DE1260033C2 - METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENTS - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENTS

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DE1260033C2 DE1963ST020481 DEST020481A DE1260033C2 DE 1260033 C2 DE1260033 C2 DE 1260033C2 DE 1963ST020481 DE1963ST020481 DE 1963ST020481 DE ST020481 A DEST020481 A DE ST020481A DE 1260033 C2 DE1260033 C2 DE 1260033C2
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Description

6060

1j:>- f.ilifi'luii^ b«:triHi ein Verfahren zum Herstellen tu· Ha.U':ii<:fanordnungen mit einem Haibleiterkör- ;/<·.' (',1/1Ij(VAiIV: Sili/ium, Germanium oder einer .· 't:;.'.M-VaIIiV in:n Verbindung, bei dem mehrere mit I. >-i";',<j<->ri 7i:iM:hcne Halbleiterkörper an einem H..hMäfc<:iK,r|ji:r belustigt und gemeinsam weiteren '/■•ffüf.inii-.v.lif inen unterworfen werden. 1j:> - f.ilifi'luii ^ b «: triHi a method for producing tu · Ha.U ': ii <: fan arrangements with a semiconductor body; / <·.'(', 1 / 1Ij (VAiIV: Sili / ium, germanium or a. ·'T:;.'. M-VaIIiV in: n compound in which several with I.> -i ";', <j <- > ri 7i: iM: hcne semiconductor bodies on a H..hMäfc <: iK, r | ji: r amused and jointly subjected to further '/■•ffüf.inii-.v.lif ines.

Derartige HalbJeiteranordnungen werden in der Weise aufgebaut daß zunächst Halbleiterkristalle in gewünschter Größe und Form hergestellt, mit Kontakten versehen, geätzt, mit Schutzlack überzogen und gegebenenfalls in ein Gehäuse eingebaut werden.Such semi-conductor arrangements are constructed in such a way that first semiconductor crystals in Manufactured in the desired size and shape, provided with contacts, etched, coated with protective varnish and if necessary, be built into a housing.

Da die Manipulation mit Bauelementen von solch geringen Abmessungen schwierig und ihre einzelne Behandlung unwirtschaftlich ist, hat man schon versucht. Verfahren zu finden, die gestatten, eine größere Anzahl von Halbleiterkörpern gleichzeitig und gemeinsam zu behandeln, beispielsweise zu kontaktieren, zu ätzen oder mit Schutzüberzügen zu versehen.Since the manipulation with components of such small dimensions difficult and their individual Treatment is uneconomical, attempts have already been made. Finding procedures that allow a larger To treat number of semiconductor bodies simultaneously and jointly, for example to contact etching or to provide protective coatings.

So hat man beispielsweise Sperrschichtzellen in der Weise hergestellt daß man auf eine unter Zwischenlagen gebündelte Anzahl von Grundelektroden die Halbleiterschicht und die Deckelektrode aufbrachte und diese anschließend in einzelne Zellen aufteilte.For example, junction cells have been produced in such a way that the number of base electrodes bundled with intermediate layers is used Applied semiconductor layer and the cover electrode and then divided them into individual cells.

Es wurden auch schon mehrere Elektrodenstäbe gebündelt und mit einer Halbleiterplatte verbunden und diese Platte nachher zerschnitten.Several electrode rods have already been bundled and connected to a semiconductor plate and cut up this plate afterwards.

Ferner ist e«n Verfahren zum Herstellen von Halble-teranordnungen vorgeschlagen worden, bei dem eine Anzahl von Trägerelektroden an einem Halbleiter körper angebracht wird und das ganze System durch Zerbrechen der Halbleiterplatte in einzelne Einheiten aufgespalten wird.Furthermore, a method for producing semiconductor arrangements has been proposed in which a number of support electrodes on a semiconductor body is attached and the whole system by breaking the semiconductor plate into individual units is split up.

