DE1294465B

DE1294465B - Proximity switch with magnetic flux change of a built-in magnetic core when a metal part approaches

Info

Publication number: DE1294465B
Application number: DE1966E0031312
Authority: DE
Inventors: Schlosser Hermann
Original assignee: ELBAG GmbH
Current assignee: ELBAG GmbH
Priority date: 1966-03-24
Filing date: 1966-03-24
Publication date: 1969-05-08

Description

Für die Begrenzung von Bewegungen aller Art, als Zählschalter, als Steuerrelais od. dgl. werden heute vielfach mechanisch arbeitende Endschalter verwendet, bei denen durch Bewegung einer Rolle mit Schubstange oder Hebel Schaltelemente betätigt werden. Der Nachteil dieser Schalter besteht vor allem darin, daß sich die bewegten Teile abnutzen und dadurch die Schalter nach einer gewissen Betriebszeit unbrauchbar werden. Weit häufiger ist noch der Ausfall dieser Schalter infolge Korrosion der Schaltelemente durch eindringende Feuchtigkeit, bzw. agressiver Dämpfe und Gase, wobei es häufig dazu kommt, daß die Schalter unfallgefährliche Berührungsspannungen aufweisen.For the limitation of movements of all kinds, as a counter switch, as Control relays or the like are now often used mechanically operating limit switches, in which switching elements are actuated by moving a roller with a push rod or lever will. The main disadvantage of these switches is that they move Parts wear out, making the switches unusable after a certain period of operation will. The failure of these switches due to corrosion is far more common Switching elements caused by penetrating moisture or aggressive vapors and gases, it often happens that the switch accidentally touch voltages exhibit.

Dies führte zur Konstruktion berührungsfreier und vollkommen gekapselter Schalter, die von Magneten geschaltet werden. Hierzu ist jedoch eine Ausrüstung der in der Bewegung zu begrenzenden Maschinen, der zu zählenden Stücke oder zu steuernden Teile mit Schaltmagneten erforderlich. Die Anbringung dieser Schaltmagnete ist aber nicht nur zeitraubend, sondern bei Bearbeitungsmaschinen auch unzweckmäßig, da sich an den Schaltmagneten Stahlspäne ansetzen und folglich die Schaltvorgänge beeinflussen oder die Schaltelemente vorzeitig zerstören.This led to the construction of non-contact and completely encapsulated Switches that are switched by magnets. However, there is equipment for this the machines to be limited in motion, the pieces to be counted or controlled Parts with solenoids required. The attachment of these switching magnets is not only time-consuming, but also inconvenient in machine tools, since Put steel shavings on the switching magnet and consequently influence the switching processes or destroy the switching elements prematurely.

Eine weitere Entwicklung sieht daher vollkommen gekapselte Schaltelemente vor, bei denen Schwingungen durch zwischengeschobene Eisenteile gestört werden und folglich Schaltvorgänge bewirken. Der Nachteil der hierunter bekannten Schalter besteht darin, daß die einzelnen Steuerteile mittels abgeschirmter und abgeglichener Kabel verbunden sein müssen, deren Aufwendigkeit auch zusätzlich eine ungenaue Arbeitsweise beinhaltet.Another development therefore sees completely encapsulated switching elements before, in which vibrations are disturbed by iron parts pushed in between and consequently cause switching operations. The disadvantage of the switches known below consists in that the individual control parts by means of shielded and balanced Cables have to be connected, the complexity of which also results in an imprecise way of working contains.

