DE112010000720T5 - Resin composition for insulating layer - Google Patents

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Abstract

Das Problem, das gelöst werden soll, ist eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors bereitzustellen, die vernetzt werden kann ohne eine lange Zeit einer Behandlung bei hoher Temperatur unterzogen zu werden, um eine Isolierschicht zu erzeugen, die ausgezeichnete Oberflächenadhäsionseigenschaft aufweist. Das Mittel zur Lösung ist eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors, umfassend (A) eine makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppen einschließt, (B) ein Härtungsmittel und (C) ein organisches Lösungsmittel.The problem to be solved is to provide a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor which can be crosslinked without being subjected to a high temperature treatment for a long time to produce an insulating layer which has excellent surface adhesion property. The dissolving agent is a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor, comprising (A) a macromolecular compound including a repeating unit having photosensitive groups bonded via a urea bond or a urethane bond, (B) a curing agent and (C) an organic solvent.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Harzzusammensetzung zum Erzeugen einer Isolierschicht und insbesondere eine Harzzusammensetzung zum Erzeugen einer Isolierschicht in einem organischen Dünnschichttransistor.The present invention relates to a resin composition for forming an insulating layer, and more particularly, to a resin composition for forming an insulating layer in an organic thin film transistor.

HINTERGRUND DER TECHNIKBACKGROUND OF THE TECHNIQUE

Da organische Feldeffekttransistoren durch ein Verfahren bei niedrigerer Temperatur als anorganische Halbleiter hergestellt werden können, kann ein Kunststoffsubstrat und ein Film als ein Substrat verwendet werden und es können Vorrichtungen hergestellt werden, die leichtgewichtig sind und nicht einfach zerbrechen. Darüber hinaus können in einigen Fällen Vorrichtungen durch Filmerzeugung unter Verwendung eines Verfahrens des Auftragens oder Aufdruckens einer Lösung, die organische Materialien enthält, hergestellt werden, so dass Vorrichtungen, die eine große Fläche aufweisen, bei niedrigen Kosten hergestellt werden können. Weiterhin können, da es eine weite Vielzahl von Materialien gibt, die zur Erforschung von Transistoren verwendet werden können, Materialeigenschaften in einfacher Weise grundlegend mit den Materialien, die sich in der molekularen Struktur unterscheiden, die zur Erforschung verwendet werden, geändert werden. Deshalb ist es auch möglich, flexible Funktionen, Vorrichtungen und dergleichen zu verwirklichen, die mit anorganischen Halbleitern unmöglich sind, indem Materialien kombiniert werden, die jeweils unterschiedliche Funktionen aufweisen.Since organic field effect transistors can be fabricated by a lower temperature method than inorganic semiconductors, a plastic substrate and a film can be used as a substrate, and devices that are lightweight and not easily broken can be manufactured. Moreover, in some cases, devices can be manufactured by film formation using a method of applying or printing a solution containing organic materials, so that devices having a large area can be manufactured at a low cost. Furthermore, since there are a wide variety of materials that can be used to research transistors, material properties can be readily changed fundamentally with the materials that differ in molecular structure used for research. Therefore, it is also possible to realize flexible functions, devices and the like which are impossible with inorganic semiconductors by combining materials each having different functions.

Bei Feldeffekttransistoren wirkt die Spannung, die an eine Gate-Elektrode angelegt wird, durch eine Isolierschicht für das Gate auf eine Halbleiterschicht und kontrolliert das An- und Ausschalten des Drain-Stroms. Zu diesem Zweck wird eine Isolierschicht für das Gate zwischen der Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht erzeugt.In field effect transistors, the voltage applied to a gate electrode acts on a semiconductor layer through an insulating layer for the gate and controls the turn-on and turn-off of the drain current. For this purpose, an insulating layer for the gate is produced between the gate electrode and the semiconductor layer.

Organische Halbleiterverbindungen, die für organische Feldeffekttransistoren verwendet werden sollen, sind gegenüber Umweltfaktoren, wie Feuchtigkeit und Sauerstoff, anfällig, und deshalb weisen Transistormerkmale in der Regel eine Verschlechterung mit der Zeit auf, die durch Feuchtigkeit, Sauerstoff und dergleichen verursacht wird.Organic semiconductor compounds to be used for organic field effect transistors are susceptible to environmental factors such as moisture and oxygen, and therefore, transistor characteristics tend to deteriorate with time caused by moisture, oxygen, and the like.

