DE1293856B

DE1293856B - Electrical read-only memory or semi-read-only memory

Info

Publication number: DE1293856B
Application number: DE1963I0024944
Authority: DE
Inventors: Boulet Camille; Verbeeck Maurice Helen Emanuel
Original assignee: International Standard Electric Corp
Current assignee: International Standard Electric Corp
Priority date: 1962-12-17
Filing date: 1963-12-17
Publication date: 1969-04-30
Also published as: CH438421A; NL286846A; BE641371A; DE1195362B; GB1022728A

Description

tungen werden z.B. als Codeumsetzer in.datenverarbeitenden Anlagen und für Steuerungszwecke, z. B. bei der sogenannten Zielwahl in Fernsprechverbindungen verwendet.functions are used e.g. as code converters in data processing Systems and for control purposes, e.g. B. in the so-called target selection in telephone connections used.

Die Koppelimpedanzen einer solchen Speichermatrix können sowohl kapazitiv als auch induktiv wirken. Da für die meisten Anwendungsfälle eine Verstellbarkeit des Zuordnungsinhalts mindestensThe coupling impedances of such a memory matrix can be both capacitive and inductive works. Since, for most applications, the assignment content can be adjusted at least

Zeilenleitung zu einer Vielzahl von Spaltenleitungen io pensation unbedingt erforderlich ist, nicht gelöst durch eine Binärzahl darstellbar. Derartige Einrich- wäre. .'....Row line to a large number of column lines io pensation is absolutely necessary, not solved can be represented by a binary number. Such a facility would. .'....

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen elektrischen Festwertspeicher bzw. Halbfestwertspeicher konstruktiv so auszugestalten, daß unabhängig von der An-15 Steuerung einer oder mehrerer Zeilen eine Kompensation der Störsignale möglich ist. Der Aufwand an Koppelstellen für diese Kompensation soll auf ein Minimum beschränkt werden, und die Zuführung der gegenphasigen Kompensationsspannung darf keine einzelner Matrixreihen verlangt wird, müssen diese ao Schwierigkeiten bereiten. Der elektrische Festwert-Koppelimpedanzen oft entsprechend veränderlich bzw. Halbfestwertspeicher, bestehend aus einer masein, und zwar gemäß der vorausgesetzten Binär- trixförmigen Anordnung von Koppelstellen zwischen Zuordnung auf zwei unterschiedliche Festwerte (Halb- einer Vielzahl von Zeilen- und Spaltenleitungen, wofestwertspeicher). Die Veränderung der Koppelimpe- bei die Koppelimpedanzen zwischen den Zeilen- und danz kann grundsätzlich an den einzelnen Koppel- 35 Spaltenleitungen durch entsprechende Ausbildung auf stellen für sich vorgenommen werden, meist ist je- zwei unterschiedliche Festwerte einstellbar sind, die doch eine Veränderung für jeweils eine ganze Ma- Eingangsinformationen mit Impuls- oder Wechseltrixreihe durch einen einzigen Eingriff vorgesehen. Stromsignalen den Zeilenleitungen zuführbar und die Im Fall einer induktiven Kopplung kann die Anord- zugeordnete Ausgangsinformation auf den Spaltennung dazu etwa derart getroffen werden, daß die In- 30 leitungen abgreifbar ist, ist nach der Erfindung daduktivität bzw. die Kopplung der für jede Koppel- durch" gekennzeichnet, daß zur an sich bekannten stelle vorhandenen Übertrager durch mechanische Störkömpensation mittels gegenphasiger Korrektur-Einwirkung für eine Matrixreihe gleichzeitig geändert signale ein einziger zusätzlicher .Zeilenstreifen vorgewird. Zum Beispiel können Luftspalte in den Eisen- sehen ist, dessen Koppelimpedanz zu allen Spaltenkreisen dieser Übertrager durch mechanisch zu einer 35 leitungen der Restimpedanz zwischen nicht gekop-Einheit verbundenen Füllstücke überbrückt bzw. ge- pelter Zeilen- und Spaltenleitung entspricht und dem öffnet werden. Der spezielle Informationsinhalt ist ein gleich großes gegenphasiges Eingangssignal zugedann durch die Anordnung der Füllstücke an einem führt ist. Auf diese Weise kann über den einzigen zugemeinsamen Betätigungsorgan bestimmt. Entspre- sätzlichen Zeilenstreifen die Störkompensation auschende Einrichtungen finden sich bei kapazitiv wir- 40 geführt werden: Es spielt dabei keine Rolle,-welche kenden Halbfestwertspeichern, wobei die unterschied- Zeile der Speichermatrix angesteuert wird, liehe Kopplung durch Austausch des Dielektrikums Wird bei einem solchen Halbfest-, bzw. Festwert-The object of the invention is to construct an electrical read-only memory or semi-read-only memory to be designed in such a way that, regardless of the control of one or more lines, a compensation the interfering signals is possible. The effort at coupling points for this compensation should be on a Minimum must be limited, and the supply of the anti-phase compensation voltage must not individual matrix rows is required, these must cause difficulties. The electrical fixed value coupling impedance often correspondingly variable or semi-fixed value memory, consisting of a masein, namely according to the assumed binary trix-shaped arrangement of coupling points between Assignment to two different fixed values (half of a large number of row and column lines, fixed value memory). The change in the coupling impedance at the coupling impedances between the line and In principle, this can be done on the individual coupling column lines by means of appropriate training are made for themselves, usually two different fixed values can be set but one change for a whole measurement of input information with a series of impulses or alternating trixes provided by a single intervention. Current signals can be fed to the row lines and the In the case of an inductive coupling, the output information assigned to the arrangement can be on the columns for this purpose, for example, such that the inlet lines can be tapped off is, according to the invention, conductivity or the coupling of the for each coupling marked by "that to known per se replace the existing transformer through mechanical interference compensation by means of anti-phase corrective action For a matrix row changed at the same time, a single additional line strip is preprogrammed. For example, air gaps can be seen in the iron, its coupling impedance to all column circles this transformer through mechanically to a 35 lines of the residual impedance between not coupled unit connected filler pieces bridged or pelter corresponds to row and column lines and the be opened. The special information content is an equally large anti-phase input signal then is through the arrangement of the filler pieces on one leads. In this way can be shared about the only one Actuator determined. Corresponding line strips make up the interference compensation Facilities can be found at capacitive we are managed: It does not matter which one kenden semi-fixed value memories, whereby the different line of the memory matrix is controlled, Borrowed coupling by exchanging the dielectric If such a semi-solid or fixed value

