DE1162952B - Circuit arrangement for putting into operation and taking out of operation assemblies containing transistors - Google Patents

Circuit arrangement for putting into operation and taking out of operation assemblies containing transistors

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DE1162952B
DE1162952B DES82156A DES0082156A DE1162952B DE 1162952 B DE1162952 B DE 1162952B DE S82156 A DES82156 A DE S82156A DE S0082156 A DES0082156 A DE S0082156A DE 1162952 B DE1162952 B DE 1162952B
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Germany
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transistors
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Pending
Application number
DES82156A
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German (de)
Inventor
Dipl-Ing Franz Joseph Moenig
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/305Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply

Description

Schaltungsanordnung zur Inbetriebnahme und Außerbetriebnahme von Transistoren enthaltende Baugruppen Bei der Inbetriebnahme von Transistoren enthaltende Baugruppen ist darauf zu achten, daß durch das Einschalten der Betriebsspannungen momentan keine Überlastungen der Transistoren entstehen können. Die Transistoren befinden sich nämlich vor der Einschaltung der Betriebsspannungen in einem undefinierten Zustand, so daß unmittelbar nach dem Einschalten unter Umständen Aussteuerungsverhältnisse sich ergeben, bei denen die Transistoren überlastet werden.Circuit arrangement for commissioning and decommissioning transistors containing assemblies When starting up assemblies containing transistors care must be taken that when the operating voltage is switched on, the momentary no overloading of the transistors can occur. The transistors are located namely before switching on the operating voltages in an undefined State, so that, under certain circumstances, level ratios immediately after switching on arise in which the transistors are overloaded.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, solche Überlastungen mit Sicherheit zu vermeiden. Gelöst wird dies erfindungsgemäß dadurch, daß zwei zwangläufig nacheinander betätigbare Schalter vorgesehen sind, welche die Elektroden der Transistoren in einer solchen Reihenfolge an ihr jeweiliges Betriebspotential anschalten, daß der bei der Inbetriebnahme zuerst betätigbare Schalter die Basen zusammen mit einer Ausgangselektrode (Kollektor oder Emitter) an ein Betriebspotential und der bei der Inbetriebnahme zuletzt betätigbare Schalter die andere Ausgangselektrode (Emitter oder Kollektor) der Transistoren an ein anderes Betriebspotential schaltet, während bei der Außerbetriebnahme die umgekehrte Betätigungsreihenfolge der Schalter eingehalten wird. In den Figuren sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt: Es zeigen F i g. 1 und 2 Schaltungen mit mehreren Verstärkerstufen und F i g. 3 eine Kippschaltung.The invention is based on the object of such overloads Avoid security. This is achieved according to the invention in that two inevitably successively operable switches are provided, which the electrodes of the transistors Switch on to their respective operating potential in such an order that the switch that can be actuated first when commissioning the bases together with a Output electrode (collector or emitter) to an operating potential and the at The last switch to be operated during commissioning the other output electrode (emitter or collector) of the transistors switches to a different operating potential, while When decommissioning, the reverse operating sequence of the switches is observed will. Exemplary embodiments of the invention are shown in the figures: They show F i g. 1 and 2 circuits with several amplifier stages and F i g. 3 a toggle switch.

