@ustsndsabhl@es @taru@rreysten
Die liaupteutgube der Ertindund besteht in der Soxwttmag
einer
autorstieohea Utewru»g einen elektrischen Belaetugse
zrOm-
kreisen mit eines elektriaoäen Verbraucher, an den eine
im
wesentliehen konotante spanwma vom einer im wesentlichen
konatsatea dpmnnunf»lle über eia. nustandaebbbhän&NM
Btrom..
®te»srorriohtung rot lest« Aggragatsuotand anllegt ist,
die mit dat elektriabea iaststros@creis in Reihe
geaohaltmt
ist, no du die elelctrineöe Belastmg wgenblioklioh mit
äer&le wrsorigt rg,rä, renn der ?»t«d,
der die 8troanteumr#
varrioät»4 vm testua tuetamd baimtlust, aiaiente»
auf
*a m& sosbebeatamwt» howa wert ornteUtg md da& der
Xmrgle#
as@e@rr ins wltertl3.e@ra _ a@ioh eutse,at rdrd e
w=
der awtsai, des d" at»«teu«»sriohtf va tat« anntnrR
2-.a to alt mimNtean etam ve»«Deständla
@liedi"1@1!1
West sl«isrd. 1" amttmarirl@a@e@ die äie 8t*a»iou«VrsieL»
vm .e. tost« zrrtnt beeiwtiwesa, wurr, Ima»t«,
Bs»lts b»to te«brx140"1
wis0
Im Pulle einer auf tiürms $nspruahenden dtromteuervorriohtung
bentoht disue belepielawelue aus einen Halbleitermaterial
von
tediem Zuotund -wu3 Llektroden Saum
Anschließen deruelben in
heihe in dem elektriuchen Verbraucherstromkreis, und die
Vor-
richtung kann in allgemeinen von der Type sein,, die in
der
deutschen 2atontr@n»idung E 25 592 VMc/amemeldet
an 25.9.63,
als 40eobuniamuesorriahtung boaeiohnet ist. hier
bat aller-
dings das Halbleitermaterial von tunten Zustand einen in
wesentlichen negativen therred.schen wideratsnäakoeffistenten,
so daß dessen Widerstand in den Maße fällt bsv. steigt
wie
die Temperatur der 3tronwteuervorriohtung wn testen Zustand
steigt bsw. füllt, In einen Zustand hat dun Halbleitermateri-
al von teuten Zustand mindeste» Teile srriosben den Uaktro-
den, die sich in einen Zustand vom hohen Widerstand
mi in
ve®entliohen isoIXierD&hig sind, so daß der ßtrontlug
durch
diese. in der einen oder in beiden Uohbei
einem wert
unterhalb eines oberen Schwellenwertes der dprnnung blockiert
wird, der bei Steigerin oder #eruog der Temperatur
der ßtsoseteuer»rriohbmg von
tosten Zustawd gesenkt bsw.
geholt wirde In einem aed Ws« Zfrrtwrd hat
das Halbleiter..
mteriai von lsntem ZMtf
ster MUA grisehen dost
hloktrodee, die sich in siasaor «dereß Z»letnd lotinds,
bei .
den säe eiern nie dsig* wtdoritand UM in weaent@i-
e@r@ lsäusied, so das sie der etist der
oder in beides nt obesiUb siaes niedrir-
psdb sehwllenreAar darr Spg»tattln# der oö@atalls
bei Steigerung oder ,Temiuderuqg der t«porwtur der
3#00##
eteussvorriohtung von feetem Zustand geewekt bsw. gehoben
wird.
Diene mindestens vorhandenen Teile den Hnlbleitermateriele
von
foetem Zustand swieohen den dlektroden sind durch 419
in
weseatü0jsn konstante Jpearnund genteuert, die an
den elektri-
schen Verbrauoiutsatz-adcreie angelegt tat, sie worden
in w-
sentliohen a%;enbUoklioh aus ihrem blockierenden zuutand
in
ihren leitenden Zustand übergeführt, Trenn beim hrwn
der
Stroaoteuervorriohtung von festen Znsesnd auf
mindeste» dem
vorherbv®timten hohen Tee"rjsturwert der obere Johwelleuwert
der bpannumg auf ainäestenn den in weoeneliotien
kunetanten
Wert der angelegtem dpannung abgesenkt wird, und nie werden
in wesentlichen augenbliokliah ans ihren lei tfühigen Zuetmnd
in ihren blooldereadsn Zustand Ubergeführt, wenn heia Aökfen
der :iiromteuervorriohtueg ran fZustand auf mindestens
den vorherbestimmten unteren Teaperuturwert der unteae Sohwllen-
wert der Spannung den Materials auf mindestens den in
weenUi-
oben konstanten Wort der wWelegtea Upannung angolÄobea
wird.
Durch geeigaste Mehl der Halbleitermaterialen von testet
Zu-
etand md bsw. oder dusii gseifte Wahl den Werte® der ange-
legten Spannung können die tefperaiurwrte, bei denen dle
rorrioht«gen aw ihres bloo@dereradeer Ja ihren leite»d«
Zu-
eteaä und uegekeärt UbergafUhrt werden, vorherbestimt werden.
Obwohl die Erfindus« sowohl bei der Steuerung von aleiehresot-
uad weohselotroee-Verbsisuaheretroskreieen anwendbar
tot, 1"sm
sich mit den wüswretmpfisdliobrn Steuersystem auch dieser
Er-
findung mit besonderem Vorteil weohaolatraeeerbrar
steuern, und in dieser Hinsicht ist die in wesentlich=
kon..
stante Spannungsquelle ein weohoelspsnnufsq»lle wem Ver-
sorgen den elektrischen Verbrauoherutrcmarbises, der mit
den abnebuenden und mmehuanden gohwpllenepax@nrrten
der mindestens vorhanden= Teile des Halbleitermaterials
zur Speiamg des weobselstromeorbrsuahers beim Brhi.ts« der
Stronstauurrvorricbtung Fron fest« Zustaad auf den vwrher#-
bentizrten hohen Temperaturwert vmd mm Unterbrechen
der
-ßnorgimreraorgung des weohselarbrauohera beim kbküblrn
der ßtromsteuexmrriahtmg Fron festem tgats»taad auf
den worberbestimten niedrigen Terpersturwert susammenwirkt,
mit einer in wesentlichen konateaten Weaiuselspsxuaumg.
Bei einrar derartigen, auf Wärme ansprechenden Weohsolstron-
stewersystes ,®shen die mindestens vorhandenen Tolle den
Halbleiternateriale von lest« tustsnä «Lachen
den Blek-
trollen, wenn ei* sich in ibren leitfähigen
ä r' ; &"fiarsystam
oberhalb des unteren 8chwellenspaxwungewertes befinden,
in weaentiialen augenblicklich und interwt#ierend Brend
jeder Halbperiode der in wesentliehen konntanfien W«hselsp»»
aug in ihren blockierenden awta,M aber, wenn der ltonentsu-
wert des Veobnelstroaes sich dem Bullert niwrt, Mr die
Dauer ran Inter»llen, die in der Maß größer bzw. kleiner
werden, in der die 3trolmtruertorriohtung von fest 'r Zuetend
.unter bau* über den niedrigen Texpersturwert abgekü?:lt
oder
erwärmt wfrd. Auf diese Weise kann das prosenturelle Verhält-
nis awinohen @ntregung und Erregung des Weohseletrommrbrau-
ohrrrs
der Temperatur der Stromrteuervorriohtung
von fester Zustand oberhalb den niedrigen Temperaturwertes
verändert werden, so daß eine Modulation der der Woohsel-
ntswarverbrauoher sugefUhrten durbhaohnittliohen
elektrischen
jxtergie ermöglicht wird.
Mach einem Gesichtspunkt der &rfinäuag kann
die auf wärme
ansprwbende Stroretenerrarriohtupg von festem Zustand in
Abldtkeit ton der Temperatur der Umgebung
genetzt wer-
den, die jene derart beeinfluflt, daß jene (die liorriohtung
)
estsprzuheerä der Temperatur der lvgebwag erwärmt
baw. ab-
gekühlt wird, na daß die Zuteü@rr der elektrieahen änergie
:u
dem elekUisohm Verbrsuoher und die Unterbreahtaag der
En er-
giesutbba zu dienen entspreahmd denn Umgebuagstemperaturem
gesteuert wird. ksch einem aMeren Gesiohtepunkt der Brfir-
dun4 kmae nie - 4 srtea@npfindl.iobe 8tro«tewrworriohtw(C
ton
festem Zustsmd mittels eines dienen sugeordneten
erhitzt bzw. üblt werden, iWes der Heizkörper die Stsos-
steu»orrtahtuaag von testen, Zuntaod tat
über den vorherbesti«-
ten hoh« T"pesw"rt erhitzt, wenn er unter 91x", 4teht,
und indem die S tromsteuervorriehtiug Von testen
Zustand auf
unterhalb den vorherbeetimten niedrigen Tempaxuturwerte®
abkühlen gelaeaen wird, wenn dar Heizkörper
nicht unter Stroas
steht, so saß die Stro®nuthhr au dem elektrischen Verbraucher
in den elektrischen Lastatromkraim und die
die-
ser Znergiesufuhr gesteuert wird. Lia elektrischer Stehe
rsh»-
krein kann Mr den Heizkörper sun An-
und Abschalten dessel-
ben vorgesehen sein, so daü *im Steu@rsnlage mit
vier Klem-
men und mit elektrieoh unabhängigen und ,gegeneinander Ioolier.-
ten 3troakreinen ttlr den Verbraucher und tUr die Steuerarg
geschaffen wird.
Nach weiteren Gesiohc,ngunkten der Brtindung kam
die Otros-
steueshrorriohtung von testen Zustand veranlaßt werden,
VM
anderen veränderlichen Größen, beispielar,eiee Druckt
Lichte
aeuohtigkeit od. dgl., beeintlußt zu worden
und auf diese
ansuapreobm, und in diesen Balle hat das Hulbleitermterial
v= tentem Zustand einen geeigneten negativen Widerntande--
koetfisienten in beoug a« die betrettende Größe oder
den
betrettendes Zustand, so saß nein elektrischer Wiä»tund
in den Naße ab- und zunimmt, in den dnr Wert
den Pruabxe,
den ilohtes, der Feuohtidrai.t oder der soneti4ert,
die atro»..
otwerrorriotituag von Konten Zuettnd beeintlueatrri3
bm. ot, so daƒ der elektrische Verbrades
für wesentlichen augenblicklich mit 1.'nergie versorgt
wird,
wenn die veränderliche Größe mindestem über einen
roräeerbs-
etimmten hohen Wert sunJ.rat, und so daß die hnergieaufuhr
zu dem elektrioohen Verbraucher im wesentlichen augenblicklich
unterbrochen wird, wenn die veränderliche Mße mindestens
au!
einen vorherbeatiasrten niedrigen wert abnimmt.
Auf der Zeichnung sind einige Ausfithrwagsbeiapiele der
Lr-
Zindeng dargestellt. Darin sind:
Pig.l ein Uohaltsohema einer Form eines eustandeemptindliohen
Steue»ysteme gen*B der Erfindung, bei den eine auf Wärme
anapreobende 3troasteuervorriohtuarr« von festem Zustand
auf
die sie beeinflussende UAgebufet«pesäuuc anspricht,
gig.2 ein Sohaltsohema ähnlich rig.1 mm Veranschaulichung
einer Anordnung, bei der die wärmeempfindliche
Stromstein:
vorrichtung von festem Zustand mittels eine® Siwrstroakreises
gesteuert ist, der einen zu der rorriohtung gehörenden
elex#
trisohen Heizkörper autreist,
Fig.3 bis 6 Darstellungen verschiedener Auatührungatoaann
der'
größen- oder sustandsabhingigen Stronsteuerrprriohtung
vor
festen Zustand, die gemäß der Erfindung verwendbar ei",
7d8.7 ein bps-Stren-Diagramae gur, vereneohaetliarhnee@
des
augenblicklich= Verhaltens der Strass euesworri@hg von
festes Zustand nach der winäung hlnad.ohtiiah Spannung und
Strm bei Verälderwgfn der daran allegten Gleichspaam &s
g1&98 bis 1ü Spannuug..Stroer-amme nur foransoiesuliohn@g
der
Wirkungsweine der Stronateuernörriohtung von festere Zustand
gemäß der Erfindung bei der= Einbau in eirein weohselstrcn-
Tarbrouoherstr»Creis, von denen a&98 zur
Verameeulia@hux@g
den Sporrsustandes" . Tig.9 zur Veraneohsulioäung
einen abiwew_
dellen Leitfähigkaitszu staodss in der Gegend oder ob«haib
den oberen Sohwellemrertan der Spannung und
718.10 mm Vsr=sobauliob g des abgewandelten I.eitfähigkeits-
sustandea bei Annäherrem@g an den unteren
Sohwelisuwert der
Spannung dient,
Tig. il .irrer resperatur#apanr@qis#@iturr snr resrureabewiliohe
der Aöbhäugigkeit der StrarasstauervorriohtM =s lestea
Zu..
stand nach derlisdeeag voet der @@.ya@peratnr,
?1g.12 eia ireitmgaaobo» ähnlich na. i Zur re iehu@
der Terwendunc einer auf ampreol@ercrrdeä @trossis@esr@or##
ri"tUng v= festes Zustand in dem Ste»rs"tM4
71-g.13 eine Deratellumg nur Vsranochsuliaag
einer A1
torn einer auf Vrwk wao,Dreadan Strssts»rrorriehttng
v=
fistete Zuodie in d« afot« nach lig.12 verwendbar
ist,
fg.1d eine @rualc-@psonungo.-Kur@! zur lora»o"uliohm« der
Dnw1mbhuaglglxit der 8tum
tung von fest« Zu.-
itiM na" N IS., 12 md i3!
YU.15 ein zuitw@g@rraähnlieh .l zur Versasohm&U,rrg
der #erwendmg einer auf Youaäit amprean BUaamteuar-
vnrriahtuni Boa f«toft ZustanA
in dem 3teueray steuf
na.16 eine Welmehis-gp@urre zur Voran»@auliobewg
der abhitngig»it der Stromsterricätugg fron festem
Zwtmä
nach ?i6.15 vom dar ä"'W-%"tigk! t,
?ig:l? eia ist@3r ädnli@i8. i zerr veraruelmaliabanmg
des vonnrrrd> aß ai»es lieht tiaä] ichem
sto»rvorriahd
VOR tiontem Zustand in der 8tsmssaY.tare
li@.lß sirr 3Arät@.Spaaauog@sar @araneoh8uliaäder
Ziai@tait br etseaotraa s tahtmag regt" zu-
atwä aste ?m.3.1.
wie mm FU.l ersiahtlieh# ist ein Vorbrauahsrdtramkreis,
der
allgeshda mit 10 bezeichnet ist, aa hlemäen 11
und 12 an&*.-
sahlossen, die ihrerseits mit einer in Wesentlichen
komtantece
Weohesletrarqnelle verbunden ein" In dem Verbrauaheratrai.-
kreie 10 befindet eich .in l"txiäsreta" (Verbraucher)
13, der
am eimm widerstaM, einer Spule, einer NotorwieiHgf
*JA»
pufflst»ntil, einer hrluinvioklum#;
od.dgl. beatshme kann.
Lt Reihe mit dem Tw:raharetroakrein 10 ist mittels
Lsitn
15 yaä 16 eine gräden.- oder eustumdaabbo»&Lgs,
beimpielwietas
auf Wänte anspreche Utromterriehtung 14 ros festet
Znr-
itam eaoh11tet. D.# -3tro»temrw.Lwioh" =Boten
$bat eil 'C111iü therniiWideret1@id1@D1#
sieuten nad versorgt den Verbrauch« 13 mit ßmrrgis
bar. .
uaterbriaht die Emergixsaftar en dioae in
Abhängisioi t von
dor dasan ms wiriamg gebrachten Wärme,
Die
tawrvwcriab.
tmg 14 kam in A bbängi gkeit den @esptratnrlrsdi@rgru@rtt
des. litgaiung den Verbrauch« 15 etrners" Und der
@erbranoh#.
,räie@estead 13 ]mm seinerseits; wenn erhein@roät, die pstu@r
dar Ungeäffl segeln. Wenn dis Temperatur der Unge'iaa4
au
einm rrorlrr1hsstimmten Wort anstoigt, wird
äst #erbrwaeb«,15
1'u 81rr .3'fi.@101stt"@i@r!'tl@ihhtlfüt« ZumtiM $wn;tR
_ ma- ,
,, wo dsd die Tefratur Wehr Uffltroraia"rt wird,
md vum die. »Wizutur, der UmMbung Ola
ei@bl .
t om Wort aauiurat, Wirt der #artaaar 13 hatttr
. »Itrqw &»e,
mg att dämme riiu kaa. die
bun48---
an£ eis
gewünschten Wert genalten werden.
In Jig.2 wird dit.@arelbe Amx.änung 10 eines Vor
kreisen verwendet, und gleiche Teile sind mit den gleiehem
Hesf»lohen beseiohnet. In fg.2 ist jedoch äLe Strro
rtemr-
vorriohtung 14 von festem *Zuetanä mittels eines sehösigrax
elektrIneben Heizkörpers 18 anstatt durch
die Tetnr der
Udgeb=g gesteuert. liier ist der elektrioohs Iieifrper 18
in eia Sieesatrodkreis 19 gssobsltet, der aeinereeits
an 2 lleamn 20 und 21 angeschlossen ist, die @t einer
be-
liebigen geeigneten 8pannunffluslle mit Binergie
versorgt
sein können. Zn Reihe mit dem üteuerstromkreia 19 betet
sich ein aabslter 229 der den elektrischen l:sisUrper
18 in
eingegahslteten Zustand mit Änergie versorgt und
im eooAge-
sohalteten Zustand den elektrischen Heizkörper 18 etrauhon
sucht. Wenn also der Sehalter 22 eingeeeltaltet ist
mg der
elektrische Heizkörper 18 unter Strom steht, wird die Straf-
steuervrorrlohtuetg 14 von Beten Zustand auf einen vobreetbr
ton wert erhitzt, so da.d der elektsioohe Verbrsuaber
13 wtt
ßnergie gespeist war d. Wenn der nahalter 22 we$eaohsltet
ist,
ist die Stromzufuhr zum Heizkörper 18 unterbroehm,
mg t"
Stromteuerrorriohtung 14 w 'tn festem Zustand wird
aat
vorherbestimten wert ohlt und macht, den eleke
lerbrauroleer 13 staue. auf diese Weise bildet *Im
Mm
hnordnutig nach Jig.2 eine Relaiseinrichtung fron festen
Ztntanä
mm Speisen und Abeohalten den elektrischen Verbrauch«»
13
entsprechend der Gohal tu tellung den Schalters 22e und
der
:J,teueretraskreis 19 itat von dem lastetromkreis 10 unabbänidße
und der Steueretromkrels 19 kann ein Stromkreis von
in Ver-
aleioh mm Lastetroukrein 10 geringer Spannung
oder * geringer
Leistung sein.
