DE1439627A1 - Method for contacting several semiconductor components located on a common semiconductor wafer - Google Patents

Method for contacting several semiconductor components located on a common semiconductor wafer

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DE1439627A1 DE19631439627 DE1439627A DE1439627A1 DE 1439627 A1 DE1439627 A1 DE 1439627A1 DE 19631439627 DE19631439627 DE 19631439627 DE 1439627 A DE1439627 A DE 1439627A DE 1439627 A1 DE1439627 A1 DE 1439627A1
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Description

Patentverwertungs-G. m. b. H. Ulm (Donau), Elisabethenstr. 3Patent utilization G. m. b. H. Ulm (Danube), Elisabethenstr. 3

Ulm (Donau), den 2o. 5. 1963Ulm (Danube), the 2o. 5th 1963

FE/Pt-La/BeFE / Pt-La / Be

U 53/63U 53/63

"Verfuhren zum Kontaktieren von mehreren auf einer gemeinsamen Halbleiterscheibe befindlichen Halbleiterbauelementen""Tempted to contact several semiconductor components located on a common semiconductor wafer "

In der Halbleitertechnik ist es bekanntlich nicht üblich, die Halbleiterbauelemente bereits dann zu kontaktieren, wenn ihre Halbleiterplättchen noch Bestandteil einer gemeinsamen Halbleiterscheibe sind. Dies hat den Nachteil, daß der ursprünglich auf der Halbleiterscheibe vorhandene Ordnungszustand durch das Zerlegen der Scheibe in Einzelsysteme zunächst zerstört und anschließend durch einen besonderen Ordnungsfrozeß mühsam wieder hergestellt wird.In semiconductor technology it is known not to make contact with the semiconductor components when their semiconductor wafers are still part of a common semiconductor wafer. This has the disadvantage that the originally The state of order present on the semiconductor wafer by breaking down the wafer into individual systems destroyed and then painstakingly restored through a special process of order.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das umständliche Ordnen der Einzelsysteme vor dem Kontaktieren zu vermeiden und zur Kontaktierung den vor der Trennung der Einzelsysteme auf der gemeinsamen Halbleiterscheibe bereits vorhandenen Ordnungszustand auszunutzen. Die Erfindung besteht darin,The invention is based on the object of avoiding the cumbersome arrangement of the individual systems before contacting them and for contacting before the separation of the individual systems to exploit the state of order that is already present on the common semiconductor wafer. The invention consists in

909810/0 3 70909810/0 3 70

daß die Zinken eines kammformig ausgebildeten und aus Elektrodenzuleitungsmaterial bestehenden Kontaktierungskörpex» mit den auf der Halbleiterscheibe vorhandenen Kontaktierungsstellen in Berührung gebracht und mit diesen verlötet werden. Anschließend werden die Zinken zur Verwendung als Elektrodenzuleitungen vom übrigen Teil des Kontaktierungskörpers getrennt und auf clie gewünschte Länge zugeschnitten.that the prongs of a comb-shaped and made of electrode lead material existing contacting bodies » brought into contact with the contacting points present on the semiconductor wafer and soldered to them will. The prongs are then used as electrode leads from the remaining part of the contacting body separated and cut to the desired length.

Erst nach dem Anlöten der Zinken wird der durch die gemeinsame Halbleiterscheibe vorgegebene Ordnungszustand aufgelöst,, indem die Einzelsysteme voneinander getrennt werden. Die (Trennung der Einzelsysteme kann beispielsweise mit Hilfe eines Ultraschallbohrers herbeigoführt werden. Es besteht auch die Möglichkeit, die Einzelsysteme uurch Brechen voneinander zu trennen«, wenn die Halbleiterscheibe zuvor geritzt wird. Da die Zinken des kammformigen Kontaktierungskörpers, der vorzugweise blechförmig ausgebildet ist, die Elektrodenzuleitungen ergeben, geht man von einem Elektrodenblech aus, dessen Stärke gleich der Dicke der Elektrodenzuleitungen ist. Der Abstand der einzelnen Zinken wird so gewählt, daß er gleich dem Abstand der einander benachbarten Kontaktie— 'rungsstellen ist.Only after the prongs have been soldered on is the state of order given by the common semiconductor wafer resolved. by separating the individual systems from one another. the (Separation of the individual systems can be brought about, for example, with the help of an ultrasonic drill also the possibility of separating the individual systems from one another by breaking «if the semiconductor wafer has been scratched beforehand will. Since the prongs of the comb-shaped contacting body, which is preferably designed in sheet form, the electrode leads result, one assumes an electrode sheet whose thickness is equal to the thickness of the electrode leads is. The distance between the individual prongs is chosen so that it is equal to the distance between the adjacent contacts. 'ration points is.

