DE112018006724T5 - Polishing composition - Google Patents

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Tomoki Yamasaki
Hiroshi Makino
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Abstract

Eine Polierzusammensetzung wird bereitgestellt, die Schwingungen in der Vorrichtung reduziert. Eine Polierzusammensetzung enthält: ein kolloidales Siliciumdioxid; ein wasserlösliches Polymer; eine basische Verbindung; Wasser; und ein Schwingungsdämpfungsmittel, wobei das Mittel ein Polymer mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 1500 bis 30000 ist und eine Ethylenoxidgruppe aufweist, wobei die molekulare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels 6,9×10mol/g oder höher ist, wobei das Produkt aus dem gewichtsmittleren Molekulargewicht der Ethylenoxidgruppe pro Molekül des Schwingungsdämpfungsmittels und der Massenkonzentration des Schwingungsdämpfungsmittels nicht weniger als 8,0×10ist und wobei in dem Schwingungsdämpfungsmittel der Anteil der Ethylenoxidgruppen an den Alkylenoxidgruppen in Bezug auf das gewichtsmittlere Molekulargewicht 80 % oder höher ist.A polishing composition is provided which reduces vibration in the device. A polishing composition includes: a colloidal silica; a water soluble polymer; a basic compound; Water; and a vibration damping agent, the agent being a polymer having a weight average molecular weight of 1,500 to 30,000 and having an ethylene oxide group, the molecular concentration of the vibration damping agent being 6.9 × 10 mol / g or higher, the product of the weight average molecular weight of the ethylene oxide group per The molecule of the vibration damping agent and the mass concentration of the vibration damping agent is not less than 8.0 × 10 5, and in the vibration damping agent, the proportion of the ethylene oxide groups to the alkylene oxide groups in terms of weight average molecular weight is 80% or more.

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Polierzusammensetzung.The present invention relates to a polishing composition.

Stand der TechnikState of the art

Die Ultrapräzisionsbearbeitung ist eine sehr wichtige Technologie bei der Herstellung von Halbleiterprodukten. In den letzten Jahren wurden immer kleinere LSI-Vorrichtungen entwickelt, was zu immer höheren Anforderungen an die Oberflächenrauheit und Ebenheit eines Halbleiterwafers nach dem Präzisionspolieren führte.Ultra-precision machining is a very important technology in the manufacture of semiconductor products. In recent years, smaller and smaller LSI devices have been developed, which has led to increasing demands on the surface roughness and flatness of a semiconductor wafer after precision polishing.

Konventionell stand im Zusammenhang mit dem Primärpolieren die Schleifmenge im Vordergrund. Es hat sich jedoch herausgestellt, dass die Oberflächenqualität eines Halbleiterwafers nach dem Primärpolieren die Oberflächenqualität des Wafers nach dem Sekundärpolieren und auch nach dem Endpolieren beeinflusst. Daher ist zu erwarten, dass die Anforderungen an die Verbesserung der Wafer-Oberflächenqualität nach dem Primärpolieren unter Beibehaltung der derzeitigen Schleifquantität steigen werden.Conventionally, in connection with primary polishing, the focus was on the amount of grinding. However, it has been found that the surface quality of a semiconductor wafer after the primary polishing affects the surface quality of the wafer after the secondary polishing and also after the final polishing. It is therefore to be expected that the requirements for improving the wafer surface quality after primary polishing while maintaining the current grinding quantity will increase.

JP 2016-124943 A offenbart eine Polierzusammensetzung, die die Oberflächenrauheit eines Wafers reduziert, ohne die Poliergeschwindigkeit zu verringern, und die Polyvinylalkohol, das heißt, ein wasserlösliches Polymer, und eine Piperazinverbindung enthält. JP 2016-124943 A discloses a polishing composition which reduces the surface roughness of a wafer without reducing the polishing speed and which contains polyvinyl alcohol, that is, a water-soluble polymer, and a piperazine compound.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das primäre Polieren eines 300-mm-Siliciumwafers beinhaltet typischerweise ein beidseitiges Polieren. Beim doppelseitigen Polieren wird ein Wafer, der von einem speziellen Träger gehalten wird, zwischen oberen und unteren Oberflächenplatten mit daran befestigten Pads bzw. Unterlagen eingeklemmt, und das Polieren wird durchgeführt.The primary polishing of a 300 mm silicon wafer typically involves polishing on both sides. In double-sided polishing, a wafer held by a special carrier is pinched between upper and lower surface plates with pads attached, and polishing is performed.

Auch beim Primärpolieren kann die Polierzusammensetzung ein wasserlösliches Polymer enthalten, um die Rauheit des Siliciumwafers zu verringern. Wenn doppelseitiges Polieren unter Verwendung einer Polierzusammensetzung durchgeführt wird, die ein wasserlösliches Polymer enthält, kann die Reibung zwischen dem Träger und den Polierpads Schwingungen bzw. Vibrationen in der Vorrichtung bzw. der Anlage bzw. dem Equipment bzw. der Ausrüstung verursachen. Wenn die Belastung oder die Anzahl an Umdrehungen erhöht wird, um die Arbeitseffizienz zu erhöhen, kann dies zu erhöhten Schwingungen in der Vorrichtung führen, wodurch die Qualität des Siliciumwafers vermindert wird und/oder Vorrichtungsausfälle verursacht werden.In primary polishing as well, the polishing composition can contain a water-soluble polymer in order to reduce the roughness of the silicon wafer. When double-sided polishing is performed using a polishing composition containing a water-soluble polymer, the friction between the carrier and the polishing pads can cause vibrations in the apparatus or equipment. If the load or the number of revolutions is increased in order to increase the work efficiency, it can lead to increased vibrations in the device, thereby lowering the quality of the silicon wafer and / or causing device failures.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Polierzusammensetzung, welche Schwingungen in der Vorrichtung reduziert.An object of the present invention is to provide a polishing composition which reduces vibrations in the device.

