DE1490984A1 - Thin-film circuit elements and processes for their manufacture from polymerizable synthetic resins - Google Patents

Thin-film circuit elements and processes for their manufacture from polymerizable synthetic resins

Info

Publication number
DE1490984A1
DE1490984A1 DE19641490984 DE1490984A DE1490984A1 DE 1490984 A1 DE1490984 A1 DE 1490984A1 DE 19641490984 DE19641490984 DE 19641490984 DE 1490984 A DE1490984 A DE 1490984A DE 1490984 A1 DE1490984 A1 DE 1490984A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
thin
resistance
resistor
electrically
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19641490984
Other languages
German (de)
Inventor
Mclean David Alexander
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US359828A external-priority patent/US3266005A/en
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1490984A1 publication Critical patent/DE1490984A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Dünnschicht-Schaltelemente und Verfahren zu ihrer -------------- Herstellung ----------------------- Die Erfindung betrifft Dünnschicht-Schaltelemente und Schaltungen sowie Verfahren zu ihrer Herstellung. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Erzielung von gewünschten elektrischen Eigenschaften von Dünnschicht-Schaltungen und Schaltelementen durch Ausbilden einer vorbestimmten Figur von löchern in den dünnen Schichten, welche die Schaltungen oder Schaltelemente bilden, Die Erfindung betrifft insbesondere die Herstellung von Dünnschicht-Widerständen und/oder Kondensatoren durch Verwendung von mit Löchern versehenem Dünnschicht-Material deraart, daß die Dünnschicht-Widerstände- und Kondensatoren verhältnismäßig hohe Widerstandswerte bzw. verhältnismäßig niedrige Kapazitätswerte im Vergleich zu den Widerstands- oder Kapazitätswerten aufweisen, die Widerstände und Kondensatoren haben, wenn stetige oder nicht unterbrochene dünne Materialschichten derselben Fläche und derselben Schichtdicke verwendet werden* Es ist schwierigg Dünnschicht-Kondensatoren mit sehr niedrigen Kapazitätswerten herzustellen, wenn die Platten des Kondensatorz.,extrem klein sein sollen und/oder das dielektrische Material zwischen den Platten der-Kondensatoren extrem dick sein slll, im Kondensatoren zu erhalten, welche die gewünschte Kapazität besitzen. Diese Schwierigkeiten können beseitigt werdeng indem zur Herstellung des Kondensatoi,s verhältnismäßig grosse leitende Platten benutzt werden und indem in eine oder in beide Platten des Kondensators Löcber eingebracht werden, um die wirksame Fläche der Platten herabzusetzen und damit Kondensatoren mit extrem niedrigen Kapazitätswerten zu schaffen.Thin-film switching elements and processes for their -------------- production ----------------------- The invention relates to thin-film Switching elements and circuits and processes for their manufacture. In particular, the invention relates to achieving desired electrical properties of thin-film circuits and switching elements by forming a predetermined figure of holes in the thin layers which form the circuits or switching elements Capacitors by using thin-film material provided with holes in such a way that the thin-film resistors and capacitors have relatively high resistance values or relatively low capacitance values compared to the resistance or capacitance values that resistors and capacitors have, if steady or uninterrupted thin Layers of material of the same area and thickness are used * It is difficult to manufacture thin-film capacitors with very low capacitance values if the plates of the capacitor are to be extremely small and / or the dielectric The material between the plates of the capacitors should be extremely thick in order to obtain the capacitors which have the desired capacitance. These difficulties can be overcome by using relatively large conductive plates to manufacture the capacitor and by inserting holes in one or both plates of the capacitor in order to reduce the effective area of the plates and thus to create capacitors with extremely low capacitance values.

Widerstände mit dünnen metallischen Schichten können so ausgeführt werdeng daß sie eine hohe Stabilität besitzen,und sie können auf genaue Werte abgeglichen werden. Insbesondere besitzen Tantaldünnschicht-Widerstände, wie sie in der Österreichischen Patentschrift 216 105 und der Französischen Patentschrift, beschrieben eindp diese Eigenschaften in hohem Grade. Solche dünnen Metallschichten besitzen jedoch gewöhnlich Schichtwiderstände von etwa 1001wis 500 Ohm je Quadratflächeg während die Schaltungen dehr viel höhere Widerstandswerte verlangen können. Der Widerstandewert von derartigen dünnen Schichtwiderständen kann weiter dadurch erhöht werdeng daß die aktive Dicke herabgesetzt und der Gehalt an Dotierungsmaterialien, wie die Stickstoff- und Sauerstoff-Dotierung der dünnen Schichten geregelt wird. Jedoch erfordern diese Verfahren eine sehr genaue Regelung der Betriebsparameterg so daß sie nicht das wirtschaftlichste Verfahren zur Herstellung von Widerständen mit verhältnismäßig hohen Widerstandswerten darstellen. Es ist ferner üblich, den Widerstandewert von dünnen Tantalschichten dadurch zu erhöhen, daß die Form der Widerstandswege geändert wird, um das Seitenverhältnie durch Verringerung der Breite des Widerstands- , werte zu vergrößern. Wenn z.B. Widerstände von 100 000 Ohm gefordert werden, so kann dies erreicht werden, indem ein langer schmaler Tantalweg mit einem Flächenwiderstand von etwa 100 Ohm je Quadrat ai,#f einer Unter- müßte der Weg 10 mal gefaltet werdeng auch wenn er sich entlang der Seite mit einer Länge von 1925 cm erstreckt, Das Erhöhen des Widerstandwwerts eines Dünnachicht-Widerstands durch Einflußnahme auf dessen Form enthält die Gefahr, daß Unzuverlässigkeit auftritt, wenn sich die Breite'der Schicht dem Durchmesser der Lochfehler nähert, die bei aufgebrachten Schichten auftreten. Auch wenn Verfahren entwickelt werden können, die Anzahl derartiger Fehler in dünnen Tantalschichten herabzusetzeng so sind doch Fehler von einigen Tausändetel cm in dünnen Schichten schwierig zu vermeiden. Es ist ferner schwierig» das Auftreten von Ätzfehlern in schmalen Streifen von Dünnaohichtmaterial zu verhindern, wenn die Dünnschicht-Widerstände durch Ätzverfahren hergestellt werden. Die vorliegende Erfindung beseitigt diese 2robleme dadurchg daß Dünnschicht-Widerstände geschaffen werden, die ein Aetzwerk von sich schneidenden elektrisch parallelen Flächen aufweiseng welche durch eine Vielzahl von Löchern in einer dünnen Widerstandematerialschicht gebildet werden, Derartige Widerstände können zunächst mit einer vorbestimmten geometrischen Form hergestellt werden, die in regelmäßigen Abständen auf der Länge des Widerstandes wiederholt wirdy oder es kann eine im wesentlichen gleichmäßige Schicht aus einem schichtbildenden Metall auf einer Oberfläche aus einer starren oder flexiblen Unterlackscheibe aufgebracht werden und dann können Teile der Schicht oxydiert, sublimiert oder auf irgendeine andere bekannte Weise entfernt werden. um Teile der Widerstandsschicht in Abständen zu unterbrechen und eine Vielzahl von elektrisch parallelen Wegen zu bilden, die in vorbestimmten Abständen entlang der parallelen Wege miteinander verbunden sind. Demgemäß kann ohne Rücksicht auf die Größe des Flächenwiderstande der Widerstandsachicht der Widerstandewert der Widerstände beträchtlioh dadurch erhöht werdeng daß eine Vielzahl von IöChern in der Schicht in regelmäßigen Abständen oder in einer vorbestimmten Figur vorgesehen wird. Eine Aufgabe der Erfindung besteht daring diie gewünsch. ten elektrischen Eigenschaften von Dünnachicht-Schaltungen und Schaltelementen zu erzieleng indem eine vorbestimmte Figur von Löchern in den dünnen Schichten gebildet wird, welche die Schaltungen oder Schaltelemente bilden. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht daring stabilere und zuverlässigere Dünnschicht-Widerstände mit hohem Wert zu schaffen, bei denen di e Widerstandsschicht. durch das Nichtvorhandensein der Schicht in in Abstand angeordneten lPlächen unterbrochen ist, und eine Vielzahl von miteinander verbundenen Widerstqndewegen gebildet wirdp so daß die Gesamtfläche der dünnen Widerstandeschicht auf den gewünschten spezifischen Widerstand in Ohm je Quadrat abgeglichen wirdp während die vorhandene Dicke der Schicht konstant bleibt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es" einen Dünnschicht-Widerstande zu schaffen, der aus einem Blozierbaren ichichtbildenden Material hergestellt ist, das eine Vielzahl von in Abständen befindlichen Teilen aufweist, die auf der-geagmten Dicke der dünnen Schicht durch ein Bloxierverfahren oxydiert eindt um den spezifischen Widerstand der dünnen Schicht zu erhöhen, Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin# Dünnochicht-Kondensatoren zu schaffen, bei denen das Dünnachicht-Materialg das wenigstens eine Platte jedes der Kondensatoren bilde.t. mit einer Vielzahl von Löchern versehen ist, um Kondensatoren mit irerhältnismäßig niedrigen Kapazitätswerten zu schaffen, ohne extrem kleine Platten oder extrem dickes dielektrisches Material zwischen den Kondensatorplatten vorsehen zu müssen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist esq elektrische Netzwerke mit mehr.eren Anschlüssen zu schaffen, die elektrische Eigenschaften haben, welche im wesentlichen den Netzwerken gleicheng die punktför4mige konstgnten benutzen# Ein Dünnachicht-Schaltelementg das gewisse Prinzipien der Erfindung verkörperte kann eine elektrisch nicht leitende Unterlage und eine dünne mit Löchern versehene Schicht aus elektrisch leitendem Material enthalteng das auf der Unterlage aufgebracht ist. Die Löcher sind in der dünnen Schicht in einer vorbestimm-ten Figur.angeordnet, derartg daß eine gewünschte vorbestimmte elektrische Eigenschaft entsteht, die unabhängig von der Gesamtfläche der Unterlage istg die von der mit Löchern versehenen dünnen Materialschicht eingenommen wirdp welche das Schaltelement bilden, Ein Dünnochicht-Widerstand, der gewisse Irfindungsprinzipien verkörperte kann eine elektrisch nicht leitende Unterlage und eine dünne Schicht aus elektrischem Widerstandematerial enthaltene die ein im wesentlichen zweidimensionales Gitternetzwerk bildet, das aus einer Vielzahl von elektrisch parallelen Widerstandswegen besteht.' die elektrisch in gleichmäßigen Abständen miteinander verbunden sind, Bin Verfahren zur Herstellung von Dünnachicht-Widerständen,'die gewisse Merkmale der Erfindung verkörpern, kann folgende Arbeitsgänge