DE1514377C

DE1514377C - Method and device for determining the second breakdown of transistors when the reverse voltage is applied

Info

Publication number: DE1514377C
Authority: DE
Inventors: Peter Whitehouse Station N.J. Schiff (V.St.A.)
Original assignee: Radio Corporation of America
Current assignee: RCA Corp

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung des zweiten Durchbruchs von Transistoren bei angelegter Sperrspannung.The invention relates to a method and a device for determining the second breakthrough of transistors with applied reverse voltage.

Betreibt man einen Transistor mit einer stark induktiven Last, so tritt beim Sperren des Transistors eine Induktionsspannung auf, die entweder unmittelbar oder mittelbar über von ihr angeregte Schwingungen eine Beschädigung oder Zerstörung des Transistors hervorrufen können. Um Transistoren hiervor zu bewahren, ist für die Auslegung der Schaltung die Kenntnis der durch die Induktivität und den abzuschaltenden Strom bestimmten maximalen Energie erforderlich. Da sich jedoch die einzelnen Transistoren innerhalb des gleichen Typs unterscheiden können, empfiehlt es sich, diesen Energiebetrag für jeden Transistor individuell zu bestimmen.If a transistor is operated with a strongly inductive load, the transistor locks an induction voltage, which either directly or indirectly via vibrations excited by it damage or destruction of the transistor. To transistors here To preserve, for the design of the circuit, the knowledge of the inductance and the to be switched off is to be preserved Electricity certain maximum energy required. However, since the individual transistors can differ within the same type, it is advisable to use this amount of energy for to determine each transistor individually.

Ein Verfahren zur Bestimmung, wann der zweite Durchbruch auftritt, besteht darin, daß man zwischen Basis und Emitter des Transistors eine Sperrspannung anlegt und die Kollektorspannung allmählich steigert, bis auf einem Oszillographen das Eintreten des zweitene Durchbruchs sichtbar wird, worauf man die Kollektorspannung abschaltet. Bei diesem Verfahren ist jedoch im allgemeinen der Transistor meist schon zerstört, da eine solche nach einer Beobachtung durchgeführte Abschaltung nicht schnell genug erfolgt und der Transistor innerhalb weniger Mikrosekunden nach dem Zusammenbruch seiner Kollektorspannung bereits unbrauchbar wird. Ein weiterer Nachteil dieses Verfahren besteht darin, daß man aus einer solchen Messung keine unmittelbaren Angaben für die in einer induktiven Schaltung zulässigen Parameter erhält.One method of determining when the second breakthrough occurs is to look between A reverse voltage is applied to the base and emitter of the transistor and the collector voltage gradually increases, until the occurrence of the second breakthrough is visible on an oscilloscope, whereupon the collector voltage is measured turns off. In this process, however, the transistor is generally already in place destroyed because such a shutdown carried out after an observation does not take place quickly enough and the transistor within a few microseconds of its collector voltage collapse already becomes unusable. Another disadvantage of this method is that one such a measurement does not provide any direct information for the parameters permissible in an inductive circuit receives.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines Verfahrens, welches eine zerstörungsfreie Prüfung der Transistoren ermöglicht und gleichzeitig unmittelbar auf die Anwendung von Transistoren in induktiven Schaltungen bezogene Werte liefert. Außerdem soll die Bestimmung dieser Werte nicht eine besonders hohe Aufmerksamkeit des Prüfenden zur Voraussetzung haben, sondern nach einem anfänglichen Einschalten selbsttätig ablaufen.The object of the invention is to create a method which is non-destructive Testing of the transistors allows and at the same time directly to the application of transistors in provides values related to inductive circuits. In addition, the determination of these values is not intended a particularly high level of attention on the part of the examiner is a prerequisite, but rather after an initial one Switching on run automatically.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Prüfspannung über eine Induktivität an die im Lastkreis des Transistors liegenden Elektroden und eine Sperrspannung an seine im Steuerkreis liegenden Elektroden gelegt wird, daß dieser Sperrspannung Impulse periodisch überlagert werden, welche ihr entgegengesetzt sind und den Transistor leitend machen, daß die Prüfspannung allmählich erhöht wird und daß Störschwingungen, welche im Steuerkreis auftreten, wenn der zweite Durchbruch eintritt, zur Abschaltung der Prüfspannung vom Transistor ausgenutzt werden. Das automatische Abschalten der Prüfspannung läßt sich in einer Meßanordnung unter Zuhilfenahme der Störschwingungen als Anzeichen für den zweiten Durchbruch so schnell durchführen, daß noch keine Beschädigung des Transistors eintritt. Das Ansteigen der Prüfspannung läßt sich beispielsweise durch eine einfache Veränderung der Induktivität erreichen. Hierbei kann man unmittelbar den Induktivitätswert ablesen, der für den praktischen Anwendungsfall von größerer Bedeutung als der Wert der Spannung ist, bei welcher der zweite Durchbruch auftritt.According to the invention, this object is achieved in that a test voltage is applied via an inductance to the electrodes in the load circuit of the transistor and a reverse voltage to its in the control circuit lying electrodes is placed so that this reverse voltage pulses are periodically superimposed, which are opposite to it and make the transistor conductive so that the test voltage increases gradually and that disturbance oscillations that occur in the control circuit when the second breakthrough occurs, to switch off the test voltage from the transistor be exploited. The test voltage can be switched off automatically in a measuring arrangement with the help of the parasitic vibrations as an indication of the second breakthrough so quickly make sure that the transistor is not yet damaged. The increase in the test voltage lets can be achieved, for example, by simply changing the inductance. Here you can immediately read off the inductance value, which is of greater importance for the practical application than the value of the voltage at which the second breakdown occurs.

Um bei der Prüfung den Transistor möglichst wenig zu belasten, wählt man zweckmäßigerweise das Tastverhältnis (Impulsdauer zu Impulspause) der Impulse mit 5%>. Ferner sollen die Impulse eine kurze Abfallzeit haben, damit die Höhe der induzierten Spannung nicht durch die Impulsflanke, sondern möglichts ausschließlich durch die Schaltungsparameter bestimmt wird.In order to load the transistor as little as possible during the test, it is advisable to choose this Duty cycle (pulse duration to pulse pause) of the pulses with 5%>. Furthermore, the impulses should be short Have fall time so that the level of the induced voltage does not depend on the pulse edge, but rather is determined as possible exclusively by the circuit parameters.

Um zu verhindern, daß zufällig (beispielsweise während der Anstiegs- und Abfallflanken der Sättigungsimpulse) auftretende Störschwingungen eine Auslösung der Prüfeinrichtung zur Folge haben, kannTo prevent accidental (for example, during the rising and falling edges of the saturation pulses) Occurring interfering vibrations can trigger the test device

ίο der auf die beim zweiten Durchbruch im Steuerkreis des Transistors auftretenden Schwingungen ansprechende Schwingungsdetektor nur dann eingeschaltet werden, wenn die Prüfspannung einen vorbestimmten Wert erreicht hat.ίο the one on the second breakthrough in the control circuit of the transistor occurring vibrations responsive vibration detector only switched on when the test voltage has reached a predetermined value.

Ferner ist es günstiger, die Prüfspannung beim Auftreten des zweiten Durchbruchs dadurch vom Transistor abzuschalten, daß man seine im Lastkreis liegenden Elektroden kurzschließt, als wenn man die Spannungszuführung unterbrechen würde, da einFurthermore, it is more advantageous to reduce the test voltage when the second breakdown occurs Turn off the transistor so that you short-circuit its electrodes lying in the load circuit, as if you were the Power supply would interrupt because a

ao Kurzschluß schneller wirksam wird, so daß die Wahrscheinlichkeit einer Zerstörung des Transistors noch niedriger wird.ao short circuit takes effect faster, so that the probability destruction of the transistor becomes even lower.

Eine zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Vorrichtung kann zweck-A device suitable for carrying out the method according to the invention can be

»5 mäßigerweise so aufgebaut sein, daß im Lastkreis des Transistors eine Induktivität und eine Stromquelle liegen, von denen mindestens eine regelbar ist, daß im Steuerkreis eine Sperrspannungsquelle und ein Impulsgenerator angeordnet sind, daß mit dem Steuerkreis ferner ein Schwingungsdetektor verbunden ist, dessen Ausgangssignal eine die im Lastkreis liegenden Elektroden des Transistors kurzschließende Überbrückungsschaltung auslöst und den Impulsgenerator und die Stromquelle abschaltet.»5 should be set up in such a way that in the load circuit of the Transistor an inductance and a current source are, of which at least one is controllable that A reverse voltage source and a pulse generator are arranged in the control circuit that with the Control circuit also has a vibration detector connected, the output signal of which is one in the load circuit lying electrodes of the transistor short-circuiting the bypass circuit triggers and the pulse generator and switches off the power source.

Bei einer solchen Vorrichtung können die Skalen für die Einstellung der Induktivität und des Stromes bereits so kalibriert sein, daß sich an ihnen unmittelbar die Energie, bei welcher der zweite Durchbruch auftritt, ablesen läßt. Die Anordnung kann ferner so getroffen sein, daß beim Auftreten des zweiten Durchbruchs eine Signallampe aufleuchtet, welche den Durchbruch anzeigt.With such a device, the scales for setting the inductance and the current already be calibrated in such a way that the energy at which the second breakthrough can be found directly on them occurs, can be read. The arrangement can also be made so that when the second breakthrough occurs a signal lamp lights up, which indicates the breakthrough.

