DE1499826B2 - DEVICE FOR STORING DATA - Google Patents

DEVICE FOR STORING DATA

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DE1499826B2 DE19661499826 DE1499826A DE1499826B2 DE 1499826 B2 DE1499826 B2 DE 1499826B2 DE 19661499826 DE19661499826 DE 19661499826 DE 1499826 A DE1499826 A DE 1499826A DE 1499826 B2 DE1499826 B2 DE 1499826B2
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Speichern von Daten, bestehend aus einer Matrix von Speicherelementen.The invention relates to a device for storing data, consisting of a matrix of storage elements.

Aus nacheinander aufgebrachten Schichten am magnetischen, isolierenden und elektrisch leitenden Material und den dazugehörigen aktiven und passiven elektronischen Auswahl- und/oder Schaltmitteln, die mit den magnetischen Speicherelementen mindestens zum Teil auf einer gemeinsamen Unterlage in integrierter Form angeordnet sind.From successively applied layers on the magnetic, insulating and electrically conductive Material and the associated active and passive electronic selection and / or switching means, those with the magnetic storage elements at least partially on a common base are arranged in an integrated form.

Allen bisherigen Speichern, wie Magnetringkernspeicher, Ferritlochplattenspeicher, Ferritperlenspeieher, »Laminated-Ferrite«-Speicher oder Waffeleisenspeicher haftet vor allem der Nachteil an, daß die Verdrahtung an die Ansteuerelektronik und diese selbst noch hergestellt werden müssen. Ebenso stören vielfach die unvermeidlichen längeren Zuleitungen zur Ansteuerelektronik.All previous memories, such as magnetic ring core memory, ferrite perforated plate memory, ferrite bead memory, Laminated ferritic storage or waffle iron storage has the main disadvantage that the wiring to the control electronics and these still have to be established. Also disturb often the inevitable longer leads to the control electronics.

Es ist zwar bereits ein Verfahren (deutsche Patentschrift 1 300 937) zur Herstellung einer magnetischen Speichermatrix vorgeschlagen worden, bei dem an den Rändern einer Scheibe aus halbleitendem Material isolierte Inseln für die Ansteuerelemente hergestellt werden, während die magnetischen Speicherelemente auf der innerhalb der Inseln liegenden Fläche untergebracht werden. Für die magnetischen Speicherelemente wird in der Fläche aber zunächst ein Nutenraster entsprechend der Führung der Leiterbahnen erzeugt, indem eine isolierende Schicht aufgebracht wird, auf welche magnetische Materialien aufgebracht werden, so daß die Oberfläche der Nuten allseitig damit bedeckt ist. Darauf werden abwechselnd Isolierschichten und Leiterbahnenschichten und zum Schluß wieder eine Schicht aus magnetischem Material aufgebracht.It is true that there is already a method (German patent specification 1 300 937) for producing a magnetic Memory matrix has been proposed in which at the edges of a disk of semiconducting material isolated islands are produced for the control elements, while the magnetic storage elements be housed on the surface lying within the islands. For the magnetic Storage elements will initially have a groove grid in the area corresponding to the routing of the conductor tracks produced by applying an insulating layer on which magnetic materials are applied so that the surface of the grooves is covered on all sides. It will take turns Insulating layers and layers of conductor tracks and finally another layer of magnetic material Material applied.

Die neue Vorrichtung ist demgegenüber dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente auf einer im wesentlichen ebenen Unterlage aufgebracht sind. Wesentlich ist, daß die gemeinsame Unterlage, die nicht aus halbleitendem Material zu bestehen braucht, alle Elemente einer betriebsbereiten Speichervorrichtung enthält, abgesehen von äußeren Stromquellen und Impulsgeneratoren, wodurch der Aufbau und die Montage von größeren Datenverarbeitungsanlagen oder Rechnern erheblich vereinfacht bzw. erleichtert wird, weil die gesamte Speichervorrichtung nur ein kleines oder kompaktes Bauteil ist. Die gemejnsame Unterlage kann außer aus Halbleitermaterial, vorzugsweise dem der integrierten Schaltelemente, auch aus monokristallinem oder polykristallinem isolierendem Material oder amorphem Material, wie z. B. Glas, bestehen. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten. The new device is characterized in that the storage elements on a are applied essentially flat surface. It is essential that the common document that need not consist of semiconducting material, all elements of an operational storage device contains, apart from external power sources and pulse generators, which makes the structure and the assembly of larger data processing systems or computers is considerably simplified or made easier because the entire storage device is only a small or compact component. The common In addition to semiconductor material, preferably that of the integrated circuit elements, also made of monocrystalline or polycrystalline insulating material or amorphous material, such as B. glass exist. Further refinements of the invention are contained in the subclaims.