umfassen: Aufbringen einer dünnen Schicht aus elektrischem Widerstandematerial auf der Oberfläche einer nicht leitenden Unterlage und Entfernen der Schicht von einer Vielzahl von verhältnismäßig kleinen in Abständen angeordneten Teilen der Unterlage, um eine Widerstandsfigur zu bilden, die aus einer Vielzahl von feinen Streifen besteht, die elektrisch parallel liegen und die mit einer Vielzahl von elektrischen Querverbin. dungen zwischen den parallelen Wegen versehen sind. Die in Abständen angeordneten Teile der Unterlageg von denen die dünne Schicht entfernt wi'rd, können in Reihen und Spalten mit gleichen Abständen angeordnet werdeng so daß die entstehenden Widerstandeflächen eine schirmartige Widerstandefigur ergeben, Andere Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden anhand der nachfolgenden eingehenden Erläuterung spezieller Ausführungebeispiele und der beigefügten Zeichnungen leicht verständlich werden. Pig. 19 2,3 und 4 der Zeichnungen sind vergrößerte Teilansichten von Dünnachächt-Widerständen, auf denen die Widerstandefiguren in verschiedener Form ausgebildet sind, Pig» 5 ist eine vergrößerte Teilansicht einer integrierten Dünnschicht-Schaltung mit unbegrenzt-veränderlichen verteilten Parametern, Pig. 6 ist eine Teilansicht eines Teils einer Unterlage, welche Dünnachicht-Widerstände ergibt, die eine Metall- oder eine Metallverbin--dungesehichtfigur sowie Anschlüsse aufweisen, Pig# 7 ist eine teilweise aufgeschnittene Prontansiebt eines #ierätsq das sich zur Herstellung einer Metaljl# oder Metallverbindungsschichtfigur durch Zerstäuben entspreehend der Erfindung eignete Is sei niz=ehr auf die Zeichnungen'inebesondere auf Pig. 1 eingegangen* Dort ist ein Dünnachicht-Widerstand datgestelltg der allgemein durch die Zahl 10 bezeichnet ist, und der eine dielektrische Unterlack. scheibe 11 enthält, die aus Kunststoff, Glasq Glimmer, Keramik, glasierter Keramik oder aus einem anderen geeigneten Material besteht. Die Unterlackscheibe 11 ist vorzugsweise ein Alaklifreies Glas oder glasierte Tonerde, An jedem Ende des Dünnschicht-Wideretande 10 ist in herkömmlicherweise ein elektrischerAnschluß 12 an der Unterlackscheibe 11 angebracht. Die elektrischen Anschlüsse 12 können aus Gold besteheokdas auf der Unterlackscheibe 11 durch ein Siebnetzdruckverfahren'aufgebracht auf dieser eingebrannt ist. Die Anschlüsse 12 können hergestellt werden, indem ein vielschichtiger Film aus Chrom, Nickel und Gold auf die Untetlackscheibe 11 im Gebiet der Anschlüsse aufgebracht wird. Es wird eine Widerstandsfigur aus einer allgemein'mit der Zahl 13 bezeichneten extrem dünnen Schicht aus einem eloxierbaren schichtbildenden Material, wie Tantalnitrid, hergestellt, die sich zwischen den beiden AnschlüsAen 12 erstreckt.Resistors with thin metallic layers can be made so that they have a high stability, and they can be trimmed to exact values. In particular, tantalum thin-film resistors, as described in Austrian patent specification 216 105 and French patent specification, AP described these characteristics to a high degree. However, such thin metal layers usually have sheet resistances of about 1001 to 500 ohms per square area, while the circuits can require much higher resistance values. The resistance value of such thin film resistors can be increased further by reducing the active thickness and regulating the content of doping materials, such as the nitrogen and oxygen doping of the thin layers. However, these methods require very precise control of the operating parameters so that they are not the most economical method of manufacturing resistors with relatively high resistance values. It is also common to increase the reflection prior value of thin tantalum layers characterized in that the form of resistance paths is changed to the Seitenverhältnie by reducing the width of the resistance, values to increase. If, for example, resistances of 100,000 ohms are required, this can be achieved by using a long, narrow tantalum path with a sheet resistance of about 100 ohms per square ai, # f of a lower the path would have to be folded 10 times even if it extends along the side with a length of 1925 cm. Increasing the resistance value of a thin-film resistor by influencing its shape carries the risk of unreliability occurring as the width of the layer increases approximates the diameter of the hole defects that occur in applied layers. Although methods can be developed, the number of such errors in thin tantalum layers herabzusetzeng so're error of a few Tausändetel cm in thin layers difficult to avoid. It is also difficult to prevent etching defects from occurring in narrow strips of thin film material when the thin film resistors are fabricated by etching processes. The present invention overcomes these problems by providing thin film resistors which have a network of intersecting electrically parallel surfaces formed by a plurality of holes in a thin layer of resistive material repeated at regular intervals along the length of the resistor or a substantially uniform layer of a film-forming metal can be applied to a surface of a rigid or flexible undercoat sheet and then portions of the layer can be oxidized, sublimed or removed in any other known manner . to interrupt portions of the resistive layer at intervals and to form a plurality of electrically parallel paths connected to each other at predetermined intervals along the parallel paths. Accordingly, regardless of the size of the sheet resistance of the resistor layer, the resistance value of the resistors can be increased considerably by providing a plurality of holes in the layer at regular intervals or in a predetermined figure. It is an object of the invention to achieve the desired. The electrical properties of thin-film circuits and switching elements can be achieved by forming a predetermined shape of holes in the thin layers which constitute the circuits or switching elements. Another object of the invention is to provide more stable and reliable high value thin film resistors in which the resistor layer. is interrupted by the absence of the layer in spaced-apart areas, and a plurality of interconnected resistance paths are formed so that the total area of the thin resistor layer is balanced to the desired resistivity in ohms per square while the existing thickness of the layer remains constant. Another object of the invention is "to provide a thin film resistor made of a blocable light-forming material having a plurality of spaced apart portions which are oxidized on the aggmten thickness of the thin film by a bloxing process Another object of the invention is to provide thin film capacitors in which the thin film material forms the at least one plate of each of the capacitors with a plurality of holes to accommodate capacitors To provide relatively low capacitance values without having to use extremely small plates or extremely thick dielectric material between the capacitor plates Another object of the invention is to provide electrical networks with multiple terminals which have electrical properties which are substantially the same as the networks the dotf Using Spherical Constructs # A thin-film switching element that embodies certain principles of the invention may include an electrically non-conductive backing and a thin, foraminous layer of electrically conductive material applied to the backing. The holes are in the thin layer in a vorbestimm- th Figur.angeordnet, derartg that a desired predetermined electrical property is formed which independently of the total area of the pad ISTG the wirdp occupied by the perforated thin layer of material constituting the switching element A Dünnochicht -Resistance, which embodied certain irfinding principles, may contain an electrically non-conductive base and a thin layer of electrically resistive material which forms an essentially two-dimensional grid network which consists of a multiplicity of electrically parallel resistance paths. ' which are electrically connected at regular intervals, a method of making thin-film resistors, 'embodying certain features of the invention, may include the following operations: applying a thin layer of electrically resistive material to the surface of a non-conductive pad and removing the layer of a plurality of relatively small spaced apart parts of the base to form a resistor figure consisting of a plurality of fine strips which are electrically parallel and which are connected to a plurality of electrical cross connections. connections are provided between the parallel paths. The spaced portions of the backing from which the thin layer is removed can be arranged in equally spaced rows and columns so that the resulting resistor surfaces form an umbrella-like resistor figure. Other objects and features of the invention will become more specific from the following detailed explanation Exemplary embodiments and the accompanying drawings are easy to understand. Pig. 19, 2, 3 and 4 of the drawings are enlarged partial views of thin night resistors on which the resistor figures are formed in various shapes, Pig » 5 is an enlarged partial view of a thin film integrated circuit with infinitely variable distributed parameters, Pig. 6 is a partial view of a portion of a backing which results in thin-film resistors having a metal or metal compound layer figure and connections, Pig # 7 is a partially cut-open prontane sieve of a device which is suitable for making a metal or metal compound layer figure Spraying according to the invention was not suitable for the drawings, especially for Pig. 1 received * There is a thin-film resistor indicated generally by the number 10 , and the one dielectric undercoat. Disk 11 contains, which consists of plastic, Glasq mica, ceramic, glazed ceramic or another suitable material. The undercoat disk 11 is preferably an alaklif-free glass or glazed clay. At each end of the thin-film resistor 10 , an electrical connection 12 is attached to the undercoat disk 11 in a conventional manner. The electrical connections 12 can be made of gold, which is applied to the undercoat disk 11 by a screen printing process is branded on this. The connections 12 can be produced by applying a multilayered film of chromium, nickel and gold to the base plate 11 in the area of the connections. A resistor figure is produced from an extremely thin layer, generally designated by the number 13 , of an anodizable layer-forming material, such as tantalum nitride, which extends between the two connections 12.

