DE1496691A1 - Process for the production of tape with semiconductor properties - Google Patents

Process for the production of tape with semiconductor properties

Info

Publication number
DE1496691A1
DE1496691A1 DE19651496691 DE1496691A DE1496691A1 DE 1496691 A1 DE1496691 A1 DE 1496691A1 DE 19651496691 DE19651496691 DE 19651496691 DE 1496691 A DE1496691 A DE 1496691A DE 1496691 A1 DE1496691 A1 DE 1496691A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
tape
bin
sio2
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19651496691
Other languages
German (de)
Other versions
DE1496691B2 (en
Inventor
Yakovleva Maria A
Aslanova Margarita S
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VNII STEKLYANNOGO VOLOKNA
Original Assignee
VNII STEKLYANNOGO VOLOKNA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VNII STEKLYANNOGO VOLOKNA filed Critical VNII STEKLYANNOGO VOLOKNA
Publication of DE1496691A1 publication Critical patent/DE1496691A1/en
Publication of DE1496691B2 publication Critical patent/DE1496691B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C13/00—Fibre or filament compositions
    • C03C13/003—Conducting or semi-conducting fibres

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

VAHRE2U1 HERSTELLUNG VOM BAND 'MIT HALBLWITEH-EIGENSCHAFTEN Die Erfindung betrifft die: Herstellung von Isc,1:Eertoffe für elektrische Anlagen, genauer - Verfahren zur Hasstellung vom Glaafaserbrad mit Halbleitereigenschaften. -Es Ist ein Verfahrenwzuur Herstellung von Glas- und Asbestband durch dessen vurchtränkung mit Halbleiterlacken mit Bußzusatz sowie die Graphtbildung von Faserstoffen bekannt. Die nach bekanntem Verfahren hergestellten Halbleitermateriale werden zum Schutz der Grundisolation der- alektrisehen Anlagen von Korona, die die Isolation zerstört, angswandt. Die bekaanLen HalbleiterrQberzüge g;,icherm ,jedoch die geniigende Ausgleichung des elektrischen Feldas wegen der Instabilität -des elektrischem -Widerstsudes, die zur Korona führte, nicht.VAHRE2U1 PRODUCTION OF TAPE 'WITH HALBLWITEH PROPERTIES The invention relates to the production of Isc, 1: Eertoffe for electrical systems, more precisely - method for the production of glass fiber wheels with semiconductor properties. -It is a process known for the production of glass and asbestos tape by impregnating it with semi-conductor lacquers with added fine as well as the graphite formation of fibrous materials. The semiconductor materials produced by known processes are used to protect the basic insulation of the electrical systems from corona, which destroys the insulation. The well-known semi-conductor coatings g;, ierm, but not the adequate equalization of the electric field due to the instability of the electrical resistance that led to the corona.

Die Instabilität dis elektrischen Widerstandes erklärt man erstens durch die nhompgecne Rufverteilung i® Lack. und zweitens durch Verwitterung und Zerstöäung des atrcmleitenden Bandes im Betriebsprozesse..The instability of the electrical resistance is explained first through the nhompgecne call distribution i® Lack. and secondly by weathering and Destruction of the conductive tape in the operating process.

Die U#findung setzt sich zum Ziele die genannten Nachteile zu beseitigen. -Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, . das Band mit staalen Halbleitereigenschaften herzustellen,die eine zuverlässige Isolation sowie die Verlängerung der Betriebadau®r der elektrischen Hochspaenungesalagea sichern. Diese Aufgabe wird durch Herstellung von Band mit Halbleiterelgensehaften aus Glasfasern gelöst. die nach Dtieenverfahren mit der Kühlung de$ Raumes unter den Dös®aboden aus der die Oxyde 8i02 und A1203 enthaltenden ßlasschmelso erhalten worden. The aim of the invention is to eliminate the disadvantages mentioned. -The invention is based on the object. to produce the tape with stable semiconductor properties, which ensure reliable insulation and the extension of the service life of the electrical high voltage system. This object is achieved by manufacturing tape with Halbleiterelgensehaften of glass fibers. which were obtained according to the Dtieen method with the cooling of the space under the Dös®aboden from the glass melt containing the oxides 802 and A1203 .