der Koppelkondensatoren und/oder durch Verände- speicher nur eine Zeilenleitung angesteuert, dann ist rung der wirksamen Elektrodenflächen bewirkt wird. für jeden Matrixausgang, d. h. Spaltenleitung, eine Allen derartigen Festwert- bzw. Halbfestwertspei- 45 Koppelstelle vorgesehen, deren Koppelimpedanz dem ehern ist gemeinsam, daß für eine sichere Unterschei- Mittelwert der Restimpedanzen der Koppelstellen der dung der beiden möglichen Informationswerte einer Matrixanordnung entspricht.of the coupling capacitors and / or only one row line is driven by variable memory, then tion of the effective electrode areas is effected. for each matrix output, i. H. Column line, one All such fixed-value or semi-fixed-value storage 45 coupling points are provided whose coupling impedance corresponds to the What they have in common is that, for a reliable difference, the mean value of the residual impedances of the coupling points tion of the two possible information values corresponds to a matrix arrangement.

jeden Koppelstelle ein extremes Signalverhältnis er- Weitere Merkmale der Erfindung gehen aus derEach coupling point has an extreme signal ratio

wünscht ist. Bei gegebenem Maximalwert der Kop- folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels pelimperanz, der im allgemeinen von den zulässigen. 50 hervor, das in der Zeichnung am Beispiel eines Fest-Systemabmessungen und von der verfügbaren Signal- wertspeichers mit kapazitiven Koppelelementen darleistung abhängt, ist dieses Signalverhältnis im we- gestellt ist.wishes is. Given the maximum value of the head, the following description of an exemplary embodiment pelimperanz, which is generally different from the permissible. 50, which is shown in the drawing using the example of a fixed system dimensions and from the available signal value memory with capacitive coupling elements depends, this signal ratio is in the we- is set.

sentlichen durch den erreichbaren Minimalwert der Hierin wird ein Wechselstrom von einem Genera-an alternating current from a genera-

