DE1487396C

DE1487396C - Voltage regulator circuit

Info

Publication number: DE1487396C
Authority: DE
Inventors: Leopold Albert Somerville NJ Harwood (V St A )
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Publication date: 1971-04-01

Description

Die Erfindung betrifft eine Spannungsteilerschallung mit zwei an eine Spannungsquellc anzuschließenden Eingangsklemmen und zwei an einen Verbraucher anzuschließenden Ausgangsklemmen, vorzugsweise zum Erzeugen einer Steuer- oder Kompensationsspannung, insbesondere einer Spannung zum Kompensieren von Einflüssen von Speisespannungs- und Temperaturschwankungen auf gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker. Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung eignet sich besonders für integrierte Schaltungen. The invention relates to a voltage divider sound system with two to be connected to a voltage source Input terminals and two output terminals to be connected to a consumer, preferably for Generating a control or compensation voltage, in particular a voltage to compensate for Influences of supply voltage and temperature fluctuations on transistor amplifiers coupled to DC voltage. The circuit arrangement according to the invention is particularly suitable for integrated circuits.

Unter »integrierter Schaltung« soll hier wie üblich eine .einstückige oder monolithische Halbleitereinrichtung verstanden werden, die eine Anzahl von miteinander verbundenen aktiven und passiven Schaltungselementen enthält, die in einem kristallischen Halbleiterkörper gebildet sind.As usual, an "integrated circuit" is intended to mean a one-piece or monolithic semiconductor device which includes a number of interconnected active and passive circuit elements contained in a crystalline semiconductor body are formed.

Die Konstruktion integrierter Schaltungen wirft eine ganze Reihe von Problemen auf. So ist es beispielsweise ziemlich schwierig, i?C-gekoppelte Verstärker herzustellen, da ein Kondensator bei einer integrierten Schaltung eine relativ große Fläche des Halbleiterkörpers einnimmt, auch wenn es sich um relativ kleine Kapazitätswerte handelt.The design of integrated circuits poses a number of problems. This is how it is, for example quite difficult to make i? C-coupled amplifiers because a capacitor is integrated in one Circuit occupies a relatively large area of the semiconductor body, even if it is relatively small Capacitance values.

Die Abmessungen des die integrierte Schaltung enthaltenden, gewöhnlich plättchenförmigen Halbleiterkörpers sind jedoch begrenzt. Dementsprechend sind auch die Abmessungen der Kondensatoren und die zur Kopplung zweier Stufen zur Verfügung stehende Kapazität Beschränkungen unterworfen. Beschränkungen bezüglich der Abmessung von Kondensatoren beeinträchtigen den Frequenzgang eines Verstärkers aber nicht nur bei niedrigen, sondern auch bei hohen Frequenzen, und der bei einer bestimmten Signalfrequenz erreichbare Verstärkungsgrad ist dann meist unerwünscht niedrig. Die Hochfrequenzeigenschaften des Verstärkers werden ferner noch durch Streukapazitäten beeinträchtigt, die zwischen den Kondensatoren einer integrierten Schaltung und Masse vorhanden sind.The dimensions of the usually plate-shaped semiconductor body containing the integrated circuit however are limited. The dimensions of the capacitors and the Coupling of two stages available capacity subject to restrictions. Restrictions with regard to the dimensions of capacitors, however, affect the frequency response of an amplifier not only at low, but also at high frequencies, and that at a certain signal frequency achievable gain is then usually undesirably low. The high frequency properties of the Amplifier are also affected by stray capacitances between the capacitors of a integrated circuit and ground are present.

Bei dem derzeitigen Stand der Technik zur Herstellung von Kondensatoren in integrierten Schaltungen führen die Größenbeschränkungen außerdem sehr häufig zu Kurzschlüssen zwischen den Kondensatorbelägen. Aus allen diesen Gründen wäre es wünschenswert, wo immer möglich zwischen den Verstärkerstufen einer integrierten Schaltung eine galvanische oder Gleichspannungskopplung zu verwenden.In the current state of the art for making capacitors in integrated circuits the size restrictions also very often lead to short circuits between the capacitor plates. For all of these reasons it would be desirable, wherever possible, between the amplifier stages to use a galvanic or DC voltage coupling of an integrated circuit.

Die Gleichspannungskopplung von Verstärkerstufen ist jedoch ein Problem für sich. So müssen im allgemeinen relativ komplizierte Vorspannungsschaltungen verwendet werden, um die gewünschten Arbeitspunkte von hintereinandergeschalteten, gleichspannungsgekoppelten Stufen zu gewährleisten, da ja die an der Ausgangselektrode der einen Stufe auftretende Gleichspannung an der nächstfolgenden Stufe als Eingangsspannung erscheint. Zur Stabilisierung der verschiedenen Arbeitspunkte ist außerdem eine Gleichspannungsgegenkopplung erforderlich. Wenn mit einer einzigen integrierten Schaltung eine hohe Verstärkung erzielt werden soll, besteht dann die Gefahr, daß die Schaltung durch Phasenverschiebungen in der Gegenkopplungsschleife instabil wird. Sowohl die Verstärkerstufe selbst als auch ihr Arbeitspunkt dürfen außerdem durch Schwankungen der Speisespannung und der Umgebungstemperatur nicht beeinträchtigt werden, da sonst keine Gleichspannungskopplung von Verstärkerstufen möglich ist.
Ein gleichspannungsgekoppelter Transistorverstärker, der sich besonders gut als integrierte Schaltung herstellen läßt, ist in der deutschen Auslegeschrift 1 289 122 vorgeschlagen worden.DC coupling of amplifier stages, however, is a problem in itself. In general, relatively complicated bias circuits must be used to ensure the desired operating points of series-connected, DC voltage-coupled stages, since the DC voltage occurring at the output electrode of one stage appears as the input voltage at the next stage. DC voltage negative feedback is also required to stabilize the various operating points. If a high gain is to be achieved with a single integrated circuit, there is then the risk that the circuit will become unstable due to phase shifts in the negative feedback loop. In addition, neither the amplifier stage itself nor its operating point may be impaired by fluctuations in the supply voltage and the ambient temperature, since otherwise no DC voltage coupling of the amplifier stages is possible.
A DC-coupled transistor amplifier, which can be manufactured particularly well as an integrated circuit, has been proposed in German Auslegeschrift 1,289,122.

