DE1273615C2 - NON-RECIPROCAL REACTANCE AMPLIFIER ARRANGEMENT - Google Patents

NON-RECIPROCAL REACTANCE AMPLIFIER ARRANGEMENT

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DE1273615C2
DE1273615C2 DE1966T0030333 DET0030333A DE1273615C2 DE 1273615 C2 DE1273615 C2 DE 1273615C2 DE 1966T0030333 DE1966T0030333 DE 1966T0030333 DE T0030333 A DET0030333 A DE T0030333A DE 1273615 C2 DE1273615 C2 DE 1273615C2
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Berthold Dipl.-Ing. Dr.phil. 7901 Ehrenstein; Löcherer Karl-Heinz Dr.-Ing. 7900 Ulm; Maurer Robert 7500 Karlsruhe Bosch
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F7/00Parametric amplifiers
    • H03F7/04Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element

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  • Amplifiers (AREA)

Description

60 zeichneten beiden Klemmen liegt der eingangsseitige60 marked two terminals is the input side

Die Erfindung befaßt sich mit einer nichtreziproken Signalkreis und rechts der mit 2 bezeichneten Klem-The invention relates to a non-reciprocal signal circle and to the right of the terminal designated by 2

Reaktanzverstärkeranordnung, vorzugsweise für Mi- men der ausgangsseitige Signalkreis. Die SignalquelleReactance amplifier arrangement, preferably for Mimens the signal circuit on the output side. The signal source

krowellen, bestehend aus einer Kettenschaltung eines 6S mit ihrem Innenwiderstand Rs ist bei der in derkrowellen, consisting of a chain circuit of a 6 S with its internal resistance R s is in the

Aufwärts- und eines Abwärtsmischers, deren nicht- F i g. 1 dargestellten Ersatzschaltung induktiv an denUp and a down mixer, the non-F i g. 1 shown equivalent circuit inductively to the

lineare Leitwerte durch Kapazitätsdioden verwirklicht 65 eingangsseitigen Signalkreis angekoppelt. Dieser wirdlinear conductance achieved by capacitance diodes 65 coupled to the signal circuit on the input side. This one will

sind, die verschiedenphasig gepumpt werden, wobei gebildet durch das π-Glied mit der Längsinduktivitätwhich are pumped in different phases, being formed by the π-element with the series inductance

den beiden Mischern ein Resonanzsystem gemeinsam L7-, und den beiden Querkapazitäten Cri in Verbin-the two mixers have a common resonance system L 7 -, and the two transverse capacitances C ri in connection

ist, das zum Zwecke der Leisiungsanpassung und bindung mit der im Eingangskreis wirksamen Induk-is that for the purpose of performance adjustment and connection with the induction circuit effective in the input circuit

tivität L1 der Ankopplung der Signalquelle. Der ausgangsseitige Signalkreis ist in gleicher Weise aufgebaut. Er besteht aus der im Längszweig angeordneten Induktivität LTs und den beiden Querkapazitäten CT 2, die mit L7-, ein π-Glied bilden, welches induktiv über L2 an den Lastwkyrstand RL angekoppelt ist. Dazwischen liegt der gemeinsame Hilfskreis. Bezüglich des Hilfskreises kann man die Signalkreise mit ihren Leitwerten zwischen den Klemmen 1-1 und 2-2 bei der Pumpfrequenz fb und den beiden Hilfsfrequenzen fb+s und /6_s.als Kurzschluß betrachten.activity L 1 of the coupling of the signal source. The signal circuit on the output side is structured in the same way. It consists of the inductance L Ts arranged in the series branch and the two transverse capacitances C T 2 , which, with L 7 -, form a π element which is inductively coupled to the load cell R L via L 2. In between is the common auxiliary circle. With regard to the auxiliary circuit, the signal circuits with their conductance values between terminals 1-1 and 2-2 at the pump frequency f b and the two auxiliary frequencies f b + s and / 6 _ s can be regarded as a short circuit.