Die Stromateuervorriohtung von festem Zustand
nach der Er-
findung kann allgemeint von der Typs sein, die in deutaohm
Potent ( £la tentaneldung B 25 592 VIIIo/21g
) alt
iieohani.emuavorrioütung bezeichnet ie t e md diese
lorrieh=
tungen enthalten ilalbleiterzzitorialien von festen Zuntand
mm
Steuern den Stromdurchgünges durch diese in der einen
oder
in beiden Ulchtungene und in diesem weiten Jimne
sind die in
folgenden als "I"bleitermatertalien fron festen Zustand"
be-
zeichneten Materialien zu yeratehene Jieda
iiaxerialien können
Telluridee : eleaide oder Julfide von isst wesentlichen
jedes
intermetallische Verbindung#b-der
beliebigen Netelle oder Nichtmetalle oder/Iialbleiter# oder
feste Löeun®sn oder deren Gemlaohe neide Besonders gute
Wir-
kungen werden erzielt, wenn Tellur oder Jelen die die iislblei-
tenrstariulien aufhelmenden Grundaateriallen siM* De ue
Grund-
nateriuliene Selens Geliwefel und ineboeondezetellure haben
ungewöhnliche Atomstrukturen und chemische higensohaftene
und
es wird auijanomaaen` daß Verbindungen dieser Asterialien
sowie VerbiMungen dieser lixterislien und mit diesen Zur
wirkenäen 1-iaterialien in den üalbleitermaterläien gemäß
der
Erfindung von der lesen- oder Polymertype sind, die eine
kzva-
lente ILadung eut»isen, iss ist atrsunehmen, saß dies ein
wichti-
ger laktor ist, der es den Halbleitermaterialien ascär'indung
ermöglicht, verschiedene Zuotanäe anzunehmen. Diese sind
ein hoch umrientiertw oder in allgemeinen amorpher fester
(aiohtiacietalliner) Zustand, bei dem möglioherweiae verhat-
nismäM kleine Kristalle vorhanden Bind, die möglicherweise
regellos darin ausgerichtet sind (die verhältnie"8ig kleinen
kri.dtslle sind vahrecheiniioh kleiner als oß.U,1 Ju und
Zeigen bei Röntgeaäittrdctäon eine i'ulveranordauag) und
der
ein Zustand hohen Wideretundeap im wneentliohen ein Nioht-
leitermzatsnä ist, mi ein vorübergehender
und@$üheres e
durch Ordnung ausgesetohneter fester Zuntsnd, bei den nög--
lioherweise ,rnrrhältniaaUig fie äridtalle vorl&äm sIaad
,
(die wehreobeialioh größer als an. ü,1 ju sind und bei
nftgen-
dittrrtion ein Kristallawsier seigrn) und der ein Zustand
niedrigen Widerstanden und in wesentliahun ein Leitersuuland
iste" und ndgl.iaburrvaistr eia vorUDergehender geschmolzener
Zustand, bei aea Kts v» höherer Seimelstmperatur
vor-
handeu setz komm >nzl der ebenfalls ein austmd geriagm
vigsretnwei mdt- in -wo- "n heitersusimd ist,
Es wird afnon, daß die mitwixkeräen Ilaterialiem
(Metalle,
Nichtmetalle , Vorbindungex@ zwischen Hetallen oder
Halbleiter), -
die-Verbindungen bilden können, oder ieute
Maurgen oder Gemi-
sohe mit Gien aruuduateriulien in den I@xlbleitermuterialien
Fron
festem Zustand nach der Irrfindung oder UberuchUsue der
aitxir.-
Jenden latarlulien oder der Grau"teriulien derart
wirken -
oder die Nei6unf; huben, der,&rt $u wirken, -
daß sie die Kristalli-
siertug in den iialbleitermaterialien behindern, und es
wird an-
genommen, du@i disue kristallieierunguhindernde Neigung
besonders
dann auegepräGt int, nenn die Prozentanteile der Grundmateriali-
en und der mitwirkenden Aaterialien ierbd"t..3emgUß
entfernt
sind fron den stöahiomstrisohen und eutektieolien
verhültnissen
der Iaterialien und bann, oder renn die mitwirkenden
liatorialien
selbst stark kristulliaieruagahinderude Eigenschaften laben,
wie beiagielsreiƒs Germaniumr, Arsen, G.al1um
od, dgl. Wenn
tolglioh, wie hier, die Halbleiterraterialien stark
kriatalli-
sationalUndsrnde lenohatten haben, lehren sie, - Brenn dies
sugelas.3en wird, in ihren in höham Maße regellosen oder
allge-
anin amorphen teeteu ßtruktursuetaA zurück.
Im toldenden werden einige spezifische ßeispiele einiger
der
üalbleitermateriulien neoh der Erfindung angegeben* die
reu
befriedigend= Brgebni.ßeen geführt haben, (Alle Pronentuhlen
bes"hen sich auf Gewichtsteile ).
25 9@ Armen und 75 14 time Gsaiao#0e aus 90
r; Tellur md
10 Gormoniu % auch mit Zusatz voam 3 5?
süi@lua;
75 iG Tollur und 25 1G Amen;
7198 % Tonur, 14,ü5 % jeeen, 13906 ß
Gallium und Reut
8l.eieu@lüd;
72,6 ;'d Tellur, 179 2 g@ Arsen und 13p2 %
Gallium;
76,6 x T®llur, 27,4 % Galliumar»nid;
85 j# Tellur, 12 y Germanium und 3 %
Rilisiuai
50 N Tauur, 50 Gallier
6792 ;j Tellur, 2593 7@ G81Iiumrsenid und 7,5
K, n-Gers=tuu;
75 :y Tollur unä 25 S@ Gilißiuai
75 Tollur und 25 Indiunantiaonidi
55 i@ Tollur und 459L
Germaiumi
45 i@ Tellur und 55 ;@ Germanium;
75 A Gelen und 25 YG Arseni .
87 ;t Tellur und 13 y , Aluminium;
90 -,# Teilur und 10 % Rluniuiumi
86 > Tellur, 13 g: Aluminium, 1'9& jeleni
50 5v Tellur, 50 ;@ hluminiumi
50 IG Aluminiwatela.urid und 50 % xndiumtellurid
i
50 j( Aluminiw»tellurid und 50 % G Mtmttellurid.
Die genannten Iinibleitezmterialien huben negative
tberuieohe
Wideretaadekoeffisienten, und die jenigen, die Selen,
Silizium
und dolliumarsenid enthalten, hoben ausnehmend hohe negative
therwinche Wideretandekoeffizienten und sind beeondere
für
die Zwecke der Erfindung geeignet. Allah Silbertellurid
hftt
einen hoben negativen therminahen Wiaeretcurdekoeftisienten
und kann, ebenƒo wie Selen" S111zin und Gallienid
anstatt der genannten Halbleitermaterialien.
oder zueätnliuh
zu dienen zur Erzielung deu gewumaahten holzen negativen
thexaioohen Widerntandejcoeffislenten verwendet werden.
Dei der Bildung der üalbleitertlatericxlion von !totem Zuotand
ge=B der Wind=g können die ßrundmaterinlien und
die ult-
wirkenden illaterial%n in eineu unglnnierteit Por:dIannörver
zu einer
pulverfurmigen Xonsieten zermhlen
und gründlich»cht werden. Dnnn können nie in einen
dichtverachlosnenon Quarzrohr bin über den :3chrielzpunkt
den
Haterlals mit dem höchsten Schmelzpunkt erhitzt werden.
Die
geschmolzenen Materialien kJnnen in des Rohr gekühlt worden
und dann in Stücke gebrochen oder genuhnitten werden, die
drum auf die richtige Form zur Bild"tng von Kcrperchen
oder
Körnchen (sogen. Pollete) geschliffen werden, oder
die Se-
sohmolnenen Materialien können aue dem Rohr
in vurgewürzte
ßr«Keforreen zur Bildung der Körperehen oder Pellete
gegossen worden. Da® einleitende Mühlen der :'laterialien
Innren in Beisein von Ißuft oder unter luftabechluß
erfolgen,
doch ist das erstere vorgehen vor$usaiehen, venp dan
Vor-
hnmisn»in beträchtlicher Ozjdmragen in den fertigen Xarpern
oder Polletz geuWnnwht wird. Anstatt dessen kum an
bei der
Bildung der Xöfflr oder Yellete erw raucht Rein,
die geninchten
gepulverten Materialien unter Drücken au mindestens
70 kg/=2
A000 pst) so lange zu presemp bin die gepulverten Materialien
vollstündig haeyakt geerorden sind: und die vvllotüudig
kompakt Mwtordemm tfsrtalim können
da= in geeigneter
Weise erwämt deaa.
In ein pa bat es sieh f»34t, und armr bereondd»
dam, w«a in im ja der ob=alemea Weam lpbildeteu
Körpem oder Fellote Areen vorhanden int, gaß die Körper
oder
Pelleto sich in ihrem Wirrzuatcurl oder ullge#MOix1
smorpheu
feuten Zustand, xW:i Zuatr.:rd hohen Widerutaneu oder
;3pe-.,>r-
ziunt:rrid be.-'in@jen. In dvrurtigon Fällen können zur :@oluci.'i'tu,
der :itrot@ateuea-rc)rrichtur4;en v.in feuteu Zuotnrtd ger:üil
der
Lrfincluug, bei denen die arteuei.-ariG, des ele*I:triechen
:brvueß
in der lnuov der Ialbleitex°ateriuliou von feA$eu Zuat;u1d
erfolgt, wihx-cnü der Bildung der Urper oder 12elleta
blaiüse Elektroden in diene eingebettet und bzw. oder
an deren 'lüchen angebracht werden, und beides ist prtktiach
dui.#cbgefWirt wurden.
In anderen Füllei, und diene stellen die I3ehref::hl der
Fälle
dur, hat eu laich gezeigt, daß die in der oben beschriebenen
Weine gebildeten KUrper oder Polleto eich gewühn
lieh in ihrem
mehr geordneten oder kriptullinen fcnten Zustand, alƒo
dou
Zu@@tuad gerineeu Wideretandeu oder hoher Leitfl.:higkeit
be--
iindan, Was waburechsiulich auf dao lcu-icAbhWhlen
der
lLUbleitormterialien wahrend der Bildung der Kxirperohen
oder Pelleta $urUelaufiüzren trat. In dienen Püllen tat
es
erforterlich, die görperohen oder 'Pellete oder Teile
der-
oelben oüer deren Flüchen in ihren Wirr:juntand Choehregel-
loien Zuetand} oder a1! gemein amorphen Zuntand überauftlhrens
und dien kam auf verschiedene Arten erfolgen, briegielsweiee
unter Verwendung von essreinen Ibxterialiens durch Zusata
von
Yer=reinigtanaeni @inaob?üa@n von üeden in der käme
und bar.
oder in den ObertUohen oder Winsfl#clm; ataba».aob
dmrah
L=chiu0llv Deurbeitung, i.betrahlen in SmuletraügebLine,
Schlager
Stoßen, biegen, fiitzon oder linwirl:uiab- von Ultrtjucht.t-
iacileilg motul.lurßinelt durtai Bildung pbyeikuliocher
Gitterverformungen durch @@;xr@ebel.ndeln und 1iboaltrocitani
:.der durch ff _ chenergiebeetrahlunß mit
a, -, i3- oder j --Otrahlen;
chenioch durch Line(hlüsee vun SF@uerutoff, t=ulpeter-
oder
fluorwaeusrotofreLiurc, Chlor, Sahwetel, I.ahlexwtt)if,
Gold,
1:1ji;el, Liuan oder Ihn oder durch Einschlüsse von Ionen-
virvindunE;eu, ein:ichl ießlicli Alkali- oder .:llutlierdiiotall-
z-ei#Ll.nauzit;eng eiektri..cu durch puluierouderi
1'.troL.#g oder durch
hombinution dieuer 1iaanalmn. Wenn die ganzen IC?lrp.erclw46der
291 lote in irgendeiner der zuegegeboneu Weioon in
ihren
Wirranuxttnxd oder itllgemein amorphen fegten Zuatund
über-
gefiert wind, können blanke Elektroden wa x,*eud
der ßildun-
der Xt)rnerclun oder !=ellete darin eingebettet toi den,
und
die . trctaregeluzg mittels derartiger ßtroaatouervorrichtungen
von feeten Zustand wurde in deren 1loene erf olgon. Eine
atxlere
Art zur läreieiung der :1 tromregelung in
der Hause benteht darin.,
duß in die Körperohm oder ielleta Elektroden singebetht
wette.
den, die, mit Auuncduae der Opitzen d#reelben, mit ialel,.trioober
Isolierung versehen eiiui, beiepiel®weiue mit eineu
Oxyd deƒ
Eloktrodenmateriale. Dann werden an den Elektroden :Iti%)arttiße
zur Virl:ung gebracht, die das wirksame Halbleitormteslal
uwioehen den unieolierten Spitzen der Llektroden verun-
1ueƒen, e&nen Virrzuatauä oder allgemein
tumrphen fester
Luataud hohen Widerstandes oder den Sperrzuntatui c@neunehmitn.
oder in tlialn inolierföhiden Zuotmd) betindeas
Die mibleitt@rxfalten San £eatan Zuntand
nehmen die
Wixrsuslmnd lea@reefeer ans wahrscheinlich dealalbg weil.
die Materialien beim Auftrineel1 abgrk.t ,
oder sie können ob» weiterer durch eine der oben
aahrietaverlarnt werden" dienen Zuntand
enevmnhta@t.
ßlekiroden können in geeigneter weise an den überfläohen
-oder
Filmen auf der Unterlage afebrruaht werden, und die
uteuerung
de® Utromes erfolgt dann durch die Oberflächen oder filme.
wenn die ünterla&;e ein Leiter, beiapielewelee Utabl
od.dgl,
int, erfolgt die 3trometeuerung durch die Oberfliiohen oder
Filme swirohen den Alekiroden und der Unter le4;e, und die
ünterluge selbst lauen, wenn erwüneaht, eirar Älektrode
bilden.
wenn die Unterlage ein Ulohtleiter, beispielsweiee ßlao
od.dgl,
int, erfolgt die atrameteuerung entlang der Oberflächen
oder
nlw exined« »lekiroden. Rine besondere befriedigende
lorriohtutgt die auderordeniliah genau und in der Heretelluf
liebt wiederholbar ist, wurde dueob Aufdaspfem einer dünnen
PilmeD ium Te11utf Aren und Ger»1"it91 Sui
eine, glatte Unter
u" dusa* Anea ton wolfrarurlekisoäen na dem aufgeörsahten
Pilz erzeugte Der MM kann durdb gleiehneitigen Aufbr
dieeer nsterisli« sur :johaffvm «LCrro gutobt@uo
vrd
festen pilmr gebildet werden, oder der filz ksnn durch Aufbrine
das sutodestolgender Lagen .« Fellur, A»ser t#aer@unfut*
Die -3teuexung' den Stroms nitt®lo der Stromteuemowiohtuafn
von Teeteer ßnu:tatü gemäß der @cfiudtM kam
auch über die
Flächen oder über Filme den Unlbleitermsteriale erfolgen.
Bei dieser Haßwhne werden beuondern gute Wirkungen erzielt.
Mer können die Oberflüchen der Körper oder Pollots aua den
Iialbleitermuterial, die oioh in ihren suagariohteten kristallines
festen Zustand befinden, in einer der oben
hrten
bohoxzüelt werden, na daB Oberflüchen oder Pil» geschaffen
ver-
aen, die sich in ihrem Wirrsuatand oder allgemrin
awrphen
featon Zuetund bdzJden. Die Elektroden werden in geeigneter
Weine an den Oberflächen oder Pilzen derart behnndeiter
Körper oder Polleto angebracht, und da die Man*
der Körper
oder Pollots nioh in den mehr geoxd»ten oder krintallinen
_
festen Zustand (niedrigen Adersteaadea oder gmttand der
in we®ontlioüen voilotünfligen Lsitfühi&eit) befindtt
und
die ßberflUohext oder Filme sich in den Wirrsuntaii oder
all-
gemein amorpben Zustand Ochen Widerstanden oder Zustand
der
in veaeattliohen vollstündigen Ieolierfühigkeit)
befinden,
erfolgt die :)tronoteuerung swiaehen den Elektroden in der
gauptnache durch die Oberflächen oder Filme. Imntatt Mirper-
#2hen oder Pelleto sch bilden, können die Halbleitermstertulien
von festem Zuatsnd nach obiger Beslhreibung auf eine ge»
eignete glatte Untexnohioht ade Überzug aufgebracht wrdea,
bei®pieloweiee durch Aufbringen im Vskum od,
dgl., no daD
Oberfifiohen oder Pilze den Halbleitermateriale stuf der
Unter.
luge gest:haffes werden, die sich in ihren uirrauetand oder
in allge»ima amorpban feeten Zuatanä (hoher Lsitfätig»it
Arsen und T oller gebildet werden, und im letzteren
P alle wer.
den die aufgebri4ohten Go%iehten auf eine Womperatur
unterhalb
dee Sublimierungspuxktea den Areene erhitzt, um den film
tau
vergluiohmhßlgvn und zu befestigen. Die Dicke der
:.:berflüohen
oder Pilme kaut ohne Rücksicht
ob sie durch geeig#
netz Behandlung von hörperohen oder 2011ete
auf diesen oder
durch Aufbringen auf Unterlagen gebildet Bind,
Imm -,im
in der
Größenordnung von einigen l0. ü00steln bis zur Dicke
von
mehreren 100ateln eine. Zolls oder darüber betragen.
yie -l'Ilektrode: , die bei den Utrctauerrorriohtungen von
festen Zugtand nach der Ertindung verwendbar Bind,
können
in wu eentlichon aua eins beliebigen guten elektrischen
Leiter# vorzuugeweiau aun Materialien mit hohem ;johmelsct,
soße Tantali Graphite Niob, Wolfr« und rlolybddn, beotehen.
Dieao Älektrodeu uind gewöhnlich verhültnia
mM
8lg
ihert
gegonüber den veraehiedenen oben genannten Halbleitarmateri#
allen.
wenn die dlektrcrden nicht in den Körpereben oder 1.11.t8
in den oben besprochenen Belepielen eingebeizt wrden,
In nie an den obertä,dohan oder Pilmen der Körperehen
oder Pellet. oder an den auf die Unterlagen
sufgebraohten
#bertUeben oder Pilze in belleßider gsohter Wise a».
&e-braoht werden, beispieleweine durch atchos @ngreataem,
durch Anaohmel$en, Anlöten oder durch Aufdampfen
od.dgl. an
der eewUneohten Stelle. Vorzugsweise wird nach Anbringen
der Elektroden auf die Vorrichtungen ein 'pannunge#
oder
ätrometofl zur Wirkung Lebruoht, um den elektrischen Kontakt
zwischen den Elektroden und den llalbleitertu:t®riulien
in
einwandfreien Zustand $u versetzen und rau
befestigen. Die
itrorateuervorriohtungen können, wenn erwünscht, verkapselt
werden.
Zu Zwecken der VerunLohauliohung wurde anjenommen, daß die
bteuerung den itromee in dem Verbruuohercc tromkreio
1o im
weaentliohen in einer ubertlüohe oder einem
2ilm oder einer
jo Äioht den üolbleiterauteriule von festem Zustand
erfolgt,
obwohl, wie oben bereits durgeledt, die :Stromsteuerung
nuoh
in der hyaeue diesen materiale erfolgen kanci. Yerichiedene
Ab. uefülirungutornen von Utromsteuervorriohtungen von
fest»
Zustand, die auf diene Weise arbeiten, eint in Fig.3 bis
6
durgeatellt.
Nach Pig.3 kann die iitromsteuasvorriahtung 14 von festem
Zu-.
stand einen Körper oder eine Unterlage 25 aus elektrideh
leitfähigen Material aufweisen. Diener Körper oder die Unterla-
ge kann entweder eine kletallunterlrge oder dr£u Halbleiter-
muteri«a in eeinet4 georüneteren oder kriotallinsn
festen.
utruktursustwad,, dem Zustand niedrigen Widerstanden und
im
weaentliohen Vollständiger Leitfähigkeit sein. An
den Körper
oder der Unterlage 25 befindet sich eine Oberfläche oder
ein
Film oder eine Schicht aus Halbleitermaterial
26 in festest
Zustand, das sich in seinen Wirrsustand oder allgemein
eaorphea
festen atruktursustand, also denn Zustand hohen Widerstandes
und im wesentlichen volletäadiger Iealierfähigheit befindet.