Dieser Verstärker enthält zwei mit ihren Emittern gekoppelte Transistoren, von denen der erste, an dessen Basiselektrode ein zu verstärkendes Eingangssignal liegt, in Kollektorschaltung arbeitet, während beim zweiten Transistor, der in Basisschaltung arbeitet, die Emitterelektrode als Eingangselektrode und die KoI-lektorelektrode als Ausgangselektrode dienen. Mit der Kollektorelektrode des zweiten Transistors ist ein als Emitterverstärker geschalteter dritter Transistor direkt verbunden. Mit den Emitterelektroden der ersten beiden Transistoren ist ein Widerstand verbunden, dessen Widerstandswert wenigstens annähernd die Hälfte des Widerstandswertes eines mit der Kollektorelektrode des zweiten Transistors verbundenen Arbeitswiderstandes ist.This amplifier contains two transistors coupled to their emitters, the first of which to its Base electrode is an input signal to be amplified, works in collector circuit, while at second transistor, which works in common base, the emitter electrode as the input electrode and the KoI lektorelectrode serve as an output electrode. With the collector electrode of the second transistor is an as Emitter amplifier switched third transistor directly connected. With the emitter electrodes of the first a resistor is connected to both transistors, the resistance value of which is at least approximately the Half of the resistance value of a working resistor connected to the collector electrode of the second transistor is.

Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, eine Spannungsteilerschaltung anzugeben, die sich insbesondere für die Erzeugung von Vor- und Kompensationsspannungen in integrierten Schaltungen eignet und die bei geringem Querstrom trotzdem eine niedrige dynamische Impedanz hat.The present invention is accordingly based on the object of a voltage divider circuit specify which is particularly suitable for the generation of bias and compensation voltages in integrated Circuits are suitable and with a low cross current still a low dynamic impedance has.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einer Spannungsteilerschaltung mit zwei an eine Spannungsquelle anzuschließenden Eingangsklemmen und zwei an einen Verbraucher anzuschließenden Ausgangsklemmen dadurch gelöst, daß die eine Eingangsklemme mit der Kollektorelektrode eines als gegengekoppelter Verstärker arbeitenden ersten Transistors über einen ersten Widerstand und mit der Kollektorelektrode eines in Kollektorschaltung arbeitenden zweiten Transistors direkt verbunden ist, daß zwischen die mit der Elektrode des ersten Transistors und die zweite Eingangsklemme ein zweiter Widerstand geschaltet ist, der den f- -j-fachen Wert des ersten Widerstandes hat, wobei N = O oder eine positive ganze Zahl ist, daß die Kollektorelektrode des ersten Transistors außerdem mit der Basiselektrode des zweiten Transistors gekoppelt ist, daß die Basiselektrode des ersten Transistors über eine N weitere Transistoren enthaltende Kopplungsschaltung mit der Emitterelektrode des zweiten Transistors gekoppelt ist, daß die eine Ausgangsklemme an die Emitterelektrode des letzten Transistors angeschlossen ist und daß die andere Ausgangsklemme an eine der Eingangsklemmen angeschlossen ist. Für das Teilungsverhältnis This object is achieved according to the invention in a voltage divider circuit with two input terminals to be connected to a voltage source and two output terminals to be connected to a consumer in that one input terminal is connected to the collector electrode of a first transistor operating as a negative feedback amplifier via a first resistor and to the collector electrode an in Collector circuit working second transistor is directly connected, that between the electrode of the first transistor and the second input terminal, a second resistor is connected which has f- -j times the value of the first resistor, where N = O or a positive integer is that the collector electrode of the first transistor is also coupled to the base electrode of the second transistor, that the base electrode of the first transistor is coupled to the emitter electrode of the second transistor via a coupling circuit containing N further transistors elt is that one output terminal is connected to the emitter electrode of the last transistor and that the other output terminal is connected to one of the input terminals. For the division ratio

ist die zweite Ausgangsklemmen^ der an den zweiten Widerstand angeschlossenen Eingangsklemme verbunden, während für das Teilungsverhältnis -the second output terminal ^ of the input terminal connected to the second resistor is connected, while for the division ratio -

bunden, während für das Teilungsverhältnis tied while for the division ratio

■<* ι *· die zweite Ausgangsklemme an die mit dem ersten Widerstand verbundene Eingangsklemme angeschlossen ist. ■ <* ι * · the second output terminal is connected to the input terminal connected to the first resistor.

Vorzugsweise ist ein dritter Widerstand zwischen die Emitterelektrode des letzten Transistors und die zweite Eingangsklemme geschaltet.Preferably there is a third resistor between the emitter electrode of the last transistor and the second input terminal switched.

Vorzugsweise sind weiterhin die Kollektorelektroden aller N Transistoren der. Kopplungsschaltung mit der ersten Eingangsklemme verbunden, die Basiselektrode des zweiten Transistors ist mit der Kollektorelektrode des ersten Transistors verbunden, di: Emitterelektrode jedes Transistors der Kopplungsschaltung ist mit der Basiselektrode des nachfolgenden Transistors derFurthermore, the collector electrodes of all N transistors are preferably the. Coupling circuit connected to the first input terminal, the base electrode of the second transistor is connected to the collector electrode of the first transistor, di: emitter electrode of each transistor of the coupling circuit is connected to the base electrode of the subsequent transistor of the

Kopplungsschaltimg verbunden mit Ausnahme der Emitterelektrode des letzten Transistors der Kopplungsschaltung, die mit der Basiselektrode des ersten Transistors verbunden ist, und der Widerstandswert des ersten Widerstandes gleich dem (N + l)-fuchen des Widerstandswertes des zweiten Widerstandes.Coupling circuit connected with the exception of the emitter electrode of the last transistor of the coupling circuit, which is connected to the base electrode of the first transistor, and the resistance of the first resistor is equal to the (N + 1) -fold of the resistance of the second resistor.