Die Zinken des kammformig ausgebildeten Elektrodenbleches können beispielsweise mit ihrer Stirnseite auf die Kon— >The prongs of the comb-shaped electrode sheet can for example with their front side on the Kon—>

90 9810/037090 9810/0370

BAD ORIGINAL'BATH ORIGINAL '

taktierungsstelle aufgelötet werden. Es "besteht aber auch die Möglichkeit, die Enden der Zinken vor dem Auflöten abzuwinkein und die abgewinkelten Teile auf die Kontaktstellen aufzubringen und mit diesen zu verlöten. Hach dem erfindungsgemäßen Verfahren können sowohl auf dem Halbleiterkristall befindliche Elektroden als auch der Halbleiterkristall selbst kontaktiert werden.billing point to be soldered. But it also exists the possibility of angled the ends of the prongs before soldering and the angled parts on the contact points to apply and to be soldered to these. Hach the invention Processes can include electrodes located on the semiconductor crystal as well as the semiconductor crystal itself to be contacted.

Der Ordnungszustand, in dem sich die Einzelelemente auf der noch nicht aufgeteilten Halbleiterscheibe befinden, kann auch dann aufrecht erhalten werden, wenn die Scheibe bereits vor dem Kontaktieren gebrochen oder geschnitten wird. In diesem Falle muß die Halbleiterscheibe bzw. der gemeinsame Halbleiterkörper allerdings durch eine geeignete Unterlage, vorzugsweise ein Klebeband oder ein Einbettmittel, fixiert werden, damit die in ungebrochenem Zustand vorhandene gegenseitige Lage der Einzelsysteme aufrecht erhalten wird.The state of order in which the individual elements are located on the Semiconductor wafer that has not yet been divided can be maintained even if the wafer is already in front is broken or cut after contacting. In this case, the semiconductor wafer or the common semiconductor body must however, they are fixed with a suitable base, preferably an adhesive tape or an embedding material, so that the mutual position of the individual systems in the unbroken state is maintained.

Die Erfindimg soll an einigen Ausführungsbeispielen erläutert werden.The invention is to be explained using a few exemplary embodiments.

Die Fig. 1 zeigt eine kreisförmige Halbleiterscheibe 1, die mit Hilfe eines Diamanten mit Ritzlinien versehen ist. Die1 shows a circular semiconductor wafer 1 which is provided with scratch lines with the aid of a diamond. the

909810/0370909810/0370

BAD ORJGlNAl >A,,;:.BAD ORJGlNAl> A ,, ;: .

zueinander -senkrecht verlaufenden Kitzlinien 2 und J "begrenzen eine Vielzahl von einzelnen rechteckförmigen Halbloiterplättchen 4-, welche als Halbleiterkörper der Einzelsysteme Verwendung finden und als solche nach dem Kontaktieren oder bei Benutzung eines Klebebandes unter Umständen auch schon vor dem Kontaktieren durch Brechen entlang den Ritzlinien voneinander getrennt werden.Limit the fawn lines 2 and J "running perpendicular to each other a multitude of individual rectangular half-loiter plates 4-, which are used as the semiconductor body of the individual systems and as such after contacting or when using an adhesive tape, possibly even before be separated from each other after contacting by breaking along the score lines.

Bei Transistoren mit diffundierter Basiszone ist es beispielsweise üblich, die gesamte eine Oberflächenseite des Kollektorkörpers zur Kontaktierung der Kollektorzone auf eine Elektrode aufzulöten. Dies erreicht man nach !Fig. 2, indem die Stirnseiten der Zinken 5 eines kammförmig ausgebildeten und aus Elektrodenzuleitungsmaterial bestehenden Kontaktierungskörpers 6 gemäß der Erfindung auf die eine Oberflächenseite der durch die Sitzlinien 2 und 3 begrenzten Halbieiterplättchen M-aufgesetzt und mit diesen verlötet werden. Die Halbieiterplättchen 4 sind in Fig. 2 noch nicht voneinander getrennt, sondern noch Bestandteil der gemeinsamen Halbleiterscheibe 1ft„In the case of transistors with a diffused base zone, it is customary, for example, to solder the entire one surface side of the collector body to an electrode in order to make contact with the collector zone. This can be achieved according to Fig. 2, in that the end faces of the prongs 5 of a comb-shaped and made of electrode lead material contacting body 6 according to the invention are placed on one surface side of the semi-conductor plates M- delimited by the seat lines 2 and 3 and are soldered to them. The semiconductor wafers 4 are not yet separated from one another in FIG. 2, but are still part of the common semiconductor wafer 1 ft "