Die Erfindung besteht darin, daß bei Annäherung eines Metallteiles, einer Metallfolie, eines Metallüberzugs od. dgl. an einen im Tastkopf eingebauten Magnetkern durch die in demselben auftretende Magnetflußänderung sich die Größe des Rückkopplungsfaktors einer selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe derart verändert, daß dadurch zwangläufig die Resonanzbedingungen unterschritten werden und die Eigenschwingungen dieser hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe aussetzen. Der Beeinflussungsabstand kann durch die mechanische Ausführung der Kopplungsspulen und durch den Abgleich des Rückkopplungsstromes mittels einem einstellbaren Widerstand vorbestimmt werden, so daß der Näherungsschalter für präzise Schaltvorgänge bei kleinen Toleranzen einsetzbar ist.The invention consists in that when a metal part approaches, a metal foil, a metal coating or the like to a built-in probe head Magnetic core due to the change in magnetic flux occurring in the same size the feedback factor of a self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage changed in such a way that it inevitably fell below the resonance conditions and the natural oscillations of this high-frequency transistor oscillator stage expose. The influencing distance can be determined by the mechanical design of the coupling coils and by adjusting the feedback current using an adjustable resistor can be predetermined so that the proximity switch for precise switching operations small tolerances can be used.

Die Impulse der selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe steuern eine nachgeschaltete Schaltverstärkerstufe derart, daß deren Leitfähigkeitszustand über einen Impuls-Integrierkreis einen Endstufentransistor sperrt. Setzen die Schwingungen der hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe aus, so wird hierdurch die nachgeschaltete Schaltverstärkerstufe gesperrt und durch deren ausfallenden Kollektor-Emitterstrom die Basissperrspannung des Endstufentransistors aufgehoben, so daß derselbe impulsartig in den Leitfähigkeitszustand gesteuert wird, wobei die Wicklung eines in seinem Kollektorkreis angeordneten Schaltrelais stromführend wird, so daß dessen Schaltkontakte die gewünschte Information in nachgeschaltete, technische Einrichtungen einspeichern können.The impulses of the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage control a downstream switching amplifier stage in such a way that its conductivity state blocks an output stage transistor via a pulse integrating circuit. Set the vibrations of the high-frequency transistor oscillator stage, then the downstream Switching amplifier stage blocked and by their failing collector-emitter current the base reverse voltage of the output stage transistor canceled, so that the same pulse-like in the conductivity state is controlled, with the winding one in his Collector circuit arranged switching relay is live, so that its switching contacts store the desired information in downstream technical equipment can.

Um den Näherungsschalter gegenüber Schwankungen im Versorgungsnetz unempfindlich zu machen, ist der Betriebsstrom mittels zweier Zuleitungen über einen Brückengleichrichter zugeführt, durch einen parallel geschalteten Siebkondensator geglättet und mit einem Vorwiderstand und in Reihe geschalteter Zenerdiode auf die für den störungsfreien Betrieb erforderliche, gleichmäßige Spannung stabilisiert, die unterhalb der möglichen Netzmindestspannung liegt.To the proximity switch against fluctuations in the supply network The operating current is to be made insensitive by means of two supply lines via one Bridge rectifier fed through a filter capacitor connected in parallel smoothed and with a series resistor and Zener diode connected in series to the Uniform voltage required for trouble-free operation is stabilized, which is below the possible minimum mains voltage.

Mittels einer Spannungsgegenkopplung, einer Stromgegenkopplung, letztere aus einem Heißleiter mit negativem Temperaturbeiwert bestehend, ist der Arbeitspunkt der selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe gegen Temperaturschwankungen stabilisiert.By means of a voltage negative feedback, a current negative feedback, the latter The operating point consists of an NTC thermistor with a negative temperature coefficient the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage against temperature fluctuations stabilized.

Als Schaltrelais ist für Schaltungen bis zu 500 pro Sekunde ein Schutzgaskontaktrelais eingesetzt und für Schaltimpulse bis zu 26 000 pro Sekunde ein elektronischer Ausgang vorgesehen.A protective gas contact relay is used as a switching relay for switching operations up to 500 per second and an electronic output for switching pulses of up to 26,000 per second intended.

