DE1240938B - Semiconductor crystal microphone - Google Patents

Semiconductor crystal microphone

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DE1240938B
DE1240938B DE1965S0100774 DES0100774A DE1240938B DE 1240938 B DE1240938 B DE 1240938B DE 1965S0100774 DE1965S0100774 DE 1965S0100774 DE S0100774 A DES0100774 A DE S0100774A DE 1240938 B DE1240938 B DE 1240938B
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semiconductor component
semiconductor
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coupling part
membrane
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DE1965S0100774
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German (de)
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Dipl-Ing Kornelius Noss
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/08—Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
    • H04R1/083—Special constructions of mouthpieces
    • H—ELECTRICITY
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    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • H04R23/006—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL:Int. CL:

H04rH04r

Deutsche Kl.: 21 a2-5/01 German class: 21 a2- 5/01

Nummer: 1240938Number: 1240938

Aktenzeichen: S100774 VIII a/21 a2File number: S100774 VIII a / 21 a2

Anmeldetag: 3. Dezember 1965 Filing date: December 3, 1965

Auslegetag: 24. Mai 1967Opened on: May 24, 1967

HalbleiterkristallmikrophonSemiconductor crystal microphone

Anmelder:Applicant:

Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin and Munich,
Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dipl.-Ing. Kornelius Noss, MünchenDipl.-Ing. Kornelius Noss, Munich

kristall bei Überbelastungen lösbar auszugestalten, um eine Beschädigung des empfindlichen Halbleiterkristalls beim Auftreten sehr starker Geräusche zu unterbinden.to design crystal detachable in the event of overloading in order to damage the sensitive semiconductor crystal if very loud noises occur.

Zu diesem Zweck besteht das zwischen Membran und Kristall wirksame Kopplungsglied aus drei Teilen, nämlich einem mit der Membran verbundenen Teil, einer gegen den Kristall der Anordnung drük-For this purpose, the coupling element between the membrane and the crystal consists of three parts, namely a part connected to the membrane, one pressed against the crystal of the arrangement.

Ein Halbleiterkristallmikrophon besteht im wesentlichen aus einer im Schallfeld schwingenden
Membran und einem stromdurchflossenen Halbleiterbauelement, ζ. Β. einer Diode oder einem Transistor. Zwischen den beiden Elementen ist eine me- 5
chanische Kopplung wirksam, welche von der
schwingenden Membran betätigt wird und in Gestalt
einer Spitze od. dgl. gegen den Kristall des Halbleiterbauelements drückt. Da dieses an Vorspannungen liegt, wird ein über das Halbleiterbauelement ίο
fließender elektrischer Strom auf Grund der piezoresistiven Eigenschaften des Halbleiterbauelements
eine der Druckbelastung entsprechende Änderung 2A semiconductor crystal microphone essentially consists of a microphone that vibrates in the sound field
Membrane and a current-carrying semiconductor component, ζ. Β. a diode or a transistor. Between the two elements there is a 5
mechanical coupling effective, which of the
vibrating diaphragm is actuated and in shape
a tip or the like. Presses against the crystal of the semiconductor component. Since this is due to biases, an over the semiconductor component ίο
Electric current flowing due to the piezoresistive properties of the semiconductor component
a change corresponding to the pressure load 2

erfahren, der dann in bekannter Weise ausgenutztexperienced, which is then exploited in a known manner

wird. Dabei hat man bereits vorgeschlagen, die be- 15 der Membran in ihrer Ruhelage auf das Halbleitersagte Kopplung zwischen Membran und Halbleiter- bauelement ausgeübten Vordruckes Federkräfte vorgesehen sind.will. It has already been proposed that the diaphragm should be told about the semiconductor in its rest position Coupling between the membrane and the semiconductor component provided by the pre-pressure exerted by spring forces are.

Zum Begriff der Haftreibung ist folgendes zu sagen: Berühren sich zwei feste Körper flächenhaft, 20 von denen der eine festgehalten ist, dann erfährt nicht nur eine normal zur Berührungsfläche gerichtete Bewegung des freien Körpers eine Behinderung. Vielmehr wird auch eine tangential zur Berührungsfläche verlaufende Bewegung gehemmt. Das AusmaßThe following can be said about the concept of static friction: If two solid bodies touch each other over a large area, 20 of which one is held, then not only experiences a normal to the contact surface Free body movement is a hindrance. Rather, one is also tangential to the contact surface progressive movement inhibited. The extent

kenden Spitze und einer diese beiden Teile verbin- 25 dieser Hemmung ist die Haftreibung. Sie wird offendenden Feder, welche den Haltekörper der Spitze sichtlich um so stärker, je stärker der Druck der gegen den mit der Membran verbundenen Teil der beiden Körper gegeneinander ist.
Kopplung drückt. Die Anordnung ist dabei so ge- Diese Hemmung wird bei einer Anordnung gemäßThe end of the tip and one of these two parts of this escapement is the static friction. It becomes an opening spring which visibly increases the strength of the holding body of the tip, the greater the pressure against the part of the two bodies connected to the membrane.
Coupling pushes. The arrangement is so This inhibition is in an arrangement according to

troffen, daß beim Auftreten starker Druckamplituden der Erfindung ausgenutzt, indem die die Haftreibung die Federkraft überwunden und die sich vorher 30 erzeugende Federkraft — insbesondere Federgewissermaßen als starrer Körper verhaltende druck — so stark eingestellt wird, daß bei normalen Kopplung gelöst wird. Nach Aufhören der Über- Belastungen der Membran die Haftreibung eine belastung sorgt dann die Feder selbsttätig wieder für Gleitbewegung zwischen den beiden Teilen der medie Herstellung der vorherigen Verhältnisse. chanischen Kopplung vollständig unterbindet, somet that when strong pressure amplitudes occur, the invention is exploited by the static friction overcome the spring force and the spring force previously generated - in particular spring to a certain extent as a rigid body restrained pressure - is adjusted so strongly that at normal Coupling is released. After the overloading of the membrane has ceased, the static friction is reduced the spring then automatically ensures sliding movement between the two parts of the media Establishing the previous relationships. mechanical coupling completely prevented, see above

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer 35 daß die Teile der Kopplung sich gewissermaßen als hiervon etwas verschiedenen Lösung, die vor allem starrer Körper verhalten. Beim Überschreiten einer einfache Realisierungsmöglichkeiten in sich birgt. Im vorgesehenen Toleranz wird jedoch die tangentiale einzelnen bezieht sich die Erfindung auf ein Halb- Kraft zwischen dem mit dem Halbleiterbauelement leiterkristallmikrophon, bei dem eine im Schallfeld und dem mit der Membran in Berührung gehaltenen schwingende Membran mittels einer sich bei Über- 40 Teil der mechanischen Kopplung so stark, daß die lastung lösenden, nach Aufhören der Überlastung Haftreibung überwunden und eine gleitende Bewesich wiederherstellenden mechanischen Kopplung gung zwischen den beiden Teilen möglich wird. Dies mit vom Druck des Schallfeldes abhängender bedeutet die Lösung der Kopplung. Nach Aufhören Wechselkraft gegen ein piezoresistives Halbleiter- der Überbelastung sorgen Federkräfte und/oder Fühbauelement drückt und hierdurch Änderungen eines 45 rungen wieder für die Herstellung des alten Zudas Halbleiterbauelement durchfließenden elektri- Standes.The present invention is concerned with a 35 that the parts of the coupling act as a somewhat different from this solution, which behave mainly rigid bodies. When crossing a contains simple implementation options. However, the tangential individually, the invention relates to a half-force between that with the semiconductor component Conductor crystal microphone, one in the sound field and the one kept in contact with the membrane vibrating membrane by means of a mechanical coupling that is so strong that the load-relieving, after the overload has ceased, static friction is overcome and a sliding Bewesich restoring mechanical coupling between the two parts becomes possible. this with which depends on the pressure of the sound field means the solution of the coupling. After stopping Alternating force against a piezoresistive semiconductor - the overload is provided by spring forces and / or a guide element presses and thereby changes a stake again for the production of the old zuda Semiconductor component flowing through electrical state.

sehen Stromes bedingt, welches dadurch gekenn- In Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlazeichnet ist, daß sowohl zur Erzeugung der zwischen gen, den gegen das Halbleiterbauelement drückenden dem mit der Membran und dem mit dem Halbleiter- Teil der Kopplung und das Halbleiterbauelement als bauelement jeweils in unmittelbarem Kontakt stehen- 50 bauliche Einheit zunächst ohne Vordruck auszuden Kopplungsteil als einzige Verbindung vorgesehe- gestalten und zwischen der eigentlichen Membran nen Haftreibung als auch zur Erzeugung des von des Mikrophons und dieser Baueinheit ein Kopp-see current conditionally, which is characterized by this is that both to generate the gene between the pressing against the semiconductor device with the membrane and with the semiconductor part of the coupling and the semiconductor component as component are in direct contact with each other - first of all, dig out the structural unit without using a form The coupling part is provided as the only connection and between the actual membrane static friction as well as to generate the coupling between the microphone and this structural unit

709 587/409709 587/409

Claims (9)

lungsglied einzufügen, welches sowohl als Wechseldruckübertrager als auch als Amplitudenbegrenzer als auch als Vordruckgeber wirksam ist. Einzelheiten der Realisierung bringt das an Hand der Figuren zu beschreibende Ausführungsbeispiel. F i g. 1 stellt einen Längsschnitt, F i g. 2 einen Querschnitt einer der Lehre der Erfindung genügenden Anordnung dar. Sie zeigt das Wesentliche und ermöglicht dadurch dem Fachmann, ohne Schwierigkeiten weitere Verkörperungen zu bringen. Die in einer nicht gezeigten Halterung eingespannte Membran 1 berührt in ihrem Zentrum den Kopf eines haarnadelähnlichen federnden Gebildes 2, welches als ein Teil der mechanischen Kopplung zwischen Halbleiterbauelement 5 und Membran 1 zu betrachten ist. Der mit dem Halbleiter 5 in unmittelbarer Berührung gehaltene Teil wird durch eine »Spitze« 4 dargestellt, welche in einer Halterung 3 befestigt ist. Diese Halterung ist im Beispielsfall als federnde »Spinne« ausgebildet. Sie bildet mit der Kristallhalterung 6 eine bauliche Einheit, die so getroffen ist, daß die »Spitze« 4 auf dem Halbleiterkristall 5 aufsitzt. Zweckmäßig wird dabei nur ein geringer oder kein Kontaktdruck eingestellt. Die Anordnung wird so konstruiert, daß die Achsenrichtung der »Spitze« 4 und die Richtung, in welcher der Mittelpunkt der Membran 1 schwingt, zusammenfallen. Der erforderliche Vordruck zwischen Kristall 5 und »Spitze« 4 wird durch eine Spiralfeder 7 bewirkt, welche die Schenkel des obenerwähnten haarnadelartigen Körpers 2 von außen umgibt. Die Schenkel 2 b des Körpers 2 werden durch die Oberfläche der »Spinne« 3 derart geführt, daß sie nur einen Bewegungsfreiheitsgrad aufweisen. Dieser liegt in der Bewegungsrichtung, welche die schwingende Membran 1 dem haarnadelförmigen Körper 2 beim Hin- und Herschwingen erteilt, also in F i g. 1 in der Zeichenebene und in Richtung der Achse der Spitze 4 und in F i g. 2 senkrecht zur Zeichenebene. Die Führungen des Haltekörpers 3 für die »Spitze« 4 (im Beispielsfall die Oberfläche der »Spinne« 3) ist so gestaltet, daß die Schenkel des federnden Körpers! durch das Einbringen in den Haltekörper 3 auseinandergedrückt und hierdurch elastisch verspannt werden. Sie werden also mit Federkraft gegen die Oberfläche der »Spinne« 3 gedrückt und rufen auf diese Weise eine beträchtliche Haftreibung zwischen den Schenkeln der »Haarnadel« 2 und der Oberfläche der »Spinne« 3 hervor, die nötigenfalls durch eine z. B. zwischen den Schenkeln der »Haarnadel« 2 wirksame (nicht dargestellte) Hilfsfeder (Zugfeder) noch vergrößert werden kann. Wird die Haftreibung überwunden, so gleitet die »Haarnadel« gegen die »Spinne«, und die Kopplung ist gelöst. Die Federkraft in der »Haarnadel« 2 stellt sie nach Aufhören der Überlastung automatisch wieder her. Es ist zweckmäßig, wenn die Schenkel der »Haarnadel« 2, wenigstens soweit sie mit der Oberfläche der »Spinne« in Berührung stehen, nicht auseinanderstreben. Nach dem vorstehenden Ausführungsbeispiel sind also folgende Kennzeichen besonders hervorzuheben:Insertion element, which is effective both as an alternating pressure transmitter and as an amplitude limiter as well as a pre-pressure transmitter. The exemplary embodiment to be described with reference to the figures provides details of the implementation. F i g. 1 shows a longitudinal section, FIG. 2 shows a cross section of an arrangement that satisfies the teaching of the invention. It shows the essentials and thereby enables the person skilled in the art to introduce further embodiments without difficulty. The center of the diaphragm 1 clamped in a holder (not shown) touches the head of a hairpin-like resilient structure 2, which is to be regarded as part of the mechanical coupling between the semiconductor component 5 and the diaphragm 1. The part held in direct contact with the semiconductor 5 is represented by a “tip” 4 which is fastened in a holder 3. In the example, this holder is designed as a resilient "spider". Together with the crystal holder 6, it forms a structural unit which is made in such a way that the “tip” 4 rests on the semiconductor crystal 5. Appropriately, only a low or no contact pressure is set. The arrangement is constructed in such a way that the axial direction of the "tip" 4 and the direction in which the center of the diaphragm 1 vibrates coincide. The required pre-pressure between crystal 5 and "tip" 4 is brought about by a spiral spring 7 which surrounds the legs of the above-mentioned hairpin-like body 2 from the outside. The legs 2 b of the body 2 are guided through the surface of the "spider" 3 in such a way that they have only one degree of freedom of movement. This lies in the direction of movement which the vibrating membrane 1 gives to the hairpin-shaped body 2 when it vibrates back and forth, that is to say in FIG. 1 in the plane of the drawing and in the direction of the axis of the tip 4 and in FIG. 2 perpendicular to the plane of the drawing. The guides of the holding body 3 for the "tip" 4 (in the example the surface of the "spider" 3) is designed so that the legs of the resilient body! be pressed apart by being introduced into the holding body 3 and thereby elastically braced. They are thus pressed against the surface of the "spider" 3 with spring force and in this way cause considerable static friction between the legs of the "hairpin" 2 and the surface of the "spider" 3, which is if necessary by a z. B. between the legs of the "hairpin" 2 effective (not shown) auxiliary spring (tension spring) can be increased. If the static friction is overcome, the "hairpin" slides against the "spider" and the coupling is released. The spring force in the »hairpin« 2 automatically restores it after the overload has ceased. It is useful if the legs of the "hairpin" 2, at least as far as they are in contact with the surface of the "spider", do not diverge. According to the above exemplary embodiment, the following features should be particularly emphasized: 1. Der Vordruck zwischen dem Halbleiterbauelement 5 und dem mit ihm in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil, also der »Spitze« 4, ist durch eine zwischen dem Zentrum der Membran 1 bzw. einem von diesem Zentrum eine konstante Entfernung aufweisenden festen Anschlag am »Hals« 2 c der »Haarnadel« 2 und der Halterung 6 bzw. der mit ihr verbundenen Halterung 3 wirksamen Spiralfeder (Druckfeder) erzeugt.1. The form between the semiconductor component 5 and the one with it in the immediate Contact standing coupling part, so the »tip« 4, is through a between the center the membrane 1 or a constant distance from this center Fixed stop on the "neck" 2c of the "hairpin" 2 and the holder 6 or the one with it connected bracket 3 effective spiral spring (compression spring) generated. 2. Die Halterung 3 des mit dem Halbleiterbauelement in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteiles 4 ist als »Spinne« ausgebildet, deren »Beine« mit der Kristallhalterung 6 für das Halbleiterbauelement 5 fest verbunden sind.2. The holder 3 is in direct contact with the semiconductor component Coupling part 4 is designed as a "spider" whose "legs" with the crystal holder 6 for the semiconductor component 5 are firmly connected. 3. Zur mechanischen Verbindung zwischen der Membran 1 und dem mit dem Halbleiterbauelements in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil 4 ist ein haarnadelartiger ebener Bügel 2 vorgesehen, dessen Kopf 2 α am Zentrum der Membran 1 anliegt, dessen »Hals« als Widerlager für die den Vordruck erzeugende Feder dient und dessen Schenkel 2 b in Führungen der Halterung 3 für den mit dem Halbleiterbauelement 5 in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil 4 derart angreifen, daß auf Grund der hierdurch bedingten elastischen Verspannung des Bügels 2 die erforderliche, die mechanische Verbindung zwischen den beiden Kopplungsteilen 2 und 4 bewirkende Haftreibung entsteht.3. For the mechanical connection between the membrane 1 and the coupling part 4 in direct contact with the semiconductor component, a hairpin-like flat bracket 2 is provided, the head 2 α of which rests against the center of the membrane 1, the "neck" of which acts as an abutment for the pressure generating the form The spring serves and its legs 2 b engage in guides of the holder 3 for the coupling part 4 in direct contact with the semiconductor component 5 in such a way that the necessary mechanical connection between the two coupling parts 2 and 4 causing static friction arises. Patentansprüche:Patent claims: 1. Halbleitermikrophon, bei dem eine im Schallfeld schwingende Membran mittels einer — sich bei Überlastung lösenden, nach Aufhören der Überlastung sich wiederherstellenden — mechanischen Kopplung mit vom Druck des Schallfeldes abhängender Wechselkraft gegen ein piezoresistives Halbleiterbauelement drückt und hierdurch Änderungen eines das Halbleiterbauelement durchfließenden elektrischen Stromes bedingt, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl zur Erzeugung der zwischen dem mit der Membran und dem mit dem Halbleiterbauelement jeweils in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil als einzige Verbindung vorgesehenen Haftreibung als auch zur Erzeugung des von der Membran in ihrer Ruhelage auf das Halbleiterbauelement ausgeübten Vordruckes Federkräfte vorgesehen sind.1. Semiconductor microphone, in which a membrane vibrating in the sound field by means of a - loosing itself in the event of overload, and recovering after the overload has ceased - mechanical coupling with alternating force depending on the pressure of the sound field against a piezoresistive semiconductor component pushes and thereby changes one of the semiconductor component electrical current flowing through, characterized in that both for generating the between the with the Membrane and which are each in direct contact with the semiconductor component Coupling part provided as the only connection static friction as well as for generation the pre-pressure exerted on the semiconductor component by the membrane in its rest position Spring forces are provided. 2. Halbleitermikrophon nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die Haftreibung erzeugende Federkraft so stark eingestellt ist, daß eine gleitende Bewegung zwischen dem mit der Membran und dem mit dem Halbleiterbauelement in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil sich erst bei einer Überlastung des Mikrophons einstellen kann.2. Semiconductor microphone according to claim 1, characterized in that the static friction generating spring force is set so strong that a sliding movement between the with the Membrane and the coupling part which is in direct contact with the semiconductor component can only occur when the microphone is overloaded. 3. Halbleitermikrophon nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung (3) des unmittelbar gegen das Halbleiterbauelement (5) drückenden Kopplungsteiles (4) und die Kristallhalterung (6) für das Halbleiterbauelement (5) miteinander derart fest verbunden sind, daß auf Grund dieser Verbindung höchstens ein Teil des in der fertigen Anordnung ausgeübten Vordruckes zwischen dem Kopplungsteil (4) und dem Halbleiterbauelement bedingt ist.3. Semiconductor microphone according to claim 1 or 2, characterized in that the holder (3) of the coupling part (4) pressing directly against the semiconductor component (5) and the crystal holder (6) for the semiconductor component (5) firmly connected to one another in this way are that due to this connection at most a part of the in the finished arrangement exerted pre-pressure between the coupling part (4) and the semiconductor component is. 4. Halbleitermikrophon nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß4. Semiconductor microphone according to one of claims 1 to 3, characterized in that der Vordruck zwischen dem Halbleiterbauelement (5) und dem mit ihm in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil (4) durch eine zwischen dem Zentrum der Membran (1) bzw. einem von diesem Zentrum eine konstante Entfernung aufweisenden festen Anschlag (2 c, Fig. 1) und der Halterung(6) des Halbleiterbauelements (5) wirksamen Druckfeder (7) erzeugt ist.the form between the semiconductor component (5) and the one with it in the immediate vicinity Contacting coupling part (4) through a between the center of the membrane (1) or a fixed stop at a constant distance from this center (2 c, Fig. 1) and the holder (6) of the semiconductor component (5) effective compression spring (7) is generated. 5. Halbleitermikrophon nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Vordruck zwischen dem Halbleiterbauelement (5) und dem mit ihm in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil (4) durch eine zwischen dem Zentrum der Membran (1) bzw. einem von diesem Zentrum eine konstante Entfernung aufweisenden festen Anschlag (2 c) und der mit der Halterung (6) des Halbleiterbauelements (5) fest verbundenen Halterung (3) für den mit dem Halbleiterbauelement (5) in unmittelbarem Kon- ao takt stehenden Kopplungsteil (4) vorgesehene Druckfeder (7) erzeugt ist.5. semiconductor microphone according to claim 3 and 4, characterized in that the form between the semiconductor component (5) and the coupling part (4) in direct contact with it by an between the center of the membrane (1) or a distance from this center having a constant distance fixed stop (2 c) and with the holder (6) of the semiconductor component (5) connected holder (3) for the with the semiconductor component (5) in direct contact ao clock standing coupling part (4) provided compression spring (7) is generated. 6. Halbleitermikrophon nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterang (3) des mit dem Halbleiterbauelement (5) in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteiles (4) als »Spinne« ausgebildet ist, deren »Beine« mit der Kristallhalterung (6) für das Halbleiterbauelement (S) fest verbunden sind.6. Semiconductor microphone according to one of claims 1 to 5, characterized in that the Holding bracket (3) of the coupling part which is in direct contact with the semiconductor component (5) (4) is designed as a "spider" whose "legs" with the crystal holder (6) for the Semiconductor component (S) are firmly connected. 7. Halbleitermikrophon nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der mit dem Halbleiterbauelement (5) in unmittelbarem Kontakt stehende Kopplungsteil (4) als Spitze ausgebildet ist.7. Semiconductor microphone according to one of claims 1 to 6, characterized in that the coupling part (4) in direct contact with the semiconductor component (5) is designed as a tip. 8. Halbleitermikrophon nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur mechanischen Verbindung zwischen der Membran (1) und dem mit dem Halbleiterbauelement (S) in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil (4) ein haarnadelartiger ebener Bügel (2) vorgesehen ist, dessen »Kopf« (2«) dem Zentrum der Membran anliegt und dessen Schenkel (2 b) in Führungen der Halterung (3) für den mit dem Halbleiterbauelement (5) in unmittelbarem Kontakt stehenden Kopplungsteil (4) derart angreifen, daß auf Grund der hierdurch bedingten elastischen Verspannung des Bügels (2) die erforderliche Haftreibung entsteht.8. Semiconductor microphone according to one of claims 1 to 7, characterized in that a hairpin-like flat bracket (2) is provided for the mechanical connection between the membrane (1) and the coupling part (4) in direct contact with the semiconductor component (S), whose "head" (2) rests against the center of the membrane and whose legs (2 b) engage in guides of the holder (3) for the coupling part (4) in direct contact with the semiconductor component (5) in such a way that due to the the elastic tensioning of the bracket (2) caused by this creates the required static friction. 9. Halbleitermikrophon nach einem der Ansprüche 4, 5 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckfeder über die Schenkel des haarnadelförmigen Bügels geschoben ist.9. Semiconductor microphone according to one of claims 4, 5 and 8, characterized in that the compression spring is pushed over the legs of the hairpin-shaped bracket. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 709 587/409 5.67 © Bundesdruckerei Berlin709 587/409 5.67 © Bundesdruckerei Berlin
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