DE1416564B2

DE1416564B2 - Circuit arrangement for compensating the collector leakage currents in a transistor circuit

Info

Publication number: DE1416564B2
Application number: DE19611416564
Authority: DE
Inventors: Christiaan de Nijmegen Ruyter (Niederlande )
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1960-08-18
Filing date: 1961-08-16
Publication date: 1969-10-09
Also published as: CH394381A; NL135790C; JPS411653B1; GB909028A; DE1416564A1

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungs- z. B. bei zehn Vergleichsstufen die letzte Bezugsanordnung zur Kompensation der Kollektor-Leck- spannung 2⁹-mal kleiner als die erste ist. Unter diesen ströme in einer Transistorschaltung, die einer Be- Umständen könnte eine verhältnismäßig geringe lastung einen Gleichstrom vorgegebenen Wertes und Änderung des Leckstroms in einem der Transistoren, beliebiger Polarität zuführt und bei der der Gleich- 5 mittels dessen die größte Bezugsspannung erzeugt strom aus einer von zwei Quellen gleicher Spannung, oder nicht erzeugt wird, leicht einen die kleinste Beaber entgegengesetzter Polarität über den Emitter- zugsspannung überschreitenden Fehler hervorrufen. Kollektor-Kreis eines zweier Transistoren entgegen- In diesem Beispiel ist es somit notwendig, den sich gesetzten Leitfähigkeitstyps geführt wird, indem der mit der Temperatur stark ändernden Einfluß der Basis-Emitter-Ubergang des einen (oder, je nach io Leckströme der Transistoren zu beseitigen.
Polarität, des anderen) dieser Transistoren in Vor- Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß der wärtsrichtung und Sättigung betrieben wird, Vorzugs- die Belastung durchfließende und dem Unterschied weise bei der Erzeugung einer Bezugsspannung im der Kollektor-Leckströme entsprechende Differenz-Eingangswiderstandsnetzwerk eines digitalen Gleich- strom dadurch kompensiert wird, daß die Basisspannungsmessers. 15 Emitter-Übergänge beider Transistoren gleichzeitigThe invention relates to a circuit z. B. with ten comparison stages the last reference arrangement for compensating the collector leakage voltage is 2 ⁹ times smaller than the first. Among these, currents in a transistor circuit, which a relatively low load could supply a direct current of a given value and change in the leakage current in one of the transistors, of any polarity and in which the direct current by means of which the highest reference voltage generated from one of the circumstances two sources of the same voltage, or not generated, easily cause an error exceeding the smallest beaber of opposite polarity via the emitter tension. Collector circuit of one of two transistors against- In this example it is necessary to keep the conductivity type set by eliminating the influence of the base-emitter junction, which changes strongly with temperature, of one of the transistors (or, depending on the io leakage currents of the transistors .
Polarity, of the other) of these transistors in advance This happens according to the invention that the downward direction and saturation is operated, preferably the load flowing through and the difference in generating a reference voltage in the collector leakage currents corresponding differential input resistance network of a digital DC current is compensated by the fact that the base voltmeter. 15 emitter junctions of both transistors at the same time

Solche Schaltungsanordnungen sind bekannt, z. B. bis zur Sättigung in Vorwärtsrichtung betrieben aus AIEE Transactions, Teil I, 1955, S. 120 und 121, werden, so daß der starke Einfluß der Temperatur Fig. 27. Mit einer solchen bekannten Schaltungs- und/oder der untereinander verschiedenen Parameter anordnung kann man selbstverständlich auch, als der zwei Transistoren auf ihre unterschiedlichen Restdritte Möglichkeit neben den beiden Stromrichtungen, 20 ströme in dieser Nulleinstellung ausgeschaltet ist.
den Strom durch die Belastung annähernd auf Null Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher einstellen, indem die Basis-Emitter-Übergänge beider erläutert, die das Schaltbild eines Ausführungs-Transistoren in der Rückwärtsrichtung polarisiert beispiels der Schaltungsanordnung nach der Erwerden. Die Belastung wird dann jedoch noch von findung zeigt.Such circuit arrangements are known, e.g. B. operated to saturation in the forward direction from AIEE Transactions, Part I, 1955, pp. 120 and 121, so that the strong influence of temperature Fig. 27. With such a known circuit and / or the mutually different parameters arrangement One can of course also, when the two transistors are switched off with their different residual third possibility in addition to the two current directions, 20 currents in this zero setting.
the current through the load approximately to zero The invention is set with reference to the drawing by the base-emitter junctions both explained, which polarized the circuit diagram of an execution transistor in the reverse direction, for example the circuit arrangement according to the Erwerden. However, the load is then still shown by the invention.

