DE1149449B

DE1149449B - Arrangement for controlling the supply of alternating current consumers via a valve bridge

Info

Publication number: DE1149449B
Application number: DEW25106A
Authority: DE
Inventors: Paul F Pittmann
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1958-03-07
Filing date: 1959-02-25
Publication date: 1963-05-30

Description

Anordnung zur Steuerung der Speisung von Wechselstromverbrauchern über eine Ventilbrücke Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Steuerung der Speisung eines Verbrauchers von einer Wechselstromquelle.Arrangement for controlling the supply of alternating current consumers Via a valve bridge The invention relates to an arrangement for controlling the supply of a consumer from an alternating current source.

Es ist bekannt, elektrische Leistungen mit Hilfe von Relais zu steuern. Bei größeren Leistungen besteht jedoch die Gefahr, daß die Kontakte durch Lichtbogenbildung oder Korrosion beschädigt werden, wodurch ein einwandfreies Arbeiten beeinträchtigt werden könnte. Außerdem sind Relais in der Regel gegenüber Beschleunigungen und Schwingungen empfindlich, so daß auch durch solche Einflüsse eine unerwünschte Beeinträchtigung des Arbeitens eintreten kann.It is known to control electrical power with the aid of relays. At higher powers, however, there is a risk that the contacts will be arcing or corrosion, which impairs proper operation could be. Also, relays are usually opposed to accelerations and Vibrations sensitive, so that an undesirable impairment also by such influences of work can occur.

Das Aufkommen einer Halbleiterdiode mit einer solchen Charakteristik, daß beim überschreiten eines gewissen speziellen Stromes und einer speziellen Spannung in Rückwärtsrichtung die Diode hochleitfähig wird und danach einen hohen Strom in Rückwärtsrichtung bei niedriger Spannung führt, hat zu vielen neuen elektronischen Anwendungen geführt. Das oben beschriebene Phänomen ist kein Zenerzusammenbruch, noch ist es ein Lawinenzusammenbruch. Diese einzigartige Zusammenbruchscharakteristik kann unbeschränkt wiederholt werden. Dieser Zusammenbruch ist als ein hyperkonduktiver Zusammenbruch bezeichnet worden, und eine Diode, welche eine solche Charakteristik hat, wird im nachfolgenden als eine hyperkonduktive Diode angeführt werden.The advent of a semiconductor diode with such a characteristic, that when a certain special current and voltage is exceeded in reverse direction the diode becomes highly conductive and then a high current in Reverse direction at low voltage has led to many new electronic Applications led. The phenomenon described above is not a zener breakdown, nor is it an avalanche collapse. This unique breakdown characteristic can be repeated indefinitely. This breakdown is called a hyperconductive one Collapse has been termed, and a diode having such a characteristic will be referred to below as a hyperconductive diode.

Solch eine hyperkonduktive Diode mit steuerbarer, umkehrbarer Zusammenbruchscharakteristik oder einem hyperkonduktiven Zusammenbruch enthält ein erstes Basiselement, welches aus einem Halbleiterkörper besteht, der mit einer Verunreinigung dotiert ist, um eine erste Art der Halbleitfähigkeit, entweder N- oder P-Leitung zu schaffen. Auf dieser ersten Basis ist ein Emitter angeordnet, welcher aus einem Halbleitermaterial besteht, das mit der entgegengesetzten Type der Halbleitfähigkeit dotiert ist. Dieser Emitter kann hergestellt werden durch Legierung einer Pille, welche eineDotierungsverunreinigung enthält, mit einer Halbleitermaterialplatte, welche die erste Basis bildet. An der Zone zwischen der ersten Basis und dem Emitter ist dann ein Emitterübergang vorhanden.Such a hyperconductive diode with controllable, reversible breakdown characteristic or a hyperconductive breakdown contains a first basic element, which consists of a semiconductor body which is doped with an impurity in order to a first type of semiconductor capability to create either N or P conduction. on An emitter made of a semiconductor material is arranged on this first base which is doped with the opposite type of semiconductivity. This Emitters can be made by alloying a pill which is a dopant impurity contains, with a semiconductor material plate which forms the first base. At the An emitter junction is then present in the zone between the first base and the emitter.

