DE1131280B - Selective transistor amplifier - Google Patents
Selective transistor amplifierInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen selektiven Transistorverstärker mit einem abgestimmten Eingangskreis, der mit der Basis des Transistors, und mit einem abgestimmten Ausgangskreis, der mit dem Kollektor des Transistors verbunden ist. Sie bezweckt, einen Transistorverstärker anzugeben, der sich durch eine hohe Stabilität sowie durch eine hohe Leistungsverstärkung auszeichnet. The invention relates to a selective transistor amplifier with a tuned input circuit, the one with the base of the transistor, and with a matched output circuit that goes with the Collector of the transistor is connected. Its purpose is to provide a transistor amplifier that is capable of characterized by high stability and a high power gain.
Im »Bell System Technical Journal« vom November 1959, S. 1563 und folgenden, werden Breitband-Transistorverstärker beschrieben, wobei die Schlußfolgerung lautet, daß zum Erzielen einer ausreichenden Stabilität entweder eine Neutralisierungsimpedanz (Neutrodynkondensator) angebracht werden muß oder Fehlanpassung des Verstärkers benutzt werden muß (s. insbesondere S. 1568 und 1569). Neutralisierung führt in der Regel nicht zur erwünschten Stabilität, so daß man üblicherweise beide Maßnahmen anwenden muß. Auch bei selektiven Transistorverstärkern, d. h. Verstärkern für ein schmales Frequenzband, wird vielfach Neutralisierung in Verbindung mit Fehlanpassung angewandt.In the "Bell System Technical Journal" of November 1959, p. 1563 and following, broadband transistor amplifiers described, the conclusion being that in order to achieve a sufficient Stability either a neutralization impedance (neutrodyne capacitor) must be attached or mismatching of the amplifier must be used (see in particular p. 1568 and 1569). neutralization usually does not lead to the desired stability, so that one usually takes both measures must apply. Even with selective transistor amplifiers, i. H. Amplifiers for a narrow Frequency band, neutralization is often used in conjunction with mismatch.
Die Erfindung gründet sich auf die Erkenntnis, daß in einer Kaskade selektiver Transistorverstärker theoretisch die Höchstverstärkung erreicht werden würde, wenn der zwischen zwei aufeinanderfolgenden Verstärkern eingeschaltete Resonanzkreis eine unendlich hohe Impedanz hätte und der Kollektor des ersten bzw. die Basis des zweiten Transistors mit derartigen Anzapfungen dieses Kreises verbunden wären, daß Anpassung zwischen dem Kollektorinnenwiderstand des ersten und dem Basisinnenwiderstand des zweiten Transistors erzielt sein würde. Wenn der Resonanzwiderstand des Kreises jedoch nicht unendlich ist, wäre der Kollektor des ersten Transistors an den Scheitel und die Basis des zweiten Transistors an eine derartige Anzapfung des Kreises zu legen, daß der über diesen Kreis herauftransformierte Basiseingangswiderstand des zweiten Transistors gleich der Parallelschaltung des Kollektorinnen-Widerstandes des ersten Transistors und des Resonanzwiderstandes des Kreises wird.The invention is based on the knowledge that selective transistor amplifiers in a cascade theoretically the maximum gain would be achieved if the between two consecutive A switched-on resonance circuit would have an infinitely high impedance and the collector of the amplifiers first and the base of the second transistor connected to such taps of this circuit would be that adaptation between the collector internal resistance of the first and the base internal resistance of the second transistor would be achieved. However, if the resonance resistance of the circuit is not is infinite, the collector of the first transistor would be at the apex and the base of the second To put the transistor on such a tap of the circuit that it transformed up through this circuit Base input resistance of the second transistor is equal to the parallel connection of the internal collector resistance of the first transistor and the resonance resistance of the circuit.
