DE1441099C - Phase sensitive rectifier circuit - Google Patents

Phase sensitive rectifier circuit

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DE1441099C
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Werner 8000 München Scnmidt
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Siemens AG
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Siemens AG

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Description

ι 441 oyyι 441 oyy

Die Erfindung betrifft eine phasenempfindliche Gleich'richterschaltung unter Verwendung von Übertragern und Transistoren zur Umformung eines Wechselspannungssignals in einen Gleichstrom, der einen Lastwiderstand durchfließt und dessen Richtung durch die Phase* des Wechselspannungssignals im Vergleich zu der Phase einer Bezugsspannung bestimmt ist und dessen Größe proportional zur Amplitude des Wechselspannungssignals ist, insbesondere Tür Steuerung bzw. Regelung.The invention relates to a phase-sensitive rectifier circuit using transformers and transistors for converting an AC voltage signal into a direct current, the a load resistance flows through and its direction through the phase * of the AC voltage signal im Comparison to the phase of a reference voltage is determined and its size proportional to the amplitude of the AC voltage signal, in particular door control or regulation.

Es ist bekannt, daß Transistoren symmetrische Eigenschaften besitzen, d. h. Emitter und Kollektor können grundsätzlich ihre Funktionen tauschen. Es sind auch eine Reihe von Schaltungen bekanntgeworden, bei denen von den symmetrischen Eigenschäften der Transistoren vorteilhaft Gebrauch gemacht wird. So sind auch phasenabhängige Gleichrichterschaltungen bekanntgeworden, bei denen ein durch den Lastwiderstand fließender Gleichstrom nach Größe und Richtung durch Größe und Phasenlage einer Steuerspannung verändert werden kann. Derartige phasenabhängige Gleichrichterschaltungen werden beispielsweise in Steuer- und Regelschaltungen verwendet.It is known that transistors have symmetrical properties; H. Emitter and collector can basically swap their functions. A number of circuits have also become known, in which the symmetrical properties of the transistors are used to advantage will. Phase-dependent rectifier circuits have also become known in which a Direct current flowing through the load resistance according to size and direction due to size and phase position a control voltage can be changed. Such phase-dependent rectifier circuits are used, for example, in control and regulation circuits.