Man kann dafür sorgen, daß die Stromquelle nur während des Sättigungszustandes des zu prüfenden Transistors eingeschaltet ist.One can ensure that the current source is only used during the saturation state of the test Transistor is turned on.

Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen eines Ausführungsbeispiels näher beschrieben. Es zeigtThe invention is described in more detail below with reference to the representations of an exemplary embodiment. It shows

F i g. 1 den zeitlichen Verlauf der Kollektor-Emitter-Spannung beim zweiten Durchbruch,F i g. 1 shows the collector-emitter voltage as a function of time at the second breakthrough,

F i g. 2 ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Schaltung undF i g. 2 shows a block diagram of an exemplary embodiment of one for carrying out the invention Process suitable circuit and

F i g. 3 eine genauere Darstellung der Schaltung nach F i g. 2.F i g. 3 shows a more detailed representation of the circuit according to FIG. 2.

Wenn einem in Sperrichtung vorgespannten Transistor ein Gleichstrom aufgedrückt wird, wächst die an ihm liegende Spannung mehr oder weniger linear mit der Zeit, wie der Abschnitt α der Kurve nach F i g. 1 es darstellt, bis am Punkt b die am Transistor entstehende Spannung nicht mehr anwächst oder sogar abfallen kann, auch wenn der Strom noch erhöht wird. Der Punkt b wird als erster Durchbruchspunkt des Transistors bezeichnet. Wenn man den Strom weiterhin aufrechterhält oder noch vergrößert, gelangt man zu einem Punkt c, bei dem die Spannung am Transistor praktisch auf Null zusammenbricht, wie durch den Punkt d angezeigt ist. Der Punkt c istIf a direct current is impressed on a transistor biased in the reverse bias, the voltage applied to it increases more or less linearly with time, as is the section α of the curve according to FIG. 1 it represents until at point b the voltage developing at the transistor no longer increases or can even decrease, even if the current is still increased. Point b is referred to as the first breakdown point of the transistor. If one continues to maintain or increase the current, one arrives at point c, at which the voltage across the transistor collapses practically to zero, as indicated by point d . The point c is

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der sogenannte zweite Durchbruchspunkt. Danach ausgeschaltet wird, ist der Schwingungsdetektor 32 steigt die Spannung am Transistor, und es treten normalerweise abgeschaltet, so daß er nicht eher auf einige Perioden einer Hochfrequenzschwingung zwi- eine über die Leitung 30 kommende hochfrequente sehen Basis und Emitter des Transistors auf, was Störschwingung anspricht, bis beim Prüfvorgang die durch den mit e bezeichneten Teil der Kurve ange- 5 Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors 12 andeutet ist. Danach verläuft die Spannung am Transi- steigt. Dadurch wird eine Fehlanzeige eines zweiten stör konstant (Kurvenabschnitt /). Im Bruchteil einer Durchbruchs vermieden. Der Schwingungsdetektor 32 Mikrosekunde nach Auftreten der Schwingungen wird erst durch eine hohe Kollektorspannung einbei e wird ein Punkt h erreicht, bei dem viele Tran- geschaltet.the so-called second breakthrough point. Afterwards, the oscillation detector 32 rises, the voltage at the transistor rises, and it normally occurs, so that it does not tend to see a few periods of high-frequency oscillation between a high-frequency base and emitter of the transistor coming via line 30, which responds to parasitic oscillation until the 5 collector-emitter voltage of the transistor 12 is indicated by the part of the curve marked e. After that the tension runs on the transi- rises. As a result, a false indication of a second disturbance becomes constant (curve segment /). Avoided in a fraction of a breakthrough. The vibration detector 32 microsecond after the occurrence of the vibrations is only by a high collector voltage einbei e h a point is reached, connected with the many transit.

sistoren durch die örtlich stark konzentrierten, durch io Wenn der Transistor 12 beim Prüfvorgang durchsistors through the locally highly concentrated, through io If the transistor 12 through during the test process

sie hindurchfließenden Ströme zerstört werden, wie die Impulse des Prüfgenerators 20 gesättigt ist, istthe currents flowing through them are destroyed as the pulses of the test generator 20 is saturated

durch die gestrichelte Linie g angezeigt ist. Bei an- seine Impedanz niedrig, so daß auch die Spannungindicated by the dashed line g . At another, its impedance is low, so so does the voltage

deren Transistoren, die noch nicht zerstört sind, aber am Punkt 36, der die Verbindungsstelle der Zener-their transistors, which have not yet been destroyed, but at point 36, which is the junction of the Zener

beeinträchtigt sein können, bleibt die Spannung auf diode 16 und der Induktivität 14 darstellt, niedrig ist.may be affected, the voltage remains on diode 16 and the inductance 14 is low.

dem Niveau h, bis sie abgeschaltet wird oder der 15 Die Spannung am Punkt 36 steigt aber durch die inthe level h until it is switched off or the 15 The voltage at point 36 increases due to the in

Transistor schließlich zerstört wird. der Induktivität 14 induzierte Spannung an, wenn derTransistor will eventually be destroyed. the inductance 14 induced voltage when the

Die hochfrequente Störschwingung tritt zwischen Transistor 12 gesperrt wird. Diese Spannung gelangtThe high-frequency parasitic oscillation occurs between transistor 12 being blocked. This tension arrives

Basis und Emitter des in Sperrichtung vorgespannten über einen Strombegrenzungswiderstand 34 an denBase and emitter of the reverse biased via a current limiting resistor 34 to the

Transistors bei der Auslösung des zweiten Durch- Schwingungsdetektor 32 und, schaltet ihn zu einemTransistor upon triggering of the second through-oscillation detector 32 and, switches it to one

bruchs auf, und zwar einen .Bruchteil von einer ao Zeitpunkt ein, z. B. zur Zeit T₁ nach Fig. 1, der kurzbreak up, namely a .Bruchteil from an ao point in time, z. B. at time T _{1 of} FIG. 1, the short

Mikrosekunde vor der Zerstörung des Transistors. In nach dem Sperren des Transistors liegt. Durch eineMicroseconds before the transistor is destroyed. In lies after turning off the transistor. By a

den F i g. 2 und 3 ist eine Schaltung gezeigt, welche eingebaute Verzögerung bleibt der Schwingungs-the F i g. 2 and 3 a circuit is shown, which built-in delay remains the oscillation

die hochfrequenten Störschwingungen beim zweiten detektor 32 bis nach erfolgtem zweitem Durchbruchthe high-frequency disturbance vibrations in the case of the second detector 32 until after the second breakthrough has taken place

Durchbruch erfaßt und in Abhängigkeit von ihr eingeschaltet, etwa bis zur Zeit T₂ nach Fig. 1, wennBreakthrough detected and switched on as a function of it, approximately until time T _{2 of} FIG. 1, if

innerhalb so kurzer Zeit abschaltet, daß eine Be- 95 auch die Spannung am Punkt 36 inzwischen auf Nullswitches off within such a short time that a load 95 also reduces the voltage at point 36 to zero

Schädigung des Transistors vermieden wird. fällt. Wenn an der Basis des Transistors 12, währendDamage to the transistor is avoided. falls. When at the base of transistor 12 while

In F i g. 2 ist eine einstellbare Stromquelle 10 an die Spannung an der Verbindungsstelle 36 hoch ist, den Kollektor eines zu überprüfenden Transistors 12 eine Störung auftritt, dann liefert der Schwingungsüber eine einstellbare Induktivität 14 und eine hier- detektor 32 einen Impuls an den monostabilen Multimit in Reihe liegende Zenerdiode 16 angeschlossen, 30 vibrator 38, der seinerseits einen Impuls an eine während der Emitter des Transistors 12 an Erde liegt. zweite Klemmschaltung 40 abgibt. Die zweite Klemm-An die Basis des Transistors 12 wird von einer Span- schaltung 40 liegt zwischen dem Punkt 36 und Erde, nungsquelle mit der Spannung E—, die ebenfalls Ferner liegt eine Diode 42 in Sperrichtung über einen veränderbar sein kann, über einen einstellbaren Widerstand 44 zwischen dem Punkt 36 und der Widerstand 18 eine Sperrspannung geliefert. Ein Im- 35 Spannungsquelle E+ und verbindet den Punkt 36 mit pulsgenerator 20 ist über einen Regelwiderstand 22 der zweiten Klemmschaltung 40. Sie entkoppelt die an die Basis des Transistors 12 angeschlossen und Induktivität 14 von Kapazitäten der zweiten Klemmliefert mit einem Tastverhältnis von etwa 5% Impulse schaltung 40, welche sonst mit der Induktivität 14 in Durchlaßrichtung an die Basis des Transistors 12. einen Resonanzkreis bilden könnten. Die in der In-Die Amplitude dieser Impulse kann durch Verstellen 40 duktivität 14 gespeicherte und beim Sperren des des Widerstandes 22 eingestellt werden und reicht Transistors am Punkt 36 erscheinende Energie wird aus, um die Sperrspannung zu überwinden und den vollständig zum Transistor 12 geführt.
Transistor 12 in die Sättigung zu bringen. Die Im- Die zweite Klemmschaltung 40 kann ein Kurzpulse besitzen steile Rückflanken, damit der Transi- Schlußelement besitzen, welches den Kollektor und stör 12 plötzlich gesperrt wird und seine Kollektor- 45 Emitter des Transistors 12 überbrückt, nachdem der spannung wegen der Induktionsspannung plötzlich zweite Durchbruch erfolgt ist, bevor der Transistor ansteigt. , 12 zerstört oder beschädigt ist. Da jedoch die zweiteIn Fig. 2 is an adjustable current source 10 at the voltage at the junction 36 is high, the collector of a transistor 12 to be checked a fault occurs, then the oscillation via an adjustable inductance 14 and a detector 32 delivers a pulse to the monostable multimit lying in series Zener diode 16 connected, 30 vibrator 38, which in turn sends a pulse to a while the emitter of transistor 12 is connected to ground. second clamping circuit 40 outputs. The second terminal to the base of the transistor 12 is from a voltage circuit 40 between the point 36 and earth, voltage source with the voltage E—, which is also a diode 42 in the reverse direction can be variable via an adjustable Resistor 44 provided a reverse voltage between point 36 and resistor 18. An Im- 35 voltage source E + and connects point 36 with pulse generator 20 is via a variable resistor 22 of the second clamping circuit 40. It decouples the inductance 14 connected to the base of the transistor 12 and the capacitance of the second clamp with a duty cycle of about 5% pulses circuit 40, which could otherwise form a resonance circuit with the inductance 14 in the forward direction to the base of the transistor 12. Die A Resonantkreis kann der inductor 14 sein. The in-die amplitude of these pulses can be stored by adjusting 40 and adjusted when the resistor 22 is blocked, and when the transistor 22 is blocked, the energy appearing at point 36 is sufficient to overcome the blocking voltage and is completely fed to transistor 12.
Bring transistor 12 into saturation. The im- The second clamping circuit 40 can have a short pulse with steep trailing edges, so that the transi- final element, which suddenly blocks the collector and disturbance 12 and bridges its collector 45 emitter of the transistor 12 after the voltage suddenly breaks through because of the induction voltage occurred before the transistor rises. , 12 is destroyed or damaged. However, there the second