den Kollektor- oder Emitter-Leckströmen der beiden 25 Die Figur der Zeichnung zeigt ein aus miteinander Transistoren durchflossen. Diese Ströme haben zwar verbundenen Widerständen 2, 3 und 4 bestehendes entgegengesetzte Richtungen, jedoch, insbesondere Netzwerk 1, dem an bestimmten Punkten bestimmte bei schwankenden Betriebstemperaturen, kann der Ströme durch Transistorschaltungen nach der ErFall eintreten, daß sie einander nicht genau aufheben, findung zugeführt werden können. Die Figur zeigt so daß der resultierende Strom durch die Belastung 30 auch eine solche Transistorschaltung, deren Ausgang nicht genau gleich Null ist. mit einem Anschluß I des Netzwerkes 1 verbundenthe collector or emitter leakage currents of the two 25 The figure of the drawing shows one off with each other Flowed through transistors. Although these currents have connected resistors 2, 3 and 4 existing opposite directions, however, especially network 1, that determined at certain points In the event of fluctuating operating temperatures, currents can flow through transistor circuits after the event occur that they do not exactly cancel each other out, that they can be brought to a discovery. The figure shows so that the resulting current through the load 30 also includes such a transistor circuit whose output is not exactly zero. connected to a connection I of the network 1

Es ist weiterhin bekannt, den Temperaturgang von ist. Auch die anderen Anschlüsse II... n-I und η desIt is also known the temperature response of is. The other connections II ... nI and η des

Transistorverstärkern durch Kunstschaltungen mit Netzwerkes sind mit solchen TransistorschaltungenTransistor amplifiers through art circuits with network are with such transistor circuits

weiteren temperaturabhängigen Transistorstufen zu verbunden, die jedoch nicht dargestellt sind. Dasconnected to further temperature-dependent transistor stages, which, however, are not shown. That

kompensieren, so z. B. aus der Zeitschrift »Proceedings 35 Netzwerk 1 liefert somit zwischen dem Anschluß Icompensate, e.g. B. from the journal Proceedings 35 Network 1 thus delivers between port I.

of the IRE«, 1954, Heft 4, S. 661 ff. Schaltungen zur und Erde eine Vergleichsspannung, die gleich derof the IRE «, 1954, No. 4, p. 661 ff. Circuits to and earth a comparison voltage that is equal to the

Kompensation eines Temperaturganges sind außer- Summe der Bezugsspannungen über den verschiede-Compensation of a temperature response are also the sum of the reference voltages across the various

dem bekannt, z. B. aus den deutschen Auslege- nen Widerständen 4 ist. Über zwei weitere Wider-known to z. B. from the German interpretation NEN resistors 4 is. About two more cons

schriften 1067 476 und 1022 639 sowie aus der Be- stände 4' wird diese Bezugsspannung mit einer denWritings 1067 476 and 1022 639 as well as from the stocks 4 'this reference voltage with one of the

Schreibung des deutschen Gebrauchsmusters 1811887. 4° linken Klemmen des Netzwerkes zugeführten Ein-Inscription of the German utility model 1811887. 4 ° left terminals of the network supplied input

Einige dieser bekannten Schaltungen sind zwar gangsspannung verglichen, und zwar durch einen anSome of these known circuits are compared with the output voltage, namely by an

relativ einfach, gestatten jedoch nicht die Lösung der die rechten Klemmen dieses Netzwerkes anzu-relatively simple, but do not allow the solution of the right terminals of this network to be

der vorliegenden Erfindung zugrunde liegenden Auf- schließenden Nullanzeiger.the present invention based on indicative zero indicator.