An der Oberfläche oder den Pilm oder der Schicht 26 tot
in
geeigneter Weine eine Elektrode 27
umgebracht,
die jene elek-
trieoh leitend berUhrt, und die Leitung 15 ist daran ange-
schlossen. Die Leitung 16 ist mit dem leitenden Körp r oder
der Unterlage 25 verbunden, der bsw. die als Elektrode wirkt,
und die Leitungen 15 und 16 verbinden die Oberfläche,
daut I
?11m oder die Schicht 26 den Halbleitermaterials von
festen
Zuitand in Reihe mit d« Verbrauoheratramkreis 10 (fg,1
und 2)o Tier Verbraucherstromkreis 10 erstreckt sich
von der
Leitung 15 durch die $lektrode 27, das Halbleitermaterial
26
und den Körper oder die Unterlage 25 sur Leitung 16, und
die Steuerung erfolgt durch das Halbleitermaterial 26.
Lia Strometeuervorriohtuag 14 fron festen Zustand
(Fig,4) ist
Uhnlioh der nach Pig,3* weist aber darüber hinaus
eine zweite
Schicht oder Oberfläche oder einen Pilot 28 des lialbleitersm-
teri.ale von festem Zustand auf, die bsw. der sieh ebenfalls
i n seinem Wirrnuatand oder allgemein amorphen festen
Struktur.
Taustand, also ebenfalls in Zustand hohen Widerstandes und
im wesentlichen
lsolier=ühi,)CSit befindet.
liier ist ebenfalls eine nektrode 29 in geeigneter
Weise
an der illäohs, den Yilm oder der Soi ioht suo Halbleiterma-
terial 28 in festem Zustand angebracht, und an
der Blektro-
de 29 ist die Leitung 16 angeschlossen, denn alav
dis
3tromatsuesvorriohtuus 14 von festem Zuatend nach
Pig.4 in
den Verbraucherstromkreis 10 (p4.1 und 2) eingeschaltet
Wird, sind die Schichten, Plöohen oder filme 26 und 28 des
Halbleiterteriale Ton festem Zustand in des V'arbrauaher-
stromkreis in ksibe geschaltet, und dieser erstreckt
eich
von der Leitung 15 durch die Elektrode 279 das
lialbleiterr
material 26, den körper oder die Unterlag4; dun
Halbleiter-
muteriul 28 wnd die ßlektrode 29 zur Leitung 16.
:Via AnordnuM der Utrometeuernorriahtung 14 von
festen Zu-
stand nach Pig. s ist ähnlich jener nach yig.3 und 4 0
doch ist hier eins einzige hege oder Oberfläche oder ein
lila 26 des Halbleitermdtertals von f eatem Zuataaod Torgesehen,
und beide Älexttoden 2? und 29 sind an ikr dieuem bsw.
dieser
afbs«ht. Der Verbrauohsrstromkreia erstrsokt sich von der
Leitung 15 durch die M"trodo 2?, das Halbleitersesterial
269
dem Körper oder die U*Urlage 25, das Halbleiterrratsrt"
26
und die hlextw" a9 M der srsitm 16,0 wie nach JUS-5
sind
also hier' suari
Se
hLah
l
n oder
oder Oberflächen -ä«
rleitsrmls ha Rsiw mit dm '!frärsuwl«stroaCr!rfs
10
gessolualtet. ha bei den Vorrichtungen nach Fig. 4 und 5
zwei
in liethe geaohaltete Schichten oder Pilrma oder
Oberflächen
doir lalbleitermaterials 26, 28 verwendet werden, ist der
geemte äperrwiderstunä dieser 'Vorrichtungen größer als
der .
der Vorrichtunß nach fig.3, bei der nur eine einzige
Gehioht
oder ein Film oder eine Oberfläche 26 den l1alblni teruaterials
verwandet wird.
Nach 81g.6 wird eine Unterlage 30 von elektrisch isoliertöbi#
gem I-iaterial, Leispielaweise ülan od.dgl. verwendet, und
in geringem Abstand sind zwei ßlektroden 31 und 32 in geeig-
neter weise an der oberflilnhe dieser Unterlage angebracht.
Die kichioht oder der Film 26 aus lialblei termnterial
in dessen
wirrEuatand oder allgemein amorphen testen Strukturzustand
lest an der Unterlage 30 über die ßlektroden 31 und 32 ange-
bracht. Die Leitungen 15 und 16 sind mit den blektroden
31
und 32 verbunden,und der
eretreokt eich
von der Leitung 15 durch die Blektrode 31, entlang des lialb-
leitermLteriaU 26 und durch die Älektrode 32
mär
Leitung 16.
Auf diese Weine int dun Halbleitermaterial 26 von festem
Zu-
stand zwischen den äleätröden 31 und 32 in Reihe in den
Ver-
brauoheretromkreis 10 geschaltet.
Wie bereits oben auegefuärt, wird angenomma, dsß
die Iiab-
und
lsi ternateriulien 26r 28 von fest« Zeurtaad stob
noraa@err-
ereJse in einen in '..19e d 4 sorl e
ntiesten Zur1&t
(W irreuatand) oder ullt;amein amorphen festen
(niohtkrietulli-
nen) ;jtruktursaetund befinden, jedoch möglioherweiae
verhältnie
mü3iikleine 1.riutalle aufweisen, die w-hrectseiniioh regellos
drin ausgerichtet sind und in dius@::m feuten atrukturzuatand
einen hohen Wideretünd bilden und im weuentlioluen einen
Nicht-
leiter duratellen. Durch geeignete Wahl
von I.kstei,i.xlien kön-
nen die hohen tiäeretandewerte der lialbleiterm,teriul%n
fron
feutem Zuat@incl vorüerbeatimat werden und sie
können auf Worte
bin zu mehreren 1,ülAonen Uhu gebracht werden, wenn
dies
erwkneolit iat. bei Verwendung in Üblichen Verbraueheretrom#
krei_ en haben die hulbleitermuteri-lien von feistem Zustand
Tuner dü.e lieütreben, in ihrem Utrukturzu.3tund hohen Wider-
utandeu oder der ieolierfühigkeit au bleiben oder in dieƒen
zuriiokaukehren. In diesem hoohdenorientiertexi festen Struk#
turzustund, der bei deal üblichen Gebrauohetemperaturen
be#
steht, durfte eine groge Anzahl von Drociuelzentren
oder
-zust;inden oder -beding Gen beƒtetien, die die
Utromtr4er
behindern uhd somit den bereite genannten hohen Widerstand
oder die lohe laolierfühiglosit bew. den Uperrzu®tand
fassen.
Wenn die Utromregelvorriohtungen von feetoi Zustand in einen
Lust- oder Vorbrauolierstromkreis in neihe goeolwltet werden,
an den eine veründerliohetlleiohsiwannurvp amelegt wird,
so
verholten nie sich in der in den Upannuaga-3tronkurven der
hig.7 vurannohauliohten Weise. Bei der 3pansiung 0 befindet
sich dau iäalbleiternaterial in festen Zuetund
irrer in sein
Zuatunä hohen widerntandes, also in Sparrsuotsnä: Wenn d%
.
ungelegte bpannuag erhöht wird, wird das lialbleiterwterial
erhitzt und rein widerotund nirxat allmittlich
ab, wie dies
bei 35 in hig.7 geneigt iet. In den liaibleiternaterial
gibt
e® wührscheinlich bevorzugte .eunkte zwischen den hlektroden,
die von einem geringeren WiderAand sind als der lteat
des
llulbleitermateriala, und an diesen Stellen wird mehr dtron
Eum fließen kommen, was zur Folge hat, das eine erhöhte
ir.-
wärmunb an diesen Punkten auftritt. Wenn die an das iial.bleiter-
msterial angelegte aparuiung den Vert B (den Schwellen-
oder
"Zusamnbrueh-"9-ert der Spamzung) erreielit, werden
mindestens
Teile den lialbleiteriacitƒriula $wieuhen den Elektroden
(PUen,
Mage oder Pfade swieohen den glektroden) auf eine kritisol»
Temperatur erhöht, bei der aie im weeentliahen außenblioklioh
einen geänderten Zustand annehmen, den Zustand
niedrigen Wider-
standes und des im wesentlichen vollständigen Leiters.
Lie wird
Bngenom:zen, das dieser iiuntund, wie oben auagadrückt,
ein
vorilbergettender und mehr geordneter und bzw. oder ein
geaohmol-
aener Zustand ist. wahrscheinlich sind die iitro®trtgerhegib-
zen i.ren oder -zustünde oder -bedinguxigen in diesen
mindestens
vorhandenen Teilen des liulbleiternw terials in diesen Zustümden
an Zai11 weitgehend vermindert, so dad die Gtromtrllger
lawinen-
artig freigegebuu worden und der Zuetund niedrigen
widerntandes
oder im wesentlichen vollstündiger Leitfähigkeit geschaffen
wird.
mea in weaeutliabx. augexxblddiohr,
alten dieser - minde-
ste» Vorhandenen Tülb d» hal'blsitermaterfials
aus ihrwr@
Zustand hohen Widerstanden oder der in wesentlichen tollstän-.
dLgm Ieolierli higMit Ja ihren Zustand niedrigen Merataades
oder der in wesentliorolletiüoligen JAd, tfUhigkett
ist 4m-
Wo. dnroh die unterbrochene Z3nle 36 in Big # 7
deutet. .
Mee Spannung über die gorriohtuu& in deren Zustand
niedrigen Widerstandes oder der in
wesentlieZwn vollständigen
i"tlühigiueit bleibt im wesentlichen konstant auf
der . Wert #H ,
wenn auch der Stroms nte bi 37 in Big. ? gezeigt ist, in
weiten ßrensea etemen und fallen kann. In diesen Zusmnen-
harg Wind anger@;e daß die leitenden. Läden oder Stränge
snisahin den niedm an Quexsohnitt in den Maße sur# und
ab»brsrt" in d« die Stromstärke steigt oder
fällt, so da8
diese aew aohattmg. d» Zustandes in waoentlirol@n
koostsnter
Spanaumg T@ erhIlst md gekühlt »xd«. Vene der Strot durch
diese aindeateaus to @e@rdenea tadle dm Halbleitermateriale,
v« testet ?asa*sM ant einem ksdalsah« Wort
1S aw""e
te hatme aussen $t1 1ibr Tochadeü md` iu-.
fe@edes@rs a@teio@orlt x@rsdea@@ Ws dir
In Ihn* Z"" xärig täderstsndos oder in , vomtt-
@` leti@Vifer,, so das ü
anaeohl i wbib sa@fiatrüldp Oder in
1@tr@ oür irr alia@a@c arrosrpS@rrrse.
hehm toter: mt fur@st laas@a#
fääigkeit zuratckkehren., iIit anderen Wer tea, die- etromletten.-
den Mden oder Jtränge zwischen den 41r ktroden werden unter
broahsn, wenn dieuur Zustand eintritt. Dieses in wesentlichen
augenbaiokliehe rohalten auf den. Zustand hohen Wideretandea
oder im wenentliatten vollutdndiger laoiierfähig"it
tut durch
,,,F
die üUckkehrkurrne 38 in Fig. T verunaohaulioht. Die
Abnahme
der Stromstärke bin unter den kritischen Wert % luuui
herbei-
gefUhrt werden, indem die an die ßlektroden der Vorrichtung
angelegte ipamiung auf einen liiert unter Y11 in 71t;.7
vermindert
wird. Diese genannten mindestens vorhandenen Teile des 1ia1b-
leitemateriula können aberwiIs im wesentlichen a%,rnbliolGlioh
in ihren dtrukturzuAand niedrii;ea Widerstandes oder
in wesent-
liehen vollständiger Lsltfdhigkeit surüokgeftihrt werden,
wem
sie abermals durch die angelegte :3pamsung gentagend erhitzt
werden. Die Upamiunga-Stromtärke-Ghsrakteriatik der feg.
T
ist nicht maßatäblioh, sondere, dient lediglich der Vvrsa-
eoäauliohung, denn das Verhältnis den Isolier- oder Sporr-
widerstanden zu dem Widerstand im leitfähiS,ea Zustand
brat
&ewöhali
oh
mehr als 104.u00. In Zustand
des nfesirigon Wider
standen oder in leittigon Zustand kann der 'widerstand
ein
Oha oder noch weniger betaragea, und der Haltemtras mir
die
Yvrrtahtung kann daher in wesentlich V sein,
Xe, Snungs..3trou.Charakterf.eder Stwmitouelr'i":t'tsi
Wen festen Zuetwed: ges der Ei#naimrg ald& cl
n ist
aligeseimen wert den W@taad, YerbraueM»
@.;
Sie eine such davon unabhängig, ob beim Dm ohlaufen der
I-V-
Kushre der Pig.T gleich- oder Weobsolotron verwundet
wird. Die
Art und Weiee,in der die Stroaateuervorriohtung von festem
Zu-
stand nach der ßrtindung in einen Laet- oder Verbrauoherstr@@a--
kreie arbeitet, der mit Weohaelepannung (FIg.l und 2) betrie-
ben idt, lat durch die Upannuage-Strometärke-Kurven der
hig.8
bis 1u vflrunoohaulioht. Wenn die itro«t:ÄrkeregelvoL-riohtung
14
von festem Zustand eich in ihrem Zustand hohen Widerstandes
oder iperrauetand befindet, und wenn die angelegte Wechselspan-
nung geringer' iut als der Schwellen- oder "Zuoü=enbruoh"-Wert
der äpannung der Vorrichtung, verbleibt die Vorrichtung
in ih-
rem Zustand hohen Widerat,Azdee oder :Jperrauatand,
wie bei 39
in Fig.B gezeigt,
ei ann jedoch die angelegte Weorlselepannung mindetens gleich
ist
dem Schwellenwert der dpannung der Vorrichtung 14, schaltet
die Vorriolitun4; in wenentliohen augenblicklich
in ihren Zustand
niedrigen %iiderutanden oder der Leitfähigkeit um, wie bei
40
in Pig.9 a%e ;eutet. klie eraichtlioh, sind die Kurven 40
gegen-
tiber der Mittellinie in Pig.9 geringfügig seitlich veraetat,
und dies verqnechaulicht den geringen Widerat:.nd von oa.
1 Oba
oder weniger, den die Vorrichtung 14 in ihren Zuatund niedri-
gen Widerdti..ndee oder der Leitfälligkeit hat. Auch ergibt
sieh
aus der Fig.9 bei 41, den die Vorrichtung ihren Zuutund
hohen
Widerst..ndee oder Si@errzustend 'während jeder Halbperiode
der Woche rlapannung intarund annimmt,
v# «o lreehseh.
apaMtR4 mich d11 äullwert rt, 1"1n der 8trtu
während Jeder.öplriba umterbroehen vt".
larohlisßemd va
,jede noertntwrt tntesbnohund den att@o@rdurel@papa @ihser@t
einer )r 111n Nerioda äat0l4e den atsipai@as taa#.
wertes dir Spwaamw der aaplegtaaa lspwn 4te»
ni».
deataw tro@wrla@rrr den Balbleitermtatala
das v1meielr#
t>rg u wieder erhitzt, se Aal die Vo lesmelalt wird,
i s w««tliahm MW-@lio@dieh wurend jeder i~1lperi#
Ode wieder zu lettet.
Wen die itroaatitrhtrridAohtum9 in toaiwa zata"
nach der,
prtsodutmm
in ihaNm zustand niedrig« widenrtaaAea oler
dei
Leitt@thi@Oailt ist mm die angelegte
@eahsalaaman priader
riri als der fixte 8ahwllenarrt der djamuffl
des l«rtah.
*mg (der In toipnten aha eilrar eelrr@elhamw@rt dar
ip
bezeichnet wes), wate «e iarrtesaittierartdan fait,tta
in der ihre das ri@tptraletea der XeehesIetrlapa@sle,
bei
denen sieh die #erM"txffl in ihr« i«taM hohen Yn@taa.
dem Od« 4p: @MMrwataad bettrtet, >i
bei 41 in ?M.lo psaUt,
VerliAprt, eo du ein in ovar Weise wlrstwat 'er
itleit>raawtaa@t paeäftton wi". DM" _IM mm disar
bpsaa>W wutit am Oberft ilwwt~
dar $pammm 4r 0tr rtawawsrishtM 14 lusm ass etw
drw vorhtumt@ der $pr rrdavor md der boilsahig»itäsu«
währe" Jodur Halbperiode der wooheolepsunä
eosit die
durehschmittuahe a t- - suf@ur mm verimuobaratsonkreie
oinm-
atollt vordem. vom 401904h die voohrolop»wimi nrt
oimmn vonorlmatWort date cis der obere eehwol#
lenwert der aps, wiA de sp«wäsnor Während Jeder
'Mlh-
poriodo so i«; md der wido»trmd oo booh, du die aogologto
Woohoel.azieht ,nauand a"r4te «zeugte um den Wider-
*tu" m @Dorfdmg dl» genmatem aUMeato»
vorhandenen
?eile den Ulfloitol»toZ'i&a geM erhitze m "0 wieder
unfähig m maäos. mooor 5 M toi dem die Vorriohr
tuad 1d imxe»hall der ifoolbolotromerioio nicht Wedo: leitend
wird, Viril in tolpsr aio naloror äohwiloamrt der
dyaanwod
der rorrtohi»4 iezoiohmt. Die atrmsodslyrorriohtum
14
vorn lost« Zustand xmmt ämm ihrm äumtmd hohen Videra
oder 8p$ rzsnslrnd 022e rio diar dnreb dir $pUmwffl""
länrro dar lidA w- lioät wird. Vom die dffllmoMiob-
*mg wen tuet« sloht,.,2"tend aniot, )tann
am
nioät vdeier lei1oM wsdme b" die a apiol o woohsolopaamw
&iaiosio» au 4ffl e .de der oloeo llemro=t der
ep.or-
mffl der Vorvto9 daoit die ßpmu@am@rdtso@r@e@
rieh tid. !
lram@. -
s) - "M OMA e du d" dl@s@rrmldaosoo1#
wo@n@rimrhlorld :@'@ uteh m:iao tu Umm an-
BUM bekam vldoxsturi» of dostani he£LmM, dU "o
in nesentlIohsn angenblioklioh in ihren Zustand niedrigen
Widerstandes oder Leiltähigkeitsausteuut tuberfUhrbar ixte
die angelegte 1@eohaeispanaung niMestens gleieh ist
der
oberen gehwllenwrrt der Spannung der Vorrxohtunge da# sie
in wesentlichen augenblicklich in den Zustand.
hohen Wider-
otwedes oder Spe< rrsustawei überfUhrbar ist,
inder die argeleg#
te Veohselspanaung mindestens geringer tat als der
untern
Sonrelleawrt der Spannung der lorriohtm4, und daß bei
Anligtra einer Weehrelspannung ober"b des unteren Soh»lle»-
wgtes der 13p«aung der Vorriohtwage
irrend diene sieh in
ihren Zustand afeds.gen Widerstandes oder hoher heitfghig»it
befindet, die Vorriohtuag einen abgenaradelten Zustand
der
Straaleittähiglmit autweiate der w« dem Wert der
angelegtem
Weehrelspunnuxeg in Vergteioh zum unteren Schwellenwert
der
Spaweung der Vorrichtung ab~.