Der Ausgang einer ersten Klemmschaltung 26, die Klemmschaltung 40 im Kurzschlußfall und die DiodeThe output of a first clamping circuit 26, the clamping circuit 40 in the event of a short circuit and the diode

einen bistabilen Multivibrator enthalten kann, ist mit 42, wenn sie leitet, auch noch einen gewissen Wider-can contain a bistable multivibrator, at 42, if it conducts, there is also a certain resistance

dem Impulsgenerator 20 und mit einer Anzeigevor- 5» stand besitzen, ist die Zenerdiode 16 vorgesehen, diethe pulse generator 20 and 5 have "stand with a Anzeigevor-, the Zener diode 16 is provided, which

richtung 28 für den zweiten Durchbruch verbunden. diese Spannungsabfall aufnimmt.direction 28 connected for the second breakthrough. absorbs this voltage drop.

Die Klemmschaltung 26 schaltet den Impulsgenerator Wenn die zweite Klemmschaltung 40 leitend ist,The clamping circuit 26 switches the pulse generator. If the second clamping circuit 40 is conductive,

20 dann ein, wenn sie sich in ihrem Rückstell-Zustand gelangt über eine Leitung 46 ein Impuls an die erste20 when it is in its reset state, a pulse is sent to the first via a line 46

befindet. Im Einstell-Zustand liefert sie eine Span- Klemmschaltung 26 und bringt sie in den Einstell-is located. In the setting state, it supplies a clamping circuit 26 and brings it into the setting

nung an den Impulsgenerator 20, die dessen Schwin- 55 zustand. Dabei liefert sie ein Signal an die Anzeige-tion to the pulse generator 20, which its oscillation 55 state. It delivers a signal to the display

gung sperrt, und eine Spannung an die Anzeigevor- vorrichtung 28 und an den Impulsgenerator 20, dersupply blocks, and a voltage to the display device 28 and to the pulse generator 20, the

richtung 28, die etwa eine Lichtquelle sein kann und daraufhin keine Impulse mehr an die Basis des Tran-direction 28, which can be a light source and thereupon no more impulses to the base of the trans-

dann anzeigt, daß die Skalen der Stromquelle 10 und sistors 12 abgibt. Gleichzeitig wird über eine Leitungthen indicates that the scales of the current source 10 and sistor 12 emits. At the same time is via a line

der Induktivität 14 abzulesen sind. Ein Prüf- und 48 eine Spannung an die Stromquelle 10 geliefert,the inductance 14 can be read. A test and 48 a voltage is supplied to the power source 10,

Rückstellschalter 24 bewirkt in seiner Prüfstel- 60 welche dann abgeschaltet wird,Reset switch 24 causes in its test point 60 which is then switched off,

lung eine Rückstellung der ersten Klemmschal- Für die Prüfung stellt man den Schalter 24 in diement a reset of the first clamp. For the test, switch 24 is set to

tung 26. Prüfstellung, so daß die erste Klemmschaltung 26device 26. Test position, so that the first clamping circuit 26

Die an der Basis des zu überprüfenden Transistors rückgestellt wird. Der Schalter wird bis zur Beendi-12 beim zweiten Durchbruch auftretenden Stör- gung des Prüfvorganges in dieser Stellung belassen, schwingungen gelangen über eine Leitung 30 an einen 65 Unterdessen wird von Hand der Strom der Strom-Schwingungsdetektor 32. Da eine Störung an der quelle 10 und/oder die Induktivität 14 vergrößert, bis Basis des Transistors 12 auch auftreten kann, wenn die Anzeigevorrichtung anspricht. Nun wird der der Transistor durch den Impulsgenerator 20 ein- und Schalter 24 wieder freigegeben, und man kann dieWhich is reset at the base of the transistor under test. The switch will be open until the end of 12 with the second breakthrough, leave the fault in the test process in this position, Vibrations arrive via a line 30 to a 65. Meanwhile, the current is manually applied to the current vibration detector 32. Since a disturbance at the source 10 and / or the inductance 14 increases until Base of the transistor 12 can also occur when the display device responds. Now the the transistor by the pulse generator 20 on and switch 24 released again, and you can

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Skalen der Stromquelle 10 und der Induktivität 14 des Transistors Q17 ist über den Widerstand 78 mitScales of the current source 10 and the inductance 14 of the transistor Q 17 is via the resistor 78 with

ablesen. der Klemme 89 der Induktivität 14 verbunden. Einread off. connected to terminal 89 of inductance 14. A

Die Ablesung läßt diejenige Energie erkennen, bei Widerstand 80 und ein Potentiometer 82 liegen in der der zweite Durchbruch auftritt. Die Skalen kön- Reihe zwischen der Spannungsquelle E+ und der nen in Ruhe abgelesen werden, da ihre Anzeigen un- 5 Klemme 89 der Induktivität 14, wobei eine Zenerverändert bleiben, bis sie auf einen Mindestwert für diode 84 parallel zum Potentiometer 82 geschaltet ist. die nächste Prüfung zurückgestellt werden. Der Tran- Die Basis des Transistors β 17 ist mit dem Schleifer sistor wird durch den Kurzschluß seiner im Lastkreis des Potentiometers 82 verbunden. Der Emitter eines liegenden Elektroden vor einer Beschädigung be- Transistors Q16 ist geerdet, und sein Kollektor ist wahrt. Da der Schwingungsdetektor 32 nur dann, io über den Widerstand 64 mit der SpannungsquelleE+ wenn eine Sperrspannung am Transistor 12 anliegt, und über eine Diode 86 mit der Klemme 89 der Ineingeschaltet ist, sind Fehlanzeigen durch Störungen duktivität 14 verbunden. Die Basis des Transitors im Basis-Emitter-Kreis vermieden, die bei Anliegen β 16 liegt über einen Widerstand 88 an der Spaneiner Durchlaßspannung am Transistor auftreten nungsquelle E+ und ist ferner durch eine Leitung 48 können. Ferner ist dafür gesorgt, daß nach erfolgtem 15 mit dem Impulsgenerator 20 verbunden,
zweitem Durchbruch der Impulsgenerator 20 keine Die Stromquelle 10 hält den zur Induktivität 14 Impulse an den Transistor 12 liefert und daß die fließenden Strom konstant, sein Wert wird durch die variable Stromquelle 10 abgeschaltet ist, so daß keine Stellung des Schleiferarmes am Potentiometer 82 beweiteren Prüfspannungen mehr an den Transistor 12 stimmt. Der Spannungsabfall am Potentiometer 82 gelangen. ao wird durch die Zenerdiode 84 konstant gehalten. DerThe reading reveals the energy at which resistor 80 and a potentiometer 82 lie at which the second breakthrough occurs. The scales can be read at rest between the voltage source E + and the NEN, since their displays remain unchanged until they are switched to a minimum value for diode 84 in parallel with potentiometer 82. the next exam will be postponed. The tran- The base of the transistor β 17 is connected to the grinder transistor is connected by the short circuit of its in the load circuit of the potentiometer 82. The emitter of a lying electrode is protected from damage. Transistor Q 16 is grounded, and its collector is preserved. Since the vibration detector 32 is only switched on via the resistor 64 to the voltage source E + when a reverse voltage is applied to the transistor 12, and via a diode 86 to the terminal 89 of the In, false displays are connected by interference ductility 14. Avoid the base of the transistor in the base-emitter circuit, which occurs when β 16 is applied via a resistor 88 to the Spaneiner forward voltage on the transistor voltage source E + and is also through a line 48 can. Furthermore, it is ensured that after 15 is connected to the pulse generator 20,
second breakthrough of the pulse generator 20 none The current source 10 holds the inductance 14 pulses to the transistor 12 and that the flowing current is constant, its value is switched off by the variable current source 10, so that no position of the wiper arm on the potentiometer 82 further test voltages to the transistor 12 is correct. The voltage drop on potentiometer 82 will arrive. ao is kept constant by the zener diode 84. the