gäbe, nämlich durch jeweils ein bestimmtes Signal Die dargestellte Transistorschaltung soll somitwould exist, namely by a specific signal in each case. The transistor circuit shown should thus

einen von drei möglichen und wählbaren Zuständen 45 durch zwei mögliche Zustände imstande sein, einenbeing able to one of three possible and selectable states 45 through two possible states, one

einzustellen. Strom bestimmten Wertes und umkehrbarer Richtungto adjust. Current of a certain value and reversible direction

Für bestimmte Zwecke soll durch eine Belastung, von Quellen 5 und 6 gleicher Spannungen, jedoch z. B. einen Widerstand, ein Strom mit genau be- entgegengesetzter Polaritäten, über die Emitterstimmtem Wert geschickt, die Richtung dieses Stroms . Kollektor-Kreise zweier Transistoren 7 und 8 entumgekehrt und der Strom auch genau auf Null ein- 50 gegengesetzter Leitfähigkeitstypen an den Anschluß I gestellt werden können. Diese Aufgabe tritt z. B. auf und an die durch das Netzwerk 1 gebildete Belastung bei einem Digital-Voltmeter für Gleichspannungen zu liefern. Dies erfolgt dadurch, daß der Basisunbekannter Polarität, einem Analog-Digital-Wandler Emitter-Übergang des einen oder des anderen der oder einer stufenweise schaltbaren Anzeigevorrich- Transistoren 7 und 8 in Vorwärtsrichtung betrieben tung, wobei der über einem bekannten Widerstand 55 wird. Außer dem Netzwerk 1 enthält die Belastung durch einen Strom genau bekannten Wertes erzeugte der Transistorschaltung mit ihr in Reihe geSpannungsabfall als positive oder negative Bezugs- schaltete Kollektorwiderstände 11 bzw. 12 und Spannung dient und die mit der zu messenden Span- zu diesen Reihenkombinationen parallelgeschaltete nung zu vergleichende Spannung schrittweise, durch Widerstände 9 bzw. 10. Die Spannungsquellen 5 Addieren der vorhandenen oder nicht vorhandenen 60 und 6 sind in die entsprechenden Emitterkreise der Spannungen einer Reihe solcher Bezugsspannungen Transistoren 7 und 8 eingeschaltet und einseitig geaufgebaut wird. Diese Bezugsspannungen werden erdet, und die Basiselektroden dieser Transistoren durch untereinander gleiche Bezugsströme erzeugt, sind über Ableitwiderstände 13 bzw. 14 an Quellen die den verschiedenen Stufen eines leiterförmigen 15 bzw. 16 entgegengesetzter Spannungen an-Widerstandsnetzwerkes zugeführt werden. Die be- 65 geschlossen. Die Spannung jeder dieser letztgenannten treffenden Werte der aufeinanderfolgenden, auf diese Quellen überschreitet die Vorwärtsspannung der ent-Weise erzeugten Bezugsspannungen haben ein be- sprechenden Emitterspannungsquelle 5 bzw. 6, so daß stimmtes gegenseitiges Verhältnis, z. B. 1:2, so daß die Transistoren 7 und 8 normalerweise beide ge-For certain purposes, by a load, sources 5 and 6 are said to be equal tensions, however z. B. a resistor, a current with exactly opposite polarities, via the emitter tuned Worth sent, the direction of this stream. Collector circuits of two transistors 7 and 8 reversed and the current also exactly to zero of 50 opposing conductivity types to terminal I. can be asked. This task occurs z. B. on and on the load formed by the network 1 in the case of a digital voltmeter for direct voltages. This is done by the fact that the base unknown Polarity, an analog-to-digital converter emitter junction of one or the other of the or a step-wise switchable display device transistors 7 and 8 operated in the forward direction device, the above being a known resistor 55. Except the network 1 contains the load the transistor circuit produced a voltage drop in series with it through a current of precisely known value as positive or negative reference switched collector resistors 11 or 12 and Voltage is used and the one connected in parallel with the span to be measured to these series combinations voltage to be compared step by step, through resistors 9 or 10. The voltage sources 5 Adding the existing or non-existent 60 and 6 are in the corresponding emitter circles of the Voltages of a series of such reference voltages, transistors 7 and 8, switched on and built up on one side will. These reference voltages are grounded, and so are the bases of these transistors generated by reference currents that are identical to one another, are connected to sources via leakage resistors 13 and 14, respectively those of the various stages of a ladder-shaped 15 or 16 opposing voltages-resistance network are fed. The closed 65. The tension of each of the latter The values of successive hits on these sources exceed the forward voltage of the ent way generated reference voltages have a corresponding emitter voltage source 5 or 6, so that correct mutual relationship, e.g. B. 1: 2, so that transistors 7 and 8 are normally both

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sperrt wären. Die Basiselektroden der Transistoren 7 Transistor zu Transistor auf. Das Netzwerk 1 gehört und 8 sind jedoch noch über einen Widerstand 17 z. B. einem binären System an, so daß der bei einem bzw. 18 und über eine damit in Reihe und in Vor- dem Anschluß I zugeführten, bestimmten Strom über wärtsrichtung geschaltete Diode 19 bzw. 20 mit den diesem Netzwerk erzeugte Spannungsabfall das Zwei-Ausgangsklemmen einer bistabilen Kippschaltung 21 5 fache der Spannung beträgt, die bei dem gleichen, gekoppelt. Diese nicht näher dargestellte Kipp- bestimmten, jedoch dem Anschluß II zugeführten schaltung enthält z. B. zwei Transistoren des pnp-Typs Strom erzeugt wird, und das ^"-Miache der Spanwie der Transistor 8, und die Basis des Transistors 7 nung, die bei dem gleichen bestimmten, jedoch der ist unmittelbar über den Widerstand 17 und die Verbindung η zugeführten Strom erzeugt wird. Wenn Diode 19 mit einer Ausgangsklemme dieser Kipp- io beide Transistoren 7 und 8 gleichzeitig gesperrt schaltung verbunden. Ist diese Ausgangsklemme wären, sollte somit der Unterschied zwischen ihren durch die bistabile Kippschaltung geerdet, so ist der Leckströmen einen dem Anschluß I zugeführten Strom Transistor? leitend, da seine Basis über den Wider- bilden, der über dem Netzwerk 1 eine Spannung stand 17 und die Diode 19 geerdet ist. Der Wider- kleiner als !"-!-mal der Spannung erzeugt, welche stand 17 bedingt somit den durch den Basis-Emitter- 15 über diesem Netzwerk erzeugt wird, wenn nur einer Kreis des Transistors 7 fließenden Strom. Dieser wird der Transistoren leitend ist, sonst könnte dieser derart gewählt, daß der Transistor im Sättigungs- Unterschied zwischen den Leckströmen der Tranzustand arbeitet und daß seine Emitter-Kollektor- sistoren7 und 8 einen Fehler im letzten Glied des Spannung auf einen Wert von einigen Millivolt ab- numerischen Ausdrucks der zu messenden Spannung fällt. Bei Verwendung symmetrischer Transistoren ist 20 hervorrufen. Um einen solchen kleinen Unterschied der Basisstrom annähernd gleich dem Kollektorstrom, zwischen den Kollektor-Leckströmen der Transider seinerseits durch die Widerstände 9 und 11 be- stören 7 und 8 zu erzielen, könnten die Transistoren stimmt wird. Ein Teil dieses Kollektorstroms fließt selbstverständlich selektiert und/oder ihre Temperatur über den Widerstand 11 durch das Netzwerk 1 und stabilisiert werden. Bei einer zweckmäßigen Auserzeugt somit eine bestimmte Spannung über diesem 25 führung der Erfindung wird dies bedeutend leichter Netzwerk. Da der Transistor 8 gleichen. Leitfähig- dadurch erreicht, daß zur Einstellung des Stroms keitstyps ist wie die Transistoren oder andere Ver- durch die Belastung auf Null, als dritte Möglichkeit, Stärkerelemente der Kippschaltung 21, muß seine die Basis-Emitter-Übergänge beider Transistoren 7 Basiselektrode über eine Umkehrschaltung mit dem und 8 dadurch gleichzeitig in Vorwärtsrichtung bezweiten Ausgang der bistabilen Kippschaltung ge- 30 trieben werden, daß ihre Basiselektroden miteinander koppelt werden. Diese Umkehrschaltung enthält, wie verbunden sind. Dies erfolgt mittels eines dritten dargestellt ist, einen Transistor 22 des npn-Typs, Transistors 27, z. B. des npn-Typs, dessen Kollektor dessen Emitter geerdet und dessen Basiselektrode über einen Widerstand 28 mit der Basiselektrode des über einen Widerstand 23 mit dem zweiten Ausgang Transistors 8 verbunden ist, während seine Emitterder bistabilen Kippschaltung 21 verbunden ist. Diese 35 elektrode direkt an die Basiselektrode des npn-Tran-Basiselektrode ist außerdem über einen Widerstand sistors 7 angeschlossen ist. Die Basiselektrode des 24 mit der Plusklemme einer Quelle 26 positiver Transistors 27 ist über einen Widerstand 29 mit einer Spannung verbunden, und der Kollektor des Tran- Ausgangsklemme einer bistabilen Kippschaltung 30 sistors 22 ist über einen Belastungswiderstand 25 verbunden. Diese bistabile Kippschaltung 30 enthält ebenfalls mit dieser Plusklemme verbunden. Die 40 z.B. auch zwei Transistoren des pnp-Typs, so daß Basiselektrode des pnp-Transistors 8 ist über den jede der Ausgangsklemmen entweder negativ oder Widerstand 18 und die Diode 20 an den Kollektor über einen Transistor geerdet ist. Im ersteren Fall ist des Transistors 22 angeschlossen. , der Transistor 27 gesperrt, und der Kreis zwischen Ist die rechte Ausgangsklemme der bistabilen den Basiselektroden der Transistoren 7 und 8 ist Kippschaltung 21 über das entsprechende Verstärker- 45 unterbrochen. Im zweiten Fall sind diese Basiselement geerdet, so ist der Transistor 22 leitend, da elektroden über den Emitter-Kollektor-Kreis des seine Basiselektrode durch den durch die Wider- Transistors 27 und den damit in Reihe geschalteten stände 23 und 24 gebildeten Spannungsteiler in Vor- Widerstand 28 miteinander verbunden. Infolgedessen wärtsrichtung polarisiert ist. Unter diesen Umständen werden den Basiselektroden der beiden Transistoren 7 ist die Basiselektrode des Transistors 8 über den 50 und 8 praktisch gleiche Basisströme zugeführt, und Widerstand 18, die Diode 20 und den Kollektor- diese zwei Transistoren werden beide in die Sättigung Emitter-Kreis des Transistors 22 geerdet, so daß getrieben, d. h., ihre Emitter-Kollektor-Spannungen dieser Transistor leitend ist. werden sehr gering, so daß der Basisstrom jedes ■ In einem dritten möglichen Zustand soll der jedem Transistors annähernd gleich seinem Kollektorstrom der Anschlüsse I bis η zugeführte Strom auf den Wert 55 ist und die Spannungsabfälle über den Widerständen 9 Null einstellbar sein. Dies könnte durch Unter- und 10 oder 11 und 12 einander praktisch gleich brechung der beiden Basiskreise mit dem Widerstand sind. Der dem Anschluß I zugeführte Strom ist dabei 17 bzw. 18 und der Diode 19 bzw. 20 bewerkstelligt mit verhältnismäßig großer Genauigkeit gleich Null, werden. In diesem Fall würde jedoch noch ein ver- Die bistabile Kippschaltung 21 kann als Polaritätshältnismäßig hoher Leckstrom der durch das Netz- 60 selektor benutzt werden und kann die verschiedenen werk 1 und die Widerstände 9 bis 12 gebildeten Be- Transistorschaltungen für die Zufuhr eines bestimmlastung zugeführt werden, und zwar ein Strom, der ten Stroms an alle verschiedenen Anschlüsse I, Π, n-I gleich dem Unterschied zwischen den Kollektor- und η über entsprechende, nicht dargestellte Dioden Leckströmen der Transistoren 7 und 8 ist. Be- und Widerstände steuern, wie durch Pfeile ankanntlich sind diese Leckströme stark temperatur- 65 gedeutet. Die bistabile Kippschaltung 30 bestimmt abhängig und weisen, bei Transistoren gleichen Typs jedoch den 0- oder 1-Wert der Spannung, die über und um so mehr bei Transistoren entgegengesetzter dem Netzwerk 1 durch den Strom erzeugt wird, der Typen, verhältnismäßig große Unterschiede von dem Anschluß I zugeführt wird. Eine solche bistabilewould be blocked. The base electrodes of the transistors 7 transistor to transistor. The network 1 and 8 are, however, still connected via a resistor 17, for. B. a binary system, so that the voltage drop generated in one or 18 and via a certain current supplied in series and in front of the terminal I via the downward direction diode 19 or 20 with this network, the two output terminals a bistable multivibrator 21 is 5 times the voltage that is coupled with the same. This circuit, not shown in detail, but which is supplied to terminal II, contains z. B. two transistors of the pnp type current is generated, and the ^ "- Miache the span as the transistor 8, and the base of the transistor 7 voltage, which is determined at the same, however, which is directly across the resistor 17 and the connection η If diode 19 is connected to an output terminal of this trigger circuit, both transistors 7 and 8 are simultaneously blocked The current supplied to the transistor is conductive, since its base is generated via the resistor, which has a voltage of 17 and the diode 19 is grounded above network 1. The resistor is less than! "-! - times the voltage generated, which is 17 thus that is generated by the base-emitter 15 over this network if only one circuit of the transistor 7 is flowing current. This will make the transistors conductive, otherwise this could be chosen in such a way that the transistor works in the saturation difference between the leakage currents and that its emitter-collector sistors7 and 8 reduce a fault in the last link of the voltage to a value of a few millivolts - numerical expression of the voltage to be measured falls. When using symmetrical transistors, 20 is produced. In order to achieve such a small difference, the base current approximately equal to the collector current, between the collector leakage currents of the transistors in turn through the resistors 9 and 11 disturb 7 and 8, the transistors