Um die Einschaltung der Diode in eine elektrische Schaltung zu erleichtern, ist eine Lage aus Silber oder einem anderen elektrisch gut leitenden Metall mit der oberen Oberfläche des Emitters verschmolzen, in sie legiert oder mit ihr verlötet. An dieser Lage können Kupferzuleitungsdrähte leicht angelötet werden. Eine zweite Basis entgegengesetzten elektrischen Leitfähigkeitstyps ist nächst der ersten Basis vorgesehen. Eine Zone, wo die erste und zweite Basis einander treffen, bildet einen Kollektorübergang.To facilitate the connection of the diode in an electrical circuit, is a layer of silver or another metal with good electrical conductivity fused, alloyed into, or soldered to the top surface of the emitter. Copper lead wires can easily be soldered to this position. A second Base of opposite electrical conductivity type is next to the first base intended. A zone where the first and second bases meet forms one Collector transition.

Nächst der zweiten Basis ist eine Metallmasse vorgesehen, welche eine Ladungsträgerquelle ist, die eine kritische Rolle in der Wirkungsweise der Diode spielt. Diese Metallmasse kann neutral sein, oder sie kann denselben Dotierungscharakter wie die zweite Basis haben. Die Metallnasse kann an der zweiten Basis durch einen Löt-, Legierungs- oder Schmelzprozeß oder ein ähnliches Verfahren angebracht werden.Next to the second base, a metal mass is provided, which a The source of charge carriers plays a critical role in the functioning of the diode plays. This metal mass can be neutral or it can have the same doping character like having the second base. The metal wet can on the second base by a Soldering, alloying or melting process or a similar process can be attached.

Aufgabe der Erfindung ist es, unter Verwendung einer derartigen hyperkonduktiven Halbleiterdiode bzw. eines Halbleiterstromtores ein neues elektronisches Schaltgerät mit vorteilhaften Arbeitseigenschaften zu schaffen. Hierzu wird bei einer Anordnung zur Steuerung der Speisung von Wechselstromverbrauchern über eine mit ihren Wechselstromklemmen, mit der Spannungsquelle und dem Verbraucher in Reihe geschaltete Ventilbrücke, in deren Gleichstromdiagonale ein steuerbares Halbleiterventil angeordnet ist, nach der Erfindung als steuerbares Halbleiterventil ein Halbleiterstromtor verwendet, welches nach überschreiten seiner Durchbruchspannung -die höher als die von der Wechselstromquelle gelieferte Spannung ist - in Rückwärtsrichtung auch bei niedrigerer Spannung relativ hohe Ströme führt und das jeweils mit Hilfe einer Hilfsspannungsquelle durch eine vorübergehend erhöhte Spannung durchgesteuert wird.The object of the invention is to use such a hyperconductive Semiconductor diode or a semiconductor current gate a new electronic switching device to create with advantageous working characteristics. For this purpose, in an arrangement to control the supply of alternating current consumers via one with its alternating current terminals, valve bridge connected in series with the voltage source and the consumer, in whose direct current diagonal a controllable semiconductor valve is arranged according to the invention uses a semiconductor current gate as a controllable semiconductor valve, which after exceeding its breakdown voltage -that is higher than that of the AC power source supplied Tension is - in the reverse direction carries relatively high currents even at lower voltages, and with help an auxiliary voltage source controlled by a temporarily increased voltage will.

Die Verwendung eines steuerbaren Transistors in der Gleichstromdiagonale einer Gleichrichterbrücke ist bereits im Zusammenhang mit einer Steuerdrossel, über die ein Motor aus einer Wechselstromquelle gespeist wird, vorgeschlagen worden, wobei die Steuerwicklung der Drossel an der Wechselstromdiagonale der Gleichrichterbrücke angeschlossen ist.The use of a controllable transistor in the direct current diagonal a rectifier bridge is already in connection with a control choke, over which a motor is fed from an alternating current source has been proposed, the control winding of the choke on the AC diagonal of the rectifier bridge connected.

