DE1156845B

DE1156845B - Astable contactless arrangement for generating pulses

Info

Publication number: DE1156845B
Application number: DEG31890A
Authority: DE
Inventors: Jerome Johnson Tiemann
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1960-03-24
Filing date: 1961-03-24
Publication date: 1963-11-07

Description

Astabile kontaktlose Anordnung zur Erzeugung von Impulsen Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Erzeugung von Impulsen, die bis zu hohen Frequenzen ausgelegt werden kann. Derartige Anordnungen werden gebraucht zur Beeinflussung von elektrischen Einrichtungen durch eine periodische Umschaltung eines Steuergliedes von einem niedrigen Impedanzzustand, währenddessen ein großer Strom fließen kann -, auf einen hohen Impedanzzustand, welcher den Strom auf einen sehr kleinen Wert begrenzt. Ein Beispiel hierfür ist ein Monovibrator.Astable non-contact arrangement for generating pulses The invention refers to an arrangement for generating pulses up to high frequencies can be interpreted. Such arrangements are used for influencing of electrical devices by periodic switching of a control element from a low impedance state during which a large current can flow -, to a high impedance state, which reduces the current to a very small value limited. An example of this is a monovibrator.

Periodische Umschaltungen von einem niedrigen Impedanzzustand auf einen hohen Impedanzzustand kann man mit mechanischen Kontakteinrichtungen vornehmen. Neben Schaltungen mit Elektronenröhren zur Lösung dieser Aufgabe sind dafür auch Schaltungen bekannt, welche Halbleiterelemente in Verbindung mit Vorspannungsquellen benutzen. Eine solche Schaltung enthält beispielsweise eine pnpn-Halbleiterdiode und eine geeignete Impulsquelle, welche sowohl positive als auch negative Impulse abgibt, um die pnpn-Halbleiterdiode in den offenen oder geschlossenen Zustand zu schalten. Dazu ist eine Vorrichtung erforderlich, welche die Impulsquelle anregt, die Impulse mit der jeweils richtigen Polarität abzugeben, welche die Halbleiterdiode veranlassen, in ihre verschiedenen Impedanzzustände umzuschalten. Diese Lösung erfordert einen großen Aufwand an Bauteilen, um eine komplette Stromunterbrecherschaltung aufzubauen. Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine einfachere kontaktlose Stromunterbrecherschaltung aufzubauen, welche die Nachteile der bekannten Anordnungen vermeidet.Periodic switchovers from a low impedance state to a high impedance state can be achieved with mechanical contact devices. In addition to circuits with electron tubes to solve this problem, there are also Circuits known which semiconductor elements in conjunction with bias sources use. Such a circuit contains, for example, a pnpn semiconductor diode and a suitable pulse source providing both positive and negative pulses emits to the pnpn semiconductor diode in the open or closed state switch. This requires a device that excites the pulse source, to emit the pulses with the correct polarity, which the semiconductor diode cause to switch into their various impedance states. This solution requires a large number of components to create a complete circuit breaker circuit build up. The object of the invention is to provide a simpler contactless circuit breaker build, which avoids the disadvantages of the known arrangements.

Die astabile kontaktlose Anordnung zur Erzeugung von Impulsen nach der Erfindung ist gekennzeichnet durch die Reihenschaltung einer Tunneldiode und eines Vierschichthalbleiters, die parallel mit einer Kapazität zwischen Spannungsquelle und Arbeitswiderstand geschaltet sind.The astable contactless arrangement for generating pulses according to the invention is characterized by the series connection of a tunnel diode and a four-layer semiconductor running in parallel with a capacitance between voltage source and working resistance are switched.