could be tuned. A part of this collector current flows naturally selected and / or its temperature via the resistor 11 through the network 1 and stabilized. If a certain voltage is thus generated across this guide of the invention, this becomes significantly easier network. Because the transistor 8 is the same. Conductive achieved by the fact that to set the Stroms keittyps is like the transistors or other Ver by the load to zero, as a third possibility, stronger elements of the flip-flop circuit 21, its base-emitter junctions of both transistors 7 base electrode via an inverting circuit with dem and 8 are driven simultaneously in the forward direction with respect to the second output of the bistable multivibrator, in that their base electrodes are coupled to one another. This reverse circuit includes how are connected. This is done by means of a third shown, a transistor 22 of the npn type, transistor 27, e.g. Of the npn type, the collector of which has its emitter grounded and its base electrode is connected via a resistor 28 to the base electrode of the transistor 8 via a resistor 23 to the second output, while its emitter is connected to the flip-flop 21. This 35 electrode directly to the base electrode of the npn-Tran base electrode is also connected via a resistor 7 sistor. The base electrode of the 24 with the plus terminal of a source 26 of positive transistor 27 is connected to a voltage via a resistor 29, and the collector of the Tran output terminal of a flip-flop 30 transistor 22 is connected via a load resistor 25. This bistable flip-flop 30 is also connected to this positive terminal. The 40, for example, also has two transistors of the PNP type, so that the base electrode of the PNP transistor 8 is grounded via which each of the output terminals is either negative or resistor 18 and the diode 20 is grounded to the collector via a transistor. In the former case, the transistor 22 is connected. , the transistor 27 is blocked, and the circuit between the right output terminal of the bistable and the base electrodes of the transistors 7 and 8 is toggle circuit 21 via the corresponding amplifier 45 interrupted. In the second case, these base elements are grounded, so the transistor 22 is conductive, since electrodes are connected via the emitter-collector circuit of its base electrode through the voltage divider formed by the resistor transistor 27 and the stands 23 and 24 connected in series with it. Resistor 28 connected together. As a result, it is polarized downwards. Under these circumstances, the base electrodes of the two transistors 7, the base electrode of the transistor 8 via the 50 and 8 practically equal base currents, and resistor 18, the diode 20 and the collector - these two transistors are both in the saturation emitter circuit of the transistor 22 grounded, so that driven, that is, its emitter-collector voltages, this transistor is conductive. are very low, so that the base current of each transistor is in a third possible state approximately equal to its collector current of the terminals I to η supplied current to the value 55 and the voltage drops across the resistors 9 should be adjustable to zero. This could be by breaking the two base circles with the resistance practically equal to each other by interruption and 10 or 11 and 12. The current supplied to terminal I is 17 or 18 and the diode 19 or 20 is achieved with a relatively high accuracy equal to zero. In this case, however, another transistor circuit would be The bistable flip-flop circuit 21 can be used as a polarity relatively high leakage current through the network selector and the various work 1 and the resistors 9 to 12 formed transistor circuits for the supply of a certain load , namely a current, the th current to all the different connections I, Π, nI equal to the difference between the collector and η leakage currents of the transistors 7 and 8 via corresponding diodes (not shown). Control resistances and resistances, as indicated by arrows, these leakage currents are interpreted as strongly temperature-sensitive. The bistable flip-flop 30 determines dependent and have, for transistors of the same type, however, the 0 or 1 value of the voltage, which is generated by the current above and all the more for transistors opposite the network 1, of the types, relatively large differences from that Terminal I is supplied. Such a bistable