Es stellt sich jedoch heraus, daß die theoretisch günstigste Anpassung mit hohem Resonanzwider-It turns out, however, that the theoretically most favorable adaptation with high resonance resistance
[yu J22 - [y u J 22 -
Anmelder:Applicant:
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)
Vertreter: Dipl.-Ing. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Representative: Dipl.-Ing. E. Walther, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th
Herman Jozef Gerardus Maria Benning,Herman Jozef Gerardus Maria Benning,
Floris Pieter van Bommel
und Peter Henricus Carolus Maria Helsper,Floris Pieter van Bommel
and Peter Henricus Carolus Maria Helsper,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt wordenEindhoven (Netherlands),
have been named as inventors
stand des Kreises in der Praxis nicht möglich ist, weil die Schaltung dabei instabil wird. Zwar läßt sich durch Neutralisierung die Rückwirkung über die innere Kollektor-Basis-Kapazität des Transistors verringern oder ausgleichen, aber ein solcher Ausgleich muß für jeden Transistor gesondert eingestellt werden, was für die Massenherstellung große Schwierigkeiten mit sich bringt.stand of the circle in practice is not possible because the circuit becomes unstable. It is true that the retroactive effect can be reduced by neutralization via the internal Reduce or equalize the collector-base capacitance of the transistor, but such equalization must can be set separately for each transistor, causing great difficulties for mass production brings with it.
Die Erfindung bezweckt, eine Schaltung mit guter Stabilität anzugeben, wobei eine etwaige Neutrodynisierung weniger von Streuung des Transistors abhängig ist. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit dem Eingangskreis ein nicht entkoppelter Widerstand (Rb) von mehr als 10 Ω und in Reihe mit dem Ausgangskreis ein nicht entkoppelter Widerstand (Rc) von mehr als 100 Ω eingeschaltet sind, daß der zuerst erwähnte Widerstandes) klein in bezug auf den reellen Teil der Eingangsinnenimpedanz des Transistors bei kurzgeschlossenem Ausgang ist, daß der zweite Widerstand (Rc) klein in bezug auf den reellen Teil der Ausgangsinnenimpedanz des Transistors bei kurzgeschlossenem Eingang ist, wobei diese Widerstände Rj, und Rc die Beziehung:The aim of the invention is to provide a circuit with good stability, with any neutrodyzation being less dependent on the scattering of the transistor. It is characterized in that in series with the input circuit a non-decoupled resistor (Rb) of more than 10 Ω and in series with the output circuit a non-decoupled resistor (R c ) of more than 100 Ω are switched on, that the first-mentioned resistor ) is small with respect to the real part of the input internal impedance of the transistor with a short-circuited output, that the second resistor (R c ) is small with respect to the real part of the output internal impedance of the transistor with a short-circuited input, these resistances Rj and R c die Relationship:
-Kl·-Kl ·
JlIJlI
RcRc
zwischen 120 und 240° erfüllen und wobei die verschiedenen y die Transistorvierpolparameter darstellen, die durch die Gleichungen:between 120 and 240 ° and where the different y represent the transistor quadrupole parameters given by the equations:
i + yissec, ic = i + yissec, ic =
gegeben werden, und wobei i& und e» den Basiswechselstrom bzw. die Basiswechselspannung und ic und ec are given, and where i & and e »the base alternating current and the base alternating voltage and i c and e c
209 609/293209 609/293
3 43 4
den Kollektorwechselstrom bzw, die Kollektorwechsel- und 6 so gewählt wird, daß der Basiseingangsinnenspannung darstellen. widerstand des Transistors 2 nach Transformierung Im allgemeinen nimmt die Verstärkung durch die gleich der Parallelschaltung des Resonanzwiderstandes Verwendung eines Basis- bzw. eines Kollektorwider- des Kreises 4 und der Kollektorinnenimpedanz des Standes ab. Durch die Maßnahme nach der Erfindung 5 Transistors 1 wird, aber eine derartige Schaltung ist wird jeoch. erreicht, daß beim gleichen Stabilitätsgrad nur dann stabil, wenn der Resonanzwiderstand des des Verstärkers dennoch eine höhere Verstärkung Kreises 4 ausreichend niedrig gewählt wird, erhalten wird, und zwar dadurch, daß