde 44 angeschlossen ist. Die Zuleitung 76 ist mit der anderen Ausgangsklemme 19 der Photodiode verbunden und bildet die »heiße« Ausgangsklemme der Photodiode. Alle P-leitenden Zonen, welche die erste Zone 62 bzw. die Kathode umgeben, liegen also auf dem Potential der Signalerde 44, und zwar einschließlich der Elektrode 70 und wirken somit als ein elektrostatischer Schirm für die Kathode.The first zone 62 is now essentially surrounded and enclosed by P-conductive zones, namely of the second zone 60 and the third zone 64, with the exception of the narrow channel region 66 which serves to establish an electrical connection with the first zone 62 or the cathode. The strip-shaped one Part 72 of electrode 70 overlies channel zone 63 and channel region 66 to also cover these parts shield the semiconductor circuit electrostatically. With the electrodes 70 and 73 leads 75 and 76 connected, the lead 75 forming the connection to the anode of the photodiode and to a terminal 20 or to signal ground 44 is connected. The lead 76 is connected to the other output terminal 19 of the Photodiode connected and forms the "hot" output terminal of the photodiode. All P-conductive zones, which surround the first zone 62 or the cathode are therefore at the potential of the signal ground 44, and including electrode 70 and thus act as an electrostatic screen for the cathode.

Aus F i g. 2 der Zeichnung wird deutlich, daß der vorstehend beschriebenen lichtempfindlichen Photodiode eine Lichtquelle zugeordnet ist, die insgesamt mit dem Bezugszeichen 10 bezeichnet ist. Die Lichtquelle 10 ist mit der Photodiode 16 über ein dazwischenliegendes, optisch transparentes Medium 46 gekoppelt, welches gleichzeitig eine elektrische Isolation gewährleistet.From Fig. 2 of the drawing it is clear that the photosensitive photodiode described above a light source is assigned, which is designated as a whole by the reference numeral 10. The light source 10 is coupled to the photodiode 16 via an intervening, optically transparent medium 46, which at the same time electrical insulation is guaranteed.

Die Lichtquelle 10 ist eine Halbleiterdiode mit einer Kathodenzone 12, bestehend aus einer Halbleiterschicht eines ersten elektrischen Leitfähigkeitstyps, beispielsweise mit N-Leitfähigkeit, auf der durch Diffusion eine Anodenzone 11 mit P-Leitfähigkeit erzeugt ¹St, die von der Kathodenzone 12 durch einen aktiven gleichrichtenden PN-Übergang 15 getrennt ist. Die Lichtquelle weist einen planaren Aufbau auf und ist auf der einen Seite mit einer Oxidschicht 32 überzogen, die den PN-Übergang 15, dort wo er die Oberfläche durchsetzt, schützt. Die Anodenzone 11 und die Kathodenzone 12 sind mit zugeordneten Elektroden 34 bzw. 36 verbunden, die ihrerseits zu Eingangskiemmen 13 bzw. 14 (Fig. 3) des Koppelelements führen. Die lichtempfindliche Photodiode 16 ist auf der der Lichtquelle 10 abgewandten Seite des optisch transparenten Mediums 46 angeordnet.The light source 10 is a semiconductor diode with a cathode zone 12, consisting of a semiconductor layer of a first electrical conductivity type, for example with N conductivity, on which an anode zone 11 with P conductivity is generated by diffusion ¹ St, which is generated from the cathode zone 12 by an active rectifying PN junction 15 is separated. The light source has a planar structure and is coated on one side with an oxide layer 32 which protects the PN junction 15 where it penetrates the surface. The anode zone 11 and the cathode zone 12 are connected to associated electrodes 34 and 36, which in turn lead to input terminals 13 and 14 (FIG. 3) of the coupling element. The light-sensitive photodiode 16 is arranged on the side of the optically transparent medium 46 facing away from the light source 10.

F i g. 3 zeigt ein Ersatzschaltbild des optoelektronischen Koppeleiements gemäß F i g. 2. Man sieht, daß die Anodenzone Ii der als Lichtquelle 10 dienenden Halbleiterdiode mit einer Eingangsklemme 13 verbun-F i g. 3 shows an equivalent circuit diagram of the optoelectronic coupling element according to FIG. 2. You can see that the anode zone Ii of the semiconductor diode serving as light source 10 is connected to an input terminal 13

den ist, während die Kathodenzone 12 der Halbleiterdiode mit einer Eingangsklemme 14 verbunden ist, die an Erde 30 bzw. an einem ersten Bezugspotential liegt. Die Kathode 18 der lichtempfindlichen Photodiode 16 ist mit einer Ausgangsklemme 19 verbunden, während die Anode 17 der Photodiode 16 mit einer Ausgangsklemme 20 verbunden ist, welche wieder mit Erde 44 bzw. mit einem zweiten Bezugspotential verbunden ist. Zwischen den beiden Bezugspotentialen 30 und 44 liegt eine Kapazität 52, die einerseits mit der Kathode 12 der Lichtquelle 10 und andererseits mit der Anode 17 der Photodiode 16 verbunden ist. Die Kapazität 52, welche beispielsweise in der Größenordnung von etwa 4 Picofarad liegt, führt zu einer relativ hohen Impedanz zwischen den beiden Bezugspotentialen 30 und 40 und ist insofern hinsichtlich der Beeinflussung der Ausgangssignale des Photodetektors unkritisch.den, while the cathode zone 12 of the semiconductor diode is connected to an input terminal 14, the to earth 30 or to a first reference potential. The cathode 18 of the photosensitive photodiode 16 is connected to an output terminal 19, while the anode 17 of the photodiode 16 to an output terminal 20 is connected, which is again connected to ground 44 or to a second reference potential. Between the two reference potentials 30 and 44 is a capacitance 52, which on the one hand with the cathode 12 of the Light source 10 and on the other hand to the anode 17 of the photodiode 16 is connected. The capacity 52 which for example on the order of about 4 picofarads results in a relatively high impedance between the two reference potentials 30 and 40 and is insofar with regard to influencing the output signals of the photodetector is not critical.

Ohne die erfindungsgemäße Abschirmung wäre noch eine zweite Kapazität 50 zwischen der Kathode 12 der Lichtquelle und der Kathode 18 der Photodiode 16 vorhanden. Diese Kapazität ist gestrichelt eingezeichnet. Die Kapazität 50 stellt bei bekannten Koppelelementen, selbst wenn sie nur in der Größenordnung von etwa 1 Picofarad liegt, dagegen ein erhebliches Problem dar, da diese Kapazität das durch optische Strahlung λ übermittelte Nutzsignal ganz wesentlich beeinträchtigen kann, vor allem in empfindlichen Stromkreisen. Diese Kapazität ist aber bei dem Koppelelement gemäß der Erfindung praktisch vollständig ausgeschaltet. Ein geringfügiger Rest der Streukapazität 50, der gegebenenfalls noch vorhanden ist, liegt außerdem bei dem Koppelelement gemäß der Erfindung parallel zu der Kapazität 52. Damit liegen aber alle Streukapazitäten zwischen dem Erdpotential der Lichtquelle und dem Erdpotential der Photodiode. Der Widerstand der P-leitenden dritten Zone 64 über der ersten Zone 62 des Photodetektors 16 ist aber so gering, daß diese dritte Zone 64 praktisch einen elektrischen Kurzschluß darstellt und alle kapazitiv übertragenen Signale an die zweite Zone 60 und das Bezugspotential 44 für die Photodiode 16 ableitet.Without the shielding according to the invention, a second capacitance 50 would still be present between the cathode 12 of the light source and the cathode 18 of the photodiode 16. This capacity is shown in dashed lines. The capacitance 50 in known coupling elements, even if it is only of the order of about 1 picofarad, on the other hand represents a considerable problem, since this capacitance can significantly impair the useful signal transmitted by optical radiation λ, especially in sensitive electrical circuits. However, this capacitance is practically completely switched off in the coupling element according to the invention. A slight remainder of the stray capacitance 50, which may still be present, is also parallel to the capacitance 52 in the coupling element according to the invention. However, all stray capacitances are thus between the earth potential of the light source and the earth potential of the photodiode. The resistance of the P-conducting third zone 64 above the first zone 62 of the photodetector 16 is so low that this third zone 64 practically represents an electrical short circuit and all the capacitively transmitted signals to the second zone 60 and the reference potential 44 for the photodiode 16 derives.