Unter dieser Annahme folgt das in der F i g. 2 dargestellte Ersatzbild des Hilfskreises für die beiden Hilfsfrequenzfcn und die Pumpfrequenz. Den beiden parallelliegenden nichtlinearen Leitwerten D1 und D2 liegt der von außen zuzuschaltende Zweipol Y und der Pumpgenerator, dargestellt durch die Pumpquelle S6 und zugehöriger InnenwicL'rstand 3ift, parallel. Der in der Fig. 1 mit D1 bezeichnete Leitwert der Kapazitätsdiode besitzt eine Sperrschichtkapazität Cj1, eine Serieninduktivität L5, und einen Serienwiderstand RSl. Der Serienschaltung dieser drei Elemente liegt die entsprechende Gehäusekapazität C0, parallel. Entsprechend sind die Elemente des nichtlinearen, ebenfalls durch eine Kapazitätsdiode gebildeten zweiten Leitwertes D2 mit RSs, C1,, L52 und die hierzu parallelliegende Gehäusekapazität mit C02 bezeichnet. Unter gewissen Bedingungen, und zwar dann, wenn die Größen der durch die Dioden gebildeten nichtlinearen Leitwerte bestimmte günstige Werte aufweisen, kann der Zweipol Y lediglich aus einer Induktivität und einer Kapazität zur Neutralisation bestehen. Im allgemeinen wird es sich jedoch um einen Blindleitwert in Zusammenschaltung mit einem frequenzabhängigen Wirkleitwert handeln. Der erwähnte frequenzabhängige Wirkleitwert kann dabei beispielsweise durch den über eine Reaktanz angekoppelten Innenleitwert des Pumpgenerators verwirklicht werden.With this assumption, this follows in FIG. 2 represented substitute image of the auxiliary circuit for the two auxiliary frequencies and the pump frequency. The two parallel nonlinear conductance values D 1 and D 2 are connected in parallel by the two-pole Y and the pump generator, represented by the pump source S 6 and the associated internal resistor 3 ft. The conductance of the capacitance diode, denoted by D 1 in FIG. 1, has a junction capacitance Cj 1 , a series inductance L 5 , and a series resistance R Sl . The series connection of these three elements has the corresponding housing capacitance C 0 , in parallel. Correspondingly, the elements of the non-linear second conductance D 2 , which is also formed by a capacitance diode, are denoted by R Ss , C 1 , L 52 and the housing capacitance lying parallel to this is denoted by C 02. Under certain conditions, namely when the sizes of the non-linear conductance values formed by the diodes have certain favorable values, the two-pole Y can only consist of an inductance and a capacitance for neutralization. In general, however, there will be a susceptibility in connection with a frequency-dependent conductance. The mentioned frequency-dependent conductance can be realized, for example, by the internal conductance of the pump generator coupled via a reactance.

In der F i g. 3 ist eine mögliche Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verstärkers im Schnitt dargestellt. Der Aufbau wurde hierbei koaxial vorgenommen, wobei / den Innenleiter und M den diesen abschirmenden Außenmantel darstellt. Der Eingang E der Anordnung ist wie der Ausgang A mit Hilfe einer durch den Mantel M isoliert hindurchgeführten Koppelschleife in bekannter Weise ausgebildet. Die erforderlichen nichtlinearen Leitwerte D1 und D2 sind in den Zug des Innenleiters / eingefügt. Mit S1 und Sa ist der eingangs- bzw. ausgangsseitige Signalkreis der Anordnung bezeichnet. Zur Sperrung der Pump- und Hilfsfrequenzen sind zwischen der Gleichspannungszuführung Z1 bzw. Z., und den beiden Dioden D1 und D2 Tiefpässe T1 und T2 eingefügt, die beim dargestellten Ausführungsbeispiel durch scheibenförmige Verdickungen des Innenleiters / gebildet werden. Wie bereits eingangs geschildert, ist eine Neutralisation des Rückwirkungs-In FIG. 3 shows a possible embodiment of the amplifier according to the invention in section. The construction was carried out coaxially, with / representing the inner conductor and M the outer sheath that shields it. The input E of the arrangement, like the output A , is designed in a known manner with the aid of a coupling loop which is passed through the jacket M and is insulated. The required non-linear conductance values D 1 and D 2 are inserted into the train of the inner conductor /. The input and output-side signal circuit of the arrangement is denoted by S 1 and S a. To block the pumping and auxiliary frequencies, low-pass filters T 1 and T 2 are inserted between the DC voltage supply Z 1 and Z. and the two diodes D 1 and D 2 , which in the illustrated embodiment are formed by disc-shaped thickenings of the inner conductor /. As already described at the beginning, a neutralization of the reaction