Koppelimpedanz bestimmt. Auch für die letzteren ist tor 37 über eine Torschaltung 38 impulsförmig moaber, vor allem durch die Zuleitungskapazitäten bei 55 duliert einer Auswahlschaltung 40 zugeführt." Letzkapazitiven Matrixanordnungen gedrängter Bauart, tere kann in nicht dargestellter Weise in Abhängigeine verhältnismäßig hohe untere Grenze gesetzt. keit von anderen Schaltvorgängen oder z. B. synchron Wie insbesondere die Fig. 10 der deutschen Aus- als Kettenschalter betrieben werden. Die Auswahllegeschrift 1070 677 zeigt, ist es bei Speicheranord- schaltung verbindet jeweils einen Eingang, z. B. den nungen mit Magnetkernen bekannt, die Beseitigung 60 der Matrixzeile 39, mit dem Ausgang der Torschalvon Störimpulsen beim Lesen nicht markierter Ma- tung 38.Coupling impedance determined. For the latter, too, gate 37 is pulsed via a gate circuit 38, Mainly fed to a selection circuit 40 by the lead capacitances at 55. "Letzkapazitiven Matrix arrangements of compact design, the other can be dependent in a manner not shown relatively high lower limit set. ability of other switching operations or z. B. synchronous How in particular Fig. 10 of the German Aus are operated as a chain switch. The selection font 1070 677 shows, it is in the case of a memory array circuit that connects each input, e.g. B. the Known with magnetic cores, the elimination 60 of the matrix line 39, with the output of the gates Interference pulses when reading unmarked data 38.

gnetkerne durch Zuführung eines Kompensations- Die eigentliche Speichermatrix besteht aus spalten-gnet cores by supplying a compensation The actual storage matrix consists of column

signals vorzunehmen. Wird die Matrix zeilenweise förmig angeordneten Leiterstreifen, die einseitig ungelesen, dann ist jeder Zeile ein Kompensations- mittelbar zu Ausgängen, unter anderem 44 und 45, magnetkern zugeordnet, der in jede Spalte ein Korn- 65 führen. Diese Spaltenleiter zeilenweise überkreuzend, pensationssignal induziert. Die einfache Übernahme sind Isolierstreifen in einer den Eingängen entspredieses Kompensationsprinzips auf einen Festwert- chenden Anzahl angeordnet. Jeder Zeilenstreifen oder Halbfestwertspeicher, bestehend aus einer ma- trägt eine mit dem zugehörigen Eingang verbundenesignals. If the matrix is arranged in rows in the form of conductor strips that are unread on one side, then every line is a compensation indirect to outputs, including 44 and 45, Magnetic core assigned, which lead a grain 65 in each column. Crossing this column ladder row by row, compensation signal induced. The simple takeover are insulating strips in one of the entrances Compensation principle arranged on a fixed number. Each strip of lines or semi-fixed value memory, consisting of a mass one connected to the associated input

Zeilenleitung und eine der Spaltenzahl entsprechende Anzahl von Elektronenflächen, die an den Kreuzungsstellen mit den Spaltenleitern kapazitiv gekoppelt sind. Die Zeilenelektroden sind gemäß der jeweiligen Zeilen-Information zwischen einem Eingang und den Ausgängen an die zugehörige Zeilenleitung angeschlossen oder von dieser abgetrennt. Zeilenstreifen und damit der jeweilige Informationsinhalt können auswechselbar vorgesehen sein.Row line and a number of electron areas corresponding to the number of columns, which are capacitively coupled to the column conductors at the crossing points are. The row electrodes are in accordance with the respective row information between an input and the Outputs connected to the associated row line or disconnected from it. Line stripes and thus the respective information content can be provided interchangeably.

Auch an jenen Kreuzungsstellen, deren Zeilenelektroden von der zugehörigen Zeilenleitung abgetrennt sind, tritt eine kapazitive Restkopplung zwischen den Spaltenleitern und der Zeilenleitung auf. Hierüber erhalten die nicht gekoppelten Ausgänge des Speichers ein Wechselstromrestsignal. In dem dargestellten Beispiel ist z. B. die auf den Ausgang 44 entfallende Zeilenelektrode des Zeilenstreifens 39 von der zugehörigen Zeilenleitung abgetrennt, während die auf den Ausgang 45 entfallende Zeilenelektrode dieses Streifens mit der Zeilenleitung verbunden ist. Demgemäß tritt am Ausgang 45 über die volle Koppelkapazität ein starkes Ausgangssignal auf, während Ausgang 44 ein Restsignal durch die Kopplung zwischen Zeilenleitung und Spaltenleiter erhält.Also at those crossing points whose row electrodes are separated from the associated row line are, a residual capacitive coupling occurs between the column conductors and the row line. Received about this the uncoupled outputs of the memory receive an AC residual signal. In the example shown is z. B. the allotted to the output 44 line electrode of the line strip 39 from the associated Row line disconnected, while the row electrode that is allocated to output 45 of this strip is connected to the row line. Accordingly occurs at the output 45 over the full coupling capacitance a strong output signal, while output 44 has a residual signal due to the coupling between row lines and get column ladder.