Claims

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Flip-flop will thus determine the 0 or 1 value of the resistors 17 and 18 and the diodes 19 and voltage which can be controlled by 20 across the network 1. The base current is generated by both the current that flows from each of the other to the transistors. the positive terminal of the connections II ... nI and η is fed. '-. Voltage source 6 across the emitter-base junction

The in the emitter-collector circuit of each of the 5 of the transistor 8 and through the resistor 28, the

Transistors7 and 8 effective resistance, i.e. the collector-emitter circuit of transistor 27 and the

Resistance of the parallel connection of the resistor 9 base-emitter junction of the transistor 7 after the '

and the resistor 11 in series with the resistor minus terminal of the voltage source 5, and its value

between terminal I and earth, e.g. B. what that becomes practical only through the size of the tensions

Transistor 7 is concerned, and the voltage of the voltage of the sources 5 and 6 and by the value of the resistor

voltage sources 5 and 6, whereby the one or the stand 28 determines which value in relation to the

other or both transistors 7 and 8 in the forward collector-emitter direct current resistance of the conducting

Direction is (are) operated, preference is given to the transistor 27 being large. The base currents of the

wisely chosen so that each forward transistors 7 and 8 are thus practically one another

operated transistor in a saturation area ar- 15 equal. Also, both transistors are 7 and 8

works in which its collector-base voltage becomes very saturated, so that the voltage drops over

is low, but remains effective in the blocking direction. their emitter-collector distances are very short,

As already said, only part of the emitter z. B. of the order of 3 to 8 mV, while the collector current of one of the transistors 7 and 8 which their collector currents approximately the same supplied to the base terminal I, since a relatively large 20 flow and thus are equal to each other.
Part of this current through the parallel resistor 9 or

10 drains to earth. As a result, if only claims:
one of the transistors 7 and 8 is conductive, the influence of the leakage current through the non-conductive tran- 1. Circuit arrangement for compensating the sistor is reduced in the same ratio. 25 collector leakage currents in a transistor switching