IS leitwertes der Anordnung vorgenommen. Bei der in der Fig. 3 dargestellten Ausführungsform der Erfindung wird dies unter anderem durch einen Neutralisationskondensator Cn bewirkt. Dieser Kondensator befindet sich zwischen dem Mantel M derIS conductance of the arrangement made. In the embodiment of the invention shown in FIG. 3, this is effected, inter alia, by a neutralization capacitor C n. This capacitor is located between the jacket M of the

ao koaxialen Anordnung und dem gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden Mischerdioden D1 und D2. Die Verbindungsleitung dieses Neutralisalionskondensators C^ mit dem gemeinsamen Punkt der beiden Dioden D1 und D2 ist hierbei gleichzeitig als lnduktivitäi L ausgebildet. Diese Gesamtanordnung stellt den im Ersatzschaltbild der Fig. 1 und 2 mit Y bezeichneten passiven Zweipol dar. Die obenerwähnte Neutralisation des Rückwirkungsleitwertes wird bei der beschriebenen Anordnung somit durch eine T-Schaltung bewirkt, in welcher der Neutralisationskondensator Cn den Querzweig bildet. Abweichend hiervon ist es auch möglich, die Neutralisation des Rückwirkungsleitwertes durch eine .7-Schaltung durchzuführen, wie dies bereits anderweitig vorgeschlagen wurde.ao coaxial arrangement and the common connection point of the two mixer diodes D 1 and D 2 . The connection line of this neutralization capacitor C ^ with the common point of the two diodes D 1 and D 2 is in this case designed as an inductance L at the same time. This overall arrangement represents the passive two-terminal circuit denoted by Y in the equivalent circuit diagram in FIGS. 1 and 2. The above-mentioned neutralization of the retroactive conductance is thus effected in the described arrangement by a T-circuit in which the neutralization capacitor C n forms the shunt arm. Notwithstanding this, it is also possible to neutralize the retroactive conductance by means of a .7 circuit, as has already been suggested elsewhere.

Der Pumposzillator P mit seinem Innenwiderstand Rj ist bei der dargestellten Ausführungsform der F i g. 3 über eine Koppelinduktivität L1, an den gemeinsamen Punkt der beiden Mischerdioden D1 und D2 angekoppelt.The pump oscillator P with its internal resistance Rj is in the illustrated embodiment of FIG. 3 via a coupling inductance L 1 , coupled to the common point of the two mixer diodes D 1 and D 2.

Die Erfindung bringt darüber hinaus den Vorteil, daß das Produkt aus Bandbreite mal Verstärkung maximal wird, was bei derartigen Verstärkern wünschenswert ist.The invention also has the advantage that the product of bandwidth times gain becomes a maximum, which is desirable in such amplifiers.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (4)