Eine Polierzusammensetzung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält: ein kolloidales Siliciumdioxid; ein wasserlösliches Polymer; eine basische Verbindung; Wasser; und ein Schwingungsdämpfungsmittel bzw. Schwingungsunterdrückungsmittel, wobei das Mittel ein Polymer mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 1500 bis 30000 ist und eine Ethylenoxidgruppe aufweist, wobei eine molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels 6,9×10-10 mol/g oder höher ist, wobei ein Produkt aus einem gewichtsmittleren Molekulargewicht der Ethylenoxidgruppe pro Molekül des Schwingungsdämpfungsmittels und einer Massenkonzentration des Schwingungsdämpfungsmittels nicht weniger als 8,0×10-2 ist und wobei im Schwingungsdämpfungsmittel ein Anteil der Ethylenoxidgruppe in den Alkylenoxidgruppen, bezogen auf das gewichtsmittlere Molekulargewicht, 80 % oder mehr beträgt.A polishing composition according to an embodiment of the present invention includes: a colloidal silica; a water soluble polymer; a basic compound; Water; and a vibration damping agent, the agent being a polymer having a weight average molecular weight of 1,500 to 30,000 and having an ethylene oxide group, a molar concentration of the vibration damping agent being 6.9 × 10 -10 mol / g or higher, a product of a weight average molecular weight of the ethylene oxide group per molecule of the vibration damping agent and a mass concentration of the vibration damping agent is not less than 8.0 × 10 -2 , and wherein in the vibration damping agent a proportion of the ethylene oxide group in the alkylene oxide groups based on the weight average molecular weight is 80% or more.

Die vorliegende Erfindung stellt eine Polierzusammensetzung bereit, welche Schwingungen in der Vorrichtung reduziert.The present invention provides a polishing composition which reduces vibrations in the device.

FigurenlisteFigure list

  • 1 ist ein Streudiagramm mit einer horizontalen Achse, die die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels anzeigt, und einer vertikalen Achse, die WEO multipliziert mit der Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels anzeigt. 1 Figure 13 is a scatter plot with a horizontal axis indicating the molar concentration of the vibration damping agent and a vertical axis indicating W EO multiplied by the concentration of the vibration damping agent.

Ausführungsformen zur Ausführung der Erfindung Embodiments for carrying out the invention

Die beteiligten Erfinder führten verschiedene Untersuchungen durch, um die vorgenannten Probleme zu lösen, und fanden heraus, dass Schwingungen in der Vorrichtung unterdrückt bzw. gedämpft werden können, wenn die Polierzusammensetzung eine vorgegebene oder eine höhere Konzentration an einem Polymer mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 1500 bis 30000 enthält und eine Ethylenoxidgruppe aufweist. Obwohl das Prinzip unklar ist, wird angenommen, dass die Ethylenoxidgruppe bei Anhaften an die Pads und den Träger die Bedingungen des Kontaktes zwischen den Pads/dem Träger und dem wasserlöslichen Polymer verbessert.The present inventors conducted various investigations to solve the above problems, and found that when the polishing composition has a predetermined concentration or more of a polymer having a weight average molecular weight of 1500 to 30,000 and has an ethylene oxide group. Although the principle is unclear, it is believed that the ethylene oxide group, when adhered to the pads and the carrier, improves the conditions of contact between the pads / carrier and the water-soluble polymer.

Ein Polymer mit einer Ethylenoxidgruppe, das in einer Polierzusammensetzung enthalten ist, kann die Form eines Copolymers mit einer Propylenoxidgruppe, die eine hydrophobe Gruppe ist, annehmen und als Tensid bzw. oberflächenaktive Substanz dienen. Wenn jedoch ein Polymer, das eine größere Anzahl von Alkylenoxidgruppen außer Ethylenoxidgruppen enthält, für das doppelseitige Polieren eines Halbleiterwafers verwendet wird, verschlechtert dies die Form von Lasermarkierungen (das heißt, Vertiefungen und Vorsprünge, die die Kristallorientierung des Halbleiterwafers anzeigen) signifikant. Um die Verschlechterung der Form der Lasermarkierungen zu verringern, muss der Anteil, ausgedrückt als gewichtsmittleres Molekulargewicht, der Ethylenoxidgruppen in den Alkylenoxidgruppen des als Schwingungsdämpfungsmittel verwendeten Polymers 80 % oder mehr betragen.A polymer having an ethylene oxide group contained in a polishing composition may take the form of a copolymer having a propylene oxide group which is a hydrophobic group and may serve as a surfactant. However, when a polymer containing a greater number of alkylene oxide groups other than ethylene oxide groups is used for double-sided polishing of a semiconductor wafer, it significantly deteriorates the shape of laser marks (i.e., pits and protrusions indicating the crystal orientation of the semiconductor wafer). In order to reduce the deterioration in the shape of the laser marks, the proportion, in terms of the weight average molecular weight, of the ethylene oxide groups in the alkylene oxide groups of the polymer used as a vibration damping agent must be 80% or more.

Die vorliegende Erfindung wurde basierend auf all diesen Erkenntnissen getätigt. Nun soll eine Polierzusammensetzung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben werden.The present invention has been completed based on all of these findings. A polishing composition according to an embodiment of the present invention will now be described in detail.

Eine Polierzusammensetzung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein kolloidales Siliciumdioxid, ein wasserlösliches Polymer, eine basische Verbindung, Wasser und ein Schwingungsdämpfungsmittel.A polishing composition according to an embodiment of the present invention contains a colloidal silica, a water-soluble polymer, a basic compound, water and a vibration damping agent.

Das verwendete kolloidale Siliciumdioxid kann eines sein, das in diesem Bereich üblicherweise verwendet wird. Die Partikelgröße des kolloidalen Siliciumdioxids ist nicht auf einen bestimmten Wert beschränkt; die sekundäre mittlere Partikelgröße kann beispielsweise 20 bis 130 nm sein.The colloidal silica used may be one that is commonly used in this field. The particle size of the colloidal silica is not limited to any particular value; the secondary mean particle size can be, for example, 20 to 130 nm.

Der Gehalt an kolloidalem Siliciumdioxid ist nicht auf einen bestimmten Wert beschränkt; zum Beispiel kann er 0,15 bis 20 Massen-% der gesamten Polierzusammensetzung (unverdünnt) sein. Vor der Verwendung wird die Polierzusammensetzung zum Polieren 10 bis 80-fach verdünnt. Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform wird vor der Verwendung vorzugsweise so verdünnt, dass die Konzentration an Siliciumdioxid 100 bis 5000 ppm (ppm bezogen auf die Masse; im Folgenden gilt dasselbe) beträgt.The content of colloidal silicon dioxide is not limited to a specific value; for example, it can be 0.15 to 20 mass% of the total polishing composition (undiluted). Before use, the polishing composition is diluted 10 to 80 times for polishing. The polishing composition according to the present embodiment is preferably diluted before use so that the concentration of silicon dioxide is 100 to 5000 ppm (ppm based on mass; hereinafter the same applies).