Die Widerstandefigur wird auf der Unterlackscheibe 11 durch ein herkömmliches Verfahren gebildet. Die dünne Schicht 13, die durch kathodisches Zerstäuben reafierendes Zerstäuben, Vakuumverdampfung oder durch ein anderen geeignetes Verfahren aufgebracht werden kann, besteht aus einer Anzahl von feinen parallelen Wegen 14 aus einem gewünschten Widerstandematerialp die elektrisch parallel liegen, Die feinen parallelen Wege 14 aus Widerstandematerial sind mit einer Vielzahl von elektrischen Querverbindungen 16 aus demselben Widerstandsmaterial verseheng so daßp auch wenn noch Fehler in einem der parallelen Wege vorhanden sein könneng aufeinanderfolgende,Teile der parallelen Wege 14 mit den anderen parallelen Wegen 14 verbunden sindy um die Wirkung eines Lochfehlere in dem parallelen Weg klein zu halten, und die Zuverlässigkeit des Widerstands 10 zu verbessern. Da- die Stetigkeit den Wideretandeschioht 13 durch das Nichtvorhandenaein von Schichtteilen in Gebieten mit gleichmäßigen Abständen unterbrochen istl um die löcher 17 in der Schicht 13 zu bildent und da eine Vielzahl von miteinander verbundenen Widerstandwwegen ausgebildet ist, wird die Gesamtfläche der dünnen Widerstandsschicht 13 auf den gewünschten spezifischen Widerstand in Ohm je Flächenquadrat abgeglicheng während die tatsächliche Dicke der Schicht konstant bleibt, Hierdurch wirdd die Stabilität und die Zuverläaeigkeit von Dünnachichtwiderständen 10 mit einem verhältnismäßig hohen Widerstandzwert in Ohm je Plächenquadrat vergrößert, veder Teil der elektrisch parallel liegenden Wege 14 an den löchern 17 in der Schicht 13 ist eine Vielzahl von Quadraten lang, Wenn die löcher 17 die 7orm von verhältnismäßig langen Rechtecken habeng.wie es in l'ig» 1 dargestellt istg ist ea'praktisch Dünnschichtwiderstände 10 herzuatelleng bei denen die Schichtdicke etwa 1200 2 beträgty und die Länge jedea,Widerstandewege 14 zwischen den angrenzenden Seiten von zwei löchern 17 in der Schicht 13 etwa 20 bis 60 Q-uadrate lang ist. Wenn die Wege 14 etwa 29,5 x lor3 cm breit und 125 x 1073 cm lang sind, betragen die Wege etwa 50 Quadrate. Wenn man aunJmm , daß N derartiger Wege 14 parallel liegen, dann bilden die N parallelen Wege effektiv 50 durch N Quadrate des Widerstandsmateriala* Wenn der Widerstand 10 eine Länge von zehn Löchern besitzt, ist der effektive Widerstandsweg den ganzen Widerstands etwa 500 durch N Quadrate lange Wenn die Pigur der dünnen Schicht 13 so abgeändert istg daß eiZa Widerstand entetehtg wie er in Pige 2 dargestellt ist, der allgemein durch die Zahl 20 bezeichnet'istt wobei sich abwechselnde Reihen von rechteckigen in einer dünnen Widerstandeechicht, 23 auf einer Unterlage 21 ausgebildeten löchern 27 so versetzt sind, d aß sie die Widerstandowege 24 bildenp welche durch die Verbindungen 26 miteinander verbunden sind, so ist der effektive Widerstandswert, der zwischen den Anschlüssen 22 sich erstreckenden Widerstandeschi,cht 23 der gleiche, wie der Widerstandswert der Widerstandaschicht des Widerstands 10 in Fig. 11. Man könnte annehmen, daß die Widerstände 10 und 20 mit den in den Fig, 1 und 2 dargestellten Piguren den Mangel_ haben# der in Bezug auf lochtehler in Widerständen angegeben wurde, die aus feinen Zick-Zack-Wegen besteheng Jedoch gibt es einen wichtigen Unterschied zwischen dem Typ der in den Pig, 1 und 2 dargestellten Widerstände 4 10 und 20 und den Widerständen, die aus einem einzigen Zick-Zack-Weg besteheng insofern als die Widerstandewege 14 und' 24 der Widerstände 10 und 20 der Fig. 1 und 2 parallel liegen, Auch wenn ein bestimmter Widerstandeweg,14 oder 24 durch einen Loch- oder einen Ätzfehlez unterbrochen sein kanng so ist es doch unwahrscheinlich» daßmähr als einer oder zwei der parallelen Wege 14 oder 24 auf einem 5#eil des Widerstands 10 oder 20 durch einen Fehler unterbrochen ist. Die vorliegende Erfahrung über Schichtunreinheiten und Schichtbehandlung der Dünnschioht. -Technologie hät gezeigtg daß die Pehlerdichte in der Tat so niedrig liegty daß Vielfachlehler sehr unwahrscheinlich sind. Infolge des Überschußes an Parallelwegen 14 oder 24, ist die entstehende Zuverlässigkeit der Widerstände 10 oder 20, die mit einer Pigur der in Fig, 1 oder 2 dargestellten Art hergestellt sind, äußerst hoch.The resistor figure is formed on the undercoat disk 11 by a conventional method. The thin layer 13, which can be applied by cathodic sputtering reactive sputtering, vacuum evaporation or by any other suitable method, consists of a number of fine parallel paths 14 of a desired resistor material which are electrically parallel a plurality of electrical cross-connections 16 made of the same resistance material so that even if defects may still be present in one of the parallel paths, successive parts of the parallel paths 14 are connected to the other parallel paths 14 in order to reduce the effect of a hole defect in the parallel path hold, and improve the reliability of the resistor 10. DA continuity the Wideretandeschioht 13 through the Nichtvorhandenaein of layer parts in areas with equal intervals interrupted ISTL around the holes 17 in the layer 13 to bildent and since a number is formed of interconnected Widerstandwwegen, the total area of the thin resistive layer 13 to the desired is Specific resistance in ohms per square area balanced while the actual thickness of the layer remains constant.This increases the stability and reliability of thin-film resistors 10 with a relatively high resistance value in ohms per square area, veder part of the electrically parallel paths 14 at the holes 17 in the layer 13 is a plurality of squares long when the holes 17, the 7orm of relatively long rectangles it habeng.wie in l'ig "1 ISTG is shown ea'praktisch thin film resistors 10 herzuatelleng in which the layer thickness of about 1200 and the length of 2 beträgty each, resistance paths 14 between the adjoining sides of two holes 17 in layer 13 are about 20 to 60 square squares long. If the paths 14 are approximately 29.5 x lor3 cm wide and 125 x 1073 cm long, the paths are approximately 50 squares. If one aunJmm that N such paths 14 are parallel, then the N parallel paths effectively form 50 by N squares of Widerstandsmateriala * If the resistor 10 has a length of ten holes, the effective resistance path is the entire resistor 500 by N squares long If the pigment of the thin layer 13 is modified in such a way that a resistor as shown in Pige 2, which is generally indicated by the number 20, is alternating rows of rectangular holes 27 formed in a thin resistor layer, 23 on a base 21 are offset so that they form the resistance paths 24 which are connected to one another by the connections 26 , the effective resistance value of the resistor layer 23 extending between the terminals 22 is the same as the resistance value of the resistor layer of the resistor 10 in FIG . 11. It might be assumed that the resistors 10 and 20 with those shown in Figs, 1 and 2 Piguren shown the Mangel_ have been specified # of with respect to lochtehler in resistors However, fine zigzag paths besteheng there is an important difference between the type of the resistors illustrated in the Pig, 1 and 2 4 10 and 20 and the resistors of a single zig-zag path besteheng inasmuch as the opponent able paths 14 and '24 of the resistors 10 and 20 of FIGS. 1 and 2 are in parallel, even if a certain Widerstandeweg, 14 or 24 through a hole or a Ätzfehlez kanng be interrupted so it is unlikely "daßmähr eil of the resistor is interrupted by an error 10 or 20 as one or two of the parallel paths 14 or 24 on a # 5. The present experience about layer impurities and layer treatment of thin layers. -Technology has shown that the error density is indeed so low that multiple errors are very unlikely. As a result of the excess of parallel paths 14 or 24, the resulting reliability of the resistors 10 or 20, which are produced with a Pigur of the type shown in FIG. 1 or 2, is extremely high.

Wenn die mit Löchern versehene Widerstandeschicht 13 oder 23 nachfolgend durch ein 1loxierverfahren, wie es in der oben erwähnten Österreichischen Patentschriet 216 105 angegeben ist) abgeglichen wird, kann die Wirkuh« der Widerständsänderung gegenüber dem normal ' en Widerstandowert, die durch in den parallelen Wegen,14 oder 24 oder den Querverbiudungen 16 oder 26 der Widerstände 10 oder -20 bei der Herstellung auftretende Fehler verursacht wirdg wirkoam beseitigt werden. Wenn ferner einer der Parallelwege 14 im Verlauf der Lebensdauer des Widerstands 10 oder 20 beschädigt und offen wird, beträgt die Wideretandeänderung der in Pig» 1 und 2 dargestellten Figur das IIN fache den effektiven Widerotandewerte des Teile den Widerstands 10 oder 20, der gleich der Länge eines der Löcher 17 oder 27 ist, und das fache für den ganzen Widerstand 10 oder 20, wobei X die Länge des Wideretande 10 oder 20 totg ausgedrückt In der.Anzahl der löcher 17 oder 27 entlang der längsachse des Widerstands 10 oder 20 ist, Wenn die parallelen Wege 14 oder 24 häufiger miteinander verbiunden sind, kann& die Änderung des effektiven Widerstandewerte des Widerstands 10 oder 20 durch einen einzigen Fehler im Widerstand 10 oder 20 ohne wesentliche Änderung des effektiven Widerstandewerte eines Widerstands der gleichen Länge verringert werden. Die nicht gewünschten Teile der Schicht 13 oder 23 können auf irgendeine bekannte Weise entfernt werden, zeBo durch mechanischey elektrische, optische oder chemische Verfahrim, Die löcher 17 oder 27 in der dünnen Schicht 13 oder 23 können diirch herkömmliche lichtätzverfahren hergestellt werden. Andererseits können die löcher auch durch die Verwendung von Abschirmmaterialien und/oderdurch die Verwendung einer eiedenden zehn mal normalen Lösung einer starken Base von Natrium oder Kaliumhydro#d zur Entfernung von Schichten aus Tantal oder Aluminium hergestellt werdenp die sich für dieses Ätzverfahren eignen» Jedoch kann die Verwendung von starken Basen oder Säuren als-Ätzmittel vermieden werdeng indem KLoxierverfahren der allgemeinen Art benutzt werdenp wie sie in der oben erwähnten Österreichischen Patentschrift 216 105 beschrieben einde Wenn die gewünschte Pigur den Widerstands 10 oder 20 auf einer oloxierbaren dUnnen Schicht 13 oder 239 z"Be aus Tantal mit einem chemischen Abdeckmittel mit Hilfe von lithographischen *der Siebnetzdruckverfahren aufgedraokt wirdp können die nicht gewünschten Teile der WiderstandenehiO'ht zur Bildung der löcher 17 oder 27 in der Widerstahdesehicht dadurch wirksam entfernt werdeng daß die in Abständen angeordneten offen lie-g enden Teile der Schicht eloziert werden, bis die gesamten offen-liegenden Teile le oder 28 d er Metall. achicht in etn dielektriaohen Material umgewandelt sindj, in dem die offen liegenden Teile der Schicht, wie sie in lfigo. 1 und 2 dargestellt eindt in ein llantaloxyd verwandelt sind.If the apertured abutment able layer is adjusted 13 or 23 below by a 1loxierverfahren, as indicated in the above mentioned Austrian patent sealed reed 216 105), the Wirkuh can "of the resisters change from the normal 's Widerstandowert, which, by the parallel paths 14 or 24 or the Querverbiudungen 16 or 26 of the resistors 10 or -20 caused errors occurring during manufacture can effectively be eliminated. Furthermore, if one of the parallel paths 14 is damaged and opened during the life of the resistor 10 or 20, the resistance change in the figure shown in Pig »1 and 2 is IIN times the effective resistance value of the part of the resistor 10 or 20, which is equal to the length one of the holes 17 or 27 , and times for the whole resistor 10 or 20, where X is the length of the resistor 10 or 20, expressed in the number of holes 17 or 27 along the longitudinal axis of the resistor 10 or 20, if the parallel paths 14 or 24 are connected more frequently, the change in the effective resistance value of the resistor 10 or 20 can be reduced by a single defect in resistor 10 or 20 without significantly changing the effective resistance of a resistor of the same length. The undesired parts of the layer 13 or 23 can be removed in any known manner, e.g. by mechanical, electrical, optical or chemical processes. The holes 17 or 27 in the thin layer 13 or 23 can be produced by conventional light etching processes. On the other hand, the holes can also be produced through the use of shielding materials and / or through the use of a ten times normal solution of a strong base of sodium or potassium hydroxide to remove layers of tantalum or aluminum which are suitable for this etching process The use of strong bases or acids as etchants can be avoided by using co-oxidizing processes of the general kind as described in the above-mentioned Austrian patent specification 216 105. If the desired pigment is the resistor 10 or 20 on an olodizable thin layer 13 or 239, for example the unwanted parts of the WiderstandenehiO'ht to form the holes 17 or 27 in the Widerstahdesehicht thereby effectively removed are g that are arranged at intervals Lie can open wirdp aufgedraokt of tantalum with a chemical covering with the help of lithographic * the Siebnetzdruckverfahren g portions of the NS ot be eluted until all of the exposed parts are empty or 28 of the metal. The layer is converted into a dielectric material, in which the exposed parts of the layer, as shown in fig. 1 and 2 shown and transformed into a llantal oxide.