Erfindungsgemäß wird Kupferoxyd (Cu0) in dis Gleazusam- -mensetsung eingeführt und das erhaltene Band wird auf 100-80000 in einem reduzierenden Medium erhitzt.According to the invention , copper oxide (CuO) is introduced into the glue composition and the band obtained is heated to 100-80000 in a reducing medium.

Na ist zweckmäßig das Glas aus folgenden Bestandteilen zusammenzusetzen (in Gew.) 8102 - von 40 bis 60; A1203 - von 5 bis 16: (3a0 - von 0 bis 16; MgO - von 0 bis 10; %0 - von 0 bis 23 H203 - vom 0 bis 10; 0u0 - von 15 bis 40. -Eins SUntige Lösung wird erreicht, wenn man iah die einzeln, 'zusammen Ader Kombinationen der Zusätze von L120. T'02, 'hob ZnO. D&0*GdO. gr02. 'V*203 - inngesamt 091-,5w o *rv. X ewühr t. -Das Neretsllungsvor`ahren von Glastaeorband mit Aalbleitereigenechaftsn enthält folgende ®org$ag®.It is advisable to combine the glass from the following components (in weight) 8102 - from 40 to 60; A1203 - from 5 to 16: (3a0 - from 0 to 16; MgO - from 0 to 10; % 0 - from 0 to 23 H203 - from 0 to 10; 0u0 - from 15 to 40 . if one iah the individually, 'together vein combinations of the additions from L120. T'02, ' raised ZnO. D & 0 * GdO. gr02. 'V * 203 - in total 091-, 5w o * rv. X ewt A ear of glass tape with eel conductor properties contains the following ®org $ ag®.

Zuerst wird das Glasgsmengs bereitet, in welchen man Sauad. Dolomit, greide. Bersäure, Tonerde, Titsndiozjrd, Zinkoxyd, Hariumaarbonat, Cadmascarbonot, 8lbetnitrst und Ei ssnoxyd einfä)rt. _ Die Bestandteile werden in folgenden Verhältnis (in 19) genommen (Tabelle 1). Tabelle 1. Zusamansetzung: Ges. - @G 8i0 _ v= 40 bis 60 412". von 5 bis 16 090 von 0 bin 16 99von 0 bin 10 Na 210 von 0-. bin 2 Z2-3 von 0 bin 10 Gut) von 1;5 bis 40 n a& fthrt auderdea .n die GLasechaelze einzelne, zusamnea oder Kombinationen der Zusätze -jcn LIA Ti029 tg209 Zaof IaOs cd4 ZrQ2* Peiß@. eia - insgesamt von 0,1 bin --. -_ E3 oft-Die Gla.bsatmadteila weAen sorgfältig inden Tigel gegeben und in der neutralen Atmosphäre des Ofens geschmolzen-De Beschickung va« Gemenge geschieht bei der tut 1430±10°C in kleinen Portionen. Die Glasaschdelzs Wird r bei der Taaperatur 141'0±10°C und die Läuterung bei der , Temperatur 15f10oC durchgeführt. Die Glaaschmelne nuZ dabei gerührt werden. ` Wann Schmelsprozeß des Glases abgeschlossen ist, wird die Glasschmelze bis der Temperatur 1250°C abgekahlt und waräen die Glaskugeio. zurl@sraaerheratell u=g e=aeumt. .fe - fe®crherstellung wird nach dem DGaeaverfahra@a d°< ;ag@f:@~t. U® eine starke Benetzung de® Diisenbodann mit :r:@p@ha:t.gen Glas zu a#ermeiden¢ wird ®in® kanstliciro f°.#zhlung des Raum®n unter dem .seabod®n vorgenommen.First the Glasgsmengs is prepared, in which one Sauad. Dolomite, greide. Ferric acid, clay, titsndiozjrd, zinc oxide, harium carbonate, cadma carbonate, betnitrst and iron oxide. The ingredients are taken in the following ratio (in 19) (Table 1). Table 1. Composition: Ges. - @G 8i0 _ v = 40 to 60 412 ". From 5 to 16 090 from 0 to 16 99 from 0 to 10 Na 210 from 0-. am 2 D2-3 of 0 bin 10 Good) from 1; 5 to 40 In addition, the glass chelates individual, together or combinations of the additions -jcn LIA Ti029 tg209 Zaof IaOs cd4 ZrQ2 * Peiß @. eia - a total of 0.1 am -. -_ E3 often-The glass saturation is carefully placed in the bowl and melted in the neutral atmosphere of the furnace-The charging mainly takes place at 1430 ± 10 ° C in small portions. The glass ashes are carried out at the Taaperatur 141'0 ± 10 ° C and the refining at the temperature 15-10 ° C. The glass melter should be stirred at the same time. `When Schmelsprozeß of the glass is completed, the glass melt is abgekahlt 1250 ° C to the temperature and the waräen Glaskugeio. zurl @ sraaerheratell u = ge = aeumt. .fe - fe®cr production is after the DGaeaverfahra @ ad ° <; ag @ f: @ ~ t. U® a strong wetting of the® Diisenbodann with: r: @ p @ ha: t.gen glass to avoid ¢ is carried out ®in® kanstliciro for the counting of the space®n under the .seabod®n.