Das wasserlösliche Polymer haftet an der Oberfläche des Halbleiterwafers, um die Oberflächenqualität des Halbleiterwafers zu verändern. Dadurch wird die Gleichmäßigkeit beim Polieren verbessert, wodurch die Oberflächenrauheit verringert wird. Beispiele für das wasserlösliche Polymer beinhalten unter anderem Cellulosen, wie etwa Hydroxyethylcellulose (HEC), Hydroxyethylmethylcellulose, Hydroxypropylcellulose, Carboxymethylcellulose, Celluloseacetat und Methylcellulose; Vinylpolymere, wie etwa Polyvinylalkohol (PVA) und Polyvinylpyrrolidon (PVP); Glycoside; und Polyalkohole.The water-soluble polymer adheres to the surface of the semiconductor wafer in order to change the surface quality of the semiconductor wafer. This improves the polishing uniformity, thereby reducing the surface roughness. Examples of the water-soluble polymer include celluloses such as hydroxyethyl cellulose (HEC), hydroxyethylmethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, carboxymethyl cellulose, cellulose acetate and methyl cellulose; Vinyl polymers such as polyvinyl alcohol (PVA) and polyvinyl pyrrolidone (PVP); Glycosides; and polyalcohols.

Das wasserlösliche Polymer ist vorzugsweise ein Polymer ohne Alkylenoxidgruppe. Von den oben aufgeführten wasserlöslichen Polymeren sind solche mit hohen Molekulargewichten und hoher Fähigkeit zur Aufnahme von Wassermolekülen zu bevorzugen, wobei HEC besonders geeignet ist.The water-soluble polymer is preferably a polymer having no alkylene oxide group. Of the water-soluble polymers listed above, those with high molecular weights and high capacity for absorbing water molecules are to be preferred, with HEC being particularly suitable.

Obwohl nicht einschränkend, kann der Gehalt des wasserlöslichen Polymers beispielsweise 0,01 bis 1,2 Massen-% der gesamten Polierzusammensetzung (unverdünnt) betragen.Although not limiting, the content of the water-soluble polymer can be, for example, 0.01 to 1.2% by mass of the total polishing composition (undiluted).

Die basische Verbindung ätzt die Oberfläche des Halbleiterwafers, um ein chemisches Polieren zu erreichen. Die basische Verbindung kann beispielsweise eine Aminverbindung oder eine anorganische Alkaliverbindung sein.The basic compound etches the surface of the semiconductor wafer to achieve chemical polishing. The basic compound can be, for example, an amine compound or an inorganic alkali compound.

Die Aminverbindung kann beispielsweise ein primäres Amin, ein sekundäres Amin, ein tertiäres Amin, ein quaternäres Ammonium und ein Hydroxid davon oder ein heterocyclisches Amin sein. Spezifische Beispiele beinhalten Ammoniak, Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), Tetraethylammoniumhydroxid (TEAH), Tetrabutylammoniumhydroxid (TBAH), Methylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Ethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Hexylamin, Cyclohexylamin, Ethylendiamin, Hexamethylendiamin, Diethylentriamin (DETA), Triethylentetramin, Tetraethylenpentamin, Pentaethylenhexamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, N-(β-Aminoethyl)ethanolamin, wasserfreies Piperazin, Piperazinhexahydrat, 1-(2-Aminoethyl)piperazin, N-Methylpiperazin, Piperazinhydrochlorid, Guanidincarbonat und so weiter.The amine compound may, for example, be a primary amine, a secondary amine, a tertiary amine, a quaternary ammonium and a hydroxide thereof, or a heterocyclic amine. Specific examples include ammonia, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrabutylammonium hydroxide (TBAH), methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, hexylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine, DET Triethylenetetramine, tetraethylene pentamine, pentaethylene hexamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N- (β-aminoethyl) ethanolamine, anhydrous piperazine, piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, piperazine hydrochloride, guanidine carbonate and so on.

Beispiele für die anorganische Alkaliverbindung beinhalten Alkalimetallhydroxide, Alkalimetallsalze, Erdalkalimetallhydroxide und Erdalkalimetallsalze. Spezifische Beispiele für die anorganische Alkaliverbindung beinhalten Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid, Kaliumhydrogencarbonat, Kaliumcarbonat, Natriumhydrogencarbonat und Natriumcarbonat.Examples of the inorganic alkali compound include alkali metal hydroxides, alkali metal salts, alkaline earth metal hydroxides and alkaline earth metal salts. Specific examples of the inorganic alkali compound include potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydrogen carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate and sodium carbonate.

Eine dieser basischen Verbindungen kann alleine verwendet werden, oder zwei oder mehrere davon können zur Verwendung gemischt werden. Die besonders geeigneten dieser basischen Verbindungen sind Ammoniak, Amine, Alkalimetallhydroxide und Alkalimetallcarbonate.One of these basic compounds can be used alone, or two or more of them can be mixed for use. The particularly suitable of these basic compounds are ammonia, amines, alkali metal hydroxides and alkali metal carbonates.

Der Gehalt an der basischen Verbindung (wenn zwei oder mehr basische Verbindungen enthalten sind, deren Gesamtmenge) ist nicht auf einen bestimmten Wert begrenzt; er kann beispielsweise 0,01 bis 1,2 Massen-% der gesamten Polierzusammensetzung betragen.The content of the basic compound (when two or more basic compounds are contained, the total amount thereof) is not limited to any particular value; it can be, for example, 0.01 to 1.2 mass% of the total polishing composition.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform enthält ferner ein Schwingungsdämpfungsmittel, das aus einem Polymer mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 1500 bis 30000 besteht und eine Ethylenoxidgruppe aufweist. Das heißt, die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform enthält zusätzlich zu dem vorgenannten, wasserlöslichen Polymer ein oder mehrere Polymere, die als Schwingungsdämpfungsmittel wirken.The polishing composition of the present embodiment further contains a vibration damping agent composed of a polymer having a weight average molecular weight of 1,500 to 30,000 and having an ethylene oxide group. That is, the polishing composition according to the present embodiment contains, in addition to the aforementioned water-soluble polymer, one or more polymers that act as vibration damping agents.

Beispiele für Polymere, die als Schwingungsdämpfungsmittel verwendet werden können, sind Polyethylenglykole (PEG), Glycerinderivate, Poloxamine, Ethylenglykoldiglycidylether, Polyalkoholderivate, Fettsäurekohlenwasserstoffester, Alkylaminderivate, Organopolysiloxane und so weiter.Examples of polymers that can be used as vibration damping agents are polyethylene glycols (PEG), glycerol derivatives, poloxamines, ethylene glycol diglycidyl ethers, polyalcohol derivatives, fatty acid hydrocarbon esters, alkylamine derivatives, organopolysiloxanes and so on.

Das Schwingungsdämpfungsmittel haftet an der Oberfläche eines Trägers oder eines Pads, um eine Schicht zu bilden, und verändert die Kontaktbedingungen der Oberfläche, um Schwingungen zu reduzieren. Wenn das gewichtsmittlere Molekulargewicht kleiner als 1500 ist, weist die resultierende Haftschicht eine geringe Dicke auf, so dass die von einem Schwingungsdämpfungsmittel erwarteten Effekte nicht auftreten. Die Untergrenze für das gewichtsmittlere Molekulargewicht des als Schwingungsdämpfungsmittel verwendeten Polymers liegt vorzugsweise bei 2000 und noch bevorzugter bei 3000. Ist das gewichtsmittlere Molekulargewicht hingegen größer als 30000, so bedeutet dies eine geringe Anzahl von Molekülen, was zu dichten und dünnen Bereichen der Haftschicht führt, so dass auch hier die von einem Schwingungsdämpfungsmittel erwarteten Effekte nicht eintreten. Die Obergrenze für das gewichtsmittlere Molekulargewicht des als Schwingungsdämpfungsmittel verwendeten Polymers liegt vorzugsweise bei 25000 und noch bevorzugter bei 20000.The vibration damping agent adheres to the surface of a carrier or a pad to form a layer and changes the contact conditions of the surface to reduce vibration. When the weight average molecular weight is less than 1500, the resulting adhesive layer has a small thickness so that the effects expected from a vibration damping agent do not appear. The lower limit for the weight average molecular weight of the polymer used as a vibration damping agent is preferably 2000 and more preferably 3000. On the other hand, if the weight average molecular weight is greater than 30,000, this means a small number of molecules, which leads to dense and thin areas of the adhesive layer that here, too, the effects expected from a vibration damping device do not occur. The upper limit of the weight average molecular weight of the polymer used as the vibration damping agent is preferably 25,000, and more preferably 20,000.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform enthält das Schwingungsdämpfungsmittel in einer molaren Konzentration (während des Gebrauchs) von 6,9×10-10 mol/g oder höher. Ist die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels niedriger als 6,9×10-10 mol/g, treten die von einem Schwingungsdämpfungsmittel erwarteten Effekte nicht auf. Die untere Grenze für die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels liegt vorzugsweise bei 1,0×10-9 mol/g und noch bevorzugter bei 2,0×10-9 mol/g. Wenn andererseits die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels zu hoch ist, können sich Schleifmittel leicht ansammeln oder andere Probleme auftreten, die eine Anpassung der Polierzusammensetzung erschweren. Die obere Grenze für die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels liegt vorzugsweise bei 5,0×10-6 mol/g und noch bevorzugter bei 5,0×10-8 mol/g.The polishing composition according to the present embodiment contains the vibration damping agent in a molar concentration (during use) of 6.9 × 10 -10 mol / g or higher. If the molar concentration of the vibration damping agent is lower than 6.9 × 10 -10 mol / g, the effects expected from a vibration damping agent do not appear. The lower limit for the molar concentration of the vibration damping agent is preferably 1.0 × 10 -9 mol / g, and more preferably 2.0 × 10 -9 mol / g. On the other hand, if the molar concentration of the vibration damping agent is too high, abrasives can easily accumulate or other problems arise that make it difficult to adjust the polishing composition. The upper limit for the molar concentration of the vibration damping agent is preferably 5.0 × 10 -6 mol / g, and more preferably 5.0 × 10 -8 mol / g.

Der Gehalt an Schwingungsdämpfungsmittel in der Polierzusammensetzung (unverdünnt) ist nicht auf einen bestimmten Wert begrenzt; er kann beispielsweise 0,005 bis 0,5 Massen-% betragen.The content of the vibration damping agent in the polishing composition (undiluted) is not limited to a specific value; it can be, for example, 0.005 to 0.5 mass%.

In der Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform beträgt das Produkt aus dem gewichtsmittleren Molekulargewicht der Ethylenoxidgruppe pro Molekül des Schwingungsdämpfungsmittels und der Massenkonzentration des Schwingungsdämpfungsmittels in der Polierzusammensetzung (im Folgenden als „WEO·C“ bezeichnet) nicht weniger als 8,0×10-2. Dabei ist die Massenkonzentration des Schwingungsdämpfungsmittels der Wert, den man erhält, wenn man die Masse des Schwingungsdämpfungsmittels in der Polierzusammensetzung durch die Masse der gesamten Polierzusammensetzung (in verdünnter Form) dividiert.In the polishing composition according to the present embodiment, the product of the weight average molecular weight of the ethylene oxide group per molecule of the vibration damping agent and the mass concentration of the vibration damping agent in the polishing composition (hereinafter referred to as “W EO · C”) is not less than 8.0 × 10 -2 . The mass concentration of the vibration damping agent is the value obtained by dividing the mass of the vibration damping agent in the polishing composition by the mass of the entire polishing composition (in diluted form).

Wenn WEO·C kleiner als 8,0×10-2 ist, werden die Schwingungsdämpfungseffekte nicht erzeugt, selbst wenn die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels höher als 6,9×10-10 mol/g ist. Die Untergrenze für WEO·C liegt vorzugsweise bei 1,0×10-1 und noch bevorzugter bei 2,0×10-1. Wenn WEO·C andererseits zu groß ist, können Schleifmittel leicht aggregieren, oder es können andere Probleme auftreten, die es schwierig machen, Anpassungen zur Herstellung einer Polierzusammensetzung vorzunehmen. Die Obergrenze für WEO·C liegt vorzugsweise bei 2,0 und noch bevorzugter bei 1,5. When W EO · C is smaller than 8.0 × 10 -2 , the vibration damping effects are not produced even if the molar concentration of the vibration damping agent is higher than 6.9 × 10 -10 mol / g. The lower limit for W EO · C is preferably 1.0 × 10 -1, and more preferably 2.0 × 10 -1 . On the other hand, if W EO · C is too large, abrasives tend to aggregate or other problems may arise which make it difficult to make adjustments to prepare a polishing composition. The upper limit for W EO · C is preferably 2.0, and more preferably 1.5.

Im Schwingungsdämpfungsmittel beträgt der Anteil der Ethylenoxidgruppen in den Alkylenoxidgruppen bezogen auf das gewichtsmittlere Molekulargewicht (im Folgenden als „WEO/WAO“ bezeichnet) 80 % oder mehr. Wenn WEO/WAO niedriger als 80 % ist, verschlechtert dies die Form der Lasermarkierungen auf dem Halbleiterwafer nach dem Polieren erheblich. WEO/WAO ist vorzugsweise nicht niedriger als 90 %.In the vibration damping agent, the proportion of ethylene oxide groups in the alkylene oxide groups based on the weight average molecular weight (hereinafter referred to as “W EO / W AO ”) is 80% or more. If W EO / W AO is lower than 80%, it will significantly deteriorate the shape of the laser marks on the semiconductor wafer after polishing. W EO / W AO is preferably not lower than 90%.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform kann zusätzlich einen pH-Konditionierer enthalten. Der pH-Wert der Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform beträgt vorzugsweise 8,0 bis 12,0.The polishing composition according to the present embodiment may additionally contain a pH conditioner. The pH of the polishing composition according to the present embodiment is preferably 8.0 to 12.0.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform kann zusätzlich alle Bestandteile enthalten, die auf dem Gebiet der Polierzusammensetzungen allgemein bekannt sind.The polishing composition of the present embodiment may additionally contain any of the ingredients generally known in the art of polishing compositions.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform kann durch Mischen des kolloidalen Siliciumdioxids, wasserlöslichen Polymers, der basischen Verbindung, des Schwingungsdämpfungsmittels und gegebenenfalls anderer Bestandteile und anschließender Zugabe von Wasser hergestellt werden. Alternativ kann die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführung durch aufeinanderfolgendes Mischen des kolloidalen Siliciumdioxids, des wasserlöslichen Polymers, der basischen Verbindung, des Schwingungsdämpfungsmittels und anderer Bestandteile mit Wasser hergestellt werden. Diese Bestandteile können mit Hilfe eines Mittels gemischt werden, das typischerweise im technischen Bereich der Polierzusammensetzungen verwendet wird, wie beispielsweise ein Homogenisator oder Ultraschall.The polishing composition of the present embodiment can be prepared by mixing the colloidal silica, water-soluble polymer, the basic compound, the vibration damping agent and other ingredients, if necessary, and then adding water. Alternatively, the polishing composition of the present embodiment can be prepared by sequentially mixing the colloidal silica, the water-soluble polymer, the basic compound, the vibration damping agent and other ingredients with water. These ingredients can be mixed using an agent typically used in the art of polishing compositions, such as a homogenizer or ultrasound.

Die oben beschriebene Polierzusammensetzung wird mit Wasser verdünnt, um eine geeignete Konzentration zu erhalten, bevor sie zum Polieren eines Halbleiterwafers verwendet wird.The polishing composition described above is diluted with water to obtain an appropriate concentration before it is used to polish a semiconductor wafer.

Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform kann in geeigneter Weise verwendet werden, um ein beidseitiges Polieren eines Siliciumwafers durchzuführen. Die Polierzusammensetzung nach der vorliegenden Ausführungsform ist besonders geeignet zur Durchführung des doppelseitigen Polierens auf einem Siliciumwafer unter Verwendung eines Trägers aus Glasepoxidharz.The polishing composition according to the present embodiment can be suitably used to carry out double-sided polishing of a silicon wafer. The polishing composition of the present embodiment is particularly suitable for performing double-sided polishing on a silicon wafer using a substrate made of glass epoxy resin.

BeispieleExamples

Nun soll die vorliegende Erfindung anhand von Beispielen näher beschrieben werden. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt.The present invention will now be described in more detail by way of examples. The present invention is not limited to these examples.

Es wurden die Polierzusammensetzungen mit der Bezeichnung Erfindungsbeispiele 1 bis 7 und Vergleichsbeispiele 1 bis 15, die in Tabelle 1 aufgeführt sind, vorbereitet. [Tabelle 1] Kolloidales Siliciumdioxid Alkali Wasserlösliches Polymer Schwingungsdämpfungsmittel NH3OH HEC Polyalkohol Gehalt (Massen-%) Gehalt (Massen-%) Gehalt (Massen-%) Gehalt (Massen-%) Typ Gewichtsmittleres Molekulargewicht Gehalt (Massen-%) Erfindungsbsp. 1 9,5 0,5 0,15 0,5 PEGA 8000 0,12 Erfindungsbsp. 2 9,5 0,5 0,15 0,5 PEGA 8000 0,16 Erfindungsbsp. 3 9,5 0,5 0,15 0,5 PEGA 8000 0,21 Erfindungsbsp. 4 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG B 6000 0,12 Erfindungsbsp. 5 9,5 0,5 0,15 0,5 Jlycerinderivat A 3000 0,12 Erfindungsbsp. 6 9,5 0,5 0,15 0,5 poloxamine B 25000 0,12 Erfindungsbsp. 7 9,5 0,5 0,15 0,5 poloxamine B 25000 0,20 Vergleichsbsp. 1 9,5 0,5 0,15 0,5 - - - Vergleichsbsp. 2 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin A 7240 0,02 Vergleichsbsp. 3 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin A 7240 0,04 Vergleichsbsp. 4 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin A 7240 0,08 Vergleichsbsp. 5 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin A 7240 0,12 Vergleichsbsp. 6 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin A 7240 0,21 Vergleichsbsp. 7 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin B 25000 0,02 Vergleichsbsp. 8 9,5 0,5 0,15 0,5 Poloxamin B 25000 0,04 Vergleichsbsp. 9 9,5 0,5 0,15 0,5 PEGA 8000 0,02 Vergleichsbsp. 10 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG B 6000 0,04 Vergleichsbsp. 11 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG F 2000 0,04 Vergleichsbsp. 12 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG F 2000 0,08 Vergleichsbsp. 13 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG C 150000 0,21 Vergleichsbsp. 14 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG D 325000 0,21 Vergleichsbsp. 15 9,5 0,5 0,15 0,5 PEG E 475000 0,21 The polishing compositions named Inventive Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 15 shown in Table 1 were prepared. [Table 1] Colloidal silicon dioxide alkali Water soluble polymer Vibration damping means NH 3 OH HEC Polyalcohol Content (mass%) Content (mass%) Content (mass%) Content (mass%) Type Weight average molecular weight Content (mass%) Invention ex. 1 9.5 0.5 0.15 0.5 PEGA 8000 0.12 Invention ex. 2 9.5 0.5 0.15 0.5 PEGA 8000 0.16 Invention ex. 3 9.5 0.5 0.15 0.5 PEGA 8000 0.21 Invention ex. 4th 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG B 6000 0.12 Invention ex. 5 9.5 0.5 0.15 0.5 Jlycerin derivative A 3000 0.12 Invention ex. 6th 9.5 0.5 0.15 0.5 poloxamine B 25,000 0.12 Invention ex. 7th 9.5 0.5 0.15 0.5 poloxamine B 25,000 0.20 Comparison ex. 1 9.5 0.5 0.15 0.5 - - - Comparison ex. 2 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine A 7240 0.02 Comparison ex. 3 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine A 7240 0.04 Comparison ex. 4th 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine A 7240 0.08 Comparison ex. 5 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine A 7240 0.12 Comparison ex. 6th 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine A 7240 0.21 Comparison ex. 7th 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine B 25,000 0.02 Comparison ex. 8th 9.5 0.5 0.15 0.5 Poloxamine B 25,000 0.04 Comparison ex. 9 9.5 0.5 0.15 0.5 PEGA 8000 0.02 Comparison ex. 10 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG B 6000 0.04 Comparison ex. 11 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG F 2000 0.04 Comparison ex. 12 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG F 2000 0.08 Comparison ex. 13 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG C 150000 0.21 Comparison ex. 14th 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG D 325000 0.21 Comparison ex. 15th 9.5 0.5 0.15 0.5 PEG E 475000 0.21