Deshalb ist es bei der Struktur der organischen Feldeffekttransistorvorrichtung vom Typ mit unten liegendem Gate, bei dem eine organische Halbleiterverbindung unbedeckt ist, wichtig, die organische Halbleiterverbindung vor ihrem Kontakt mit der äußeren Atmosphäre zu schützen, indem eine Überzugsschicht erzeugt wird, die vollständig die Struktur der Vorrichtung abdeckt. Bei der Struktur der organischen Feldeffekttransistorvorrichtung vom Typ mit oben liegendem Gate wird andererseits eine organische Halbleiterverbindung mit einer Isolierschicht für das Gate beschichtet, wodurch sie geschützt wird.Therefore, in the structure of the bottom-gate type organic field effect transistor device in which an organic semiconductor compound is uncovered, it is important to protect the organic semiconductor compound from its contact with the external atmosphere by forming a coating layer which completely satisfies the structure of the present invention Device covers. On the other hand, in the structure of the top gate type organic field effect transistor device, an organic semiconductor compound is coated with a gate insulating layer, thereby protecting it.

Somit wird bei organischen Feldeffekttransistoren eine Harzzusammensetzung verwendet, damit eine Überzugsschicht, eine Isolierschicht für das Gate oder dergleichen erzeugt wird, um organische Halbleiterschichten abzudecken. Eine Harzzusammensetzung, die zum Erzeugen einer solchen Isolierschicht und eines solchen Isolierfilms verwendet werden soll, wird hierin als eine Harzzusammensetzung für eine Isolierschicht bezeichnet.Thus, in organic field effect transistors, a resin composition is used to form a cladding layer, a gate insulating layer or the like to cover organic semiconductor layers. A resin composition to be used for producing such an insulating layer and such an insulating film is referred to herein as a resin composition for an insulating layer.

Von Harzzusammensetzungen für Isolierschichten wird gefordert, dass sie Merkmale aufweisen wie Festigkeit gegenüber Isolationsdurchbruch, wenn sie zu einer Dünnschicht geformt worden sind, Affinität zu einem organischen Halbleiter zum Erzeugen einer guten Grenzfläche mit dem organischen Halbleiter und Flachheit einer Filmoberfläche, welche die Grenzfläche mit einem Halbleiter bildet. Falls eine makromolekulare Verbindung, die in einer Isolierschicht enthalten ist, vernetzt worden ist, werden die elektrischen Eigenschaften gut. Falls jedoch eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eine lange Zeit lang zum Vernetzen bei hoher Temperatur behandelt wird, werden sich die organischen Substanzen, welche die Vorrichtung aufbauen, verschlechtern, was zu einem Abfall der Transistormerkmale führt. Deshalb wird es bevorzugt, die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen zu vernetzen.Insulating layer resin compositions are required to have characteristics such as resistance to insulation breakdown when formed into a thin film, affinity for an organic semiconductor for forming a good interface with the organic semiconductor, and flatness of a film surface having the interface with a semiconductor forms. If a macromolecular compound contained in an insulating layer has been crosslinked, the electrical properties become good. However, if a resin composition for the insulating layer is treated for a long time for high-temperature crosslinking, the organic substances constituting the device will deteriorate, resulting in a drop in the transistor characteristics. Therefore, it is preferable to crosslink the resin composition for the insulating layer at relatively low temperatures.

Beispielsweise beschreibt Patentdokument 1 eine Schicht, die ein Fluorharz als eine Isolierschicht für das Gate in einem organischen Feldeffekttransistor enthält. Jedoch ist es auf Grund der Probleme in Bezug auf die Flüssigkeit abweisende Wirkung und Adhäsionseigenschaft des Fluorharzes schwierig, eine ebene Schicht durch Auftragungsverfahren auf dem organischen Feldeffekttransistor zu erzeugen, bei dem das Fluorharz in seiner Isolierschicht verwendet wurde, und ist es auch schwierig, eine Elektrode oder dergleichen dazu zu bringen, stabil an der Oberfläche der Isolierschicht zu haften.For example, Patent Document 1 describes a layer containing a fluorine resin as an insulating layer for the gate in an organic field effect transistor. However, due to the problems of the liquid-repellent action and adhesion property of the fluororesin, it is difficult to produce a flat layer by application methods on the organic field-effect transistor in which the fluorine resin in its insulating layer has been used, and it is also difficult to cause an electrode or the like to stably adhere to the surface of the insulating layer.