Eine bevorzugte Anwendung der Spannungsteilerschaltimg gemäß der Erfindung ist die Stabilisierung einer Verstärkerstufe, die zwei emittergekoppelte Transistoren enthält, von denen der erste in Kollektorschaltung arbeitet und mit seinem Kollektor an die erste Eingangsklemme angeschlossen ist, während der ,:. zweite mit seiner Kollektorelektrode über einen Kollektorwiderstand mit der ersten Eingangsklemme und mit seiner Emitterelektrode über den gemeinsamen Emitterwiderstand mit der zweiten Eingangsklemme verbunden ist, wobei die erste Ausgangsklemme der Spannungsteilerschaltung über je einen Widerstand, die wenigstens annähernd gleiche Widerstandswerte haben, mit den Basiselektroden der beiden emittergekoppelten Transistoren des Verstärkers verbunden ist.A preferred application of the voltage divider circuit according to the invention is the stabilization of an amplifier stage, the two emitter-coupled Contains transistors, of which the first works in collector circuit and its collector to the first input terminal is connected while the,:. second with its collector electrode via a collector resistor with the first input terminal and with its emitter electrode over the common Emitter resistor is connected to the second input terminal, the first output terminal being the Voltage divider circuit via a resistor each, which has at least approximately the same resistance values connected to the base electrodes of the two emitter-coupled transistors of the amplifier is.

Vorzugsweise sind alle Transistoren und Widerstände als integrierte Schaltung in einer einzigen monolithischen Halbleitereinrichtung gebildet.Preferably, all of the transistors and resistors are integrated as an integrated circuit in a single monolithic Semiconductor device formed.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, es zeigtThe invention is explained in more detail with reference to the drawing, it shows

F i g. 1 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispieles der Erfindung,F i g. 1 is a circuit diagram of a first embodiment the invention,

F i g. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausf ührungsbeispieles der Erfindung undF i g. 2 shows a circuit diagram of a second exemplary embodiment of the invention and

F i g. 3 ein Schaltbild eines Verstärkers, der durch eine Steuer- oder Kompensationsspannimg von einer Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung stabilisiert ist.F i g. 3 is a circuit diagram of an amplifier which is controlled by a control or compensation voltage from a Circuit arrangement is stabilized according to the invention.

Das in F i g. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält zwei Transistoren 10, 12. Der erste Transistor 10 arbeitet als degenerierter Verstärker in Emitterschaltung, seine Kollektorelektrode ist über einen ersten Widerstand mit einer Speisespannungsklemme 14 und seine Emitterelektrode über einen zweiten Widerstand 20 mit einer Bezugsspannungsklemme 18 verbunden.The in Fig. 1 illustrated embodiment of the Invention includes two transistors 10, 12. The first transistor 10 works as a degenerate amplifier in Emitter circuit, its collector electrode is connected to a supply voltage terminal via a first resistor 14 and its emitter electrode through a second resistor 20 to a reference voltage terminal 18 connected.

Der zweite Transistor 12 arbeitet in Kollektorschaltung, seine Kollektorelektrode ist direkt mit der Speisespannungsklemme 14 verbunden, während seine Emitterelektrode über einen dritten Widerstand 22 mit der Bezugsspannungsklemme 18 verbunden ist. Die Emitterelektrode des Transistors 12 ist außerdem mit der Basiselektrode; des Transistors 10 und mit einer Ausgangsklemme 24 verbunden, während die Kollektorelektrode des Transistors 10 außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 12 verbunden ist.The second transistor 12 works in collector circuit, its collector electrode is directly with the Supply voltage terminal 14 connected, while its emitter electrode via a third resistor 22 with the reference voltage terminal 18 is connected. The emitter electrode of transistor 12 is also with the base electrode; of transistor 10 and with a Output terminal 24 connected, while the collector electrode of transistor 10 also with the Base electrode of transistor 12 is connected.

Zwischen die Ausgangsklemme 24 und die Bezugsspannungsklemme 18 ist ein Verbraucher 26 geschaltet. Die Klemmen 14, 18 sind im Betrieb mit einer nicht dargestellten Speisespannungsquelle verbunden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel hat der Widerstand 16 etwa den gleichen Widerstandswert wie der Widerstand 20.A load 26 is connected between the output terminal 24 and the reference voltage terminal 18. During operation, the terminals 14, 18 are connected to a supply voltage source (not shown). at In the present embodiment, the resistor 16 has approximately the same resistance value as that Resistance 20.

Wenn der vom Verbraucher 26 avigenommeneStrom zur Ausbildung des normalen F_6(!-Spannungsabfalles am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 12 ausreicht, kann der Widerstand 22 entfallen. Unter »V_be-Spannung« soll hier die mittlere Basis-Emitter-Spannung eines Transistors verstanden werden, der als aktives Bauelement in einem Verstärker od. dgl. arbeitet. Bei Siliciumtransistoren ist V_be etwa 0,7 Volt, was innerhalb des Bereiches einer für Klasse-A-Verstärkung geeigneten K^-Spannung liegt. _! If the consumer 26 avigenommeneStrom for forming the normal F _{6 (-Spannungsabfalles} sufficient at the base-emitter junction of transistor 12, the resistor 22 may be omitted under »V _be -. To" voltage here, the mean base-emitter voltage of a Be understood to be a transistor operating as an active component in an amplifier or the like In silicon transistors, V _{be is} approximately 0.7 volts, which is within the range of a K ^ voltage suitable for class A amplification.

Für die folgenden Erläuterungen wird vorausgesetzt, daß die Transistoren 10, 12 aus dem gleichen HaIbleiterwerkstoff bestehen, wie es beispielsweise bei integrierten Schaltungen der Fall ist, so daß ihre Köc-Spannungen gleich sind.For the following explanations it is assumed that the transistors 10, 12 are made of the same semiconductor material exist, as is the case, for example, with integrated circuits, so that their Köc voltages are the same.

Wenn im Betrieb an den Klemmen 14, 18 eine Speisespannung richtiger Polarität und Größe liegt, liefert die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung zwischen den Klemmen 18, 24 eine Ausgangsspannung, die gleich der Hälfte der angelegten Speisespannung ist. Dies kann wie folgt erklärt werden:If the supply voltage of the correct polarity and size is applied to terminals 14, 18 during operation, provides the in FIG. 1 shown circuit arrangement between the terminals 18, 24 an output voltage, which is equal to half the applied supply voltage. This can be explained as follows:

Im Gleichgewichtszustand ist die zwischen den Klemmen 18, 24 auftretende Ausgangsspannung V_a gleich der angelegten Speisespannung V₈ abzüglich des Spannungsabfalles Fr₁₆ am Widerstand 16 und der Köe-Spannung des Transistors 12, d. h.:In the equilibrium state, the output voltage V _a occurring between the terminals 18, 24 is equal to the applied supply voltage V ₈ minus the voltage drop Fr ₁₆ at the resistor 16 and the Köe voltage of the transistor 12, ie:

Va= Vs- Vr₁₆- V_bei2. (1) Va = Vs- Vr ₁₆ - V at ₂ . (1)