Das Aufdampfen von magnetischen Werkstoffen auf Oberflächen ist an sich bekannt und bereitet keine besonderen praktischen Schwierigkeiten mehr.The vapor deposition of magnetic materials on surfaces is known and prepared no more particular practical difficulties.

Auch das Besprühen irgendwelcher Unterlagen mit geschmolzenen Metallen oder keramischen Substanzen ist an sich bekannt und hat sich bereits für gewisse Anwendungen technisch eingeführt. Zum Bei-Also the spraying of any kind of base with molten metals or ceramic substances is known per se and has already been technically introduced for certain applications. In addition

spiel werden Kupferschichten auf keramische Flächen und Zinkschichten auf die Flächpn von Papierkondensatoren aufgespritzt. Bei geeigneter Durchführung ergibt dieses Verfahren erstaunlich kompakte homogene Schichten, obwohl sich die bespritzten Unterlagen dabei nur relativ wenig erhitzen. Im Vergleich mit einer aus Ferritpulver gepreßten Platte ist die Dichte einer aufgespritzten Ferritmasse so groß, daß keine wesentliche innere Entmagnetisierung infolge von Poren eintritt. Das erforderliche magnetische Speicher- und Schaltverhalten wird also erreicht.copper layers on ceramic surfaces and zinc layers on the surfaces of Paper capacitors sprayed on. When carried out appropriately, this procedure gives astonishing results compact homogeneous layers, although the sprayed substrates are relatively little heat. Compared to a plate pressed from ferrite powder, the density is that of a sprayed-on one Ferrite mass so large that no significant internal demagnetization occurs due to pores. The required magnetic storage and switching behavior is thus achieved.

Auch das Besprühen oder Aufdampfen irgendwelcher Unterlagen aus Siliziumoxyden mit Metallen ist bekannt und hat sich bewährt. Zum Beispiel werden Gold, Aluminium, Nickelchrom und Tantal auf SiH-ziumoxyden bereits in der Halbleiterfertigung aufgebracht und zum Verbinden der Elemente bei integrierten Schaltungen verwendet.The spraying or vapor deposition of any substrates made of silicon oxides with metals is also possible known and has proven itself. For example, gold, aluminum, nickel chrome and tantalum are based on SiH-zium oxides already applied in the semiconductor production and for connecting the elements in integrated Circuits used.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand der Figuren der Zeichnung näher beschrieben. Embodiments of the invention are described in more detail with reference to the figures of the drawing.

Nach F i g. 1 ist auf eine Trägerplatte T eine Schicht Halbleitermaterial HL aufgewachsen, und zwar zweckmäßigerweise mit derjenigen Dotierung, wie sie als Grundmaterial für die Ansteuerelemente, z. B. Dioden und Transistoren, benötigt wird. Für den Fall, daß die Trägerplatte ein Isolator ist, wie z. B. Saphir, werden die einzelnen voneinander zu isolierenden Halbleiter-Inseln durch Wegtrennen der Zwischenräume, z. B. Ätzen oder Funkenerosion, des Halbleitermaterials bis auf die Trägerplatte hergestellt (F i g. 2 a).According to FIG. 1, a layer of semiconductor material HL is grown on a carrier plate T , expediently with that doping as it is used as the base material for the control elements, e.g. B. diodes and transistors is required. In the event that the carrier plate is an insulator, such as. B. sapphire, the individual semiconductor islands to be isolated from each other by separating away the spaces, z. B. etching or spark erosion, the semiconductor material is made up to the carrier plate (Fig. 2a).