lie verarb®itung des Fanorgutes nu Garnen sorge weben ÜeE- Bdek; Urlauf flblichei Textilmaschinen aung®.hrt, el-.e sei fashertslg angewandt werden.The processing of the Fanorggut nu Yarn worry weave ÜeE- Bdek; Urlauf Commonly used in textile machines is aung®.hrt that el-.e is fashertslg.

Zerr--er wird di& 'erob.:luden Gieai'aaerbaes efärcduies®nden MeaiR= durchgeführt, wozu man Was.-F-toff® Kohlonyd- und andere Gaue benutzen hauen.Zerr - he will di & 'conquered. :Luden Gieai'aaerbaes efärcduies®nden MeaiR = carried out, what you use Was.-F-toff® Kohlonyd- and other districts for.

Die !crmörehandlung A.es Bandes In rsduaierendgetam km= man in EleKtroCen Von veZbi®deaea Bauart.r. Mkann die Bänder kontinuierlich oder durch arlodieahe alleaeinfährung -in die Öfen bringen.- Beim kontinuierliche* ö2 oaeL-; der ermobehandlung von Zand hängt nein elektrischer Widerstand voin der andlungst®mrstur und der Bee.-g®nchwiaadigkeit den Bandes in Ofen ab..The! Crmörehandlung A.es Bandes In rsduaierendgetam km = man in EleKtroCen Von veZbi®deaea Bauart.r. I can bring the tapes into the ovens continuously or by feeding them into the oven. the ermobehandlung of Zand depends no electrical resistance voin the andlungst®mrstur and Bee.-g®nchwiaadigkeit the strip in the furnace from ..

De® kontinuierliche Verfahren der Thermobehandiung kern folgendermaßen verwirklicht werden.-Das Glanaserband wird auf eine Spule gewickelt und in einen Empfänger (Schachtel) eingesetzt, der an einer Ofenwand eingebaut ist. Ein Bandende wird dann durch den Ofen gesogen, und auf die zweite Spule, die reich in gleichen Empfänger hefindet# gewickelt.The continuous process of thermal treatment is as follows can be realized.-The glanas tape is wound onto a spool and into a Receiver (box) used, which is built into a furnace wall. An end of the tape is then sucked through the oven, and onto the second bobbin that rich in same Receiver finds # wrapped.

69an kann die Worte des elektrischen Widerstandes das Bandes von 102 bis 1012 Oha auf Flächenquadrat bekommen, indem r n - -.#'O man die gaisiiv#aya'(#acaCursaaaui#a##,r L.aaaa vavL'.v#e.'ix'p@Yse#,#r T #rOar .r 8000C ändert.69an the words of electrical resistance can get the band from 102 to 1012 Oha on an area square by adding r n - -. # 'O man die gaisiiv # aya'(# acaCursaaaui # a ##, r L.aaaa vavL'.v # e .'ix'p @ Yse #, # r T #rOar .r 8000C changes.

