DE1120241B - Process for applying layers of soft solder to molybdenum, tantalum or tungsten - Google Patents

Process for applying layers of soft solder to molybdenum, tantalum or tungsten

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DE1120241B
DE1120241B DEL23483A DEL0023483A DE1120241B DE 1120241 B DE1120241 B DE 1120241B DE L23483 A DEL23483 A DE L23483A DE L0023483 A DEL0023483 A DE L0023483A DE 1120241 B DE1120241 B DE 1120241B
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Dr Rer Nat Paul Guenther
Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach
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Description

Verfahren zum Aufbringen von Weichlotschichten auf Molybdän, Tantal oder-Wolfram In der Technik tritt häufig das Problem auf, an Molybdän, Tantal oder Wolfram Lötungen vorzunehmen, die nicht nur mechanisch stabil, sondern die auch den elektrischen Anforderungen genügen sollen. Zu diesem Zweck hat man die genannten Substanzen häufig zunächst mit Zwischenschichten versehen, auf denen das Lot fließt. Dies führte jedoch häufig zur Bildung von Oxydschichten, die ihre Verwendung z. B. für Hochfrequenzzwecke in Frage stellten, weil sie sich wie Dielektrika verhalten. Besondere Schwierigkeiten stellen sich aber dann ein, wenn man Molybdän, Tantal oder Wolfram zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme verwenden will, sei es als Trägerplatten für Halbleiterkörper, _sei es als Material für die Herstellung von Gehäusen. Die genannten Materialien eignen sich zwar nach ihren physikalischen Eigenschaften sehr gut für diese Zwecke, da die Halbleitersubstanzen Germanium, Silizium sowie die halbleitenden intermetallischen Verbindungen in der Lage sind, sehr große Stromdichten aufzunehmen und zum Teil verhältnismäßig hohe Betriebstemperaturen zuzulassen. Andererseits sind gerade diese Halbleiter sehr empfindlich gegen Verunreinigungen in geringen Spuren, so daß sowohl bei der Herstellung als auch im Betrieb jede Verunreinigung streng vermieden werden muß. Bereits die Verwendung von Flußmitteln bei den Lötvorgängen reicht aus, um eine Verunreinigungsquelle darzustellen. Erschwerend tritt dazu, daß bei den genannten Halbleitersubstanzen Indium und Zinn enthaltende oder daraus bestehende Lote aus zwingenden physikalischen Gründen von besonderem Interesse sind, sich aber mit Molybdän, Tantal oder Wolfram nur sehr schwer und unter Verwendung von Flußmitteln verlöten lassen.Process for applying layers of soft solder to molybdenum, tantalum or-tungsten The problem often arises in technology, on molybdenum, tantalum or Carry out tungsten soldering that is not only mechanically stable, but also should meet the electrical requirements. For this purpose one has the mentioned Substances are often first provided with intermediate layers on which the solder flows. However, this often led to the formation of oxide layers, which make their use z. B. questioned for high frequency purposes because they behave like dielectrics. However, particular difficulties arise when using molybdenum, tantalum or use tungsten to produce electrically asymmetrical conductive systems wants, be it as carrier plates for semiconductor bodies, _be it as material for the Manufacture of enclosures. The materials mentioned are suitable according to their physical properties very good for these purposes, as the semiconductor substances Germanium, silicon and the semiconducting intermetallic compounds in the Are able to absorb very high current densities and sometimes relatively high Allow operating temperatures. On the other hand, these semiconductors in particular are very good sensitive to impurities in small traces, so that both during manufacture and any contamination must be strictly avoided during operation. Already the Use of flux in the soldering operations is sufficient to avoid a source of contamination to represent. A complicating factor is that in the case of the semiconductor substances mentioned Indium and tin containing or consisting of solders made of compulsory physical Reasons are of particular interest, but deal with molybdenum, tantalum or tungsten can only be soldered with great difficulty and with the use of flux.