Die gesamte Schaltplatine ist in eine den Anforderungen entsprechende, wasserdichte, korrosionsfeste und berührungssichere Vergußmasse eingegossen, wodurch gleichzeitig die Bauteile und deren Verbindungen schwingungsfrei und bruchsicher gelagert sind. Zum Schutz gegen mechanische Beschädigungen und zur Abschirmung gegen elektrische und magnetische Streufelder ist das gesamte Bauteil mit Ausnahme des Tastkopfes mit einem Eisenmantel umgeben. Dieses Gehäuse weist nach unten geprägte Befestigungslöcher an Befestigungsflanschen auf, die eine einwandfreie Montage gewährleisten.The entire circuit board is in a Poured in waterproof, corrosion-resistant and touch-safe potting compound, whereby at the same time the components and their connections are vibration-free and unbreakable are stored. For protection against mechanical damage and for shielding against electrical and magnetic stray fields is the entire component with the exception of the Probe head surrounded by an iron jacket. This case faces downwards Mounting holes on mounting flanges to ensure proper assembly.

Die Anschlußleitungen sind entweder zugentlastet in einem Kabelanschluß eingegossen oder an einen vierpoligen Klemmanschluß geführt, mit Schutzschläuchen od. dgl. gegen Feuchtigkeit geschützt.The connection lines are either strain-relieved in a cable connection encapsulated or led to a four-pole terminal connection, with protective hoses or the like. Protected against moisture.

Der Näherungsschalter ist entweder direkt oder über Hilfskontaktschienen od. dgl. steuerbar, wobei die Kontaktschienen so angebracht sind, daß diese ein Metallteil derart in die Nähe des Tastkopfes bringen, daß der Beeinflussungsabstand eingehalten oder unterschritten wird.The proximity switch is either direct or via auxiliary contact rails Od. Like. Controllable, the contact rails are attached so that this one Bring the metal part so close to the probe head that the interference distance is adhered to or undercut.

Die Erfindung ist in mehreren Ausführungsbeispielen dargestellt. Es zeigt F i g. 1 das Schaltbild eines Näherungsschalters, F i g. 2 die Seitenansicht eines Näherungsschalters, F i g. 3 die Draufsicht auf den Näherungsschalter nach F i g. 2, F i g. 4 die Vorderansicht des Näherungsschalters nach F i g. 2 und 3, F i g. 5 die Vorderansicht des Näherungsschalters mit aufgeschraubter Verschlußkappe und Marine-Kabelverschraubungen, F i g. 6 die Draufsicht auf den Näherungsschalter nach F i g. 5, F i g. 7 die schematische Darstellung einer Arbeitsmaschine mit Näherungsschaltern, F i g. 8 der Einsatz eines Näherungsschalters als Zähl- oder Steuerorgan, F i g. 9 der Einsatz eines Näherungsschalters in Verbindung mit einem Schaltbügel, F i g. 10 der Einsatz eines Näherungsschalters nach F i g. 9 mit geöffnetem Schaltbügel bzw. Schaltkontakt.The invention is illustrated in several exemplary embodiments. It shows Fig. 1 shows the circuit diagram of a proximity switch, FIG. 2 the side view a proximity switch, F i g. 3 shows the top view of the proximity switch F i g. 2, fig. 4 shows the front view of the proximity switch according to FIG. 2 and 3, F i g. 5 the front view of the proximity switch with the screw cap screwed on and marine cable glands, FIG. 6 the top view of the proximity switch according to FIG. 5, Fig. 7 the schematic representation of a working machine with proximity switches, F i g. 8 the use of a proximity switch as a counting or control element, F i g. 9 the use of a proximity switch in conjunction with a switch bracket, F i G. 10 the use of a proximity switch according to FIG. 9 with the switch bracket open or switch contact.

F i g. 1 zeigt das Schaltbild des Näherungsschalters, dessen Betriebsstrom über die Leitungen 1 und 2 dem Brückengleichrichter 3 zugeführt, mit einer Spannungsteilerschaltung aus Vorwiderstand 4 und Zenerdiode 5 stabilisiert und mittels eines Siebkondensators 6 geglättet wird.F i g. 1 shows the circuit diagram of the proximity switch, its operating current The bridge rectifier 3 is supplied via the lines 1 and 2, with a voltage divider circuit from series resistor 4 and Zener diode 5 and stabilized by means of a filter capacitor 6 is smoothed.

über eine Spannungsgegenkopplung aus Vorwiderstand 7 und Kondensator 8 ist die selbstschwingende, hochfrequente Transistor-Oszillatorstufe 12 angeschaltet, deren Schwingfrequenz von einem Kollektor-LC-Schwingkreis 10, 11 bestimmt wird und deren Resonanzbedingung durch den phasengleichen Rückkopplungsfaktor einer im Basiskreis angeordneten Rückkopplungsspule 10 erfüllt ist.a voltage feedback from resistor 7 and capacitor 8, the self-oscillating high-frequency transistor oscillator stage 12 is turned on, the oscillation frequency is determined by a collector-resonant LC circuit 10, 11 and the resonance condition is satisfied by the in-phase feedback factor a is arranged in the base circle feedback coil 10th

Der Arbeitspunkt der selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe 12 ist durch einen Stromgegenkopplungswiderstand 13 im Emitterkreis, eine Spannungsgegenkopplung, bestehend aus einem Festwiderstand 7 und einem HF-Kondensator 8, stabilisiert. Die Basisspannung wird einem Spannungsteiler aus reihengeschalteten Widerständen 14 und 15 entnommen und zusätzlich von einer Temperaturgegenkopplung, bestehend aus einem Festwiderstand 17 und einem reihengeschalteten Heißleiter 16 mit negativem Temperaturbeiwert, geregelt, um Arbeitspunktänderungen infolge der Betriebstemperatur ausgleichen zu können.The operating point of the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage 12 is stabilized by a current negative feedback resistor 13 in the emitter circuit, a voltage negative feedback consisting of a fixed resistor 7 and an HF capacitor 8. The base voltage is taken from a voltage divider made up of series-connected resistors 14 and 15 and additionally controlled by a negative temperature feedback, consisting of a fixed resistor 17 and a series-connected thermistor 16 with a negative temperature coefficient, in order to be able to compensate for changes in the operating point due to the operating temperature.

Bei unbeeinflußtem Magnetkern 9 im Tastkopf 36 werden die von der selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe 12 erzeugten positiven Imuplse über einen Koppelkondensator 23 der nachgeschalteten Schaltverstärkerstufe 20 zugeführt, deren Basisspannung hierdurch positiv wird und somit den Transistor 20 in den Leitfähigkeitszustand steuert. Die Impulsfolge ist über den Kollektorwiderstand 22, den Transistor 20 und den Summenemitterwiderstand 29 auf einen nachgeschalteten Impuls-Integrierkreis, bestehend aus dem Kondensator 21 und den Basiswiderständen 27 und 28 so wirksam, daß die Basisspannung des Endstufentransistors 26 unterhalb der Durchbruchsspannung liegt. Der Endstufentransistor 26 ist daher gesperrt, so daß im Schutzgaskontaktrelais 30 kein Wicklungsstrom wirksam ist und dessen Kontakte sich somit in Ruhestellung befinden.If the magnetic core 9 in the probe head 36 is not influenced, the positive impulses generated by the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage 12 are fed via a coupling capacitor 23 to the downstream switching amplifier stage 20, the base voltage of which thereby becomes positive and thus controls the transistor 20 to the conductivity state. The pulse sequence is so effective via the collector resistor 22, the transistor 20 and the sum emitter resistor 29 on a downstream pulse integrating circuit consisting of the capacitor 21 and the base resistors 27 and 28 that the base voltage of the output stage transistor 26 is below the breakdown voltage. The output stage transistor 26 is therefore blocked, so that no winding current is effective in the protective gas contact relay 30 and its contacts are therefore in the rest position.

Bei Annäherung eines Metallteiles, einer Metallfolie, eines Metallüberzuges od. dgl. 42, 51, 53, 57,64 an den im Tastkopf 36 eingebauten Magnetkern 9 unterhalb eines bestimmbaren Beeinflussungsabstandes a verändert sich der Magnetfluß des Magnetkernes 9 derart, daß hierdurch die Größe des Rückkopplungsfaktors sich unterhalb der Resonanzbedingungen verringert und folglich die Eigenschwingungen der selbstschwingenden, hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe 12 aussetzen. Bei der nachgeschalteten Schaltverstärkerstufe 20 ist nunmehr nur die Basisruhespannung wirksam, die folglich diese Transistorstufe 20 in den Sperrzustand steuert. Der aussetzende Kollektorstrom der Schaltverstärkerstufe 20 bewirkt einen positiven Anstieg der Basisspannung des Endstufentransistors 26 über den Impuls-Integrierkreis 21, 27, 28, während der gleichzeitig aussetzende Emitterstrom der Schaltverstärkerstufe 20 den Spannungsabfall am Summenemitterwiderstand 29 aufhebt. Hierdurch gelangt der Endstufentransistor 26 impulsartig in den Leitfähigkeitszustand, dessen Emitter-Kollektorstrom die Wicklung des Schutzgaskontaktrelais 30 durchfließt und hierdurch dessen Kontakte 31 in den Arbeitszustand steuert.Od the approach of a metal part, a metal foil, a metal coating. The like. 42, 51, 53, 57,64 to the built in the probe head 36 magnetic core 9 below a determinable interference distance a, the magnetic flux of the magnetic core 9 changed such that thereby the size of the The feedback factor is reduced below the resonance conditions and consequently expose the natural oscillations of the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage 12. In the downstream switching amplifier stage 20, only the base quiescent voltage is now effective, which consequently controls this transistor stage 20 into the blocking state. The intermittent collector current of the switching amplifier stage 20 causes a positive increase in the base voltage of the output stage transistor 26 via the pulse integrating circuit 21, 27, 28, while the emitter current of the switching amplifier stage 20, which is interrupted at the same time, cancels the voltage drop at the sum emitter resistor 29. As a result, the output stage transistor 26 reaches the conductivity state in a pulsed manner, the emitter-collector current of which flows through the winding of the protective gas contact relay 30 and thereby controls its contacts 31 into the working state.

Die Ruhestellung des Näherungsschalters wird beim Entfernen des Metallteiles od. dgl. 42, 51, 53, 57, 64 aus dem Beeinflussungsabstand a des im Tastkopf 36 eingebauten Magnetkernes 9 infolge der erneut einsetzenden Selbsterregung der hochfrequenten Transistor-Oszillatorstufe 12 erzielt. Die hierbei in der Wicklung des Schutzgaskontaktrelais 30 auftretende Induktionsspannung wird über die Löschdiode 34 niederohmig kurzgeschlossen und somit unwirksam.The rest position of the proximity switch is when the metal part is removed or the like. 42, 51, 53, 57, 64 from the influencing distance a of the built-in probe 36 Magnetic core 9 as a result of the renewed self-excitation of the high-frequency Transistor oscillator stage 12 achieved. The one in the winding of the inert gas contact relay 30 occurring induction voltage is short-circuited via the quenching diode 34 with low resistance and therefore ineffective.

Der Beeinflussungsabstand a für die Schaltschwelle kann durch die mechanische Ausführung der Kopplungsspulen 10,18 und durch den Abgleich des Rückkopplungsstromes mittels einem einstellbaren Widerstand 19 vorbestimmt werden, da die Resonanzbedingungen im Kausalzusammenhang zum Rückkopplungsfaktor stehen.The influencing distance a for the switching threshold can be predetermined by the mechanical design of the coupling coils 10, 18 and by adjusting the feedback current by means of an adjustable resistor 19, since the resonance conditions are causally related to the feedback factor.

Für Schaltgeschwindigkeiten zwischen 500 und 26 000 Schaltungen in der Sekunde wird das Schutzgaskontaktrelais 30 durch einen elektronischen Ausgang für nachgeschaltete, technische Einrichtungen ersetzt.For switching speeds between 500 and 26,000 switching operations per second, the protective gas contact relay 30 is replaced by an electronic output for downstream technical equipment.

Die F i g. 2 bis 4 zeigen einen Näherungsschalter, dessen Schaltelemente einschließlich des Schutzgaskontaktrelais 30 berührungssicher in einer Vergußmasse 35 eingebettet und mit Ausnahme des Tastkopfes 36 mit einem Eisenmantel 37 und einer Grundplatte 38 umgeben sind. In der Grundplatte 38 sind vier Befestigungslöcher 39 vertieft eingepreßt bzw. gestanzt, womit eine gute Auflage am Montageort erreicht wird. Gegenüber dem Tastkopf 36 ist ein Kabelverschluß 40 angebracht, der die Befestigung von Stahlschutzschläuchen erlaubt. Das Anschlußkabel 41 ist in der Vergußmasse 35 wasserdicht eingebettet und zugentlastet. Dieses Kabel enthält vier Adern, die Versorgungsleitungen 1 und 2 für den Betrieb des Näherungsschalters und die Steueradern 32 und 33 für die Informationsübertragung. Die Schaltwelle des Näherungsschalters wird erreicht, wenn sich das Metallteil 42 im Beeinflussungsabstand a vom Tastkopf 36 befindet.The F i g. 2 to 4 show a proximity switch, the switching elements of which, including the protective gas contact relay 30, are embedded in a potting compound 35 in a safe way and, with the exception of the probe head 36, are surrounded by an iron jacket 37 and a base plate 38 . In the base plate 38 four fastening holes 39 are deeply pressed or punched, so that a good support is achieved at the installation site. Opposite the probe head 36, a cable lock 40 is attached, which allows the attachment of protective steel hoses. The connecting cable 41 is embedded in the sealing compound 35 in a watertight manner and relieved of tension. This cable contains four wires, the supply lines 1 and 2 for the operation of the proximity switch and the control wires 32 and 33 for the transmission of information. The switching shaft of the proximity switch is reached when the metal part 42 is at the influencing distance a from the probe head 36.

Die F i g. 5 und 6 zeigen eine schwere Ausführung des Näherungsschalters. Die Schaltelemente sind hier ebenfalls in einer Vergußmasse eingebettet. Der Tastkopf 44 mit dem eingebauten Magnetkern 9 befindet sich an der Vorderseite, während die Rückseite mit den Klemmkontakten durch eine Stahlblechkappe 45 abgedeckt und mittels Schrauben 46 und einer Dichtung 47 wasserdicht verschlossen ist. Die Kabel werden einzeln durch Kabelverschlüsse 48 wasserdicht eingeführt. Für die Montage des Näherungsschalters sind zwei Befestigungslöcher 50 vorgesehen, die innerhalb der Vergußmasse 43 mit Metallröhrchen verstärkt sind.The F i g. 5 and 6 show a heavy version of the proximity switch. The switching elements are also embedded in a casting compound. The probe head 44 with the built-in magnetic core 9 is located on the front side, while the rear side with the terminal contacts is covered by a sheet steel cap 45 and sealed watertight by means of screws 46 and a seal 47. The cables are individually inserted through cable closures 48 in a watertight manner. For the assembly of the proximity switch, two fastening holes 50 are provided, which are reinforced with metal tubes within the potting compound 43.