Between the connection I and earth, the network, which supplies a direct current with a load, has an inherent resistance, which depends on the inherent value and any polarity, and with which the direct current is one of two, whereby this is Network via the connections I, sources of the same voltage, but opposite-II ... TZ-I, η is fed. In order to reduce the influence of the opposing polarity over the emitter-collector levels of the transistor circuit feeding this network of two transistors opposing circuits on the resistance of this network conductivity type by reducing the base to a minimum, these tran-emitter- Transition of one (or, depending on the Polasistorschaltungen via resistors, z. B. the resistance., Rität, the other) of these transistors in boards 11 and 12, with the appropriate connection, 35 is operated in the downward direction and saturation, vorz. B. to the terminal I, coupled. Under these circumstances, preferably when generating a reference span, the resistance of the network 1, voltage in the input resistance network of a digiz. B. between terminal I and earth, by a valley DC voltmeter, thereby damped parallel resistance, which indicates that the load parallel connection of resistors 11 and 12 is 4 ° (2 to 4) flowing through and the difference when the two Transistors 7 and 8 are conductive, the collector leakage currents corresponding differential and the equal to the parallel connection of the resistor renzstrom is compensated by the fact that the

11 or 12 and the series-connected resistor-base-emitter junctions of both transistors (7 stalls 12 and 10 or 11 and 9 is if only and 8) simultaneously until saturation in forward the Transistor 7 or 8 is conductive. Since the counter 45 are operated, so the strong would be 9 and 10 a few times smaller than the influence of the temperature and / or the sub-items 11 and 12 are chosen, this attenuation is practically invariable on the various parameters of the two trans. . '. sistors to their different residual currents in

In a practical embodiment, the one. this zero setting is switched off. ■■,. · ..
Forming part of a digital voltmeter, the resistors had the 50 2. Circuit arrangement according to claim 1, the network 1 would have the following values: _N characterized in that the emitter resistors 2 10 ohm collector circuit of each transistor (7, 8) effective

Resistors 3 20 ohm resistor, the voltage of the voltage sources

Resistors 4 .... '. 10Ohm '( ⁵ > 9 ^{and the current} > ^{through which the one or}

Resistors 4 '10 kOhm ^{55 of the other or d} ^ ^e two transistors in pre-

"" "'' is (are) operated in the upward direction, in such a way that

The resistance between each of the terminals selects are that each operated in this way

of network 1 and earth was thus the same transistor is effective in a saturation area,

20/3 ohms. .... in which its collector-base voltage is very

The resistors 9 and 10 were each 60 ring, but remains effective in the reverse direction.

2 kOhm and the resistors 11 and 12 of each 3rd circuit arrangement according to claim 1

12 kOhm. or 2, characterized in that only a part It should also be noted that when the transistor 27 of the emitter-collector current of a conductive

and the two transistors 7 and 8 are conductive, the transistor of the load (2 to 4) is fed,

Collector current of each of these transistors independently 65 so that the influence of the leakage current through one

is from the state of the bistable flip-flop 21 non-conductive transistor in the same ratio

or some other control device by which the is reduced.

Transistors 7 and 8 via the current limiting 4. Circuit arrangement according to claim 3,

characterized in that the relevant part of the emitter-collector current of the conductive transistor is fed to the load (2 to 4) via a decoupling resistor (11, 12), so that the resistance effective parallel to the load changes only slightly, depending on only one of the Transistors is conductive or both transistors are conductive.

5. Circuit arrangement according to one or more of the preceding claims, in which the Load between the collector electrodes of both transistors and a point constant Potential is turned on, while the emitter electrodes of these transistors with forward voltage sources and their base electrodes are connected to reverse voltage sources via leakage resistors higher voltage than that of the forward voltage sources mentioned and opposite Polarities are connected, characterized in that one or the ao other of these base electrodes via a corresponding current limiting resistor is connected to the point of constant potential mentioned.

6. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the base-emitter junctions both transistors (7 and 8) are operated simultaneously in the forward direction, that their base electrodes are connected to one another.

7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that the base electrodes of both transistors (7, 8) are connected to one another in that a forward current is fed to the base electrode of a third transistor (27) whose emitter-collector circuit is between the base electrodes of the two first-mentioned transistors (7, 8) is switched on, and that the emitter of the third transistor (27) is connected to the base electrode of the first-mentioned transistor (7) of the same conductivity type.

8. Circuit arrangement according to one or more of claims 5, 6 and 7, characterized in that that in series with the base current limiting resistor (17, 18) each of the first two transistors (7, 8) has a diode (19, 20) is switched in the forward direction.

1 sheet of drawings 909541/23