In der Tabelle 2 sind die Beispiele: ffM BeyVetellung des Gleafaserbandes mit Halbleitereigenschaften gegeben. Tabelle.. 2: Oxyde Bei spiele : Gew. 11 I v III S02 46961 4691 45.01 52908 51j,2 ..1203 1.5970 1690 15980 10v 25 15r52 Ca0 - 5,6 6,70 5.91 951 . Iffso . 3v0 2o85 4v 09- 3940 203 _ 5985 6901 5971 Zi20 _ 1088 2906 : 1,82 _ Na20 . - _ _ - 291 - . Ti 02 °_ 0' 25 . . 0.28 0915 2e203 - 0926 0946 021 0931 Cu0 _ 3698 2490 1696 21s00 16o03 gg20 0098 Behandlung»- - Temperatua 200 625 450 550 - 750 @1 ek tri scher . Wderatand . 102 102 106 106 104 Ohm/Flächen- quadrat Die- Halbleitereigenschaften des nach den vorgeschlagenen Verfahren hergestellten Bandes sind durch die Struktur der. Glasoberfläche aber nicht durch Aufbringen auf seine Obettlgche von leichtzerstörbaren Halbleiterüberzügen gewährleIntet. Dadurch wird die Stabilität von elektrischen Widerstand der Isolation unter Bedingungen der erhöhten Temperaturen sowie die Betriebe$userläseig"it der elektrischen Nochspannungaanlegen lgesibhert und die Bstribbadauer verlängert.In table 2 the examples are given: ffM BeyVetstellung of the fiberglass tape with semiconductor properties. Table .. 2: Oxides examples : Gew. 11 I v III S02 46961 4691 45.01 52908 51j, 2 ..1203 1.5970 1690 15980 10v 25 15r52 Ca0 - 5.6 6.70 5.91 951 . If so . 3v0 2o85 4v 09- 3940 203 _ 5985 6901 5971 Zi20 _ 1088 2906 : 1.82 _ Na20 . - _ _ - 291 -. Ti 02 ° _ 0 '25 . . 0.28 0915 2e203 - 0926 0946 0 21 0931 Cu0 _ 3698 2490 1 696 21s00 16o03 gg20 0098 Treatment »- - Temperatua 200 625 450 550-750 @ 1 ek tri scher. Wderatand. 102 102 106 106 104 Ohm / area square DIE semiconductor properties of the tape prepared by the proposed method are defined by the structure. Glass surface but not gewährleIntet by applying to its Obettlgche of leichtzerstörbaren semiconductor coatings. This ensures the stability of the electrical resistance of the insulation under the conditions of increased temperatures and the fact that operations are not subject to the need to apply additional electrical voltage, and the duration of the operation is extended.

Her ist hervorzuheben, daß obenaageführten Beispiele für -Zusammensetzungen nur als Illustration gegeben worden und nicht allumfassend sindrIt should be emphasized that the above-mentioned examples of -compositions are only given as an illustration and are not all-inclusive

Claims (1)

PATMANSMÜCHEt #ortthren zur laarntsllung fron Glastasorband mit Hitl@lotereiosa@a'ten, wobei die Glasfasern nach IXfnenverttß mit M.blwtg des Raunen unter dem Düsenboden aus der die o SiO2 NM A:2% enthaltenden Masohnelzs erhalten wardend a d st r e h E e k a n a i sie .h n e tu daß man ta dfo 01*Mno»ttawtr äupfsroxlrd (0n0) simffttirt und das drhaltme Baud' bis auf die Temperatur von 100 - gOaoC in reduier"d« Wmd$»- erhitzt. ga VertMraan naoh' Aaafasbi ls d a d u r c h. g e k o n n.-d d l a h a t t, itaß das ZKt«oartshren darr foragebung tro» Warora au* der Gassahaele durchgsiährt wird" die Sio2 - von , so bie 4C4 ,All( " 14h 5 bis 16v 0a0 # vom 0 bin 1G# VCO VOR !D biet 100 %G # rein 0 bin 2e B2% - von 0 bis 109 von bin e0 ( C1.X) t1ällt. y -- 5" Verfahr« such lnspmeh 1 und 29 d a d u r c h r ic e a n a a i a #S a o t, daS das Diiseavorfahren zur äorngrbung d'r fasern aus der Glaasßhaelse durchgetihrt wird, die aÄSela. zusammen oder Kombinaten« der Zusätze froh Li20, Ti02s AC0# Zn0, B&C, Cd0, Zr02, F®20 insgesamt von 0,l biss 5, 0% zur Gesamtsenge der Glasbanteadtaile enthält.PATMANSMÜCHEt #ortthren zur laarussllung from glass tasorband with Hitl @ lotereiosa @ a'ten, whereby the glass fibers according to IXfnenvertt with M.blwtg of the murmur under the nozzle bottom from the Masohnelzs containing the o SiO2 NM A: 2% were obtained and a d st reh Ek a nai they .hne do that ta dfo 01 * MnO "ttawtr äupfsroxlrd (0n0) simffttirt and drhaltme baud 'to the temperature of 100 - gOaoC in reduier" d "Wmd $" - heated ga VertMraan naoh.' Aaafasbi ls d. adur c h n geko nth ddlahatt, itaß the zkt "oartshren darr foragebung tro" Warora au * the Gassahaele is durchgsiährt "the sio2 - of so bie 4C4, All (" 14h 5 to 16v 0A0 #'m from 0 1G # VCO VOR! D offers 100% G # pure 0 bin 2e B2% - from 0 to 109 from bin e0 (C1.X) t1 applies. Y - 5 "traversing" search for lnspmeh 1 and 29 dadurc hr ic e a naa ia #S a ot that the Diisea ancestor is carried out to the surface of the fibers from the glass neck, the aÄSela. together or combinations «of the additives happy Li20, Ti02s AC0 # Zn0, B&C, Cd0, Zr02, F®20 in total of 0, l bit 5, containing 0% to the overall narrowness of the Glasbanteadtaile.
DE19651496691 1965-06-03 1965-06-03 METHOD OF MAKING A TAPE WITH HALF CONDUCTOR CHARACTERISTICS FROM FIBERGLASS CONTAINING SIO LOW 2, AL LOW 2 O LOW 3 AND CUO Withdrawn DE1496691B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEV0028616 1965-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1496691A1 true DE1496691A1 (en) 1969-10-23
DE1496691B2 DE1496691B2 (en) 1971-07-08