Unterhalb der Zeilenstreifen des Speichers ist ein zusätzlicher Isolierstoffstreifen 42 mit einer Zeilenleitung 43 angeordnet, der mit einer gegenphasigen Wicklung 41 eines mit dem Wechselstromgenerator 37 verbundenen Ausgangsübertragers zusammengeschaltet ist. Sämtliche Zeilenelektroden des Isolier-Stoffstreifens 42 sind von der Zeilenleitung 43 abgetrennt, so daß jeder Ausgang des Speichers mit der Zeilenleitung 43 über eine Restkapazität entsprechend den abgetrennten Elektroden des Speichers gekoppelt ist. Das von der Übertragerwicklung 41 abgenommene Korrektursignal wird daher von allen Ausgangssignalen abgezogen. Der zu den übrigen Zeilenstreifen des Speichers analoge Aufbau des zusätzlichen Zeilenstreifens 42 besorgt dabei ohne besondere Abgleichmaßnahmen für jeden Spaltenleiter die Übereinstimmung zwischen Rest- und Korrektursignal. Falls durch den Aufbau des Speichers stärkere Unterschiede der einzelnen Restkapazitäten gegeneinander bedingt sind, kann durch entsprechende Einstellung der vom Wechselstromgenerator abgenommenen Korrektursignalamplitude für einen mittleren Ausgleich gesorgt werden. Andererseits können die Koppelimpedanzen für das Korrektursignal durch entsprechende konstruktive Ausbildung leicht dem Mittelwert der Restimpedanzen der Koppelstellen des Speichers angepaßt werden.Below the row strips of the memory, an additional insulating material strip 42 with a row line 43 is arranged, which is interconnected with an anti-phase winding 41 of an output transformer connected to the alternating current generator 37. All of the row electrodes of the insulating material strip 42 are separated from the row line 43, so that each output of the memory is coupled to the row line 43 via a residual capacitance corresponding to the separated electrodes of the memory. The correction signal picked up by the transformer winding 41 is therefore subtracted from all output signals. The structure of the additional row strip 42, which is analogous to the other row strips of the memory, ensures the correspondence between the residual and correction signals for each column conductor without any special adjustment measures. If the structure of the memory causes greater differences between the individual residual capacities, an average compensation can be ensured by setting the correction signal amplitude taken from the alternator accordingly. On the other hand, the coupling impedances for the correction signal can easily be adapted to the mean value of the residual impedances of the coupling points of the memory by appropriate design.

Claims

Patent claims:

1. Electrical read-only memory or semi-read-only memory, consisting of a matrix-shaped Arrangement of coupling points between a plurality of row and column lines, wherein the coupling impedances of the coupling points can be set to two different fixed values and whereby the inputs of the memory with Impulsbzw. AC signals are applied, characterized in that for interference compensation known per se by means of anti-phase Correction signals a single additional line strip (42) is provided, the Coupling impedance to all column lines (44, 45) of the residual impedance between uncoupled Row and column line corresponds and to which an equally large anti-phase input signal is supplied is.

2. Electrical read-only memory or semi-read-only memory according to claim 1, characterized in that that for the residual impedances of the additional line strip (42) the mean value of Residual impedances of the coupling points of the matrix is selected.

3. Electrical read-only memory or semi-read-only memory according to claims 1 and 2 with capacitively acting coupling points, the effective electrode surfaces of which are unipolar on exchangeable ones Insulating strips arranged according to a matrix row and according to the respective Assignment are connected to or separated from a matrix input, thereby characterized in that for the supply of the correction signals to the matrix outputs (44, 45) an additional insulating strip (42) with an arrangement corresponding to the matrix columns of the memory of input connections (43) and electrode surfaces not connected to them is provided.

1 sheet of drawings