Der Spannungsabfall Fr₂₀ am Widerstand 20 ist im Gleichgewichtszustand gleich der Ausgangsspannung Va zwischen den Klemmen 18, 24 abzüglich der V_be-Spannung des Transistors 10, es gilt also:The voltage drop Fr ₂₀ across the resistor 20 in the equilibrium state is equal to the output voltage Va between the terminals 18, 24 minus the V _be voltage of the transistor 10, so the following applies:

Vr₂O — V_a — Vbe 10 · (2) Vr ₂ O - V _a - Vbe 10 (2)

Da die Widerstände 16, 20 gleiche Widerstandswerte haben und von gleichen Strömen durchflossen werden, ist der Spannungsabfall KiJ₂₀ am Widerstand 20 gleich dem Spannungsabfall Fr₁₆ am Widerstand 16, und Fk₁₆ kann in Gleichung (1) durch die Gleichung (2) ersetzt werden:Since the resistors 16, 20 have the same resistance values and are traversed by the same currents, the voltage drop KiJ ₂₀ across resistor 20 is equal to the voltage drop Fr ₁₆ across resistor 16, and Fk ₁₆ can be replaced by equation (2) in equation (1) :

V_a=V_s-Va+ V_buo - V_bei2. (3) V _a = V _s -Va + V _buo - V _at2 . (3)

Wenn die K&e-Spannungen der Transistoren 10, 12 gleich sind, wie vorausgesetzt wurde, reduziert sich die Gleichung (3) zu:When the K & e voltages of the transistors 10, 12 are the same, as was assumed, equation (3) is reduced to:

Va = ~-, (4) Va = ~ -, (4)

die zeigt, daß die durch die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung an den Verbraucher 26 gelieferte Spannung gleich der Hälfte der zwischen den Klemmen 14, 18 angelegten Speisespannung V_s ist.which shows that the in F i g. 1 shown circuit arrangement to the consumer 26 is equal to half of the supply voltage V _s applied between the terminals 14, 18.

F i g. 2 zeigt eine Schaltung einer gegenüber F i g. 1 etwas abgewandelten Ausführungsform der Erfindung. Diese Schaltung enthält wie F i g. 1 einen ersten Transistor 30, der als degenerierter Verstärker in Emitterschaltung arbeitet, und einen weiteren Transistor 32, der in Kollektorschaltung arbeitet. Die Ausgangselektrode des ersten Transistors ist über Transistoren 34, 36, 38, 40 mit der Eingangselektrode des weiteren Transistors gekoppelt.F i g. 2 shows a circuit of a compared to FIG. 1 somewhat modified embodiment of the invention. This circuit includes like FIG. 1 a first transistor 30, which is used as a degenerate amplifier in Emitter circuit works, and a further transistor 32, which works in collector circuit. The output electrode of the first transistor is connected to the input electrode of the via transistors 34, 36, 38, 40 coupled to another transistor.

Die in F i g. 2 dargestellte Schaltung enthält beispielsweise sechs Transistoren. Die Kollektorelektrode des in degenerierter Emitterschaltung arbeitenden ersten Transistors 30 ist über einen ersten Widerstand 44 mit einer Speisespannungsklemme 42 verbunden, während die Emitterelektrode dieses Transistors 39 mit einer Bezugsspannungsklemme 46 über einen zweiten Widerstand 48 verbunden ist. Der in Kollektorschaltung arbeitende Transistor 32 ist mit seiner Kollektorelektrode direkt mit der Klemme 42 verbunden, während seine Emitterelektrode über einen dritten Widerstand 50 mit einer Bezugsspannungsklemme 46 verbunden ist. Die Emitterelektrode des Transistors 32 ist außerdem mit der Basiselektrode desThe in F i g. 2 includes, for example, six transistors. The collector electrode of the first transistor 30 operating in a degenerate emitter circuit is via a first resistor 44 is connected to a supply voltage terminal 42, while the emitter electrode of this transistor 39 is connected to a reference voltage terminal 46 via a second resistor 48. The one in collector circuit working transistor 32 has its collector electrode connected directly to terminal 42, while its emitter electrode is connected to a reference voltage terminal via a third resistor 50 46 is connected. The emitter electrode of transistor 32 is also connected to the base electrode of the

i 48 7 396i 48 7 396

Transistors 30 und einer Ausgangsklemme 52 verbunden, an die ein nicht dargestellter Verbraucher angeschlosseil werden kann.Transistor 30 and an output terminal 52 connected to which a consumer, not shown can be connected to the rope.

Die Kollektorelektrode des Transistors 39 ist außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 32 über die Transistoren 34, 36, 38, 40 verbunden, die mit dem Transistor 32 eine als »Darlington-Schaltung« bekannte Art von Kollektorschaltung bilden. Es ist insbesondere die Kollektorelektrode des Transistors 30 mit der Basiselektrode des Transistors 34 verbunden, die Emitterelektrode des Transistors 34 ist mit der Basiselektrode des Transistors 36 verbunden, die Emitterelektrode des Transistors 36 ist mit der Basiselektrode des Transistors 38 verbunden, die Emitterelektrode des Transistors 38 ist mit der Basiselektrode des Transistors 40 verbunden, die Emitterelektrode des Transistors 40 ist mit der Basiselektrode des Transistors 32 verbunden, und die Kollektorelektroden der Transistoren 34, 36, 38, 40 sind an die Speisespannungsklemme 42 angeschlossen.
Bei dieser Transistorkopplung ist der mit der Kollektorelektrode des Transistors 30 verbundene Widerstand fünfmal so groß wie der mit der Emitterelektrode dieses Transistors verbundene Widerstand 48.The collector electrode of transistor 39 is also connected to the base electrode of transistor 32 via transistors 34, 36, 38, 40 which, with transistor 32, form a type of collector circuit known as a "Darlington circuit". In particular, the collector electrode of transistor 30 is connected to the base electrode of transistor 34, the emitter electrode of transistor 34 is connected to the base electrode of transistor 36, the emitter electrode of transistor 36 is connected to the base electrode of transistor 38, the emitter electrode of transistor 38 is connected to the base electrode of the transistor 40, the emitter electrode of the transistor 40 is connected to the base electrode of the transistor 32, and the collector electrodes of the transistors 34, 36, 38, 40 are connected to the supply voltage terminal 42.
With this transistor coupling, the resistor connected to the collector electrode of transistor 30 is five times as large as resistor 48 connected to the emitter electrode of this transistor.

