DE1237942B - Device for holding disc-shaped workpieces made of semiconductor material by suction - Google Patents

Device for holding disc-shaped workpieces made of semiconductor material by suction

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DE1237942B
DE1237942B DE1962S0080487 DES0080487A DE1237942B DE 1237942 B DE1237942 B DE 1237942B DE 1962S0080487 DE1962S0080487 DE 1962S0080487 DE S0080487 A DES0080487 A DE S0080487A DE 1237942 B DE1237942 B DE 1237942B
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Dipl-Phys Winfried Meer
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
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B28dB28d

Deutsche Kl.: 8Od-2German class: 8Od- 2

1237942
S80487Ib/80d
19. Juli 1962
30. März 1967
1237942
S80487Ib / 80d
July 19, 1962
March 30, 1967

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Haltern scheibenförmiger Werkstücke aus Halbleitermaterial durch Ansaugen an eine ebene, mit Öffnungen für den Durchtritt von Luft versehene feste Auflage.The invention relates to a device for holding disc-shaped workpieces made of semiconductor material by suction on a flat one provided with openings for the passage of air fixed edition.

Kristalle aus Halbleiterstoffen, insbesondere Einkristalle, fallen bei den meisten zur Darstellung hochreinen bzw. dotierten Halbleitermaterials gebräuchlichen Prozessen als stabförmige Körper an. Zur Weiterbehandlung werden dann diese Körper in Scheiben zersägt oder gespalten. Die erhaltenen Scheiben werden ihrerseits wiederum in Teilstücke, die der Größe der zu fertigenden Halbleiterbauelemente entsprechen, unterteilt. Bei der serienweisen Fertigung von Halbleiterbauelementen ist es dabei vielfach zweckmäßig, einen großen Teil der zur Fertigung der Bauelemente dienenden Schritte an einem solchen flachen Halbleiterkörper vorzunehmen und die Auftrennung dieses flachen Halbleiterkörpers in die den einzelnen Bauelementen entsprechenden Stücke möglichst hinauszuschieben. Der Grund hierfür liegt vor allem darin, daß größere Halbleiterscheiben für eine Reihe von Fertigungsprozessen wesentlich handlicher als die winzigen Halbleiterstücke sind, die den Halbleiterkörper von modernen Halbleiterbauelementen bilden.Crystals made of semiconductor materials, in particular single crystals, fall for most of the display high-purity or doped semiconductor material common processes as a rod-shaped body. These bodies are then sawn or split into slices for further treatment. The received In turn, wafers are subdivided into sections that correspond to the size of the semiconductor components to be manufactured. In the case of the series Production of semiconductor components, it is often expedient to use a large part of the To carry out the steps serving to manufacture the components on such a flat semiconductor body and the separation of this flat semiconductor body into those corresponding to the individual components Postpone pieces if possible. The reason for this is mainly that larger semiconductor wafers for a number of manufacturing processes much more manageable than the tiny semiconductor pieces which form the semiconductor body of modern semiconductor components.

So können die bei dem Herstellen von Mesatransistoren erforderlichen Schritte des Vordiffundierens, des Aufdampfens von Elektrodenpaaren und des Einlegierens an einer größeren Halbleiterscheibe von 1 bis 2 cm Durchmesser wesentlich präziser und einfacher durchgeführt werden, als dies bei einem Halbleiterstück der Fall ist, dessen größter Durchmesser 1 bis 2 mm ist. Um das Halbleitermaterial besser ausnutzen zu können, werden dann, z. B. auf einer Halbleiterscheibe von 1 bis 2 cm Durchmesser, je nach Größe der herzustellenden Bauelemente eine mehr oder weniger große Anzahl von Elektrodenpaaren nach bekannten Verfahren aufgedampft und einlegiert. Erst dann werden die Halbleiterscheibe in eine Anzahl gleicher Stücke mit je einem Elektrodenpaar aufgeteilt und die einzelnen Stücke durch Auflöten auf eine metallische, insbesondere gleichzeitig als Gehäuseteil dienende Platte mit der erforderlichen dritten Elektrode versehen. Auf diese Weise erzielt man eine beachtliche Erleichterung der Fertigung sowie eine erheblich geringere Streuung der elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Transistoren. In this way, the steps of prediffusion required in the manufacture of mesa transistors, the vapor deposition of pairs of electrodes and the alloying on a larger semiconductor wafer from 1 to 2 cm in diameter can be carried out much more precisely and easily than with one Semiconductor piece is the case, the largest diameter of which is 1 to 2 mm. About the semiconductor material to be able to better exploit, z. B. on a semiconductor wafer with a diameter of 1 to 2 cm, Depending on the size of the components to be produced, a more or less large number of electrode pairs vapor-deposited and alloyed using known methods. Only then are the semiconductor wafers in a number of equal pieces, each with a pair of electrodes, and the individual pieces by soldering on a metallic plate, in particular serving as a housing part at the same time, with the required third electrode provided. In this way one achieves a considerable facilitation of the production as well as a considerably lower spread of the electrical properties of the transistors obtained.