Die dazu verwendbaren Schaltelemente sind strom-bzw. spannungsgesteuert und besitzen verschiedene Stromspannungskennlinien, die dadurch charakterisiert sind, daß sie ein Gebiet stark negativer Widerstandsänderungen enthalten. Beispiele für »stromgesteuerte« Halbleiterelemente mit negativer Widerstandsänderung entsprechend der Lichtbogenkennlinie (Fig. 3) sind pnpn-Trioden, pnpn-Dioden, Specistoren u. dgl. Die Lichtbogenkennlinie ist dadurch charakterisiert, daß bei fast konstantem Strom die Spannung steigt, bis bei der Zündspannung Vz ein Durchbruch erfolgt und darauf bei fast konstantem Haltestrom II, die Spannung bis zur Kippspannung VK sinkt. Dann steigen Strom und Spannung wieder bis zum Erreichen der Zündspannung Vz usw. Einige von diesen Halbleiterelementen, wie z. B. die pnpn-Trioden und pnpn-Dioden, sind Halbleiterelemente mit vier abwechselnd verschieden geladenen Zonen, so daß sie drei pn-übergänge enthalten. Die Elektroden können dabei entweder an die beiden Endzonen oder an die beiden Endzonen und eine Zwischenzone geschaltet sein. Im folgenden werden alle Halbleiterelemente dieses Typs als »Mehrschicht-Halbleiterelement« bezeichnet, soweit keine genauere Bezeichnung nötig ist.The switching elements that can be used for this purpose are current or. voltage controlled and have different current-voltage characteristics, which are characterized in that they contain an area of strongly negative changes in resistance. Examples of "current-controlled" semiconductor elements with a negative change in resistance according to the arc characteristic (Fig. 3) are pnpn triodes, pnpn diodes, specistors and the like Vz a breakdown occurs and then with an almost constant holding current II, the voltage drops to the breakover voltage VK. Then the current and voltage rise again until the ignition voltage Vz is reached, etc. Some of these semiconductor elements, such as e.g. B. the pnpn triodes and pnpn diodes, are semiconductor elements with four alternately differently charged zones, so that they contain three pn junctions. The electrodes can be connected either to the two end zones or to the two end zones and an intermediate zone. In the following, all semiconductor elements of this type are referred to as "multilayer semiconductor elements", unless a more precise designation is required.