Family

ID=7584276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651496691 Withdrawn DE1496691B2 (en) 1965-06-03 1965-06-03 METHOD OF MAKING A TAPE WITH HALF CONDUCTOR CHARACTERISTICS FROM FIBERGLASS CONTAINING SIO LOW 2, AL LOW 2 O LOW 3 AND CUO

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1496691B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4270266A (en) * 1978-09-14 1981-06-02 General Motors Corporation Method of making a dielectric containing material for RF suppression

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4270266A (en) * 1978-09-14 1981-06-02 General Motors Corporation Method of making a dielectric containing material for RF suppression

Also Published As

Publication number Publication date
DE1496691B2 (en) 1971-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4385127A (en) Glass-ceramic coatings for use on metal substrates
DE1248244B (en) Process for the production of a metal film located on a glass-crystal mixed body
US3639113A (en) Method of manufacturing tape possessing semiconducting properties
DE1496540B1 (en) Process for the production of coatings from metallic copper and / or silver on ceramic molded bodies that have been removed from glass
DE102006062428A1 (en) Manufacturing electronic component, e.g. diode, passivated by lead-free glass, applies suspension of ground glass having specified composition and sinters
DE602004005165T2 (en) REINFORCEMENT GLASS FIBER FOR ORGANIC BOTH AS WELL AS INORGANIC MATERIALS, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND USE OF THE COMPOSITION
DE1596820C2 (en) Glass based on ZnO-B deep 2 O deep 3 -SiO deep 2 with a thermal expansion coefficient of 44.5 to 44.8.10 high -7 / degree C (0-300 degrees C) and its use
DE1596848B1 (en) Alkaline-oxide-free, thermally highly resilient glass-ceramic with low dielectric losses produced from a glass by heat treatment
DE2809818B2 (en) Conductive composition and its use
US2863782A (en) Low-melting high-expansion glass
DE1089525B (en) Alkali-lead-silicate glass with high specific electrical resistance
US3661600A (en) Optical glass with a high refractive index and a high dispersing ability
DE1496691A1 (en) Process for the production of tape with semiconductor properties
US3464836A (en) Ceramic filament,electrical apparatus made therewith and method of making same
JP3132234B2 (en) Glass long fiber
US3627550A (en) Reducible vitreous material
JP2003054993A (en) Glass composition for fiber
US3885973A (en) Li{hd 2{b O-ZnO-P{HD 2{B O{HD 5{B -glass
US3652416A (en) Oxide magnetic materials
DE1041658B (en) Glass containing silica, alumina, alkaline earth oxides and alkali oxides
US3455708A (en) Ceramic material
US4836837A (en) Metal coated glass fibers
DE727779C (en) Glass for making fibers or threads
US3876437A (en) High insulating glass
DE1064867B (en) Electrically highly insulating, glass-like ferromagnetic material

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee