DE1285551B - Transistor amplifier consisting of the cascade connection of a field effect transistor and n film transistors (n at least equal to 1) with high stiffness and low distortion factor - Google Patents

Transistor amplifier consisting of the cascade connection of a field effect transistor and n film transistors (n at least equal to 1) with high stiffness and low distortion factor

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DE1285551B
DE1285551B DE1967N0030448 DEN0030448A DE1285551B DE 1285551 B DE1285551 B DE 1285551B DE 1967N0030448 DE1967N0030448 DE 1967N0030448 DE N0030448 A DEN0030448 A DE N0030448A DE 1285551 B DE1285551 B DE 1285551B
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Nienhuis Rijkert Jan
Peters Alphonsus Maria
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Description

1 21 2

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor- Je kleiner man deswegen den Widerstand R macht, Verstärker, der aus der Kaskadenschaltung eines Feld- um so größer wird die Steilheit des Feldeffekttraneffekttransistors und η Schichttransistoren (n minde- sistors T1 und damit die Gesamtsteilheit von (T1 + T2). stens gleich 1) besteht, wobei eine Ausgangselektrode Wenn man dagegen den Widerstand R so klein macht, des Feldeffekttransistors und eine Eingangselektrode 5 daß dieser mit dem Innenwiderstand des ihm folgenden des ersten Schichttransistors galvanisch miteinander Schichttransistors T2 vergleichbar wird, so wird auch verbunden sind. In bekannten Schaltungen dieser Art das <x' des erwähnten Schichttransistors stark abist die Quelle des Feldeffekttransistors mit der Basis- nehmen, und damit wird die Gesamtsteilheit der elektrode des ersten Schichttransistors verbunden. Die Transistoren (T1 -j- T2) auch abnehmen. Es wird somit Erfindung bezweckt, einen Verstärker mit hoher io ein Maximalwert für die Gesamtsteilheit der Tran-Steilheit und/oder niedrigem Klirrfaktor zu schaffen, sistoren (T1 + T2) als Funktion des Widerstandes R der geeignet ist, um als integrierte Schaltung ausgeführt gefunden. In F i g. 2 ist dieses Verhalten der Gesamtzu werden. Steilheit als Funktion des Widerstandes R durch dieThe invention relates to a transistor - the smaller you make the resistance R , amplifier, which is made from the cascade connection of a field - the greater the slope of the field effect transistor and η layer transistors (n min- sistor T 1 and thus the overall slope of ( T 1 + T 2 ). At least equal to 1), with an output electrode if, on the other hand, the resistance R of the field effect transistor and an input electrode 5 are so small that this is galvanically comparable with the internal resistance of the layer transistor T 2 following it, the first layer transistor so will also be connected. In known circuits of this type, the <x 'of the above-mentioned layer transistor is strongly separated from the source of the field effect transistor with the base, and the overall steepness of the electrode of the first layer transistor is connected with this. The transistors (T 1 -j- T 2 ) also decrease. The aim of the invention is thus to create an amplifier with a high io maximum value for the overall steepness of the Tran steepness and / or low distortion factor, sistors (T 1 + T 2 ) as a function of the resistance R which is suitable to be implemented as an integrated circuit found. In Fig. 2 this behavior is to become the overall. Slope as a function of the resistance R through the

Die Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß Kurve A dargestellt. Diese Steilheit (g) ist auf derThe invention is characterized in that curve A is shown. This slope (g) is on the

zwischen der Basis und dem Emitter des η Schicht- 15 rechten senkrechten Achse der F i g. 2 aufgetragenbetween the base and the emitter of the η layer- 15 right vertical axis of the F i g. 2 applied

transistors ein Widerstand geschaltet ist, dessen Wert und in mA/V ausgedrückt. Bei dieser Messung be-transistor, a resistor is connected, its value and expressed in mA / V. With this measurement

,„..„ , 5„,j. trugen die Widerstandswerte: R1 = 1 Megohm, R2 , "..", 5 ", j. carried the resistance values: R 1 = 1 megohm, R 2

von der Größenordnung vom ^-fachen des inneren = ^500 Ohm und ^ = 15 Qhm ^ Gesa^tstrom 7Jof the order of ^ -fold of the inner ^ = 500 ohms and ^ = 15 ^ QHM buttocks ^ 7 J tstrom

Basis-Emitter-Widerstandes des η · Schichttransistors durch den Widerstand R2 war auf 10 mA eingestellt,The base-emitter resistance of the η film transistor through the resistor R 2 was set to 10 mA,

ist. ao Bei den gegebenen Widerstandswerten für R1, R2 undis. ao With the given resistance values for R 1 , R 2 and

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß R3 und bei der gewählten GleichstromeinstellungThe invention is based on the knowledge that R 3 and in the selected direct current setting

durch die Anordnung des erwähnten Widerstandes R stellte sich heraus, daß dieses Maximum bei ungefährby the arrangement of the resistor R mentioned, it turned out that this maximum is approximately

die Stromeinstellung und dadurch die mögliche 800 Ohm lag.the current setting and thereby the possible 800 ohms was.

Verstärkung (Steilheit) des Feldeffekttransistors be- Weil die Steilheit eines Feldeffekttransistors pro-Gain (slope) of the field effect transistor because the slope of a field effect transistor

trächtlich erhöht werden kann. Außerdem kann bei 25 portional zur Wurzel aus dem Strom ist, wird beican be increased considerably. Also, at 25 it can be proportional to the root of the stream that will be at

einer richtigen Wahl der Größe dieses Widerstandes großer Aussteuerung des Feldeffekttransistors auch eina correct choice of the size of this resistance also a large modulation of the field effect transistor

der Klirrfaktor klein gehalten werden. großer Klirrfaktor auftreten. Durch die Anordnungthe distortion factor can be kept small. large distortion factor occur. By the arrangement

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den des Widerstandes R kann man den Ruhestrom desEmbodiments of the invention are in the resistor R can be the quiescent current of the

Zeichnungen dargestellt, und werden im folgenden Feldeffekttransistors gegenüber dem Steuerstrom desDrawings shown, and are in the following field effect transistor compared to the control current of the

näher beschrieben. Es zeigt 30 nachfolgenden Schichttransistors vergrößern. Dadurchdescribed in more detail. It shows 30 subsequent layer transistor enlarge. Through this

Fig. 1 das Prinzip der Erfindung, wird der Klirrfaktor des Feldeffekttransistors verringert.Fig. 1 shows the principle of the invention, the distortion factor of the field effect transistor is reduced.

F i g. 2 und 4 graphische Darstellungen zur Er- Wenn der Widerstand R jedoch zu niedrig gewähltF i g. 2 and 4 are graphs showing how if the resistance R is too low

läuterung der Erfindung, wird, so nimmt der Klirrfaktor des nachfolgendenPurification of the invention, the distortion factor of the following decreases

F i g. 3 eine weitere Abänderung der Fig. 1, Schichttransistors stark zu. Dieses Verhalten des Klirr-F i g. 3 a further modification of FIG. 1, layer transistor strongly to. This behavior of the distortion

F ig. 5 a schematisch eine Draufsicht eines Aus- 35 faktors D als Funktion des erwähnten Widerstandes R Fig. 5 a schematically shows a top view of an output factor D as a function of the mentioned resistance R

f ührungsbeispiels einer zusammengestellten Halbleiter- ist in Fig. 2, Kurven B, bei verschiedenen Ampli-guiding example of a compiled semiconductor is shown in Fig. 2, curves B, at different amplitudes

vorrichtung, in welcher der innerhalb der gestrichelten tudenwerten der Wechselstromaussteuerung dargestellt.Device in which the alternating current modulation is shown within the dashed tude values.

Linie in F i g. 1 liegende Teil der Schaltung nach Aus F i g. 2 ist ersichtlich, daß ein Minimum auftrittLine in FIG. 1 lying part of the circuit according to Aus F i g. 2 it can be seen that a minimum occurs

dieser Figur integriert ist, ' im Gesamtklirrfaktor D als Funktion des Wider-this figure is integrated, 'in the total harmonic distortion D as a function of the

F i g. 5 b schematisch einen Querschnitt durch 40 Standes R und auch, daß der Punkt der maximalenF i g. 5 b schematically shows a cross section through 40 stand R and also that the point of maximum

diese zusammengestellte Halbleitervorrichtung gemäß Steilheit und der Punkt des minimalen Klirrfaktorsthis assembled semiconductor device according to the slope and the point of the minimum distortion factor

den Linien 0-A, A-B, B-C, C-D und D-Fder Fig. 5a. nahe beieinanderliegen.lines 0-A, AB, BC, CD and DF of Figure 5a. close together.

In F i g. 1 ist T1 ein Feldeffekttransistor, in dem 4 Mit Hilfe des Widerstandes R kann man also einer-In Fig. 1 T 1 is a field effect transistor, in which 4 With the help of the resistor R one can

die Torelektrode, 3 die Quelle und 5 die Senke dar- seits die Gesamtsteilheit auf einen Höchstwert undthe gate electrode, 3 the source and 5 the sink, followed by the total slope to a maximum value and

stellen. Dabei wird insbesondere an einen Feldeffekt- 45 andererseits den Klirrfaktor auf einen Mindestwertplace. On the other hand, the distortion factor is set to a minimum value in particular on a field effect

transistor vom Typ mit isiolierter Torielektrode einstellen. Auf empirischem Wege wurde festgestellt,Set a transistor of the type with an insulated toroidal electrode. It has been established empirically

gedacht, wie dieser in der Literatur z. B. als MOS- daß, wenn man für die Größe des Widerstandes R thought how this in the literature z. B. as MOS that, if you look for the size of the resistor R

oder als MNS-Transistor beschrieben wird ^ w { der Größenord vom-^-fachenor as an MNS transistor is described ^ w {the order of magnitude of - ^ - times

Das zu verstärkende Signal V1 wird dem Feldeffekt- 6 ]/« transistor zwischen der Torelektrode und der Quelle 50 des inneren Basis-Emitter-Widerstandes des η · Schichtzugeführt. Die Senke 5 des Transistors T1 ist mit der transistors wählt, der Quotient Basiselektrode des Transistors T2 und einem Wider- GesamtverstärkungThe signal to be amplified V 1 is the field-effect 6] / "transistor between the gate electrode and the source 50 of the internal base-emitter resistance of the η · layer fed. The sink 5 of the transistor T 1 is selected with the transistor, the quotient of the base electrode of the transistor T 2 and an overall gain

stand R galvanisch verbunden. Der Widerstand R —= Stand R galvanically connected. The resistance R - =

liegt zwischen der Basiselektrode und der Emitter- Uesamtöintattorlies between the base electrode and the emitter Uesamtöintattor

elektrode des Schichttransistors T2. 55 einen Höchstwert annimmt. Dabei stellt η die Anzahlelectrode of the layer transistor T 2 . 55 assumes a maximum value. Here η represents the number

Die Quelle des Transistors T1 und die Kollektor- Schichttransistoren dar, die dem FeldeffekttransistorThe source of the transistor T 1 and the collector layer transistors represent the field effect transistor

elektrode des Transistors T2 sind gemeinsam über einen folgen. Für diesen Basis-Emitter-Widerstand deselectrode of transistor T 2 are common to follow one. For this base-emitter resistance of the

Belastungswiderstand R2 mit der Speisequelle ver- Transistors T2 der F i g. 1 wird unter den oben-Load resistance R 2 with the supply source ver transistor T 2 of FIG. 1 is listed under the above

bunden. erwähnten Verhältnissen ein Wert von 250 Ohmbound. mentioned ratios a value of 250 ohms

Aus F i g. 1 ist ersichtlich, daß der Ruhestrom des 60 gemessen.From Fig. 1 it can be seen that the quiescent current of the 60 is measured.

τ, . . rr λ ■ u τ τ ι vbe ■ + u-ry In F i g. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel derτ,. . rr λ ■ u τ τ ι v be ■ + u-ry In F i g. 3 is another embodiment of FIG

Transistors T-, gleich la = /H—s- ist, wobei Vbe t-_c j j ^i^tj- τ» · · ι j· i jTransistor T-, equal to la = / H-s-, where Vbe t-_c jj ^ i ^ tj- τ »· · ι j · ij

1 s R Erfindung dargestellt. In diesem Beispiel folgen dem 1 s R invention shown. In this example follow that

die Basis-Emitter-Spannung und h den Basisstrom Feldeffekttransistor zwei Schichttransistoren, alsothe base-emitter voltage and h the base current field effect transistor two layer transistors, so

des Transistors T2 darstellen. Wenn der Basisstrom η — 2. In dieser Figur ist T1 der Feldeffekttransistor,of the transistor T 2 represent. If the base current η - 2. In this figure, T 1 is the field effect transistor,

des Transistors T2 und der Widerstand R klein sind, 65 bei dem 4 die Torelektrode, 3 die Quelle und 5 dieof the transistor T 2 and the resistor R are small, 65 in which 4 the gate electrode, 3 the source and 5 the

ergibt sich näherungsweise, daß der Ruhestrom des Senke darstellen. Das zu verstärkende Signal V1 wirdit results approximately that represent the quiescent current of the sink. The signal to be amplified V 1 becomes

„ . „, , . , T Vbe ■ dem Feldeffekttransistor über die Torelektrode und". ",,. , T Vbe ■ the field effect transistor via the gate electrode and

Transistors T1 gleich Ia =-^- ist. die Quelle zugefiihrt Die Senke 5 des Transistors Τχ Transistor T 1 is equal to Ia = - ^ - . the source is supplied to the sink 5 of the transistor Τχ

Claims (5)

3 43 4 ist wieder mit der Basiselektrode des ersten Schicht- Torelektrode aus der auf der Oxidschicht 2 ange-is again with the base electrode of the first layer gate electrode from the one on the oxide layer 2 transistors T2 galvanisch gekoppelt. Die Quelle des brachten Metallschicht 4, die durch die Öffnung 90transistor T 2 galvanically coupled. The source of the brought metal layer 4 passing through the opening 90 Transistors T1 und die Kollektorelektroden der Tran- in der Oxidschicht 2 mit der p-leitenden Zone 14The transistor T 1 and the collector electrodes of the tran- in the oxide layer 2 with the p-conductive zone 14 sistoren T2 und T3 sind gemeinsam über einen Be- verbunden ist, die mit dem umringenden Halbleiter-sistors T 2 and T 3 are jointly connected via a loading, which is connected to the surrounding semiconductor lastungswiderstand R2 mit der Speisequelle verbunden. 5 material die Diode D1 bildet.load resistor R 2 connected to the supply source. 5 material forms the diode D 1 . Im Prinzip könnte man den Widerstand R der F i g. 1 Zwischen der p-leitenden Zone 14 der Diode D1 In principle one could use the resistance R of FIG. 1 Between the p-conducting zone 14 of the diode D 1 auch zwischen der Basiselektrode des Transistors T1 und den p-leitenden Zonen 13 und 15 des Feldeffekt-also between the base electrode of the transistor T 1 and the p-conducting zones 13 and 15 of the field effect und der Emitterelektrode des Transistors T3 der transistors ist die η-leitende Zone 16 angebracht,and the emitter electrode of the transistor T 3 of the transistor, the η-conductive zone 16 is attached, F i g. 3 anbringen. Aus Versuchen hat es sich jedoch deren spezifischer Widerstand kleiner ist als der desF i g. 3 attach. However, tests have shown that their specific resistance is lower than that of the herausgestellt, daß das Anbringen des Widerstandes R io η-leitenden Halbleiterkörpers 1. Diese Zone 16 ver-pointed out that the attachment of the resistor R io η-conductive semiconductor body 1. This zone 16 ver zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode hindert eine parasitäre Feldeffekttransistorwirkungbetween the base electrode and the emitter electrode prevents parasitic field effect transistor action des Transistors T3 mit Hinsicht auf die Verstärkung der p-leitenden Zone 14 und der Zone 13 und/oder 15.of the transistor T 3 with regard to the reinforcement of the p-conducting zone 14 and the zone 13 and / or 15. und den Klirrfaktor vorzuziehen ist. F i g. 4 zeigt Der Transistor T2 enthält die p-leitende Basiszone 17and the distortion factor is preferable. F i g. 4 shows the transistor T 2 contains the p-conducting base zone 17 die Gesamtsteilheit (Kurve A) und den Klirrfaktor und die η-leitenden Emitterzonen 18. Die Koüektor-the overall steepness (curve A) and the distortion factor and the η-conducting emitter zones 18. The Koüektor- (Kurven B) als Funktion des Widerstandes R nach 15 zone wird durch das die Basiszone 17 umringende(Curves B) as a function of the resistance R after 15 zone is through the zone 17 surrounding the base zone Fig. 3. Bei diesen Messungen betrugen die Wider- Halbleitermaterial des η-leitenden Körpers 1 gebildet,Fig. 3. In these measurements, the resistive semiconductor material of the η-conductive body 1 was formed, standswerte: R1 = 1 Megohm, -R2 = 1500 Ohm, R3 Durch die Öffnungen 10 in der Oxidschicht 2 ist derstand values: R 1 = 1 Megohm, -R 2 = 1500 Ohm, R 3 through the openings 10 in the oxide layer 2 is the = 15 Ohm. Leiter 5 mit der Basiszone 17 verbunden. Der Leiter 6= 15 ohms. Conductor 5 connected to base zone 17. The head 6 Der innere Basis-Emitter-Widerstand des Tran- ist durch die Öffnungen 20 in der Oxidschicht 2The inner base-emitter resistance of the Tran- is through the openings 20 in the oxide layer 2 sistors T3 betrug wieder 250 Ohm. Der Gleichstrom It 20 mit den Emitterzonen 18 und durch die Öffnung 60sistor T 3 was again 250 ohms. The direct current It 20 with the emitter zones 18 and through the opening 60 war auf 10 niA eingestellt. Diese F i g. 4 zeigt, daß mit der p-leitenden Zone 25 verbunden, die denwas set to 10 niA. This F i g. 4 shows that connected to the p-type region 25, the auch bei diesem Ausführungsbeispiel eine maximale Widerstand R bildet und sich an die p-leitende, dieIn this embodiment, too, a maximum resistance R forms and adapts to the p-type, the Gesamtsteilheit g und zugleich ein minimaler Klirr- Senke des Feldeffekttransistors bildende Zone 15Overall steepness g and at the same time a minimal distortion sink of the field effect transistor forming zone 15 faktor D als Funktion des Widerstandes R auftritt. anschließt.factor D occurs as a function of the resistance R. connects. Wenn man als Wert für diesen Widerstand R einen 25 Der η-leitende Halbleiterkörper 1 kann auf die inIf the value for this resistance R is 25, the η-conductive semiconductor body 1 can be based on the in u/ t · a - η --η r-A 5 t u*n α der Halbleitertechnik übliche Weise auf einem Metall-Wert in der Größenordnung vom py-fachen des tfäger befestigt ^ der ^^ ^ Zuführungsleiter u / t · a - η - η rA 5 tu * n α in semiconductor technology usual way attached to a metal value in the order of magnitude of py times the tfäger ^ the ^^ ^ supply conductor Basis-Emitter-Widerstandes des Transistors T3 wählt, dient. Weiter kann ein Zuführungsleiter auf dieBase-emitter resistance of the transistor T 3 selects, is used. A feed conductor can also be attached to the dann ergibt sich, daß der Quotient übliche Weise mit den Leitern 3, 4 und 6 verbundenthen it follows that the quotient is connected to conductors 3, 4 and 6 in the usual way Gesamtverstärkung 3o werden· Gewünschtenfalls kann der Leiter 3 durch inTotal reinforcement 3o · If desired, the conductor 3 can be replaced by in —= γγ.—j—j—— der Oxidschicht 2 anzubringende Öffnungen mit dem - = γγ. —J — j—— openings to be applied to the oxide layer 2 with the Gesamtkhrrtaktor η-leitenden Material des Halbleiterkörpers 1 kurzeinen maximalen Wert annimmt. geschlossen werden.Total clock factor η-conductive material of the semiconductor body 1 in short assumes maximum value. getting closed. Die mit gestrichelten Linien angegebene Diode D1 Die interdigitalen p-leitenden Zonen 13 und 15 The diode D 1 indicated by dashed lines. The interdigital p-conducting zones 13 and 15 in den F i g. 1 und 2 zwischen der Quelle 3 und der 35 und die p-leitenden Zonen 14, 25 und 17 können aufin Figs. 1 and 2 between the source 3 and the 35 and the p-type zones 14, 25 and 17 can be on Torelektrode 4 ist eine sogenannte Schutzdiode, die eine in der Halbleitertechnik bekannte Weise durchGate electrode 4 is a so-called protection diode, which by a manner known in semiconductor technology vorzugsweise aufgenommen wird und die dazu dient, Diffusion eines p-Aktivators erhalten werden. Dieseis preferably included and which serves to obtain diffusion of a p-activator. These die Isolierschicht unter der Torelektrode vor Durch- Zonen haben z. B. eine Dicke von 4 μπι und einenthe insulating layer under the gate electrode in front of through zones have z. B. a thickness of 4 μπι and one bruch zu schützen. Dazu wird eine Diode gewählt, Schichtwiderstand von 180 Ohm/Quadrat. Die Breiteto protect breakage. A diode is selected for this, sheet resistance of 180 ohms / square. The width deren Durchbruchspannung kleiner ist als die der 40 der ineinandergreifenden Finger der Zonen 13 und 15whose breakdown voltage is less than that of the 40 of the interdigitated fingers of zones 13 and 15 betreffenden Isolierschicht. beträgt z. B. 14 μπι und die Länge ungefähr 128 μπι,relevant insulating layer. is z. B. 14 μπι and the length approximately 