Um jedoch den genannten Vorteil nicht wieder dadurch zu verlieren, daß bei der Zerteilung der Halbleiterscheiben durch Beschädigung des HaIb-Vorrichtung zum Haltern scheibenförmiger
Werkstücke aus Halbleitermaterial durch
Ansaugen
However, in order not to lose the advantage mentioned again by the fact that when the semiconductor wafers are broken up due to damage to the halving device for holding the wafers
Workpieces made of semiconductor material
Suction

Anmelder:Applicant:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München 2, Wittelsbacherplatz 2Siemens Aktiengesellschaft, Berlin and Munich, Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dipl.-Phys. Winfried Meer, MünchenDipl.-Phys. Winfried Meer, Munich

leitermaterials unerwünschte Verluste auftreten, ist ein sorgfältiges Arbeiten bei der Zerteilung der Halbleiterscheiben notwendig. Man bedient sich hierbei zweckmäßig der z. B. beim Glasschneiden üblichen Technik des Brechens, nachdem man die beabsichtigten Bruchstellen durch Anritzen markiert hat. Da die zu zerteilenden Scheiben im allgemeinen sehr dünn sind, d. h. eine Stärke von größenordnungsmäßig einigen 100 μ, ζ. B. von 150 bis 250 μ, besitzen, ist ein Einspannen während des Ritzens sehr gefährlich. Um dennoch die für das Anritzen erforderliche Maßhaltigkeit einhalten zu können, hat man sich dadurch geholfen, daß man die flachen Halbleiterscheiben auf eine insbesondere aus Glas bestehende gereinigte ebene Unterlage mit Kanada-Balsam aufgekittet und dann das zu der gewünschten Aufteilung führende System von Linien auf die Halbleiterscheibe aufgeritzt hat. Nach erfolgtem Anritzen wurde dann die Glasunterlage mit der anhaftenden Halbleiterscheibe in eine den Kanada-Balsam lösende, z. B. aus Trichloräthylen bestehende Flüssigkeit gebracht, welche gleichzeitig durch Ultraschallschwingungen angeregt wurde. Bei entsprechender Intensität der Ultraschallschwingungen wird die von der Glasscheibe im Flüssigkeitsbad abgelöste Halbleiterscheibe längs der eingeritzten Linien zerbrochen. Conductor material undesirable losses occur, is a careful work when dividing the Semiconductor wafers necessary. It is useful to use the z. B. usual when cutting glass Breaking technique after marking the intended break point by scoring Has. Since the slices to be cut are generally very thin, i. H. a strength of the order of magnitude some 100 μ, ζ. B. from 150 to 250 μ, is a clamping during the scratching very dangerous. In order to still be able to maintain the dimensional accuracy required for the scoring, has one helped oneself by the fact that one the flat semiconductor wafers on one in particular made of glass Existing, cleaned, level surface puttied on with Canada balm and then that to the desired Division leading system of lines scratched on the semiconductor wafer. After the scoring has been completed The glass underlay with the adhering semiconductor wafer was then placed in a Canada balm dissolving, z. B. brought from trichlorethylene existing liquid, which at the same time by ultrasonic vibrations was stimulated. With a corresponding intensity of the ultrasonic vibrations, the Semiconductor wafer detached from the glass in the liquid bath broken along the incised lines.