Alle Werte der in Tabelle 1 angegebenen Gehalte sind die Werte vor der Verdünnung (das heißt, die von unverdünnten Lösungen), der Rest ist Wasser. Die mit Vergleichsbeispiel 1 bezeichnete Polierzusammensetzung enthielt kein Polymer, das dem Schwingungsdämpfungsmittel entspricht. Das verwendete kolloidale Siliciumdioxid wies eine sekundäre durchschnittliche Teilchengröße von 70 nm auf. Die verwendete HEC wies ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 500000 auf. Der verwendete Polyalkohol war Polyoxyethylenmethylglucosid mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 634.All values of the contents given in Table 1 are the values before dilution (that is, those of undiluted solutions), the remainder being water. The one with comparative example 1 The polishing composition indicated did not contain a polymer corresponding to the vibration damping agent. The colloidal silica used had a secondary average particle size of 70 nm. The HEC used had a weight average molecular weight of 500,000. The polyalcohol used was polyoxyethylene methyl glucoside with a weight average molecular weight of 634.

[Schwingungsmesstest 1][Vibration measurement test 1]

Die in Tabelle 1 aufgeführten Polierzusammensetzungen wurden 41-fach verdünnt und für das beidseitige Polieren von 12-Zoll-Siliciumwafern mit dem DSM 20B-5P-4D von SpeedFam Company Limited verwendet. Die verwendeten Polierpads waren EXTERION (eingetragenes Warenzeichen) SL-31 von Nitta Haas Incorporated. Es wurde drei Minuten lang poliert, und es wurden Untersuchungen durchgeführt, um festzustellen, ob es in der Vorrichtung Quietschen und/oder Schwingungen gab.The polishing compositions listed in Table 1 were diluted 41-fold and used for double-sided polishing of 12-inch silicon wafers with the SpeedFam Company Limited DSM 20B-5P-4D. The polishing pads used were EXTERION (Registered Trade Mark) SL-31 from Nitta Haas Incorporated. It was polished for three minutes and tests were carried out to determine if there was squeak and / or vibration in the device.

[Schwingungsmesstest 2][Vibration measurement test 2]

Die in Tabelle 2 aufgeführten Polierzusammensetzungen wurden 41-fach verdünnt, und die Reibungsanalyse wurde mit POL1762 von Grinding and Polishing Machinery Corporation durchgeführt, wobei 12-Zoll-Glas-Epoxidharz-Wafer poliert wurden. Die Glas-Epoxidharz-Wafer wurden poliert, um die Reibungsbedingungen des doppelseitigen Polierens unter Verwendung eines Trägers aus Glas-Epoxidharz zu simulieren. Die verwendeten Polierpads waren EXTERION (eingetragenes Warenzeichen) SL-31 von Nitta Haas Incorporated. Die Zufuhrrate für die Polierzusammensetzung betrug 300 mL/min, der Oberflächendruck 150 g/cm2 und der Führungsdruck 220 g/cm2.The polishing compositions listed in Table 2 were diluted 41 fold and the friction analysis was performed with POL1762 from Grinding and Polishing Machinery Corporation, polishing 12 inch glass epoxy wafers. The glass-epoxy wafers were polished to simulate the frictional conditions of double-sided polishing using a glass-epoxy backing. The polishing pads used were EXTERION (Registered Trade Mark) SL-31 made by Nitta Haas Incorporated. The supply rate for the polishing composition was 300 mL / min, the surface pressure was 150 g / cm 2, and the guide pressure was 220 g / cm 2 .

[Test zur Messung von Lasermarkierungen][Test for measuring laser marks]

Polieraufschlämmung Nanopure (eingetragenes Warenzeichen) NP6610 von Nitta Haas Incorporated wurde 31-fach verdünnt und die in Tabelle 1 aufgeführten Schwingungsdämpfungsmittel in 0,5 ppm hinzugefügt, und DSM 20B-5P-4D von SpeedFam Company Limited wurde verwendet, um beidseitiges Polieren von 12-Zoll-Siliciumwafern durchzuführen. Nach 30 Minuten Polieren wurde die Wölbungshöhe der Lasermarkierungen ausgewertet. Insbesondere wurde Wyko NT9300 (berührungsloses Interferenzmikroskop) von Veeco Instruments Inc. verwendet, um die T7-Code-Enden der Lasermarkierungen zu messen, und die Wölbungshöhe wurde in einem Querschnittsprofil für Teile um einen bestimmten Punkt herum gemessen.Nanopure (Registered Trade Mark) polishing slurry NP6610 from Nitta Haas Incorporated was diluted 31 times and the vibration dampening agents listed in Table 1 were added at 0.5 ppm, and DSM 20B-5P-4D from SpeedFam Company Limited was used to polish both sides of 12 Inch silicon wafers. After 30 minutes of polishing, the height of the camber of the laser markings was evaluated. Specifically, Wyko NT9300 (non-contact interference microscope) from Veeco Instruments Inc. was used to measure the T7 code ends of the laser marks, and the camber height was measured in a cross-sectional profile for parts around a certain point.