128 μπι, Vorzugsweise sind der Widerstand R, der Feld- während die Abmessungen der Zone 17 z. B. 140 · 110-Preferably the resistance R, the field while the dimensions of the zone 17 are e.g. B. 140 · 110- effekttransistor T1 und die Schichttransistoren T2 und während die Abmessungen der Zonel7z.B. 140·110μηαeffect transistor T 1 and the layer transistors T 2 and while the dimensions of the Zonel7z.B. 140 · 110μηα T3 im gemeinsamen Halbleiterkörper integriert. betragen. Die p-leitende Zone 14 hat z. B. die Ab- T 3 integrated in the common semiconductor body. be. The p-type zone 14 has, for. B. the F i g. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel des innerhalb 45 messungen 25 · 75 μπι. Die η-leitenden Zonen 16 der gestrichelten Linien liegenden Teils der Schaltung und 18 sind durch Diffusion eines η-leitenden Aktivanach F i g. 1 in einer integrierten Form. Die Schutz- tors auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise diode D1 hier ebenfalls integriert. erhalten, und ihre Abmessungen betragen ungefährF i g. 5 shows an embodiment of the within 45 measurements 25 · 75 μπι. The η-conductive zones 16 of the dashed lines of the part of the circuit and 18 are formed by diffusion of an η-conductive active component according to FIG. 1 in an integrated form. The protective gate is also integrated here in a manner customary in semiconductor technology, diode D 1. obtained, and their dimensions are approximately Die zusammengestellte (integrierte) Halbleiter vor- 3 · 15 · 90 μηι bzw. 3 · 25 · 115 μηι. Der Schichtrichtung nach F i g. 5 besteht aus einem η-leitenden so widerstand dieser Zonen beträgt ungefähr 1,5 Ohm/ Halbleiterkörper 1, mit Abmessungen von ungefähr Quadrat.The assembled (integrated) semiconductor is 3 · 15 · 90 μηι or 3 · 25 · 115 μηι. The layer direction according to FIG. 5 consists of an η-conductive so the resistance of these zones is approximately 1.5 Ohm / Semiconductor body 1, with dimensions of approximately square. 120 · 400 · 400 μΐη, der einseitig mit einer Isolierschicht Die p-leitende Zone 25, die den Widerstand R 120 · 400 · 400 μΐη, with an insulating layer on one side. The p-conductive zone 25, which has the resistance R 2, z. B. einer 0,2 μηι dicken Siliziumdioxidschicht, bildet, hat ebenso wie die übrigen p-leitenden Zonen2, e.g. B. a 0.2 μm thick silicon dioxide layer forms, like the other p-conductive zones versehen ist. Auf der Seite der Isolierschicht 2 und einen Schichtwiderstand von 180 Ohm/Quadrat, wäh-is provided. On the side of the insulating layer 2 and a sheet resistance of 180 ohms / square, while unter dieser Schicht sind die Schaltelemente vorhanden, 55 rend die Abmessungen α und b in Fig. 5 a bzw.under this layer the switching elements are present, 55 rend the dimensions α and b in Fig. 5 a and während auf der Isolierschicht vier Leiter 3, 4, 5 und 6 104 μπι betragen, so daß R einen Widerstand vonwhile on the insulating layer four conductors 3, 4, 5 and 6 are 104 μπι, so that R has a resistance of angebracht sind, die zur Bildung von leitenden Ver- ungefähr 1000 Ohm hat.
bindungen mit diesen Schaltelementen dienen. In derare attached, which has about 1000 ohms to form conductive connections.
Connections with these switching elements are used. In the Isolierschicht 2 sind die Öffnungen 10, 20, 60, 70, 80 Patentansprüche:Insulating layer 2 are the openings 10, 20, 60, 70, 80 patent claims: und 90 angebracht, durch welche Öffnungen hindurch 60and 90 attached through which openings 60 die Leiter mit dem unter der Oxidschicht 2 liegenden 1. Transistorverstärker, der aus der Kaskaden-Zonen der Schaltelemente kontaktiert werden. schaltung eines Feldeffekttransistors und η Schicht-the conductors with the first transistor amplifier located under the oxide layer 2, which is contacted from the cascade zones of the switching elements. circuit of a field effect transistor and η layer Der Feldeffekttransistor T1 enthält eine Quelle, die transistoren (n mindestens gleich 1) besteht,The field effect transistor T 1 contains