Die in der F i g. 1 dargestellte Schaltung enthält eine Anzahl von aufeinanderfolgenden Verstärkerstufen mit jeweils einem Transistor T. Die Transistoren werden in Emitterschaltung betrieben, an ihren Kollektoren C wird die Ausgangsspannung der jeweiligen Stufe abgegriffen und entweder über einen Kondensator oder über einen Gleichrichter der Steuerelektrode der nächsten Verstärkerstufe, nämlich der Basis B des nächsten Transistors, zugeführt. Die Kollektoren C und die Basen B erhalten ihre Vorspannungen über Widerstände (und gegebenenfalls in Reihe dazu liegende eigene Vorspannungsquellen) von einer gemeinsamen Zuleitung, der über einen Schaltkontakt die betreffende Vorspannung zugeführt wird. Bei dem Transistor T ist dies der Kontakt K2. Für die einzelnen Transistorstufen sind die Kontakte K1 bis K12 vorgesehen, die jeweils eine individuelle Vorspannung an den zugehörigen Transistor anschalten. Die Kontakte K1 bis K12 werden gemeinsam betätigt, es können beispielsweise Kontakte eines Vielkontaktrelais sein. Die gemeinsame Betätigung wird durch die gestrichelt gezeichnete Verbindungslinie angedeutet, welche beispielsweise auf einen gemeinsamen Anker hinweist.The in the F i g. 1 includes a number of successive amplifier stages each with a transistor T. The transistors are operated in emitter circuit, the output voltage is at their collectors C. of the respective stage and tapped either via a capacitor or via a Rectifier of the control electrode of the next amplifier stage, namely the base B of the next transistor. The collectors C and the bases B received their bias voltages via resistors (and, if necessary, their own in series with them Bias voltage sources) from a common supply line, which is connected via a switching contact the relevant bias is supplied. In the case of the transistor T, this is the contact K2. Contacts K1 to K12 are provided for the individual transistor stages, which each apply an individual bias voltage to the associated transistor. The contacts K1 to K12 are actuated together, for example contacts of a multi-contact relay. The joint operation is indicated by the dashed line drawn connection line indicated, which for example on a common Anchor points out.

In entsprechender Weise erhalten die Eiritter E der einzelnen Transistoren ihre Vorspannung. Für die Anschaltung der jeweiligen Emittervorspannung sind die Schaltkontakte S 1 bis S 12 vorgesehen, die ebenfalls gemeinsam betätigt werden, was auch hier durch eine gestrichelte Verbindungslinie angedeutet ist.The Eiritter E of the individual transistors are given in a corresponding manner their bias. For the connection of the respective emitter bias are the Switching contacts S 1 to S 12 are provided, which are also operated together, which is also indicated here by a dashed connecting line.

Durch einen Zwangslauf in der Betätigung der Kontakte K 1 bis K 12 und der Kontakte S 1 bis S 12, der beispielsweise durch eine entsprechende Relaisschaltung herbeigeführt werden kann, wird nun bewirkt, daß bei der Inbetriebnahme immer erst nach der Betätigung der Kontakte K 1 bis K12 die Kontakte S 1 bis S 12 geschlossen werden können. Wird also die dargestellte Schaltung erstmalig in Betrieb genommen, so werden zunächst die Kontakte K 1 bis K12 geschlossen, wodurch die Basen B und die Kollektoren C der Transistoren die für sie vorgesehene Vorspannung erhalten. Danach werden durch Schließung der Kontakte S 1 bis S12 die Emitter E an ihre Vorspannung gelegt, welche die einzelnen Transistoren bereits in einer definierten Vorspannungslage vorfindet. Auf diese Weise wird vermieden, daß durch eine plötzliche Anschaltung der Betriebsspannungen einzelne Transistoren wegen noch nicht eingeschwungener, von dar vorhergehenden Stufe abgeleiteter Steuerspannung in einen Zustand geraten, in welchem die zulässige Verlustleistung überschritten und damit der Transistor beschädigt wird. Für die Außerbetriebnahme wird die umgekehrte Betätigungsreihenfolge eingehalten, d. h. zuerst werden die Kontakte S 1 bis S 12 geöffnet, danach die Kontakte K 1 bis K12, so daß auch hierbei keine Überlastung der Transistoren eintreten kann.By a forced operation in the actuation of the contacts K 1 to K 12 and the contacts S 1 to S 12, which can be brought about, for example, by a corresponding relay circuit, it is now ensured that during commissioning only after the actuation of the contacts K 1 to K12 the contacts S 1 to S 12 can be closed. Thus, if the circuit shown is put into operation for the first time, the contacts K 1 to K12 are initially closed, as a result of which the bases B and the collectors C of the transistors receive the bias voltage provided for them. Then, by closing the contacts S 1 to S12, the emitters E are applied to their bias voltage, which the individual transistors already find in a defined bias voltage position. In this way it is avoided that, due to a sudden connection of the operating voltages, individual transistors get into a state in which the permissible power loss is exceeded and the transistor is damaged due to control voltage not yet settled and derived from the previous stage. The reverse sequence of operations is maintained for shutdown, ie first contacts S 1 to S 12 are opened, then contacts K 1 to K12, so that the transistors cannot be overloaded here either.