Es ist auch schon eine Anordnung beschrieben worden, bei der ein Verbraucher über gittergesteuerte Entladungsröhren aus einem Wechselstromnetz mit Wechselstrom gespeist wird, wobei der Wechselstrom durch zwischen Spannungsquelle und Verbraucher angeordnete Gleichrichter in Graetzschaltung gleichgerichtet und über eine gittergesteuerte Entladungsröhre geführt wird, durch deren Gittersteuerung die dem Verbraucher zugeführte Spannung gesteuert wird.An arrangement has also already been described in which a consumer Via grid-controlled discharge tubes from an alternating current network with alternating current is fed, the alternating current passing through between the voltage source and the consumer arranged rectifier in Graetz circuit and rectified via a grid-controlled Discharge tube is performed, through whose grid control the supplied to the consumer Voltage is controlled.

Ein besonderer Vorteil des neuen elektronischen Schaltgeräts besteht darin, daß seine Arbeitsweise durch äußere Umstände, wie Vibrieren, Beschleunigung oder Stöße, nicht beeinflußt wird. Außerdem kann eine verhältnismäßig große Schaltleistung mit einem sehr geringen Aufwand an Steuerleistung beherrscht werden. Weitere zusätzliche Verbesserungen und vorteilhaft in Verbindung mit der neuen Anordnung anwendbare Einzelmerkmale werden anläßlich der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung an Hand von Zeichnungen dargelegt.There is a particular advantage of the new electronic switching device in that its mode of operation is caused by external circumstances, such as vibration, acceleration or shocks, is not affected. In addition, it can have a relatively large switching capacity can be mastered with very little tax expenditure. More additional Improvements and advantageously applicable in connection with the new arrangement Individual features are given on the basis of the following description of exemplary embodiments the invention set out with reference to drawings.

Fig. 1 ist ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen Apparates; Fig.2 ist ein zweites erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel; Fig. 3 ist eine graphische Darstellung der Arbeitskennlinien der hyperkonduktiven Diode.Fig. 1 is a circuit diagram of an apparatus according to the invention; Fig. 2 is a second embodiment of the invention; Figure 3 is a graphic Representation of the working characteristics of the hyperconductive diode.

Das in Fig. 1 veranschaulichte schaltende Gerät enthält in allgemeiner Hinsicht eine Wechselspannungsquelle 20 und eine Last, welche über einen Vollwellengleichrichter 30 angeschlossen ist. Eine hyperkonduktive Diode 40 und ein Impulskreis 10 sind an die anderen beiden Klemmen des Vollwellengleichrichters 30 angeschlossen.The switching device illustrated in FIG. 1 generally includes Regarding an AC voltage source 20 and a load, which via a full-wave rectifier 30 is connected. A hyperconductive diode 40 and a pulse circuit 10 are connected to the other two terminals of the full wave rectifier 30.

Der Vollwellengleichrichter 30 enthält die Gleichrichter 31, 32, 33 und 34 in einer Brückenschaltung. Die elektrische Energiequelle 20 und die Last 50 sind mit der Brücke 30 in Reihe geschaltet. Die hyperkonduktive Diode 40 und der Gleichrichter 14 sind zwischen den beiden gegenüberliegenden Gleichspannungsklemmen der Brücke 30 in Reihe geschaltet. Der Impulskreis 20 besitzt Anschlußklemmen 11 und 12 für das Anlegen einer Steuergleichspannung an eine Kapazität 13 und den Gleichrichter 14.The full wave rectifier 30 contains the rectifiers 31, 32, 33 and 34 in a bridge circuit. The electrical energy source 20 and the load 50 are connected in series with the bridge 30. The hyperconductive diode 40 and the rectifier 14 are connected in series between the two opposite DC voltage terminals of the bridge 30. The pulse circuit 20 has connection terminals 11 and 12 for applying a DC control voltage to a capacitor 13 and the rectifier 14.