Als Stand der Technik ist ferner neben den bekannten Saugpipetten für den Transport von Werkstücken für Halbleiterzwecke auf die sogenannten Vakuumverspannungsvorrichtungen hinzuweisen, bei denen das Werkstück an einem Transportorgan bzw.In addition to the known suction pipettes for the transport of workpieces, the state of the art refer to the so-called vacuum tensioning devices for semiconductor purposes, at which the workpiece is on a conveyor or

709 547/10709 547/10

Claims (5)

3 43 4 an einer Arbeitsunterlage festgehalten wird. Beim Er- auch beliebig gekrümmter eingeritzter Linien in der hitzen von Halbleiterscheiben hat man sich damit Halbleiterscheibe auszunutzen,
geholfen, die zu ritzende und zu zerteilende Halb- Die Technik des Einritzens ist bekannt. Der anleiterscheibe an einer Arbeitsunterlage festzukleben. zuwendende Druck der Diamantspitze muß natürlich Es besteht ohne weiteres die Möglichkeit, das An- 5 der SprÖdigkeit sowohl des Diamants als äucfc des kleben zu vermeiden und das Werkstück mittels der Halbleitermaterials Rechnung tragen. Er ist zweckbekannten pneumatischen Werkstückhalter zu hai- mäßig so einzustellen, daß die Linien eine Tiefe von tern. Die bekannten Vorrichtungen bestehen aus etwa Va bis 1 μ erhalten.
is recorded on a working document. When creating arbitrarily curved incised lines in the heating of semiconductor wafers, one has to take advantage of semiconductor wafers,
helped to cut and cut the half The technique of scratching is well known. To glue the instruction disc to a work surface. The pressure applied by the diamond tip must of course. There is easily the possibility of avoiding the brittleness of both the diamond and the sticking and taking the workpiece into account by means of the semiconductor material. The pneumatic workpiece holder, which is known for its purpose, is to be adjusted in such a way that the lines have a depth of tern. The known devices consist of about Va to 1 μ obtained.
einer Vakuumkammer, die an ihrer Oberseite mit Die Vorteile des Verfahrens gemäß der Erfindunga vacuum chamber, which on its top with The advantages of the method according to the invention einer durchlochten Platte abgeschlossen ist. Auf die io liegen vor allem darin, daß es auf einfache Weisea perforated plate is completed. The main thing about the io is that it's easy to do durchlochte Platte kommt das Werkstück während ohne Beschädigung auch dünner und daher mecha-perforated plate, the workpiece is also thinner and therefore mechanically der Bearbeitung zu liegen. Bei einer solchen Vor- nisch empfindlicher Halbleiterscheiben oder ähn-to lie in the processing. With such a front sensitive semiconductor wafers or similar richtung ist man an einen Mindestlochabstand und licher Flachkörper gelingt, die für das Ritzen erfor-direction one is able to achieve a minimum hole spacing and licher flat bodies that are required for the scoring. eine maximale Lochgröße gebunden. Dadurch wird derliche Halterung auf einfache und bequeme Weisetied a maximum hole size. This makes such a holder in a simple and convenient way die Gleichmäßigkeit des Ansaugens bzw. die Gleich- 15 zu sichern bzw. nach Beendigung des Anritzens imto ensure the evenness of the suction or the uniformity or after the end of the scoring in the mäßigkeit des Andrucks an die Unterlage, die für Augenblick zu lösen.moderate pressure on the substrate, which can be solved for a moment. das Anritzen von ganz besonderer Bedeutung ist, Die angeritzten Scheiben können durch Ultra-the scratching is of particular importance, the scratched panes can be made by ultra- nicht gewährleistet. Es ist Aufgabe der Erfindung, Schalleinwirkung längs der eingeritzten Linien 2er*not guaranteed. It is the object of the invention to measure the effects of sound along the incised lines 2 * hier eine Verbesserung zu erzielen und eine Einrich- brachen werden, wobei man zweckmäßig die Schfci-to achieve an improvement here and to set up a facility, whereby one expediently tung zu schaffen, mit der es möglich ist, dää Werk- ao ben in eine mit Ulträschällfrequenz schwingendeto create a device with which it is possible to convert the work- shop into one that oscillates at an ultrasonic frequency stück gleichmäßig und an weitaus mehr Stellen zu Flüssigkeit, welche gegen das Material der Scheibenpieces evenly and in far more places to liquid, which against the material of the discs haltern, als dies mit den bekannten Ansaugvorrich- inert ist, einbringt. Bei genügender Energie derhold than this is inert with the known suction devices. With enough energy the tungen möglich sein kann. Ultraschallschwingungen zerbrechen die Schabencan be possible. Ultrasonic vibrations break up the cockroaches Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß grundsätzlich längs der eingeritzten Linien. Did auf-To achieve this object, according to the invention, basically along the incised lines. Did on- vorgeschlagen, daß die Auflage aus porösem Werk- 25 zuwendende Ultraschalleistung richtet sich fl&eh dersuggested that the support made of porous work- 25 facing ultrasonic power is directed fl & eh the stoff besteht. Stärke der Scheiben.substance is made. Thickness of the slices. Bezüglich einer zweckmäßigen Durchführung wird Auf diese Weise erhält man die Bruchstücke der auf die F i g. 1 hingewiesen. Ein durch ein Unter- zerteilten Halbleiterscheibe in vollkommen ungeord-' druckgef äß 1 gebildeter Raum ist durch eine poröse, netem Zustand am Boden des angewendeten Flüssig·' harte Schicht 2 mit plangeschliffener Fläche (Außen- 30 keitsbades. In den meisten Fällen ist es jedoch zw&ekfläche) abgeschlossen. Die Schicht 2 besteht z. B. aus mäßig, wenn man die erhaltenen Stücke ohne Nachgesintertem Glas- oder Quarzpulver, insbesondere orientierung, wie sie häufig nötwendig ist, üitt Ait einer Glasfritte. Bei Betätigung der an den Stutzen 1' Halbleiterstücke in die für den naehgeSuhalteten des Unterdruckgefäßes angeschlossenen Vakuum- Prozeß erförderliche Läge zu bringen, aus der Zum pumpe 3 (z. B. einer Wasserstrahlpumpe) wird Luft 35 Zerbrechen der Halbleiterscheibe dienenden VorriGhdurch die Schicht 2 gesaugt. Eine auf die Schicht 2 tung entnehmen kann. Dies ist bei Anwendung der aufgelegte Halbleiterscheibe 4 wird dabei ebenfalls erfindüngsgemäßen Vorrichtung in der beispielswei&en an die poröse Schicht 2 angezogen. Die dabei erzielte Ausgestaltung nach F i g. 2 möglich.
Kraft kann durch entsprechende Bemessung der Als Unterlage wird ein Unterdruckgefäß 31 verSaugleistung der Pumpe bzw. durch entsprechende 40 wendet, welches über einen Evaküierungsstützeö 31' Verminderung der von der Halbleiterscheibe nicht an eine Vakuumpumpe, z.B. eine Wasserstrahl'· bedeckten Fläche der porösen Glasschicht 2 ohne pumpe, angeschlossen ist. In ähnlicher Weise, wi* weiteres so eingestellt werden, daß die Halbleiter- das Unterdruckgefäß bei der Vorrichtung gemäß platte 4 durch die beim Anritzen auftretenden me- F i g. 1, ist auch das Unterdruckgefäß in diesem Fall chanischen Kräfte nicht aus ihrer Stellung gerückt 45 mit einer porösen festen Schicht 32, z. B. einer Gl&s* werden kann. fritte, abgedeckt. Auf die Glasfritte ist eine wedelte,
With regard to an expedient implementation, the fragments of the FIG. 1 pointed out. A space formed by a sub-divided semiconductor wafer in a completely disorderly pressure vessel 1 is due to a porous, wet state at the bottom of the applied liquid hard layer 2 with a flat-ground surface (outdoor bath. In most cases, however, it is zw & ekfläche) completed. Layer 2 consists e.g. B. from moderate, if the pieces obtained without re-sintered glass or quartz powder, in particular orientation, as it is often necessary, üitt Ait a glass frit. When the semiconductor pieces are actuated to bring the semiconductor pieces to the position required for the vacuum process connected to the vacuum vessel connected to the socket 1 ', air is sucked through the layer 2 from the pump 3 (e.g. a water jet pump), which serves to break the semiconductor wafer . One can refer to the layer 2 device. When the semiconductor wafer 4 is used, this is also attracted to the porous layer 2 in the device according to the invention, for example. The configuration achieved in this way according to FIG. 2 possible.