Deshalb ist eine solche Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gewünscht worden, die, wenn sie für einen organischen Feldeffekttransistor verwendet wird, eine ausgezeichnete elektrische Isoliereigenschaft aufweist, in einfacher Weise eine Schichtstruktur aus organischen Schichten bilden kann, die eine Isolierschicht einschließt, ohne die Transistormerkmale nachteilig zu beeinflussen, und wobei die Isolierschicht ausgezeichnete Oberflächenadhäsionseigenschaft aufweist.Therefore, such a resin composition has been desired for the insulating layer of an organic thin film transistor which, when used for an organic field effect transistor, has excellent electrical insulating property, can easily form a layered structure of organic layers including an insulating layer without the transistor characteristics adversely affecting, and wherein the insulating layer has excellent surface adhesion property.

DOKUMENT ZUM HINTERGRUND DER TECHNIK PATENTDOKUMENTDOCUMENT ON THE BACKGROUND OF THE TECHNOLOGY PATENT DOCUMENT

  • Patentdokument 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2005-513788 Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-513788

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

PROBLEME, DIE VON DER ERFINDUNG GELOST WERDEN SOLLENPROBLEMS TO BE ESTABLISHED BY THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung löst die vorstehend beschriebenen herkömmlichen Probleme und eine Aufgabe davon ist es, eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors bereitzustellen, welche eine Isolierschicht mit ausgezeichnetem Oberflächenhaftvermögen bilden kann, ohne eine lange Zeit lang einer Behandlung bei hoher Temperatur unterzogen zu werden.The present invention solves the conventional problems described above, and an object thereof is to provide a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor which can form an insulating layer excellent in surface adhesiveness without being subjected to a high temperature treatment for a long time.

MITTEL ZUM LÖSEN DER PROBLEMEMEANS TO SOLVE THE PROBLEMS

Als ein Ergebnis zahlreicher Untersuchungen im Hinblick auf die vorstehend beschriebenen Probleme wurde die vorliegende Erfindung durch den Befund erreicht, dass die vorstehenden Probleme durch die Verwendung einer spezifischen photoempfindlichen Harzzusammensetzung gelöst werden können.As a result of numerous investigations in view of the problems described above, the present invention has been achieved by the finding that the above problems can be solved by the use of a specific photosensitive resin composition.

Mit anderen Worten stellt die vorliegende Erfindung zuerst eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors bereit, dadurch gekennzeichnet, dass sie (A) eine makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe einschließt, (B) ein Härtungsmittel und (C) ein organisches Lösungsmittel umfasst.In other words, the present invention first provides a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor, characterized in that it comprises (A) a macromolecular compound including a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond (B) Curing agent and (C) comprises an organic solvent.

Zweitens stellt die vorliegende Erfindung die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß Anspruch 1 bereit, dadurch gekennzeichnet, dass die makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe einschließt, eine makromolekulare Verbindung ist, die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit enthält, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (1) und Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (2): [Chem 1]

Figure 00040001
wobei R1 und R2, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für ein Wasserstoffatom oder einer Methylgruppe steht, R3 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und Raa und Rbb, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für einen zweiwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht; jedes Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; X für ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom steht; q für eine ganze Zahl von 0 bis 20 steht und r für eine ganze Zahl von 1 bis 20 steht; wenn es zwei oder mehr Reste Raa gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können; und wenn es zwei oder mehrere Reste Rbb gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können; [Chem 2]
Figure 00050001
wobei R4 und R5, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe steht und Rc und Rd, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für einen zweiwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht; jedes Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; X für ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom steht, s für eine ganze Zahl von 0 bis 20 steht und t für eine ganze Zahl von 1 bis 20 steht; wenn es zwei oder mehr Reste Rc gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können, und wenn es zwei oder mehr Reste Rd gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können.Secondly, the present invention provides the resin composition for the organic thin film transistor insulating layer according to claim 1, characterized in that the macromolecular compound including a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond is a macromolecular compound having at least one Contains a repeating unit type selected from the group consisting of repeating units represented by formula (1) and repeating units represented by formula (2): [Chem 1]
Figure 00040001
wherein R 1 and R 2 , which are the same or different, each represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and Raa and Rbb, which are the same or different, each represents a bivalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms; each hydrogen atom in the bivalent organic group may be replaced by a fluorine atom; X represents an oxygen atom or a sulfur atom; q is an integer from 0 to 20 and r is an integer from 1 to 20; when there are two or more Raa, they may be the same or different; and when there are two or more Rbb radicals, they may be the same or different; [Chem 2]
Figure 00050001
wherein R 4 and R 5 , which are the same or different, each represents a hydrogen atom or a methyl group and R c and R d, which are the same or different, each represents a bivalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; each hydrogen atom in the bivalent organic group may be replaced by a fluorine atom; X is an oxygen atom or a sulfur atom, s is an integer of 0 to 20, and t is an integer of 1 to 20; when there are two or more Rc, they may be the same or different, and when there are two or more Rd, they may be the same or different.