»er obere und der untere Schwellenwert
der Spannung der
8tsonreglrlvorriohtung soss; testen Zustand bringen
von dem
Wideretend des Mableitematertslo
der lorrivht»4 in
deemen Zustand hoben Wüersteeard@es oder ßperrsnet
a
nd
ab, und
awr elud die Schi- ellemertar mmnieds4ese
je IAher der
Uderstend ist. Wie oben sm los truak geb:aoht" haben die
geelöleiteranterialibn vm testen Ztstsni bei diesen
Voriehw
leupa wann
imt thesmisehat Wideȟuedsw#
lauitiester9 um iatspseei
-m
i XMe* sieh der
ob.w
und der untere aehwellenwrt der Spssurmg der ßgelvorrieb-
tuog mit den Ttue deraelöea in der dun ob die laswea
42
und 43 in fg.ll waraaso"uliobten weise, tn-den adslieh dar
obere und der mtere gehwllem»rt der Spannung bei
steignder
Temperatur ab=d a@sgellts@l.
Zur obauUsei an@peno, dai die ats@oa@regel
riobtuag 14 von testen Znet" der swfpesmt« der tbgpiM
s@ns-
genetst VIA (fg.l) mm du en esrunsebt ist,
d" die vo#
rioht 8g lbnlctiOB in de. weeheelstro@n@'
o@rerlcreis 10 bei einer tblceb«dp»tus von
«05e 0
(19e !) ausuöen soll. ]Sei eiarme 1'mpo»tur
von 350 0 ("0 !)
kean die VorsiehtM 14 eta« 8posrriäeugin woseatileiuion
von 1, 0S M ,@'. " ei«a oberen @e@relieert der Spannum4
von
103 # um einen untesmmt @ehwale@ast der apawvmd v« a.00
Y
haben, uM hei 380,0 (100e ?) bsm sie
aporrridrrrstsaä
Boa La essentliehen 1, 0 x r , Blues obe:ug »hvelleugest
4«
spamum4 m« 100 # ma eia» uatereae "äwell«»xt dem
Spsnxvm vm 9S # . Mit diesoepbeaes grob sei
angn, du d" sn den lsts rer@au@s@10
aufeiegte spr100 v
u um ist, Arie duxrb dlre
metesbroob@eere äm@e 44 is ?i(.11 eagsaeutet ist, mg ds1
iea wa
die mterba@aroheaen UM= 45 v" 44
Je basr. ise 0 (100 bsv. p) «tspseeheß.
wenn die litraaste«rvorriohtm 24 rea, testen
Zugtand sieb
in ihren Zustand hohen Widerstanden oder Sperrsuntand bot..
det und die Tempsratur niedriger Let als 38° a
(100o g),be..
trägt der ßperrwideret .. nd der Vorrichtung
14 mehr als l@ O M J^' ,
und der obere Sahrslleavert der Spannung Liegt über der
ange-
legten Wechselspannung von 100 1. und die Vorrichtung bleibt
in ihrem Zustand hohen Widerstandes oder Sperrsustand. Wenn
die Temperatur auf über 380 0 (1D0° F) steig* to
nimnt der
Sperrwiderstand der Vorrichtung 14 bis auf 1.Öllab,
und
der obere ßohselleawert der Bpasnw@g sinkt
auf 100 V, also
auf den Wert der angeleiten Wechselspannung von 100 V. Wenn
dies eintritt. wird. die Torrichtung 14 im wesentlichen
augen-
hliokUoh au! ihren Zustand niedrigem Widerstandes oder der
Leitfähigkeit umgeschaltet wend versorgt den elektrischen
Verbrawobr 13 in dem Weoheelstronnsrbrauohoriarein 10. Die
Vorrichtung 14 bleibt weiterhin leitfähig und hält den elek-
trisohsn Verbraucher 13 unter Strom, bis die Torperatur
auf
350 C (950 !) absinkt. Wenn dies eintritt, wird der
Sperr-
widerstand der Vorrichtung 14 auf 1.05 x-:
erhöht, und der
untere Bohwellenwert der Spannung der VorriohtuW 14 steigt
auf 100 r entsprechend der angelegten Weohnelspaanun`g von
gleichere Wert. und intolgedensen schaltet die VorriohtuM
14
in wesentlichen augenblicklich auf ihren Zustand hohen Wider-
etaadee oder sperrsewtand in und unterbricht die Bnrnieani-
fubr zu des Ilerb;anaher 13 in des laetstronkrris
10. Durch
geeignete Wohl der üalbleitermatarialien sur sohalIWng der
gwüoeohten Sperrwideretwndwerte, der gewUasohtea
jlnepreoh..
tghigheit auf 2wpersturbediagw@gen und des gewünschten oberen
und unteres sohwllenwertss der Spannung in besug
auf dis
in wesentlichen konstante angelegte Wdehselspsnnung und
bsir,
oder durch geeignete Wahl den wertes der angelegten
Wechsel.
sysnnung kann die Vorrichtung 14 tUr in wesentlichen jeden
gewUnaehten Temperaturwert funktionsfähig
gemacht worden.
Auf diese Weine arbeitet der tive thermische Wid erstands-
koettstent den Halbleitermaterials der Vorrichtung 14 im
Verein mit der in wesentlioben konstanten angelegten
Weohsel-
epannu@ susaasea, um den Verbssuoher 13 in dem Lsstetrookreis
10 eatap»ohend der Temperatur der Vorrichtung mit Energie
zu speinen-oder die Zufuhr zu unterbrechen,
wenn sich ferner
die Vorrichtung 14 in ihrem Zustand niedrigen Widerstandes
oder lei ttähigen Zustand awisehen dm oberen
und der unteren
Bo@twllemwert der Spannung befindet, bewirkt nie auch eine
Abwnd11 den Strodurobganges in den Lastetroskreis ent-
spreohso4 der T«peratur der Vorrichtung.
Wenn die ßtromregelvorriohtung 14 von testen Zustand mittels
*inne Haiskfrpera 18 (?1g92 ) anstatt durch
die Temperatur der
UW6ebu9 (tg.l) erwärmt wird, wird die Vorrichtung
14 vormAge-
weise bei in Vorhgltn..,ia nur Ungebungstemperatur
hohen Tempe-
raturen betrieben, ao dao sie soll erhitzt und abgekUhle
werden kann und so daa der obere und der untere Sohwellenwrt
der Spammung der Vorrichtung in bete auf die
i® wesentlichem
konstante eingelegte Weoheelepennung schnell geändert werden
kann und soxait eins achaell wirkende und emptindliobs Strom-
steuervorriobtung von festen Zustand geschaffen wird.
Wie oben bereite ausgedrückt» können die UtramsteuervorrIahtun-
gen von testen Zustand gemäß der Erfindung auch in ibbiingigkeit
.
von daran zur Wirkung L,braahten Druokbedinfuagsn
betrieben
werden, und die Art und Weise, in der die Stromsteuervorrioh-
tungsn von festem Zustand derart betrieben werden,
ist in
P1&.12# 13 und 14 veranschaulicht. In dieser Hinsicht
haben
die genannten Halblei termöterialien einen im wesentlichen
ne-
gativen Druck-Wideratande-8oetiizienten, d.h. der
Widerstand
nimmt bei sune. uaondeat Druck ab. Es ist annunetuwn, saß
die
Verminderung des Widerstandes als Folge einer Steigerung
den
Drucken als Folge einer Verdichtung des Materials ßuuttritt
und dos ferner der zur Wirkung gebrachte Druck in den Materia-
lien kauetünde erzeugen k@jn, die einen geordneteren oder
kri-
stallinen Zustand begünstigen.
Die Vorrichtung 14 kann dabei direkt den Druck der Umgebung
der Vorrichtung ausgesetzt werden, so äaß nie
auf anderungen
dieses Druckes anspricht (81g.12) oder sie kann meotmnataeh
unter Druck gesetzt werden (81g.13). Im letzteren Pull laeon
-
beispielsweise die Stronsteuervorriahtung von festes
Zustand
der in fg.3 gezeigten Vorrichtung entapreohen, und die fiter.
tage 25 der Vorrichtung kann von eines elektrisohei Niohtleüer
48 in einem Gehäuse 49 8rtrugen sein, und es kann
eine
flexible Kamörane 50 torgesehen sein, die wischen des Ge-
häuse 49 und einem Deckel 52 befestigt ist und mit
ein«
Kolben 51 aus elektrisch niohtleitenäea Material
auegestßt-
tet tat, der an der gloktrode 27 der Vorrichtung angreift.
Dingi immer 34 innerhalb des Deckels 32 oberhalb der
Membra-
ne 50 kann über mies Leitung 53 an eine Steusrdruokgnelle
»-
geschlossen sein, so daß die Vorrichtung Lt der meohanisoben
"ninwirkung des in der Kammer 54 erzeugten Druckes
ausgesetzt
ist und ihr widerstand verkehrt proportional
zu dem Druck
verändert werden kann.
Die Wirkungsweine der Strametewstorriohtung 14 in Aäbängl*eit
vom Druck .ist in wesentlichen die gleiehe wie die
wiriu»4s-
wise in Abhängigkeit von der Temperatur oder ton
der wärme
laut Desahreibung in zusammeahang mit »U.1 bis 11,
und
ein eingehendere Beschreibung dürfte nicht ertorderlieh
rein.
Zu Zwecken der Veranaobawliohung sei jedoch im-a
enaasren, du
die Stromsteuesvorriohtwng ton festem Zustand eines üegebuop-
druok (n&.12) oder dem Druck in der
Kammer 54 (7!'i&.13) aus-
gesetzt ist, und daß die Vorrichtung ihre Strometeuertumktios
in dem @eohseletrornerörauo@yerhrsis 10 bei ein« Druck Von
oa. 3.5 kWw12 (50 Pst) &usüben soll. Bei einem
Druoh vm
3,16 kg/om2 (45 pst) iwtn die Vorrichtung
14 einen Spesswideam-
stand in wenentliehen ton 1,05 X , , einen oberen Behwellm-
wert der uparulunt; von 105 V und Amen unteren Schwellenwert
der apannung von 100 Y haben, und bei 395 k&/0&2
(5u Poi )
k"an sie einen :3perrwiderutund im weauntliolten von 1,0
M . ,
und einen oberen Gohwellenwert der Spannung von 100 Y sowie
einen unteren Joltwellenwert der Spannung von 95 V haben.
Mit diesen gegebenen Größen sei angenommen, daß die an dem
Weolmelatromnrerbrauoherkreis lt? angelegte Spannung
eine
Weohnelepaanung von 1;70 Y int, wie dies durch die unterbro-
ohene Linie ,4 veranschaulicht ist (Fig.14), und daß die
unterbmohenen Linien 45 bzw. 46 den Drucken 395 bzw.
.3,16 kg/ov2 (50 b$w.6pei) en.epreohen.
Wenn die Stroiaregolvorriohtung 14 ton festem Zustand sich
in
ihren Zuotand hohen Widerstandes oder Sperrzuatund befindet
und der Druck weniger beträgt als 3,5 kg/om2 (5U pei)*
liegt der Sperrwideratund der Vorrichtung 14 oberhalb l#
U M , .s
und der obere Schwellenwert der Spannung liegt oberhalb
der
ungelegten weoiinelapa miung von 100 V, und die Vorrichtung
14
verbleibt somit in ihrem Zustand hohen Widerotundee oder
"perrzuetund. Wenn der Druck auf 3,5 kg/om2 (50
pei) uneteigt,
nimmt der Sperrwideratund der Vorrichtung 14 ab und erreicht
1,0 M ., und der obere Sohaellemmrt der S,snnung sinkt
auf 100 Y entsprechend der angelegten Weoiieslepannung von
gleioheat Wert. Wenn dies eintritt, wM die Vorrichtung 14
im wesentlichen augenblioklioli auf itwen Zustuad
geringen
Widerütundee oder leitfähigen Zustand umgeactialtet,
ao daß
der elektrische Verbraucher 13 in Weohaeletromlaetkreis
10
unter itrom gesetzt wird. Die Vorrichtung 14 bleibt leitend
und erhält die ibnergiezufuhr aast Verbraucher 13
aufrecht,
bis der Druck auf 3,16 kg/om2 (45 pei) abdingt. Wenn
dies
eintritt, steigt der SperrAderutand der Vorrichtung 14 auf
1y05 t1 , und der untere Schwellenwert der Spannung der
Vorrichtung 14 steigt t.:uf Y en,epreohend der angelegten
Heehaelapannung von gleichem Wert, t:nct. infolgedeujnn
schaltet
die Vorrichtung 14 im weaentliohen augenblicklich auf
ihren
,,uatund hohen Wideratunded oder Sperrzustand um und macht
den Verbruuaher 13 in des Lantatromkrein 10 stromlos.
Durch
geeignete Wahl der Ilulbleitermuterialien zur Urzielung
der
gewünschten Sperrwider-tundewerte, der gewünschten
Bmpfind-
liohkeit der Vorrichtung auf Druokbedizu#mngen und
ded Se-
trtin aot:ten oberen und unteren Johwellenwertee der Spannung
in bezug auf die im weoentliotien konstante anLalegte Weohdel-
epannung und b$w. oder durch teoignete Wahl des Eiertee
der
angelegten Weohenlepannung kann die Vorrichtung 14 im we-
aentliohen bei jedem gewünaohten Druckwert funIctiondfähig
gewacht wenlen.
Auf diene Weise bewirkt der negetiVe Druok-Widerutanda-
Koeffgisient des 1Lalbleitermateriale der Vorrichtung 14
iss Verein mit der im wesƒntliolien konstanten angelegten
Weoh-
eelapannung ein An- und .:buchalten des Verbrauchers 13
in deal
Laststromkreis 1u entsprechend dem auf die Vorrichtung
ein-
wirkenden Drucke Wülirend ferner die Vorrichtung 14 eich
ober-
halb den unteren Soii@rellenwertee der Spannung in ihrem
Zustand
niedrigen Wider®ttuuiee oder der yeittähigkeit befindet,
be-
wirkt ein ferner eine hbwandlunk;; den Stromdurchganges
durch
den Lxatetromkreie entsprechend dem auf sie einwirkenden
Druck.
wie oben uuagetührt, können die 3trometeuervorrichtungen
von fƒuten .,ustund gemäß der Lrfindung auch
entsprechend den
auf sie einwirkenden 2euohtigkeitebudingungen betrieben
wer-
den, und die Art und weise, in der die 3tromsteuervorrichtung
von festem Zustand derart arbeitet, ist in Fig.l5 und lfi
veranschaulicht. In dieser Hinsicht sind die oben genannten
ii,:.lbaaterialien im wouentliolien wL:eserunlönlioh
und weinen
die Ligeneo.-iaft eines negativen 1'euohtigkeite-Wideratundeko-
effizienten auf, und wenn en erwünscht sein sollte, diese
.:igeruaoliaft zu erhöhen, können in weeientlohen
auf Psuohtleeit
anspreoüende WiderutundurmterL:.lien zusätzlich oder als
&rcn:ts
hin--ugefUgt werden. Derz,;rtige feuolitigkeiteempfindliohe
Wider-
atunüemsteriulien sollten ebenfalln im weuentliohen
wueser-Jm-
löelioh oder nur geringfilgig wasuerlöulioh sein und yorsise
eine Löslichkeit von weniger als 15 Teilen je 100 Teile
kaltee
Wosuer, oder, noch besser, eine Lönliohked. t von we:dger
slo
V Teilen je 100 Teile kaltes Wasser huben. Unter derartigen
Materialien üind beispielsweise hithiumverbindungen, wie
Zithiumcarbonat, Llthiumhydroxyd, Lithiumortöeilikut, Lithium-
aulfcit, I.itl-:iuu-e:.cetat, Lithiummetasilil-,at, lithiummetaborat,
"itiiiumf?uorid, ;.ithiunoxyd, 1,ithiunoriüphosphat und
Gemische
beliebiger zwei oder mehrerer derselben, die einen großen
nega-
i.iven Peuchtigkeite-Wideratande-Koeffizienten haben.
Obwohl der phynikalisch-chemische Mechanismus, der f..r
die
negative Feuchtid: ei ta-@: i (tere tands-Charakteria
ti3: in den ge-
zuLnnten Halbloitermaterialien und Zueutz- oder
: ustrausch-
:materialien verantwortliöh 13t, nicht vollständig geklärt
ist, wird F@z:;euo@zaeri, da13 die iu wenentlieLon
wuseerunlös--
lichen Materialien an ihren Grenzflächen und in deren Nähe
durch J!beorptinnevorgtinge Feuchtigkeit aufnehmen,
die auf
die physikalische Bindung von Waaeermolekülen durch
van-der-
daal-eche Kr.,ifte allein begrenzt ist, zum Unterschied
von
cheu@iuchen ...'.bsorptionawirkungen, die bei in nennenswerten
Maße riasserlöelichen Substanzen auftreten. Fe wird ferner
angenommen, daB die verhältnismäßig niedrige Größenordnung
dieser Bindungskräfte es der Umgebung ermöglicht, die für
die Verdampfung den Wassers erforderliche Wärme bei Vermin-
derung des Feuchtigkeitogehultes der Umgebung zu liefern,
c)hne daß die tatsächlichen Umgebungsbedingungen beeinträchtigt
werden. Die Milbleitermaterialien und die darin enthaltenen
Zusatz- oder iustaueehmaterialien nehmen vi)ri der
Umgebung
Feuchtigkeit auf bsw. geben Peuohtitkeit an
diese ab und be-
einflueaen da::dutch die 3trometeuervorrichtung in fe®ten
Zu-
stand entsprechend dem 2euchtigkeitsgehalt der Umgebung
und
verändern ihren elektrischen Widerut@:tnd
umgekehrt proportional
au den Feuclrtigkeitegehalt.
Die lyirkungeweise der Strometeuervorrichtung 14 entsprechend
der Feuchtigkeit ist im wesentlichen die gleiche wie die
temperatur- oder wärmeabhdmgif5-,e Wirkungsweise
laut obiger Be-
echreibunl; im Ziueawaaenlwng mit Fig.1
bis 11, und eine detail-
lierte beaohreibung.dürfte sich erübrigen. Zu
Zwecken der
Yerzneoliauliohung sei jedoch angenommen, daß die Stromregel-
vorrictitung von festem Zustand der in Fig.G
dargestellten
entspricht, bei der das lialbleitermaterial 26 in festem
Zustand
zwischen den blektroden 31 und 32 in Iteihe in den Luatiätrom-
kreia 1u eingeschaltet und der Feuchtigkeit in der Umgebung
der Vorrichtung 14 derart ausgenutzt ist, daß diese :Zeuehtig-
keltnempfindlich ist und auf die F@, uahtigkeit anspricht.
sei ferner anßenom: ien, duß die Vorrichtung 1d ihre
Stromateuer-
funktian in dem Weoheeletromlaetkreig 10, wie in Jig.15
ver-
unaohaulioht, bei einen Peuchtigkeitsgehailt der Umgebung
oder
einer relativen Feuchtigkeit derselben von ca. 50
",",,'ausüben soll.