Als »spannungsgesteuerte« Halbleiterelemente mit negativer Widerstandsänderung entsprechend der Dynatronkennlinie (Fig. 4) können hochdotierte Halbleiterdioden mit schmaler pn-übergangszone verwendet werden (Tunneldioden). Damit ein Halbleiter eine solche Kennlinie aufweisen kann, muß er auf beiden Seiten der pn-übergangszone, d. h. sowohl auf der p- als auch auf der n-Seite, eine Störstellenverunreinigung von genügend hoher Konzentration besitzen. Zu diesem Zweck werden ihm eine solche Menge Donatorenstörstellen beigemengt, daß der Fermipegel für Elektronen eine höhere Energie als das Leitfähigkeitsband hat oder eine solche Menge Akzeptorenstörstellen, daß der Fermipegel auf eine geringere Energie als die des Valenzbandes heruntergedrückt ist. Die Erscheinung einer negativen Widerstandsänderung beruht dabei auf der Tatsache, daß Tunneldiode mit der am Ende liegenden n-Zone des Mehrschichthalbleiterelementes verbunden sein. Wird die Taste 28 gedrückt, so sei angenommen, daß als Anfangsbedingung ein Zustand eintritt, bei dem am Mehrschichthalbleiterelement 2 eine so große Spannung liegt, daß sein Innenwiderstand den Wert Null erreicht. Das ist gegeben durch den Punkt 9 in Fig. 5. Bis zu der dem Punkt 9 entsprechenden Spannung fließt durch das Mehrschichthalbleiterelement ein Teilstrom und ein Teilstrom auf die Kapazität 6. Dadurch wird diese aufgeladen, und ihre Klemmspannung, die gleich der Spannung am Mehrschichthalbleiterelement ist, steigt bis zu der dem Punkt 9 entsprechenden Spannung mit an. Bei der kleinsten weiteren Spannungserhöhung wird jedoch der untere Ast der Stromspannungskennlinie verlassen, und der Strom springt auf den Wert oberhalb des Punktes 10, wenn die Taste 28 gedrückt bleibt. In diesem Punkt ist der Strom durch das Mehrschichthalbleiterelement größer als der Strom, den die Spannungsquelle 3 unter Berücksichtigung der Widerstände im Stromkreis liefern kann. Die Kapazität 6 deckt den fehlenden Strom, indem sie sich entlädt. Als Folge davon sinkt die Spannung bis zum Punkt 13, in dem die differentielle Widerstandsänderung Null ist. Punkte niedriger Spannung am Mehrschichthalbleiterelement sind jedoch nur auf dem unteren Aste der Stromspannungskennlinie vorhanden, so daß ein Stromsprung von Punkt 13 nach Punkt 14 eintritt. Bei diesem kleinen Strom durch das Mehrschichthalbleiterelement lädt sich die Kapazität 6 wieder auf, ihre Spannung und damit die Spannung am Mehrschichthalbleiterelement steigt bis zu der dem Punkt 9 entsprechenden Spannung Vz# und der Vorgang wiederholt sich. Wird aber, wie vorgesehen, die Taste 28 nur kurz gedrückt, so wirkt die Tunneldiode 1 als Strombegrenzer, d. h. I."" liegt dann nicht mehr oberhalb des Punktes 10, sondern im Punkt 11 bzw. 12. Bei diesem Stromwert liegt an der Tunneldiode 1 eine kleine, am Mehrschichthalbleiterelement 2 dagegen eine große Spannung. Die an der Reihenschaltung von Tunneldiode und Mehrschichthalbleiterelement liegende Spannung ist in diesem Moment je- doch größer als diese beiden Teilspannungen zu- sammen. Da durch die Strombegrenzung eine Spannungsvergrößerung am Mehrschichthalbleiterelement nicht möglich ist, muß die Spannung an der Tunneldiode ansteigen. Die Folge davon ist, daß die Tunneldiode in den Bereich ihrer negativen Widerstandsänderung hineingerät und eine weitere Verminderung des Stromes zunächst bis auf den Wert des Kipp-Stromes IK eintritt. In dem zu diesem Wert gehörenden Punkt 13 springt der Strom auf den zum Punkt 14 gehörenden Wert. Damit ist aber der Haltestrom 1,7 des Mehrschichthalbleiterelementes unterschritten und der Stromkreis praktisch unterbrochen. Die Kapazität 6 lädt sich wieder auf, die Spannung steigt wieder, und vom Punkt 9 springt der Strom auf den Punkt 11. Damit wiederholt sich der beschriebene Vorgang. Der Stromkreis wird sowohl unterbrochen, wenn der Strom kleiner ist als der Haltestrom 111, als auch, wenn die Spannung kleiner ist als die Kippspannung VK.Highly doped semiconductor diodes with a narrow pn junction zone (tunnel diodes) can be used as "voltage-controlled" semiconductor elements with a negative change in resistance according to the dynatron characteristic (Fig. 4). In order for a semiconductor to have such a characteristic, it must be on both sides of the pn junction zone, i. H. have an impurity impurity of a sufficiently high concentration on both the p and n sides. For this purpose, such an amount of donor defects is added that the Fermi level for electrons has a higher energy than the conductivity band, or such an amount of acceptor defects that the Fermi level is suppressed to an energy lower than that of the valence band. The phenomenon of a negative change in resistance is based on the fact that tunnel diodes are connected to the n-zone of the multilayer semiconductor element located at the end. If the key 28 is pressed, it is assumed that the initial condition is a state in which the multilayer semiconductor element 2 has such a high voltage that its internal resistance reaches the value zero. This is given by point 9 in FIG. 5. Up to the voltage corresponding to point 9 , a partial current and a partial current flows through the multilayer semiconductor element to the capacitance 6. This charges it and its clamping voltage, which is equal to the voltage at the multilayer semiconductor element , rises up to the voltage corresponding to point 9. With the smallest further voltage increase, however, the lower branch of the current-voltage characteristic is left, and the current jumps to the value above point 10 if key 28 is kept pressed. At this point, the current through the multilayer semiconductor element is greater than the current that the voltage source 3 can deliver, taking into account the resistances in the circuit. The capacity 6 covers the missing current by discharging itself. As a result, the voltage drops to point 13, at which the differential change in resistance is zero. However, points of low voltage on the multilayer semiconductor element are only present on the lower branch of the current-voltage characteristic, so that a current jump from point 13 to point 14 occurs. With this small current through the multilayer semiconductor element, the capacitance 6 is charged again, its voltage and thus the voltage on the multilayer semiconductor element increases up to the voltage Vz # corresponding to point 9 and the process is repeated. If, however, as provided, the button 28 is only pressed briefly, the tunnel diode 1 acts as a current limiter, i. H. I. "" is then no longer above point 10, but rather at point 11 or 12. At this current value, there is a small voltage across the tunnel diode 1 and a large voltage across the multilayer semiconductor element 2. The voltage applied to the series circuit of the tunnel diode and multilayer semiconductor element is at that moment JE but greater than these partial voltages Together. Since an increase in voltage on the multilayer semiconductor element is not possible due to the current limitation, the voltage on the tunnel diode must increase. The consequence of this is that the tunnel diode gets into the area of its negative change in resistance and a further reduction in the current initially occurs down to the value of the breakover current IK. In point 13 belonging to this value, the current jumps to the value belonging to point 14. However, this falls below the holding current 1.7 of the multilayer semiconductor element and the circuit is practically interrupted. The capacitance 6 charges up again, the voltage rises again, and the current jumps from point 9 to point 11. This repeats the process described. The circuit is interrupted both when the current is less than the holding current 111 and when the voltage is less than the breakover voltage VK.