In Fig. 3 ist der Verlauf des Stromes in der Halbleiterdiode 40 in Abhängigkeit von verschiedenen Spannungen dargestellt. Hierbei ist der Übersichtlichkeit halber auf der linken Seite (Rückwärtsrichtung) ein zehnmal so großer Spannungsmaßstab zugrunde gelegt als auf der rechten Seite (Vorwärtsrichtung). Wie aus dem rechten oberen Quadranten dieses Diagramms zu ersehen ist, steigt beim Anlegen einer positiven Spannung in der Größenordnung einer Einheit der Strom bis zu einem Wert von annähernd 3 Einheiten an. Wenn eine Spannung mit umgekehrter Polarität angelegt wird, so tritt bis zu einer Spannung von etwa 55 Einheiten nur ein sehr kleiner Strom - in der Größenordnung eines Bruchteils einer Einheit - auf. Bei einer weiteren Steigerung der Spannung wird die Diode plötzlich leitfähig, wobei an ihr dann nur noch ein Spannungsabfall etwa in der Größenordnung einer Einheit auftritt, während der Strom rasch ansteigt, wie der zum Teil gestrichelt in dem linken unteren Quadranten gezeichnete Ast der Stromkurve erkennen läßt. Es kann also jetzt ein verhältnismäßig hoher Strom durch die Diode bei sehr geringer Verlustleistung fließen. Sobald jedoch der Strom einen bestimmten Mindestwert unterschreitet, hört die Leitfähigkeit der Diode auf. Bei einem neuerlichen Anlegen einer entsprechenden Spannung kann das Spiel entsprechend der gezeigten Kennlinie neuerlich durchlaufen werden.In Fig. 3, the course of the current in the semiconductor diode 40 is in Dependence on different voltages shown. This is for clarity half on the left side (backward direction) a ten times larger voltage scale taken as a basis than on the right-hand side (forward direction). As if from the right one The upper quadrant of this diagram increases when a positive is applied Voltage on the order of a unit of current up to a value approximately 3 units. When a voltage of reverse polarity is applied, it occurs up to a voltage of about 55 units only a very small current - in the Order of a fraction of a unit - on. With a further increase of the voltage the diode suddenly becomes conductive, with only one remaining at it Voltage drop roughly on the order of a unit occurs while the current increases rapidly, like the one drawn in part in dashed lines in the lower left quadrant Branch of the current curve can be recognized. So it can now have a relatively high current flow through the diode with very low power dissipation. However, as soon as the current falls below a certain minimum value, the conductivity of the diode stops. When a corresponding voltage is applied again, the game can accordingly the characteristic curve shown must be run through again.

Es sei nun angenommen, die Größe der Spannungsspitze der Wechselspannungsquelle 20 liegt unterhalb des kritischen Zusammenbruchwertes der hyperkonduktiven Diode 40. Die Steuerspannung, welche an die Klemmen 11 und 12 angelegt ist, lädt die Kapazität oder den elektrischen Energiespeicher 13 auf, welcher an den Gleichrichter 14 angeschlossen ist. Die Polarität der Steuerspannung, welche an die Klemmen 11 und 12 angelegt wird, hat, wie in Fig. 1 gezeigt, eine solche Richtung, daß sie zu der Spannung in Rückwärtsrichtung der hyperkonduktiven Diode 40, welche durch die Energiequelle 20 angelegt ist, hinzugefügt wird.It is now assumed that the size of the voltage peak of the AC voltage source 20 is below the critical breakdown value of the hyperconductive diode 40 connected. As shown in FIG. 1, the polarity of the control voltage applied to the terminals 11 and 12 has such a direction as to be added to the reverse voltage of the hyperconductive diode 40 applied by the power source 20 .

Wenn die Leistungsquelle 20 die in Fig. 1 gezeigte Polarität hat, so leiten die Gleichrichter 31 und 33 und verursachen, daß die Spannung der Energiequelle 20 an der hyperkonduktiven Diode 40 in der Rückwärtsrichtung erscheint. Die Steuerspannung wird an die Klemmen 11 und 12 angelegt, welche die inverse Spannung an der hyperkonduktiven Diode 40 auf einen größeren Wert erhöht, als die Zusammenbruchsspannung der hyperkonduktiven Diode 40 beträgt. Die hyperkonduktive Diode 40 bricht dann zusammen, und die Spannung der Energiequelle 20 erscheint dann über 31, 40, 14, 33 an der Last 50. Die hyperkoduktive Diode wird so lange leiten, bis die Wechselspannung 20 auf Null zurückgeht. Zu diesem Zeitpunkt wird die hyperkonduktive Diode in ihren anderen Zustand zurückgeführt, in welchem die Spannung und der Strom an der Diode 40 unter die kritischen Werte herabgesetzt sind.When the power source 20 has the polarity shown in Fig. 1, so direct the rectifier 31 and 33 and cause the voltage of the power source 20 appears at the hyperkonduktiven diode 40 in the reverse direction. The control voltage is applied to the terminals 11 and 12, which increases the inverse voltage on the hyperconductive diode 40 to a value greater than the breakdown voltage of the hyperconductive diode 40. The hyperconductive diode 40 then breaks down, and the voltage of the energy source 20 then appears across 31, 40, 14, 33 at the load 50. The hyperconductive diode will conduct until the alternating voltage 20 drops to zero. At this point in time, the hyperconductive diode is returned to its other state, in which the voltage and the current across the diode 40 are reduced below the critical values.