Im Betrieb, also wenn zwischen den Klemmen 42,During operation, i.e. when between terminals 42,

ίο 46 eine Speisespannung geeigneter Größe und Polarität herrscht, stellt ein Gleichgewichtszustand ein, bei dem die zwischen den Klemmen 46, 52 auftretende Ausgangsspannung V_a gleich der angelegten Speisespannung Vs abzüglich des Spannungsabfalles Kr₄₄ amIf there is a supply voltage of suitable size and polarity, a state of equilibrium is established in which the output voltage V _a occurring between the terminals 46, 52 is equal to the applied supply voltage Vs minus the voltage drop Kr ₄₄ am

Widerstand 44 und der ^-Spannungen der Transistoren 32, 34, 36, 40 ist:Resistor 44 and the ^ voltages of transistors 32, 34, 36, 40 is:

— K&e₃₄ —- K & e ₃₄ -

Der Spannungsabfall Kr₄₈ am Widerstand 48 ist im Gleichgewichtszustand gleich der Ausgangsspannung V_a zwischen den Klemmen 46, 52 abzüglich der K^₆-Spannung des Transistors 30:The voltage drop Kr ₄₈ across the resistor 48 in the equilibrium state is equal to the output voltage V _a between the terminals 46, 52 minus the K ^ ₆ voltage of the transistor 30:

Da der Widerstand 44 den fünffachenSince the resistance 44 is five times

(6)
Widerstandswert wie der Widerstand 48 hat und da beide Widerstände vom gleichen Strom durchflossen werden, ist der Spannungsabfall am Widerstand 44 fünfmal so groß wie der Spannungsabfall am Widerstand 48, so daß die Gleichung (6) mit 5 multipliziert und für Kr₄₄ in Gleichung (5) substituiert werden kann:(6)
Resistance value like the resistor 48 and since both resistors have the same current flowing through them, the voltage drop across the resistor 44 is five times as large as the voltage drop across the resistor 48, so that equation (6) is multiplied by 5 and for Kr ₄₄ in equation (5 ) can be substituted:

Va= V_s — 5 Va + 5 Va = V _s - 5 Va + 5

— Vbesn — K&<>₃₆ — Vb₆₃₈ — K&_e40 .- Vbesn - K &<> ₃₆ - Vb ₆₃₈ - K & _e40 .

Wenn die Transistoren 30, 32, 34, 36, 38, 40 aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehen, wie es bei monolithischen integrierten Schaltungen aus Silicium der Fall ist, sind die Kfte-Spannungen aller Transistoren·' gleich und die Gleichung (7) reduziert zu:If the transistors 30, 32, 34, 36, 38, 40 are made of the same semiconductor material as is the case with monolithic integrated circuits made of silicon is the case, the Kfte voltages of all transistors are · ' equals and equation (7) reduces to:

Va = \. (8) Va = \. (8th)

Die Gleichung (8) zeigt also, daß die durch die Schaltung der F i g. 2 an den nicht dargestellten Verbraucher gelieferte Spannung an der Ausgangsklemme 52 gleich dem sechsten Teil der zugeführten Speisespannung ist.The equation (8) thus shows that the circuit of the F i g. 2 to the consumer, not shown The voltage supplied at the output terminal 52 is equal to the sixth part of the supply voltage supplied is.

Andere Bruchteile (entsprechend einem Bruch mit ganzzahligem Nenner) der angelegten Speisespannung können als Ausgangsspannung erhalten werden, wenn man die Transistorkopplung zwischen der in Emitterschaltung arbeitenden Stufe und der in Kollektorschaltung arbeitenden Ausgangsstufe entsprechend wählt und das Verhältnis der Widerstandswerte des Kollektor- und Emitterwiderstandes in der in Emitterschaltung arbeitenden Stufe entsprechend wählt. Genauer gesagt kann eine Ausgangsspannung gleich dem ( p^acaen der angelegten Speisespannung erzeugt werden, wenn man für die Kopplung zwischen den Transistoren 30, 32 JV Kopplungstransistoren verwendet und deft Widerstandswert des Kollektorwiderstandes des Transistors 30 gleich dem (JV + l)-fachen des Widerstandwertes des Emitterwiderstandes dieser Stufe wählt. Um als Ausgangsspannung ein Drittel der Speisespannung zu erzeugen, verwendet man also in der Kopplungsschaltung einen Transistor und ein Widerstandsverhältnis von 2:1, eine Spannungsteilung von 1: 4 erfordert zwei Kopplungstransistoren und ein Widerstandsverhältnis von 3 : 1 usw.Other fractions (corresponding to a fraction with an integer denominator) of the applied supply voltage can be obtained as the output voltage if the transistor coupling between the stage operating in the emitter circuit and the output stage operating in the collector circuit is selected accordingly and the ratio of the resistance values of the collector and emitter resistance in the in Emitter circuit selects working stage accordingly. More specifically, an output voltage can be equal to ( p ^{acaen of} the applied supply voltage can be generated if JV coupling transistors are used for the coupling between transistors 30, 32 and the resistance value of the collector resistance of transistor 30 is chosen equal to (JV + l) times the resistance value of the emitter resistance of this stage. In order to generate a third of the supply voltage as the output voltage, a transistor and a resistance ratio of 2: 1 are used in the coupling circuit, a voltage division of 1: 4 requires two coupling transistors and a resistance ratio of 3: 1, etc.

Bisher war angenommen worden, daß die AusIt had previously been assumed that the Aus

gangsspannung bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltung zwischen den Klemmen 46, 52 abgenommen wird. Wenn man die Ausgangsspannung statt dessen zwischen den Klemmen 42 und 52 abnimmt, ist sie dasoutput voltage at the in F i g. 2 circuit shown between terminals 46, 52 removed will. If you take the output voltage between terminals 42 and 52 instead, it is

f 1-fache der zugeführten Speisespannung. Wennf 1 times the supplied supply voltage. When

also JV wie bei F i g. 2 den Wert 4 hat, ist die Ausgangsspannung Va zwischen den Klemmen 42, 52 gleich:so JV as in F i g. 2 has the value 4, the output voltage Va between terminals 42, 52 is equal to:

la --g—. W la --g—. W.