Hei einen Feuchtigkeit ®gohalt von 45 54 kann die
Vorrichtung 14
einen bperrwiderstund von im weaentliohen 1,05 14 _
" einen oberen
5ohwellenwert der Spannung von 105 Y und einen unteren 1-
lenwert der Spannung von loü Y haben, und bei eiam Peuahtig-
kei tet;ehLlt von 5U kann sie einen Uperr-widera Lund Ton
in
wesentlichen 1,0 H , einen oberen :iohwellenwert der Spannung
von 10U Y und einen unteren äohwellenwert der Spannung von
95 Y haben. Mit dienen gegebenen Größen sei engenomaen,
ds,ß
C,,, ,n den Weohaelstromlaetkreis 10 angelegte Gpannung
eine
Wechavlapsunuug von 100 Y ist, (i:nterbraohene Linie
44 in
Pig.16) und daß die unterbrochenen Linien 45 und 46 Beuoh-
tigkeitsgehaltenvon 50 b$w. von 45 9@ entepreohen,
wenn die Strometeuervorriohtung von tentem Zustand sich
in
ihren Zustand hohen wideretandee oder Sperrzuat4nd befindet,
betrügt der Peuchtigkei tegehalt weniger ule 50 # 'b, der
Sperr-
widerstund der Vorrichtung 14 beträgt mehr als 190 M
und der obere Sobwsllenrwrt der Spannung liegt über der
an-
gelegten Wechaulapannung von 100 Y, und die Vorrichtung
14
verbleibt in ihrem Zustand hohen Widerstand« oder 8perr-
su®tand. Wenn der Feuchtigkeitsgeholt der Umgebung auf 50
14
ansteigt, sinkt der Sperrwiderstand der Vorrichtung 14
auf
1, o M , , , und der obere Johwellenwert der Spannung
sinkt auf
100 V, entepareoi»nd der angelegten Weohseleptuuiuaa vor
glei-
chen Wert. wenn dies eintritt, wird die Vorriohtuag 14
in
wesentliohsn augenblicklich auf ihren Zustand niedrigen
Wider-
standes oder hoher Leitfähigkeit mgeaohaltet und setst den
Verbreuoher 13 In der Veoheelstroalaetksyte 10 unter Stror.
yie 'gorriohtmg 14 bleibt leitend cri Ullt den ferbrsuobez
13
J;
unter atsror1U-t@1er PruahU߻itsgehalt auf 45
f si"t.
wenn dioa eintritt, steigt der Sperrwideratzind
der Vorrichtung
14 auf 1,05 r, und der untere Schwellenwert der dpannung
der
Vorrichtung 14 $teiGt auf 100 V entsprechend der angelegten
Wechaelepannung von gleichem Wert, und in=olgedeeeen schultet
die Vorrichtung 14 im vesontlichen augenblicklich auf ihren
:@uatund hohen Wideratandea oder Sperrzuutand um
und unter-
bricht die isnergiezutuhr *um Verbruucher 13 in dem
Luotetroe-
kreie 10. Durch geeignete Wahl der Halbleitermaterialien
zur
Sekaffung der gewunechten äperrwiderutund&;werte,
der ge-
wünschten L®pfiniliohke 1t auf Feuchtigkeit sbedixgungen
und
den gewüneeUten oberen bzw. unteren k'ichwullenertes
der Gpm-
nuin Vergleich zu dar im wesentlichen konatunten ungelegten
weehaelspannuag und bw. oder durch geei,mete Wahl den Werten
der belegten Wvotuselapannung kann die Vorrichtung 14 in
wesentlichen bei jedem gewunuchten Feuotititkeitawert tunktione-
fähig Seerecht worden.
Auf diene '-Weine bewirken die negativen .
euchtigkeite-widerateaäe-
Äoeffiaienten deu tialbleitermateriulg der Vorrichtung 14
in
Verein mit der in wesuntliohen konstanten angelegten Weoheel-
spannung dun An- und Abeahalten den Verbrßuots re 13 in
dem
haetetronkreie 10, entsprechend der auf die Vorrichtung
ein-
ririOndea peuc;htigkeit. . _
während die Vorriahtueg 14 eich in ihres Zurtspd mA@drt
.
wideseoder hoher lmittghig»it lotiadet, 1»1M nie
ferner eine i-bi-ha:dlune des @itro@nduroi:..rcr in
dem LH.atetron!-
kreie entzprechend der die Vorrict,tung heeinfluiwenden
Peuoh-
ti.;I;.c:it.
3=ie bereits obe:i zum l:iiodrae_;. Zebrt:cl.t, =.ttric: (lie
itrometeuer-
vorrichtung von feotea :.;initundc:.,13 d:ir id'rfi:idii,ig
ferner
entsprechend den a-i.if eie einwirkenden rieleuchtunjazuatänden
betrieben werden, und die JLrt @_Ind @:oiue, in der ilio Strosm-
eteuervorrichtung von feutom üu3tana der trt 1)t: i,rieben
wird,
ist r).u:j Fi-.l? und 1£j ersiorit, loh. in dse: u,11.e haben
die
eermrinten : ,ialbleiterl--kzterialien nega= ;:ive 1,:ic':t-.:i.deratande-
Ioeffiaienten, und diejenigen, die ;fielen und i31e.ieulfid
ent-
li-.ltenrItet#en beoondern gute negative L1e!,t-@'i@ie@c tande-Koefli-
zienten und sind f(:r die:Jen Zweck, rspeziell in dem an
Infrarot r-.ri;i-f:nzenden Pereich de:3 ...iclitaiiektrwin,
beeondera
goeignet. .:ilhertellurid, )3leiselenid, K
>>cimiur4isulfid, Zink-
eelenid und Ksdmiumeeleni#ia ben ebenfelke hohe
negative Lioht-
widerrtsindu-Koeffizieiiton, und diene ßoiri.e Gelen und
Blei-
sulfid können r: uuteiu,;eliweisc oder zuuiii.tr- lie'". zu
den genann-
ten I.albleiter. !i<<. terialion verwendet wreeu, u:#
einen hohen
nesrutivert .i.ic@@t-widertc-nd:;-Xoeffizienteii z@i
eraielen.
Die '=:irkunwoweiuo der i tro:xe:teuervo#riet:.tung 14 in Abhwigig-
keit von ;,ici.t isst im wesentlichen die gleiche
wie die Wir-
kungeweiee in Abri!ingigkeit von Tvmp@@r@tur odor
wärme laut
obiger üeaehreibung in Zueamenbang mit Pii;.l bin 11, und
eine eiu#;ei.ursJ.u _j,#3bc:.reibung dürfte sich. er#;.brigen.
auch
hier kaau zu :iwee'::en der Vei-a,nsrehauliel:;ug die Utroratej4er-
vorra.ciitunb 14 von fe$tum Zustund u13 ülusiicli der in Yig.6
üurbiateiltuzi Vi.irrichtung "cigenvmnen werden, bei
der daa
::a,lbleite@#fu:tic,#riul 26 von festem Zuatand Zwiachen den
i#lek-
Lrodei: 31 und 32 in r=:eü:e :in den iautatrumicroin lt) l;eacl.ultet
iat, und diene Vorrichtung ist dem idiolit in der :Jc4;ubung
der
Vorrichtung 14 uuzgeuetzt, so d#iß nie uu% dieuun empfindlich
lest und wnupricht. ii-uc.: hier Sei urr;auoza@.en, d:u>J die
Vor-
ricütun@; l@- ihre :,;tvuerfunktion in dem i@c Aiaulutromlugt-
kreia lu (21,1,17 ) Lai einer Liehtintenaität von oa, 1.w
je cm2 uuuübun soll. Bei einer Lichtintenjitüt
von
0995 i.erZen ja eint kann die Vorrichtung 14
einen Sperrwider-
stand von im weaentliclien 1,05 H, .
, eineu oberen Schwellen-
wert dar apciiiriung von 105 V und einen unteren
Saliwullen-
wert der Spannung von 100 Y haben, und sie kann bei
1,00 Ker-
zen je 0m2 einen Sperrwiderstand von im
weeentliohen 190 X _p
t ,
einen oberen Jaliwe llenvert der Spannung von 100 V und
einen
unteren Gei:wellenwert der Sparuiung von 95 V
laben. Mit
dienen gebebanen Größen sei angenommen, daß die en
den
wechuelu trowlaatkreie 1J angelegte SpaiL_ung
eine Weeiuael-
epunaung von ljJ Y iat (unterbrochene anie
44 in. Fig.lB )
und
dali
die unterbrochenen Linien 45 und
46 den werten von
1,GU bzw. 0,95 Kerzen je osr2 entsprechen.
wenn die ;i tromsteuervorriohtung 14 von feistem
Zustand eich
in ihren Zustand hohen Widerstandes oder Operrüuetand befindet
und die Lioktinteneität weniger als 1,00 Kerzen ;je cm`
beträgt,
ist der Uporrwideretand der Vorrichtung oberhalb von
1.00 und der'untere aohwellonwert der Spannung liegt über dem bert
der angelegten Weohaalspannung fron 100 Y. Die Vorrichtung
ver-
bleibt dann in ihreca Zustand hohen Widerstandes oder
Sperrzu-
stand. wenn die Lichtintensität auf über 1900 Kursen je
om2
steigt, einet der Sie rrwideratund der Vorrichtung 14 auf
1,0 M ,
und der obere Sohwüllenwert der Spannung sinkt atrt 100
Y ent-
sprechend dem gleichen Wert der angelegten Woalzoelepannung.
wenn diou eintritt, wird die VorzicLtung 14 La wo-.entlioi.en
augenblicklich auf ihren Zustand niedrigen Widerstanden
oder
hoher LeittUhigkeit =geschaltet und speiet
den Verbraucher 13
in dem@cere@ekr@eie 10 mit Anergie. Die
Vorr ichtiM 14 bleibt
leitend und hält Verbraucher 13 unter Strom, bis die iioht-
inteneitüt auf 0995 r,.erzen je « 2 absinkt. Wenn dien eintritt,
steigt der Sperx-wideratand der Vorrichtung 14 auf 1905
M .'. ,
und der untere Schwellenwert der Spannung dor Vor::-ichtung
14
steigt auf 100 Y entsprechend den Wert fron 100 Y der angelW;ten
weoheelspanaung, und infolgedessen schaltet die Vorrichtung
14
im wesentliches autronblioklioh auf ihren Zustund
holzen Wider-
stunden oder Sperrzuat-:nd um und tuscht den Verbraucher
13 in
dem Lasta iromkreio 10 stromlos. Durch geeignete Wahl der
Halb-
leixeriai.-terialien zur ßr$ielung Bier gewüneahton
der gewUnsohten Brptindliohitit auf die beleuohtunasbe-
dinguogen und des gewunsohten oberen bMw. unteren Schwellenwertes
der Spannung im Vergleich zu der im,
wesentlichen konstanten
angelegten Weoheelepannung und bau. oder -durch
geeignete Wahl
des Wertes der angelegten weahselenung kann die Vorrichtung
14 in wesentlichen bei jedem gewUneohten Wert der Liohtintensi-
tät funktionsfähig gemacht werden.
Auf diese Weise bewirkt der nsgstive Lfaht-Wiäesstends-Koettizient-
des Halbleitermaterials der Vorrichtung 14
in Verein mit der in
wesentlichen konstanten angelegten Weohjelapanuung die An-
und
Abschaltung den verbrauohers 13 in den Laatetromkreia
l0 ent-
sprechend dem auf die Vorrichtung einwirkenden Zieht.
Die Beschreibung befaßte sich mit einigen Ausführungsformen
der Erfindung. Weitere Ausführungsformen sind ohne Abwei-
chen von Erfindungsgedanken möglich.
@ ustsndsabhl @ es @ taru @ rreysten
The liaupteutgube der Ertindund consists in the Soxwttmag one
autorstieohea Utewru » g an electrical Belaetugse zrOm-
circle with an electrical consumer to which an im
substantial account t ante spanwma of the one essentially
konatsatea dpmnnunf »lle about eia. nustandaebbbhä n & NM Btrom ..
®te »srorriohtung rot read« Aggragatsuotand is applied,
which held in series with dat elektriabea iaststros @ creis
is, no you the electrical load wgenblioklioh with
äer & le wrsor ig t rg, rä, renn der? "T" d, who the 8troanteumr #
varrioät »4 vm testua tuetamd baimtlust, aiaiente» on
* a m & sosbebeatamwt »howa worth ornteUtg md da & der Xm rgle #
as @ e @ rr ins wltertl3.e@ra _ a @ ioh eutse, at rdrd e w =
der awtsai, des d "at""teu""sriohtf va tat" anntnrR
2-.a to old mi m Ntean etam ve »« Dest änd la @liedi "1 @ 1! 1
West Sl «isrd. 1 "amttmarirl @ a @ e @ die äie 8t * a» iou «VrsieL»
vm .e. tost " z rrtnt at w tiwesa, wurr, Ima" t ",
Bs »lts b» to te « b rx1 40 " 1
wis0
In the bottle of a power control device spraying on the door
bentoht disue belepielawelue from a semiconductor material of
tediem Zuotund -wu3 Llektroden hem connecting deruelben in
is called in the electrical consumer circuit, and the
direction can in general be of the type indicated in the
German 2atontr @ n »idung E 25 592 VMc / registered on 25.9.63,
than 40 eobuniamuesorriahtung boaeiohnet is. here asked all-
However, the semiconductor material of the tuned state has an in
significant negative therred.schen wideratsnäakoeffisten,
so that its resistance falls to the extent bsv. increases like
the temperature of the control device wn test state
increases bsw. fills, in a state dun has semiconductor material
in good condition at least »parts of the Uaktro-
those that are in a state of high resistance mi in
ve®entliohen isoIXierD & hig are so that the ßtrontlug through
these. in one or both Uoh at one value
blocked below an upper threshold of elongation
becomes, the one with climber or #eruog of the temperature
the ßts o seteuer » rrioh bmg from tosten Konzawd lowered bsw.
is fetched In an aed W s « Zfrrtwrd has the semiconductor ..
mteriai from lsntem ZMtf
ster MUA grisehen dost
hloktrodee, who are in siasaor «dereß Z» letnd lotinds .
die säe eggs never dsig * wtdoritand UM in weaent @ i-
e @ r @ lsäusied, so that she is the etist of
or in both nt obesiUb siaes lower-
psdb sehwllenre A ar darr Spg »tattln # der oö @ atalls
when increasing or, Temiuderuqg the t « porwtur of the 3 # 00 ##
eteussvorriohtung of feet condition geewekt bsw. is lifted.
Serve at least the existing parts of the semiconductor materials
fetal condition and electrodes are through 419 in
weseatü 0j sn constant Jpearn and modulated, which is connected to the electrical
schverbrauoiutsat z- adcreie did, they were in w-
sentliohen a%; enbUoklioh from their blocking state in
transferred to their conductive state , separating when hrwn the
Stroke provision of solid firing to at least that
previouslybv®timten high tea " rjsturwert the upper Johwelleuwert
the spanu m g on ainäestenn the kunetanten in weoeneliotien
The value of the applied voltage is lowered, and never will
essentially instantly to their conducive condition
Converted to their blooldereadsn state when heia Aökfen
the: iiro m teuervorriohtueg ran f condition to at least
the predetermined lower tea performance value of the lower level
value of the voltage to the material to at least the in weenUi-
above constant word of the wWelegtea Upetermination angol Ä obea becomes.
By gauged flour of the semiconductor materials from tests additive
etand md bsw. or dusii soaped choice the values® of the
When tension is applied, the tefperaiurws where dle
rorrioht « g en aw your bloo @ dereradeer Yes your leite» d «supply
eteaä and uegekeärt can be transferred in advance.
Although the inventors «both in the control of alehehresot-
uad weohselotroee verbs i suaheretroskreieen applicable tot, 1 "sm
with the wüswretmpfisdliobrn tax system also this er-
finding with particular advantage weohaolatraeeerbrar
control, and in this respect is essentially = kon ..
constant voltage source a weohoelspsnnufsq »lle whom
take care of the electrical consumer use marbises that come with
denebuenden and mmehuanden gohwpllenepax @ nrrten
the least present = parts of the semiconductor material
for the storage of the weobselstromeorbrsuahers at the Brhi.ts «der
Stronstauurrvorricbtung Fron firmly «state on the front side # -
required high temperature value vmd mm interruption of the
-ß norgimreraorgung des weohselarbrauohera at kbküblrn
the ßtromsteuexmrriahtmg Fron fixed tgats »taad on
the advertised low Terperst original value interacts,
with an essentially conateate Weaiuselspsxuaumg.
In the case of a few such Weohsolstron-
stewersystes, ®shen the least existing greats
Semiconductor materials from Lest «tustsnä« Lachen den Blek-
checks if ei * in ibren conductive ä r '; &"fiar systam
are above the lower 8 threshold relaxation value,
in weaentiiale instantaneous and interwt # ative Brend
every half-period of which there could be a substantial change in
aug in their blocking awta, M but when the ltonentsu-
worth the Veobnelstroaes to the Bullert niwrt, Mr die
Duration ran intervals that were larger or smaller in size
in which the 3trolmtruertorriohtung of fixed 'r Zuetend
. under construction * over the low Texpersturwert?: lt or
heated wfrd. In this way the prosentural relationship
nis awinohen @ntregung und excitation of the Weohseletrom m rbrau-
earrrs
the temperature of the power control device
of solid state above the low temperature value
changed so that a modulation of the Woohsel-
ntswarverbrauoher sugef Uhr ten durbhaohnittliohen electric
j xtergy is made possible.
Make a point of view of the heat
Claimed Stroretenerrarriohtupg of solid state in
Abldtigkeit ton the temperature of the environment are wetted
the one who influences those in such a way that those (the liorriohtung )
estsprzuheerä the temperature of the l vgebwag warmed baw. away-
is cooled, na that the Zuteü @ rr of the electric änergie: u
ER- the elekUisohm Verbrsuoher and Unterbreahtaag of En
giesutbba to serve according to the ambient temperature m
is controlled. ksch an other point of view of the Brfir-
dun4 kmae nie - 4 srtea@npfindl.iobe 8tro «tewrworriohtw (C ton
fixed state by means of a special
are heated or exhausted, if the radiator does not
tax » orrtahtuaag of testing, Zuntaod did about the predesti« -
th high T "pesw" rt heated when it is below 91x ", 4t,
and by the power supply from test condition to
below the pre-set low tempax u ture values®
It is allowed to cool if the radiator is not under stroas
stands, so the Stro®nuthhr sat on the electrical consumer
in the electrical load atmosphere and the
the-
this energy supply is controlled. Lia electric stand rsh »-
krein ka nn Mr switch the radiator on and off
should be provided so that the control system has four terminal
men and with electrical independent and, against each other Ioolier.-
th 3troakreinen ttlr the consumer and tUr the Steuerarg
is created.
After further testing of the bond, the Otros-
control of the test state caused by VM
other variable sizes, for example, one prints lights
aeuohtigkeit or the like, to have been influenced and to this
ansuapreobm, and in these balls the conductor material has
v = tentative state a suitable negative resistance--
Koetfisienten in beoug a «the entering size or the
entering state, there was no electrical power
in the wetness decreases and increases, in the dnr value the pruabxe,
den ilohtes, the Feuohtidrai.t or the soneti4ert, the atro »..
otwerrorriotituag von Accounts Zuettn d beeintlueatrri3
bm. ot, so that the electrical consumption
is instantly supplied with energy for essentials,
if the variable size is at least over a Roräeerb-
timmten a high value of sunJ.rat, and so that the hnergy caused
to the electrical consumer essentially instantaneously
is interrupted when the variable dimension is at least au!
decreases to a previously set low value.