Wenn die Spannung 20 beginnt, in der entgegengesetzten Richtung zu der in Fig. 1 gezeigten Polarität anzuwachsen, werden die Gleichrichter 32 und 34 leiten und zur Folge haben, daß die Spannung von der Energiequelle 20 wieder an der hyperkonduktiven Diode 40 in Rückwärtsrichtung erscheint. Die Steuerspannung kann wieder an die Klemmen 11 und 12 angelegt werden, und - wie bereits früher beschrieben - wird die Spannung der Energiequelle 20, wenn die Größe der Speisespannung und der zusätzliche Impuls von der Kapazität 13 den kritischen Zusammenbruch der hyperkonduktiven Diode überschreiten, an der Last 50 erscheinen. Ein Widerstand 15 kann mit dem Impulskreis 10 für Strombegrenzungszwecke beim Zusammenbruch der Diode 40 in Reihe geschaltet werden.When the voltage 20 begins to increase in the opposite direction to the polarity shown in FIG. 1, the rectifiers 32 and 34 will conduct and cause the voltage from the power source 20 to reappear across the hyperconductive diode 40 in the reverse direction. The control voltage can be applied again to the terminals 11 and 12, and - as already described earlier - the voltage of the energy source 20 when the magnitude of the supply voltage and the additional pulse from the capacitance 13 exceed the critical breakdown of the hyperconductive diode at the Load 50 appear. A resistor 15 can be connected in series with the pulse circuit 10 for current limiting purposes in the event of the diode 40 breaking down.

Wenn die Spannung an der Last 50 eine vollständige Sinusform sein soll, so muß die hyperkonduktive Diode 40 jedesmal zusammenbrechen, wenn die Spannung 20 durch Null geht. Alles, was dann an dem Eingangssignal erforderlich ist, besteht darin, daß jedesmal, wenn die Wechselspannung durch Null geht, eine Spannung gleich der Zusammenbruchsspannung der hyperkonduktiven Diode für ein kurzes Zeitintervall an der Kapazität 13 erscheinen muß.If the voltage across load 50 is to be a full sinusoidal shape, hyperconductive diode 40 must collapse every time voltage 20 crosses zero. All that is then required on the input signal is that every time the alternating voltage passes through zero, a voltage equal to the breakdown voltage of the hyperconductive diode must appear on capacitor 13 for a short time interval.

In Fig. 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, in welchem gleichen Einzelteilen wie in Fig. 1 die gleichen Bezugszeichen gegeben worden sind. Fig. 2 weicht von der Fig. 1 nur darin ab, daß eine neue Impuls- oder Zusammenbruchsschaltung 60 an die Stelle der Impulsschaltung 10 nach Fig. 1 gesetzt worden ist. Die Zusammenbruchs- oder Steuerschaltung 60 enthält ein Schaltmittel 61, eine Gleichspannungsquelle 62 und ein Netzwerk aus der Parallelschaltung eines ohmschen Widerstandes 63 und einer Kapazität 64, welches in Reihe mit der hyperkonduktiven Diode 40 geschaltet ist.FIG. 2 shows a second exemplary embodiment of the invention, in which the same individual parts as in FIG. 1 have been given the same reference numerals. FIG. 2 differs from FIG. 1 only in that a new pulse or breakdown circuit 60 has been substituted for the pulse circuit 10 of FIG. The breakdown or control circuit 60 contains a switching means 61, a DC voltage source 62 and a network consisting of the parallel connection of an ohmic resistor 63 and a capacitance 64, which is connected in series with the hyperconductive diode 40 .