F i g. 1 zeigt eine derartige phasenabhängige Gleichrichterschaltung. Die Sekundärwicklungen 3, 4 und 4, 5 des Übertragers U1 bilden mit den Gleichrichter-Transistoren T1, T2 die Elemente einer Brückenschaltung. Die Transistoren sind jeweils vom gleichen Leitfähigkeitstyp, also entweder npn- oder pnp-Transistoren. Die Transistoren werden sowohl normal als auch invers betrieben; dies ist im Schaltsymbol dadurch angedeutet, daß sowohl Kollektor- als auch Emitterelektrode als Pfeilspitze gezeichnet sind. Die Funktion der Schaltung hängt jedoch nicht davon ab, daß symmetrische Transistoren verwendet werden. Es können auch beliebige Transistoren verwendet werden, bei denen α normal nicht gleich u invers ist, wobei α die Stromverstärkung des Transistors in Basisschaltung bedeutet. Die Steuerung der Transistoren erfolgt über die Sekundärwicklungen 11, 1Γ des Übertragers P2. Ist keine Signalspannung U1/s vorhanden, so werden beide Transistoren in der einen Halbwelle bei positiver Bezugsspannung U112 ausgesteuert. Die Elektrode am Punkt 10 des Transistors T1 und die Elektrode am Punkt 10' des Transistors T2 werden hierbei zur Kollektorelektrode; die Basiselektroden der Transistoren T1 und T2 erhalten über die Widerstände R1 bzw. R2 jeweils ein negatives Steuerpotential. Die Kollektorströme der Transistoren T1 und T2 lassen sich mit Hilfe der Widerstände R1 und R2 gleich groß machen. In der folgenden Halbwelle der Bezugsspannung (ohne Signalspannung) bei negativer Bezugsspannung U1/2 werden beide Transistoren T1 und T2 gesperrt. Die am Punkt 10 liegende Elektrode des Transistors T1 und die am Punkt 10' liegende Elektrode des Transistors T2 werden zu Emitterelektroden; da die Basiselektroden über die Wicklungen 11 und 11' mit den Emitterelektroden verbunden sind, sind beide Transistoren gesperrt. Die Last RL, die durch Spulen von Relais, magnetische Verstärker, elektromagnetische Kupplungen, Ankeroder Erregerwicklungen von Gleichstrommotoren u.a. dargestellt werden kann, liegt im Nullzweig der Brücke zwischen dem Mittelabgriff 4 der Sekundär- 6S wicklung des Übertragers Cf1 und dem Verbindungspunkt 10 der beiden Transistoren T1 und T1. Da die Brücke während beider Halbwellen der Bezugsspannung l/j/2 abgeglichen ist (während der einen] Halbwelle sind beide Transistoren gesperrt, während I der anderen Halbwelle führen beide Transistoren '. gleichen Kollektorstrom), fließt bei fehlender Signal-!'. spannung kein Laststrom. j ·F i g. 1 shows such a phase-dependent rectifier circuit. The secondary windings 3, 4 and 4, 5 of the transformer U 1 together with the rectifier transistors T 1 , T 2 form the elements of a bridge circuit. The transistors are each of the same conductivity type, i.e. either npn or pnp transistors. The transistors are operated both normally and inversely; this is indicated in the circuit symbol by the fact that both the collector and emitter electrodes are drawn as arrowheads. However, the function of the circuit does not depend on the fact that symmetrical transistors are used. Any desired transistors can also be used in which α normal is not equal to u inverse, where α means the current gain of the transistor in the base circuit. The transistors are controlled via the secondary windings 11, 1Γ of the transformer P 2 . If there is no signal voltage U 1 / s , both transistors are controlled in one half-cycle when the reference voltage U 112 is positive. The electrode at point 10 of transistor T 1 and the electrode at point 10 'of transistor T 2 become the collector electrode; the base electrodes of the transistors T 1 and T 2 are each given a negative control potential via the resistors R 1 and R 2, respectively. The collector currents of the transistors T 1 and T 2 can be made the same with the help of the resistors R 1 and R 2. In the following half-cycle of the reference voltage (without signal voltage) with a negative reference voltage U 1/2 , both transistors T 1 and T 2 are blocked. The electrode of transistor T 1 located at point 10 and the electrode of transistor T 2 located at point 10 'become emitter electrodes; since the base electrodes are connected to the emitter electrodes via windings 11 and 11 ', both transistors are blocked. The load R L , which can be represented by coils of relays, magnetic amplifiers, electromagnetic clutches, armature or excitation windings of DC motors, etc., is in the neutral branch of the bridge between the center tap 4 of the secondary 6 S winding of the transformer Cf 1 and the connection point 10 of the two transistors T 1 and T 1 . Since the bridge is balanced during both half cycles of the reference voltage l / j / 2 (during a] half-wave are blocked, while I of the other half-wave lead both transistors'. Same collector current of both transistors), flows in the absence of the signal! '. voltage no load current. j