Es war auch bereits bekannt, im Vakuum oder in einem offenen Gefäß metallische Überzüge auf Metallkörpern aus Molybdän, Wolfram und Tantal, die keine oder geringe Legierfähigkeit mit dem überzugsmetall besitzen, herzustellen. Dabei erfolgt das Überziehen in einem Entladungsgefäß, in dem der zu überziehende Metallkörper zunächst durch elektrische Entladung gereinigt und dann unmittelbar in dem Entladungsgefäß selbst in das überzugsmetall getaucht wurde.It was also already known, in a vacuum or in an open vessel metallic coatings on metal bodies made of molybdenum, tungsten and tantalum, which are not or have poor alloyability with the clad metal. Included the coating takes place in a discharge vessel in which the metal body to be coated is placed first cleaned by electrical discharge and then directly in the discharge vessel was immersed in the coating metal itself.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufbringen von Weichlotschichten, vorzugsweise von Schichten, die Indium und/oder Zinn enthalten oder daraus bestehen, auf Körper aus Molybdän, Tantal oder Wolfram unter Vermeidung von Flußmitteln, insbesondere bei der Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß der Körper im Vakuum oder unter Schutzgas mit dem Material der Schicht in Berührung gebracht wird, wobei sich sowohl der Körper als auch das Schichtmaterial auf einer Temperatur zwischen 800 und 1050° C, vorzugsweise 1000° C, befinden. Es lassen sich nach dem erfindungsgemäßen Verfahren Überzüge herstellen, die sehr dünn gehalten werden können (bis zu 1/1o mm) und die auch noch bei hohen Temperaturen fest haften. Es tritt bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine vollständige Benetzung des Körpers mit der Weichlotsubstanz ein, so daß die Überzüge völlig lückenlos sind.The present invention relates to a method of application of soft solder layers, preferably layers that contain indium and / or tin or consist of it, while avoiding bodies made of molybdenum, tantalum or tungsten of fluxes, especially in the manufacture of electrically asymmetrically conductive Systems that differ from those previously known in that the body brought into contact with the material of the layer in a vacuum or under protective gas where both the body and the layer material are at one temperature between 800 and 1050 ° C, preferably 1000 ° C. It can be according to the Method according to the invention produce coatings that can be kept very thin (up to 1/10 mm) and which adhere firmly even at high temperatures. It kicks in the method according to the invention a complete wetting of the body with the soft solder substance, so that the coatings are completely without gaps.

Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß der Körper im Vakuum oder Schutzgas bis auf etwa 1000'C vorgeglüht und in eine etwa auf gleicher Temperatur befindliche Schmelze des Überzugsmetalls gegetaucht wird. Von besonderem Vorteil ist es dabei, den Körper mittels Stromdurchgang vorzuglühen.A preferred embodiment of the method according to the invention consists in pre-annealing the body in a vacuum or protective gas to about 1000 ° C. and dipping it into a melt of the coating metal which is at about the same temperature. It is particularly advantageous to pre-anneal the body by means of a current passage.

Eine andere vorteilhafte Ausführungsform besteht darin, daß das überzugsmetall als Formstück auf den Körper aufgesetzt und im Vakuum oder unter Schutzgas auf etwa 1000°C erhitzt wird.Another advantageous embodiment is that the coating metal placed as a fitting on the body and in a vacuum or under protective gas to about 1000 ° C is heated.

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich dann besonders leicht durchführen, wenn der Körper vor dem Aufbringen einer chemischen Vorbehandlung, beispielsweise durch Beizen in Königswasser, unterzogen wird, um etwa anhaftende Verunreinigungen zu entfernen. Das Erhitzen des Körpers kann z. B. im Röhrenofen erfolgen. Zur Durchführung des Verfahrens reicht im allgemeinen ein Vakuum von 10-3 Torr aus, jedoch empfiehlt es sich, nach Möglichkeit einen geringeren Druck zu wählen. Läßt der Dampfdruck des Überzugsmaterials oder ein sonstiger Umstand die Anwendung eines Vakuums nicht zu, so verwendet man. mit Vorteil ein Schutzgas, z. B. Edelgas, Wasserstoff oder ein unter dem Namen Formiergas bekanntes Gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff.The method according to the invention can then be carried out particularly easily, if the body before applying a chemical pretreatment, for example by pickling in aqua regia, is subjected to any adhering impurities to remove. The heating of the body can e.g. B. be done in a tube furnace. To carry out a vacuum of 10-3 torr is generally sufficient for the process, but is recommended it yourself, if possible to choose a lower pressure. Leaves the vapor pressure of the coating material or any other circumstance the application of a Vacuum not too, that's how you use it. with advantage a protective gas, z. B. noble gas, hydrogen or a mixture of hydrogen and nitrogen known as forming gas.

Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme, wie Trockengleichrichter, bei denen Germanium, Silizium oder eine - halbleitende intermetallische Verbindung benutzt wird. Insbesondere eignet sich das Verfahren zum Befestigen von Halbleitern oder Kontakten an Trägerplatten oder zum Herstellen von Gehäusen für die genannten Systeme.The method according to the invention is particularly suitable for production electrically asymmetrically conductive systems, such as dry rectifiers, in which Germanium, silicon or a semiconducting intermetallic compound is used will. In particular, the method is suitable for attaching semiconductors or Contacts on carrier plates or for the production of housings for the systems mentioned.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zum Aufbringen von Weichlotschichten, vorzugsweise von Schichten, die Indium und/oder Zinn enthalten oder daraus bestehen, auf Körper aus Molybdän, Tantal oder Wolfram unter Vermeidung von Flußmitteln, insbesondere bei der Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper im Vakuum oder unter Schutzgas mit dem Material der Schicht in Berührung gebracht wird, wobei sich sowohl der Körper als auch das Schichtmaterial auf einer Temperatur zwischen 800 und 1050°C, vorzugsweise 1000'C, befinden. CLAIMS: 1. A method for applying soft solder layers, preferably of layers of indium and / or tin, or consist of, featured on the body of molybdenum, tantalum or tungsten with avoidance of flux, particularly in the manufacture of electrically unbalanced conductive systems, characterized that the body is brought into contact with the material of the layer in a vacuum or under protective gas, both the body and the layer material being at a temperature between 800 and 1050 ° C., preferably 1000 ° C. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper im Vakuum oder Schutzgas bis auf etwa 1000°C vorgeglüht und in eine auf etwa gleicher Temperatur befindliche Schmelze des überzugsmetalls getaucht wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that the body in a vacuum or Protective gas pre-annealed up to about 1000 ° C and in a about the same temperature located melt of the coating metal is immersed. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper mittels Stromdurchgang vorgeglüht wird. 3. The method according to claim 2, characterized in that the body is preheated by means of current passage. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung des Körpers im Röhrenofen vorgenommen wird. 4. The method according to claim 2, characterized in that the heating of the body is made in the tube furnace. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das überzugsmetall als Formstück auf den Körper aufgesetzt und im Vakuum oder unter Schutzgas auf etwa 1000°C erhitzt wird. 5. The method according to claim 1, characterized in that that the coating metal is placed as a fitting on the body and in a vacuum or is heated to about 1000 ° C under protective gas. 6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vakuum von 10-3 Torr oder geringerem Druck oder ein Schutzgas aus Edelgas, Wasserstoff oder Formiergas verwendet wird. 6. The method of claim 1 or one of the following, characterized in that a vacuum of 10-3 Torr or less Pressure or a protective gas consisting of noble gas, hydrogen or forming gas is used. 7. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 6 zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme mit Germanium, Silizium oder halbleitenden intermetallischen Verbindungen, insbesondere zum Befestigen von Halbleitern oder Kontakten. an Trägerplatten oder zum Herstellen von Gehäusen für solche Systeme. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 665 540.7. Application of the method according to claim 1 to 6 for the production of electrically asymmetrical conductive systems with germanium, silicon or semiconducting intermetallic compounds, especially for attaching semiconductors or contacts. on carrier plates or for the manufacture of housings for such systems. Considered publications: German patent specification No. 665 540.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE665540C (en) * 1931-07-26 1938-09-28 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Manufacture of metallic coatings on metal bodies

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DE665540C (en) * 1931-07-26 1938-09-28 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Manufacture of metallic coatings on metal bodies

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