Tabelle 2 zeigt die molare Konzentration, WEO·C und WEO/WAO, des Schwingungsdämpfungsmittels in der Polierzusammensetzung in 41-facher Verdünnung sowie die Ergebnisse der Schwingungsmesstests 1 und 2 und der Tests zur Messung von Lasermarkierungen. [Tabelle 2] Molare Konz. (mol/g) WEO·C WEO/WAO Schwingung Last auf dem Kopf Lasermarkierungen Erfindungsbsp. 1 3,8E-09 2,4E-01 1,0 nicht aufgetreten 16 63 Erfindungsbsp. 2 4,9E-09 3,1E-01 1,0 nicht aufgetreten 18 63 Erfindungsbsp. 3 6,3E-09 4,0E-01 1,0 nicht aufgetreten 20 63 Erfindungsbsp. 4 5,0E-09 1,8E-01 1,0 nicht aufgetreten 16 51 Erfindungsbsp. 5 1.0E-08 8,1E-02 0,9 nicht aufgetreten 8 40 Erfindungsbsp. 6 1,2E-09 6,0E-01 0,8 nicht aufgetreten 18 59 Erfindungsbsp. 7 1,9E-09 9,7E-01 0,8 nicht aufgetreten 20 59 Vergleichsbsp. 1 - - - aufgetreten 0 0 Vergleichsbsp. 2 6,9E-10 1,4E-02 0,4 aufgetreten N/A 100 Vergleichsbsp. 3 1,4E-09 2,9E-02 0,4 aufgetreten N/A 100 Vergleichsbsp. 4 2,8E-09 5,8E-02 0,4 aufgetreten N/A 100 Vergleichsbsp. 5 4,1E-09 8,7E-02 0,4 nicht aufgetreten 23 100 Vergleichsbsp. 6 7,0E-09 1,5E-01 0,4 nicht aufgetreten 25 100 Vergleichsbsp. 7 2,0E-10 1,0E-01 0,8 aufgetreten N/A 59 Vergleichsbsp. 8 4,0E-10 2,0E-0 1 0,8 aufgetreten N/A 59 Vergleichsbsp. 9 6,3E-10 4,0E-02 1,0 aufgetreten N/A 63 Vergleichsbsp. 10 1,7E-09 6,0E-02 1,0 aufgetreten N/A 51 Vergleichsbsp. 11 5,0E-09 2,0E-02 1,0 aufgetreten N/A 37 Vergleichsbsp. 12 1,0E-08 4,0E-02 1,0 aufgetreten N/A 37 Vergleichsbsp. 13 3,3E-10 7,5E+00 1,0 aufgetreten N/A N/A Vergleichsbsp. 14 1,5E-10 1,6E+01 1,0 aufgetreten N/A N/A Vergleichsbsp. 15 1,1E-10 2,4E+01 1,0 aufgetreten N/A N/A Table 2 shows the molar concentration, W EO · C and W EO / W AO , of the vibration damping agent in the polishing composition in 41-fold dilution, and the results of the vibration measurement tests 1 and 2 and the tests for measuring laser marks. [Table 2] Molar conc. (Mol / g) W EO · C W EO / W AO vibration Load on the head Laser markings Invention ex. 1 3.8E-09 2,4E-01 1.0 did not occur 16 63 Invention ex. 2 4.9E-09 3.1E-01 1.0 did not occur 18th 63 Invention ex. 3 6.3E-09 4.0E-01 1.0 did not occur 20th 63 Invention ex. 4th 5.0E-09 1,8E-01 1.0 did not occur 16 51 Invention ex. 5 1.0E-08 8.1E-02 0.9 did not occur 8th 40 Invention ex. 6th 1,2E-09 6.0E-01 0.8 did not occur 18th 59 Invention ex. 7th 1.9E-09 9.7E-01 0.8 did not occur 20th 59 Comparison ex. 1 - - - occurred 0 0 Comparison ex. 2 6.9E-10 1,4E-02 0.4 occurred N / A 100 Comparison ex. 3 1.4E-09 2.9E-02 0.4 occurred N / A 100 Comparison ex. 4th 2.8E-09 5.8E-02 0.4 occurred N / A 100 Comparison ex. 5 4.1E-09 8.7E-02 0.4 did not occur 23 100 Comparison ex. 6th 7.0E-09 1.5E-01 0.4 did not occur 25th 100 Comparison ex. 7th 2.0E-10 1.0E-01 0.8 occurred N / A 59 Comparison ex. 8th 4.0E-10 2.0E-0 1 0.8 occurred N / A 59 Comparison ex. 9 6.3E-10 4.0E-02 1.0 occurred N / A 63 Comparison ex. 10 1.7E-09 6.0E-02 1.0 occurred N / A 51 Comparison ex. 11 5.0E-09 2.0E-02 1.0 occurred N / A 37 Comparison ex. 12 1.0E-08 4.0E-02 1.0 occurred N / A 37 Comparison ex. 13 3.3E-10 7.5E + 00 1.0 occurred N / A N / A Comparison ex. 14th 1.5E-10 1.6E + 01 1.0 occurred N / A N / A Comparison ex. 15th 1.1E-10 2.4E + 01 1.0 occurred N / A N / A

Die Spalte mit der Bezeichnung „Schwingung“ in Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse von Schwingungsmesstest 1.The column labeled “Vibration” in Table 2 shows the results of vibration measurement test 1.

Die Spalte mit der Bezeichnung „Last auf dem Kopf“ in Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse von Schwingungsmesstest 2. Ein Wert in dieser Spalte ist der Betrag der Reduzierung einer Last des Polierkopfes in einer Richtung senkrecht zur Belastungsrichtung im Vergleich zum Wert des Vergleichsbeispiels 1, wobei je größer der Wert ist, desto größer sind die Schwingungsdämpfungseffekte.The column labeled “Load on the head” in Table 2 shows the results of the vibration measurement test 2. A value in this column is the amount of reduction in load of the polishing head in a direction perpendicular to the loading direction compared to the value of Comparative Example 1, where the larger the value, the greater the vibration damping effects.

Die Spalte mit der Bezeichnung „Lasermarkierungen“ in Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse von Lasermarkierungsprüfungen. Ein positiver Wert in dieser Spalte bedeutet, dass die Kanten der Lasermarkierungen nach dem Polieren als Vorsprünge geformt sind. Ein Wert in dieser Spalte ist ein normalisierter Wert, wobei das Ergebnis von Vergleichsbeispiel 2 als Referenz verwendet und als 100 dargestellt wird.The column labeled “Laser Marks” in Table 2 shows the results of laser marking tests. A positive value in this column means that the edges of the laser marks are shaped as protrusions after polishing. A value in this column is a normalized value using the result of Comparative Example 2 as a reference and representing it as 100.