Nachteilig bei dieser Schaltung ist, daß in der einen ι Aussteuerungsphase die Spannung am Lastwiderstand | der notwendigen Sperrung des einen Transistors ent-!! gegenwirkt. Das läßt sich folgendermaßen einsehen.'' Sind die Bezugsspannungen t/3/4, l/4/5 positiv und < ist die Steuerspannung U101n negativ, die Steuer-j| spannung CZ10'/] i' positiv, so ist der durch Tran-: j SiStOrT1 gesteuerte Brückenkreis stromführend; an;l Widerstand RL fällt eine Spannung ab, wobei Punkt 10;! positiv gegen Punkt 4 ist. Transistor T2 wird so be-1 trieben, daß die in Punkt 10 angeschlossene Elektrode der Emitter, die in Punkt 10' angeschlossene Elektrode der Kollektor von Transistor T2 ist. Die Vorspannung^ des Emitters durch die am Lastwiderstand RL abfallende Spannung wirkt also tatsächlich der Sperrung j des Transistors T2 entgegen. Um den Transistor T2 zu sperren, ist eine SperrspannungThe disadvantage of this circuit is that the voltage across the load resistor | the necessary blocking of one transistor! counteracts. This can be seen as follows: '' If the reference voltages t / 3/4 , l / 4/5 are positive and <the control voltage U 101n is negative, the control j | voltage CZ 10 '/] i' positive, the bridge circuit controlled by Tran-: j SiStOrT 1 is live; on; l resistance R L drops a voltage, where point 10 ;! is positive against point 4. Transistor T 2 is operated in such a way that the electrode connected in point 10 is the emitter and the electrode connected in point 10 'is the collector of transistor T 2 . The bias voltage ^ of the emitter due to the voltage drop across the load resistor R L actually counteracts the blocking j of the transistor T 2 . In order to block the transistor T 2 , there is a blocking voltage

notwendig. Diese Forderung ist nicht immpr erfüllt. Zum Beweis formt man die Ungleichung um. Bei vernachlässigbarer Streuinduktivität des Übertragers U1 istnecessary. This requirement is not always met. To prove it, one transforms the inequality. With negligible leakage inductance of the transformer U 1 is

U1,U 1 ,

= U1 = U 1

10/1110/11

die Spannung U101n wiederum läßt sich durch denl Basisstrom /B des Transistors T1, /ß = -^ und durch den Widerstand des Steuerkreises (RE + R1) ausdrücken: the voltage U 101n in turn can be expressed by the base current / B of the transistor T 1 , / ß = - ^ and by the resistance of the control circuit (R E + R 1 ) :

β ist die Stromverstärkung in Emitterschaltung s und RE der Eingangswiderstand von Transistor T1. β is the current gain in emitter circuit s and R E is the input resistance of transistor T 1 .

ist durch die Gleichung IL =is by the equation I L =

gegeben.given.

Setzt man diese Gleichung in die Ungleichung ein, so erhält man:If you insert this equation into the inequality, you get:

(R1 + RK) (R 1 + R K )

R ι ρ R ι ρ

Für alle Lastwiderstände, die größer — sindFor all load resistances that are greater - are

ist also Transistor T2 nicht gesperrt.so transistor T 2 is not blocked.

Ein weiterer Nachteil bei dieser Schaltung ist, daß bei fehlender Steuerspannung während einer Halbwelle der Vergleichsspannung U112 beide Transistoren! Strom führen. Neben einer unnötigen Erwärmungt der Transistoren erfolgt auch eine unerwünschte Vormagnetisierung des Eisenkernes von U1. Um die Transistoren nicht zu überlasten, sind Basiswiderstände R1, R2 vorgesehen. Andererseits wird bei einer Aussteuerung der Transistoren unnötig in diesen Widerständen Steuerleistung vernichtet:Another disadvantage of this circuit is that if there is no control voltage during a half cycle of the comparison voltage U 112, both transistors! Conduct electricity. In addition to unnecessary heating of the transistors, there is also an undesired premagnetization of the iron core of U 1 . In order not to overload the transistors, base resistors R 1 , R 2 are provided. On the other hand, if the transistors are controlled, control power is unnecessarily destroyed in these resistors:

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung anzugeben, bei der die genannten Nachteile vermieden i werden. IThe object of the invention is to provide a circuit in which the disadvantages mentioned are avoided i will. I.