Das Illozieren als Mittel zum Trennen einer Dünnsohiohtgehaltung von einer anderen wird gewöhnlich als ungeeiimet betraobtetg weil die Otromkonzentration vor dem liegenden leitenden Wegen geOffnet wird* KlerduroZL wird bewirkt, daß'in der Mitte der olozierten lPläche Schichten von betrÜchtlioher leitfähigkeit übrig bleibene Jedoch besteht nur eine geringe Wahrscheinlichkeitt daß diese Braoheinung,auftritt» wenn die elozierleakweg vollständig kompeneiert werden kann# wenn der Gitterweg de* WIde - rstands näabfolgend auf einen vorbestimmten Widerstandswert eloziert wir'do Bei Verwendung der Utterwiderständegder in den Fig. 1 und 2 dargestellten Artg indem vorhandene Verfahren der Widerstandaregelung angewendet werden, welche die Regelung der Zunammensetzung den Wideretandematerials, die Regelung der Dicke des Niederschlage und die Verwendung automatischer Iloxierverfahren umfassen, ist es mögliohg Dünnsohicht-Widerstände mit Werten von wenigstens 100 000 Ohm herzustellen, die eine 7läche auf einer Unterlage einnehmen, die nur-etwa 1925 cm lang und 00 cm breit ist. Diese Art von Dünnsehicht-Widerstand sollte eigentlich den Bedarf sämtlicher elektronischer Schaltungen decken, da höhere Wideretandewerte auf Wunsch durch Vergrößerung der Länge der Widerstände erhalten werden können.Illocation as a means of separating one thin body from another is usually considered inappropriateness because of the prior otoma concentration Lying conductive paths are opened * KlerduroZL has the effect that layers of considerable conductivity remain in the middle of the exposed surface - rstands näabfolgend to a predetermined resistance value wir'do eloziert When using the Utterwiderständegder in Figures 1 and ARTG shown 2 by known methods of the Widerstandaregelung be applied, which the control of the Zunammensetzung the Wideretandematerials, regulating the thickness of the precipitate and the use of automatic. It is possible to manufacture thin-film resistors with values of at least 100,000 ohms which occupy an area on a base that is only about 1925 cm long and 00 cm wide. This type of thin film resistor should meet the needs of all electronic circuitry because higher resistance values can be obtained by increasing the length of the resistors if desired.

An Stelle der Vergrößerung des Wideratandawerts der dünnen Widerstandeschichten durch wirksamee Entfernen der unerwünschten Teile der Schicht durch ein Bloxierverfahrent das die Verwendung von Widerstandeachichten erfordertg die durch ein Moxierverfahren oxydiert werden könneng kann der Widerstandewert der Widervtandsachicht auch durch die Nntfernung einer Vielzahl von kleinen-in Abständen angeordneten kreinförmigen Teilen der Schicht4durch Halbton-Itzverfahren vergrössert werdeng die den Verfahren gleichen, die fär die Bildung von Punkten auf einer Halbtondruckplatte benutzt werdeng welche bei Halbtonreproduzier-Verfahren Verwendung findet, In Pig, 3 ist ein Widerstand dargestellt, der allgemein mit der Zahl 30 bezeichnet ist und der durch ein Halbton-Itzverfahren hergestellt wird. Der Widerstand 30 enthält eine Unterlackscheibe 31 mit einer Vielzahl von Anschlüssen 329 die durch die Unterlackecheibe an deren Enden gehalten werden. Die Anschlüsse 32 stehen in Ohmlochen Kontakt mit einer allgemein mit der Zahl 33 bezeichneten dünnen Schicht aus Widerstandsmaterial, die sich zwischen den Anschlüssen 32 erstreckt. In der dünnen Schicht 33 aus Widerstandematerial wird durch ei * n Halbtonätzverfahren eine-Vielzahl von löchern 37 hergestellt, so daß eine Vielzahl von elektrisch parallelen Wegen 34 und Widerstandaquerverbindungen 36 entsteht» Die Löcher 37p die durch das Halbtonätzverfahren hergestellt werdenp können eine veränderliche Größe haben» Die Größe und Anzahl dieser Löcher 37 wird durch die Anwendung von fotografischen Verfahren geregelt. Da die Lochgröße beim Halbtondrucken eine Funktion der Dunkelheit des Potoo4inale isty können Fotografien mit abgestufter Dunkelheit hergestellt werden, um Vielfaohnetzwerke zu erhalteng die ähnliche Eigenschaften haben, wie Netzwerke die durch punktförmig verteilte (nicht dargestellte) Widerstände gebildet werden» Es kann ein Widerstand 40 (Pig.4) mit einem höheren als er durch die miteinander verbundenen parallelen Widerstandswege 44 entsteht, die durch die Löcher-47 in einer Schicht 43 gebildet werden, geschaffen werdeno Dies kann dadurch geseheheng daß Teile der dünnen Widerstandeschicht 43 von im Abstand angeordneten rechteckigen Flächen 45 einer Unterlackscheibe 41 entfernt werden, die abwechselnd von den Beiten des Widerstands 40 ausgehen# um eine Zick-Zack-Schirmfigur zu filden, die allgemein durch die Zahl 49 bezeichnet ist, und die sich zwischen zwei Anschlüssen 42 erstreckt, wie es in Pig, 4 dargestellt ist* wie aus Fig. - 5 hervorgehtt kann ein Dünnachicht-Widerstand, der allgemein mit der ZahM 50 bezeichnet ist, hergestellt werdeng indem eine allgemein mit der Zahl 53 bezeichnete dünne Schicht aus Widerstandematerial auf einer Unterlackscheibe 51 aufgebracht wird. Die Löcher 579 die in der dünnen Widerstands-Materialschicht 53 gebildet sind, um deren elektrische Eigenschaften zu regeln, können in ihrer Größe und/oder Dickte in vorbestimmten Figuren abgeändert werden. Es kann eine Vielzahl von Anschlüssen 52 elektrisch an vorbeatimmten Flächen der dünnen Sehicht 53 aus Widerstandematerial angeb.racht werdeng um eine Widerstandefigur mit unendlieh verteilten Parametern hervorzubringen, welche dieselben elektrischen Eigenschaften wie Netzwerke zeigt# welche aus einer Vielzahl'von (nicht dtargestellten) miteinander verbundenen punktförmigen Widerständen hergestellt sind.Instead of increasing the resistance value of the thin resistor layers by effectively removing the undesired parts of the layer by a blocking process which requires the use of resistance layers which can be oxidized by a moxing process, the resistance value of the resistance material can also be determined by removing a large number of small-spaced ones kerin shaped parts of the Schicht4durch halftone Itzverfahren increases are g are similar to the methods for everyone uses the formation of dots on a Halbtondruckplatte are g which at Halbtonreproduzier method using finds In Pig, 3 a resistor is shown, which is designated generally by the numeral 30 and which is produced by a halftone itz process. The resistor 30 contains a lacquer disc 31 with a plurality of connections 329 which are held by the lacquer disc at the ends thereof. The terminals 32 are in ohmic contact with a thin layer of resistive material, generally designated by the numeral 33 , which extends between the terminals 32 . In the thin layer 33 of resisting able material is a-plurality is made of holes 37 through ei * n Halbtonätzverfahren so that a plurality of electrically parallel paths 34 and Widerstandaquerverbindungen 36 arises "The holes 37p can werdenp prepared by the Halbtonätzverfahren have a variable size" The size and number of these holes 37 is controlled through the use of photographic processes. Since the size of the holes in halftone printing is a function of the darkness of the potoo4inale, photographs can be produced with graduated darkness in order to obtain multi-faceted networks that have similar properties to networks formed by point-like distributed resistors (not shown) » A resistor 40 (Pig .4) with a higher as it is created by the interconnected parallel resistance paths 44 formed by the holes 47 in a layer 43. This can be seen by removing portions of the thin resistance layer 43 from spaced rectangular areas 45 of an undercoat washer 41 which alternately extending from the sides of the resistor 40 # to fil a zigzag umbrella figure, indicated generally by the number 49, and which extends between two terminals 42, as shown in Pig, 4 * as in Fig. As shown in FIG. 5 , a thin film resistor, indicated generally by the number 50 , can be produced by applying a thin layer of resistor material, indicated generally by the number 53 , to an undercoat disc 51 . The holes 579 formed in the thin resistive material layer 53 to control its electrical properties can be changed in size and / or thickness in predetermined figures. A plurality of terminals 52 can be electrically attached to predetermined surfaces of the thin sheet 53 of resistor material to produce a resistor figure with infinitely distributed parameters, which exhibits the same electrical properties as networks # which are made up of a plurality of (not shown) interconnected point resistors are made.

Die mit Löchern versehenen Flächen der dünnen Schicht 53 aus Widerstandsmaterial können eloxiert werdent um eine (nicht dargestellte) dielektr±sche Schicht von vorbestimmter Dicke zu bilden, andererseits kann auch jede Fläche mit einer Schicht 55 aus dielektrischem Material, z.Be aus reagierend zerstäubtem Tantalpentoxyd bedeckt werden, la können leitende Schichten 58 und 59 von spezieller Größe über Teilen der Schichten 55 aus dielektrischem Material gebildet werden, um Gegenelektroden von Kondensatoren zu bilden, die allgemein durch die Zahlen 61 bzw. 62 bezeichnet sind. Die Kondensatoren 61 und 62 wirken mit der mit Löchern versehenen Widerstandeschicht 53 zusammen,- um ein integriertes Widerstands-und Kapazitätsnetzwerk zu bilden, das allgemein mit der Zahl 60 bezeichnet ist. Die Gegenelektrode 59 des Kondensators 61 kann körperlich und elektrisch mit einem der Anschlüsse 52 des integr--.erten Netzwerks 60 verbunden werden. Die Gegenelektrode 58 bleibt körperlich von dem übrigen Teil des Netzwerke 60 getrennt, abgesehen davon, daß sie vom dielektrischemMaterial 55 gehalten wird. Da die Gegenelektrode 58 des Kondensators 62 gegen den übrigen Teil des Netzwerke 60 durch das dielektrische Material elektrisch isoliert ist, bildet der Kondensator 62 effektiv zwei Kondensatoreng die über die Gegenelektrode 58 in lieihe liegent wobei die beiden effektiven Kondensatoren effektiv parallel zu einem Teil des Widerstands der mit löchern versehenen dünnen Widerstandeschicht 53 liegen, die von der Gegenelektrode 58 bedeckt wird und in Reihe mit dem übrigen Teil der dünnen Widerstandeschicht 53. Die Größe"-Porm und. Verteilung der Löcher 57 in dem Teil der Widerstandeschicht 539 die unter den Gegenelektroden 58 und 59 liegtp werden benutztg um den effektiven Parallel-Widerstand zu regeln und ermöglichen Kondensatoren mit einem relativ kleinen Kapazitätewert" ohne daß die Grö'ße der Gegenelektroden 58 und 59 extrem klein gemacht werden muß* Die Beseitigung der Verbindungapunkte und Leiter zwischen den einzelnen Widerständen und/oder Kondensatoren eines Widerstands- und Kondensatornetzwerke verbessert die Zuverlässigkeit und setzt die Herstellungskosten herab, In Pig. 6 ist eine andere Auaführung eines Dünnachicht-Widerstands 70 dargestellt, bei dem ein schichtbildendes Metall oder eine Verbindung dieses Metalle auf einer Unterlaokrioheibe-71 in einer §itter-od»r sehirmartigen Figur 72 gebildet ist. Die gitter-oder sohirmartige Figur enthält eine Vielzahl von in dichten Abständen angeordneten parallelen elektrischen Wegeng die eine Vielzahl von in dichten Abständen angeordneten parallelen elektrischen Wegen unter Winkeln von 45 0 durchquerene Wenn auoh-die beiden Reihen von parallelen elektrischen Wegen sich unter einem Winkel von 45 0 schneiden, so sind doch auch andere Winkel möglich und können in manchen Fällen bevorzugt werden, Der Widerstand 70, der in 7ige '6 dargestellt istg kann hergestellt werden, indem zunächst eine dünne Schicht aus dem schichtbildenden Metall