Wegen des komplizierten Aufbaues der Photodiode werden im folgenden nochmals Einzelheiten an Hand der F i g. 4 und 5 erläutert, wobei F i g. 4 einen Schnitt durch die Photodiode nach F i g. 1 entlang der Linie 4-4 und F i g. 5 eine Draufsicht auf die Photodiode wiedergibt. F i g. 4 zeigt deutlich das Ende der schmalen Kanalzone 63 mit der darin liegenden engeren Kanalregion 66,· die durch Diffusion einer eine N-Leitfähigkeit erzeugenden Verunreinigung erzeugt ist, um so einen Kontakt zu der N-leitenden ersten Zone 62 herzustellen. Man sieht, daß die P-leitende dritte Zone 64 sich in die N-leitende erste Zone 62 erstreckt und diese mit Ausnahme einer engen Kanalzone 63 als geschlossene Schicht überdeckt. Die Elektrode 70, die auf der dritten Zone 64 aufgebracht ist, umgibt die erste Zone 62, erstreckt sich jedoch nicht über diese, sondern läßt eine zentrale Öffnung frei, in der ein Oberflächenstück 74 der dritten Zone 64 liegt, so daß die optische Strahlung die Photodiode treffen kann. Wie zuvor erwähnt, überdeckt der Streifen 72 der Elektrode 70 die Kanalzone 63, um so die elektrostatische Abschirmung der ersten Zone 62 mit der dritten Zone 64 und der zweiten Zone 60 zu vervollständigen. Wenn eine optische Strahlung von der Lichtquelle 10 die zentrale Öffnung trifft, dringt sie in die dritte Zone 64 über der ersten Zone 62 ein, wobei ein großer Teil des Lichtes in der Zone 64 absorbiert wird. Diese Zone ist jedoch hinreichend dünn, so daß die Paare von Elektronen und Löchern, die durch das absorbierte Licht erzeugt werden, innerhalb einer Diffusionslänge vom gleichrichtenden Übergang 65 zwischen der dritten Zone 64 und der erstenBecause of the complicated structure of the photodiode, details are given again below the F i g. 4 and 5, where F i g. 4 shows a section through the photodiode according to FIG. 1 along line 4-4 and F i g. Figure 5 shows a top view of the photodiode. F i g. 4 clearly shows the end of the narrow canal zone 63 with the narrower channel region 66 lying therein, which by diffusion of an N-conductivity generating impurity is generated so as to make contact with the N-type first region 62. It can be seen that the P-conducting third zone 64 extends into the N-conducting first zone 62 and this with it With the exception of a narrow channel zone 63 covered as a closed layer. The electrode 70 that is on the third Zone 64 is applied, surrounds the first zone 62, but does not extend over this, but leaves a central opening free, in which a surface piece 74 of the third zone 64 lies, so that the optical radiation the photodiode can hit. As previously mentioned, the strip 72 of the electrode 70 covers the channel zone 63, so as to provide the electrostatic shielding of the first zone 62 with the third zone 64 and the second zone 60 to complete. When optical radiation from the light source 10 hits the central opening, it penetrates into the third zone 64 above the first zone 62, with a large part of the light in the zone 64 is absorbed. However, this zone is sufficiently thin that the pairs of electrons and holes, generated by the absorbed light, within a diffusion length from the rectifying junction 65 between the third zone 64 and the first

Zone 62 vorhanden sind. Da der gleichrichtende Übergang 65 eine Fortsetzung des Übergangs 61 ist, ist das Sammeln der Ladungsträger an dem Übergang 65 zur Erzeugung eines Photostroms dem Sammeln an dem PN-Übergang 61 gleichwertig. Der größte Anteil des Lichtes, das in der dritten Zone 64 nicht absorbiert wird, wird dann in der ersten Zone 62 absorbiert, wo die dabei erzeugten Ladungsträger an einem der Übergänge 61 und 65 gesammelt werden.Zone 62 are present. Since the rectifying junction 65 is a continuation of the junction 61, that is Collecting the charge carriers at the junction 65 to generate a photocurrent and collecting them at the PN junction 61 equivalent. Most of the light that is not absorbed in the third zone 64 is then absorbed in the first zone 62, where the charge carriers generated thereby at one of the junctions 61 and 65 are collected.