On the drawing are some Ausfithrwagsbeiapiele the Lr-
Zinde ng shown. In it are:
Pig.l a Uohaltsohema a form of a eustandeemptindliohen
Control systems according to the invention, some on warmth
anapreobende 3troasteuervorriohtuarr "solid state
the UAgebufet influencing them "pesäuuc addresses,
gig.2 a Sohaltsohema similar rig.1 mm illustration
an arrangement in which the heat-sensitive current stone:
Solid state device by means of a Siwrstroakreis
is controlled, the one elex belonging to the rorriohtung #
trisohen radiator travels,
Fig. 3 to 6 representations of various designs of the '
size- or sustandsabhingigen Stronsteuerr p rriohtung vo r
solid state which can be used according to the invention ",
7d8.7 a bps-Stren-Diagramae gur , vereneohaetliarhnee @ des
instantaneously = behavior of the rhinestone euesworri @ hg of
solid state after winäung hlnad.ohtiiah tension and
Strm at Verälderwgfn of the same parents & s
g1 & 98 to 1ü Spannuug..Stroer-amme only foransoiesuliohn @ g der
Effective wines of the Stronateuernörriohtung of solid state
according to the invention in the = installation in a weohselstrcn-
Tarbrouoherstr » Creis, of which a & 98 to Verameeulia @ hux @ g
the Sporrsustandes " . Tig.9 to Veraneohsulioäung an abiwew_
dellen Leitktivkaitszu staodss in the area or whether «haib
the upper Sohwellemrertan the tension and
718.10 mm Vsr = sobaulio b g of the modified I conductivity
sust to dea when rrem @ g approaches the lower Sohwelisu value of
Tension serves,
Tig. il .irrer resperatu r # apanr @ qis # @ iturr snr resrureabewiliohe
der Aöbhäugigkeit der StrarasstauervorriohtM = s lestea zu ..
was after derlisdeeag voet der @@. ya @ peratnr,
? 1g.12 eia irei t mgaaobo »similar to na. I Zur re iehu @
der Ter wen dunc one on ampreol @ ercrrdeä @ trossis @ esr @ or ##
ri "t Ung v = solid state in the star" tM4
71-g.13 a De ratell u mg only Vsrano chs uliaag a A1
torn one on V rwk wao, Dreadan Strssts »rrorriehttng v =
fistete Zuodie in d «afo t« according to lig.12 can be used,
fg.1d a @ rualc- @ psonungo.-Kur @! to the lora "o" uliohm "der
D nw 1mbh uagl glxit the 8 tum tion of fixed «Zu.-
itiM na "N IS., 12 md i3!
YU.15 a zuitw @ g @ rraähnlieh .l to Versasoh m & U, rrg
the #use of an on Youaäit amprean B U aamteuar-
vnrriaht uni Boa t often state A in the 3 taxay stage
na.16 a Welmehis-gp @ urre to advance »@auliobewg
the dependent on the power equipment ug g fron fixed Zwtmä
after? i6.15 from dar ä "'W-%" tigk! t,
? ig: l? eia is @ 3r ädnli @ i8. i zerr veraruelma l ia ba nmg
des vonnrrrd > ate ai »es lent tiaä] i chem sto» rvorriah d
BEFORE it was in the 8tsmssaY.tare
li @ .lß sirr 3Arät @ .Spaaauog @ sar @ araneoh8uliaäder
Ziai @ tait br etseaotraa s tahtmag regt "to-
atwä aste? m.3.1.
like mm FU.l ersiahtlieh # is a Vorbrauahsrd tramkre that is
allgeshda is denoted by 10 , aa hlemänen 11 and 12 at & * .-
they were in turn with an essentially com tant e ce
Weohesletrarqnelle connected a "In dem Verbrauaheratrai.-
Kreie 10 is located in l "txiäsreta" (consumer) 13, the
on eimm resist , a coil, a motor likeiH g f * YES »
p uffl st » ntil, one h rluinviokl around # ; or the like. beatshme can.
Lt row with the Tw: raharetroakrein 10 is sitn by means of L
15 yaä 16 ein graden.- or eust um daa bbo »& L gs, beimpielwietas
Utromterrieht un g 14 ros fixed Znr-
itam eaoh11tet. D. # -3tr o » temrw.L wio h" = messenger
$ bat eil 'C111iü therniiWideret1 @ id1 @ D1 #
sieuten nad provides the verb rauch « 13 with ßmrgis bar. .
ua te rbriaht the Emergixs af tar en dioae depending on
dor dasan ms wiria m g brought warmth, The
tawrvwcriab.
tmg 14 came in A bbängi ness the @ @ esptratnrlrsdi rgru @ rtt
de s. litgaiung the consumption « 15 etrners" and the @ erbranoh #.
, räie @ estead 13] mm for his part; if erhein @ roät, the pstu @ r
sailing around . If the temperature of the Unge'iaa4 au
a rrorlrr1hs offensive word becomes aest #er brwaeb « , 15
1'u 81rr .3'fi. @ 101stt "@ i @ r! 'Tl @ ihhtlfüt« ZumtiM $ w n; tR _ ma- ,
,, where dsd the Tefratur weir Uffl troraia "rt,
md vum die. »Wizutur , the surrounding area Ola ei @ bl .
t om word aaui u rat, host of #artaaar 13 hatttr . »I trqw &» e,
mg att dams riiu kaa. the bun48 --- an £ ice cream
desired value can be achieved.
In Jig.2 dit. @ Arelbe Amx.änung 10 becomes a Vor
circles are used, and the same parts are used with the same m
Hesf »lohen rewarded. In fg. 2, however , there is a
Vorriohtung 14 of solid * Zuetanä by means of a sehösigrax
ele ktrInebe n radiator 18 instead of by the Tetnr
Udgeb = g controlled. Here is the electrical body 18
in eia Sieesatrodkreis 19 gssobsltet who is on one side
is connected to 2 ll on the n 20 and 21, the @t one
Any suitable voltage is supplied with energy
could be. In the row with the üteuerstromkreia 19 pray
an apprentice 229 of the electrical body 18 in
eingegahslteten state Än ergy supplies and eoo A overall
so held the electric heater 18 etr au hon
seeks. So when n the owner 22 is ineeeltierter mg der
electric heater 18 is live, the criminal
steuervrorrlohtuetg 14 of praying state on a vobreetbr
ton value heated, so that the electric consumer 13 wtt
Energy fed was d. When the near age 22 is we $ eaohsltet,
the power supply to the radiator 18 is interrupted , mg t "
Stromteue r rorriohtung 14 w 'tn solid state is aat
predetermined value ohlt and does, the eleke
lerbrauroleer 13 staue. in this way * Im Mm
According to Jig.2, a relay device for fixed Ztntanä
mm meals and meals keep electrical consumption «» 13
according to the Gohal tu position the switch 22e and the
: J, expensiveetraskreis 19 itat von dem lastetromkreis 10 una bbänidß e
and Steueretromkrels 19, an electrical circuit in conjunction
aleioh mm Lastetroukrein 10 low voltage or * lower
Be performance.
The Stromateuervorriohtung from solid state after the establishment
finding can generally be of the type described in deutaohm
Potent ( £ la tent application B 25 592 VIIIo / 21g ) old
iieohani.emuavorrioütung means ie t e md this l orrieh =
tings contain semiconductor zitorialia of solid metal mm
Control the flow of electricity through them in one way or another
in both Ul chtungene and in this wide Jimne are the in
following as "I" bleitermatertalien fron solid state "loading
Drew materials to yeratehene Jieda iiaxerialien can
Tellurium idea: eleaide or julfide of eats every essential
intermetallic compound # b-der
any Netelle or non-metals or / Iialleiter # or
solid Löeun®sn or their Gemlaohe envy Particularly good effec-
results are achieved when tellurium or jelenium
tenrstariulien helming basic materials siM * De ue basic
have nateriuliene selenium geli sulfur and ineboeondezetellure
unusual atomic structures and chemical peculiarities and
It will also be anomalous that connections of these asterials
as well as connections of these lixterislia and with these to
Do I-materials work in the semiconductor materials according to the
Invention of the read or polymer type, which are a kzva-
lente I load eut »eat, eat is take, was this an important
ger lactor is the one that ascends the semiconductor materials
makes it possible to adopt different Zuotanäe. These are
a highly orientated or, in general, amorphous solid
(aiohtiacietalliner) state in which a möglioherweiae verh t-
nism äM small crystals present bind that possibly
are randomly aligned in it (the relatively "8ig small
kri.dtslle are vahrecheiniioh smaller than oß.U, 1 Ju and
Show at Röntgeneaäittrdctäon an i'ulveranordauag) and the
a state of high resistance
head of mza tsnä is, mi a temporary and @ $ overer e
firm tendency cleared out by order, with the nög--
lioherweise, rnrrhaltniaaUig fie äridtalle vorl & äm sIaad ,
(The wehreobeialioh greater than at. Ü, are ju 1 and nftgen-
dittrrtion ein Kristallawsier seigrn) and the one state
low resistance and, in essence, a leader country
iste "and the like. iaburrvaistr eia temporarily melted
State aea K ts v "higher Let me lstmperatur pre-
handeu setz komm> nzl who is also an austmd geriagm
vigsretnwei mdt- in -wo- "n heitersusimd is,
It becomes afnon that the mitwixkeränen Ilaterialie m (metals,
Non-metals, pre-binding ex @ between metals or semiconductors), -
which can form compounds, or ieute Maurgen or mixtures
sohe with Gien aruuduateriulien in the I @ xlbleitermuterialien Fron
solid state after the discovery or overuse of the aitxir.
Any latarlulia or the Gr au " teriulia act in such a way -
or the Nei6unf; huben, der, & rt $ u work, - that they
in the semiconductor materials, and it will
taken, du @ i disue tendency especially to hinder crystallization
then stamped int, denote the percentages of the base material
en and the participating materials ierbd "t..3 emgUß removed
are obscured from the stoahiom stris and eutectic foils
the I a terialien and ban, or run the contributing liatorialien
refresh themselves with strong crystalliaieruagahinderude properties,
like beiagielsreiƒs Germani u mr, arsenic, Ga l 1um od, the like. If
tolglioh, as here, the semiconductor materials are strongly
They teach that they have sational and reasons, - Burn this
sugelas.3en will, in their highly irregular or general
anin amorphous teeteu ßtruktursueta A back.
Below are some specific examples of some of the
üalbleitermateriulien neoh the invention indicated * the reu
satisfactory = Brgebni.ßeen have led, (All Pronentuhlen
refer to parts by weight ).
25 9 @ poor and 75 14 time Gsaiao # 0 e from 90 r; Tellurium md
10 Gormoniu % also with the addition of voam 3 5? süi @ lua;
75 iG Tollur and 25 1G Amen;
7198 % Tonur, 14, ü5 % jeeen, 13906 ß Gallium and Reut
8l.eieu@lüd;
72.6 ; 'd tellurium, 179 2 g @ arsenic and 13p2% gallium;
76.6 x T®llur, 27.4 % Galliu ma r »nid;
85 j # tellurium, 12 y germanium and 3 % rilisiuai
50 N Tauur, 50 Gauls
6792 ; j tellurium, 2593 7 @ G81Iiumrsenid and 7.5 K, n -Ge rs = tuu;
75 : y Tollur and 25 S @ Gilißiuai
75 Tollur and 25 Indiunantiaonidi
55 i @ Tollur and 45 9L Ger m aiumi
45 i @ tellurium and 55 ; @ germanium;
75 A gels and 25 YG arseni.
87 ; t tellurium and 13 y, aluminum;
90 -, # Teilur and 10 % Rluniuiumi
86 > Tellurium, 13 g: aluminum, 1'9 & jeleni
50 5v tellurium, 50; @ hluminiumi
50 IG Aluminiwate l a.uride and 50% xndium telluride i
50% (aluminum telluride and 50% carbon telluride.
The above-mentioned primary materials have negative values
Wideretaadekoeffisienten, and those, the selenium, silicon
and containing dollium arsenide, raised exceptionally high negatives
Therwinche resistance coefficients and are particularly suitable for
suitable for the purposes of the invention. Allah silver telluride hftt
a raised negative thermin-near wiaeretcurdekoeftisienten
and can, just like selenium, zinc and gallienide
instead of the semiconductor materials mentioned. or zueätnliuh
to serve to achieve deu wumaahten wood negative
thexaioohen Widerntandejcoeffislenten can be used.
The formation of the semiconductor laterals of dead Zuotand
ge = B the wind = g the round material and the ultimate
acting illaterial% n in a u u ng lnnierteit Por: dIann örver
to a
Grind powdery Xon rivets
and be thorough. You can never get into one
Dichtverachlosnenon quartz tube am about the : 3chrielzpunkt the
Haterlals with the highest melting point are heated. the
molten materials can be cooled in the tube
and then broken into pieces or worn that
drum on the right shape to image "tng of small bodies or
Grains (so-called pollete ) , or the se-
Sohmolnenen materials can be flavored in vurge e
ßr «K eforreen for the formation of body rows or pellets
been poured. Da® introductory mills of: 'materials
Take place inside in the presence of air or in the presence of air,
yet the former procedure before usaiehen $, venp dan pre-
hnmisn »in considerable amounts of mounds in the finished Xarpers
or Polletz is selected. Instead, cum on at the
Formation of the Xö ffl r or Yellete adult smokers who nibble
powdered materials under pressure of at least 70 kg / = 2
A000 pst) so long to presemp am the powdered materials
fully hae yak t geerorden: and the vvllotüudig
compact M wtordemm tfsrtalim can da = in suitable
Wise warms deaa.
In a pa asked it see f »34t, and armr bereondd»
dam, w «a in im ja der ob = alemea Weam lp formseu
Body or Fellote Areen present int, the body or gassed
Pelleto itself in its confused curl or ullge # MOix1 smorpheu
feut state, xW: i add .: rd high Widerutaneu or ; 3pe -.,> r-
ziunt: rrid be.-'in@jen. In dvrurtigon cases you can go to: @ oluci.'i'tu,
der: itrot @ ateuea-rc) rrichtur4; en v.in feuteu Zuotnrtd ger: ü il der
Lrfincluug, where the arteuei.-ariG, des ele * I: triechen: brvueß
in the lnuov of Ialbleitex ° ateriuliou of feA $ eu Zuat; u1d
takes place, wihx-cnü the formation of the primordial or 12elleta
blue electrodes embedded in diene and / or
can be attached to their holes, and both are prtktiach
dui. # cbgefWirt.
In other fullness, and serve, the honor of the cases
dur, eu spawn has shown that the in the above-described
Wines educated body or Po lleto eich borrowed in their habit
more orderly or crypto-open state, alƒo dou
To @@ tuad gerineeu Wideret and eu or high conductivity: be--
iindan What waburechsiulich choose to dao lcu -ic dependence of W
lL lead materials during the formation of the body tubes
or Pelleta $ urUelaufiüzren entered. It did so in serve Püllen
it is necessary that the body or 'p ellete or parts of the
over their curses in their confusion: juntand Choehregel-
loien Zuetand} or a1! common amorphous ignition
and dien came in different ways, briegielsweiee
using pure Ibxterialiens by Zusata of
Yer = reinigtanaeni @inaob? Üa @ n from üeden in the käme and bar.
or in the ObertUohen or Wi nsfl # cl m ; ataba ».aob dmrah
L = chiu0llv Deurbeitu ng , i.behah len in Smuletra ü gebLine, Schlager
Push, bend, fiitzon or linwirl: ui ab- from Ultrtjucht.t-
iacileilg motul.lurßinelt durtai education pbyeikuliocher
Gitterverformu ng en by @@; xr@ebel.ndeln and 1iboaltrocitani
:. which radiate through ff energy radiation with a, -, i3- or j --O;
chenioch through Line ( hlüsee vun SF @ uerutoff, t = ulpeter- or
fluorwaeusrotofreLiurc, chlorine, Sahwetel, I.ahlexwtt) if, gold,
1: 1ji; el, Liuan or Ihn or by inclusions of ionic
virvindunE; eu, a: ichl iesslicli alkali or.: llutlierdiiotall-
z-ei # Ll.nauz i t; eng eiektri..cu through puluierouderi 1'.troL. # g or through
hombinution dieuer 1iaanalmn. If the whole IC? Lrp.erclw46der
291 solders in any of the zuegegeboneu Weioon in i h ren
Wirranuxttnxd or generally amorphous swept Zuatund over-
free wind, bare electrodes wa x, * eud the ßildun-
the Xt) rnerclun or! = ellete embedded in it, and
the . trctaregeluzg by means of such ßroaatouervorrichtungen
of the feeten state was succeeded in their lolgon. An atxlere
Way of lärieiung the : 1 electricity regulation in the house is needed.,
You bet in the body ohm or ielleta electrodes singebetht.
those who, with Auuncduae der Opitzes, with ialel, .trioober
Insulation provided eiiui, beiepiel®weiue with an oxide deƒ
Electrode materials. Then on the electrodes: Iti %) arttiße
brought to vibration, which the effective half-tester l al
uwioen the un-insulated tips of the electrodes
1ueƒen, e & nen Virrzuatauä or generally tu m rphen solid
Luataud of high resistance or the Sperrzuntatui c @ nineehmitn.
or in tlialn inolierföhiden Zuotmd) betindea s
The mib l eitt @ rxfalten San £ eatan Zuntand take the
Wixrsuslmnd lea @ reefeer ans probably dealalbg because.
the materials at the a uftrin eel1 abgrk.t,
or you can whether » further through one of the above
aahrietavernt "serve Zuntand
enevmnhta @ t.
ßlekiroden can be used in a suitable manner on the overflea or
Films on the pad are afebrruaht, and the renewal
de® Utromes then takes place through the surfaces or films.
if the ünterla &; e a ladder, beiapielewelee Utabl or the like ,
int, the flow is controlled by the surfaces or
Films swirohen den Alekiroden and Unter le4; e, and die
ünterluge itself lukewarm, if requested, form an electrode.
if the document is a Ulohtleiter, for example ßlao or the like ,
int, the atrame control takes place along the surfaces or
nlw exined «» lekiroden. Rine special satisfying
lorriohtutgt the auderordeniliah exactly and in the Heretelluf
loves is repeatable, dueob was attenuated a thin
PilmeD ium Te11utf Aren and Ge r » 1" i t91 Sui a, smooth sub
u "dusa * An ea ton wolfrarurlekisoänen na dem auförsahten
Mushroom generated The MM can be opened by opening on the same side
dieeer nsterisli «sur : j ohaffvm « L Crro gutobt @ uo vrd
solid pilmr can be formed, or the felt ksnn by means of brine
the sutodestolgender locations. «Fellur, A» ser t # aer @ u n fut *
The -3teuexung 'den Stroms nitt®lo der Stromteuemowioht u afn
from Teeteer ßnu: tatü according to the @cfiudt M also came across the
Surfaces or films made of the unleaders.
Particularly good effects are obtained from this craze for hatred.
Mer can aua the surfaces of the bodies or pollots
Iialleitermuterial, the oioh in their suagariohteten crystalline
solid state are in one of the above
heard
bohox are cultivated, since surfaces or pil »are created
aen, which in its general or Wirrsuatand e MRIN a w rphen
featon Zuetund bdzJden. The electrodes are more suitable
Wines on the surface or mushrooms like that
Body or Polleto attached, and there the man * the body
or Pollots nioh in the more geoxd »th or krintallinen _
solid state (low Adersteaadea or gmttand of
in we®ontlioüen voilotünfligen Lsitfühi & eit) and
the superfluous witch or films in the confusion or all-
common amorphous state ochen resistance or state of
in veaeattliohen complete insulation ) are,
the:) tronic control takes place via the electrodes in the
gauptnache through the surfaces or films. Imntatt Mirper-
# 2 hen or pellet form, the seminal conductor termertulia can
of firm condition according to the above description on a ge »
suitable smooth untexnohioht ade coating is applied,
at®pieloweiee by applying in Vskum or the like, no daD
Oberfifiohen or mushrooms the semiconductor materials class the sub.
luge gest: haffes be who are in their uirrauetand or
in general »ima amorpban feeten Zuatanä (high solubility it
Arsenic and Tollers are formed, and in the latter P all who.
which the overburdened Go% wanted to a temperature below
dee sublimation puxktea heated the areene to dew the film
vergluiohmhßlgvn and fasten. The thickness of the:.: Overflowing
or pilme chews without consideration
whether they are suitable #
network treatment of height or 20 11ete on these or
formed by applying to substrates Bind, Imm -, im in the
Order of magnitude of a few l0. up to the thickness of
several 100ateln one. Inches or more.
yie -l'Ilektrode: which is used in the Utrctauerriohtungen of
fixed tension after the invention can be used
actually also any good electrical one
Head # to be recommended for materials with high ; j ohmelsct,
sauce tantali graphite niobium, tungsten and rololybdenum.