oder dessen Verbindung auf der Unterlackscheibe 7,1 auf irgendeine bekannte Weise aufgebracht wird, Das schichtbildende Metall oder dessen Verbindung wird vorzugsweise durch ein herkömmliches reagierendes Zerstäubeverfahren in einem Gerät der in Fig. 7 dargestellten Art aufgebracht. Vor dem Zerstäuben des schichtbildenden Metalle auf die'Unterlackscheibe 71 wird diese wie eine Mikroskopglasseheibe mit einer Breite von etwa 3,81 cm und einer Länge von etwa 7962 am istg mit Geldanschlüsoen, 73 von 0t953 cm - 0,635 cm an der Seite versehen. Die speziellen Goldanachlüsse 73-werden an der Unterlackscheibe durch ein Siebnetz-truckverfahren angebracht und mit-56500 eingebrannt', Die Anschlüsse haben einen endgültigen Widerstandewert von etwa 0,2 Ohig Je Quadratfläche. Andererseits können die Klemmen 73 auch an den Enden der Widerstandewege aufgebracht werdeng nachdem das Widerstandomaterial auf die Unterlage 71 aufgebracht istt oder es können die Anschlüsse durch einen direkten körperlichen Kontakt mit.dem Widerstandsmaterial hergestellt werden» Vor dem Aufbringen den Widerstandsmaterials wird die Unterlackecheibe 71 kräftig durch ein herkömmliches Reinigungamittel gereinigt, Die Wahl des speziellen Reinigungemittels hängt von der Zusammensetzung der Unterlackscheibe 71 selbst ab. Wenn z.B. die Unterlackscheibe 71 aus Glas besteht# wird sie gewöhnlich in Königewaaser oder Waeserstoffperoxyd gekocht. Bei der speziellen Ausführung wurde die Unterlackecheibe 71 mit den aufgebrachten Ansohlüesen zuerst in einem Reinigungsmittel, z.B. "Aleonox" gewascheng um große Schmutz- und Fett-Teilohen zu entfernen, Danach wurde die Unterlackscheibe 71 in Leitungswasser gespült und dann 10 Minuten lang in einer 10%ig-en WasserBtoffperoxyd-Iöpung gekocht* Die Unterlackecheibe 71 wurde danach in einen Ofen eingebracht, der auf 150 0 0 geheizt wurde, bis sie fertig zum Gebrauch war. Die Unterlackscheibe 71 mit den Anschlüssen 73 wird in der Zerstäubungskammer-74 auf eine Platte 76 gelegt, wo auf sie eine lantalnitrid-beständige dünne Schicht aufgebracht wird, Die Platte 76 wird von den aus einem geeigneten Iaoliermaterial bestehenden Ständern 78 einstellbar auf einer Anode 77 und isoliert gegen diese gehalten* Der& Abstand zwischen der Anode 77 und der Kathode 79 beträgt etwa 6935 am, jedoch ist dieser Abstand innerhalb vernünftiger Grenzen nicht kritisch. Der minimale Abstand zwischen der Anode 77 und der Kathode 79 ist derjenige Abstandp der notwendig ist, um eine Glimmentladung zu erzeugen, die für das Zerstäuben vorhanden sein muß# Na sind zahlreiche Dunkeletreifen in der Glimmentladung bekanntg denen verschiedene Namen gegeben wurden, z.B. der Orookelsche Dunkelraum. Zur Erzielung des festen Wirkungsgrade während des Zer-. stäubens soll die Unterlackscheibe 71 unmittelbar außerhalb des Orooketschen Dunkelraums auf der Seite der Anode 77 liegen. Wenn die Unterlackscheibe 71 - dichter an der Kathod e 79 liegtp ergibt sich ein Metallniederschlag von weniger guter Qualität. liegt die Unterlackscheibe weiter von der Kathode 79 weg, trifft ein geringerer Bruchteil des gesamten zerstäubten Metalls auf der Unterlackscheibe auf, so daß die zur L?Tzeugung eines Niederschlage von gegebener Dicke auf der Unterlackscheibe notwendige Zeit vergrößert wird, Es sei bemerktg daß die Lage des Grooketschen Dunkelraums sich mit dem Druck der Zerstäubungs-Atmoophäre ändert. Der Grookelsche Dunkelraum bewegt sich zur Kathode 79 hing.wenn der Druck der Atmosphäre in der Zerstäubungskammer 74 vergrößert wird. Wenn die Unterlackscheibe 71 dichter zur Kathode 79 hin bewegt wirdp hat die Kathode die Tendenz als Hindernis im Weg der Gas-Ionen zu wirken, welche die Kathode treffen. Deshalb soll der Druck in der Zerstäubungskammer 74 ausreichend niedrig gehalten werden, so daß der Orooketsche Dunkelraum jenseits des P unktes liegtp an dem die Unterlackscheibe eine Abschirmung der Kathode 79 bewirkt. Das Abweichen der verschiedenen Faktoren,der Spannung.des Drucks und der relativen Lage der Kathode 799 der Anode 77 und der Unterlackscheibe 71 zur Brzielung eines Niederschlage hoh,--r Qualität ist in der Z.erstäubunge. Technik bekannte Die Vakuumkammer 74 wird mit Hilfe einer.Vorpumpe (nicht dargestellt) und einer HÖhendiffusionspumpe (nicht dargestellt) auf einen Druck von etwa 2 . 10-6 mm Quecksilber nach einer Zeit von etwa 30 bis 45 Minuten evakuiert. Danach wird die Unterlackscheibe 71 auf eine Temperatur von etwa 400 0 0 erhitzt. Nach der Erzielung der gewUnachten Temperatur der Unterlackscheibe 71 wird Stickstoff in die Kammer mit einem dynamischen Druck eingelassen. Nachdem das Gleic#gewicht des Drucke in der Kammer 74 erreicht Ist# wird Argon in die Kammer unter einem Druck von etwa 15 Mikron Quecksilber eingeführt. Während des Zerstäubens wird der Partialdruck des Stickstoffs auf etwa 6 . 10-4 mm Quecksilber gehalten* Die Kathode 79 kann aus feuerfestem schichtbildenden Metalleng z.B. Titang Tantalg Niobiumg Aluminium usw* oder aus anderen geeigneten Materialien bestehen. Andererseits kann die Kathode 79 nur als Basis für das schichtbildende Metall dienen, wobei das sohichtbildende Metall auf die Basis in Form eines überzugs,eines Wickells oder in einer anderen geeigneten Anordnung aufgebracht werden kann. Die Kathode 79 besteht aus einer kreieförmigen Tantalscheibe hoher Reinheit mit einer Dicke von etwa 10916 0 1072 cm und einem Durchmesser von 10916 cm. Zwischen die Kathode 79 und die Anode 77 ist eine elektrische Pontentialquelle 81 geschaltete In der vorliegenden Zerstäubungskammer 74 ist die Anode 77 geerdet und eine Gleichspannung von etwa 5000 Volt zwischen der Kathode 79.und der Anode 77 angelegt, Obwohl auch eine asymmetrieche oder vorgespannte Gleichspannungequelle benutzt werden kann. Das Zeretäuben wird etwa 5 Minuten lang vorgenomment wobei eine Tantalnitrid#Schiobt von etwa 500 J Dicke erzeugt wird* Nachdem die Tantalnitrid-Behicht auf der Unterlackscheibe 71 aufgebracht iatg wird die Unterlackacheibe aus der Kammer herausgenommen, und die Schirafigur 72 durch ein fotolithographieches Verfahren aus der Tantalnitrid-Schicht gebildete Dies geschieht dadurch, daß die Oberfläche der Tantalnitrid-Bohicht durch ein Sprühverfahren mit einer lichtempfindlichen Schicht überzogen wird. Das leichtempfindliche Material hat vorzugsweise folgende Zusammenaetzungt Polyvinyl-Ginna'mat 2.5 g; Methylglycol-Acetat 100 com; und eine Perinaphthenone-Seneibilieator-Verbindung 0.25 g. Die lichtempfindliche Oberfläche wird dann über ein fotografisches Negativ einer kreuzweine schraffierten Figur einer Lichtfigur ausgesetztg derarty daß mit Ausnahme der Widerstandelinien selbst, die gesamte Fläche dem Licht ausgesetzt ist. Die lichtempfindliehe Schicht wird dann entsprechend herkömmlicher Potograflerungo-Verfahren mit einem Itzmittel behandelt, das Plußsäure oder ein anderen geeignetes Material enthält# ao daß auf der Unterlage eine kreuzweiae schraffierte Figur bleibtp die aus einer Vielzahl von dicht beieinander liegenden elektrischen Wegen egsteht, die etwa 2,54 iÖ-3 cm breit sind und die eine Vielzahl von dicht beieinander liegenden parallelen elektrischen Wegen mit einer Breite von etwa 2a54 9 1r3 cm unter einem Winkel von 45 0 durchqueren. Die Teile der elektrischen Wegeg die sich zwischen den Schnittpunkten, erstrecken, sind etwa 5098 . 1073 cm lang. Die Unterlackscheibe kann entlang den strichpunktierten Linien getrennt werden, um einzelne Widerstände herzustellen. Nach der Potografierungsbehandlung wurde der spezifische Flächenwiderstand des Widerstands 70 gemessen und mit etv.a 1000 Ohm je Flächenquadrat festgestellt, während der Wert für die vollständige Tantalnitrid-Schicht etwa 50 Ohm je Flächenquadrat betrug. Durch eine nachfolgende ILLoxierung konnte der Widerstandewert des Widerstands 70 auf wenigstens 2000 Ohm je Plächenquadrat erhöht werden* Somit ergibt offensichtlich das Verfahren der Erfindung, das auf einer kreuzweise schraffierten Figur beruht, wirksame spezifische Flächenwideretändeg die größer sind als die z,Zt. verfügbareng bei denen die Metallschichtdicke nicht herabgesetzt wurde* Weiterhin ist infolge der verschiedenen alternativen Wege eine vollkommene Figur nicht notwendigg so daß die Wirkung eines Lochfehlere oder eines ähnlichen Fehlers in der ursprünglichen Schicht verringert wirdeSchließlieh trägt das beschriebene Verfahren dazu bei, daß die Ableitung gleichmäßig über dem gräßeren Teil der Unterlage stattfindet und ermöglicht zusätzliche Figurene Die dünnen Schichten für elektrische Bauteile und Schaltungen werde n vorzugsweise aus feuerfesten schichtbildenden Metallen wie Tantali Niobium, Titan, Hafnium und Zirkonium oder deren Verbindungen hergestelltl die durch ein Bloxierverfahren oxydiert werden können. Selbstverständlich braucht die Widerstandosehicht nicht Tantal oder irgendein anderes feuerfestes ochichtbildendes Metall zu enthalten, sie kann auch aus dünnen Schichten aus irgendeinem der z14hlreichen schichtbildenden Widerstandematerialien, wie Aluminium, Kohleg Zinn, Nickel# Chrom Antimon, Gold, Silber usw. bestehen* Die Widerstandeaohicht kann aus einem schichtbildenden Element einer Mischung von Elementen, einer Verbindung von schichtbildenden Materialien oder aus einer Legierung von schichtbildenden Materialien bestehen. Die Widerstandeschicht kann metallisch oder nicht metallisch sein oder aus ein,-r Kombination von Metallen und Nichtmetallen bestehen, welche die gewünschten elektrischen und physikalischen Eigenschaften aufweist. Ohne Rücksicht auf die Art der verwendeten dünnen Widerstandeschicht wird diese in Abständen unterbrochen, um den normalen Widerstandswert der Widerstandematerialschicht zu erhöhen oder die Kapazität von durch das Dünnachichtmaterial gebildeten Kondensatoren zu verringern, Der Ausdruck Udünne Schicht0 wurde benutztg um eine Dicke von weniger als einige 100 X anzugebeng für die die mittlere freie Weglänge der Leitunge-Blektro-&en vergleichbar mit der Dicke der Schicht wird und bei der die Leitfähigkeit von derjenigen des vollen Materials abweicht. Jedoch setzt bei Temperaturen, die viel geringer als die Raumtemperatur eindg die mittlere freie Weglänge eines Blektrone an, wobei Schichten in der Größenordnung von Millionen i mit der vergrößerten mittleren freien Weglänge vergleichbar werden. Selbstverständlich soll der Ausdruck "dünne SchichtIq, wie er hier und in den Ansprüchen verwendet wird, Schichten bezeichnen, die so dünn sind, daß die elektrischen Eigenschaften des Widerstandematerials wesentlich von den Eigenschaften des vollen Miterials infolge der Wirkung oder der W#--chselwirkung der Unterlackscheibe oder des Grundmaterialslauf dem die Schicht gebildet ist, und den Oberflächen-Grenzbedingungen auf dem Material abweichen. Der Ausdruck "dünne Schicht" soll ferner nur solche Schichten umfassen# die eine ausreichend niedrige Streckfestigkeit aufweiseng daß sie nicht selbsttragend sind und ihre Ixistenz wesentlich davon abhängtg daß die Unterlackscheibe sie trägt. Selbstverständlich sind die oben beschriebenen Anordnungen nur Beispiele für das Erfindungsprinzipt Vom Fachmann können andere Anordnungen vorgeschlagen werdenj,.die das Erfindungsprinzip verkörpern und nicht vom Wesen und Ziel der Erfindung abweichen.The perforated surfaces of the thin layer 53 of resistance material can be anodized in order to form a dielectric layer (not shown) of a predetermined thickness; on the other hand, each surface can also be provided with a layer 55 of dielectric material, e.g. of reactively atomized tantalum pentoxide 