Diese bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß es nicht möglich ist von Halbleiterkörpern der endgültigen Abmessungen auszugehen, daß beim Zertrennen ein Teil des Haibieitermaterials als Abfall verlorengeht und daß ferner die Gefahr besteht, daß einige Anordnungen durch mechanische Schaden unbrauchbar werden.These known methods have the disadvantage that it is not possible from semiconductor bodies of the final dimensions to assume that the Separate some of the shark material as waste is lost and that there is also the risk that some assemblies by mechanical damage become unusable.

In der Zeitschrift »Electronics« vom 11.9.1959 ist auf den Seiten 132 bis 135 eine Vorrichtung zum Zusammenbau von Transistoren beschrieben, bei der am Halter eines Drehtisches zunächst ein Band befestigt wird, das in zwei Elektrodenteile zerschnitten ist. Der gezogene Halbleiterkörper ist an dem Band befestigt. Mehrere solche mit Elektroden versehene Halbleitervorrichtungen werden dann gemeinsam einer Ätzbehandlung unterworfen und schließlich automatisch an einem Sockel befestigt.In the magazine "Electronics" from 9/11/1959 is on on pages 132 to 135 describes an apparatus for assembling transistors in which a tape is first attached to the holder of a turntable, which is cut into two electrode parts. Of the Drawn semiconductor body is attached to the tape. A plurality of such semiconductor devices provided with electrodes are then jointly subjected to an etching treatment and finally automatically switched on attached to a base.

Weiterhin ist in der britischen Patentschrift 8 89 165 eine Vorrichtung zum Zusammenbau von elektrischen Halbleiteranordnungen beschrieben, die aus einem mit Bohrungen versehenen Isolierstoffkörper besteht. In die trichterförmigen Ansätze der Bohrungen werden die zusammenzubauenden Teile eingebracht.Furthermore, in British patent specification 8 89 165 a device for assembling electrical Semiconductor arrangements described, which consists of an insulating body provided with holes. In the The parts to be assembled are introduced into the funnel-shaped approaches of the bores.

Diese Verfahren nach der genannten Zeitschrift »Electronics« vom 11. 9. 1959 und der britischen Patentschrift 8 89 165 betreffen zwar auch Maßnahmen zur Halterung von Halbleiteranordnungen für eine gemeinsame Bearbeitung. Sie sind jedoch verhältnismäßig aufwendig.This method according to the magazine "Electronics" of September 11, 1959 and the British Patent specification 8 89 165 also relate to measures for holding semiconductor arrangements for a joint processing. However, they are relatively expensive.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die der Befestigung an einem Hilfskörper dienenden Maßnahmen zugleich für die spätere Montage auf endgültigen Trägern, wie Kühlkörpern oder Sockeln, auszunutzen.The invention is based on the object of the attachment to an auxiliary body serving measures at the same time for the subsequent assembly on the final To take advantage of supports such as heat sinks or sockets.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Halbleiterkörper an einem bandförmigen Hilfsträgerkörper mit einem Lot angelötet werden, das einen niedrigeren Schmelzpunkt hat als das zum Anbringen der Elektrode an dem Halbleiterkörper verwendete Lot, und daß nach der gemeinsamen Behandlung der Halb'eiterkörper diese durch Schmelzen des Lotes zwischen dem Halbleiterkörper und dem Hilfsträgerkörper von letzterem abgelöst und unterAccording to the invention, this object is achieved in that the semiconductor body on a band-shaped Auxiliary carrier body to be soldered with a solder that has a lower melting point than that for Attaching the electrode to the semiconductor body used solder, and that after the common Treatment of the semiconductor body by melting the solder between the semiconductor body and the Auxiliary carrier body detached from the latter and under

Verwendung des am Halbleiterkörper haftenden Lotes schließlich auf einer Kühlplatte oder in einem Gehäuse "befestigt werden.Finally, use of the solder adhering to the semiconductor body on a cooling plate or in a housing "to be attached.