F i g. 7 zeigt ein Anwendungsbeispiel des Näherungsschalters als Endschalter an einer Arbeitsmaschine, deren Schlitten 53 auf dem Gleitbett zwischen den Endpunkten eines Weges s von den beiden Näherungsschaltern 54 und 55 wechselweise gesteuert wird.F i g. 7 shows an application example of the proximity switch as a limit switch on a working machine, the carriage 53 of which is on the sliding bed between the end points a path s controlled alternately by the two proximity switches 54 and 55 will.

F i g. 8 zeigt ein Anwendungsbeispiel für einen Näherungsschalter 58 als Zählschalter bei einem Transportband mit vorbeilaufenden Blechdosen 57.F i g. 8 shows an application example for a proximity switch 58 as a counting switch on a conveyor belt with tin cans 57 passing by.

F i g. 9 und 10 zeigen ein Anwendungsbeispiel für Näherungsschalter 65 als Steuerkontakt bei Flaschenetikettiermaschinen. Hierbei wird der Näherungsschalter 65 durch einen federnden Hilfsbügel 61 mit aufgesetztem Metallteil 64 betätigt.F i g. 9 and 10 show an application example for proximity switches 65 as a control contact in bottle labeling machines. Here, the proximity switch 65 is actuated by a resilient auxiliary bracket 61 with a metal part 64 attached.

Claims

Claims: 1. Proximity switch with a change in magnetic flux built-in magnetic core when approaching a metal part, marked thereby e t that the change in magnetic flux Size of the feedback factor a self-oscillating, high-frequency oscillator stage (12) when approaching of the metal part (42, 51, 53, 57, 63) reduced by the inevitably If the resonance conditions are not reached, expose the natural vibrations and thereby a downstream switching amplifier stage (20) is blocked, and that by their failing collector-emitter current the base reverse voltage of an output stage transistor (26) is canceled, which thereby controls the conductivity state in a pulsed manner and actuates a protective gas contact relay (30) with its emitter-collector current.

2. Proximity switch with magnetic flux change of a built-in magnetic core when approaching of a metal part according to claim 1, characterized in that the operating current from an alternating or direct current network (1, 2) by means of a bridge rectifier (3) obtained and smoothed with a capacitor (6) through a limiting resistor (4) and a Zener diode (5) is stabilized at the lower voltage limit range.

3. Proximity switch with change in magnetic flux of a built-in magnetic core when approaching of a metal part according to claim 1 and 2, characterized in that by means of a Voltage negative feedback, consisting of the resistor (7) and the capacitor (8), a current negative feedback from the resistors (13,14,15) and a temperature compensation, consisting of the thermistor (16) and the resistor (17), the operating point of the self-oscillating, high-frequency transistor oscillator stage (12) stabilized is.

4. Proximity switch with magnetic flux change of a built-in magnetic core when approaching a metal part according to claims 1 to 3, characterized in that that the static size of the feedback factor of the self-oscillating, high-frequency Transistor oscillator stage (12) through a series to the feedback coil (18) switched, variable resistor (19) is adjustable.

5. Proximity switch with a change in the magnetic flux of a built-in magnetic core when a metal part approaches according to claims 1 to 4, characterized in that for switching changes between 500 and 26,000 per second in the emitter-collector circuit of the output stage transistor (26) an electronic output is built in.

6. Proximity switch with change in magnetic flux a built-in magnetic core when a metal part approaches, according to claim 1 to 5, characterized in that the transistors for pulsed switching the switching amplifier stage (20) and the output stage (26) in the emitter circuit have a common Have resistor (29).

7. Proximity switch with magnetic flux change of a built-in magnetic core when approaching a metal part according to claim 1 to 6, characterized in that the electrical components are cast in a waterproof, corrosion-free, touch-proof potting compound (35), the same in a sheet steel or cast housing (37, 43 ) is installed shielded in such a way that only the probe head (36) remains free at the front. B. Proximity switch with magnetic flux change of a built-in magnetic core when approaching a metal part according to claim 1 to 7, characterized in that the cable connections (41) are either firmly cast or inserted watertight by means of a cable lock (40, 48).