A vacuum vessel 31 is used by the pump or by means of a corresponding 40, which via an evacuation support 31 'reduces the area of the porous glass layer 2 that is not covered by the semiconductor wafer, e.g. a water jet' pump, is connected. In a similar way, wi * further are set so that the semiconductor, the vacuum vessel in the device according to plate 4 by the me- F i g. 1, the vacuum vessel in this case is not moved out of its position by mechanical forces 45 with a porous solid layer 32, e.g. B. a Gl & s * can be. frit, covered. There is a waved on the glass frit,
Das Anritzen erfolgt mittels einer Diamantspitze» vorzugsweise ebenfalls poröse Zwischenlage 33, i> B. wobei es sich empfiehlt, die Scheibe während des ein weiches Tuch oder eine Lage Schaumgummi, auf' Ritzens zu der mit entsprechendem Drück gegen die gelegt. Auf diese wird die zu zerbrechende H&lb-Scheibe gepreßten Diamantspitze zu bewegen, denn 50 tellerscheibe 34 aufgelegt, die ihrerseits von ftindr in diesem Fall kann man bequem die Einstellung»- aus elastischem, weichem Material bestehenden gasvorrichtung des Kreuztisches des zur Überwachung dichten Folie 35 abgedeckt ist. Wenn man die äußert des Einritzens verwendeten Mikroskops bei der Wand des Unterdrückgefäßes 31 mit der Folie 35 in Durchführung des Einritzens verwenden. Hierzu be- dem erforderlichen Maße gasdicht, z. B. Über eiöfc festigt man das Unterdruckgefäß 1 auf dem Kreuz- 55 Einspannvorrichtung 36, verbindet, wird bei Betätf* tisch des Mikroskops und drückt die in der be- gung der Evakuierung die Folie und die Hälblöiterschriebenen Weise an das Unterdruckgefäß ange- scheibe 34 gegen die poröse weiche Schicht 33 ge* saugte Halbleiterscheibe von unten gegen die ortsfest drückt, wobei die poröse Schicht 32 eine zum Zer* gehalterte Diamantspitze. Durch entsprechende, mit- brechen mit einer Stahlwalze geeignete feste Untertels der Justiervorrichtung des Kreuztisches gesteuerte δο lage liefert.
Bewegungen wird die Diamantspitze und gleichzeitig PatentarKiwVhp·
auch das Gesichtsfeld des auf die anzuritzende Halb- ratemansprucne.
lederoberfläche scharf eingestellten Mikroskops über 1. Vorrichtung zum Haltern scheibenförmiger die Oberfläche der Halbleiterscheibe unter Erzeu- Werkstücke aus Halbleitermaterial durch Angung und gleichzeitiger Kontrolle der gewünschten 65 saugen an eine ebene, mit öffnungen für den eingeritzten Linien geführt. Dabei bereitet es keine Durchtritt Von Luft versehene fest© Auflage, Schwierigkeiten, die Justierschrauben des Kreuz- dadurch gekennzeichnet, daß die Auf* tisches nicht nur zur Erzeugung gerader, sondern lage aus porösem Werkstoff besteht.
The scratching is carried out by means of a diamond tip, preferably likewise porous intermediate layer 33, i> B. whereby it is advisable to place a soft cloth or a layer of foam rubber on the disc with appropriate pressure during the scratching. On this the H & lb-disc to be broken is to move the pressed diamond tip, because 50 plate washer 34 is placed, which in turn can be easily adjusted by ftindr in this case, the gas device of the cross table, which is made of elastic, soft material, is covered by the film 35, which is leakproof for monitoring is. If one uses the microscope used for the scoring on the wall of the vacuum vessel 31 with the film 35 in carrying out the scoring. For this purpose, the required dimensions are gas-tight, e.g. B. The vacuum vessel 1 is fastened to the cross-clamping device 36 via eiöfc, connected, operated at the operating table of the microscope and pressed against the vacuum vessel 34 in the manner described in the evacuation process the porous soft layer 33 presses the suctioned semiconductor wafer from below against the stationary, the porous layer 32 having a diamond tip held for breaking. A suitable fixed base of the adjusting device of the cross table provides a controlled δο position by breaking with a steel roller.