Selbstverständlich gelten die allgemeinen Ausdrücke 1 \ , /JV+1Of course, the general expressions 1 \, / JV + 1 apply

N+ 2N + 2

undand

N+2N + 2

für das Verhältnis von Speisespannung zur Ausgangsspannung ebenfalls für die in F i g. 1 dargestellte Schaltung, bei der JV gleich Null ist.for the ratio of supply voltage to output voltage also for the in F i g. 1 shown Circuit where JV is zero.

F i g. 3 zeigt einen Transistorverstärker der obenerwähnten, bereits vorgeschlagenen Art, dessen Arbeitspunkt durch eine Kompensationsspannung stabilisiert ist, die von einer Schaltungsanordnung gemäß F i g. 1 geliefert wird. Im folgenden soll angenommen werden, daß sowohl der Verstärker als auch die die Kompensationsspannung liefernde Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung ^fin einem einzigen HaIbleiterkörper gebildet sind und zu der gleichen integrierten Schaltung gehören oder diese bilden. Bei F i g. 3 wird die der Klemme 18 in F i g. 1 entsprechende Klemme durch Masse gebildet.
Der in dem Schaltbild der F i g. 3 enthaltene Verstärker enthält drei Transistoren 60, 62, 64. Der erste dieser Transistoren arbeitet in Kollektorschaltung, seine Kollektorelektrode ist direkt an die Speisespannungsklemme 14 angeschlossen, während seineF i g. 3 shows a transistor amplifier of the above-mentioned, already proposed type, the operating point of which is stabilized by a compensation voltage which is generated by a circuit arrangement according to FIG. 1 is delivered. In the following it will be assumed that both the amplifier and the compensation voltage supplying circuit arrangement according to the invention, ^f in a single semiconductor body formed and are part of the same integrated circuit or if the latter. At F i g. 3 is that of the terminal 18 in FIG. 1 corresponding terminal formed by ground.
In the circuit diagram of FIG. 3 amplifier contains three transistors 60, 62, 64. The first of these transistors works in a collector circuit, its collector electrode is connected directly to the supply voltage terminal 14, while his

Emitterelektrode über einen Widerstand 66 mit Masse verbunden ist. Der zweite Transistor 62 arbeitet in Basisschaltung, seine Kollektorelektrode ist über einen Widerstand 68 mit der Speisespannungsklemme 14 gekoppelt, während seine Emitterelektrode über den Widerstand 66 mit Masse verbunden ist.Emitter electrode is connected to ground via a resistor 66. The second transistor 62 operates in Basic circuit, its collector electrode is connected to the supply voltage terminal 14 via a resistor 68 coupled while its emitter electrode is connected to ground via resistor 66.

Der dritte Transistor 64 arbeitet in Kollektorschaltung, seine Kollektorelektrode ist direkt an die Klemme 14 angeschlossen, und seine Emitterelektrode ist über einen Widerstand 70 mit Masse verbunden. Die Basiselektrode des Transistors 60 ist über einen Leiter 72 mit einer Eingangsklemme 74 verbunden, während die Basiselektrode des Transistors 62 durch einen Kondensator 76 für Signalfrequenzen mit Masse verbunden ist. Der Kondensator 76 bildet normalerweise keinen Teil der integrierten Schaltung.The third transistor 64 works in the collector circuit, its collector electrode is directly connected to the Terminal 14 is connected and its emitter electrode is connected to ground via a resistor 70. The base electrode of transistor 60 is connected to an input terminal 74 via a conductor 72, while the base electrode of transistor 62 is grounded by a capacitor 76 for signal frequencies connected is. Capacitor 76 does not normally form part of the integrated circuit.

Die Kollektorelektrode des Transistors 62 ist mit der Basiselektrode des Transistors 64 verbunden, dessen Emitterelektrode über einen Leiter 78 mit einer Ausgangsklemme 80 verbunden ist, an die ein nicht dargestellter Verbraucher angeschlossen werden kann. Gemäß dem erwähnten Vorschlag hat der Widerstand 68 den doppelten Widerstandswert wie der Widerstand 66, um den Verstärker möglichst unempfindlich gegen Speisespannungs- und Temperatur-Schwankungen zu machen.The collector electrode of transistor 62 is connected to the base electrode of transistor 64, whose emitter electrode is connected via a conductor 78 to an output terminal 80 to which a not shown consumer can be connected. According to the mentioned proposal, the resistance has 68 double the resistance value as the resistor 66 in order to make the amplifier as insensitive as possible against supply voltage and temperature fluctuations.

Der oben beschriebene Verstärker besteht im wesentlichen aus einer emittergekoppelten Verstärkerstufe, die eine Kollektorschaltung arbeitende Stufe steuert. Im Betrieb werden also Eingangssignale an der Klemme 74 zuerst durch die Kombination der Transistoren 60, 62 und dann durch den Transistor 64 verstärkt, die verstärkten Signale erscheinen am Arbeitswiderstand 70 der in Kollektorschaltung arbeitenden Stufe und damit an der Ausgangsklemme 80. Um ein symmetrisches Arbeiten des Verstärkers zu gewährleisten, wird den Basiselektroden der Transistoren 60, 62 über Widerstände 82 bzw. 84, die gleiche Widerstandswerte haben, die an der Ausgangsklemme 24 erscheinende Ausgangsspannung der die Transistoren 10, 12 enthaltenden Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung zugeführt.The amplifier described above essentially consists of an emitter-coupled amplifier stage, which controls a collector circuit operating stage. During operation, input signals are sent to the Terminal 74 reinforced first by the combination of transistors 60, 62 and then by transistor 64, the amplified signals appear at the working resistor 70 of the working in the collector circuit Stage and thus at output terminal 80. To ensure that the amplifier works symmetrically, the base electrodes of transistors 60, 62 via resistors 82 and 84, respectively, have the same resistance values the output voltage of the transistors appearing at the output terminal 24 10, 12 containing circuit arrangement according to the invention.

Die die Transistoren 10, 12 enthaltende Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung stabilisiert den Arbeitspunkt des Verstärkers gegen die Einflüsse von Speisespannung- und Temperaturschwankungen wie folgt:The circuit arrangement containing the transistors 10, 12 according to the invention stabilizes the Working point of the amplifier against the influences of supply voltage and temperature fluctuations such as follows:

Es sei zuerst angenommen, daß die Größe der zwischen der Klemme 14 und Masse liegenden Speisespannung schwankt. Wenn die Vorspannung, die den Basiselektroden der Transistoren 60, 62 zugeführt wird, bei Schwankungen der Speisespannung konstant gehalten würde, träte eine Änderung der Ausgangsgleichspannung an der Kollektorelektrode des Transistors 62 auf, da der Strom durch den Transistor 62 praktisch konstant bliebe.It is first assumed that the size of the supply voltage lying between the terminal 14 and ground fluctuates. When the bias applied to the base electrodes of transistors 60, 62, would be kept constant in the event of fluctuations in the supply voltage, there would be a change in the DC output voltage at the collector electrode of transistor 62, since the current through transistor 62 would remain practically constant.