F i g. 2 zeigt ebenfalls eine Kaskadenschaltung von mehreren Verstärkerstufen, die jeweils einen Transistor enthalten. Es sind dies die Transistoren Trl, Tr2 und Tr3. Hier werden die Kollektoren C und die Basen B der Transistoren jeweils zusammen an eine Vorspannung gelegt, die über die gemeinsam betätigten Schaltkontakte K 1 und K 2 an- und abschaltbar ist. Mit der Schließung des Schalters K1 erhalten sämtliche Basen B ihre Vorspannung, mit der Schließung des. Schalters K 2 sämtliche Kollektoren C. Durch die gestrichelte Linie wird auch hier wieder angedeutet, daß die beiden Kontakte K 1 und K 2 gemeinsam betätigt werden. Weiterhin ist der Kontakt S1 vorgesehen, über welchen sämtliche Emitter E gemeinsam ihre Vorspannung erhalten. Auch hier unterliegt die Betätigung der Kontakte K 1 und K 2 sowie des Kontaktes S 1 einem Zwangslauf, durch den bewirkt wird, daß bei der Inbetriebnahme immer erst nach Schließung der Kontakte K 1 und K 2 der Kontakt S1 geschlossen werden kann. Auf diese Weise wird auch hier erreicht, daß die Transistoren Trl bis Tr 3 sich durch Schließen der Kontakte K 1 und K 2 in einem definierten Vorspannungszustand befinden, ehe die Emittervorspannung über den Schalter S1 angeschaltet wird. Für die Außerbetriebnahme gilt die umgekehrte Betätigungsreihenfolge der Schalter.F i g. 2 likewise shows a cascade connection of several amplifier stages, each of which contains a transistor. These are the transistors Trl, Tr2 and Tr3. Here the collectors C and the bases B of the transistors are each connected to a bias voltage which can be switched on and off via the jointly actuated switching contacts K 1 and K 2. When switch K1 closes, all bases B receive their bias voltage, and when switch K 2 closes, all collectors C. The dashed line here again indicates that the two contacts K 1 and K 2 are actuated together. Furthermore, the contact S1 is provided, via which all emitters E jointly receive their bias voltage. Here, too, the actuation of contacts K 1 and K 2 as well as contact S 1 is forced to operate, which means that contact S1 can only be closed after the contacts K 1 and K 2 have closed during commissioning. In this way it is achieved here too that the transistors Trl to Tr 3 are in a defined bias state by closing the contacts K 1 and K 2 before the emitter bias is switched on via the switch S1. When decommissioning the switch, the reverse sequence of operations applies.