In der Draufsicht nach F i g. 5 erkennt man die durchIn the plan view according to FIG. 5 you can see them through

'5 Diffusion hergestellte dritte Zone 64, die die gesamte Oberfläche der dritten Zone 60 bedeckt, mit Ausnahme der Kanalzone 63. Die Oxidschicht 68 überdeckt die Oberfläche der dritten Zone 64, ausgenommen eine zentrale kreisförmige Öffnung, in der das Oberflächenstück 74 der dritten Zone 64 freiliegt, sowie eine ringförmige Zone des dritten Bereiches 64, der das Oberflächenstück 74 umgibt, wobei jedoch der Streifen 69 der Oxidschicht 68 die Kanalzone 63 überdeckt. Oben auf der Oxidschicht 68 liegt die Elektrode 70, die ebenfalls eine zentrale Öffnung aufweist, innerhalb welcher das Oberflächenstück 74 liegt. Die Elektrode 70 reicht jedoch weiter nach innen als die Oxidschicht 68 und steht in Kontakt mit der dritten Zone 64. Auch die Elektrode 70 weist einen streifenförmigen Abschnitt 72 auf, der sich in die zentrale Öffnung erstreckt und über der Kanalzone 63 liegt. Innerhalb der Kanalzone 63 liegt die eindiffundierte N ⁺ -leitende Kanalregion 66, die in Kontakt mit der ersten Zone 62 steht. Die Elektrode 73 liegt am äußersten Ende der Kanalregion 66 an, und zwar außerhalb der Elektrode 70, wie dargestellt. Die Elektrode 70 weist Löcher 78, 79, 80 und 81 auf, die auf radial vom Mittelpunkt der zentralen Öffnung ausgehenden Linien liegen, so daß, wenn die Lichtquelle über der Photodiode liegt, diese durch Abzählen der Anzahl der Löcher in jeder Linie, die diese nicht überdeckt, zentriert werden kann. Wenn die Zahl der Löcher in jeder Linie gleich ist, dann ist die Lichtquelle zentriert.'5 Diffusion-produced third zone 64, which covers the entire surface of the third zone 60, with the exception of the channel zone 63. The oxide layer 68 covers the surface of the third zone 64, except for a central circular opening in which the surface piece 74 of the third zone 64 is exposed, as well as an annular zone of the third region 64, which surrounds the surface piece 74, but wherein the strip 69 of the oxide layer 68 covers the channel zone 63. On top of the oxide layer 68 lies the electrode 70, which likewise has a central opening within which the surface piece 74 lies. The electrode 70, however, extends further inward than the oxide layer 68 and is in contact with the third zone 64. The electrode 70 also has a strip-shaped section 72 which extends into the central opening and lies above the channel zone 63. ^{The diffused N +} -conducting channel region 66, which is in contact with the first zone 62, lies within the channel zone 63. The electrode 73 lies at the extreme end of the channel region 66, outside of the electrode 70, as shown. The electrode 70 has holes 78, 79, 80 and 81 which lie on lines extending radially from the center of the central opening so that when the light source is over the photodiode, it can be determined by counting the number of holes in each line which it not covered, can be centered. If the number of holes in each line is the same, then the light source is centered.

Es sei hervorgehoben, daß Lichtquelle und Photodiode im Zusammenhang mit integrierten Stromkreisen verwendet werden und Teile davon bilden können. Die Anwendung von integrierten Stromkreisen ist besonders vorteilhaft (vgl. DT-OS 15 14 830). In einem solchen Fall wird die Photodiode gewöhnlich gleichzeitig mit einem Verstärkerkreis für die Photodiode hergestellt. It should be emphasized that the light source and photodiode are used in connection with integrated circuits can be used and form parts thereof. The use of integrated circuits is special advantageous (see. DT-OS 15 14 830). In such a case, the photodiode usually becomes simultaneous made with an amplifier circuit for the photodiode.