Um hohe Gleichstromverluste entweder beim Prüf- durch den Transistor β 17 fließende Strom wird gerät oder beim zu überprüfenden Transistor zu ver- durch die an seine Basis angelegte, vom Potentiomeiden, falls ein schadhafter oder kurzgeschlossener meter 82 abgegriffene Spannung bestimmt. Wenn der Transistor 12 als Prüfling vorliegt, wird die Strom- Schalter 54 offen ist, fließt der Strom über die Kolquelle 10 nur dann eingeschaltet, wenn der Tran- as lektor-Emitier-Strecke des Transistors β 19 und den sistor 12 sich im Sättigungszustand befindet. Dies wird in Reihe hiermit liegenden Widerstand 50 in die Indadurch erreicht, daß jedesmal dann, wenn am zu duktivität 14. Der dabei am Widerstand 50 entüberprüfenden Transistor 12 eine Durchlaßvorspan- stehende Spannungsabfall liegt zwischen Basis und nung anliegt, vom Impulsgenerator 20 über die Lei- Emitter des Transistors β 18. Wenn der Spannungstung 48 ein Einschaltsignal an die Stromquelle 10 ge- 30 abfall am Widerstand 50 größer als der am Widerliefert wird. Da das Tastverhältnis beim Impulsgene- stand 78 ist, wird der Transistor β 18 leitend und rator20 nur 5·/· beträgt, ist die Erwärmung auch steuert den Transistor β 19 zu, so daß der Strom dann gering, wenn ein Transistor mit einem Kurz- durch die Induktivität 14 begrenzt wird. Wenn der Schluß geprüft wird. Spannungsabfall am Widerstand 50 geringer als derIn order to avoid high direct current losses either when testing the current flowing through the transistor β 17 will be device or on the transistor to be checked by the potentiomeiden applied to its base, if a defective or short-circuited meter 82 determines the tapped voltage. If the Transistor 12 is present as the test object, the current switch 54 is open, the current flows through the Kolquelle 10 only switched on when the tran- as lektor-emitting path of the transistor β 19 and the sistor 12 is in the saturation state. This will result in resistor 50 in series with this in the Ind achieved that every time when on too ductility 14. The entüberprüfenden at the resistor 50 Transistor 12 has a forward bias voltage drop between base and voltage is applied, from the pulse generator 20 via the Lei emitter of the transistor β 18. When the voltage test 48 a switch-on signal to the current source 10 falls at the resistor 50 greater than that at the counter-supplied will. Since the pulse duty factor for the pulse item is 78, the transistor β 18 becomes conductive and rator20 is only 5 · / ·, the heating is also controls the transistor β 19, so that the current then low when a transistor with a short is limited by the inductance 14. If the Is finally checked. Voltage drop across resistor 50 is less than that

Ein genaueres Schaltbild des Prüfgerätes ist als 35 am Widerstand 78 ist, wird die Leitfähigkeit desA more accurate circuit diagram of the tester is as 35 is on resistor 78, the conductivity of the

Ausführungsbeispiel in F i g. 3 gezeigt. Transistors β 18 verringert und die Leitfähigkeit desEmbodiment in FIG. 3 shown. Transistor β 18 is reduced and the conductivity of the

Die Stromquelle 10 enthält einen Transistor β 19, Transistors Q19 erhöht, so daß der zur Induktivität dessen Kollektor mit der Spannungsquelle £+ und 14 fließende Strom vergrößert wird. Somit bestimmt dessen Emitter über einen Widerstand 50 mit einer die Schleiferstellung am Potentiometer 82 den Strom Klemme 89 der Induktivität 14 verbunden ist. Bei 40 in der Induktivität 14. Durch Schließen des Schalters allen Transistoren handelt es sich, sofern nicht andere 54 wird der Widerstand 52 parallel zum Widerstand Angaben gemacht werden, um NPN-Transistoren. 50 geschaltet, und der Strom in der Induktivität 14 wird Ein weiterer Widerstand 52 kann durch einen Schal- bei den verschiedenen Einstellungen des Schleifers am ter 54 parallel zum Widerstand 50 geschaltet werden. Potentiometers 82 mit einem Faktor multipliziert, der Die Basis des Transistors Q19 ist über einen Konden- 45 von der Größe der Widerstände 50 und 52 abhängt, sator 56, einen parallel hierzu liegenden Widerstand 58 Der Transistor β 20 und die mit seiner Basis ver- und ferner über die Reihenschaltung aus einem Wider- bundenen Elemente 68, 70 und 72 verhindern, daß stand 60, einer Diode 62 und einem weiteren Wider- die Spannung an der Klemme 89 zu hoch wird. Wenn stand 64, die parallel zum Widerstand 58 und zum sie einen bestimmten Maximalwert (z. B. 20 Volt) Kondensator 56 liegt, an die Spannungsquelle E+ ange- jo erreicht, ist der Transistor β 20 gesättigt und liefert schlossen. Die Basis des Transistors β 19 ist ebenfalls eine Sperrspannung an die Basis des Transistors β 19 über einen Widerstand 66 an den Kollektor eines über den Trennwiderstand 66, so daß der Strom Transistors β 20 angeschlossen, dessen Emitter mit durch den Transistor β 19 unterbrochen und somit Erde verbunden ist. Die Basis des Transistors β 20 ist die Spannung am Punkt 89 verringert wird. Die über einen Widerstand 68 mit Erde über einen Wider- 55 Zenerdiode 74 begrenzt jegliche Abklingspannungen stand 70 und eine Zenerdiode 72 an die Klemme 89 am Punkt 89, die durch die Spule 14 hergerufen werder Induktivität 14 angeschlossen. Eine zweite Zener- den können und größer als das gewünschte Maximum diode 74 liegt parallel zur Reihenschaltung aus der sind. Die Elemente 68, 70 und 72 arbeiten langsamer, Zenerdiode 72 und den Widerständen 68 und 70. Der um die Zenerdiode 74 gegenüber Strömen längerer Kollektor eines weiteren Transistors β 18 ist über den 60 Dauer zu schützen, die am Punkt 89 auftreten kön-Widerstand 58 an die Spannungsquelle £+ ange- nen. Ahnliches gilt für den Transistor β 16. Nachdem schlossen. Die Basis des Transistors Q18 ist über an seiner Basis eine positive Spannung vom Impulseinen Widerstand 76 mit dem Emitter des Transistors generator 20 über die Leitung 48 angelegt ist, arbeitet β 19 verbunden, und der Emitter des Transistors β 18 der Transistor β 16 als ein Kurzschluß und erdet die ist über einen Widerstand 78 an die Klemme 89 65 Basis des Transistors β 19 über die in Reihe geschalder Induktivität 14 angeschlossen. Der Kollektor teten Elemente 60 und 62. Dadurch wird der Traneines weiteren Transistors β 17 ist unmittelbar an die sistor β 19 gesperrt, und die Induktivität 14 erhält Spannungsquclle£- angeschlossen, und der Emitter keinen Strom mehr.The current source 10 contains a transistor β 19, transistor Q 19 increased, so that the current flowing to the inductance whose collector with the voltage source £ + and 14 is increased. Its emitter thus determines the current at terminal 89 of inductance 14 via a resistor 50 to which the wiper position on potentiometer 82 is connected. At 40 in inductance 14. By closing the switch, all transistors are NPN transistors, unless other 54 information is given to resistor 52 parallel to the resistor. 50 switched, and the current in the inductance 14 is switched. Potentiometer 82 multiplied by a factor, the base of the transistor Q 19 is 50 and 52 depends on a condensate 45 from the size of the resistors sator 56, a resistor 58 in parallel, lying The transistor 20 and the β comparable to its base and furthermore, via the series connection of a non-connected element 68, 70 and 72, prevent stand 60, a diode 62 and a further resistor, the voltage at terminal 89 from becoming too high. When 64, which is parallel to the resistor 58 and a certain maximum value (for example 20 volts) of the capacitor 56, is reached at the voltage source E + ange- jo, the transistor β 20 is saturated and supplies closed. The base of the transistor β 19 is also a reverse voltage to the base of the transistor β 19 via a resistor 66 to the collector of one via the isolating resistor 66, so that the current is connected to transistor β 20, the emitter of which is interrupted by the transistor β 19 and thus Earth is connected. The base of the transistor β 20 is the voltage at point 89 is reduced. The 55 Zener diode 74 limits any decay voltages to ground via a resistor 68 and a Zener diode 72 is connected to the terminal 89 at point 89, which is caused by the coil 14 inductance 14. A second Zener can and larger than the desired maximum diode 74 is parallel to the series circuit from the are. The elements 68, 70 and 72 work more slowly, Zener diode 72 and the resistors 68 and 70. The collector of a further transistor β 18, which is longer around the Zener diode 74 against currents, is to be protected for the duration that can occur at point 89 - resistor 58 to the voltage source £ +. The same applies to the transistor β 16. After closed. The base of the transistor Q 18 is connected via a positive voltage from the pulse of a resistor 76 to the emitter of the transistor generator 20 via the line 48, β 19 operates, and the emitter of the transistor β 18, the transistor β 16 as a one Short-circuit and grounds it is connected via a resistor 78 to the terminal 89 65 base of the transistor β 19 via the inductance 14 connected in series. The collector ended elements 60 and 62. As a result, the Tran of a further transistor β 17 is blocked directly to the transistor β 19, and the inductance 14 receives voltage source £ - connected, and the emitter no longer has any current.