1a conductive layers 58 and 59 of specific sizes may be formed over portions of the layers 55 of dielectric material to form counter electrodes of capacitors, indicated generally by numerals 61 and 62, respectively. The capacitors 61 and 62 cooperate with the perforated resistor layer 53 to form an integrated resistor and capacitance network, generally designated by the number 60 . The counter electrode 59 of the capacitor 61 can be physically and electrically connected to one of the connections 52 of the integrated network 60 . The counter electrode 58 remains physically separated from the remainder of the network 60 , except that it is held by the dielectric material 55 . Since the counter electrode 58 of the capacitor 62 is electrically insulated from the remaining part of the network 60 by the dielectric material, the capacitor 62 effectively forms two capacitors that lie in line over the counter electrode 58, the two effective capacitors effectively parallel to part of the resistance of the with holes provided thin resistive layer 53 , which is covered by the counter electrode 58 and in series with the rest of the thin resistive layer 53. The size "shape and. Distribution of the holes 57 in the part of the resistive layer 539 which is under the counter electrodes 58 and 59 are used to regulate the effective parallel resistance and enable capacitors with a relatively small capacitance value without the size of the counter electrodes 58 and 59 having to be made extremely small. or capacitors of a resistor and condensers Sator networks improve reliability and reduce manufacturing costs, In Pig. 6 shows another embodiment of a thin-film resistor 70 in which a layer-forming metal or a compound of this metal is formed on a lower disk 71 in a sitter-like or umbrella-like figure 72 . The grid or sohirmartige figure includes a plurality of arranged in close intervals parallel electrical Wegeng a plurality of arranged in close intervals parallel electrical paths at angles of 45 0 durchquerene If AUOH the two rows of parallel electrical paths extending at an angle of 45 0 cut, yet other angles are also possible and may be preferred in some cases, the resistance 70, which may ISTG shown in 7ige '6 are prepared by first applying a thin layer of film-forming metal or its compound on the base coat disk 7, is applied in any known manner 1, the film-forming metal or its compound is preferably applied by a conventional reactive Zerstäubeverfahren in a device of the type shown in Fig. 7. Before the coating-forming metal is atomized onto the undercoat disc 71 , it is provided with money connections 73 from 953 cm - 0.635 cm on the side like a microscope glass disc with a width of about 3.81 cm and a length of about 7962 cm. The special gold connections 73 are attached to the undercoat disc using a sieve mesh truck process and burned in with 56500. The connections have a final resistance value of about 0.2 ohms per square area. On the other hand, the terminals can are g 73 also applied at the ends of abutment able paths after the Widerstandomaterial applied to the pad 71 ISTT or it can use the terminals through a direct physical contact mit.dem resistance material "Prior to applying the resistor material is the Unterlackecheibe 71 vigorously a conventional cleaning agent cleaned. The choice of the specific cleaning agent depends on the composition of the undercoat disc 71 itself. For example, if the undercoat 71 is made of glass, it is usually boiled in royal water or hydrogen peroxide. In the specific embodiment, the Unterlackecheibe was 71 with the applied Ansohlüesen first in a detergent, such as "Aleonox" gewascheng to large dirt and grease-Teilohen remove After the base coat disk was rinsed in tap water 71 and then for 10 minutes in a 10% ig-en hydrogen peroxide topping boiled * The bottom lacquer disc 71 was then placed in an oven, which was heated to 150 0 0 until it was ready for use. The base coat disk 71 to the terminals 73 is placed in the sputtering chamber-74 to a plate 76 where a lantalnitrid-resistant thin layer is applied to it, the plate 76 is adjustable from the group consisting of a suitable Iaoliermaterial uprights 78 on an anode 77 and kept isolated from them * The distance between the anode 77 and the cathode 79 is approximately 6935 am, but this distance is not critical within reasonable limits. The minimum distance between the anode 77 and the cathode 79 is the one Abstandp which is necessary to generate a glow discharge, which must be available for the atomization # Na numerous Dunkeletreifen bekanntg in the glow discharge which different names are given, such as the Orookelsche darkroom . To achieve the fixed efficiency during the Zer-. When dusted, the undercoat disk 71 should lie directly outside the Orooket's dark room on the side of the anode 77 . If the underlayer 71 is closer to the cathode 79, the result is a metal deposit of less good quality. the base coat disc is located further from the cathode 79 away, a lesser fraction meets the entire sputtered metal on the base coat disk, so that the to L? Tzeugung is increased a precipitate of a given thickness on the base coat disk necessary time, it should bemerktg that the position of Grooket's dark room changes with the pressure of the atomizing atmosphere. The Grookelian dark space moves towards the cathode 79 when the pressure of the atmosphere in the sputtering chamber 74 is increased. As the undercoat disc 71 is moved closer to the cathode 79 , the cathode tends to act as an obstacle in the path of gas ions hitting the cathode. Therefore, the pressure in the atomization chamber 74 should be kept sufficiently low so that the Orooketian dark space lies beyond the point at which the undercoat plate effects a shielding of the cathode 79 . The deviation of the various factors, the voltage, the pressure and the relative position of the cathode 799, the anode 77 and the undercoat disc 71 to achieve a deposit is high, the quality is high in the sputtering. Known Technique The vacuum chamber 74 is pressurized to about 2 with the aid of a fore pump (not shown) and an altitude diffusion pump (not shown) . 10-6 mm of mercury evacuated after a period of about 30 to 45 minutes. Thereafter, the undercoat washer 71 is heated to a temperature of approximately 400 0 0. After the undercoat disc 71 has reached the desired temperature, nitrogen is admitted into the chamber at a dynamic pressure. After the equilibrium of the pressure in chamber 74 is reached, argon is introduced into the chamber at a pressure of about 15 microns of mercury. During the atomization, the partial pressure of the nitrogen increases to about 6. 10-4 mm of mercury held * The cathode 79 can consist of refractory, layer-forming metals such as titanium, tantalum, niobium, aluminum, etc. * or of other suitable materials. On the other hand, the cathode 79 can only serve as a base for the layer-forming metal, and the layer-forming metal can be applied to the base in the form of a coating, a coil or some other suitable arrangement. The cathode 79 consists of a circular tantalum disk of high purity with a thickness of approximately 10 916 0 1072 cm and a diameter of 10 916 cm. Between the cathode 79 and the anode 77 is an electrical Pontentialquelle 81 connected in the present sputtering chamber 74, the anode 77 is grounded, and a DC voltage of about 5000 volts between the cathode 79.und the anode 77, although a asymmetrieche or biased Gleichspannungequelle used can be. The Zeretäuben is vorgenomment for about 5 minutes using a tantalum # Schiobt generated J thickness of about 500 * After the tantalum nitride Behicht is iatg applied to the base coat disk 71 removed the Unterlackacheibe from the chamber, and the Schirafigur 72 by a fotolithographieches process from the Tantalum nitride layer formed This happens that the surface of the tantalum nitride Bohicht is coated with a light-sensitive layer by a spraying process. The easily sensitive material preferably has the following composition: polyvinyl ginna'mat 2.5 g; Methyl glycol acetate 100 com; and a perinaphthenone senibilizer compound 0.25 g. The photosensitive surface is then exposed via a photographic negative to a cross-hatched figure of a figure of light in such a way that, with the exception of the resistance lines themselves, the entire surface is exposed to the light. The light-sensitive layer is then treated in accordance with conventional photographic processes with an etching agent that contains plus acid or another suitable material so that a cross-white hatched figure remains on the base, which consists of a large number of closely spaced electrical paths, about 2, 54 IOE-3 cm wide and a plurality of closely spaced parallel electrical paths with a width of about 9 2a54 1r3 cm at an angle of 45 0 traverse. The portions of the electrical paths that extend between the intersections are approximately 5098. 1073 cm long. The undercoat disc can be separated along the dash-dotted lines to create individual resistors. After the exposure treatment, the specific sheet resistance of resistor 70 was measured and found to be around 1000 ohms per square, while the value for the complete tantalum nitride layer was about 50 ohms per square. The resistance value of the resistor 70 could be increased to at least 2000 ohms per square square by a subsequent IL-loxing. available where the metal layer thickness has not been reduced The thin layers for electrical components and circuits are preferably made of refractory layer-forming metals such as tantalum, niobium, titanium, hafnium and zirconium or their compounds, which can be oxidized by a blocking process. Of course, the resistor layer need not contain tantalum or any other refractory layer-forming metal, it can also consist of thin layers of any of the numerous layer-forming resistor materials, such as aluminum, carbon, tin, nickel, chromium, antimony, gold, silver, etc. a layer-forming element, a mixture of elements, a compound of layer-forming materials, or an alloy of layer-forming materials. The resistance layer can be metallic or non-metallic or consist of a combination of metals and non-metals which has the desired electrical and physical properties. Regardless of the type of thin abutment able layer used this is interrupted at intervals to increase the normal resistance value of the opponent able material layer or to reduce the capacity of formed by the Dünnachichtmaterial capacitors, The term Udünne layer 0 was benutztg a thickness of less than some 100 X to be given for which the mean free path of the conduction lines is comparable to the thickness of the layer and for which the conductivity differs from that of the solid material. However, at temperatures which are much lower than room temperature and the mean free path of a sheet metal, layers in the order of millions of i can be compared with the increased mean free path. Of course, the term "thin layer", as used here and in the claims, is intended to denote layers which are so thin that the electrical properties of the resistor material differ significantly from the properties of the full miterial as a result of the action or the alternating action of the The term "thin layer" is also intended to include only those layers that have a sufficiently low yield strength that they are not self-supporting and their existence essentially depends on it It goes without saying that the arrangements described above are only examples of the principle of the invention.