Wenn also die Spannung an der Klemme 14 um einen Betrag Δ e absinkt (also weniger positiv wird), sinkt die Ausgangsspannung an der Kollektorelektrode des Transistors 62 entsprechend. Die Vorspannung an der Basiselektrode des Transistors 62 bleibt nicht kon-Thus, when the voltage at terminal 14 by an amount Δ e decreases (that is less positive), the output voltage decreases according to the collector electrode of the transistor 62nd The bias on the base electrode of transistor 62 does not remain con-

Als Ergebnis fällt der Emitterstrom des TransistorsAs a result, the emitter current of the transistor falls

Δ e
62 um y.- und seine Kollektorspannimg steigt um Δ e
62 by y.- and its collector voltage increases

Δ e R₆₃ Δ e R ₆₃

Die resultierende Spannungsänderung an der Kollektorelektrode des Transistors 62 ist dementsprechendThe resulting voltage change at the collector electrode of transistor 62 is corresponding

Ae-Ae-

Δε R₁ Δε R ₁

6868

2 R2 rows

6666

dies ist gleichzeitig die resultierende Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 64. Da der Widerstand 68 den doppelten Widerstandswert des Widerstandes 66 hat, ist die resultierende Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 64 gleich Null. Mit R₆₆ und i?₆₈ sind hier und im folgenden die Widerstandswerte der Widerstände 66, 68 bezeichnet.this is at the same time the resultant change in voltage at the emitter electrode of transistor 64. Since resistor 68 has twice the resistance value of resistor 66, the resultant change in voltage at the emitter electrode of transistor 64 is equal to zero. With R ₆₆ and i? ₆₈ , the resistance values of the resistors 66, 68 are designated here and below.

Ähnliche Überlegungen zeigen, daß die resultierende Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 64 auch dann Null ist, wenn die Spannung an der Klemme 14 steigt. In beiden Fällen wird also die bei Schwankungen der Speisespannung auftretende Änderung der Spannung an der Kollektorelektrode des Transistors 62 durch eine entsprechende Änderung der Basisvorspannung dieses Transistors kompensiert. Der Verstärker arbeitet weiter symmetrisch, da dieselbe Vorspannungsänderung an der Basiselektrode des Transistors 60 auftritt.Similar considerations show that the resulting voltage change at the emitter electrode of the transistor 64 is also zero when the voltage at terminal 14 increases. In both cases, the Changes in the voltage at the collector electrode of the when the supply voltage fluctuates Transistor 62 is compensated by a corresponding change in the base bias of this transistor. the The amplifier continues to work symmetrically because the same bias change occurs at the base electrode of the Transistor 60 occurs.

Es sei nun auf die Einflüsse von Temperaturschwankungen-eingegangen. Eine Temperaturänderung beeinflußt die ^-Spannung zwischen den Emitterelektroden und Basiselektroden der Transistoren 10, 12, 60, 62, 64. Da diese fünf Transistoren aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehen sollen, wie es bei einer monolithischen integrierten Schaltung der Fall ist, werden die F&e-Spannungen im gleichen Sinne und im gleichen Maße beeinflußt. Die Gleichungen (3) und (4) zeigen, daß die durch die Schaltungsanordnung an der Klemme 24 erzeugte Ausgangsspannung und damit die den Basiselektroden der Transistoren 60, 62 zugeführte Vorspannung praktisch gleich der Hälfte der Speisespannung zwischen der Klemme 24 und Masse bleibt und praktisch temperaturunabhängig ist. Angenommen durch eine Temperaturänderung werde die K&e-Spannung der Transistoren 60, 62 um Δ F&_e geändert, und der diese Transistoren durchfließende Strom ändert sich dadurch um Ai. Dann gilt:The influences of temperature fluctuations will now be discussed. A change in temperature affects the ^ voltage between the emitter electrodes and base electrodes of the transistors 10, 12, 60, 62, 64. Since these five transistors should consist of the same semiconductor material, as is the case with a monolithic integrated circuit, the R & D- Tensions influenced in the same sense and to the same extent. Equations (3) and (4) show that the output voltage generated by the circuit arrangement at terminal 24 and thus the bias voltage applied to the base electrodes of transistors 60, 62 remains practically equal to half the supply voltage between terminal 24 and ground and is practically independent of temperature is. Assume that the K&e voltage of the transistors 60, 62 is changed by Δ F & _e as a result of a change in temperature, and the current flowing through these transistors is thereby changed by Ai. Then the following applies:

oderor

2AiR₆₆ 2AiR ₆₆

AV_be 2R_RR * AV _be 2R _RR *

(10) (H) (10) (H)

Die Änderung der Kollektorspannung des Transistors 62 ist dann:The change in the collector voltage of transistor 62 is then:

stant, sie fällt hingegen um einen Betragstant, but it falls by an amount

Δ eΔ e

Grund hierfür liegt darin, daß die Vorspannung, die durch die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung an der Klemme 24 erzeugt wird, gemäß den obigen Gleichungen (1) bis (4) auf der Hälfte der zugeführten Speisespannung gehalten wird.The reason for this is that the bias voltage generated by the circuit arrangement according to the invention is generated at the terminal 24, according to the above equations (1) to (4) on half of the supplied Supply voltage is held.

AVc = AiR₆₈. (12) AVc = AiR ₆₈ . (12)

Setzt man (11) in (12) ein, so erhält man:
_ΛΊ, _ AV_beR_6S Inserting (11) into (12) one obtains:
_ΛΊ , _ AV _be R _6S

2R_R 2R _R

(13)(13)

009 533/185009 533/185

. O I D y D . OID y D

Die Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 64 ist Δ V₀ — Δ Voe oder:The voltage change at the emitter electrode of transistor 64 is Δ V ₀ - Δ Voe or:

Δ V_he '~ 2 Λ. Δ V _he '~ 2 Λ.