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Der Schwingungsdetektor 32 enthält zwei Transi- vibrator 38 während der Störschwingungen in seinen stören β15 und β14, wobei der Emitter des Tran- stabilen Zustand zurückkehrt.The oscillation detector 32 contains two transibribrators 38 during the disturbing oscillations in its disturbing β15 and β14 , the emitter of the transient state returning.

sistors Q15 mit dem Kollektor des Transistors Q 14, Der monostabile Multivibrator 38 enthält zweisistor Q 15 to the collector of transistor Q 14, the monostable multivibrator 38 contains two

der Kollektor des Transistors β15 mit einer positiven Transistoren β13 und β12, von denen im stabilen Sammelleitung 90 und der Emitter des Transistors 5 Zustand der Transistor β12 nichtleitend und der (214 über die Parallelschaltung aus einem Widerstand Transistor β13 leitend ist. Durch einen an die Basis 92 und einem Kondensator 94 mit Erde verbunden des Transistors β12 gelieferten positiven Impuls wird ist. Ein Filterkondensator 96 kann zwischen die Lei- dieser leitend. Die Haltezeit hängt von der Größe des tung 90 und Erde geschaltet sein. Die Basis des mit dem Kollektor des Transistors β13 verbundenen Transistors β 15 ist über einen Widerstand 98 mit io Kondensators 118 ab. Eine zwischen Basis und Erde über die Reihenschaltung aus der Zenerdiode Kollektor des Transistors β 13 geschaltete Diode 120 100, der Diode 102 und dem Widerstand 34 mit dem verhindert, daß der Transistor β 13 in seinen Sätti-Verbindungspunkt 36 verbunden. Die Basis des Tran- gungszustand geht, wodurch der Multivibrator 38 sistors β 14 ist über eine Spule 106 an den Verbin- rascher auf einen vom Schwingungsdetektor 32 zugedungspunkt von zwei Widerständen 108 und 110 an- 15 führten Störungsimpuls ansprechen kann,
geschlossen, welche in Reihe zwischen der Leitung . Vom Kollektor des Transistors β 12 des mono-90 und Erde liegen. Die Basis des Transistors β 14 stabilen Multivibrators 38 wird ein Impuls an die ist ferner über einen Kondensator 112 und die Lei- zweite Klemmschaltung 40 geliefert, welche über die tung 30 um die Basis des zu überprüfenden Tran- Diode 42 einen Kurzschluß zwischen dem Punkt 36 sistors 12 angeschlossen. Ein Kondensator 114 liegt ao und Erde herstellt. Ein Transistor β11, der einen zwischen dem Emitter des Transistors β 14 und der Teil der zweiten Klemmschaltung 40 bildet, ist als Verbindungsstelle der Widerstände 108 und 110. Verstärker und Phasenumkehrstufe für den vomthe collector of the transistor β15 with a positive transistor β13 and β 12, of which in the stable bus 90 and the emitter of the transistor 5 state, the transistor β 12 is non-conductive and the (214 via the parallel connection of a resistor transistor β13 is conductive the base 92 and a capacitor 94 connected to ground of the transistor β 12. A filter capacitor 96 can be connected between the conductors. The hold time depends on the size of the device 90 and the ground The transistor β 15 connected to the collector of the transistor β13 is connected via a resistor 98 to the capacitor 118. A diode 120 100, the diode 102 and the resistor 34 connected between the base and earth via the series connection of the Zener diode collector of the transistor β 13 with the prevents that the transistor β 13 is connected to its saturation junction 36. The base of the tran- sition state goes, whereby the M ultivibrator 38 sistor β 14 is via a coil 106 to the connec- tor can respond to a disturbance pulse fed from the vibration detector 32 by two resistors 108 and 110 ,
closed which in series between the line. From the collector of the transistor β 12 of the mono-90 and earth lie. The base of the transistor β 14 stable multivibrator 38 is a pulse to which is also supplied via a capacitor 112 and the second clamping circuit 40 , which via the device 30 around the base of the tran diode 42 to be checked, a short circuit between the point 36 sistors 12 connected. A capacitor 114 is connected ao and establishes ground. A transistor β 11, which forms one between the emitter of the transistor β 14 and the part of the second clamping circuit 40 , is used as a junction of the resistors 108 and 110. Amplifier and phase inverter stage for the from

Über den Strombegrenzungswiderstand 34, die Multivibrator 38 gelieferten Impuls geschaltet. Ein Diode 102 und die Zenerdiode 100 wird an die Basis Transistor Q 10, welcher das Ausgangssignal des des Transistors β 15 ein Strom geeigneter Polarität »5 Transistors β 11 erhält, arbeitet als Stromverstärker und Größe geliefert, der ihn dann in den leitenden für den vom Transistor β 11 gelieferten Impuls. Der Zustand bringt, wenn die Spannung am Punkt 36, Kollektor eines Transistors β 8 ist über einen einwährend die induzierte Spannung am Kollektor des poligen Umschalter 122 und über die Diode 42 mit Transistors 12 liegt, auf einen vorbestimmten Wert dem Punkt 36 verbunden.-Der Emitter des Transistors ansteigt, z.B. auf den der ZeJtT₁ in Fig. 1 ent- 30 Q8 ist an Erde angeschlossen, und seine Basis ist sprechenden Wert. Durch die Zeitkonstante des über einen zweiten einpoligen Umschalter 124, der Widerstandes 98 und die Eigenkapazität des Tran- mit dem Schalter 122 gekuppelt ist, an den Emitter sistors β 15 wird der Transistor β 15 noch für eine des Transistors β 10 angeschlossen. Wenn also vom Zeitspanne leitend gehalten, nachdem die Spannung monostabilen Multivibrator 38 ein Impuls an die am Transistor 12 auf den tiefen Spannungswert d 35 zweite Klemmschaltung 40 geliefert wird und die ge-(Fig. 1) nach dem zweiten Durchbruch c gefallen kuppelten Schalter 122 und 124 sich in der in Fig. 3 ist, wodurch der Schwingungsdetektor 32 lange genug gezeigten Stellung befinden, wird der Transistor β 8 eingeschaltet bleibt, um die Spannung vom Tran- gesättigt und auf volle Leitfähigkeit gebracht, um sistor 12 abzuschalten. Diese Zeitspanne kann sich einen Kurzschluß zwischen dem Punkt 36 und der von der Zeit T₁ bis zur Zeit 7\, nach F i g. 1 erstrek- 40 Erde herzustellen, so daß die hohe Prüfspannung vom kcn. Folglich wird der Transistor β 15 nur dann lei- Transistor 12 abgeleitet wird. Da die an den Trantcnd, wenn eine hohe Spannung am Kollektor des sistor 12 angelegte Spannung schneller durch einen Transistors 12 erscheint, und der Schwingungsdetek- Kurzschluß als durch eine Unterbrechung des Prüftor 32 wird nur dann eingeschaltet, wenn eine Prüf- Stromkreises abgeschaltet werden kann, wird der spannung am Transistor 12 liegt. Eine zu anderen 45 Transistor 12 nicht beschädigt. Eine zwischen Kollek-Zeiten an der Basis des Transistors 12 auftretende tor und Emitter des Transistors 12 geschaltete Zener-Störung kann nicht den Schwingungsdetektor 32 zu diode 121 schützt den Transistor β 8 gegen größere einer Fehlanzeige auslösen. Spannungen als die eigene Durchbruchspannung, fallsVia the current limiting resistor 34, the multivibrator 38 supplied pulse is switched. A diode 102 and the Zener diode 100 is supplied to the base transistor Q 10, which receives the output signal of the transistor β 15 a current of suitable polarity »5 transistor β 11 , works as a current amplifier and variable, which then turns it into the conductive for the from Transistor β 11 supplied pulse. The state brings when the voltage at point 36, collector of a transistor β 8 is connected to a predetermined value at point 36 via a while the induced voltage is at the collector of pole changeover switch 122 and via diode 42 with transistor 12 The emitter of the transistor rises, for example to that of the time ₁ in FIG. 1. Q 8 is connected to earth, and its base is the corresponding value. By the time constant of a second single-pole changeover switch 124, the resistor 98 and the intrinsic capacitance of the tran- is coupled to the switch 122 , the transistor β 15 is connected to the emitter sistor β 15 for one of the transistor β 10. So if kept conductive from the period of time after the voltage monostable multivibrator 38 a pulse is delivered to the second clamping circuit 40 at transistor 12 to the low voltage value d 35 and the switched (Fig. 1) after the second breakdown c coupled switches 122 and 124 is in the position shown in FIG. 3, whereby the vibration detector 32 is located long enough, the transistor β 8 remains switched on in order to saturate the voltage from the transistor and bring it to full conductivity in order to switch off transistor 12. This period of time can be a short circuit between point 36 and that from time T ₁ to time 7 \, according to FIG. 1 to produce 40 earth, so that the high test voltage from the kcn. Consequently, the transistor β 15 is only derived from transistor 12. Since, when a high voltage at the collector of sistor 12 applied voltage appears at the Trantcnd faster by a transistor 12, and the Schwingungsdetek- short as by an interruption of the test port 32 is turned on only when a test circuit can be switched off, the voltage on transistor 12 is present. One to another 45 transistor 12 not damaged. A Zener disturbance that occurs between the collector times at the base of the transistor 12 and the emitter of the transistor 12 cannot trigger the oscillation detector 32 to diode 121 protects the transistor β 8 against a larger false indication. Voltages than own breakdown voltage, if

Wenn Störungsschwingungen, die eine Dauer von solche Spannungen am zu prüfenden Transistor 12 etwa ^l/io Mikrosekunde besitzen, an der Basis des 50 auftreten.When disturbance vibration having a duration of such stresses on the transistor to be tested 12 is about ^l / io microsecond, the 50 occur at the base.