eine bessere Gemäß der Erfindung ist in Reihe mit der Wicklung 6 Anpassung möglich wird. Der Wert der erwähnten in den Basiskreis des Transistors 2 ein Widerstand 9 Widerstände läßt sich schwer empirisch feststellen, io und in Reihe mit dem Kreis 7 in den Kollektorkreis weil jede Änderung dieses Wertes eine erneute Ein- des Transistors 2 ein Widerstand 10 eingeschaltet, stellung der Anpassung und somit der Resonanz- Diese Widerstände ermöglichen eine bessere Animpedanzen der Kreise und der Übersetzungsver- passung zwischen den Kollektoren und den zugehältnisse notwendig macht. ordneten Kreisen. Obgleich man im allgemeinen be-Es ist an sich bekannt, zwischen dem Kollektor 15 strebt ist, wenigstens im Basiskreis eines Transistors und einem abgestimmten Ausgangskreis einen Wider- einen möglichst geringen Widerstand zuzulassen, um stand solchen Wertes einzuschalten, daß die Änderung, die hohe Grenzfrequenz des Transistors voll auszudie die Kollektorinnenkapazität des Transistors in nutzen und weiter keine Verluste an innerer VerAbhängigkeit der über dem abgestimmten Kreis Stärkung des Transistors zu erfahren, erweist sich erzeugten Spannung erfährt, eine vernachlässigbare 20 dennoch die jetzt erreichbare Verstärkung erheblich Änderung der Resonanzfrequenz des Kreises herbei- größer als bei der bekannten Schaltung, führt. Weiter ist es an sich auch bekannt, bei Röhren- Für einen Transistor ergeben sich die folgenden schaltungen zwischen einem abgestimmten Eingangs- Vierpolgleichungen, kreis und dem Gitter der Röhre bzw. zwischen derthe collector alternating current or the collector alternating current and 6 is chosen so that the base input internal voltage represent. resistance of transistor 2 after transformation In general, the gain increases due to the parallel connection of the resonance resistor Use of a base or a collector resistor of the circuit 4 and the internal collector impedance of the Standes from. By the measure according to the invention 5 transistor 1 becomes, but such a circuit is will however. achieves that with the same degree of stability only stable if the resonance resistance of the of the amplifier, a higher gain in circuit 4 is selected to be sufficiently low, is obtained in that a better one according to the invention is in series with the winding 6 Customization becomes possible. The value of the mentioned in the base circuit of the transistor 2 a resistor 9 Resistances are difficult to determine empirically, ok and in series with circle 7 in the collector circle because every change of this value a new on of the transistor 2 a resistor 10 is switched on, position of the adaptation and thus the resonance These resistors allow better impedances the circles and the translation mismatch between the collectors and the contents makes necessary. arranged circles. Although it is generally known that there is a tendency between the collector 15, at least in the base circuit of a transistor and to allow the lowest possible resistance to a matched output circuit in order to was to be switched on at such a value that the change to fully exhaust the high cut-off frequency of the transistor use the internal collector capacitance of the transistor and no further losses of internal dependency Finding out the transistor's strengthening over the tuned circle turns out to be generated voltage experiences, a negligible 20 nevertheless the gain that can now be achieved is considerable Change in the resonance frequency of the circuit - greater than with the known circuit, leads. It is also known per se that the following results for a transistor circuits between a matched input quadrupole equations, circle and the grid of the tube or between the
Anode der Röhre und einem abgestimmten Ausgangs- 25 ib = Jue&Anode of the tube and a matched output 25 i b = J u e &
kreis einen Widerstand einzuschalten, um dadurch . _circuit to switch on a resistor to thereby. _
den parasitären Schwingungen der Röhre entgegen- Zc = ^2ie» +against the parasitic vibrations of the tube - Zc = ^ 2i e »+
zuwirken. Dieses Schwingen erfolgt jedoch in einemto act. However, this oscillation takes place in one
Frequenzbereich, der durch die Gitterinnenkapazität Dabei stellen ib und eb den Basiswechselstrom bzw.Frequency range, make the case through the grid internal capacity i b and e b the basic AC or