Die phasenempfindliche Gleichrichterschaltung wirdc gemäß der Erfindung so ausgebildet, daß die beidenic Enden einer mittelangezapften Sekundärwicklung! eines Bezugsspannungsübertragers, dem primärseitigjs die Bezugsspannung zugeführt ist, mit je einer Tertiär-j wicklung- dieses Übertragers über die Kollektor-vThe phase-sensitive rectifier circuit is designed according to the invention so that the two ic Ends of a center-tapped secondary winding! of a reference voltage transformer, the js the reference voltage is supplied, with a tertiary-j winding each of this transformer via the collector-v

j-Emitter-Strecke je eines Gleichrichter-Transistors ver-Ij bunden sind, daß der Lastwiderstand zwischen der μ Mittelanzapfung der Sekundärwicklung und der Durchverbindung der freien Anschlüsse der Tertiärwicklungen liegt, daß die Basis eines jeden Gleichrichter-Transistors mit dem Kollektor je eines zu den Gleichrichter-Transistoren komplementären Transistors verbunden ist, daß ferner die Emitter dieser Transistoren miteinander und mit der Mittelanzapfung ler Sekundärwicklung eines Signalübertragers, dem primarseitig das Wechselspannungssignal zugeführt ist, verbunden sind, wobei die Basis eines jeden komplementären Transistors jeweils an ein Ende der !ekundärwicklung des Signalübertragers geführt ist und die Mittelanzapfung dieser Wicklung entweder mit der Durchverbindung der Tertiärwicklungen des Bezugsspannungsübertragers oder mit einer Mittelanzapfung des Last Widerstandes verbunden ist.j-emitter path of each rectifier transistor ver-Ij are bound that the load resistance between the μ center tap of the secondary winding and the Through connection of the free connections of the tertiary windings lies that the base of each rectifier transistor with the collector each of a transistor complementary to the rectifier transistors is connected that also the emitters of these transistors with each other and with the center tap ler secondary winding of a signal transmitter to which the AC voltage signal is fed on the primary side is connected, with the base of each complementary transistor each at one end of the ! Secondary winding of the signal transmitter is performed and the center tap of this winding either with the through connection of the tertiary windings of the reference voltage transformer or with a center tap of the load resistor is connected.

Bei der erfindungsgemäßen Schaltung werden die ;enannten Nachteile dadurch vermieden, daß die Steuerung der Gleichrichter-Transistoren über zu ihnen komplementäre Transistoren erfolgt. Lastkreis und Steuerkreis des jeweils gesperrten Gleichrichter-Transistors werden durch den Kollektorsperrwidertand des ihm vorgeschalteten Transistors entkoppelt; der Spannungsabfall am Lastwiderstand kann deshalb den jeweils gesperrten Gleichrichter-Transistor nicht beeinflussen.In the circuit according to the invention, the disadvantages mentioned are avoided in that the The rectifier transistors are controlled via transistors complementary to them. Load circuit and control circuit of the respective blocked rectifier transistor are switched off by the collector blocking resistor of the transistor upstream of it decoupled; the voltage drop across the load resistor can therefore do not influence the blocked rectifier transistor.

Die Erfindung wird an Hand der in den F i g. 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiele näher eräutert. The invention is illustrated by means of the FIGS. 2 and 3 illustrated embodiments explained in more detail.

Im folgenden wird die Schaltung nach F i g. 2 in den beiden möglichen Phasenlagen von Bezugspannung Ul/2 und S.teuerspannung (Wechselspannungssignal) l/19/20 und bei fehlender Steuerspannung (^19/20 = 0) betrachtet.In the following, the circuit according to FIG. 2 considered in the two possible phase positions of reference voltage U l / 2 and S control voltage (AC voltage signal) l / 19/20 and when there is no control voltage (^ 19/20 = 0).