Movements becomes the diamond tip and at the same time PatentarKiwVhp
also the field of vision of the half-ratemansprucne to be scratched.
Leather surface sharply set microscope over 1. Device for holding disk-shaped the surface of the semiconductor wafer under production workpieces made of semiconductor material by anging and simultaneous control of the desired 65 suction on a flat, with openings for the incised lines. There is no passage of air provided firm © support, difficulties, the adjusting screws of the cross - characterized in that the table is made of porous material not only to produce straight, but layered material.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflagenoberfläche plan geschliffen ist.2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the support surface is planar is ground. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage eine Glasfritte ist.3. Apparatus according to claim 1, characterized in that the support is a glass frit. 4. Verwendung einer Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 beim Einritzen und/oder Zerbrechen von Halbleiterscheiben.4. Use of an arrangement according to one of claims 1 to 3 when scratching and / or Breaking semiconductor wafers. In Betracht gezogene Druckschriften:Considered publications: Deutsche Patentschriften Nr. 836401, 526249;German Patent Nos. 836401, 526249; USA.-Patentschriften Nr. 3 040489, 2970730, 2198765;U.S. Patent Nos. 3,040489, 2970730, 2198765; »technica«, 1957, Nr. 11, S. 623 bis 626; »Funktechnik«, 1961, Nr. "Technica", 1957, No. 11, pp. 623 to 626; "Radio technology", 1961, no. 5, S. 45 und 46;5, pp. 45 and 46; Bergmann: »Der Ultraschall«, Stuttgart 1954, Verlag S. Hirzel, 6. Auflage, S. 565.Bergmann: "The Ultrasound", Stuttgart 1954, Verlag S. Hirzel, 6th edition, p. 565. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2315402A1 (en) * 1972-03-31 1973-10-04 Ibm PROCESS FOR AUTOMATIC CUTTING OF SEMI-CONDUCTOR PLATES IN CHIPS AND FOR ORIENTED SOLDERING OF CHIPS ON MODULE SUBSTRATES
DE2608642A1 (en) * 1975-03-06 1976-09-16 Ibm DEVICE FOR TESTING INTEGRATED CIRCUITS
DE3120477A1 (en) * 1980-05-23 1982-03-11 Disco Co., Ltd., Tokyo DEVICE FOR CLAMPING AND FIXING SEMICONDUCTOR PLATES
EP0147094A2 (en) * 1983-12-19 1985-07-03 Citizen Watch Co. Ltd. Vacuum suction device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE526249C (en) * 1927-08-12 1931-06-04 Heinrich Eberhard Pneumatic workpiece holder
US2198765A (en) * 1938-08-05 1940-04-30 Merritt Engineering & Sales Co Vacuum cup and vacuum cup system
DE836401C (en) * 1950-07-20 1952-04-10 Wilhelm Dichmann Ii Method and table for holding paper, cardboard, wood veneers, metal foils or the like.
US2970730A (en) * 1957-01-08 1961-02-07 Motorola Inc Dicing semiconductor wafers
US3040489A (en) * 1959-03-13 1962-06-26 Motorola Inc Semiconductor dicing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE526249C (en) * 1927-08-12 1931-06-04 Heinrich Eberhard Pneumatic workpiece holder
US2198765A (en) * 1938-08-05 1940-04-30 Merritt Engineering & Sales Co Vacuum cup and vacuum cup system
DE836401C (en) * 1950-07-20 1952-04-10 Wilhelm Dichmann Ii Method and table for holding paper, cardboard, wood veneers, metal foils or the like.
US2970730A (en) * 1957-01-08 1961-02-07 Motorola Inc Dicing semiconductor wafers
US3040489A (en) * 1959-03-13 1962-06-26 Motorola Inc Semiconductor dicing

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2315402A1 (en) * 1972-03-31 1973-10-04 Ibm PROCESS FOR AUTOMATIC CUTTING OF SEMI-CONDUCTOR PLATES IN CHIPS AND FOR ORIENTED SOLDERING OF CHIPS ON MODULE SUBSTRATES
DE2608642A1 (en) * 1975-03-06 1976-09-16 Ibm DEVICE FOR TESTING INTEGRATED CIRCUITS
DE3120477A1 (en) * 1980-05-23 1982-03-11 Disco Co., Ltd., Tokyo DEVICE FOR CLAMPING AND FIXING SEMICONDUCTOR PLATES
EP0147094A2 (en) * 1983-12-19 1985-07-03 Citizen Watch Co. Ltd. Vacuum suction device
EP0147094A3 (en) * 1983-12-19 1986-09-17 Citizen Watch Co. Ltd. Vacuum suction device

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