Drittens stellt die vorliegende Erfindung die vorstehend erwähnte Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors bereit, dadurch gekennzeichnet, dass die makromolekulare Verbindung weiter mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit enthält, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus der Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (3), Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (4), Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (5), und Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (6): [Chem 3]

Figure 00050002
wobei R6 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 4]
Figure 00060001
wobei R7 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 5]
Figure 00060002
wobei R8 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen oder eine Cyanogruppe steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 6]
Figure 00060003
wobei R9 für ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe steht; R10 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann.Third, the present invention provides the above-mentioned resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor, characterized in that the macromolecular compound further contains at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (3), repeating units, represented by formula (4), repeating units represented by formula (5), and repeating units represented by formula (6): [Chem 3]
Figure 00050002
wherein R 6 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom; [Chem 4]
Figure 00060001
wherein R 7 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom; [Chem 5]
Figure 00060002
wherein R 8 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a cyano group, and any hydrogen atom in the monovalent organic group may be replaced by a fluorine atom; [Chem 6]
Figure 00060003
wherein R 9 represents a hydrogen atom or a methyl group; R 10 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the bivalent organic radical may be replaced by a fluorine atom.

Viertens stellt die vorliegende Erfindung einen organischen Dünnschichttransistor bereit, dadurch gekennzeichnet, dass die vorstehend erwähnte Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors als eine Überzugsschicht verwendet wird.Fourth, the present invention provides an organic thin film transistor characterized in that the above-mentioned resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor is used as a cladding layer.

Fünftens stellt die vorliegende Erfindung einen organischen Dünnschichttransistor bereit, dadurch gekennzeichnet, dass die vorstehend erwähnte Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors als eine Isolierschicht für das Gate verwendet wird.Fifth, the present invention provides an organic thin film transistor characterized in that the above-mentioned resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor is used as an insulating layer for the gate.

Sechstens stellt die vorliegende Erfindung ein Element für eine Anzeige bereit, umfassend die vorstehend erwähnte Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors.Sixth, the present invention provides an element for display comprising the above-mentioned resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor.

Siebtens stellt die vorliegende Erfindung eine Anzeige bereit, umfassend das vorstehend erwähnte Element für eine Anzeige.Seventh, the present invention provides a display comprising the aforementioned element for display.

WIRKUNG DER ERFINDUNGEFFECT OF THE INVENTION

Die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht der vorliegenden Erfindung kann eine vernetzte Struktur bilden und weist ausgezeichnete elektrische Eigenschaften auf. Außerdem wird, da sie photoempfindlich ist und es keine Notwendigkeit gibt, sie eine lange Zeit lang auf eine hohe Temperatur zu erhitzen, wenn die vernetzte Struktur gebildet wird, kein nachteiliger Einfluss auf die Transistormerkmale ausgeübt. Darüber hinaus ist es, da die Isolierschicht, die daraus gebildet werden soll, ausgezeichnetes Haftvermögen an ihrer Oberfläche aufweist, möglich, auf einfache Weise eine Schichtstruktur aus organischen Schichten, die die Isolierschicht einschließen, zu bilden.The resin composition for the insulating layer of the present invention can form a crosslinked structure and has excellent electrical properties. In addition, since it is photosensitive and there is no need to heat it to a high temperature for a long time when the crosslinked structure is formed, no adverse influence on the transistor characteristics is exerted. Moreover, since the insulating layer to be formed therefrom has excellent adhesion to its surface, it is possible to easily form a layered structure of organic layers including the insulating layer.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[1] Eine schematische Querschnittsansicht, welche die Struktur eines organischen Dünnschichttransistors vom Typ mit unten liegendem Gate veranschaulicht, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.[ 1 ] A schematic cross sectional view illustrating the structure of a bottom gate type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention.

[2] Eine schematische Querschnittsansicht, welche die Struktur eines organischen Dünnschichttransistors vom Typ mit oben liegendem Gate veranschaulicht, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.[ 2 ] A schematic cross-sectional view illustrating the structure of a top-gate type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention.