Claims (1)

Patentansprüche 1.) Dünnschicht-Schaltelement bestehend aus einer elektrisch nichtleitenden Unterlage und einer dünnen Schicht aus elektrisch leitendem Material, die auf der Unterlage aufgebracht istg dadurch gekennzeichnet, daß die Stetigkeit von Teilen der dünnen Schicht aus elektrisch leitendem Material durch'das Nichtvorhandensein der Schicht in einer Vielzahl von Flächen der Unterlage unterbrochen ist, um löcher in der dünnen Schicht zu bilden, die in einer vorbestimmten Figur angeordnet sind, um eine Vielzahl von elektrisch parallelen Wegen des leitenden Materials zu schaffen, die in einer Vielzahl von Abständen miteinander elektrisch verbunden sindp so daß das Schaltelement eine gewünschte vorbestimmte elektrische Eigenschaft beeitztg die unabhängig von der Gesamtfläche der Unterlage ist, die von der mit Löchern versehenen dünnen Materialschicht eingenommen wird, welche das Schaltelement bilden. 2.) Dünnschicht-Schaltelement nach Anspruch 19 dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Schicht aus elektrisch leitendem Material aus einem schichtbildenden Material bestehtg das im wesentlichen ein Metall istp welches aus der Gruppe ausgewählt istg dieantalg Niobium, Titan, Aluminium, Hafnium, Zirkonium und deren Verbindungen umfaßt. 3.) Dünnschicht-Sohaltelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekannzeichnet, daß das Schaltelement ein Dünnachicht-Widerstand mit einem verhältnismäßig hohem Wideretandewert je Flächeneinheit ist, und daß die dünne Schicht aus elektrisch leitendem Material ein sohichtbildendea Wideratandematerial istg das auf der Unterlackscheibe in 7orm eines im wesentlichen zweidimenoionalen Gitternetzwerke aufgebracht ist@ 4.) Dünnachicht-Sohaltelement nach Anspruch 39 dadurch gekennzeichnetg daß das Gitternetzwerk durch eine erste Vielzahl von dünnen elektrisch leitenden parallelen Streifen aus einem elektrischen Widerstandematerial mit gleichmäßigen Abständen gebildet wirdv die sich mit einer zweiten Vielzahl von dünnen elektrischen Paralleletreifen aus elektrischem Wideretandematerial mit vorbestimmten Winkel schneiden# 5.) Dünnsohicht-Schaltelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet# daß die Vielzahl von elektrisch parallen Streifen die zweite Vielzahl von elektrisch parallen Streifen im rechten Winkel schneiden. 6.) Dünnaohicht-Schaltelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet# daß die erste Vielzahl von elektrisch parallelen Streifen die gleiche Vielzahl von elektrisch parallelen Streifen mit einem spitzen Winkel schneiden. 79) Dünnaohicht-Schaltelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnetg daß die erste Vielzahl von elektrisch parallelen Streifen die zweite Vielzahl von elektrisch parallelen Streifen in einem Winkel von 45 0 schneiden, 8.) Dünnaohicht-Schaltelement nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnety daß die parallelen elektrischen Wideretandewegeg die an einer Vielzahl von Abständen elektrisch miteinander verbunden sind, eine Vielzahl von schmalen rechteckig geformten lPlächen der Unterlage definieren, die in Reihen und Spalten mit gleichmäßigen Abständen angeordnet sind, no daß die entstehenden Widerstandeflächen des Widerstandamaterials eine schirmartige Wideratandsfigur bilden. 99) Dünnochicht-Schaltelement nach einem der Ansprüche 3-89 dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtfläche der dünnen Widerstandeschicht durch das Entfernen von Widerstandsmaterial auf den gewünschten spezifischen Widerstand abgeglichen ist, wobei die tatsächliche Dicke der Schicht konstant bleibt. 10.) Dünnaohicht- Schgitelement nach einem der Anaprüche 3-9p dadurch gekennzeichnetg daß das schichtbildende Material aus Tantal oder Tantalnitrid besteht# daß die elektrisch parallelen Wideratandswege eine Dicke von etwa 600 29 eine Breite von etwa 2,54 * 10-3 cm und eine Länge von 09127 cm aufweisen und an einer Vielzahl von Abständen durch elektrische Widerstands-Querverbindungen miteinander verbunden sind# die eine Dicke von etwa 600 1, eine Breite von etwa 2o54 , 10-3em und eine Länge von 0.54 . lö-3 am haben, um die Wirkung von Löchern in den parallelen Wegen auf die elektrisehen Eigenschaften den Widerstands klein zu halten, und die Zuverlässigkeit den Widerstands zu v*erbesserng und daß die Länge der Teile der parallelen Wege zwischen den elektrischen Wideretando-Querverbinduneen die Änderung des Widerotandewerte des Widerstands begrenzeng die durch Komponenten in den parallelen Wegen verursacht werden, 11.) Dünnachicht-Schaltelement nach'einem der Ansprüche 2-99 dadurch gekennzeichnetg daß das schichtbildende Material aus einem elozierbaren Material besteht, und daß die Räume, die von den Verbindungewegen umgeben sind, durch Flächen aus dem eloxierbaren Material eingenommen werdeng das auf seiner gesamten Dicke in Ab- ständen auf dem Schaltelement eloziert istg derart, daß ein Oxyd ded schichtbildenden Materials entsteht. 12,) Dünnachicht-Sohaltelement nach einem der Ansprüche 1.11, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement ein Dünnsehicht-Kond#neator mit einem verhältnismäßig niedrigen Kapazitätowert je Flächeneinheit ist, daß eine Schicht eines vorbestimmten dielektriechen MaterialE mit einer vorbeatimmten Dicke wenigstens einen mit Löchern versehenen Teil der dünnen Schicht aus elektrisch leitende& Material bedeckt, und daß eine Schicht aus elektrisch leitendem Material mit einer vorbestimmten Größe, die auf dem ei dielektrischen Material gebildet ist, auf einer vorbeatimmten Fläche der mit löchern veraehenen dünnen Schicht aus elektrisch leitendem Material sich um eine Gegenelektrode eines Kondensators mit einem verhältnismäßig niedrigen Kapazitätswert je Flächeneinheit der Gegenelektrode für die gegebene Dicke des dielektrischen Materials zu bilden, 13.) Dünnachicht-Schaltelement nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnetg daß die dünne Schicht aus elektrisch leitendem Material ein schichtbildendes Widerstandematerial istg das auf der Unterlackecheibe aufgebracht ist, um eine vorbestimmte verteilte Widerstandefigur zu bilden, daß ferner eine Vielzahl von in Abständen angeordneten Anschlüssen elektrisch mit vorbestimmten Stellen der verteilten Widerstandsfigur verbunden ist, die durch die mit Löchern versehene dünne Widerstandeschicht gebildet wird, daß eine Schicht aus diel.ektrischem Material auf der mit Löchern versehenen dünnen Schicht angebracht ist, daß eine elektrisch leitende Platte von vorbestimmter Größe von der Schicht aus dielektrischem Material getragen wird, um eine bestimmte Fläche der Widerstandeachicht zu bedecken, die Löcher von vorbestimmterGröße und Figur aufweist, um einen verteilten Kondensator zu bilden, wobei die leitende Platte elektrisch gegen den übri#en Teil der Schaltung durch die Schicht aus dielektrischem Material isoliert ist, so daß der verteilte Kondensator mit einem vorbeatimmten Wert effektiv parallel zu gewissen Teilen des verteilten Widerstands der d.ünnen Schicht zwischen den verschiedenen Anaohlüssen und in Reihe zu anderen 4ilen des verteilten Widerstands der dünnen Schicht zwischen den verschiedenen Anschlüssen liegt, und daß eine zwdite elektrisch leitende Platte vorgesehen ist, von der ein Teil einen Ohmlochen Kontakt mit der mit Löchern veraehenen Wideretandematerialschicht bildet und der übrige Teil mit einer bestimmten Fläche auf der Schicht aus dielektrischem Material gehalten wird, und eine bestimmte 7läche der dünnen Widerstandeschicht bedecktg die löcher mit einer bestimmten Größe und Figur hatg so daß ein Kopplungekondensator mit einem bestimmten Wert entsteht. 14.) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Schaltelementsq das das Aufbringen einer dünnen Schicht aus elektrischem Widerstandematerial auf der Oberfläche einer nichtleitenden Unterlage umfaßtg dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht von einer Vielzahl von verhältnismäßig kleinen in Abstand angeordneten Teilen der Unterlage entfernt wirdt um eine Vielzahl von Löchern in der Schicht zu bilden, die in einer vorbestimmten Figur angeordnet eindp so daß verteilte Widerstandewege mit vorbestimmten Eigenschaften zwischen einer Vielzahl von vorbestimmten Anschlußflächen der Schicht entstehen. 15,) Verfahren nach Anspruch 149 dadurch gekennzeichnett daß die Vielzahl von verhältnismäßig kleinen in Abständen angeordneten Teilen der Unterlageg von denen die Schicht entfernt ist, in Reihen und Spalten mit gleichen Abständen angeordnet istg so daß die entstehenden Widerstandeflächen eine schirm2rtige Widerstandsfigur bilden. 16.) Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnetg daß die verhältnismäßig kleinen in Abständen angeordneten Teile der Unterlage von denen die Schicht entfernt ist, eine gleichförmige Form haben. 17.) nach Anspruch 14 oder 159 dadurch gekennzeichnet# daß die verhältnismäßig kleinen in Abständen angeordneten Teile der Unterlage von denen die Schicht entfernt ist, eine rechteckige Form haben. 18.) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 179 dadurch gekennzeichnetg daß die Widerstandeschicht ein schichtbildendes Material ist, und daß die Widerstandefigur aus einer Vielzahl von feinen Streifen bestehti die elektrisch parallel liegen, und die mit einer Vielzahl von elektrischen Querverbindungen zwischen den parallelen Wegen versehen sind. 19,) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 189 dadurch gekennzeichnetg daß das echichtbildendee Material ein Material istg das durch ein elektroljrtischeo Bloxierverfahren oxydiert werden kanng und daß der Widerstandewert der mit Löchern versehenen Widerstandsfigur durch ein Kloxierverfahren abgeglichen wird. 20.) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 189 dadurch gekennzeichnetg daß' das schichtbildende Material ein Material ist, das durch ein elektrolytisches Bloxierverfahren oxydiert werden kann, und daß die dünne Schicht von den im Abstand angeordneten Flächen d--r Oberfläche der Unterlackscheibe durch ein elektrolytisches Bloxierverfahren effektiv entfernt wird. 21.) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 189 dadurch gekennzeichnet, daß die Entfernung der dünnen Schicht von den in Abstand angeordneten Flächen der Oberfläche der Unterlackecheibe durch ein Halbtonätzverfahren durchgeführt wird* 22.) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 209 dadurch gekennzeichnetg daß die Widerstandeschicht eine Schicht istg die durch ein Eloxierverfahren oxydiert werden kann und daß das Verfahren folgende Arbeitsgänge hat$ Aufdrucken einer Abdeckung auf der dünnen Widerstandeschicht, um eine Vielzahl von in Abstand angeordneten Teilen der Schicht freizulegen, Bloxieren der freiliegenden Teile der Schicht, bis die gesamten freiliegenden Teile der dünnen Wideretandeachicht in ein Oxyd des filmbildenden Metalle umgewändelt sind, um eine Gitterwideretandefigur zu bilden, Entfernen der Abdeckung und Oxydieren der Gitterwiderstandsfigur, um den Widerstand auf einen vorbestimmten Wideretandewert innerhalb enger Toleranzgrenzen abzugleichen. 23*) Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 219 gekannzeichnet durch Ausbilden einer Schicht aus dielektrischem Material mit vorbeatimmter Dicke auf wenigstens einem mit Löchern vernehenen Teil der leitenden dünnen S.ohichtg welche eine erste Elektrodeg einen Kondensator bildet und Bildung einer elektrisch leitenden Schie bt mit vorbentimmter Größe auf der dielektrischen Materialachichtg so daß die elektrisch leitende Ochicht.eine Gegenelektrode des Kondensators bildet# und eine vorbestimmte Pläche der mit Löchern vernehenen dünnen Seiieht bedeckty welche die erste Elektrode den Kondensitorn bildetg-wobei die Blektroden des Kondenaators durch die dielektriache Materialsohicht einen io*eotimmiten Abstand voneinander ge- trennt sind, Claims 1.) Thin-film switching element consisting of an electrically non-conductive base and a thin layer of electrically conductive material, which is applied to the base, characterized in that the continuity of parts of the thin layer of electrically conductive material through the absence of the layer in a plurality of areas of the substrate is interrupted to form holes in the thin layer arranged in a predetermined figure to provide a plurality of electrically parallel paths of conductive material which are electrically connected to each other at a plurality of intervals p so that the switching element has a desired predetermined electrical property which is independent of the total area of the substrate which is occupied by the perforated thin material layer which forms the switching element. 