In Fig. 2 ist der besseren Übersichtlichkeit wegen zunächst nur ein kammförmiger Kontaktierungskörper 6 auf die HaIb-For the sake of clarity, FIG. 2 initially shows only a comb-shaped contacting body 6 on the half

- 5 -9098107 0 370- 5 - 9098 107 0 370

BADBATH

leiterscheibe Λ aufgesetzt, sodaß nur eine Zeile der Halbleiterscheibe 1 von den Zinken 5 erfaßt wird. Im allgemeinen werden jedoch gemäß Fig. 3 so viele Kämme 6 paketförmig aneinander gereiht, daß möglichst viele der auf der gemeinsamen Halbleiterscheibe vorhandenen Halbleiterplättchen in einem einzigen Verfahrensschritt kontaktiert werden. Die Zinkenabstände 7 müssen natürlich so gewählt werden, daß die Stirnseiten der Zinken nicht auf benachbarte Halbleiterplättchen übergreifen.Conductor disk Λ placed so that only one row of the semiconductor wafer 1 is covered by the prongs 5. In general, however, as shown in FIG. 3, so many combs 6 are lined up next to one another in packet form that as many as possible of the semiconductor wafers present on the common semiconductor wafer are contacted in a single process step. The prong spacings 7 must of course be chosen so that the end faces of the prongs do not overlap with neighboring semiconductor wafers.

In Fig. 4 ist die in Fig. 2· durch die Zinken des kammförmigen Kontaktierungskörpers 6 erfaßte Zeile bereits aus der Halbleiterscheibe 1 herausgebrochen oder herausgeschnitten,. Die einzelnen Halbleiterplättchen 4- liegen dabei auf den Stirnseiten der Zinken 5 auf. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die Zinken entsprechend der Darstellung in Fig. 4 von dem übrigen Teil des kammförmigen ausgebildeten Kontaktierungskörpers 6 getrennt und dabei auf die zur Kontaktierung erforderliche Länge zugeschnitten. Dies kann beispielsweise durch Fräsen oder Stanzen erfolgen.In Fig. 4 is that in Fig. 2 · by the prongs of the comb-shaped Contacting body 6 already detected from the line Semiconductor wafer 1 broken out or cut out. The individual semiconductor wafers 4- lie on the end faces of the prongs 5. In a further process step, the prongs are shown in FIG Fig. 4 separated from the remaining part of the comb-shaped contact-making body 6 and thereby to the contact-making cut to required length. This can be done, for example, by milling or punching.

Die Fig. 5 zeigt die Kontaktierung der den Zinken 5 gegenüberliegenden Halbleiteroberflächenseiten, bei der ebenfalls5 shows the contacting of the prongs 5 opposite Semiconductor surface sides, in which also

909810/0370 BAD909810/0370 BATH

kammförmige Kontaktierungskörper 8 verwendet werden. Die Zinken 9 dieser EontakticrungskÖrper sind im Ausführungsbeispiel der Fig. 5 jedoch nicht unmittelbar mit den Elektroden verlötet, sondern nach, der sogenannten "stripline-Technik" mit elektrischen Belägen, die sich von aus der Fig. 5 nicht ersichtlichen Elektroden "bis zur Oberfläche der' Quarzpodeste 'erstrecken. Die Zinken 9 verlaufen dabei parallel zu den großflächigen Halblöiteroberflächenseiten. Comb-shaped contacting body 8 can be used. the Prongs 9 of these contacting bodies are, however, not directly connected to the electrodes in the exemplary embodiment in FIG. 5 soldered, but according to the so-called "stripline technique" with electrical coverings that are not different from FIG. 5 visible electrodes "up to the surface of the 'quartz pedestals 'extend. The prongs 9 run parallel to the large half-length surface sides.

Die Fig. 6 zeigt die beiderseitige Kontaktierung von diffusedbase-Transistoren, die aus den auf die Zinken 5 aufgelöteten Halbleiterplättchen 4 vom Leitungstyp der Kollektorzone sowie aus den Emitter- und Basiselektrodan 11 und 12 bestehen. Die Basiszonen sind bei diesen Transistoren auf der den Zinken 5 gegenüberliegenden Oberflächenseite in die Plättchen M- eindiffundiert. Die Kontaktierung der Emitter- und Basisei&troden erfolgt im Ausführungsbeispiel der Fig. 6 unmittelbar durch die als Elektrodenzuleitungen dienenden Zinken 9j die von dem ursprünglich vorhandenen kammförmigen Kontaktierungskörper bereits getrennt sind. Die Kollektorelektroden bilden dagegen die Sinken 5» auf deren Stirnseiten die Halbleiterplättchen M- aufgelötet sind.6 shows the mutual contacting of diffused base transistors, which consist of the semiconductor platelets 4 of the conductivity type of the collector zone soldered onto the prongs 5 and of the emitter and base electrodes 11 and 12. In these transistors, the base zones are diffused into the platelets M- on the surface side opposite the prongs 5. The contacting of the emitter and base electrodes takes place in the exemplary embodiment of FIG. 6 directly by the prongs 9j serving as electrode leads, which are already separated from the originally present comb-shaped contacting body. The collector electrodes, on the other hand, form the sinks 5 »on whose end faces the semiconductor wafers M- are soldered.

9098 10/0370 BAD ORIGINAL9098 10/0370 BATH ORIGINAL

Die Fig. 7 bef .ßt sich ebenfalls mit der Kontaktierung der Emitterseite der iuf die Zinken 5 ".uflegierten Halbleiterplättchen 4, und zwar werden dabei viele Zeilen gleichzeitig mit Hilfe von Drähten 13 kontaktiert, die über die Gesamtheit der Zeilen gelegt sind. Diese Drähte werden nach dem Auf legieren im mittleren Bereich zwischen je zwei Kontaktierungskörpern 6 durchgeschnitten. Die Kontaktierungskörper sind so weit auseinander gezogen, daß die durch Aufteilung der Drähte entstehenden Elektrodenzuleitungen die gewünschte Länge erhalten.7 is also concerned with the contacting of the Emitter side of the semiconductor wafers unalloyed on the prongs 5 " 4, and that many lines are contacted simultaneously with the aid of wires 13 that extend over the entirety the lines are laid. These wires are alloyed in the middle area between two contacting bodies 6 cut through. The contacting bodies are pulled apart so far that the by division The electrode leads produced by the wires are given the desired length.

In- Fig. 8 bestehen sämtliche Elektroden aus Zinken eines kammförmigen Kontaktierungskörpers. Die Zinken 9 sind im Gegensatz zu den Zinken 5 rechtwinklig abgewinkelt, so daß sie nicht mit ihren Stirnseiten, sondern mit den abgewinkelten Teilen aufgelötet sind, rfird die gesamte Halbleiterseite auch auf der Emitterseite gleichzeitig kontaktiert, so sind bei Verwendung von abgewinkelten Zinken 9 aus der Fig. 8 ersichtliche Abstandshalter 14 erforderlich, die für den erforderliehen Abstand zwischen den Eontaktierungskörpern 8 sorgen. Solche Abstandshalter 14 werden auch dann benötigt, wenn der Halbleiterkörper nach Fig. 9 mit abgewinkelten Zinken 5 kontaktiert wird.In Fig. 8, all of the electrodes are made up of tines comb-shaped contacting body. The prongs 9 are angled at right angles in contrast to the prongs 5, so that if they are not soldered on with their end faces, but with the angled parts, the entire semiconductor side is also soldered on contacted at the same time on the emitter side, so when using angled prongs 9 from FIG. 8 can be seen Spacers 14 required for the required Ensure distance between the contacting bodies 8. Such spacers 14 are also needed when the semiconductor body according to FIG. 9 with angled prongs 5 is contacted.

909810/0370, BAD 909810/0370, BAD

Die Fig. 1o -zeigt die "beiderseitige Kontaktierung mehrerer noch zusammenhängende Halbleitorplättchen 4-, Zur Kontaktierung dienen dabei auf der einen Oberflächenseite die Stirnseiten der Zinken 5» während die Elektroden auf der gegenüberliegenden Seite mit Hilfe von abgewinkelten Zinken 9 kontaktiert sind. Die Pig* 11 zeigt den beidseitig kontaktierten Teil einer Zeile, welche aus dem in Fig. 1o dargestellten Scheibenbereich herausgebrochen oder herausgeschnitten ist.Fig. 1o shows the "mutual contacting of several still connected semiconductor wafers 4-, for contacting serve on one surface side of the front sides of the prongs 5 »while the electrodes on the opposite Side with the help of angled prongs 9 are contacted. The Pig * 11 shows the part of a with contact on both sides Line which has broken out or cut out of the disk area shown in FIG. 1o.