Das Verfahren zur Herstellung der Photodiode ist in den F i g. 6A, A' bis 6E, E' veranschaulicht, wobei die F i g. 6A bis 6E Schnitte darstellen, die dem Schnitt nach F i g. 2 entsprechen (Linie 2-2), und die F i g. 6A' bis 6E' entsprechend F i g. 4 Schnitte entlang der Linie 4-4 wiedergeben. Zunächst wird in einen P-leitenden Halbleiterkörper (zweite Zone 60) eine Verunreinigung eindiffundiert, die eine N-Leitfähigkeit zur Folge hat. Die entsprechende erste Zone 62 ist von dem Grundkörper 60 durch einen aktiven PN-Übergang 61 getrennt (Fig. 6A, A'). Diese Diffusion wird in üblicher, photographischer Maskiertechnik durch ein Loch in einer Oxidschicht 90 durchgeführt. Während der Diffusion der Verunreinigung in dem Halbleiterkörper wird über der Öffnung in der Oxidmaske eine Oxidschicht gebildet, so daß sich eine vollständige Oxid-Schicht über dem Halbleiterkörper ergibt. Um der Klarheit Willen ist die während des Diffusionsprozesses gebilde-The method of manufacturing the photodiode is shown in FIGS. 6A, A 'to 6E, E' illustrate the F i g. 6A to 6E show sections which correspond to the section according to FIG. 2 (line 2-2), and FIGS. 6A ' to 6E 'according to FIG. Play 4 sections along line 4-4. First it is made into a P-type In the semiconductor body (second zone 60) an impurity diffuses in, which results in an N conductivity. The corresponding first zone 62 is separated from the base body 60 by an active PN junction 61 (Figures 6A, A '). This diffusion is in the usual, photographic masking technique through a hole in an oxide layer 90 performed. During the diffusion of the impurity in the semiconductor body An oxide layer is formed over the opening in the oxide mask, so that a complete oxide layer is formed results over the semiconductor body. For the sake of clarity, the