Die Anordnung in Fig. 2 unterscheidet sich von der in Fig. 1 dargestellten dadurch, daß als Mehrschichthalbleiterelement 7 an Stelle der Mehrschichthalbleiterdiode 2 eine Mehrschichthalbleitertriode verwendet wird, d. h. daß außer den Grenzzonen auch Ladungsträger infolge eines quantenmechanischen Tunneleffektes die übergangszone passieren können. Bei einer Germaniumdiode dieser Axt liegt der Bereich mit negativer Widerstandsänderung der Kennlinie zwischen 0,04 und 0,3 V, bei einer Siliziumdiode zwischen etwa 0,08 und 0,04 V. Das ist in Fig. 4 der abfallende Teil der Stromspannungskennlinie zwischen dem StrommaximumI""." und dem Stromminhuum I.i, Im folgenden werden hochdotierte Halbleiterdioden mit schmaler pn-Übergangszone dieses Typs als »Tunneldiode« bezeichnet.The arrangement in Fig. 2 differs from that shown in Fig. 1 in that in place of the multi-layer semiconductor diode 2 is used as a Mehrschichthalbleitertriode multilayer semiconductor element 7, d. H. that in addition to the border zones, charge carriers can also pass through the transition zone as a result of a quantum mechanical tunnel effect. In the case of a germanium diode of this type, the range with a negative change in resistance of the characteristic curve is between 0.04 and 0.3 V, in the case of a silicon diode between approximately 0.08 and 0.04 V. In FIG Current maximum I "". "And the current minimum Ii, In the following, highly doped semiconductor diodes with a narrow pn junction zone of this type are referred to as" tunnel diodes ".