Transistors 12 erscheinen, gelangt die Wechselstrom- Wenn es sich beim Transistor 12 um einen spezi-Transistor 12 appear, the alternating current If the transistor 12 is a special

komponente der Störung über die Leitung 30 und den eilen Hochspannungstransistor handelt, kann sich am Kondensator 112 an die Basis des Transistors β 14. Punkt 36 eine höhere Spannung aufbauen als die Wenn der Transistor β 15 im leitenden Zustand ist, Durchbruchsspannung des Kurzschlußtransistors β8. erscheinen die positiven Halbschwingungen der StO- 55 Aus diesem Grunde ist ein gesteuerter Hochspanrung in verstärkter Form am Emitter des Transistors nungs-Siliziumgleichrichter β 7 zum Kurzschließen β 14. Die Spannung am Emitter des Transistors β 14 eines solchen Hochspannungstransistors 12 vorgewird durch den Kondensator 94 gefiltert und an die sehen. Die Kathode des Gleichrichters β 7 ist mit der Basis des Transistors β 14 über den Kondensator 114 Erde, die Anode über den Schalter 122 (in dessen und die Spule 106 zurückgeführt. Alle weiteren Stör- 60 anderer Schaltstellung) und über die in Reihe liegende schwingungen werden der bereits am Widerstand 92 Diode 42 mit dem Punkt 36 und die Steuerelektrode bestehenden Spannung hinzuaddiert. Wenn am Wider- über einen Differenzierkreis 126 und über den Schalstand 92 eine Spannung erscheint, wird vom Emitter ter 124 (in dessen anderer Schaltstellung) an den des Transistors β 14 ein Impuls an den monostabilen Emitter des Transistors β 10 angeschlossen. Wenn Multivibrator 38 über eine Diode 116 geliefert, der 65 sich also die Schalter 122 und 124 in ihren anderen bewirkt, daß der monostabile Multivibrator 38 eine Schaltstellungen befinden, ist der Gleichrichter ß7 weitere Integration der zugeführten Störschwingungen leitend und bildet den Kurzschluß für einen Hochausführt. Die Diode 116 verhindert, daß der Multi- spannungs-Transistor 12. Wenn auch der Glcichrich-Component of the disturbance via the line 30 and the high-voltage transistor, can build up on the capacitor 112 at the base of the transistor β 14 point 36 a higher voltage than the breakdown voltage of the short-circuit transistor β8 when the transistor β 15 is in the conductive state. the positive half oscillations of the StO- 55 For this reason, a controlled high voltage in amplified form at the emitter of the transistor voltage silicon rectifier β 7 for short-circuiting β 14. The voltage at the emitter of transistor β 14 of such a high-voltage transistor 12 is filtered by the capacitor 94 and see them. The cathode of the rectifier β 7 is connected to the base of the transistor β 14 via the capacitor 114 earth, the anode via the switch 122 (in its and the coil 106. All other interference 60 other switch position) and the series of vibrations are added to the already existing at resistor 92, diode 42 with point 36 and the control electrode. If a voltage appears at the resistor via a differentiating circuit 126 and the switching status 92, a pulse is connected to the monostable emitter of the transistor β 10 from the emitter 124 (in its other switching position) to that of the transistor β 14. If the multivibrator 38 is supplied via a diode 116 , which means that the switches 122 and 124 are in their other positions, the monostable multivibrator 38 is in a switch position, the rectifier ß7 is conductive for further integration of the parasitic vibrations and forms the short circuit for a high-performance. The diode 116 prevents the multi-voltage transistor 12. Even if the rectifier

terß7 eine längere Zeit als der Transistor β 8 benötigt, um nach Anlegen einer Spannung an seine Steuerelektrode leitend zu werden, so werden zu überprüfende Hochspannungs-Transistoren 12 andererseits nicht so schnell nach dem zweiten Durchbruch zerstört wie Niederspannungs-Transistoren, so daß auch sie schnell genug abgeschaltet werden, ehe eine Beschädigung eintritt.terß7 takes a longer time than the transistor β 8, in order to become conductive after applying a voltage to its control electrode, so become checking high-voltage transistors 12, on the other hand, not so quickly after the second breakdown destroyed like low-voltage transistors, so that they too are switched off quickly enough before damage occurs.

Der gesteuerte Siliziumgleichrichter β 7 bleibt so lange leitend, bis die Spannung zwischen seiner Anode und Kathode entfernt wird. Um sicherzustellen, daß er rechtzeitig für den nächsten Prüfvorgang in den Sperrzustand gebracht wird, ist ein Relais 128 vorgesehen, dessen Kontakte parallel zur Anode und Kathode des Gleichrichters β 7 liegen und dessen Erregerspule zwischen der Sammelleitung 90 und dem Kollektor des Transistors Q 9 liegt. Wegen der langsamen Arbeitsweise und der langsamen Freigabe des Relais 128 wird der Gleichrichter β 7 durch den Transistor β 10 in Leitzustand gebracht und während einer Zeitspanne leitend gehalten, die zum Schutz des zu überprüfenden Transistors 12 ausreicht;, er kann trotzdem zur Vorbereitung des nächsten Prüfvorganges in Sperrzustand gebracht werden, indem das Relais 128 geschlossen wird und somit seine Anode und Kathode nach dem zweiten Durchbruch des zu prüfenden Transistors 12 kurzgeschlossen werden/The controlled silicon rectifier β 7 remains conductive until the voltage between its anode and cathode is removed. To ensure that it is locked in time for the next test, a relay 128 is provided, the contacts of which are parallel to the anode and cathode of the rectifier β 7 and the excitation coil of which is between the bus 90 and the collector of the transistor Q 9. Because of the slow operation and the slow release of the relay 128 , the rectifier β 7 is brought into the conductive state by the transistor β 10 and kept conductive for a period of time that is sufficient to protect the transistor 12 to be checked; it can still prepare for the next test process be brought into the blocking state by the relay 128 is closed and thus its anode and cathode are short-circuited after the second breakdown of the transistor 12 to be tested /

Die erste Klemmschaltung 26 kann ein üblicher bistabiler Multivibrator sein und ist deshalb nur als Block dargestellt. Sie liefert im Einstell-Zustand ein positives Potential und in ihrem Rückstellzustand ein negatives Potential. Wenn am Kollektor des Transistors β 11 der zweiten Klemmschaltung 40 ein Impuls erscheint, wird dieser über die Leitung 46 zu dem Einstelleingang des bistabilen Multivibrators geliefert, damit dieser eine positive Spannung an die Basis des Transistors β1 liefert. Der Transistor β 1 wird leitend, und der zwischen den Kollektor des Transistors Q1 und die Sammelleitung 90 geschaltete, beispielsweise als Lampe ausgebildete Anzeiger 28 zeigt an, daß der zu prüfende Transistor 12 kurzgeschlossen und der Prüfvorgang beendet ist und daß die Skala am Potentiometer 82 der einstellbaren Stromquelle 10 oder die Skala an der Induktivität 14 oder beide Skalen abgelesen werden müssen. Gewünschtenfalls kann die Lampe 28 diese Skalen beleuchten. Die an der Basis des Transistors β 1 auftretende Spannung wird über die Leitung 129 an den Impulsgenerator 20 geliefert. Wenn diese Spannung hoch oder positiv ist, kann der Impulsgenerator 20 keine Impulse an die Basis des Transistors 12 Hefern.The first clamping circuit 26 can be a conventional bistable multivibrator and is therefore only shown as a block. It supplies a positive potential in the setting state and a negative potential in its reset state. If a pulse appears at the collector of the transistor β 11 of the second clamping circuit 40, it is supplied via the line 46 to the setting input of the bistable multivibrator so that it supplies a positive voltage to the base of the transistor β1. The transistor β 1 becomes conductive, and the indicator 28 connected between the collector of the transistor Q 1 and the bus 90, for example designed as a lamp, shows that the transistor 12 to be tested is short-circuited and the test process has ended and that the scale on the potentiometer 82 the adjustable current source 10 or the scale on the inductance 14 or both scales must be read. If desired, the lamp 28 can illuminate these scales. The voltage occurring at the base of the transistor β 1 is supplied to the pulse generator 20 via the line 129. When this voltage is high or positive, pulse generator 20 cannot deliver pulses to the base of transistor 12.