Die elektrische Isolierung kann auch durch das an sich bekannte Eindiffundieren von pn-Übergängen erfolgen, wobei jedoch darauf zu achten ist, daß diese pn-Übergänge immer in Sperrichtung betrieben werden.The electrical insulation can also be achieved by diffusing in pn junctions, which is known per se take place, however, it must be ensured that these pn junctions are always operated in the reverse direction will.

Ein weiteres Verfahren voneinander elektrisch isolierter Inseln auf einem Halbleitermaterial zu erhalten, besteht darin, eine der gewünschten Dotierung entsprechend aufgewachsene Schicht E durch Photoresisttechnik bis auf die Stellen wieder abzutragen, z. B. wegzuätzen, die für die Ansteuerelemente, z. B. Dioden und Transistoren, benötigt werden. Anschließend wird die Oberfläche mit einer Isolierschicht Sch, z.B. Siliziumoxyd, überzogen (Fig. 2b). Auf dieser Schicht wird nun eine polykristalline Schicht P aufgewachsen und die Rückseite R' bis S abgetragen, so daß nun eine Scheibe Halbleitermaterial vorliegt, in der isolierte Inseln für die Herstellung der Ansteuerelemente vorliegen und der restliche Teil durch Isoliermaterial abgedeckt ist.Another method of obtaining islands electrically isolated from one another on a semiconductor material is to remove a layer E that has been grown in accordance with the desired doping by photoresist technology down to the points, e.g. B. wegzuätzzu that for the control elements, z. B. diodes and transistors are required. The surface is then coated with an insulating layer Sch, for example silicon oxide (FIG. 2b). A polycrystalline layer P is now grown on this layer and the rear side R ' to S removed, so that there is now a disk of semiconductor material in which there are isolated islands for the production of the control elements and the remaining part is covered by insulating material.

F i g. 3 zeigt eine nach einem dieser drei vorbeschriebenen Verfahren hergestellte Scheibe T. Die Herstellung solcher isolierter Inseln I ist an sich bekannt und wird bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen benutzt. In diesen Inseln / auf der Fläche P werden nun nach den bekannten Verfahren die für die Speicherelemente benötigten An-Steuerelemente hergestellt.F i g. 3 shows a disk T produced by one of these three processes described above. The production of such isolated islands I is known per se and is used in the production of integrated semiconductor circuits. In these islands / on the area P , the on-control elements required for the storage elements are now produced according to the known methods.

Zur Herstellung der Speicherelemente wird auf die Fläche P innerhalb der Inseln / eine Isolierschicht aufgetragen, z. B. Siliziumoxyd, Glas oder Kunststoff, falls das Trägermaterial aus leitendem oder halbleitendem Material besteht. Mindestens an den Stellen, die endgültig die Speicherelemente enthalten sollen, wird dann eine magnetische Schicht aus Ferrit oder anderen magnetischen Materialien, wie Nickeleisenlegierungen, mit rechteckförmiger Hystereseschleife aufgesprüht oder aufgedampft oder chemisch niedergeschlagen. Das magnetische Material kann auch elektrolytisch aufgebracht werden, indem vorher eine dünne leitende Schicht, z. B. Silber, niedergeschlagen wird. Die nicht benötigten Anteile der einzelnen Schichten werden weggeätzt.To produce the storage elements, an insulating layer is applied to the area P within the islands / applied, e.g. B. silicon oxide, glass or plastic, if the carrier material is conductive or semiconducting Material consists. At least at the places that should finally contain the storage elements, then a magnetic layer made of ferrite or other magnetic materials, such as nickel iron alloys, sprayed or vapor-deposited or chemically deposited with a rectangular hysteresis loop. The magnetic material can also be applied electrolytically by previously applying a thin conductive layer, e.g. B. silver, is knocked down. The unneeded portions of each Layers are etched away.

Anschließend wird die ganze Scheibe mit einer Isolierschicht, z.B. Siliziumoxyd, Glas oder Kunststoff, bedeckt. Daraufhin wird ein SchichtL1 (Fig.6) aus Aluminium oder Gold od. ä. Material aufgedampft, gesprüht oder chemisch niedergeschlagen und mit Photoresisttechnik so weggeätzt, daß die gewünschten Leiterbahnen, z. B. die/Leitungen in X-Richtung, entstehen! Man kann diese Leiterbahnen auch durch Aufsprühen oder Aufdampfen .durch Masken erhalten. Für den Fall, daß Widerstände gewünscht werden, ist es möglich, statt Aluminium oder Gold, Tantal oder Ni-Chrom zu verwenden. Anschließend werden diese Leiterbahnen durch Aufbringen einer Isolierschicht, z. B. durch Aufdampfen von SiO oder Niederschlagen von Al2O3, SiO2 durch Masken hindurch, wieder von den übrigen Elementen elektrisch isoliert, und die nächsten Leiterbahnen L9, z. B. in Y-Richtung, werden aufgebracht. Wiederholt man dieses Verfahren mehrmals, so erhält man mehrere Leiterbahnen L1 bis L3 übereinander, die voneinander isoliert sind, wie F i g. 6 zeigt. In F i g. 4 ist ein Beispiel für ein Leitungsmuster mit den übereinanderliegenden Leiterbahnen N zwischen den Inseln / auf der Fläche P der Unterlage T gezeigt.Then the entire pane is covered with an insulating layer, for example silicon oxide, glass or plastic. Then a layer L 1 (Fig.6) made of aluminum or gold od. Ä. Material is vapor-deposited, sprayed or chemically deposited and etched away with photoresist technology so that the desired conductor tracks, e.g. B. the / lines in the X direction arise! These conductor tracks can also be obtained by spraying or vapor deposition. Using masks. If resistors are desired, it is possible to use tantalum or Ni-Chromium instead of aluminum or gold. Then these conductor tracks are applied by applying an insulating layer, for. B. by vapor deposition of SiO or deposition of Al 2 O 3 , SiO 2 through masks, again electrically isolated from the other elements, and the next conductor tracks L 9 , z. B. in the Y direction are applied. If this process is repeated several times, several conductor tracks L 1 to L 3 are obtained, one above the other, which are isolated from one another, as shown in FIG. 6 shows. In Fig. 4 shows an example of a line pattern with the conductor tracks N lying one above the other between the islands / on the surface P of the substrate T.

Ist die gewünschte Anzahl von Leiterbahnen aufgebracht worden, so wird, wie in F i g. 5 und 6 schematisch angedeutet, an den Kreuzungsstellen der Leiterbahnen N bzw. L1 bis L3 wieder eine magnetische Schicht M1 aufgetragen. Legt man die über die Leiterbahnen hinausragende magnetische Schicht M1 von dem Isoliermaterial frei, z. B. durch Ätzen, so kann die zuletzt aufgebrachte magnetische Schicht M 2 mit hinreichend kleinem Luftspalt mit der Schicht Ml verbunden werden.Once the desired number of conductor tracks has been applied, as shown in FIG. 5 and 6 indicated schematically, a magnetic layer M 1 is again applied at the crossing points of the conductor tracks N and L 1 to L 3. If the magnetic layer M 1 protruding beyond the conductor tracks is exposed from the insulating material, e.g. B. by etching, the last applied magnetic layer M 2 can be connected to the layer Ml with a sufficiently small air gap.

Die Vorrichtung läßt sich so ausführen, daß entweder Schicht Ml oder Schicht M 2 oder sowohl Schicht Ml als auch Schicht M 2 aus einem Material mit rechteckförmiger Hystereseschleife besteht. Einmal kann die magnetische Speicherung in Schicht Ml erfolgen. Schicht M 2 verringert dann den magnetischen Widerstand für den magnetischen Fluß. Wird in Schicht M 2 gespeichert, so muß Schicht Ml einen vernachlässigbaren magnetischen Widerstand haben. Haben sowohl Schicht Ml als auch Schicht M 2 eine rechteckförmige Hystereseschleife, so erhält man die gleichen Eigenschaften wie bei einem Ringkern. In allen Fällen muß darauf geachtet werden, daß die Schichten Ml und M 2 an den Rändern mechanisch eng aneinanderliegen und ein etwa entstehender Luftspalt hinreichend klein wird.The device can be designed so that either layer Ml or layer M 2 or both Layer Ml as well as layer M 2 consists of a material with a rectangular hysteresis loop. On the one hand, the magnetic storage can take place in layer M1. Layer M 2 then reduces the magnetic Resistance to the magnetic flux. If storage is carried out in layer M 2, then layer Ml have negligible magnetic reluctance. Have both Layer Ml and Layer M 2 a rectangular hysteresis loop, the same properties are obtained as with one Toroidal core. In all cases, care must be taken that the layers Ml and M 2 at the edges mechanically close to one another and any resulting air gap is sufficiently small.

Speichert man die Information in der Schicht M 2, so sind die geometrischen Abmessungen der Schicht Ml nicht kritisch. Diese Schicht muß nur an den Kreuzungsstellen hinreichend groß sein, so daß sie mit der Schicht M 2 den gewünschten magnetischen Schluß bilden kann, sie kann somit auch die ganze Fläche zwischen den Inseln / bedecken.If the information is stored in the layer M 2, then the geometrical dimensions of the layer are Ml not critical. This layer only needs to be sufficiently large at the crossing points so that they can form the desired magnetic circuit with the layer M 2, it can thus also the whole Area between the islands / cover.

In dem angeführten Beispiel liegen die einzelnen Speicherelemente an den Kreuzungspunkten der Leiterbahnen. Denkbar ist auch eine Ausführung, beiIn the example given, the individual storage elements are located at the intersection points of the Conductor tracks. An execution is also conceivable in

der die Speicherelemente Ml und MI, wie in Fig. 7 angedeutet ist, in dem Stück zwischen den Kreuzungspunkten Kr der Leiterbahnen N liegen.which the memory elements Ml and MI, as indicated in FIG. 7, lie in the piece between the crossing points Kr of the conductor tracks N.

Man kann auch die Schicht Ml in so geringer Dicke auftragen, daß die Ummagnetisierung im wesentlichen durch kohärente Drehprozesse parallel zur Schichtfiäche erfolgt und auf ein Schließen des magnetischen Flusses durch eine Schicht Ml verzichten. The layer M1 can also be applied in such a small thickness that the magnetization reversal occurs essentially by coherent rotating processes parallel to the layer surface and the magnetic flux is not closed by a layer M1 .

Zur Verbesserung der magnetischen Eigenschaften der Speicherschicht oder zur einfachen besseren Herstellung kann es vielfach von Vorteil sein, bestimmte Schichten zunächst auf den Träger aufzutragen, z. B. Siliziumoxyd, Kupfer oder Silber, um anschließend die Speicherelemente auf diese Schicht aufzutragen.To improve the magnetic properties of the storage layer or for simple better production it can often be advantageous to first apply certain layers to the carrier, e.g. B. Silicon oxide, copper or silver, in order to then apply the storage elements to this layer.

Um die Leiterbahnen, z. B. X-, Y-, Z- und Lesebahnen, mit den Ansteuerelementen zu verbinden, läßt man die Bahnen direkt an die entsprechenden Kontakte der Halbleiterbauelemente auslaufen bzw. in breitere Bahnen, um sie von dort nach bekannten Verfahren mit den Halbleitern, die bekanntlich ähnliehe Leiterbahnen bzw. Kontaktierungsinseln zum Kontaktieren besitzen, mittels Aluminium-, GoIdod. ä. Drähten bzw. Bahnen zu verbinden.To the conductor tracks, z. B. X, Y, Z and reading tracks to connect with the control elements, the tracks are allowed to run out directly to the corresponding contacts of the semiconductor components or in wider tracks, to them from there by known methods with the semiconductors, which are known Have similar conductor tracks or contact islands for contacting, by means of aluminum, gold. Ä. To connect wires or tracks.

An sich kann es zweckmäßig sein, mehr Speicherelemente und Ansteuerelemente für eine VorrichtungIn itself, it can be useful to have more memory elements and control elements for a device