a source that consists of transistors (n at least equal to 1), aus einer p-leitenden Zone 13 besteht, mit welcher dadurch gekennzeichnet, daß dieconsists of a p-conductive zone 13, characterized in that the der Leiter 3 über die Öffnung 80 in der Oxidschicht 2 65 Senke (5) des Felde ffekttranistors (T1) mit derthe conductor 3 via the opening 80 in the oxide layer 2 65 sink (5) of the field ffekttranistor (T 1 ) with the verbunden ist, und eine Senke, die aus einer p-leitenden Basiselektrode des ersten Schichttransistors (T2) is connected, and a drain, which consists of a p-conducting base electrode of the first layer transistor (T 2 ) Zone 15 besteht, mit welcher der Leiter 5 durch die verbunden ist und daß zwischen der BasiselektrodeZone 15 exists to which the conductor 5 is connected and that between the base electrode Öffnung 70 in der Oxidschicht 2 verbunden ist. Die und der Emitterelektrode (6) des η · Schicht-Opening 70 in the oxide layer 2 is connected. The and the emitter electrode (6) of the η layer transistors ein Widerstand (R) geschaltet ist, dessen Wert von der Größenordnung vom -ψ^- fachen des inneren Basis-Emitter-Widerstandes des η · Schichttransistors ist.transistor, a resistor (R) is connected, the value of which is on the order of -ψ ^ - times the internal base-emitter resistance of the η · layer transistor. 2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Feldeffekttransistor (T1) zwei Schichttransistoren (T2, T3) folgen, wobei die Emitterelektrode (6) des ersten Schichttransistors (TVj mit der Basiselektrode des zweiten Schichttransistors (T2) galvanisch verbunden ist.2. Transistor amplifier according to claim 1, characterized in that the field effect transistor (T 1 ) is followed by two layer transistors (T 2 , T 3 ) , the emitter electrode (6) of the first layer transistor (TVj with the base electrode of the second layer transistor (T 2 ) galvanically) connected is. 3. Transistorverstärker nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (R), die Schichttransistoren (T2, T3) und der erwähnte Feldeffekttransistor (T1), vorzugsweise vom Typ mit isolierter Torelektrode, in einem gemeinsamen Halbleiterkörper (1) integriert sind.3. Transistor amplifier according to claim 1 and 2, characterized in that the resistor (R), the layer transistors (T 2 , T 3 ) and the mentioned field effect transistor (T 1 ), preferably of the type with an insulated gate electrode, in a common semiconductor body (1 ) are integrated. 4. Transistorverstärker nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Feldeffekttransistor vom Typ mit isolierter Torelektrode ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (2) zwischen der Torelektrode (4) und dem Halbleiterkörper (1) des Feldeffekttransistors gegen Durchbruch von einer zwischen der Torelektrode (4) und den Halbleiterkörper (1) geschalteten Schutzdiode (D1) geschützt ist.4. Transistor amplifier according to one or more of the preceding claims, wherein the field effect transistor is of the type with an insulated gate electrode, characterized in that the insulating layer (2) between the gate electrode (4) and the semiconductor body (1) of the field effect transistor against breakdown of one between the gate electrode (4) and the semiconductor body (1) connected protective diode (D 1 ) is protected. 5. Transistorverstärker nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzdiode (D1) ebenfalls in demselben Halbleiterkörper (1) integriert ist.5. Transistor amplifier according to claim 3 and 4, characterized in that the protective diode (D 1 ) is also integrated in the same semiconductor body (1). Hierzu 1 Blatt Zeichnungen For this purpose, 1 sheet of drawings
DE1967N0030448 1966-05-06 1967-05-03 Transistor amplifier consisting of the cascade connection of a field effect transistor and n film transistors (n at least equal to 1) with high stiffness and low distortion factor Pending DE1285551B (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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