Zur Vorbereitung des Prüfgerätes nach F i g. 3 für einen Prüfvorgang wird der Prüfschalter 24 aus seiner gezeigten Stellung nach links geschaltet, um den Rückstelleingang des bistabilen Multivibrators der ersten Klemmschaltung mit der Erde zu verbinden. Hierdurch liefert der bistabile Multivibrator eine niedrige oder negative Spannung an die Basis des Transistors Ql, wodurch dieser gesperrt und die Lampe 28 abgeschaltet wird. Diese niedrige Spannung wird ferner an den Impulsgenerator 20 geliefert, damit dieser Impulse von einem astabilen Multivibrator an die Basis des Transistors 12 gelangen läßt.To prepare the test device according to FIG. 3 for a test process, the test switch 24 is switched to the left from its position shown in order to connect the reset input of the bistable multivibrator of the first clamping circuit to earth. As a result, the bistable multivibrator supplies a low or negative voltage to the base of the transistor Ql, whereby the latter is blocked and the lamp 28 is switched off. This low voltage is also supplied to the pulse generator 20 so that it can pass pulses from an astable multivibrator to the base of the transistor 12.

Der Impulsgenerator 20 enthält einen üblichen astabilen Multivibrator 130, der vorzugsweise etwa zehn Impulse je Sekunde mit einem Tastverhältnis von etwa 5 % erzeugt. Wenn sich der Prüfschalter 24 in der in F i g. 3 gezeigten Stellung befindet, wenn also ein Element des astabilen Multivibrators 130 mit der Erde verbunden ist, kann der astabile Multivibrator 130 nicht schwingen. Wenn der Schalter 24 nach links geschaltet ist, kann er dagegen frei schwingen. Das Ausgangssignal des astabilen Multivibrators 130 wird auf die Basis eines Transistors β4 geführt. Der Transistor β 4 und ein Transistor QS sind als ίο Schmitt-Trigger geschaltet und liefern einen steilen Impuls an einen PNP-Transistor β 6, um diesen plötzlich zu sperren. Infolge des Tastverhältnisses des instabilen Multivibrators 130 ist der Transistor β 5 während 95°/o der Prüfzeit gesperrt. Der Transistor Q6 wird normalerweise durch die über eine Zener-. diode 132 an seinen Emitter gelieferte Sperrspannung in nichtleitendem Zustand gehalten, aber er wird leitend, wenn der Transistor β 5 leitend ist. Bei leitendem Transistor β 6 fließt der Strom von der posi-The pulse generator 20 contains a conventional astable multivibrator 130, which preferably generates about ten pulses per second with a duty cycle of about 5%. When the test switch 24 is in the position shown in FIG. 3 is the position shown, so if an element of the astable multivibrator 130 is connected to the earth, the astable multivibrator 130 can not oscillate. If the switch 24 is switched to the left, however, it can oscillate freely. The output signal of the astable multivibrator 130 is fed to the base of a transistor β4. The transistor β 4 and a transistor QS are connected as ίο Schmitt trigger and deliver a steep pulse to a PNP transistor β 6 to suddenly block it. As a result of the duty cycle of the unstable multivibrator 130 , the transistor β 5 is blocked during 95% of the test time. The transistor Q6 is normally powered by a zener. The reverse voltage supplied to its emitter by diode 132 is kept in the non-conductive state, but it becomes conductive when the transistor β 5 is conductive. When the transistor β 6 is conductive, the current flows from the positive

ao tiven Sammelleitung 90 über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors β 6 und über den Widerstand 22 zur Basis des Transistors 12, wobei die Sperrspannung überwunden wird, die von der Spannungsquelle E— an die Basis des zu prüfenden Transistors Ao tive bus 90 via the collector-emitter path of the transistor β 6 and via the resistor 22 to the base of the transistor 12, the reverse voltage being overcome, which is transmitted from the voltage source E to the base of the transistor to be tested

as 12 geliefert wird, so daß der Transistor 12 nunmehr gesättigt wird. Das bedeutet, daß die Transistoren β 5, β 6 und 12 alle gleichzeitig leitend oder nichtleitend sind. Der Transistor 12 wird durch die von der Spannungsquelle,.!?— an seine Basis gelieferte Spannung plötzlich gesperrt, wenn der Transistor β 6 in Sperrzustand gebracht wird, so daß eine hohe Prüfspannung in der Spule 14 induziert wird, die dann zwischen Kollektor und Emitter des Transistors 12 erscheint.as 12 is supplied, so that transistor 12 is now saturated. This means that the transistors β 5, β 6 and 12 are all conductive or non-conductive at the same time. The transistor 12 is suddenly blocked by the voltage supplied to its base by the voltage source of transistor 12 appears.

Immer wenn sich die erste Klemmschaltung 26 in ihrem Einstellzustand befindet, wird eine positive Spannung über die Leitung 129 zur Basis eines Transistors β 3 geliefert, der einen Teil des Impulsgenerators 20 bildet, wobei der Transistor β 3 leitend wird. Der Emitter des Transistors β3 ist mit Erde und der Kollektor mit dem Kollektor des Transistors β 4 verbunden, wodurch er, wenn er leitet, die zwischen Kollektor und Emitter des Transistors β 4 liegende Spannung kurzschließt, so daß der Transistorß4 nicht auf die ihm zugeführten Impulse ansprechen kann. Wenn sich also die erste Klemmschaltung 26 in ihrem Einstellzustand befindet, schwingt der astabile Multivibrator 130, wenn sich der Prüf- und Rückstellschalter 24 in seiner Prüfstellung befindet; der die Transistoren β4 und QS enthaltende Schmitt-Trigger ist jedoch abgeschaltet, die Transistoren β 5 und β 6 sind im Sperrzustand, und der Transistor 12 ist im nichtleitenden Zustand.Whenever the first clamping circuit 26 is in its setting state, a positive voltage is supplied via the line 129 to the base of a transistor β 3 which forms part of the pulse generator 20, the transistor β 3 becoming conductive. The emitter of the transistor β3 is connected to ground and the collector to the collector of the transistor β 4, whereby, when it conducts, it short-circuits the voltage between the collector and emitter of the transistor β 4, so that the transistor β4 does not respond to the pulses supplied to it can address. If the first clamping circuit 26 is in its setting state, the astable multivibrator 130 oscillates when the test and reset switch 24 is in its test position; However, the Schmitt trigger containing the transistors β4 and QS is switched off, the transistors β 5 and β 6 are in the off state, and the transistor 12 is in the non-conducting state.

Der Kollektor des Transistors β 3 ist ebenfalls mit der Basis eines Transistors β 2 über eine Diode und einem hiermit in Reihe geschalteten Widerstand verbunden, während der Emitter des Transistors β 2 mit der Erde und der Kollektor von β 2 über die Leitung 48 mit der Basis des Transistors β 16 und über den Belastungswiderstand 88 mit der Spannungsquelle E+ verbunden ist. Wenn daher der Transistor ß3 in den leitenden Zustand gebracht wird, wird der Transistor β 2 nichtleitend und der Transistor β 16 gesättigt, welcher zwischen der Basis des Transistors β 19 und Erde über den Widerstand 60, die Diode 62 und die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors β 16 einen Kurzschluß herstellt, wodurch die Stromquelle 10 abgeschaltet und der Strom durch dieThe collector of transistor β 3 is also connected to the base of a transistor β 2 via a diode and a resistor connected in series with it, while the emitter of transistor β 2 is connected to earth and the collector of β 2 via line 48 to the base of the transistor β 16 and is connected to the voltage source E + via the load resistor 88. If, therefore, the transistor β3 is brought into the conductive state, the transistor β 2 is non-conductive and the transistor β 16 is saturated, which is between the base of the transistor β 19 and earth via the resistor 60, the diode 62 and the collector-emitter path of the transistor β 16 produces a short circuit, whereby the current source 10 is switched off and the current through the

Induktivität 14 und damit zum Transistor 12 gesperrt ist.Inductance 14 and thus blocked to transistor 12 is.

Die Wirkungsweise der Schaltungen nach den F i g. 2 und 3 ist gleich. Im folgenden wird diese jedoch ausführlicher an Hand F i g. 3 beschrieben.The mode of operation of the circuits according to FIGS. 2 and 3 are the same. However, this is discussed below in more detail on hand F i g. 3 described.