ίο herzustellen, als benötigt werden, um die bei der Fabrikation und Prüfung nicht gelungenen oder ausgefallenen Elemente zu ersetzen. Falls die Prüfung ergibt, daß eines der ursprünglichen Elemente ausgefallen ist, kann dann eines der überschüssigen EIemente benutzt werden, wobei in diesem Fall statt der Leiterbahn ein Überbrückungsdraht verwendet wird.ίο manufacture than are needed in the manufacture and testing to replace unsuccessful or failed elements. If the test shows that one of the original elements has failed can then be one of the excess elements can be used, in which case a jumper wire is used instead of the conductor track will.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (12)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Vorrichtung zum Speichern von Daten, bestehend aus einer Matrix von Speicherelementen aus nacheinander aufgebrachten Schichten aus magnetischem, isolierendem und elektrisch leitendem Material und den dazugehörigen aktiven und passiven elektronischen Auswahl- und/oder Schaltmitteln, die mit den magnetischen Speicherelementen mindestens zum Teil auf einer gemeinsamen Unterlage in integrierter Form angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente auf einer im wesentlichen ebenen Unterlage aufgebracht sind.1. Device for storing data, consisting of a matrix of memory elements from successively applied layers of magnetic, insulating and electrically conductive Material and the associated active and passive electronic selection and / or Switching means which are at least partially on a common with the magnetic storage elements Base are arranged in integrated form, characterized in that the Storage elements are applied to a substantially flat base. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Unterlage aus einem Halbleitermaterial, vorzugsweise dem der integrierten Schaltelemente, besteht.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the common pad consists of a semiconductor material, preferably that of the integrated circuit elements. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Unterlage aus einem monokristallinen isolierenden Material, z. B. Saphir, besteht.3. Apparatus according to claim 1, characterized in that the common pad consists of a monocrystalline insulating material, e.g. B. sapphire. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Unterlage aus polykristallinem isolierendem Material besteht.4. Apparatus according to claim 1, characterized in that the common pad consists of polycrystalline insulating material. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Unterlage aus amorphem Material, z. B. Glas, besteht.5. Apparatus according to claim 1, characterized in that the common pad consists of amorphous material, e.g. B. glass. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß für die Speicherelemente eine erste magnetische Schicht (M 2), eine isolierende Schicht zur Isolation der Leiterbahnen (L1, L2, L3) und eine weitere magnetische Schicht (Ml) auf der gemeinsamen Unterlage aufgebracht sind, und die Schichten entsprechend weggeätzt sind, so daß auf der gemeinsamen Unterlage nur noch Magnetmaterial umgebene und über Leiterbahnen verbundene Speicherelemente vorhanden sind.6. Apparatus according to claim 1 or one of the following, characterized in that a first magnetic layer (M 2), an insulating layer for isolating the conductor tracks (L 1 , L 2 , L 3 ) and a further magnetic layer ( Ml) are applied to the common base, and the layers are correspondingly etched away, so that only storage elements surrounded by magnetic material and connected via conductor tracks are present on the common base. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mehr Speicherelemente und Ansteuerelemente vorhanden sind, als benötigt werden.7. Apparatus according to claim 1 or one of the following, characterized in that more Storage elements and control elements are available when needed. 8. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß als magnetisches Material Nickel-Eisen-Kobalt-Legierungen verwendet sind.8. Apparatus according to claim 1 or one of the following, characterized in that as magnetic material nickel-iron-cobalt alloys are used. 9. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Material aus Ferrit besteht.9. Apparatus according to claim 1 or one of the following, characterized in that the magnetic material is made up of ferrite. 10. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen der Matrix an ihren Enden verbreitert sind.10. The device according to claim 1 or one of the following, characterized in that the Conductor tracks of the matrix are widened at their ends. 11. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die matrixartig angeordneten magnetischen Speicherelemente aus magnetischen Schichten (M 2) bestehen, die in so geringer Dicke aufgebracht sind, daß die Ummagnetisierung im wesentlichen durch kohärente Drehprozesse parallel zur Schichtfläche erfolgt.11. The device according to claim 1 or one of the following, characterized in that the Magnetic storage elements arranged like a matrix consist of magnetic layers (M 2), which are applied in such a small thickness that the magnetization reversal is essentially through coherent turning processes take place parallel to the layer surface. 12. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Grundschichten (M 2) oder die Deckschichten (Ml) aus Material mit einer rechteckförmigen Hystereseschleife bestehen und jeweils die andere Schicht (Ml, M2) einen vernachlässigbaren magnetischen Widerstand hat.12. The device according to claim 1 or one of the following, characterized in that the magnetic base layers (M 2) or the outer layers (Ml) made of material with a There are rectangular hysteresis loops and the other layer (Ml, M2) is a negligible has magnetic resistance.
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