AUSFÜHRUNGSFORM ZUM DURCHFÜHREN DER ERFINDUNGEMBODIMENT FOR CARRYING OUT THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend ausführlicher beschrieben. In dieser Beschreibung bezieht sich eine „makromolekulare Verbindung” auf eine beliebige Verbindung, die eine Struktur umfasst, bei der sich zwei oder mehrere identische Struktureinheiten in einem Molekül wiederholen, und dies umfasst ein so genanntes Dimer. Auf der anderen Seite bedeutet eine „niedermolekulare Verbindung” eine beliebige Verbindung, die nicht wiederholt identische Struktureinheiten in einem Molekül aufweist.The present invention will be described in more detail below. In this specification, a "macromolecular compound" refers to any compound comprising a structure in which two or more identical structural units repeat in a molecule, and this includes a so-called dimer. On the other hand, a "low-molecular compound" means any compound which does not repeatedly have identical structural units in one molecule.

Die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie (A) eine makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe einschließt, (B) ein Härtungsmittel und (C) ein organisches Lösungsmittel umfasst.The resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention is characterized by comprising (A) a macromolecular compound including a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond, (B) a curing agent, and (C) includes organic solvent.

Makromolekulare Verbindung (A)Macromolecular compound (A)

Die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, schließt eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe ein. Der Begriff „photoempfindliche Gruppe” bedeutet eine Gruppe, die durch Bestrahlen mit Licht oder Strahlung chemisch verändert werden kann, und stellt spezifisch eine Gruppe mit der Struktur dar, die durch die folgende Formel dargestellt ist: [Chem 7]

Figure 00080001
wobei die Wellenlinie eine Bindung darstellt.The macromolecular compound to be used for the present invention includes a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond. The term "photosensitive group" means a group which can be chemically changed by irradiation with light or radiation, and specifically represents a group having the structure represented by the following formula: [Chem 7]
Figure 00080001
the wavy line represents a bond.

Die makromolekulare Verbindung ist vorzugsweise eine makromolekulare Verbindung, die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit einschließt, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus der Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und der Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (2).The macromolecular compound is preferably a macromolecular compound including at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2).

In der makromolekularen Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, schließt eine beliebige der Wiederholungseinheiten, dargestellt durch die Formeln (1) bis (6) vorzugsweise ein Fluoratom ein. Dies liegt daran dass, falls ein Fluoratom in der Harzstruktur vorliegt, sich die elektrischen Eigenschaften, wie Isolationseigenschaft, einer Schicht, die gebildet werden soll, verbessern. Das Fluoratom ist vorzugsweise als Substituenten einer organischen Gruppe an einem Seitenkettenteil der Wiederholungseinheit vorhanden. Dies bewirkt, dass die Schicht, die gebildet werden soll, sich kaum im Oberflächenhaftvermögen im Vergleich zu dem Fall verschlechtert, dass das Fluoratom an einem Hauptkettenteil substituiert ist.In the macromolecular compound to be used for the present invention, any of the repeating units represented by the formulas (1) to (6) preferably includes a fluorine atom. This is because if a fluorine atom is present in the resin structure, the electrical properties, such as insulating property, of a layer to be formed improve. The fluorine atom is preferably present as a substituent of an organic group on a side chain part of the repeating unit. This causes the layer to be formed to hardly deteriorate in surface adhesiveness as compared with the case where the fluorine atom is substituted on a main chain portion.

Die Menge an Fluor, die in die makromolekulare Verbindung (A) eingeführt werden soll, beträgt vorzugsweise nicht mehr als 60 Gew.-%, stärker bevorzugt 5 bis 50 Gew.-% und noch stärker bevorzugt 5 bis 40 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der makromolekularen Verbindung. Falls die Menge an Fluor 60 Gew.-% übersteigt, verschlechtert sich in der Regel das Oberflächenhaftvermögen einer Schicht, die gebildet werden soll.The amount of fluorine to be introduced into the macromolecular compound (A) is preferably not more than 60% by weight, more preferably from 5 to 50% by weight, and even more preferably from 5 to 40 Wt .-%, based on the weight of the macromolecular compound. If the amount of fluorine exceeds 60% by weight, the surface adhesiveness of a layer to be formed tends to deteriorate.