Beide Schaltelemente haben die Eigenschaft, sowohl einen niedrigen als auch einen hohen Impedanzzustand annehmen zu können, jedoch unterscheiden sich ihre Stromspannungskennlinien dadurch, daß der Bereich negativer Widerstandsänderungen bei der Dynatronkennlinie über den Wert und bei der Lichtbogenkennlinie Über den Wert reicht wird. Both switching elements have the property of being able to assume both a low and a high impedance state, but their current-voltage characteristics differ in that the range of negative changes in resistance in the dynatron characteristic is above the value and the arc characteristic is above the value.

Die Schaltung nach der Erfindung, welche schnell und automatisch von einem niedrigen zu einem hohen Impedanzzustand schaltet, wenn ein vorherbestimmter Strompegel erreicht ist, verbindet Einfachheit und Wirtschaftlichkeit, ist bis zu hohen Frequenzen brauchbar und kann auf kleinstem Raum untergebracht werden. Sie wird zweckmäßig so ausgelegt, daß der Zustand der Tunneldiode den Strom des Mehrschichthalbleiterelementes in bezug auf Polarität und Dauer so begrenzt, daß es in den Zustand hoher Impedanz zurückkehrt, wenn auch die Tunneldiode zum Zustand hoher Impedanz wechselt. Diese wiederum wird dazu veranlaßt, wenn durch die Begrenzung des Stromes in dem zu steuernden Stromkreis die Spannung an ihr einen vorherbestimmten Wert übersteigt.The circuit according to the invention, which quickly and automatically from switches from a low to a high impedance state when a predetermined Power level is reached, combines simplicity and economy, is up to usable at high frequencies and can be accommodated in the smallest of spaces. she is expediently designed so that the state of the tunnel diode the current of the multilayer semiconductor element limited in polarity and duration so that it is in the high impedance state returns when the tunnel diode also changes to the high impedance state. These in turn, it is caused when by limiting the current in the controlled Circuit the voltage on it exceeds a predetermined value.

Fig. 1 zeigt eine Ausführung der Schaltung, worin als Schaltelement mit Dynatronkennlinie eine Tunneldiode und als Schaltelement mit Licht:bogenkennlinie ein Mehrschichthalbleiterelement in der Ausführung als pnpn-Diode enthalten sind; . Fig. 2 enthält statt der in Fig. 1 dargestellten pnpn-Diode 2 eine pnpn-Triode 7; Fig. 3 zeigt die typische Stromspannungskennlinie eines Mehrschichthalbleiterelementes; Fig. 4 zeigt die typische Stromspannungskennlinie einer hochdotierten Halbleiterdiode mit schmaler pn-übergangszone; Fig. 5 ist eine grafische Darstellung der Stromspannungskennlinien der beiden beschriebenen Schalt---lemente und zeigt ihr Zusammenwirken in der vorliegenden Schaltung; Fig. 6 und 7 sind weitere Ausführungsmöglichkeiten der Erfindung. 1 shows an embodiment of the circuit in which a tunnel diode is included as a switching element with a dynatron characteristic and a multi-layer semiconductor element in the form of a pnpn diode as a switching element with light: arc characteristic; . FIG. 2 contains a pnpn triode 7 instead of the pnpn diode 2 shown in FIG. 1; 3 shows the typical current-voltage characteristic of a multilayer semiconductor element; 4 shows the typical current-voltage characteristic of a highly doped semiconductor diode with a narrow pn junction zone; 5 is a graphical representation of the current-voltage characteristics of the two switching elements described and shows their interaction in the present circuit; 6 and 7 are further possible embodiments of the invention.