Die Arbeitsweise des in Fig. 2 veranschaulichten Apparates ist dieselbe wie diejenige nach Fig. 1, abgesehen von dem Verfahren der Auslösung der hyperkonduktiven Diode 40. In dem in Fig. 2 veranschaulichten Gerät wird eine Hilfssteuerspannung von der Spannungsquelle 62 der gezeigten Polarität in Reihe mit einem großen Widerstand 63 benutzt, um die hyperkonduktive Diode 40 immer im Zusammenbruchszustand zu erhalten, wenn das schaltende oder Eingangsglied 61 geschlossen ist. Ist die hyperkonduktive Diode 40 einmal zusammengebrochen, so ist nur ein kleiner Strom notwendig, um den Zusammenbruchszustand an der hyperkonduktiven Diode 40 aufrechtzuerhalten, so daß dieses Verfahren zur Auslösung und Zündung der Diode 40 sehr wirksam ist. Die Kapazität 64, welche zum Widerstand 63 parallel liegt, sichert den anfänglichen Zusammenbruch der hyperkonduktiven Diode 40, wenn der Schalter 61 geschlossen wird.The operation of the apparatus illustrated in Fig. 2 is the same as that of Fig. 1 except for the method of triggering the hyperconductive diode 40. In the apparatus illustrated in Fig. 2, an auxiliary control voltage from the voltage source 62 of the polarity shown is in series with a large resistor 63 is used to keep the hyperconductive diode 40 always in the breakdown state when the switching or input element 61 is closed. Once the hyperconductive diode 40 has broken down, only a small amount of current is required to maintain the breakdown condition on the hyperconductive diode 40 , so this method of tripping and igniting the diode 40 is very effective. The capacitance 64, which is parallel to the resistor 63, ensures the initial breakdown of the hyperconductive diode 40 when the switch 61 is closed.

Die hierin offenbarten Schaltungen sind für Ein-und Ausschaltungen bei allen Leistungsbeträgen anwendbar. Ein solcher schaltender Apparat hat eine viel größere Lebensdauer und erfordert weniger Wartung als Schaltapparate geläufiger Art, wie Relais oder andere schaltende Apparate.The circuits disclosed herein are for on and off switching applicable to all benefit amounts. Such a switching apparatus has one Much longer lifespan and requires less maintenance than more common switchgear Kind of like relays or other switching devices.

Zum Schluß wird darauf hingewiesen, daß, obwohl die veranschaulichten Ausführungsbeispiele praktische Verkörperungen der Erfindung darstellen, die gezeigten Einzelheiten keine Beschränkung der Erfindung zum Ausdruck bringen sollen, da Abwandlungen derselben, ohne vom Hauptgedanken der Erfindung abzuweichen, vorgenommen werden können.Finally, it should be noted that although the illustrated Exemplary embodiments represent practical embodiments of the invention, the shown Details are not intended to express any limitation of the invention, since modifications the same without deviating from the main idea of the invention can be made can.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Arrangement for controlling the supply of alternating current consumers via one with its alternating current side in series with the voltage source and the consumer Switched valve bridge with a controllable semiconductor valve in the direct current diagonal is arranged, characterized in that a controllable semiconductor valve Semiconductor current gate is used, which after exceeding its breakdown voltage - which is higher than the voltage supplied by the AC power source - in reverse direction carries relatively high currents even at lower voltages, and with help an auxiliary voltage source controlled by a temporarily increased voltage will.

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the semiconductor current gate in opposite directions in series with a normal diode between the output terminals on the DC side the rectifier bridge circuit is switched on and with the help of the voltage of a previously charged electrical energy storage device, which is parallel to the normal Diode lies in its highly conductive state during each half cycle of the alternating current Passage is controlled in the reverse direction.

3. Arrangement according to claim 2, characterized characterized in that the energy store is a capacitor.

4. Arrangement according to claim 1, characterized in that for controlling the collapse of the locking effect of the semiconductor current gate in the reverse direction at its terminals a control circuit from the series connection of a DC voltage source, a switch and an ohmic one Resistance lies.

5. Arrangement according to claim 4, characterized in that parallel to the ohmic resistance to support the collapse of the locking effect of the semiconductor current gate, a capacitor is connected in the reverse direction. In Publications considered: German Patent No. 694120.