Dieao Älektrodeu uind usually verhültnia mM 8LG ihert
compared to the above mentioned semiconductor materials
all.
if the lecterns are not in the body levels or 1.11.t8
be pickled in the above-discussed tables,
In never at obertä, dohan or pilmen of the body rows
or pellet. or the ones brewed on the documents
#bertUeben or mushrooms in a better way than ».
& be e-braoht, examples wines by atchos @ngreataem,
by Anaohmel $ en, soldering or by Aufd am pfen or the like. at
the unfamiliar place. Preferably after attaching
of the electrodes on the devices a 'pannunge # or
ätrometofl to the effect Lebruoht to the electrical contact
between the electrodes and the semiconductor tubes in
Put it in perfect condition and fix it roughly. the
Itrorateuvorriohtungen can, if desired, encapsulated
will.
For purposes of disregard, it was assumed that the
control the itromee in the Verbruuohercc tromkreio 1o im
weaentliohen in a uberlüohe or a 2ilm or a
jo Äioht the Üolbleiterauteriule takes place from a solid state,
although, as above, the: current control nuoh
in the hyaeue these materials take place kanci. Yerichiedene
From. Uefülirungutornen von Utromsteuervorriohtungen from fixed »
States that work in this way are unified in Figs. 3 to 6
durgeatellt.
According to Pig.3, the iitromsteuasvorriahtung 14 of fixed supply.
stood a body or a pad 25 made of electrideh
Have conductive material. Servant body or the base
can either be a metal support or a three- dimensional
muteri « a in eeinet4 georüneteren or kriotallinsn fixed.
utruktursustwad ,, the state of low resistance and im
be of complete conductivity . To the body
or the base 25 is a surface or a
Film or a layer of semiconductor material 26 in solid
State that is in its confused state or generally eaorphea
fixed structural state, i.e. the state of high resistance
and is essentially fully feasible.
On the surface or the pilm or the layer 26 dead in
suitable wines killed an electrode 27 that
trieoh conductively touched, and the line 15 is connected to it.
closed. The line 16 is with the conductive body r or
the pad 25 connected, the BSW. which acts as an electrode,
and lines 15 and 16 connect the surface, as I
11m or the layer 26 of solid semiconductor material
Zuitand in series with the consumer group 10 (fg, 1
and 2) o tier consumer circuit 10 extends from the
Line 15 through the electrode 27, the semiconductor material 26
and the body or pad 25 on line 16, and
the control takes place through the semiconductor material 26.
Lia Strometeuer v orriohtuag 14 fron solid state (Fig, 4) is
Uhnlioh that after Pig, 3 * has a second in addition
Layer or surface or a pilot 28 of the semiconductor conductor
teri.ale of solid state, the bsw. he also see
in its confused state or generally amorphous solid structure.
Dew state, also in a state of high resistance and
essentially
lsolier = ühi,) CSit is located.
There is also an electrode 29 in a suitable manner
at the illäohs, the Yilm or the Soi ioht suo semiconductor
material 28 attached in a solid state, and on the sheet metal
de 29 the line 16 is connected, because alav dis
3tromatsues v orriohtuus 14 of solid ingredients according to Pig. 4 in
the consumer circuit 10 (p4.1 and 2) switched on
Will, are the layers, puffs or films 26 and 28 of the
Semiconductor terial clay solid state in des V'arbrauaher-
circuit switched in ksibe, and this extends calibrated
from the line 15 through the electrode 279 the lead conductor
material 26, the body or the pad4; dun semiconductor
muteriul 28 w nd the electrode 29 to the line 16.
: Via arrangement of the Utrometsteuernorriahtung 14 of fixed supply
stood after Pig. s is similar to that according to yig. 3 and 4 0
but here there is only one hege or surface or one
purple 26 of the semiconductor valley of f eatem Zuataaod Tor seen,
and both Älexttoden 2? and 29 are at ikr dieuem bsw. di eser
afbs «ht. The consumer electricity circuit flows from the
Line 15 through the M "trodo 2", the semiconductor esterial 269
the body or the U * original 25, the semiconductor rate "26
and the hlex tw " a9 M of the srsitm 16.0 as according to JUS-5
so here 'suari Se hLah l n or or surfaces -ä «
rleitsr m ls ha Rsiw mit t dm '! frärsu w l « stro a Cr! rfs 10
gessolualten. ha in the devices according to FIGS. 4 and 5 two
in liet h e held layers or pilrma or surfaces
doir semiconductor materials 26, 28 are used, is the
The measured locking resistance of these devices is greater than that .
the device according to fig. 3, in which only a single head
or a film or surface 26 of the l1albln teru a terials
is used.
According to 81g.6, a pad 30 is electrically insulated
according to I-iaterial, Lebeispielaweise ülan or the like. used, and
at a short distance two electrodes 31 and 32 are suitable
Neatly attached to the surface near this pad.
The kichioht or the film 26 made of lialblei termnterial in its
confused or generally amorphous test structural state
read on the pad 30 via the electrodes 31 and 32
brings. The lines 15 and 16 are connected to the sheet electrodes 31
and 32 connected, and the
eretreokt eich
from the line 15 through the sheet metal electrode 31, along the lialb-
conductor termlteriaU 26 and through electrode 32 on lead 16.
On these wines int dun semiconductor material 26 of solid
stood in series between the älätröden 31 and 32 in the
brauoheretromkreis 10 switched.
As already stated above, it is assumed that the Ii a b-
and
lsi ternateriulien 26r 28 from fest « Zeurtaad stob noraa @ err-
events in a in '..19e d 4 sorl e ntiesten Zur1 & t
(W irreuatand ) or ullt; amein amorphous solid ( niohtkrietulli-
nen) ; j truktursaetund are located, but possibly related
must have small 1. triangles, which are irregular
are aligned in it and in dius @ :: m indicate atrukturzuatand
form a high resistance and in the weuentlioluen a non-
head of duratellen. By suitable choice of I.kstei, i.xlien,
nen the high tiäeretande values of the semiconductors, teriul% n fron
feutem Zuat @ incl and you can respond to words
am brought to several 1, ülAonen eagle owls if this
erwkneolit iat. when used in normal consumer troughs #
circles have the conductor muteri-lines of fat condition
Tuners like to strive in their structure to 3t and high resistance
utandeu or the ability to insulate, or in them
return. In this hoohdenorientiertexi fixed structure #
turzustund, which at the usual usage temperatures be #
is allowed to have a large number of Drociuel centers or
-best; inden or -conditional gene which the Utromtr4er
thus hinder the already mentioned high resistance
or the lohe laolierfühiglosit bew. the Uperrzu®t touch d.
If the Utromregelvoriohtungen from feetoi state to a
Pleasure or pre-brewing circuit can be set up in a row,
to whom a veründerliohetlleiohsiwannurvp is applied, so
never got lost in the Upannuaga-3tron curves of the
hig.7 vurannohauliohten way. At the 3pansiung 0 is located
located dau iÄ a lbleiternaterial be fixed Zuetund mad in
Zuatunä high resistance, i.e. in Sparrsuotsnä: If d% .
unoccupied bpannuag is increased, the semiconductive material becomes
heated and purely resisted and nirxated gradually, like this
inclined at 35 in hig.7 iet. In the liaible leader material there
e® probably preferred points between the electrodes,
which are of a lesser conscience than the lteat des
llulbleitermateriala, and in these places more dtron
Eum come flowing, which has the consequence that an increased ir.-
occurs at these points. If the to the iial.
msterially applied aparuiung vert B ( the threshold or
" Together" 9-ert of the Spamzung) achieved, at least
Share the lead conductor acitƒriula $ like the electrodes (PUen,
Mage or paths as well as the electrodes) on a critisol »
Temperature increased, at the aie in the weeentliahen outside
assume a changed state , the state of low resistance
status and the essentially complete head. Lie will
Bngenom: zen, which this iiuntund, as expressed above auagad, a
more orderly and / or a geaohmol-
aener state is. Probably the ii tro®trtgerhe are there -
zen intrinsic or conditions or conditional in these at least
existing parts of the liulbleiternw terials in these states
largely reduced at Zai11 , so that the Gtromtrllger avalanche
kindly released and the Zuetund low resistance
or substantially full conductivity is created.
mea in weaeutliabx . augexxblddiohr,
old these - minor-
ste » Existing T ülb d» hal'blsitermaterfials from Ihrwr @
State of high resistance or of essentially madness.
dLgm Ieolierli higMit Yes their state of low merataades
or the one in essential roll-up JA d, tf U higkett is 4 m-
Where. The interrupted number 36 in Big # 7 threateningly indicates. .
Mee tension across the gorriohtuu & in their state
low resistance or essentially complete
i "tlühigiu e it remains essentially constant at the value #H,
even if the Stroms nte up to 37 in Big. ? is shown in
wide ßrensea etemen and can fall. In this context
harg wind anger @; e that the leading. Shops or strands
snisahin den niedm an Quexsohnitt in the measure sur # and
from "brsrt" in d "the current strength rises or falls, so that8
this aew aohatt mg . The state in waoentlirol @ n koostsnter
Spanaumg T @ get md chilled »xd«. Vein through the strot
these aindeateaus to @ e @ rdenea tadle dm semiconductor materials,
v « tests? asa * sM ant a ksdalsa h « word 1S a w "" e
te hatme outside $ t1 1i br Tochadeü md` iu-.
fe @ edes @ rs a @ teio @ orlt x @ rsdea @@ Ws dir
In him * Z "" xärig taderstsndos or in , vomtt-
@ `leti @ Vifer ,, so that ü
anaeohl i wbib sa @ fiatrüldp Or in
1 @ tr @ oür irr alia @ a @ c arrosrpS @ rrrse.
hehm toter: m t fur @ st laas @ a #
ability to return., iIit other who tea, die- etromletten.-
the threads or ranks between the cables are under
broahsn when the uur state occurs. This in essence
Eye-catching raw hold on the. State of high resistance a
or in the less fully laoiable "it does through
,,, F
the return gate 38 in Fig. T verunaohaulioht. The acceptance
the current'm herbei- below the critical value% luuui
be guided by attaching to the electrodes of the device
applied ipamiung reduced to a relationship under Y11 in 71t; .7
will. These mentioned at least existing parts of the 1ia1b-
leitemateriula can wi Is essentially a%, rnbliolGlioh
in their structure to A and low resistance or in essential
lent complete solvency surüoktihrtihrt to whom
again heated by the applied: 3pamsung gentagend
will. The Upamiunga-Stromtärke-Ghsrakteriatik of the feg. T
is not measurable, special, only serves the Vvr sa -
eoäauliohung, because the relationship between the insulating or
resisted to the resistance in the conductive state brat
& ewöhali oh more than 104.u00. In state of nfesirigon cons
stood or in a Leittigon state the 'resistance can be a
Oha or even less betaragea, and the Haltemtras me those
Yvrrtahtung can therefore be essentially V,
Xe, Snu ngs ..3tro u.Charak terf.eder Stwmi to uelr'i ": t'tsi
Wen solid Zuetwed: ges is the egg # n aimrg ald & cl n
aligeseimen worth the W @ taad, Yerbra ueM »
@ .;
You search regardless of whether the IV-
Kushre the Pig.T equal or Weobsolotron is wounded. the
Manner in which the strobe control device of fixed feed
was after the discovery in a Laet- or Verbrauoherstr @@ a -
Kreie works, which operates with Weohaelepalz (FIg.l and 2)
ben idt, lat by the Upannuage current intensity curves of the high. 8
to 1u vflrunoohaulioht. When the itro «t: Health regulation regulation 14
of solid state are in their state of high resistance
or iperrauetand, and if the applied alternating voltage
The value is less than the threshold or "Zuoü = enbruoh" value
the tension of the device, the device remains in its
rem condition high Widerat, Azdee or : J perrauatand, as at 39
shown in Fig.B ,
However, the applied voltage is at least the same
the threshold value of the voltage of the device 14 switches
the Vorriolitun4; in a few instant in their condition
low% iiderutanden or conductivity around, as with 40
in Pig. 9 a% e; eutet. klie eraichtlioh, are the curves 40 opposite
above the center line in Pig. 9 slightly edged laterally,
and this verqnechaulicht the slight controversy: .nd of the above. 1 Oba
or less, which the device 14 in its Zuatund low-
in terms of resistance or conductivity. You see, too
from Figure 9 at 41, the device its Zuutund high
Resist ..ndee or Si @ erstend 'during each half-period
the week rla panning inta r and assumes v # «o lreehseh.
apaMtR4 mich d11 äullwert rt, 1 "1n der 8t rtu
while everyone .öplriba umterbro ehe n vt " . larohlisßemd va
, every noertntwrt tntesbnohund the att @ o @ rdurel @ papa @ ihser @ t
one) r 111n N erioda äat0l4e den atsipai @ as taa #.
dear you Spwaamw der aaplegaaa lspwn 4t e » ni».
deataw tro @ wrla @ rrr den B a lbleit erm ta t ala das v1meielr #
t> r g u heated up again, se eels are getting old,
is w «« tliahm MW- @ lio @ dieh were everyone i ~ 1lperi #
Ode to lettet again.
Whom the itroaatitrhtrridAohtum 9 in toaiwa zat a " after the,
prtsodut mm
in its state low « wid e nrtaaAea oler dei
Leitt @ thi @ Oa il t is mm the created @eahsalaaman priader
riri as the fixed 8ahwllenarrt the djam uffl des l «rtah.
* mg ( the In toipnten aha eilrar eelrr @ elhamw @ rt dar ip
denotes wes), wate «e iarrtesa itti erartdan fait, tta
in your the ri @ tptraletea of the X eehesIe trlapa @ sle, at
they see the #erM "t xffl in their« i «taM high Yn @ taa.
dem Od « 4 p: @ MM rwataad b ett rtet,> i at 41 in? M.lo psaUt,
VerliAprt, eo you wlrstwat 'er an ovarian way
itleit> raawtaa @ t paeäftton wi ". DM" _IM mm disar
bpsaa> W wutit am Oberft ilwwt ~
dar $ pammm 4r 0tr rtawawsrishtM 14 lusm ass sth
drw vorhtum t @ der $ pr rrdavor md der boilsahig »itäsu«
would be " Jodur half-period of wooheoleps unä eosit the
durehschmittuahe a t- - suf @ ur mm veri m uobaratsonkreie oinm-
atolls before. from 401904h the voohrolop »wimi nrt
oimmn from orlmat word date cis der upper eehwol #
value of the aps, wi A de sp «wäsnor During each 'Mlh-
poriodo so i «; md the wido »tr m d oo booh, you the aogologto
Woohoel. A draws, nauand a "r4te" testifies to the contradiction
* tu " m @Dorfd mg dl» ge nma tem aUM eato » available
? hurry the Ulfloitol »toZ'i & a geM heat m" 0 again
incompetent m maäos. mooor 5 M toi the Vorriohr
tuad 1d imxe »hall of ifoolbolotromerioio not Wedo: conducting
becomes, Viril in tolpsr aio naloror äohwiloa m rt of the dyaanwod
the rorrtohi »4 iezoihmt. The atrmsodslyrorriohtum 14
lost in front «state xmmt umm umd videra
or 8p $ rzsnslrnd 022e rio diar dnreb dir $ p Um w ffl ""
länrro dar LidA w- lio ä t becomes. From the d ffl lmoMiob-
* mg wen tuet « sloht,., 2" tend aniot,) tann am
nioät vdeier lei1oM wsdme b "die a apiol o woohsolopaamw
& iaiosio »au 4ffl e .de der oloeo llemro = t der ep.or-
mffl the Vorvto9 daoit the ßpmu @ am @ rdtso @ r @ e @
rieh tid. !
lram @. -
s) - "M OMA e du d" dl @ s @ rrmldaosoo1 #
wo @ n @ rimrhlorld: @ '@ uteh m: iao tu umm an-
BUM got vldoxsturi » of dostani he £ LmM, dU" o
essentially low in their condition
Resistance or ability to exercise can be demonstrated
the created 1 @ eohaeispanaung niM the same is the same
the upper envelope of the tension of the pre-tension
essentially instantaneous in the state . high resistance
otwedes or Spe <rrsustawei is transferable, in which the argan #
te Veohselspanaung did at least less than the one below
Sonrelleawrt the tension of the lorriohtm4, and that at
Attachment of a weehrel tension above "b of the lower sole" -
w gte s der 13 p « aung der Vorriohtwage errend see in
their state afeds.gen resistance or high reliability
is that Vorriohtuag a n d the abgenaradelten RECOGNIZED
Straaleittähi glmit autweiate der w «the value of the invested
Weehrelspunnuxeg in Vergteioh to the lower threshold of the
Disconnection of the device ~.
»He upper and lower threshold value of the voltage of the
8tsonreglrlvorriohtung soss; test the state of the
Reve nd des Mab leite m ater t slo der lorrivht »4 in
Deemen state picked up Wüersteeard @ es or ßperrsnet a nd, and
AWR elud the ski ellemertar mmnieds 4 ese each of IAher
Uderstend is. As above sm los truak geb: aoht "they have
geelöleiteranterialibn vm test Z tstsni with these Vorieh w
leupa when
imt thesmisehat W ide ȟueds w #
lauitiester9 um iatspseei -m i XMe * see the ob.w
and the lower awwrt of the Spssurmg der ßgelvorri eb -
tuo g with the tue deraelöea in the dun ob die laswea 42
and 43 in fg.ll waraaso "uliobten wise, tn-den adslieh
The upper and lower parts of the tension swell as the tension increases
Temperature from = da @ sgellts @ l.
To the oba maybe an @ peno, dai the ats @ oa @ rule
riobtua g 14 from test Znet "the swfpesmt" the tbgpiM s @ ns-
genetst VIA ( fg.l ) mm you en esrunsebt is, d "the vo #
rioht 8g lbnlctiOB in de. weeheelstro @ n @ '
o @ rerlcreis 10 with a tblce b «dp » tus of «05e 0
(19e!) Should ausuöen. ] Be a poor 1'mp o » ture of 350 0 (" 0 !)
kean the provision 14 eta «8posrriäeugin woseatileiuion
from 1, 0S M , @ '. " ei« a upper @ e @ relies on the span 4 of
103 # for a untesmmt @ ehwale @ ast the apawvmd v «a.00 Y
have, uM hei 380.0 (100e?) bsm them
aporrridrrrstsaä
Boa La essentliehen 1, 0 x r , Blues obe: ug »hvelleugest 4«
spamum4 m «100 # ma eia» uatereae "äwell« »xt dem
Spsnxvm vm 9S #. With diesoepbeaes be rough
angn, you d "sn den lsts rer @ au @ s @ 10
imposed spr100 v
u um is, aria duxrb dlre
metesbroob @ eere äm @ e 44 is? i (.11 eagsaeutet is, mg ds1
iea wa
the mterba @ aroheaen UM = 45 v " 44
Je basr. ise 0 (100 bsv. p) «tspsee heß .
if the li traaste «rvorrioht m 24 rea, test Zugand Sieb
in their condition offered high resistance or blocked property.
det and the temperature lower Let than 38 ° a (100o g), be ..
carries the locking resistance .. nd the device 14 more than l @ OM J ^ ' ,
and the upper Sahrslleavert of the voltage is above the
put AC voltage of 100 1. and the device remains
in their high resistance or blocking state. if
the temperature rising to about 380 0 (1D0 ° F) * to the nimnt
Blocking resistance of the device 14 down to 1.Ö ll , and
the upper ßohselleawert the Bpasnw @ g sinks to 100 V, so
to the value of the guided alternating voltage of 100 V. If
this occurs. will. the direction of the gate 14 is essentially eye-
hliokUoh ow! their state of low resistance or the
Conductivity switched wend supplies the electrical
Verbrawobr 13 in the Weoheelstronnsrbrauohoriarein 10. The
Device 14 remains conductive and keeps the electrical
trisohsn consumer 13 under power until the Torperatur on
350 C (950!) Drops. When this happens, the blocking
resistance of the device 14 to 1.05 x-: increased, and the
Lower Bohwellenwert the voltage of the VorriohtuW 14 increases
to 100 r according to the applied Weohnelspaanun`g of
equal value. and consequently the Vorriohtu M 14 switches
essentially instantaneously to their state of high resistance
etaadee or barrier wall in and interrupts the Bnr n ieani-
fubr to des Il erb; approximately 13 in des laetstronkrris 10. Through
appropriate welfare of the üalbleitermatarialien sur sohalIWng der
gwüoeohten blocking values, the wUasohtea jlnepreoh ..