und die Selbstinduktion der Gitterleistung bestimmt 30 die Basiswechselspannung und ic und ec den Kollektorwird, d. h. in einem Frequenzbereich weit außerhalb wechselstrom bzw. die Kollektorwechselspannung der Abstimmfrequenz der Signalschwingungen. Bei dar. J11 ist die Eingangsadmittanz des Transistors bei Transistoren ist ein parasitäres Schwingen bei einer kurzgeschlossenem Ausgang und J22 die Ausgangsderartigen Frequenz kaum zu erwarten, weil die impedanz bei kurzgeschlossenem Eingang. Basis-Emitter-Eingangskapazität des Transistors durch 35 Die Parallelschaltung von J1x des Transistors 2 den sehr geringen Basis-Emitter-Innenwiderstand und der transformierten Admittanz des durch den stark gedämpft wird. vorangehenden Transistor 1 belasteten Eingangs-and the self-induction of the grid power determines 30 the base alternating voltage and i c and e c become the collector, ie in a frequency range far outside alternating current or the collector alternating voltage of the tuning frequency of the signal oscillations. When J 11 is the input admittance of the transistor, with transistors a parasitic oscillation is to be expected with a short-circuited output and J 22 the output such frequency is hardly to be expected, because the impedance with a short-circuited input. Base-emitter input capacitance of the transistor through 35 The parallel connection of J 1x of transistor 2 results in the very low base-emitter internal resistance and the transformed admittance of which is strongly attenuated. previous transistor 1 loaded input
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher resonanzkreises 4 wird mit gx bezeichnet; die Parallelerläutert, schaltung von J22 des Transistors 2 und der Admittanz Fig. 1 stellt ein Ausführungsbeispiel eines Transistor- 4° des durch den nachfolgenden Transistor 3 belasteten Verstärkers nach der Erfindung dar; Ausgangskreises 7 wird mit gz bezeichnet.The invention is based on the drawing in more detail resonance circuit 4 is denoted by g x; the parallel explained circuit of J 22 of the transistor 2 and the admittance Figure 1 shows an embodiment of a transistor 4 ° of the amplifier loaded by the following transistor 3 according to the invention; Output circle 7 is denoted by g z.
Fig. 2 zeigt eine Abbildung in der komplexen Für eine stabile Wirkung muß die Beziehung erfülltFig. 2 shows a map in the complex. For a stable effect the relationship must be satisfied
Ebene zur Erläuterung der Wirkung dieses Aus- werden, daß J12J2x kleiner als ung\gi ist, wobei un führungsbeispiels. ein Korrektionsfaktor ist, der durch die Anzahl derLevel to explain the effect of this arrangement, that J 12 J 2x is smaller than u n g \ gi , where u n is an example. is a correction factor given by the number of
Fig. 1 zeigt die Kaskadeschaltung dreier Transi- 45 Verstärkerstufen bedingt wird. Das Verhältnis zwischen stören 1, 2 und 3, die über abgestimmte Kreise mit- diesen zwei Produkten gibt ein Maß für den Sichereinander gekoppelt sind. Die Transistoren sind vom heitsfaktor in bezug auf die Stabilität. Eine hin-Flächentyp und haben vorzugsweise eine hohe Grenz- reichende Stabilität läßt sich dadurch erreichen, daß frequenz, so daß sie sich zum Verstärken von Signal- die Resonanzimpedanz der Kreise niedrig gewählt schwingungen hoher Frequenz eignen. Im Kollektor- 50 wird, so daß gx und g2 hohe Werte annehmen, kreis des Transistors 1 liegt ein abgestimmter Kreis 4, Fig. 2 zeigt in einem Polardiagramm das ProduktFig. 1 shows the cascade connection of three transi- 45 amplifier stages. The ratio between disturb 1, 2 and 3, which are linked to these two products via coordinated circles, gives a measure of how they are coupled with each other. The transistors are important in terms of stability. A back surface type and preferably have a high border-reaching stability can be achieved in that frequency, so that they are suitable for amplifying signals, the resonance impedance of the circles selected low vibrations of high frequency. In the collector 50, so that g x and g 2 assume high values, the circuit of the transistor 1 is a matched circuit 4, FIG. 2 shows the product in a polar diagram
dessen Selbstinduktion 5 über eine Kopplungs- Ungigz, das bei Verwendung einfacher Resonanzwicklung 6 mit der Basis des Transistors 2 verbunden kreise eine Parabel ist. Würde man die Impedanz ist. Im Kollektorkreis des Transistors 2 liegt ein des Kreises 4 und/oder 7 nicht klein halten, so würde abgestimmter Kreis 7, dessen Selbstinduktion 11 mit 55 der Vektor Ji2J2x aus dieser Parabel herausragen, wie einer Wicklung 8 gekoppelt ist, die im Basiskreis des in Fig. 2 dargestellt ist. Dabei würde die Schaltungs-Transistors 3 liegt. anordnung zu schwingen anfangen. Durch Neu-Bei der bekannten Schaltung besteht zwischen dem trodynisierung mit Hilfe des Netzwerkes 12 läßt sich Kollektor eines vorhergehenden und der Basis eines die Länge des Vektors Ji2J2x zwar verkleinern, aber nachfolgenden Transistors eine Fehlanpassung. Dabei 60 diese Maßnahme ist nur teilweise durchführbar inist die Kollektorinnenimpedanz des vorhergehenden folge von Streuungen der Transistorparameter, wobei Transistors erheblich größer als die Parallelschaltung sogar der Winkel dieses Vektors mit der positiven der Resonanzimpedanz des Kreises und der herauf- Achse noch größer werden kann, transformierten Basiseingangsimpedanz des nach- Durch die Anbringung der Widerstände 9 bzw. 10 folgenden Transistors. Zwar ist eine Anpassung 65 kann man neue Vierpolgleichungen für den Tranzwischen der Basis des nachfolgenden Transistors sistor einschließlich dieser Widerstände aufstellen, und dem vorhergehenden Kreis dadurch möglich, daß für die Parameter j' gelten. Für das Produkt y'lzy'zl das Übersetzungsverhältnis zwischen den Wicklungen 5 erweist es sich dann bei richtiger Wahl dieser Wider-its self-induction 5 via a coupling ungigz, which when using simple resonance winding 6 connected to the base of the transistor 2 circles is a parabola. One would be the impedance is. In the collector circuit of transistor 2, one of circuit 4 and / or 7 is not kept small, so would matched circuit 7, whose self-induction 11 with 55 the vector Ji 2 J 2x protrude from this parabola, like a winding 8 coupled in the base circle is shown in FIG. The circuit transistor 3 would then be located. arrangement begin to vibrate. By New In the known circuit exists between the trodynisierung with the aid of the network 12 may be a previous and the base of 2 J 2x reduce the length of the vector Ji Although collector, but subsequent transistor mismatch. In this case, this measure is only partially feasible in is the internal collector impedance of the preceding sequence of scattering of the transistor parameters, with the transistor being considerably larger than the parallel connection, even the angle of this vector with the positive of the resonance impedance of the circle and the up-axis transformed base input impedance can be even greater of the following transistor by attaching the resistors 9 or 10. It is true that an adaptation 65 can be used to set up new four-pole equations for the tran between the base of the following transistor sistor, including these resistors, and the preceding circuit, in that the parameters j 'apply. For the product y ' lz y' zl, the transmission ratio between the windings 5, it then turns out with the correct choice of these cons
stände 9 und 10 als möglich, einen Vektor zu erhalten, wie er in Fig. 2 dargestellt ist, dessen Ende innerhalb der vom geometrischen Ort der Endpunkte des Vektors ^g2 gebildeten Parabel fällt. In diesem Falle ist die Schaltung stabil. Es stellt sich heraus, daß eine in der Praxis brauchbare Schaltung erhalten wird, wenn yny'2i innerhalb der in Fig. 2 dargestellten gestrichelten Linien fällt, die mit der positiven Achse Winkel von 120 bzw. 140° einschließen. Diese Linien sind durch9 and 10 would be possible to obtain a vector as shown in Fig. 2, the end of which falls within the parabola formed by the geometric location of the endpoints of the vector ^ g 2. In this case, the circuit is stable. It turns out that a circuit which can be used in practice is obtained if y n y ' 2 i falls within the dashed lines shown in FIG. 2 which enclose angles of 120 or 140 ° with the positive axis. These lines are through
arg (Ji2 J21) - 2 arg IJ11J23 - J12J21 + ^- + ~ +arg (Ji 2 J 21 ) - 2 arg IJ 11 J 23 - J 12 J 21 + ^ - + ~ +
iij Mc iij Mc
= 120°= 120 °