1. Sind Ui12 und U19120 positiv, so sind die Punkte 3, 5, 7, 9, 15, 17 positiv, und die Elektroden 5 von Transistor 7J und 9 von Transistor T2 werden als Emitter betrieben; die Transistoren T3,T4 erhalten demnach über die Emitter-Basis-Strecke der Transistoren 7i, T2 eine Kollektorspannung richtiger Polarität. Transistor T3 ist durch die Spannung t/15/16 ausgesteuert. Sein Kollektorstrom /C3 ist gleich dem Basisstrom IBl von Transistor T1. Transistor Ti wird in Kollektor-, schaltung betrieben; er hat eine Stromverstärkung1. If Ui 12 and U 19120 are positive, points 3, 5, 7, 9, 15, 17 are positive, and the electrodes 5 of transistor 7J and 9 of transistor T 2 are operated as emitters; the transistors T 3 , T 4 accordingly receive a collector voltage of the correct polarity via the emitter-base path of the transistors 7i, T 2. Transistor T 3 is controlled by the voltage t / 15/16. Its collector current / C3 is equal to the base current I Bl of transistor T 1 . Transistor Ti is operated in collector circuit; he has a current gain

P- =P- =

= ßi -Hl. Die Stromverstärkung des in Emitter- = ßi -Hl. The current gain of the emitter

'ei'egg

2. Ist l/j/2 positiv und t/19/20 negativ, so sind die Elektroden 5 und 9 die Emitter der Transistoren T1, T2. Die Transistoren T3, T4 erhalten über die jsmitterdioden der Transistoren T1, T2 eine Kollektorspannung richtiger Polarität; da jedoch die Steuerspannungen Ui51I6 und Un/l8 negativ sind, ist Transistor T3 gesperrt und Transistor T4 ausgesteuert. Transistor T2 wird in dieser Phase wie Transistor T4 in Emitterschaltung betrieben, so daß die Stromverstärkung der beiden direkt gekoppelten und in Kaskade geschalteten Transistoren T2, T4 den Wert2. If l / j / 2 is positive and t / 19/20 is negative, electrodes 5 and 9 are the emitters of transistors T 1 , T 2 . The transistors T 3 , T 4 receive a collector voltage of the correct polarity via the jsmitter diodes of the transistors T 1 , T 2; However, since the control voltages Ui 51 I 6 and Un / l8 are negative, transistor T 3 is blocked and transistor T 4 is switched off . In this phase transistor T 2 is operated like transistor T 4 in emitter circuit, so that the current gain of the two directly coupled and cascaded transistors T 2 , T 4 has the value

■■■■--. ■·■ -■·■■·■■ /,■■■■ -. ■ · ■ - ■ · ■■ · ■■ /,

'C2'C2

hat. Durch den Last widerstand RL fließt ein Strom von Punkt 6 nach Punkt 16. In der folgenden Halbwelle sind bei gleichbleibender Phasenlage zwischen U1 2 und U19120 die Transistoren T4, T2 gesperrt und die Transistoren TJ, T1 ausgesteuert, so daß der Strom durch RL von Punkt 6 nach Punkt 16 fließt.has. Through the load resistor R L , a current flows from point 6 to point 16. In the following half-wave, with the phase position between U 1 2 and U 19120 remaining the same, transistors T 4 , T 2 are blocked and transistors TJ, T 1 are controlled so that the current flows through R L from point 6 to point 16.

3. 1st die Steuerspannung U19120 = 0 und liegt nur eine Bezugsspannung Uh2 mit abwechselnd positivem und negativem Vorzeichen an den Klemmen 1/2, so sind Basis und Emitter von Transistor T3 über die Wicklung 15/16 sowie Basis und Emitter von Transistor T4. über die Wicklung 17/18 miteinander verbunden. Die Transistoren T3, T4 sind also in jedem Falle gesperrt; die Basiskreise der Transistoren T1, T2 sind dadurch aufgetrennt, so daß auch diese beiden Transistoren beim Fehlen einer Steuerspannung ^i9/2o = 0 gesperrt sind. 3. If the control voltage U 19120 = 0 and there is only one reference voltage U h2 with an alternating positive and negative sign at terminals 1/2, the base and emitter of transistor T 3 are via winding 15/16 and the base and emitter of transistor T 4 . connected to one another via the winding 17/18. The transistors T 3 , T 4 are therefore blocked in each case; the base circuits of the transistors T 1 , T 2 are separated so that these two transistors are also blocked in the absence of a control voltage ^ i9 / 2o = 0.