Im folgenden wird die Erfindung an Hand der Zeichnungen genauer erläutert. Bei der Schaltung nach Fig. 1 sind eine Tunneldiode 1 und ein Mehrschichthalbleiterelement'2 in Serie. mit einer Spannungsquelle 3 geschaltet. Im Arbeitskreis liegen ein Widerstand 4 und eine Steuerspannungsquelle 5, die durch Aussenden von Impulsen den Leitfähigkeitszustand des Mehrschichthalbleiterelementes steuert. Die Schaltelemente 1 und 2 sind zueinander so geschaltet, daß der Strom durch sie in derselben Richtung fließt. Zum Beispiel kann die n-Zone der Tunneldiode mit der am Ende liegenden p-Zone des Mehrschichthalbleiterelementes 2 verbunden oder die p-Zone der eine dazwischenliegendr, Zone eine, Elektrode besitzt. Diese ist mit einer Steuerstromquelle 8 verbunden, deren anderer Pol geerdet ist. Dadurch wird erreicht, daß das Mehrschichthalbleiterelement bereits vor dem Erreichen der Zündspannung Vz in den Zustand höherer Leitfähigkeit versetzt werden kann.The invention is explained in more detail below with reference to the drawings. In the circuit according to FIG. 1 , a tunnel diode 1 and a multilayer semiconductor element 2 are in series. connected to a voltage source 3 . A resistor 4 and a control voltage source 5, which controls the conductivity state of the multilayer semiconductor element by emitting pulses, are located in the working circuit. The switching elements 1 and 2 are connected to one another so that the current flows through them in the same direction. For example, the n-zone of the tunnel diode can be connected to the p-zone of the multilayer semiconductor element 2, which is at the end, or the p-zone which has an intermediate, zone-one, electrode. This is connected to a control current source 8 , the other pole of which is grounded. It is thereby achieved that the multilayer semiconductor element can be put into the state of higher conductivity even before the ignition voltage Vz is reached.

Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung der Anordnung. Eine Induktivität 15 und eine Kapazität 16 in Serie sind mit dem Mehrschichthalbleiterelement 2 verbunden. Dieses wieder liegt in Serie mit einem grenzstromempfindlichen Stromkreis, welcher die Tunneldiode 1 und den Widerstand 17 in Parallelschaltung zur Induktivität 18 enthält. Wenn solch eine Parallelkombination in Serie mit einem zu unterbrechenden Stromkreis geschaltet ist, so wird durch die Induktivität 18 jeweils ein Impuls erzeugt, wenn der Betriebszustand der Tunneldiode 1 wechselt. Der in der Induktivität 18 erregte Impuls wird durch die Induktivität 15 und die Kapazität 16 dem Mehrschichthalbleiterelement 2 zugeführt. Dementsprechend ausgewählt muß die Zeitkonstante der Kapazität sein. Wird die Spannung des Impulses jedoch wie z. B. bei einem Transformator erhöht, so kann die Kapazität kleiner gewählt werden. Die Diode 19 und der Widerstand 20 sind für den Betrieb des Stromkreises nicht wesentlich und dienen nur dazu, die Entladung der Kapazität 16 so zu sperren, daß die Tunneldiode 1 nicht im ungeeigneten Zeitpunkt schaltet.Fig. 6 shows a further embodiment of the arrangement. An inductance 15 and a capacitance 16 are connected in series to the multilayer semiconductor element 2. This in turn is in series with a limit current-sensitive circuit which contains the tunnel diode 1 and the resistor 17 in parallel with the inductance 18 . If such a parallel combination is connected in series with a circuit to be interrupted, a pulse is generated by the inductance 18 when the operating state of the tunnel diode 1 changes. The pulse excited in the inductance 18 is fed to the multilayer semiconductor element 2 through the inductance 15 and the capacitance 16. The time constant of the capacitance must be selected accordingly. However, if the voltage of the pulse is B. increased in a transformer, the capacity can be selected to be smaller. The diode 19 and the resistor 20 are not essential for the operation of the circuit and only serve to block the discharge of the capacitance 16 so that the tunnel diode 1 does not switch at the unsuitable time.