2.) Thin-film switching element according to claim 19, characterized in that the thin layer of electrically conductive material consists of a layer-forming material that is essentially a metal which is selected from the group consisting of diantalum niobium, titanium, aluminum, hafnium, zirconium and their compounds includes. 3.) Thin-film Sohaltelement according to claim 1 or 2, characterized in that the switching element is a thin notch resistor with a relatively high resistance value per unit area, and that the thin layer of electrically conductive material is a sohichtbildendea Wideratandemmaterial that is on the underlayer in 7orm a substantially two-dimensional grid network is applied @ 4.) Thin-notch Sohaltelement according to claim 39 characterized in that the grid network is formed by a first plurality of thin, electrically conductive parallel strips of an electrical resistance material with uniform spacings, which are formed with a second plurality of thin electrical Parallel tires made of electrical re-tandem material with cut predetermined angle # 5.) Thin-film switching element according to claim 4, characterized in that the plurality of electrically parallel strips intersect the second plurality of electrically parallel strips at right angles. 6.) thin layer switching element according to claim 4, characterized in that the first plurality of electrically parallel strips intersect the same plurality of electrically parallel strips at an acute angle. 79) Dünnaohicht switching element according to claim 6, gekennzeichnetg characterized in that the first plurality of electrically parallel strips intersect the second plurality of electrically parallel strips at an angle of 45 0, 8) Dünnaohicht switching element according to one of claims 3 to 7, characterized gekennzeichnety that the parallel electrical resistance paths, which are electrically connected to one another at a large number of distances, define a large number of narrow, rectangularly shaped surfaces of the base, which are arranged in rows and columns at regular intervals, so that the resulting resistance surfaces of the resistance material form an umbrella-like resistance figure. 99) thin-film switching element according to one of claims 3-89, characterized in that the total area of the thin resistor layer is adjusted to the desired resistivity by removing resistor material, the actual thickness of the layer remaining constant. 10.) Dünnaohicht- Schgitelement according to one of Anaprüche 3-9p characterized in that the layer-forming material consists of tantalum or tantalum nitride # that the electrically parallel Wideratandswege a thickness of about 600 29 a width of about 2.54 * 10-3 cm and a Have a length of 09127 cm and are connected to one another at a variety of distances by electrical resistance cross-connections # which have a thickness of about 600 liters, a width of about 2054, 10-3em and a length of 0.54 . Lö-3 am in order to keep the effect of holes in the parallel paths on the electrical properties of the resistance small, and to improve the reliability of the resistance and that the length of the parts of the parallel paths between the electrical Wideretando-Querverbinduneen the Change in the Widerotandewerte of the resistance limited which are caused by components in the parallel paths, 11.) thin-notch switching element nach'einem of claims 2-99 characterized in that the layer-forming material consists of an elocatable material, and that the spaces that are of the Verbindungewegen are surrounded by surfaces taken from the anodizable material are g the entire on its thickness in intervals, on the switching element eloziert ISTG such that an oxide is formed ded layer-forming material. 12,) thin layer sohaltelement according to one of claims 1.11, characterized in that the switching element is a thin layer cond # neator with a relatively low capacitance value per unit area, that a layer of a predetermined dielectric materialE with a predetermined thickness at least one part provided with holes the thin layer of electrically conductive and material covers, and in that a layer of electrically conductive material having a predetermined size is formed on the egg dielectric material on a vorbeatimmten surface with holes veraehenen thin layer of electrically conductive material is a counter electrode of a To form a capacitor with a relatively low capacitance value per unit area of the counter electrode for the given thickness of the dielectric material, 13.) thin-film switching element according to one of claims 1-12, characterized in that the thin layer of electrically conductive material is a s Layer-forming resistor material is applied to the undercoat disc to form a predetermined distributed resistor figure, further that a plurality of spaced apart terminals are electrically connected to predetermined locations of the distributed resistor figure formed by the perforated thin resistor layer, that a A layer of dielectric material is provided on the perforated thin layer such that an electrically conductive plate of a predetermined size is carried by the layer of dielectric material to cover a certain area of the resistor layer having holes of a predetermined size and shape, to form a distributed capacitor, the conductive plate being electrically isolated from the remainder of the circuit by the layer of dielectric material so that the distributed capacitor of a predetermined value is effectively in parallel with certain parts of the circuit The resistance of the thin layer lies between the various analog connections and in series with other 4 parts of the distributed resistance of the thin layer between the various connections, and that a second electrically conductive plate is provided, part of which has an ohmic contact with that with holes and the remaining part is held with a certain area on the layer of dielectric material, and a certain area of the thin resistive layer covers the holes with a certain size and shape, so that a coupling capacitor with a certain value is formed. 14.) A method for producing a thin-film switching element q which comprises applying a thin layer of electrically resistive material to the surface of a non-conductive substrate, characterized in that the layer is removed from a plurality of relatively small, spaced-apart parts of the substrate by a plurality of To form holes in the layer which are arranged in a predetermined figure so that distributed resistance paths with predetermined properties arise between a plurality of predetermined connection surfaces of the layer. 15,) Method according to claim 149, characterized in that the plurality of relatively small spaced-apart parts of the substrate from which the layer is removed is arranged in rows and columns with equal spacings so that the resulting resistance surfaces form a shielded resistance figure. 16.) The method according to claim 14 or 15, characterized in that the relatively small spaced parts of the substrate from which the layer is removed have a uniform shape. 17.) according to claim 14 or 159 characterized # that the relatively small spaced parts of the substrate from which the layer is removed have a rectangular shape. 18.) The method according to any one of claims 14 to 179 characterized in that the resistor layer is a layer-forming material, and that the resistor figure consists of a plurality of fine strips which are electrically parallel, and which are provided with a plurality of electrical cross connections between the parallel paths are. 19,) Method according to one of claims 14 to 189, characterized in that the echichtbildendee material is a material that can be oxidized by an electrolytic blocking process and that the resistance value of the resistor figure provided with holes is adjusted by a cloxing process. 20.) The method according to any one of claims 14 to 189 characterized in that 'the layer-forming material is a material which can be oxidized by an electrolytic bloxing process, and that the thin layer of the spaced-apart surfaces of the - r surface of the undercoat washer through an electrolytic blocking process is effectively removed. 21.) Method according to one of claims 14 to 189, characterized in that the removal of the thin layer from the spaced-apart surfaces of the surface of the lower lacquer disc is carried out by a halftone etching process * 22.) Method according to one of claims 14 to 209 characterized in that the resistive layer is a layer that can be oxidized by an anodizing process and that the process comprises printing a cover on the thin resistive layer to expose a plurality of spaced portions of the layer, blocking the exposed portions of the layer until the entire exposed portions of the thin resistance layer are converted into an oxide of the film-forming metal to form a grid resistance figure, removing the cover and oxidizing the grid resistance figure to match the resistance to a predetermined resistance value within narrow tolerances. 23 *) Method according to one of claims 14 to 219, marked by forming a layer of dielectric material with a predetermined thickness on at least one part of the conductive thin layer which is sewn with holes and which forms a first electrode which forms a capacitor and forms an electrically conductive layer with it predetermined size on the dielectric material layer, so that the electrically conductive layer forms a counter electrode of the capacitor and covers a predetermined area of the thin surface with holes sewn into it, which the first electrode forms the capacitor - whereby the lead electrodes of the capacitor through the dielectric material layer an io * eotimmiten distance are isolated from each other,
DE19641490984 1963-12-16 1964-12-15 Thin-film circuit elements and processes for their manufacture from polymerizable synthetic resins Pending DE1490984A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33081263A 1963-12-16 1963-12-16
US359828A US3266005A (en) 1964-04-15 1964-04-15 Apertured thin-film circuit components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1490984A1 true DE1490984A1 (en) 1969-07-24

Family

ID=26987461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641490984 Pending DE1490984A1 (en) 1963-12-16 1964-12-15 Thin-film circuit elements and processes for their manufacture from polymerizable synthetic resins

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE657020A (en)
DE (1) DE1490984A1 (en)
FR (1) FR1419141A (en)
NL (1) NL6414654A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
NL6414654A (en) 1965-06-17
FR1419141A (en) 1965-11-26
BE657020A (en) 1965-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0043001B1 (en) Humidity sensor and method of manufacturing it
DE1246072B (en) Method for producing a circuit with resistor and capacitor elements
DE112020000543T5 (en) Multi-layer ceramic capacitor with ultra broadband performance
DE112020000549T5 (en) Multi-layer ceramic capacitor with ultra broadband performance
DE112020000563T5 (en) Multi-layer ceramic capacitor with ultra broadband performance
DE2021264A1 (en) Process for the production of discrete RC arrangements
DE3829764A1 (en) PLATINUM TEMPERATURE SENSOR
DE2017067A1 (en)
DE3917136C2 (en)
DE2202520A1 (en) Metal insulation structure
DE1202853B (en) Process for the production of printed circuits
DE2922473C2 (en) Electrochromic display device
CH521080A (en) Underlay provided with several overlapping, thin layers for the production of a thin-film circuit
EP0016263B1 (en) Thin film resistor having a high temperature coefficient and method of manufacturing the same
EP0204198B1 (en) Channel structure of an electron multiplier
DE3730953C2 (en)
DE1490984A1 (en) Thin-film circuit elements and processes for their manufacture from polymerizable synthetic resins
DE112022000532T5 (en) Multilayer ceramic capacitor with ultra-wideband performance
DE1665426A1 (en) Ohmic resistance and process for its manufacture
DE1590786B1 (en) Process for the production of micro-miniature circuits or circuit components
DE2606086C3 (en) Manufacture of integrated thin-film circuits from a substrate coated in multiple layers with thin layers
DE2123283A1 (en) Procedure for adjusting thin film resistors and capacitors
DE112022000537T5 (en) Multilayer ceramic capacitor with ultra-wideband performance
DE10354007A1 (en) Preparation of thin layer capacitor low leakage current and high breakdown voltage, for use in microfabrication technology,
DE112022001799T5 (en) SURFACE MOUNTED RADIO FREQUENCY COMPONENT