In diesem Ausführungsbeispiel werden die Transistoren T1, T2 in der einen Phasenlage (U112, U19120 haben jeweils gleiches Vorzeichen) in Kollektorschaltung, in der anderen Phasenlage (LZ1 2, l/19/20 haben jeweils ungleiches Vorzeichen) in Emitterschaltung betrieben. Die Spannungsverstärkung in Kollektorschaltung errechnet sich ausIn this embodiment, the transistors T 1 , T 2 are in the one phase position (U 112 , U 19120 each have the same sign) in the collector circuit, in the other phase position (LZ 1 2 , 1 / 19/20 each have an unequal sign) in the emitter circuit operated. The voltage gain in the collector circuit is calculated from

rh + iHre
die Stromverstärkung aus
r h + iHr e
the current amplification off

die Leistungsverstärkung Pk ist das Produkt aus Strom- und Spannungsverstärkung:the power gain P k is the product of the current and voltage gain:

schaltung betriebenen Transistors T3 beträgt 7^ = ^,circuit operated transistor T 3 is 7 ^ = ^,

und es gilt /C3 '== J81; die Stromverstärkung der beiden direkt gekoppelten und iri Kaskade geschalteten Transistoren T1, T3 hat deshalb den Wertand / C3 '== J 81 ; the current gain of the two directly coupled and cascaded transistors T 1 , T 3 therefore has the value

In Emitterschaltung beträgt die Spannungsverstärküng = (iRL In the emitter circuit the voltage gain is = (iR L

55 die Stromverstärkung 55 the current gain

Durch den Lastwiderstand RL fließt deshalb ein Strom /,vom Punkt 16 nach Punkt 6. Transistor T4 ist durch die Spannung l/17/18 gesperrt; der Basiskreis von Transistor T2 ist dadurch aufgetrennt, so daß auch Transistor T2 gesperrt ist. Es zeigt sich, daß in der folgenden Halbwelle bei gleichbleibender Phasenlage zwischen U1/2 und Ul9/20 die Transistoren T2, T4 Strom führen und die Transistoren T1, , T3 gesperrt sind, so daß der Strom durch den Lastwiderstand wieder von Punkt 16 nach Punkt 6 fließt.A current / therefore flows through the load resistor R L , from point 16 to point 6. Transistor T 4 is blocked by the voltage I / 17/18; the base circuit of transistor T 2 is thereby separated, so that transistor T 2 is also blocked. It can be seen that in the following half-wave with constant phase position between U 1/2 and U 19/20, the transistors T 2 , T 4 conduct current and the transistors T 1 , T 3 are blocked, so that the current through the load resistor flows again from point 16 to point 6.

-T-) = ß-T-) = ß

und die Leistungsverstärkungand the power gain

in den Gleichungen bedeuten IZ1, Z1 Eingangsspannung und -strom, U2, I2 Ausgangsspannung und -strom, β die Stromverstärkung in Emitterschaltung, RL denin the equations IZ 1 , Z 1 mean input voltage and current, U 2 , I 2 mean output voltage and current, β the current gain in the emitter circuit, R L denotes

Lastwiderstand, rh den Basiswiderstand und re den Emitterwiderstand.Load resistance, r h the base resistance and r e the emitter resistance.

Man entnimmt den Gleichungen, daß Spannungsund Leistungsverstärkung Tür Emitter- und Kollektorschaltung nur für Werte RL re gleich sind. Für Werte RL » re und // · RL » rb wird die Leistungsverstärkung in Kollektorschaltung PK ~ β < Pt:. It can be seen from the equations that the voltage and power amplification of the emitter and collector circuit are only the same for values R L r e. For values R L » r e and // · R L » r b , the power gain in the collector circuit becomes P K ~ β <P t:.