Als die Polierzusammensetzungen der Erfindungsbeispiele 1 bis 7 verwendet wurden, traten keine Schwingungen in der Vorrichtung auf, und die Verschlechterung der Form der Lasermarkierungen lag innerhalb der Toleranz.When the polishing compositions of Inventive Examples 1 to 7 were used, vibration did not occur in the device and the deterioration in the shape of the laser marks was within tolerance.

Die Polierzusammensetzung des Vergleichsbeispiels 1 enthielt kein Schwingungsdämpfungsmittel. Infolgedessen traten Schwingungen in der Vorrichtung auf.The polishing composition of Comparative Example 1 did not contain a vibration damping agent. As a result, vibrations occurred in the device.

Die Polierzusammensetzung der Vergleichsbeispiele 2 bis 4 wiesen kleine Werte von WEO·C auf. Infolgedessen traten Schwingungen in der Vorrichtung auf. Außerdem waren die Werte von WEO/WAO gering, was zu einer Verschlechterung der Form der Lasermarkierungen führte.The polishing compositions of Comparative Examples 2 to 4 had small values of W EO · C. As a result, vibrations occurred in the device. In addition, the values of W EO / W AO were low, resulting in deterioration in the shape of the laser marks.

Die Polierzusammensetzungen der Vergleichsbeispiele 5 und 6 wiesen kleine Werte von WEO/WAO auf. Infolgedessen verschlechterte sich die Form der Lasermarkierungen.The polishing compositions of Comparative Examples 5 and 6 had small values of W EO / W AO . As a result, the shape of the laser marks deteriorated.

Die Polierzusammensetzungen der Vergleichsbeispiele 7 bis 9 wiesen niedrige molare Konzentrationen des Schwingungsdämpfungsmittels auf. Infolgedessen traten Schwingungen in der Vorrichtung auf.The polishing compositions of Comparative Examples 7 to 9 had low molar concentrations of the vibration damping agent. As a result, vibrations occurred in the device.

Die Polierzusammensetzungen der Vergleichsbeispiele 10 bis 12 wiesen kleine Werte von WEO·C auf. Infolgedessen traten Schwingungen in der Vorrichtung auf.The polishing compositions of Comparative Examples 10 to 12 had small values of W EO · C. As a result, vibrations occurred in the device.

Die Polierzusammensetzungen der Vergleichsbeispiele 13 bis 15 wiesen außerordentlich hohe gewichtsmittlere Molekulargewichte des als Schwingungsdämpfungsmittel verwendeten Polymers auf. Infolgedessen traten Schwingungen in der Vorrichtung auf.The polishing compositions of Comparative Examples 13 to 15 had extremely high weight average molecular weights of the polymer used as a vibration damping agent. As a result, vibrations occurred in the device.

1 ist ein Streudiagramm mit einer horizontalen Achse, die die molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels angibt, und einer vertikalen Achse, die WEO·C angibt. In 1 zeigt ein Hohlkreis an, dass keine Schwingungen aufgetreten sind, während ein Vollkreis bzw. ausgefüllter Kreis anzeigt, dass Schwingungen aufgetreten sind. Wie aus 1 ersichtlich ist, können Schwingungen in der Vorrichtung unterdrückt werden, wenn die molare Konzentration 6,9×10-10 mol/g oder höher und WEO·C 8,0×10-2 oder höher ist. 1 Figure 13 is a scatter plot with a horizontal axis indicating the molar concentration of the vibration damping agent and a vertical axis indicating W EO · C. In 1 a hollow circle indicates that no vibrations have occurred, while a full circle or filled circle indicates that vibrations have occurred. How out 1 As can be seen, vibrations in the device can be suppressed when the molar concentration is 6.9 × 10 -10 mol / g or higher and W EO · C is 8.0 × 10 -2 or higher.

Es wurden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die oben beschriebenen Ausführungsformen sind nur beispielhaft und sollen die Ausführung der vorliegenden Erfindung ermöglichen. Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, und die oben beschriebenen Ausführungsformen können, wenn sie ausgeführt werden, gegebenenfalls geändert werden, ohne vom Geist der Erfindung abzuweichen.Embodiments of the present invention have been described. The embodiments described above are exemplary only and are intended to enable the present invention to be carried out. Accordingly, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the above-described embodiments, when practiced, may be changed as necessary without departing from the spirit of the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • JP 2016124943 A [0004]JP 2016124943 A [0004]

Claims (2)

Polierzusammensetzung umfassend: ein kolloidales Siliciumdioxid; ein wasserlösliches Polymer; eine basische Verbindung; Wasser; und ein Schwingungsdämpfungsmittel, wobei das Mittel ein Polymer mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 1500 bis 30000 ist und eine Ethylenoxidgruppe aufweist, wobei eine molare Konzentration des Schwingungsdämpfungsmittels 6,9×10-10 mol/g oder höher ist, wobei ein Produkt aus einem gewichtsmittleren Molekulargewicht der Ethylenoxidgruppe pro Molekül des Schwingungsdämpfungsmittels und einer Massenkonzentration des Schwingungsdämpfungsmittels nicht weniger als 8,0×10-2 ist und wobei im Schwingungsdämpfungsmittel ein Anteil der Ethylenoxidgruppe in den Alkylenoxidgruppen, bezogen auf das gewichtsmittlere Molekulargewicht, 80 % oder mehr beträgt.A polishing composition comprising: a colloidal silica; a water soluble polymer; a basic compound; Water; and a vibration damping agent, the agent being a polymer having a weight average molecular weight of 1,500 to 30,000 and having an ethylene oxide group, wherein a molar concentration of the vibration damping agent is 6.9 × 10 -10 mol / g or higher, being a product of a weight average molecular weight of the ethylene oxide group per molecule of the vibration damping agent and a mass concentration of the vibration damping agent is not less than 8.0 × 10 -2 , and wherein, in the vibration damping agent, a proportion of the ethylene oxide group in the alkylene oxide groups based on the weight average molecular weight is 80% or more. Die Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das wasserlösliche Polymer Hydroxyethylcellulose ist.The polishing composition according to Claim 1 wherein the water soluble polymer is hydroxyethyl cellulose.
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