Difference to 2wpersturbediagw @ gen and the desired upper
and lower threshold value of the voltage in relation to dis
essentially constant applied alternating voltage and bsir,
or by a suitable choice the value of the created bills of exchange.
The device 14 can do essentially any solution
used temperature value has been made functional.
The tive thermal resistance works on these wines.
Coettstent the semiconductor material of the device 14 in the
Eohsel- club with the applied in wesentlioben constant W
epannu @ susaasea, around the verbssuoher 13 in the Lsstetrookreis
10 eatap »without the temperature of the device with power
to spit - or to interrupt the supply if further
the device 14 in its low resistance state
or the conductive state of the upper and lower
Bo @ twllemwert the voltage never causes a
Abwnd11 the Strodurobganges into the load circuit
Spreohso4 the temperature of the device.
If the flow control device 14 of the test state by means of
* inne Haiskfrpera 18 ( ? 1g92 ) instead of by the temperature of the
U W6 ebu9 (tg.l) is heated, the device 14 is before mAge -
in the case of prevailing .., generally only at low temperatures, high temperatures
ratures operated, ao dao they should be heated and cooled down
can be and so that the upper and the lower Sohwelle word
the spamming of the device in pray to the i® essentials
constant inserted wheel separation can be changed quickly
can and soxait one achaell acting and emptindliobs current-
Tax provision is created from solid state .
As expressed above »the Utram control device can
The test state according to the invention is also available .
from there to the effect L, Druokbedinfuagsn operated
and the way in which the current control
are operated in such a way from a solid state is in
P1 & .12 # 13 and 14 illustrated. Have in that regard
the semiconductor materials mentioned have an essentially ne-
negative pressure -Wideratande-8oetiicient, ie the resistance
takes at sune. uaondeat pressure off. It's annunetuwn, she sat
Reduction of the resistance as a result of an increase in the
Printing occurs as a result of compaction of the material
and furthermore the applied pressure in the material
lien chewing girdles generate k @ jn, which have a more orderly or critical
favor a stable condition.
The device 14 can directly measure the pressure of the environment
exposed to the device, so never eat anything else
this pressure responds (81g.12) or it can meotmnataeh
be put under pressure (81g.13). In the latter pull laeon -
for example the power control device of solid state
entapreohen the device shown in Fig. 3, and the fiter.
days 25 of the device can be from an electric heater
48 in a housing 49 8r be carried n, and it can be a
flexible cameras 50 can be seen, wiping the
housing 49 and a cover 52 is attached and with a «
Piston 51 made of electrically niohtleitenäea material
tet did that attacks the glocrode 27 of the device.
Dingi always 34 inside the cover 32 above the membrane
ne 50 can use bad line 53 to a Steusrdruokgnelle »-
be closed so that the device Lt of the meohanisoben
"N exposed to the pressure generated in the chamber 54
and their resistance is inversely proportional to the pressure
can be changed.
The effective wines of Strametewstorriohtung 14 in Aäbängl * eit
the pressure. is essentially the same as the wiriu »4 s-
wise depending on the temperature or tone of heat
according to the description in connection with »U.1 to 11, and
a more detailed description should not be ordered.
For the purposes of veranaobawliohung, however, be im-a enaasren, you
the electricity control provision to the fixed state of a üegebuop-
druok (n .12) or the pressure in the chamber 54 (7! 'i .13) Removing
is set, and that the device controls its current u mktios
in the @ eohseletrornerörauo @ yerhrsis 10 with a «print from
oa. 3.5 kWw12 (50 Pst) & should exercise. At a Druoh vm
3.16 kg / om2 ( 45 pst ) in the device 14 a Spesswidea m -
stood in a ten-borrowed tone 1.05 X,, an upper Behwellm-
worth of uparulun t ; of 105 V and Amen lower threshold
the voltage of 100 Y, and at 395 k & / 0 & 2 ( 5u Poi )
k "to you one: 3 block against and in the weauntliolten of 1.0 M. ,
and an upper voltage Goh value of 100 Y as well
have a lower voltage wave value of 95 V.
With these given sizes it is assumed that the
Weolmelatromnrerbrauoherkreis lt? applied voltage a
Weohnelepaanung of 1; 70 Y int, as indicated by the interrupted
without line, 4 is illustrated (Fig.14), and that the
undermine lines 45 or 46 to print 395 or
.3.16 kg / ov2 (50 b $ w.6pei) en . epreohen.
When the Stroiaregol device 14 ton solid state
their state of high resistance or blocked state
and the pressure is less than 3.5 kg / om2 (5U pei) *
if the blocking resistance and the device 14 is above l # UM , .s
and the upper threshold voltage is above that
unoccupied line lapa mation of 100 V, and the device 14
thus remains in their state of high acceptance or
"perrzuetund. When the pressure drops to 3.5 kg / om2 (50 pei),
the blocking resistance of the device 14 decreases and reaches
1.0 M., And the upper sole size of the shirt sinks
to 100 Y corresponding to the applied Weoiiesle tension of
gleioheat value. When this occurs, device 14 wM
essentially ocular ocular ooclioli on itwen state minor
Widerütundee or conductive state umgeactialtet, ao that
the electrical consumer 13 in Weohaeletromlaetkreis 10
is placed under itrom. The device 14 remains conductive
and maintains the supply of energy to consumer 13,
until the pressure drops to 3.16 kg / om2 (45 pei). If this
occurs, the SperrAderutand of the device 14 rises
1y05 t1, and the lower threshold value of the voltage of the
Device 14 rises t.:uf Y en, epreohend the applied
Heehaelapension of the same value, t: nct. as a result switches
the device 14 in the weaentliohen instantly on their
,, uatund high Wideratunded or locked state around and power
the Verbruuaher 13 in the La ntatromkrein 10 currentless. By
suitable choice of the Ilulleitermuterialien for the original targeting of the
desired blocking resistance values, the desired Bmpfind-
possibility of the device on pressure and deduction
trtin aot: th upper and lower Johwelle value of the voltage
with regard to the Weohdel-
epension and b $ w. or by the choice of the egg tea
applied Weohenle voltage, the device 14 can
able to function at any desired pressure value
woke up.
In this way the negative Druok-Widerutanda-
Coefficient of the semiconductor material of the device 14
iss association with the Weoh-
eelapension an an and.: buchalten des consumer 13 in deal
Load circuit 1u according to the
acting prints Wülirend also the device 14 calibrated above
half of the lower normal values of the voltage in their state
low resistance or the ability to work,
also acts a hbwandlunk ;; the passage of current through
the L xatetromkreie according to the acting on them
Pressure.
As mentioned above, the 3current control devices
von fƒuten., ustund according to the finding also according to the
conditions affecting them are operated
the, and the manner in which the 3flow control device
of solid state works in this way, is in Fig.l5 and lfi
illustrated. In this regard, the above are
ii,:. l building materials in wouentliolien wL: eserunlönlioh and weeping
die Ligeneo.-iaft of a negative 1'euohtigkeite-Wideratundeko-
efficient on, and if desired, this
.: igeruaoliaft to increase, can in weeientlohen on Psuohtl eit
to speaking WiderutundurmterL: .lien additionally or as & rcn: ts
be added. Derz,; resistance sensitive to feuulicity
at u nüemsteriulien should also in the weuentliohen wueser-Jm-
löelioh or only slightly wasuerlöulioh and yorsise
a solubility of less than 15 parts per 100 parts cold
Wosuer, or, even better, a Lönliohked. t by we: dger slo
Raise V parts per 100 parts of cold water. Among such
Materials and, for example, lithium compounds, such as
Zithium carbonate, Llthiumhydroxyd, Lithiumortöeilikut, Lithium-
aulfcit, I.itl-: iuu-e: .cetat, Lithiummetasilil-, at, lithiummetaborat,
"itiiiumf? uorid,; .ithiunoxyd, 1, ithiunoriüphosphat and mixtures
any two or more of the same that have a large negative
i.iven humidity-Wideratande coefficients.
Although the physico-chemical mechanism for the
negative moisture: ei ta- @: i ( tere tands -characteria ti3: in the
to L nnten semi-detectors and additional or : ustrausch-
: materials responsible, not fully clarified
is, F @ z:; euo @ zaeri, that the iu wenentlieLon wuseerunlös--
common materials at their interfaces and in their vicinity
absorb moisture through J! beorptinnevorging e
the physical binding of waaer molecules by van-der-
daal-eche Kr., ifte alone is limited, as distinguished from
cheu @ iuchen ... '. absorption effects, which in significant
Measures riotous substances occur. Fe becomes further
assumed that the relatively low order of magnitude
these binding forces allow the environment to work for
the evaporation of the water required heat when reducing
to change the moisture content of the environment,
c) without affecting the actual environmental conditions
will. The lead materials and those contained therein
Additional or replacement materials take away from the environment
Moisture on bsw. give embarrassment to them and
influeaen: dutch the 3trometeueinrichtung in fe®ten supply
stood according to the 2 moisture content of the environment and
change their electrical resistance @: tnd inversely proportional
on the fire content.
The effect of the flow control device 14 accordingly
the humidity is essentially the same as that
temperature- or heat-dependent 5-, e mode of action according to the above
echreibunl; im Ziu e awaaenlwng with Fig. 1 to 11, and a detailed
lierte beaohreibung. should be superfluous. For the purposes of
Yerzneoliauliohung, however, it is assumed that the flow control
Provision of solid state of the one shown in Fig.G.
corresponds, in which the semiconductor material 26 in the solid state
between the sheet electrodes 31 and 32 in the row in the Luatiätrom-
kreia 1u switched on and the moisture in the area
of the device 14 is used in such a way that this: Zeuehtig-
Is sensitive to the touch and responds to the ability to exercise.
be furthermore anßenom: ien, the device 1d has its Stromator-
functions in the Weoheeletromlaetkreig 10, as in Jig.15
unaohaulioht, if the environment is humid or
a relative humidity of the same of approx. 50 "," ,, ' .
Hei ®gohalt a moisture of 45 54, the device 14
a bperrwiderstund top of the weaentliohen 1.05 14 _ "a
5 Ohm value of the voltage of 105 Y and a lower 1-
value of the tension of loü Y, and at a Peuahtig-
kei tet; ehLt from 5U it can be a Uperr-widera Lund sound in
essentially 1.0 H, an upper threshold value of the voltage
of 10U Y and a lower threshold value of the voltage of
95 Y have. With the given sizes be e n genomaen, ds, ß
C ,,,, n the Weohaelstromlaetkreis 10 applied voltage
Interchangeability of 100 Y is, ( i: dark brown line 44 in
Pig. 16) and that the broken lines 45 and 46 Beuoh-
salary of 50 b $ w. from 45 9 @ entepreohen ,
when the power control device is in a tentative state
their state is in high resistance or blocked condition,
if the moisture content is less than 50 # 'b, the blocking
resistance of the device 14 is more than 190M
and the upper value of the voltage lies above the
applied alternating tension of 100 Y, and the device 14
remains in its state of high resistance «or 8 blocking
su®tand. When the humidity brought the environment to 50 14
increases, the blocking resistance of device 14 decreases
1, o M ,,, and the upper Joh wave value of the voltage drops
100 V, entepareoi »nd the applied Weohseleptuuiuaa before the same
good value. when this occurs, the priority is set to 14 in
essential immediately to their state of low resistance
or high conductivity, hold and set the
Verbreuoher 13 In Veoheelstroalaetksyte 10 under St r or.
yie 'g orriohtmg 14 remains conductive cri Ullt den ferbrsuobez 13
J;
under atsror1U-t @ 1er Pruah Uß » its salary to 45 f si" t.
when dioa occurs, the blocking resistance of the device increases
14 to 1.05 r, and the lower threshold value of the voltage of the
Device 14 decreases to 100 V according to the applied
Exchange of the same value, and in = olgedeeeen schools
the device 14 in the vesontlichen instantly on their
: @uatund high Wideratandea or Sperrzuutand around and under-
breaks the isnergy supply * to consumer 13 in the L uotetroe-
Kreie 10. By suitable choice of semiconductor materials for
Secession of the desired repudiation and &; values that
wished L®pfiniliohke 1t on moisture conditions and
the desired upper or lower k'i chwullenertes of the Gpm-
Only compared to the essentially unplaced ones
weehaelspannuag and bw. or by appropriate choice of values
of the occupied voltage voltage, the device 14 can in
essential for every balanced fireness value.
capable of maritime law.
On diene 'wines cause the negative . moisture-widerateaäe-
The electrical conductor material of the device 14 in
Association with the Weoheel-
tension dun turning on and off the waste re 13 in the
Haetetronkreie 10, corresponding to the one on the device
ririOndea peuc; activity. . _
while the Vorriahtueg 14 eich in their Zurtspd mA @drt .
widese or higher medium capacity it lotiadet, 1 »1M never
also an i-bi-ha: dlune des @ itro @ nduroi: .. rcr in the LH.atetron! -
circles according to the rules, the influx of Peuoh-
ti.; I; .c: it.
3 = ie already above: i to l: iiodrae_ ;. Zebrt: cl.t, = .ttric: (lie itrometeuer-
device of feotea:.; initundc:., 13 d: ir id'rfi: idii, ig furthermore
in accordance with the ai.if a
operated, and the JLrt @_Ind @: oiue, in the ilio Strosm-
control device from feutom üu3tana the trt 1) t: i, is rubbed ,
is r) .u: j Fi-.l? and 1 £ j ersiorit, loh. in dse: u, 11.e have the
eermrinten:, ialbleiterl - kzterialien nega =;: ive 1,: ic ': t - .: i.deratande-
Ioeffiaienten, and those that; fell and corresponds i31e.ieulfid
li-.ltenrItet # en beoondern good negative L1e!, t - @ 'i @ ie @ c tande-Koefli-
cients and are for (: r the: the purpose, rspecial in that
Infrared r-.ri; if: nzenden Pereich de: 3 ... iclitaiiektrwin, beeondera
suitable. .: ilhertellurid,) 3leiselenid, K >> cimiur4isulfid, zinc-
eelenid and Ksdmiumeeleni # ia ben Ebenfelke high negative Lioht-
resistance coefficient, and serve oiri.e gels and lead
sulfide can r: uuteiu,; eliweisc or zuuiii.tr- lie '". to the named
ten I. semiconductor. ! i <<. terialion uses wreeu, u: # a high one
nesrutivert .i.ic @@ t-widertc-nd:; - Xoefficienteii z @ i eraielen.
The '=: irkunwoweiuo the i tro: xe: teuervo # advised: .tung 14 in dependence
speed of; , ici.t eats essentially the same as the we-
kungeweiee in deprivation of Tvmp @@ r @ tur odor warmth loud
above overhaul in Zueamenbang with Pii; .l am 11, and
an eiu #; ei.ursJ.u _j, # 3bc: .friction should arise. he # ;. rest. even
here kaau zu: iwee ':: en der Vei-a, nsrehauliel:; ug die Utroratej4er-
vorra.ciitunb 14 of fe $ tum state u13 ülusiicli of the in Yig. 6
üurbiateiltuzi Vi.irrichtung "be cigenvmnen at the daa
:: a, lbleite @ # fu: tic, # riul 26 of solid state between the i # lek-
Lrodei: 31 and 32 in r =: eü: e: in the iautatrumicroin lt) l; eacl.ultet
iat, and the device is the idiolite in the: J c4; exercise the
Uuzgeuetzt device 14, so d #i never ß uu% dieuun sensitive
read and wnupricht. ii-uc .: here Sei urr; auoza @ .en, d: u> J the prefix
ricütun @; l @ - your:,; tvuer function in the i @ c Aiaulutromlugt-
kreia lu (21,1,17) Lai a Liehtintenaität of oa, 1.w
per cm2 ouuübun should. With a light intensity of
0995 i.erZen yes, the device 14 can perform a blocking
stood from in the domestic 1.05 H,. , an upper threshold
worth the apciiiriung of 105 V and a lower Saliwullen-
value of the voltage of 100 Y, and it can be at 1.00 Ker-
zen per 0m2 a blocking resistance of in the weekliohen 190 X _p
t ,
one upper Jaliwe llenvert of the voltage of 100 V and one
unt older Gei: wave worth Sparuiung of 95 V feast. With
serve gebebanen sizes, it is assumed that the s
wechuelu trowlaatkreie 1J created SpaiL_ung a Weeiuael-
epunaung of ljJ Y iat ( interrupted anie 44 in. Fig.lB)
and dali the broken lines 45 and 46 the values of
1, GU or 0.95 candles per osr2.
when the ; i power control device 14 is calibrated from a solid state
is in its high resistance or operational state
and the Lioctinteneität is less than 1.00 candles; per cm`,
the Uporrwideretand of the device is above 1.00 and the lower aohwellon value of the voltage is above the bert
of the created Weohaals pa nnung fron 100 Y. The device
then remains in its high resistance or blocking state
was standing. if the light intensity is over 1900 courses per om2
increases, if you oppose the device 14 to 1.0 M ,
and the upper envelope value of the voltage decreases atrt 100 Y
corresponding to the same value as the applied Woalzo voltage.
when diou occurs, preference 14 La wo -.entlioi.en
instantly on their state of low resistances or
Conducting t = U high ability switched and vomit the consumer 13
in the @ cere @ ekr @ eie 10 with anergy. The Vorr ichtiM 14 remains
conductive and keeps consumer 13 energized until the iioht-
inteneitüt drops to 0995 r, .erzen per «2. When you enter
the sperx resistance of device 14 rises to 1905 m . '. ,
and the lower threshold value of the voltage on the device 14
increases to 100 corresponding to the Y value of the angel fron 100 Y W; th
weoheelspanaung, and as a result the device 14 switches
essentially autronblioklioh on their condition wood
hours or Sperrzuat-: nd and inks the consumer 13 in
the Lasta iromkreio 10 de-energized. By suitable choice of the half
leixeriai.-materials for serving beer
the unfamiliar Brptindliohitit on the beleuohtunasbe-
dinguogenic and the familiar upper BMW. lower threshold
the voltage compared to that in the, substantially constant
applied vehicle tensioning and construction. or by a suitable choice
the value of the applied change can be made by the device
14 essentially at every unaccustomed value of the light intensity
ity must be made functional .
In this way, the anxious Lfaht-Wäesstends-Koettenzen-
of the semiconductor material of the device 14 in conjunction with the in
essential constant applied Weohjelapanuung the arrival and
Shutdown of the consumer 13 in the Laa tet romkre ia l0
speaking of the pulls acting on the device.
The description has dealt with some embodiments
the invention. Further embodiments are without deviating
Chen of inventive ideas possible.