Nun ist die Stromverstärkung eines invers betriebenen Transistors im allgemeinen kleiner als die des normal betriebenen; man kann deshalb einen Ausgleich des Unterschiedes zwischen den Leistungsverstärkungen PK und Pt· (bei großem RL) erzielen, indem man die Transistoren T1, T2 invers betreibt, wenn sie in Emitterschaltung arbeiten, und normal betreibt, wenn sie in Kollektorschaltung arbeiten. Man braucht zu diesem Zweck nur die Emitterelektroden der Transistoren T1, T2 an den Punkten 5 bzw. 8 anzuschließen.Now the current gain of an inversely operated transistor is generally smaller than that of the normally operated; the difference between the power gains P K and P t · (with a large R L ) can therefore be compensated for by operating the transistors T 1 , T 2 inversely when they operate in the common emitter circuit and operate normally when they are in the common collector circuit work. For this purpose, only the emitter electrodes of the transistors T 1 , T 2 need to be connected to points 5 and 8, respectively.

Bei der Schaltung nach F i g. 3 ist der Arbeitswiderstand R1 halbiert, und die Emitterelektroden der Transistoren T3, T4 sowie Punkt 16 der Wicklung 15/18 sind an den Mittelabgriff 21 des Lastwiderstandes geführt. Während bei der Schaltung des ersten Ausführungsbcispiclcs nach F i g. 2 die Transistoren T1, T2 in der einen Phasenlage von Bezugs- und Steuerspannung (beide jeweils gleiche Vorzeichen) in Kollektorschaltung und in der anderen Phasenlage" (beide Spannungen haben jeweils ungleiches Vorzeiehen) in Emitterschaltung betrieben werden, ist der Betrieb der Transistoren T1. T2 in der Schaltung von F i g. 3 in allen Phasenlagen zwischen Steucr- und Bezugsspannung gleich. Es liegt immer ein Widerstand R1. z im Lastkreis und ein Widerstand R, 2 im Steuerkreis der Transistoren T1, T2, so daß man. gleiche Stromverstärkung in beiden Betricbsrichtungen vorausgesetzt, in beiden AussteuerungsfällenIn the circuit according to FIG. 3, the load resistance R 1 is halved, and the emitter electrodes of the transistors T 3 , T 4 and point 16 of the winding 15/18 are connected to the center tap 21 of the load resistor. While in the circuit of the first embodiment according to FIG. 2 the transistors T 1 , T 2 are operated in one phase position of the reference and control voltage (both with the same sign) in the collector circuit and in the other phase position "(both voltages have unequal prefixes) in the emitter circuit, the operation of the transistors T 1. T 2 in the circuit of FIG. 3 is the same in all phase positions between control and reference voltage. There is always a resistor R 1, z in the load circuit and a resistor R, 2 in the control circuit of the transistors T 1 , T 2 , so that the same current gain is assumed in both operating directions, in both modulation cases

gleiche Verstärkung erhält. 1st .,' :s» r,.und '-,'· » rh. same gain. 1st., ': S »r, .and' -, '·» r h .

so ergibt sich eine Spannungsverstärkung etwa der Größe 2 und eine Leistungsverstärkung etwa der Größe 2(i. Die Wirkungsweise der Schaltung läßt sich im übrigen mit Hilfe der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels nach F i g. 2 verstehen.This results in a voltage gain of approximately size 2 and a power gain of approximately size 2 (i. The mode of operation of the circuit can also be understood with the aid of the description of the first exemplary embodiment according to FIG. 2.