Aus der DT-AS10 77 790 und der DT-AS. U 26 515ist zwar bekannt. Halbleiterkörper auf bandförmigen Streifen durch Löten oder Abscheidu. ig von Halbleitermaterial aus der Gasphase zu befestigen. Die Bänder bei diesen Verfahren bilden aber keine Hilfsträger im Sinne des Verfahrens der Erfindung, da sie nach erfolgter Verbindung verschnitten werden und ihre abgetrennten Teile mit den Halbleiterkörpern als elektrische Zuleitungen dauernd verbunden bleiben.From the DT-AS10 77 790 and the DT-AS. U 26 515 is known. Semiconductor bodies on band-shaped strips by soldering or deposition. ig to attach semiconductor material from the gas phase. However, the strips in these methods do not form an auxiliary carrier in the sense of the method of the invention, since they are blended after the connection has been made and their separated parts remain permanently connected to the semiconductor bodies as electrical leads.

Das erfindungsgemäße Verfahren bietet eine große Anzahl von Vorteilen und bringt damit einen erheblichen technischen Fortschritt gegenüber den herkömmlichen Verfahrensweisen. Zunächst ermöglicht seine Anwendung eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen jeglicher Art, wie beispielsweise Transistoren oder Leistungsgleichrichter, gleichzeitig herzustellen, indem mehrere Halbleiterkörper mit ihren endgültigen Abmessungen zu gleicher Zeit behandelt werden. Da die in den bisher zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiteranordnungen bekannten Verfahren notwendige mechanische Bearbeitung zum Aufteilen des Systems in die einzelnen Einheiten zerfällt, müssen keine dadurch beschädigten Halbleitersysteme ausgeschieden werden. Ferner ergibt die gleichzeitige Behandlung einer Vielzahl von Halbleiterkörpern eine wesentliche Einsparung an Fertigungszeit. Die Zusammenfassung auf einem Hilfskörper ermöglicht eine einfachere manuelle Handhabung und damit fertigungstechnische Erleichterung gegenüber dem Bekannten. Durch die leichte Meßbarkeit der elektrischen Daten während des Herstellungsverfahrens kann der Behandlungsprozeß gesteuert und dadurch die Abweichung der Halbleiterelemente in den technischen Daten gering gehalten werden. Mit Hilfe des Hilfsträgerkörpers wird die gleichzeitige Aufbringung einer definierten gleichmäßigen Lotschichtstärke erzielt. Besonders hervorzuheben ist schließlich noch der Vorteil, daß die zusätzliche Bearbeitung der zum Einbau in ein Gehäuse oder zum Verbinden mit einer anderen Unterlage t forderlichen Lotschicht, die vor dem Ätzen der Einrichtung am Halbleiterkörper erzeugt wurde, entfällt, weil sie während des Ätzens oder anderer anschließender Behandlung nicht frei liegt, sondern mit einem Hilfsträgerkörper verbunden ist und damit eine Oxydierung durch das Ätzmittel und andere Umwandlungen der Oberfläche ausgeschlossen sind.The inventive method offers a great Number of advantages and brings with it a considerable technical progress compared to the conventional Procedures. First of all, its application enables a large number of semiconductor components of any kind, such as transistors or power rectifiers, to be produced simultaneously by several semiconductor bodies are treated with their final dimensions at the same time. Since the in the previously known methods for the simultaneous production of a large number of semiconductor arrangements mechanical processing to break up the system into the individual units, must no semiconductor systems damaged as a result are eliminated. Furthermore, the simultaneous results Treatment of a large number of semiconductor bodies saves considerable manufacturing time. The abstract on an auxiliary body enables easier manual handling and thus manufacturing technology Relief towards the known. Due to the easy measurability of the electrical data During the manufacturing process, the treatment process can be controlled and thereby the deviation of the Semiconductor elements are kept low in the technical data. With the help of the auxiliary support body the simultaneous application of a defined uniform solder layer thickness is achieved. Of particular note Finally, there is also the advantage that the additional processing required for installation in a housing or to connect to another layer of solder that is necessary before the etching Device was created on the semiconductor body, is not applicable, because it is not exposed during the etching or other subsequent treatment, but with an auxiliary carrier body is connected and thus an oxidation by the etchant and other transformations the surface are excluded.

Das erfindungsgemäße Verfahren soll nachstehend an Hand der Zeichnung näher beschrieben "verden.The method according to the invention is to be described in more detail below with reference to the drawing.

Eine Anzahl von in bekannter Weise hergestellten und mit Elektroden versehenen Halbleiterkörpern 1 von beliebigem Querschnitt und mit einem oder mehreren durch Legieren oder Diffusion erzeugten pn-Übergängen werden auf einem Hilfsträgerkörper 2 durch Löten befestigt. Dies kann auf verschiedene Weise geschehen, etwa durch Überziehen des Hilfsträgerkörpers mit einer Lotschicht und anschließendem Verlöten der Halbleiterkörper mit dieser Schicht oder indem man Plättchen aus Lötmetall auf den Hilfsträgerkörper auflegt und dessen Verbindung mit den Halbleiterkörpern durch Erwärmen herbeiführt. In beiden Fällen erhält man die gewünschte definierte Lotschichtstärke. Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird die Zusammensetzung der an den Hilfsträgerkörper angrenzenden Lotschicht 3 so gewählt, daß ihr Schmelzpunkt niedriger liegt als der Schmelzpunkt des Lotes, mit dem die Elektroden am Haibleiterkörper befestigt sind. Als besonders hierfür geeignet hat sich eine Legierung aus 96% Blei und 4% Gold erwiesen, während als Kontaktmetall für die z.B. aus Silber herzustellende Elektrode 4 vorzugsweise Reinb'ei 5 verwendet werden soll. Es liegt jedoch auch im Sinn der Erfindung, einen anderen geeigneten Stoff zu wählen, vorausgesetzt, daß er einen höheren Schmelzpunkt als die an den Hilfsträgerkörper 2 angrenzende Lotschicht 3 hat Besonders vorteilhaft ist es. einen Hilfsträgerkörper zu verwenden, der aus einer Legierung von 98% Blei und 2% Gold besteht Seine Form ist beliebig und wird zweckmäßig den räumlichen Gegebenheiten und Erfordernissen der zur weiteren Behandlung der Halbleiterkörper benutzten Geräte und Hilfsmittel angepaßt. In der Zeichnung ist ein leistenförmiger Hilfsträgerkörper dargestellt, an dem die Halbleiteranordnungen in entsprechendem Abstand in einer Reihe befestigt sind. Die in der oben beschriebenen Weise zu einem System zusammengefaßten Halbleitereinheiten können nun gemeinsam weiterbehandelt werden. Besonders hervorzuheben ist die Möglichkeit, die elektrischen Werte der Anordnungen während der Herstellung auf einfache Weise, gegebenenfalls auch mehrmals messen zu können und danach das Verfahren zu steuern, um Halbleiterbauelemente mit bestimmten Eigenschaften, wie z. B. mit einem engen Streubereich der Wärmewiderstände und geringen Abweichungen der Flußkennlinien, zu erhalten. Zum anderen können nun alle weiteren erforderlichen Verfahrensschritte an einer beliebig großen Anzahl von Halbleiteranordnungen gleichzeitig vorgenommen werden. In den meisten Fällen wird man ein Ätzverfahren anschließen, um etwa vorhandene Verunreinigungen von der Oberfläche des Halbleiterkörpers und besonders an und in der Umgebung der Austrittsstellen von pn-Übergängen zu entfernen. Als nächster Verfahrensschritt folgt zweckmäßig das Aufbringen eines Lackes oder eines anderen geeigneten Stoffes, um den gereinigten Halbleiterkörper vor dem Einwirken von Fremdstoffen zu schützen.A number of semiconductor bodies 1 produced in a known manner and provided with electrodes, of any cross section and with one or more pn junctions produced by alloying or diffusion, are attached to an auxiliary carrier body 2 by soldering. This can be done in various ways, for example by coating the auxiliary carrier body with a layer of solder and then soldering the semiconductor body to this layer, or by placing small soldering metal plates on the auxiliary carrier body and bringing about its connection to the semiconductor bodies by heating. In both cases, the desired, defined solder layer thickness is obtained. In the method according to the invention, the composition of the solder layer 3 adjoining the auxiliary carrier body is chosen so that its melting point is lower than the melting point of the solder with which the electrodes are attached to the semiconductor body. An alloy of 96% lead and 4% gold has proven to be particularly suitable for this purpose, while pure metal 5 should preferably be used as the contact metal for the electrode 4 to be produced from silver, for example. However, it is also within the meaning of the invention to choose another suitable substance, provided that it has a higher melting point than the solder layer 3 adjoining the auxiliary carrier body 2, it is particularly advantageous. to use an auxiliary body made of an alloy of 98% lead and 2% gold. Its shape is arbitrary and is appropriately adapted to the spatial conditions and requirements of the devices and aids used for further treatment of the semiconductor body. In the drawing, a strip-shaped auxiliary carrier body is shown, on which the semiconductor arrangements are attached in a row at a corresponding distance. The semiconductor units combined to form a system in the manner described above can now be processed further together. Particularly noteworthy is the possibility of being able to measure the electrical values of the arrangements during production in a simple manner, possibly also several times, and then to control the process in order to produce semiconductor components with certain properties, such as e.g. B. with a narrow scatter of the thermal resistances and small deviations in the flow characteristics. On the other hand, all further required method steps can now be carried out simultaneously on an arbitrarily large number of semiconductor arrangements. In most cases, an etching process will follow in order to remove any impurities that may be present from the surface of the semiconductor body and especially on and in the vicinity of the exit points of pn junctions. The next method step expediently follows the application of a lacquer or another suitable substance in order to protect the cleaned semiconductor body from the effects of foreign substances.

Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist jedoch auch in den Fällen vorteilhaft, wo man oberflächenstabilisierte Halbleiterkörper behandelt, bei denen der pn-übergang von einer Schutzschicht, beispielsweise einer Oxydschicht bedeckt ist, denn auch diese Halbleiterkörper werden in ein Gehäuse eingelötet oder mit einer, nötigenfalls kühlbaren Unterlage gut wärmeleitend verbunden.However, the use of the method according to the invention is also advantageous in cases where one treated surface-stabilized semiconductor bodies in which the pn junction is covered by a protective layer, For example, an oxide layer is covered, because these semiconductor bodies are also soldered into a housing or connected to a base that can be cooled if necessary with good thermal conductivity.

Der nächste Verfahrensschritt besteht darin, die Halbleiterkörper von dem Hilcsträgerkörper abzulösen, um sie an einem Gehäuseboden oder an einer anderen Unterlage befestigen zu können. Zu diesem Zweck wird gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Erfindung der Hilfsträgerkörper durch Fremdheizung wie etwa durch Auflegen auf einen Heizkörper 6 oder auch in einem Ofen vorgewärmt, beispielsweise auf etwa 1500C, und schließlich werden die Halbleiterkörper durch Anlegen von Gleichstrom so lange erwärmt, bis sie von ihrer hilfsweise benutzten Unterlage getrennt und mit ihrem endgültigen Träger verlötet werden können. Das Ablösen kann jedoch auch ausschließlich durch Erwärmen des Hilfsträgerkörpers oder nur mit Hilfe eines durch die Halbleiterkörper geleiteten Gleichstromes erfolgen.The next process step consists in the semiconductor body of the Hil c strägerkörper peel, so that they can be attached to a housing floor or other support. For this purpose, according to an embodiment of the invention, the auxiliary carrier body is preheated by external heating such as by placing it on a heating element 6 or in an oven, for example to about 150 ° C., and finally the semiconductor bodies are heated by applying direct current until they can be separated from their backing used as an alternative and soldered to their final carrier. The detachment can, however, also take place exclusively by heating the auxiliary carrier body or only with the aid of a direct current conducted through the semiconductor body.

Man erhält so ohne Schwierigkeiten eine einwandfreie Verbindung zwischen Halbleiterkörper und Unterlage im Gegensatz zu den bekannten Verfahren, bei denen die mit dem Gehäuse oder einem anderen TrägerA perfect connection between the semiconductor body and the substrate is thus obtained without difficulty in contrast to the known method in which the with the housing or another carrier

zu verbindende Lotschicht frei liegt und chemisch verändert, beispielsweise durch das Ätzmittel oxydiert, werden kann.The solder layer to be connected is exposed and chemically changed, for example oxidized by the etchant, can be.

Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht eine wesentlich vereinfachte Herstellung jeglicher Bauelemente, die einen Halbleiterkörper enthalten, unabhängig davon, welche Art von Einbau im Gehäuse oder Anbringung auf einem Trägerkörper vorgesehen ist. Es hat sich insbesondere bei der Herstellung von Gleichrichtern als vorteilhaft erwiesen.The method according to the invention enables a significantly simplified production of any components, which contain a semiconductor body, regardless of the type of installation in the housing or Attachment is provided on a carrier body. It has particularly proven itself in the manufacture of Rectifiers proved advantageous.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (10)

Patemansprüche:Patent Claims: 1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkörper, vorzugsweise auv Silizium. Germanium oder einer intermetallischen Verbindung, bei dem mehrere mit Elektroden versehene Halbleiterkörper an einem Hilfsträgerkörper befestigt und gemeinsam weiteren Verfahrensschritten unterworfen werden, dadurch ge- «ο kennzeichnet, daß die Halbleiterkörper an einem bandförmigen Hilfsträgerkörper mit einem Lot angelötet werden, das einen niedrigeren Schmelzpunkt hat als das zum Anbringen der Elektrode an dem Halbleiterkörper verwendete Lot. und daß nach der gemeinsamen Behandlung der Halbleiterkörper diese durch Schmelzen des Lotes zwischen dem Halbleiterkörper und dem Hilfsträgerkörper von letzterem abgelöst und unter Verwendung des am Halbleiterkörper haftenden Lotes schließlich auf einer Kühlplatte oder in einem Gehäuse befestigt werden.1. A method for producing semiconductor arrangements with a semiconductor body, preferably auv silicon. Germanium or an intermetallic compound in which several with electrodes provided semiconductor bodies are attached to an auxiliary carrier body and jointly subjected to further process steps, thereby becoming «ο indicates that the semiconductor body on a band-shaped auxiliary carrier body with a Solder must be soldered, which has a lower melting point than that for attaching the Electrode on the semiconductor body used solder. and that after the common treatment of the Semiconductor body these are detached from the latter by melting the solder between the semiconductor body and the auxiliary carrier body and below Finally, use of the solder adhering to the semiconductor body on a cooling plate or in a Housing to be attached. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper aus einem niedrigschmelzenden Lot besteht.2. The method according to claim 1, characterized in that the auxiliary carrier body consists of a low-melting solder. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper von dem Hilfsträgerkörper durch Erwärmen des Hilfsträgerkörpers abgelöst wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor body of the Auxiliary carrier body is detached by heating the auxiliary carrier body. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablösung durch Erwärmen des Halbleiterkörpers mit Hilfe von Gleichstrom erfolgt.4. The method according to claim 3, characterized in that the detachment by heating the Semiconductor body takes place with the help of direct current. 5. Verfahren nach einem der Anspräche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper mit Fremdheizung vorgewärmt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the auxiliary carrier body is preheated with external heating. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein leistenförmiger Hilfsträgerkörper verwendet wird.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that a strip-shaped Auxiliary carrier body is used. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6. dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfsträgerkörper aus einer Legierung von 98% Blei und 2% Gold hergestellt wird.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the auxiliary carrier body is made from an alloy of 98% lead and 2% gold. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7. dadurch gekennzeichnet, daß für die an den Hilfsträgerkörper angrenzende Lotschicht eine Legierung aus 96% Blei und 4 % Gold verwendet wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that for the An alloy of 96% lead and 4% gold is used in the solder layer adjacent to the auxiliary carrier body will. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Hilfsträgerkörper aufgesetzten Halbleiteranordnungen so gemeinsam geätzt werden.9. The method according to any one of claims I to 8, characterized in that the semiconductor arrangements placed on the auxiliary carrier body so be etched together. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den Hilfstrajv.-rkorper aufgesetzten Halbleiteranordnungen gemeinsam mit Lack überzogen werden.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the semiconductor arrangements placed on the auxiliary body be coated together with varnish. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ah-.jjpji h<: 1 bis 10 /um Herstellen von GleichrichApplication of the method according to one of the Ah-.jjpji h <: 1 to 10 / µm Establishing rectification
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