bzw. 240° gekennzeichnet. Hierbei gibt der Ausdruck arg das Argument der zugeordneten komplexen Größe an. Die Widerstände Rb bzw. Re stellen dabei die Werte der Widerstände 9 bzw. 10 dar. Diese müssen mindestens 10 Ohm bzw. 100 Ohm betragen, um zu gewährleisten, daß bei Streuung der Transistören untereinander die vorerwähnte Bedingung dennoch erfüllt bleibt. Diese Widerstände dürfen auch nicht zuviel Verstärkungsverluste herbeiführen und müssen somit klein in bezug auf den reellen Teil der Eingangsimpedanz (— bzw. der Ausgangs-or 240 °. The expression arg gives the argument of the assigned complex quantity. The resistors Rb and R e represent the values of the resistors 9 and 10, respectively. These must be at least 10 ohms and 100 ohms, respectively, in order to ensure that the above-mentioned condition is still met when the transistor interferences scatter among one another. These resistors must not cause too much gain loss and must therefore be small in relation to the real part of the input impedance (- or the output
WuIWuI
impedanz (—) des Transistors sein. Die Übersetzungs-impedance (-) of the transistor. The translation
v WwI v WwI
Verhältnisse der Wicklungen 5 und 6 bzw. der Wicklungen 11 und 8 werden jetzt so gewählt, daß die Eingangsimpedanz des Transistors 2, wie er ausgangsseitig durch den Transistor 3 über den Kreis 7 und die Kopplungsspule 8 belastet, welche Eingangsimpedanz zwischen der oberen Klemme der Wicklung 6 und Erde gemessen werden soll, gleich der über die Wicklungen 5 und 6 heruntertransformierten Resonanzimpedanz des Kreises 4 ist, wie er durch den Transistor 1 belastet ist.Ratios of the windings 5 and 6 or the windings 11 and 8 are now chosen so that the Input impedance of the transistor 2, as it is on the output side through the transistor 3 via the circuit 7 and the Coupling coil 8 loads the input impedance between the upper terminal of the winding 6 and Earth is to be measured, equal to the resonance impedance stepped down across windings 5 and 6 of circuit 4 is how it is loaded by transistor 1.
Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel fanden Transistoren vom Typ OC 170 Anwendung, die bei 6 Volt Emitter-Kollektor-Spannung und 1 mA Kollektorstrom eingestellt waren, wobeiIn a practical embodiment, transistors of the type OC 170 were used, which in 6 volts emitter-collector voltage and 1 mA collector current were set, whereby
J11 = (2,5+ 4,3j)10-3,
J12 = (-17,4-98,57) 10-6,
J21 = (29-13,5 j)10-3,J = 11 (2.5+ 4,3j) 10- 3,
J 12 = (-17,4-98,57) 10- 6,
J 21 = (29 to 13.5 j) 10- 3,
4040
J22 = (60J 22 = (60
bei 10,7 MHz gemessen. Diese Kreise 4 und 7 waren auf 10,7 MHz abgestimmt und hatten dabei eine Abstimmkapazität von 91 pF und eine Resonanzimpedanz von 15 kOhm. Das Wickelverhältnis zwischenmeasured at 10.7 MHz. These channels 4 and 7 were tuned to 10.7 MHz and had one Tuning capacity of 91 pF and a resonance impedance of 15 kOhm. The winding ratio between
45 den Wicklungen 5 und 6 war 4:1. Der Widerstand 9 war 27 Ohm, der Widerstand 10 470 Ohm.45 turns 5 and 6 was 4: 1. Resistor 9 was 27 ohms, resistor 10 was 470 ohms.
Bei einer Abstimmung der Kreise auf 452 kHz gelten für den Transistor bei der gleichen Einstellung die Werte:If the circuits are tuned to 452 kHz, the same setting applies to the transistor the values:
Jn = (0,4+ 0,23 j)10-3,
J12 = -5,Iy-IO-6,
J21 = 37-10-»,
J22 = (0,2+ 14,2 j) 10-«.Jn = (0,4+ 0.23 j) 10- 3,
J 12 = -5, Iy-IO- 6 ,
J 21 = 37-10- »,
J 22 = (0.2+ 14.2 j) 10- «.
Die Kreiskapazität war dabei 50 pF, die Resonanzimpedanz des Kreises l,2MOhm, das Wickelverhältnis der Wicklungen 5 und 6 10: 1, und die Widerstände 9 bzw. 10 waren 810hm bzw. 15 Ohm. In diesem Falle wurde dieser Widerstand 10 durch eine Drosselspule überbrückt.The circuit capacitance was 50 pF, the resonance impedance of the circuit was 1.2MOhm, the winding ratio of windings 5 and 6 were 10: 1, and resistors 9 and 10 were 810 ohms and 15 ohms, respectively. In In this case, this resistor 10 was bridged by a choke coil.
In beiden Fällen wurde ein Gewinn von mehr als viermal in der Leistungsverstärkung je Stufe gebucht.In both cases, a profit of more than four times was booked in the performance gain per level.
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