Claims (1)

Patentanspruch: ; Patent claim:; Phasenempfindliche Gleichrichterschaltung unter Verwendung von Übertragern und Transistoren zur Umformung eines Wechselspännungssignals in einen Gleichstrom, der einen Last widerstand durchfließt und dessen Richtung durch die Phase des Wechselspannungssignals im Vergleich zu der Phase einer Bezugsspannung bestimmt ist und dessen Größe proportional zur Amplitude des Wechselspannungssignals ist, insbesondere für Steuerung bzw. Regelung, dadurchgekenn- - zeichnet, daß die beiden Enden einer mittelangezapften Sekundärwicklung (5, 6, 7, 8) eines Bezugsspannungsübertragers (V1), dem primärseitig (1, 2) die Bezugsspannung (U1 /2) zugeführt ist, mit je einer Tertiärwicklung (3/4, 9/10) dieses Übertragers über die Kollektor-Emitter-Strecke je eines Gleichrichter-Transistors (T1, T2) verbun den sind, daß der Lastwiderstand (R1) zwischen der Mittelanzapfung (6, 7) der Sekundärwicklung (5, 6, 7, 8) und der Durchverbindung der freien Anschlüsse (3, 10) der Tertiärwicklungen (3/4 und 9/10) liegt, daß die Basis (11, 12), eines jeden Gleichrichter-Transistors (T,, T2) mit dem Kollektor je eines zu den Gleichrichter-Transistoren (T1, T2) komplementären Transistors (T3, T4) verbunden ist, daß ferner die Emitter dieser Transistoren (T3. T4) miteinander und mit der Mittclanzapfung (16, 17) der Sekundärwicklung (15, 16. 17, 18) eines Signalübertragers (Uj), dem primärseitig (19, 20) das Wechselspannungssignal (Uiq 20) zugeführt ist, verbunden sind, wobei die Basis (13,14) eines jeden komplementären Transistors (T3, T4)JeWCiIs an ein Ende der Sekundärwicklung (15, 16, 17, 18) de Signalübertragers (t?i) geführt ist und die Mittelanzapfung (16. 17) dieser Wicklung (15, 16, 17, 18 entweder mit der Durchverbindung der Tertiärwicklungen (3 4 und 9 10) des Bezugsspannungsübertragers (P2) oder mit einer Mittelanzapfung (21 in Fig. 3) des Lastwiderstandes (R1) verbunden ist. v Phase-sensitive rectifier circuit using transformers and transistors to convert an AC voltage signal into a direct current, which flows through a load resistor and whose direction is determined by the phase of the AC voltage signal in comparison to the phase of a reference voltage and whose size is proportional to the amplitude of the AC voltage signal, especially for Open-loop or closed-loop control, characterized in that the two ends of a center-tapped secondary winding (5, 6, 7, 8) of a reference voltage transformer (V 1 ) to which the reference voltage (U 1/2 ) is fed on the primary side (1, 2) , each with a tertiary winding (3/4, 9/10) of this transformer via the collector-emitter path of a rectifier transistor (T 1 , T 2 ) verbun that the load resistance (R 1 ) between the center tap ( 6, 7) of the secondary winding (5, 6, 7, 8) and the through connection of the free connections (3, 10) of the tertiary windings (3/4 and 9/10) is that the base (11, 12) of each rectifier transistor (T ,, T 2) each one connected to the collector of the rectifier transistors (T 1, T 2) complementary transistor (T 3, T 4) is that the emitters of these transistors (T 3 . T 4 ) are connected to one another and to the center tap (16, 17) of the secondary winding (15, 16. 17, 18) of a signal transmitter (Uj) to which the AC voltage signal (U iq 20 ) is fed on the primary side (19, 20), wherein the base (13,14) of each complementary transistor (T 3 , T 4 ) JeWCiIs is led to one end of the secondary winding (15, 16, 17, 18) of the signal transmitter (t? i) and the center tap (16. 17 ) this winding (15, 16, 17, 18 either with the through connection of the tertiary windings (3 4 and 9 10) of the reference voltage transformer (P 2 ) or with a center tap (21 in Fig. 3) of the load resistor (R 1 ) is connected. v Hierzu I Blatt ZeichnungenFor this purpose I sheet drawings

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