In der F i g. 3 ist eine in bekannter Weise aufgebaute bistabile Kippschaltung mit den Transistoren Trl und Tr2 dargestellt, bei welcher das erfindungsgemäße Prinzip Anwendung findet. Ähnlich wie bei der Schaltung gemäß F i g. 2 erhalten hier die Basen B und die Kollektoren C jeweils individuell ihre Vorspannungen über einen eigenen Schaltkontakt K2 bzw. K1. Diese beiden Kontakte werden gemeinsam betätigt, was durch die gestrichelte Verbindungslinie angedeutet ist. Über den Schaltkontakt S erhalten die Emitter E ihre Vorspannung. Durch einen Zwangslauf wird auch hier gewährleistet, daß bei der Inbetriebnahme immer erst nach Betätigung der Schalter K1 und K2 der Schalter S geschlossen werden kann, so daß erst, nachdem die Transistoren sich in einem definierten Vorspannungszustand befinden, die Emitterspannung angeschaltet wird. Für die Außerbetriebnahme gilt die umgekehrte Betätigungsreihenfolge der Schalter.In FIG. 3 shows a bistable multivibrator constructed in a known manner with the transistors Trl and Tr2, in which the principle according to the invention is used. Similar to the circuit according to FIG. 2, the bases B and the collectors C each receive their individual bias voltages via their own switching contact K2 or K1. These two contacts are actuated together, which is indicated by the dashed connecting line. The emitters E receive their bias voltage via the switching contact S. A forced operation ensures that during commissioning the switch S can only be closed after the switches K1 and K2 have been actuated, so that the emitter voltage is only switched on after the transistors are in a defined bias state. When decommissioning the switch, the reverse sequence of operations applies.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zur Inbetriebnahme und Außerbetriebnahme von Transistoren enthaltende Baugruppen, dadurch gekennzeichnet, daß zwei zwangläufig nacheinander betätigbare Schalter vorgesehen sind, welche die Elektroden der Transistoren in einer solchen Reihenfolge an ihr jeweiliges Betriebspotential anschalten, daß der bei der Inbetriebnahme zuerst betätigbare Schalter die Basen zusammen mit einer Ausgangselektrode (Kollektor oder Emitter) an ein Betriebspotential und der beider Inbetriebnahme zuletzt betätigbare Schalter die andere Ausgangselektrode (Emitter oder Kollektor) der Transistoren an ein anderes Betriebspotential schaltet, während bei der Außerbetriebnahme die umgekehrte Betätigungsreihenfolge der Schalter eingehalten wird. Claims: 1. Circuit arrangement for commissioning and decommissioning of assemblies containing transistors, characterized in that two inevitably successively operable switches are provided, which the electrodes of the transistors Switch on to their respective operating potential in such an order that the switch that can be actuated first when commissioning the bases together with a Output electrode (collector or emitter) to an operating potential and that of both Commissioning the last switch to be operated the other output electrode (emitter or collector) of the transistors switches to a different operating potential, while When decommissioning, the reverse operating sequence of the switches is observed will. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen der Transistoren über Widerstände und gegebenenfalls individuelle Vorspannungsquellen an die Kollektorzuleitungen der Transistoren angeschlossen sind, in denen die bei der Inbetriebnahme zuerst betätigbaren Schalter liegen und die bei der Inbetriebnahme zuletzt betätigbaren Schalter in die Emitterzuleitungen eingeschaltet sind. 2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the bases of the transistors via resistors and, if necessary, individual bias voltage sources are connected to the collector leads of the transistors, in which the at The switches that can be operated first during commissioning and those that are activated during commissioning The last operable switch in the emitter leads are switched on. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen und die Kollektoren der Transistoren jeweils über einen eigenen Schaltkontakt an ihre Vorspannungsquelle anschaltbar sind und diese Kontakte als bei der Inbetriebnahme zuerst betätigbaren Schalter gemeinsam betätigt werden.3. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the bases and the collectors of the transistors can each be connected to their bias voltage source via their own switching contact and these contacts are considered to be the first switch to be actuated during commissioning are operated together.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1991007814A1 (en) * 1989-11-13 1991-05-30 Italtel Società Italiana Telecomunicazioni S.P.A. Fully differential cmos power amplifier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991007814A1 (en) * 1989-11-13 1991-05-30 Italtel Società Italiana Telecomunicazioni S.P.A. Fully differential cmos power amplifier
US5281924A (en) * 1989-11-13 1994-01-25 Italtel Societa Italiana Telecomunicazione S.P.A. Fully differential CMOS power amplifier

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