Zur Prüfung eines Transistors 12 auf den zweiten Durchbruch wird seiner Basis die Sperrspannung von der Spannungsquelle E— über den Widerstand 18 zugeführt. Danach wird der Prüfschalter 24 von seiner rechten, in Fig. 3 gezeigten Stellung in die linke Stellung gebracht, wobei gleichzeitig die erste Klemmschaltung 26 rückgestellt wird, d. h., diese liefert eine negative Vorspannung an den Transistor β 1, so daß die Anzeigevorrichtung 28 abgeschaltet ist, und die erste Klemmschaltung 26 liefert eine negative Vorspannung an den Transistor β 3 und sperrt ihn damit. Die Umschaltung des Schalters 24 nach links entfernt ebenfalls ein Abschaltpotential vom astabilen Multivibrator 130, wodurch kurze positive Impulse mit steil abfallenden Rückflanken über die Transistoren β 4, β5 und β 6 an die Basis des Transistors 12 gelangen. Wenn der Transistor 12 leitet und die Strom-.·. quelle 10 durch den Impulsgenerator 20 eingeschaltet ist, bildet sich im Transistor allmählich ein Strom bis zu einer Grenze aus, die durch die Einstellung des Potentiometers 82 und des Schalters 54 bestimmt ist. Da der vom Impulsgenerator 20 an die Basis des Transistors 12 gelieferte Sättigungsimpuls steil abfällt, wird der Transistor 12 schnell durch die Spannungsquelle E— gesperrt.To test a transistor 12 for the second breakdown, the reverse voltage from the voltage source E— is fed to its base via the resistor 18. The test switch 24 is then moved from its right-hand position shown in FIG. 3 to the left-hand position, the first clamping circuit 26 being reset at the same time, that is to say, it supplies a negative bias voltage to the transistor β 1, so that the display device 28 is switched off , and the first clamping circuit 26 supplies a negative bias voltage to the transistor β 3 and thus blocks it. Switching the switch 24 to the left also removes a switch-off potential from the astable multivibrator 130, as a result of which short positive pulses with steeply falling trailing edges reach the base of the transistor 12 via the transistors β 4, β5 and β 6. When transistor 12 conducts and the current. ·. source 10 is switched on by the pulse generator 20, a current gradually forms in the transistor up to a limit which is determined by the setting of the potentiometer 82 and the switch 54. Since the saturation pulse supplied by the pulse generator 20 to the base of the transistor 12 drops sharply, the transistor 12 is quickly blocked by the voltage source E—.

Da der Transistor 12 jetzt hochohmig wird und der Strom in der Induktivität nicht sofort abnehmen kann, steigt die Kollektorspannung des Transistors 12 rasch an. Die Induktivität 14 sucht einen konstanten Strom aufrechtzuerhalten, der während einer Zeitspanne abklingt, die von der in ihr gespeicherten Energie und der Durchbruchsspannung des Transistors 12 abhängt. Der Wert dieser Energie ist bekannt, falls der Strom und die Induktivität bekannt sind. Wenn die an den Transistor 12 gelieferte Spannung nicht ausreicht, um den zweiten Durchbruch hervorzurufen, dann verläuft die Spannung am Transistor 12' von Null aufwärts längs der Kurve nach . Fig. 1, verschwindet aber, bevor sie den Punkt c erreicht. Die an den Transistor 12 gelieferte Energie kann durch Einstellen des Schleifers am Potentiometer 82 oder durch Vergrößern der Induktivität 14 oder durch beide Maßnahmen vergrößert werden, bis der zweite Durchbruch erfolgt. Der Schwingungsdetektor 32 wird durch die am Punkt 36 auftretende Induktionsspannung eingeschaltet, nachdem diese anzusteigen begonnen hat, also etwa zur Zeit T₁ nach Fig. 1.Since the transistor 12 now has a high resistance and the current in the inductance cannot decrease immediately, the collector voltage of the transistor 12 rises rapidly. The inductance 14 seeks to maintain a constant current which decays during a period of time which depends on the energy stored in it and the breakdown voltage of the transistor 12. The value of this energy is known if the current and inductance are known. If the voltage supplied to transistor 12 is insufficient to cause the second breakdown, then the voltage on transistor 12 'will follow the curve from zero upwards. Fig. 1, but disappears before it reaches point c. The energy supplied to the transistor 12 can be increased by adjusting the wiper on the potentiometer 82 or by increasing the inductance 14 or by both measures until the second breakthrough occurs. The vibration detector 32 is switched on by the induction voltage occurring at point 36 after this has started to increase, that is to say at about time T ₁ according to FIG. 1.

Der Schalter 24 wird in seiner linken Stellung gehalten, und die Spannung am Transistor 12 steigt an, bis eine hochfrequente Störschwingung an der Basis des Transistors 12 erscheint, die einen erfolgten zweiten Durchbruch anzeigt. Die hochfrequente Störschwingung wird über die Leitung 30 zum Schwingungsdetektor 32 geführt, und daraufhin bewirkt der Transistor β 8 einen Kurzschluß über dem Transistor 12. Gleichzeitig wird über die Leitung 46 eine Spannung geliefert, die die erste Klemmschaltung 26 einstellt, so daß diese eine positive Spannung an die Basis des Transistors β 1 liefert, der die Anzeigevorrichtung 28 einschaltet, so daß die Stellung des Schleifers am Potentiometer 82 und die Skala an der Induktivität 14 abgelesen werden können. Am Transistor β 3 erscheint eine positive Spannung, die verhindert, daß weitere positive Impulse an die Basis des Transistors 12 gelangen, und der Transistor β 19 wird gesperrt, damit kein weiterer Strom zum Transistor 12 fließen kann; damit ist der Transistor 12 gegen Anlegen einer weiteren hohen Prüfspannung geschützt.The switch 24 is held in its left position, and the voltage on transistor 12 rises, until a high-frequency parasitic oscillation appears at the base of transistor 12, the second that took place Indicates breakthrough. The high-frequency parasitic oscillation is transmitted via line 30 to the oscillation detector 32 out, and then the transistor β 8 causes a short circuit across the transistor 12. At the same time, a voltage is supplied via the line 46, which sets the first clamping circuit 26, so that this supplies a positive voltage to the base of the transistor β 1, which the display device 28 turns on, so that the position of the wiper on potentiometer 82 and the scale on the Inductance 14 can be read. A positive voltage appears at the transistor β 3, which prevents that more positive pulses reach the base of the transistor 12, and the transistor β 19 is blocked so that no further current can flow to transistor 12; thus transistor 12 Protected against the application of a further high test voltage.

Durch Schließen des Schalters 54 können höhere Prüfströme und damit höhere Prüfenergien an den zuBy closing the switch 54, higher test currents and thus higher test energies can be applied to the

ίο überprüfenden Transistor 12 geliefert werden. Wenn die Durchbruchsspannung des Transistors 12 größer als die des Transistors β8 ist, kann durch Umschalten der gekuppelten Schalter 122 und 124 der gesteuerte Siliziumgleichrichter β 7 als Kurzschlußelement an die Stelle des Transistors β 8 treten. Die Diode 134 ist zwischen den Punkt 36 und Erde geschaltet, um eine negativ gerichtete Spannung kurzzuschließen, die an den Transistor 12 infolge möglicher Abkling- oder Resonanzschwingungen der In-ίο checking transistor 12 are supplied. When the breakdown voltage of transistor 12 is greater than that of transistor β8 can be switched over the coupled switches 122 and 124 of the controlled silicon rectifier β 7 as a short-circuit element take the place of the transistor β 8. The diode 134 is connected between the point 36 and earth, to short circuit a negative going voltage applied to transistor 12 as a result of possible Decay or resonance vibrations of the in-

ao duktivität 14 gelangen könnte.ao ductility 14 could reach.

Vorstehend wurde nur die übliche Emittergrundschaltung eines zu prüfenden Transistors beschrieben. Da jedoch die hochfrequente Störschwingung an der Steuerelektrode beim zweiten Durchbruch bei jederOnly the usual basic emitter circuit of a transistor to be tested has been described above. However, since the high-frequency parasitic oscillation on the control electrode at the second breakthrough in each

»5 Schaltung des zu überprüfenden Transistors auftritt, kann die beschriebene Prüfvorrichtung auch für andere Schaltungsarten verwendet werden. Durch Umkehr der verwendeten Transistortypen und durch Umkehr der Polaritäten., der verschiedenen Spannungsquellen lassen sich negative Prüfspannungen an einen zu prüfenden PNP-Transistor 12 statt an den gezeigten NPN-Transistor legen.»5 switching of the transistor to be checked occurs, the test device described can also be used for other types of circuit. Through Reversal of the transistor types used and, by reversing the polarities, of the various voltage sources negative test voltages can be applied to a PNP transistor 12 to be tested instead of the place shown NPN transistor.

Claims

Patent claims:

1. Procedure for determining the second breakdown of transistors when applied Reverse voltage, characterized in that a test voltage via an inductance (14) to the electrodes in the load circuit of the transistor (12) and a reverse voltage its electrodes located in the control circuit is placed so that this reverse voltage pulses periodically are superimposed, which are opposite to it and make the transistor conductive that the test voltage is gradually increased and that spurious oscillations (e) which occur in the control circuit, when the second breakdown occurs, to cut off the test voltage from the transistor be exploited.

2. The method according to claim 1, characterized in that the gradual increase in Test voltage the inductance (14) is changed.

3. The method according to claim 1, characterized in that the duty cycle (pulse duration at pulse pause) the pulse is about 5%.

4. The method according to claim 1, characterized in that the pulses have a short fall time to have.

5. The method according to claim 1, characterized in that a vibration detector (32) responsive to the interfering vibrations (e ) is only switched on when the test voltage has reached a predetermined value.

6. The method according to claim 1, characterized in that the disconnection of the test span

voltage from the transistor (12) by short-circuiting its electrodes in the load circuit.

7. Device for performing the method according to the preceding claims, characterized characterized in that in the load circuit of the transistor (12) an inductance (14) and a current source (10) lie, of which at least one is controllable, that a voltage source in the control circuit

(E-) and a pulse generator (20) are arranged that a vibration detector (32) is also connected to the control circuit, the output signal of which triggers a bridging circuit (40, 42) that shorts the electrodes of the transistor (12) in the load circuit and triggers the pulse generator (20) and the power source (10) switches off.

1 sheet of drawings