Verstärkung sowohl bei der für den Betrieb in Fre-Reinforcement for both the PatentansD-üche· qusnzengleichlage als auch bei der für den BetriebPatent applications for the same level as for the operation F* in Frequenzenkehrlage erforderlichen Hilfsfreqitenz F * auxiliary frequency required in frequency reversal : 1. Nichtreziproke Reaktanzveistärkeranord- Resonanzverhalten zeigt, wobei derRückwirkungs-Bung, vorzugsweise für Mikrowellen, bestehend 5 leitwert der Mischerkette zwischen Eingang und Ausras einer Kittenschaltung eines Aufwärts- und gang durch einen linearen, passiven und reziproken eines Abwärtsmischers, deren nichtlineare LeH- Zweipol neutralisiert jst. ......: 1. Shows non-reciprocal reactance or even stronger arrangement resonance behavior, where the preferably for microwaves, consisting of 5 conductivity of the mixer chain between input and outlet a glue circuit of an upward and a gear through a linear, passive and reciprocal a down mixer whose non-linear LeH two-pole is neutralized. ...... werte durch Kapazitätsdioden verwirklicht sind, Eine nichtreziproke Verstärkerschaltung dieser Art die verschiedenphasig gepumpt werden, wobei ist durch die deutsche Patentschrift 1107 297 beden beiden Mischern ein Resonanzsystem gemein- *° kanntgeworden, wobei jedoch der eine Mischer emen sam ist, das zum Zwecke der Leistungsanpassung nichtlinearen reellen Leitwert, der andere Mischer und Verstärkung sowohl bei der für den Betrieb einen nichtlinearen Blindleitwert enthalt Die Verin Frequenzengleichlage als auch bei der für den wendung von nur nichtlinearen Bhndleitwerten Betrieb in Frequenzenkehrlage erforderlichen (Kapazitätsdioden) bei einer nichtreziproken Ver-Hilfsfrequenz Resonanzverhalten zeigt, wobei der 15 Stärkeranordnung, bestehend aus der Kettenschaltung Rückwirkungsleitwert der Mischerkette zwischen zweier parametrischer bzw. Tunneldioden-Mischer, Eingang und Ausgang durch einen linearen, pas- welche von verschiedenphasigen Pumpspannungen siven und reziproken Zweipol neutralisiert ist, durchgesteueit werden, ist ferner durch die deutsche dadurch gekennzeichnet, daß diese Patentschrift 1112140vorbekannt. .
Dioden (D1, D2), die bezüglich der Hilfsfrequen- ao Durch die DT-AS 11 75 294 ist ferner bereits ein zen parallel liegen und zu denen der Zweipol (Y) parametrischer Verstärker vorbekannt, der aus zwei parallel geschaltet ist, derart angeordnet und di- in einer Briickenschadfung angeordneten Kapazilätsmensioniert sind, daß ihre parasitären Elemente, dioden besteht und bei dem die Frequenz der Diffeim wesentlichen deren Serien induktivitäten (LSl, renzfrequenzschwingungen durch die Eigenresonanz L52), Gehäusekapazitäten (Q1, CC2) und Serien- »5 des Kreises mit den Kapazitätsdioden bestimmt ist.
widerstände (RSv /?s„), zusammen mit den je- Durch die BE-PS 6 31541 ist ferner eine Verweiligen Sperrschichtkapazitliten (C,,, C,„) das Stärkerschaltung mit einer einzigen nichtlinearen erforderliche, bei den Hilfsfrequenzen resonanz- Reaktanz bekannt, die als Reflexionsverstärker v/irkt fähige System bilden und daß die Pumpfrequenz und einen Eingangs- und einen Ausgangskreis beso gewählt ist, daß sie der Resonanz des Serien- 30 nötigt. Der Ausgangskreis wird dabei durch die kreises(ÄSl, Cn, LSlSa, Cy2, L52) der Dioden Eigenresonanz der Diode gebildet, die durch die (D1, D2) entspricht und daß zur Einstellung des mittlere Sperrschichtkapazität und die Reihenschalverschiedenphasigen Pumpens die Sperrschicht- tung der Eigeninduküvität und der Gehäusekapazität kapazitäten (C h, C12) derart verstimmt werden, der Diode gegeben ist
das der Phasenunterschied erzielt wird (F i g. 2). 35 Ziel vorliegender Erfindung ist es, die eingangs
values are realized by varactor diodes, a non-reciprocal amplifier circuit of this type that are pumped in different phases, whereby a resonance system has become common to both mixers through the German patent specification 1107 297, whereby one mixer is emen sam, which is non-linear for the purpose of power adjustment real conductance, the other mixer and amplification both in the case of the non-linear susceptibility value for operation 15 stronger arrangement, consisting of the chain circuit, feedback conductance of the mixer chain between two parametric or tunnel diode mixers, input and output through a linear, pas- which of different-phase pump voltages sive and reciprocal two-pole neutral is alized, durchgesteueit is further characterized by the German that this patent 1112140 is previously known. .
Diodes (D 1 , D 2 ), which with respect to the auxiliary frequency ao by the DT-AS 11 75 294 is also already a zen parallel and to which the two-pole (Y) parametric amplifier is previously known, which is connected from two in parallel, in such a way arranged and di- arranged capacitance in a bridge damage are dimensioned that their parasitic elements, diodes and in which the frequency of the differences is essentially their series inductances (L Sl , reference frequency oscillations due to the natural resonance L 52 ), housing capacitances (Q 1 , C C2 ) and Series »5 of the circle with capacitance diodes is established.