909810/0370909810/0370

SA0 OFUGlNAt.SA0 OFUGlNAt.

Claims (12)

PatentansprücheClaims erfahren zum Eontaktieren von mehreren auf einer gemeinsamen Halbleiterscheibe befindlichen Halbleiterbauelementen» dadurch gekennzeichnet, daß die Zinken eines kammförmig ausgebildeten und aus Elektrodenzuleitungsmaterial bestehenden Kontaktierungskörpers mit den s-uf deir Halbleiterscheibe vorhandenen Kontaktierungsstellen in Berührung gebracht und mit diesen verlötet werden, und daß dann die Zinken zur Verwendung als Elektrodenzuleitungen vom übrigen Teil des kammfönaigen Kontaktierungskörpers getrennt und auf die gewünschte Länge zugeschnitten «erden.experienced in contacting several semiconductor components located on a common semiconductor wafer » characterized in that the prongs of a comb-shaped and made of electrode lead material Contacting body with the s-uf deir semiconductor wafer existing Contacting points brought into contact and with these are soldered, and that then the prongs for use as electrode leads from the rest of the Kammfönaigen Earth the contacting body separately and cut to the desired length. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der mit Zinken versehene Kontaktierungskörper blechförmig ausgebildet ist.2) Method according to claim 1, characterized in that the contacting body provided with prongs is sheet-like. 3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zinken des kammförmig ausgebildeten Kontaktierungskörpers mit ihrer Stirnseite auf die Kontaktierungsstellen aufgelötet werden.3) Method according to claim 1 or 2, characterized in that the prongs of the comb-shaped contacting body be soldered with their front side on the contacting points. - 1o -- 1o - 90 9 8 10/037090 9 8 10/0370 4-) Verfahren nach Anspruch ·1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der Zinkenvor dem Auflöten abgewinkelt und die abgewinkelten Teile auf die Eontaktstellen aufgelötet werden«,4-) Method according to claim 1 or 2, characterized in that that the ends of the prongs angled before soldering and the angled parts are soldered onto the contact points «, 5) Verfahren nach einem der -vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe auf ein Klebeband aufgeklebt wird.5) Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the semiconductor wafer is glued to an adhesive tape. 6) Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierung vor oder nach dem Zerteilen der Halbleiterscheibe erfolgt.6) Method according to claim 5, characterized in that the contact is made before or after the cutting of the semiconductor wafer he follows. 7) Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe vor dem Kontaktieren geätzt wird.7) Method according to claim 5 »characterized in that the semiconductor wafer is etched before contacting. 8) Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe durch Brechen aufgeteilt wird und daß das Brechen mit Hilfe der aufgelöteten Zi'lken erfolgt»8) Method according to claim 7 »characterized in that the semiconductor wafer is divided by breaking and that the breaking is done with the help of the soldered-on ticks » 9) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch9) Method according to one of the preceding claims, characterized gekennzeichnet, daß mehrere Kontaktierungskörper aufcharacterized in that several contacting bodies on - 11 -- 11 - 909810/0370 BAD OBIGIfML909810/0370 BAD OBIGIfML der Halbleiterscheibe aneinandergereiht und gleichzeitig mit den Kontaktierungsstellen verlötet -werden.the semiconductor wafer strung together and at the same time are soldered to the contact points. 10) Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungskörper bei Verwendung von abgewinkelten Zinken durch Abstandshalter voneinander getrennt werden.10) Method according to claim 9 »characterized in that the contacting body when using angled Tines are separated from each other by spacers. 11) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zinken des kainmf örmigen Kontaktierungekörpers mit dem Halbleiterkristall selbst oder mit auf dem Halbleiterkristall befindlichen Elektroden verlötet werden.11) Method according to one of the preceding claims, characterized in that the prongs of the kainmf igen contacting body soldered to the semiconductor crystal itself or to electrodes located on the semiconductor crystal will. 12) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nach dem Brechen der Halbleiterscheibe noch nicht kontaktierten Elektroden mit Hilfe der Flacheeite der Zinken eines kammförmigen Kontaktierungskörpers kontaktiert werden·12) Method according to one of the preceding claims, characterized in that after breaking the semiconductor wafer not yet contacted electrodes with the help of the flat side of the prongs of a comb-shaped contacting body be contacted 909810/037Ό909810 / 037Ό
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DE202017101607U1 (en) 2017-03-20 2018-06-25 Indivi Optics Gmbh Optical arrangement of a binocular loupe

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DE202017101607U1 (en) 2017-03-20 2018-06-25 Indivi Optics Gmbh Optical arrangement of a binocular loupe
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