Fig. 7 stellt eine weitere Ausführung der Anordnung dar. Sie enthält außer der Tunneldiode 1 und dem Mehrschichthalbleiterelement 2 einen npn-Transistor 21 und eine Kapazität 22. Der Transistor 21 ist so geschaltet, daß er nichtleitend ist, wenn die Tunneldiode 1 im Zustand geringer Impedanz ist, dagegen leitend, wenn die Tunneldiode 1 im Zustand hoher Impedanz ist. Die Spannung an der Tunneldiode 1 ist jene, welche zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des Transistors 21 herrscht. Der Kollektor kann über den Widerstand 23 mit einer Spannungsquelle positiver Polarität und solcher Größe verbunden sein, wie sie der am Mehrschichthalbleiterelement2 auftretenden Spannungsdifferenz entspricht. Es kann eine zusätzliche Spannungsquelle verwendet werden; für gewöhnlich benutzt man aber den positiven Pol des zu unterbrechenden Stromkreises. Das gilt auch sinngemäß für die anderen Formen der Anordnung. Im Zustand geringer Impedanz der Tunneldiode 1 herrscht nur eine kleine Spannung im Basis-Emitter-Kreis des Transistors 21. Sie bewirkt auch nur einen kleinen Strom im Basis-Kollektor-Kreis. Der Transistor 21 ist daher nichtleitend. Wird dagegen die Tunneldiode 1 in den Zustand hoher Impedanz geschaltet, so wird der Transistor 21 leitend, und es fließt ein Strom im Widerstand 23. Außerdem beginnt sich die Kapazität 22 aufzuladen. Dabei ergibt sich eine negative Widerstandsänderung am Mehrschichtbalbleiterelement 2. Bei der Entladung der Kapazität 22 beginnt der Vorgang von neuem. 7 shows a further embodiment of the arrangement. In addition to the tunnel diode 1 and the multilayer semiconductor element 2, it contains an npn transistor 21 and a capacitance 22. The transistor 21 is switched so that it is non-conductive when the tunnel diode 1 is in the lower state On the other hand, impedance is conductive when the tunnel diode 1 is in the high impedance state. The voltage across the tunnel diode 1 is that which prevails between the base and emitter electrodes of the transistor 21. The collector can be connected via the resistor 23 to a voltage source of positive polarity and such a size as it corresponds to the voltage difference occurring at the multilayer semiconductor element 2. An additional voltage source can be used; but usually the positive pole of the circuit to be interrupted is used. This also applies mutatis mutandis to the other forms of arrangement. In the low impedance state of the tunnel diode 1 , there is only a small voltage in the base-emitter circuit of the transistor 21. It also only causes a small current in the base-collector circuit. The transistor 21 is therefore non-conductive. If, on the other hand, the tunnel diode 1 is switched to the high impedance state, the transistor 21 becomes conductive and a current flows in the resistor 23. In addition, the capacitance 22 begins to charge. This results in a negative change in resistance at the multi-layer conductor element 2. When the capacitance 22 is discharged, the process begins again.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Astabfle contactless arrangement for generating pulses, characterized by the series connection of a tunnel diode (1) and a four-layer semiconductor (2), which are connected in parallel with a capacitance (6) between the voltage source (3) and the load resistor (4).

2. Arrangement according spoke 1, characterized in that the tunnel diode (1) can be bridged by a mechanical or electronic switch (28). 3. Arrangement according to claim 1, characterized in that a control pulse source (5) lies ün working group. 4. Arrangement according to claim 1, characterized in that a control pulse source (8) is in the control circuit of the pnpn triode when using multi-layer semiconductor triode. 5. Arrangement according to claim 1, characterized in that the tunnel diode (1) in parallel with a resistor (17) with an inductance (18) forms a limit current-sensitive circuit which is connected in series with the circuit to be influenced, which the inductance ( 15), the four-layer semiconductor (2) and the capacitance (6) in series. 6. The arrangement according spoke 1, characterized indicates overall that the tunnel diode (1) in the base-emitter circuit is a base connected transistor (21), (2), its collector connected to the capacitor (22) and the four-layer diode an electric circuit, and that the collector of the transistor (21) is connected to the positive pole of a voltage source via a resistor (23).