resistances (R Sv /? s "), together with the each- Through the BE-PS 6 31541 is also a lingering barrier layer capacitances (C ,,, C,") the stronger circuit with a single non-linear required, at the auxiliary frequencies resonance reactance known, which form a system capable of acting as a reflection amplifier, and that the pump frequency and an input and an output circuit are selected in such a way that they require the resonance of the series. The output circuit is formed by the circle (Ä Sl , C n , L Sl ; Ä Sa , Cy 2 , L 52 ) of the diodes natural resonance of the diode, which corresponds to the (D 1 , D 2 ) and that for setting the middle Barrier layer capacitance and the series circuit different-phase pumping, the barrier layering of the self inductance and the housing capacitance (C h , C 12 ) are detuned in such a way that the diode is given
that the phase difference is achieved (Fig. 2). 35 The aim of the present invention is the initially
2. Anordnung nach Anspmch 1, dadurch ge- beschriebene Reaktanzverstärkeranordnung derart zu kennzeichnet, daß im Zuge einer koaxialen Aus- verbessern, daß man mit einem Minimum an Scltialtbildung die Dioden (D1, D2) einen Teil des Innen- elementen auskommt.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the reactance amplifier arrangement described is such that, in the course of a coaxial expansion, the diodes (D 1 , D 2 ) make do with a part of the inner elements with a minimum of scltialtformation. leiters (/) bilden, daß der Zweipol (Y) aus einer Ausgehend von der oben beschriebenen nichtInduktivität besteht, welche vom gemeinsamen 40 reziproken Reaktamiverstärkeranordnung wird dies Punkt dieser Dioden (D1, D2) zum Außenmantel erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß diese Dioden, (M) der koaxialen Anordnung verläuft und einer die bezüglich der Hilfsfrequenzen parallel liegen und Kapazität (Q), die dadurch gebildet wird, daß zu denen der Zweipol parallel geschaltet ist, derart die Endfläche der Induktivität (L) gegenüber dem angeordnet und dimensioniert sind, daß ihre parasi-Außenmantel (M) entsprechend vergrößert ist. 45 tären Elemente, im wesentlichen deren Serieninduk-Conductor (/) form that the two-pole (Y) consists of a starting from the non-inductance described above, which is achieved by the common 40 reciprocal reactive amplifier arrangement, this point of these diodes (D 1 , D 2 ) to the outer jacket according to the invention in that these diodes, (M) of the coaxial arrangement and one which are parallel with respect to the auxiliary frequencies and capacitance (Q) which is formed by the fact that the two-pole is connected in parallel with the end face of the inductance (L) being arranged and dimensioned opposite to that, that their parasi-outer sheath (M) is enlarged accordingly. 45 tary elements, essentially their series induction 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch ge- tivitäten, Gehäusekapazitäten und Serienwiderstiinde kennzeichnet, daß der Innenleiter (/) zwischen zusammen mit den jeweiligen Sperrschichtkapazitäten Spannungszuführung (Z1, Z8) und den Dioden das erforderliche, bei den Hilfsfrequenzen resonanz-(D1, D2) mit derartigen Verdickungen versehen fähige System bilden und daß die Pumpfrequenz so ist, daß diese als Tiefpässe (T1, T2) für die Pump- 50 gewählt ist, daß sie der Resonanz des Serienkreises frequenz und Hilfsfrequenz dienen (F i g. 3). der Dioden entspricht und daß zur Einstellung des3. Arrangement according to claim 2, characterized in that the inner conductor (/) between the voltage supply (Z 1 , Z 8 ) and the diodes the necessary resonance (D 1 , D 2 ) provided with such thickenings form capable system and that the pump frequency is such that this is selected as low-pass filters (T 1 , T 2 ) for the pump 50, that they serve the resonance of the series circuit frequency and auxiliary frequency (F i g. 3). corresponds to the diodes and that for setting the 4. Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, da- verschiedenphasigen Pumpens die Sperrschichtkapadurch gekennzeichnet, daß der Pumposzillator (P) zitäten derart verstummt werden, daß der Phasenüber eine am gemeinsamen Punkt der beiden unterschied erzielt wird. Damit ist ein zusätzlicher Dioden (D1, D2) liegenden Induktivität (Lp) an- 55 Phasenschieber nicht mehr erforderlich,
gekoppelt ist. Im folgenden soll anhand der Figuren die Erfindung näher erläutert werden.
4. Arrangement according to claim 2 or 3, since different-phase pumping the barrier layer characterized in that the pump oscillator (P) are muted in such a way that the phase difference is achieved via a common point of the two. This means that an additional inductance (L p ) connected to the diode (D 1 , D 2 ) is no longer required.
is coupled. In the following, the invention will be explained in more detail with reference to the figures.
F i g. 1 zeigt die Ersatzschaltung des VerstärkersF i g. 1 shows the equivalent circuit of the amplifier mit konzentrierten Elementen. Links der mit 1 be-with concentrated elements. On the left the one loaded with 1
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