- A V_be = A V_be - AV _be = AV _be

:λ«: λ «

- 1 - 1

(14)(14)

Da R_es = 27?_6C ist, ist die resultierende Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 64 gleich Null. Dies gilt offensichtlich sowohl für einen Temperaturanstieg als auch für einen Temperaturabfall. Since R _es = 27? _6C , the resulting change in voltage at the emitter electrode of transistor 64 is zero. Obviously, this applies to both a rise in temperature and a fall in temperature.

Ein wichtiges Merkmal der in den F i g. 1, 2 und 3 dargestellten Schaltungsanordnungen gemäß der Erfindung besteht darin, daß die Genauigkeit, mit der die Ausgangsspannung auf dem (-^An important feature of the in Figs. 1, 2 and 3 shown circuit arrangements according to the invention is that the accuracy with which the output voltage on the (- ^

^-j-fachen bzw.^ -j times or

dem ( -Wachen Wert der Speisespannung gehalten wird und dementsprechend die Stabilität und Symmetrie der Schaltungsanordnungen, die durch diese Ausgangsspannungen kompensiert werden, in erster Linie vom Verhältnis des Kollektorwiderstandes und des Emitterwiderstandes des als degenerierter Verstärker in Emitterschaltung arbeitenden Transistors ist und praktisch nicht von den Absolutwerten dieser Widerstände abhängt. Dies ist besonders für die Herstellung integrierter Schaltungen von Bedeutung, da das Verhältnis dieser beiden Widerstände, die zugleich hergestellt werden, leicht eingehalten werden kann, während es wesentlich schwieriger ist, bestimmte Absolutwerte zu erreichen. Ein bestimmtes Herstellungsverfahren liefert also weniger Ausschuß, wenn es nur auf das Verhältnis von Bauelementen als auf deren Absolutwerte ankommt.the (-wake value of the supply voltage is and, accordingly, the stability and symmetry of the circuit arrangements, which by these output voltages are compensated, primarily by the ratio of the collector resistance and the emitter resistance of the transistor operating as a degenerate emitter amplifier and practically does not depend on the absolute values of these resistances. This is especially for making Integrated circuits matter because the ratio of these two resistors is made at the same time can easily be adhered to, while it is much more difficult to establish certain absolute values to reach. So a certain manufacturing process produces less scrap, if only it the ratio of components is more important than their absolute values.

Es sei abschließend darauf hingewiesen, daß die Schaltungen gemäß der Erfindung nicht durch einen gewöhnlichen Widerstandsspannungsteiler ersetzt werden können. Bei dem in F i g. 1 dargestellten typischen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Ausgangsimpedanz Za der Schaltung durch die folgende Gleichung gegeben:In conclusion, it should be pointed out that the circuits according to the invention cannot be replaced by an ordinary resistive voltage divider. In the case of the FIG. 1, the typical embodiment of the invention shown, the output impedance Za of the circuit is given by the following equation:

Za = Za =

(15)(15)

wobei g_m die Steilheit des Transistors 12 ist. Die Ausgangsimpedanz Za liegt hier in der Größenordnung von 20 Ohm, und ein Widerstandsspannungsteiler mit einer so niedrigen Ausgangsimpedanz würde einen Querstrom erfordern, der für die bei integrierten Schaltungen verwendeten Spannungsquellen und Verlustleistungen indiskutabel hoch wäre.where g _{m is} the steepness of transistor 12. The output impedance Za here is of the order of magnitude of 20 ohms, and a resistive voltage divider with such a low output impedance would require a transverse current which would be indisputably high for the voltage sources and power losses used in integrated circuits.

Claims

Patent claims:

1. Voltage divider circuit with two input terminals to be connected to a voltage source and two output terminals to be connected to a consumer, characterized in that that the one input terminal (14, 42) with the collector electrode as a negative feedback Amplifier working first transistor (10, 30) via a first resistor (16, 44) and to the collector electrode of a second transistor operating in a collector circuit (12, 34) is directly connected that between the emitter electrode of the first transistor and the second input terminal (18, 46) a second resistor (20, 48) is connected, which is the (j times

Has the value of the first resistor (16, 44), where N = O or a positive integer, that the collector electrode of the first transistor (10, 30) is also coupled to the base electrode of the second transistor (12, 34), that the The base electrode of the first transistor (10, 30) is coupled to the emitter electrode of the second transistor (12, 34) via a coupling circuit containing N further transistors (36, 38, 40, 42) so that the one output terminal (24, 52) is connected to the Emitter electrode of the last transistor (12, 32) is connected and that the other output terminal is connected to one of the input terminals.

2. Voltage divider circuit according to claim 1 with the division ratio

N+2N + 2

characterized in that the second output terminal is connected to the second resistor (20, 48) connected input terminal (18, 46) is connected.

3. Voltage divider circuit according to claim 1 with the division ratio

N + 1

N+2N + 2

characterized in that the second output terminal is connected to the one with the first resistor (16, 44) connected input terminal (14,42) is connected.

4. Voltage divider circuit according to claim 1, 2 or 3, characterized in that a third. Resistance (22, 50) between the emitter electrode of the last transistor (12, 32) and the second input terminal (18, 46) is switched.

5. Solar divider circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the collector electrodes of all N transistors (36, 38, 40, 32) of the coupling circuit are connected to the first input terminal (42), that the base electrode of the second transistor (34) with the Collector electrode of the first transistor (30) is connected so that the emitter electrode of each transistor of the coupling circuit is connected to the base electrode of the subsequent transistor of the coupling circuit, with the exception of the emitter electrode of the last transistor (32) of the coupling circuit, which is connected to the base electrode of the first transistor ( 30) is connected, and that the resistance value of the first resistor (44) is equal to (N + 1) times. is the resistance of the second resistor (48).

6. Voltage divider circuit according to claim 2, characterized by the application for stabilization an amplifier stage containing two emitter-coupled transistors (60, 62) of which the first one works in a collector circuit and its collector is connected to the first input terminal (14) is connected, while the second with its collector electrode via a collector resistor (68) with the first input terminal (14) and with its emitter electrode over the common Emitter resistor (66) is connected to the second input terminal (ground) and wherein the first Output terminal (24) of the voltage divider

device via a resistor (82, 84), the at least have approximately the same resistance values with the base electrodes of the two emitter-coupled Transistors (60, 62) of the amplifier is connected (Fig. 3).

7. Voltage divider circuit according to one of the preceding claims, characterized in that that all transistors and resistors as an integrated circuit in a single monolithic Semiconductor device are formed.

1 sheet of drawings