te Oxid-Schicht nicht dargestellt, so daß die öffnung in der Oxidmaske zu sehen ist. Nach der Herstellung der ersten Zone 62 wird eine weitere Oxidmaske 91 auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und derart bis auf einen Rest beseitigt, daß nur ein schmaler Streifen von Oxid auf dem Halbleiterkörper bleibt, der sich über ein Teil der zweiten Zone 60 und der ersten Zone 62 erstreckt. Dann wird eine Verunreinigung eindiffundiert, die eine dritte Zone 64 mit P-Leitfähigkeit ergibt — wie in F i g. 6B, B', dargestellt — die die erste Zone 62 umgibt, mit Ausnahme des maskierten Streifens. Dadurch wird ein gleichrichtender Übergang 65 zwischen der dritten Zone 64 und der ersten Zone 62 gebildet. Darauf werden, wie in F i g. 6C und 6C dargestellt, Oxidmasken 92 und 93 auf dem gesamten Halbleiterkörper mit Ausnahme des schmalen Streifens, der zuvor durch die Oxidschicht 91 maskiert war, aufgebracht. Darauf wird eine Verunreinigung zur Erzeugung einer N-Leitfähigkeit im Bereich des Streifens eindiffundiert, um so die hochdotierte N⁺-leitende Kanalregion 66 zu erzeugen, die sich in die erste Zone 62 erstreckt und mit dieser verbunden ist, die jedoch einen gleichrichtenden Übergang 67 mit der zweiten Zone 60 bildet. Während des Diffusionsprozesses bildet sich dann wiederum auf dem gesamten Halbleiterkörper eine Oxidschicht, aus der danach eine kreisringförmige Öffnung geschnitten wird, um ein kreisringförmiges Oberflächenstück der dritten Zone 64 gerade außerhalb der ersten Zone 62 freizulegen. Auch am äußersten Ende der Kanalregion 66 wird ein kleiner Teil des Oxids beseitigt. Dann wird eine Schicht von geeignetem Elektrodenmaterial, wie beispielsweise Aluminium, auf die gesamte Oberfläche aufgebracht, wobei die Metallschicht eine Verbindung mit dem kreisringförmigen Teil 71 der dritten Zone 64 und dem äußersten Ende der Kanalregion 66 eingeht, wie in F i g. 6D, 6D' dargestellt. Schließlich werden Teile der Metallschicht selektiv beseitigt, um die dritte Zone, die über der ersten Zone 62 liegt, mit Ausnahme des Streifens 72, der den Oxidstreifen 69 und die Kanalzone 63 überdeckt, freizulegen und um die Elektrode 70 elektrisch von der Elektrode 73 zu trennen, wie in F i g. 6E und 6E' dargestellt. Die Löcher 78, 79, 80 und 81 (nicht dargestellt) werden, sofern gewünscht, ebenfalls hergestellt.th oxide layer is not shown, so that the opening in the oxide mask can be seen. After the production of the first zone 62, a further oxide mask 91 is applied to the surface of the semiconductor body and removed, apart from a residue, that only a narrow strip of oxide remains on the semiconductor body, extending over part of the second zone 60 and the first Zone 62 extends. An impurity is then diffused in, which results in a third zone 64 with P conductivity - as in FIG. 6B, B ', which surrounds the first zone 62, with the exception of the masked strip. As a result, a rectifying junction 65 is formed between the third zone 64 and the first zone 62. As shown in FIG. 6C and 6C, oxide masks 92 and 93 are applied to the entire semiconductor body with the exception of the narrow strip which was previously masked by the oxide layer 91. An impurity for generating an N conductivity is then diffused in the region of the strip in order ^{to generate the highly doped N +} -conducting channel region 66, which extends into the first zone 62 and is connected to it, but which has a rectifying junction 67 the second zone 60 forms. During the diffusion process, an oxide layer is then again formed on the entire semiconductor body, from which an annular opening is then cut in order to expose an annular surface piece of the third zone 64 just outside the first zone 62. A small portion of the oxide is also removed from the extreme end of the channel region 66. A layer of suitable electrode material, such as aluminum, is then applied over the entire surface, the metal layer forming a bond with the annular portion 71 of the third zone 64 and the extreme end of the channel region 66, as shown in FIG. 6D, 6D 'shown. Finally, portions of the metal layer are selectively removed to expose the third zone overlying the first zone 62, with the exception of the strip 72 covering the oxide strip 69 and channel zone 63, and to electrically isolate the electrode 70 from the electrode 73 as in Fig. 6E and 6E 'shown. Holes 78, 79, 80 and 81 (not shown) are also made if desired.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 509 584/328For this purpose 2 sheets of drawings 509 584/328

Claims

Patent claims:

1. Optoelectronic coupling element with a light source designed as a semiconductor diode and one with this via an intervening, optically transparent, electrically insulating medium optically coupled, light-sensitive photodiode with two through a rectifying PN junction separate zones of opposite conductivity type, the first of which is im is essentially embedded in the second, d a characterized in that the photodiode (16) has a third zone (64) serving as a highly conductive electrostatic shield, which the Surface of the second zone (60) and the surface of the first zone (62) embedded therein and has the same conductivity type as the second zone (60) and that the light source (10) in the immediate vicinity of the rectifying junction (65) between the first zone (62) and the third zone (64) of the photodiode (16) is arranged.

2. Optoelectronic coupling element according to claim 1, characterized in that the third Zone (64) has an exposed surface patch (74) and is connected to a first electrode (70) is that a fourth having the opposite conductivity type as the third zone (64) Zone (channel region 66) is provided, a first part of which extends under the first electrode (70) and a second part of which is connected to a second electrode (73), and that the first zone (62) partially under a part of the fourth zone (channel region) also located under the first electrode (70) 66) lies and is in contact with her.

3. Optoelectronic coupling element according to claim 2, characterized in that the light source (10) is arranged so that the flowing in the forward direction over the semiconductor diode Electricity generated radiation straight onto the exposed patch (74) of the third zone (64) of the photodiode (16) falls.

4. Optoelectronic coupling element according to claim 3, characterized in that the light source (10) serving semiconductor diode has a semiconductor body made of gallium arsenide, the first zone (anode 11) is P-conductive and its second zone (cathode 12) is N-conductive and that the second Zone (cathode 12) between the first zone (anode 11) and the photodiode (16).