In Formel (1) und Formel (2) stellen R1, R2, R4 und R5, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe dar und stellt R3 ein Wasserstoffatom oder einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen dar. In einer Ausführungsform sind R1 und R4 Wasserstoffatome, sind R2 und R5 Methylgruppen und ist R3 ein Wasserstoffatom. Raa, Rbb, Rc und Rd, die gleich oder voneinander verschieden sind, stellen jeweils einen zweiwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen dar. Jedes beliebige Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest kann durch ein Fluoratom ersetzt sein. X stellt ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom dar, q und s stellen jeweils eine ganze Zahl von 0 bis 20 dar und r und t stellen jeweils eine ganze Zahl von 1 bis 20 dar. Wenn es zwei oder mehrere Reste Raa gibt, können sie gleich oder voneinander verschieden sein. Wenn es zwei oder mehrere Reste Rbb gibt, können sie gleich oder voneinander verschieden sein. Wenn es zwei oder mehrere Reste Rc gibt, können sie gleich oder voneinander verschieden sein. Wenn es zwei oder mehrere Reste Rd gibt, können sie gleich oder voneinander verschieden sein. In einer Ausführungsform ist X ein Sauerstoffatom und sind q, r, s und t 1.In formula (1) and formula (2), R 1 , R 2 , R 4 and R 5 , which are the same or different, each represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group with 1 In one embodiment, R 1 and R 4 are hydrogen, R 2 and R 5 are methyl, and R 3 is hydrogen. Raa, Rbb, Rc and Rd, which are the same or different, each represents a bivalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Any hydrogen atom in the bivalent organic group may be replaced by a fluorine atom. X represents an oxygen atom or a sulfur atom, q and s each represent an integer of 0 to 20, and r and t each represents an integer of 1 to 20. When there are two or more of Raa, they may be the same or be different from each other. If there are two or more Rbb residues, they may be the same or different. When there are two or more Rc, they may be the same or different. If there are two or more Rd, they may be the same or different. In one embodiment, X is an oxygen atom and are q, r, s and t 1.

Der zweiwertige organische Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen kann linear, verzweigt oder cyclisch sein. Beispiele dafür schließen lineare aliphatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, verzweigte aliphatische Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen, alicyclische Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen und aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, die mit einem Alkylrest oder dergleichen substituiert sein können, ein und bevorzugt werden lineare Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, verzweigte Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen, cyclische Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen und aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, die mit einem Alkylrest oder dergleichen substituiert sein können.The divalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic. Examples thereof include linear aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms, branched aliphatic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms and aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like are linear hydrocarbon radicals having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon radicals having 3 to 6 carbon atoms, cyclic hydrocarbon radicals having 3 to 6 carbon atoms and aromatic hydrocarbon radicals having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl radical or the like.

Spezifische Beispiele für die aliphatischen Kohlenwasserstoffreste schließen eine Methylengruppe, eine Ethylengruppe, eine Propylengruppe, eine Butylengruppe, eine Pentylengruppe, eine Hexylengruppe, eine Isopropylengruppe, eine Isobutylengruppe, eine Dimethylpropylengruppe, eine Cyclopropylengruppe, eine Cyclobutylengruppe, eine Cyclopentylengruppe und eine Cyclohexylengruppe ein.Specific examples of the aliphatic hydrocarbon groups include methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, isopropylene group, isobutylene group, dimethylpropylene group, cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopentylene group and cyclohexylene group.

Spezifische Beispiele für die zweiwertigen aromatischen Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen schließen eine Phenylengruppe, eine Naphthylengruppe, eine Anthrylengruppe, eine Dimethylphenylengruppe, eine Trimethylphenylengruppe, eine Ethylenphenylengruppe, eine Diethylenphenylengruppe, eine Triethylenphenylengruppe, eine Propylenphenylengruppe, eine Butylenphenylengruppe, eine Methylnaphthylengruppe, eine Dimethylnaphthylengruppe, eine Trimethylnaphthylengruppe, eine Vinylnaphthylengruppe, eine Ethenylennaphthylengruppe, eine Methylanthrylengruppe und eine Ethylanthrylengruppe ein.Specific examples of the divalent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms include a phenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a dimethylphenylene group, a trimethylphenylene group, an ethylenephenylene group, a diethylenephenylene group, a triethylenephenylene group, a propylenephenylene group, a butylenephenylene group, a methylnaphthylene group, a dimethylnaphthylene group, and the like Trimethylnaphthylene group, a vinylnaphthylene group, an ethenylene naphthylene group, a methylanthrylene group and an ethylanthrylene group.

In einer Ausführungsform sind Raa und Rc Phenylengruppen. Rbb und Rd sind Ethylengruppen.In one embodiment, Raa and Rc are phenylene groups. Rbb and Rd are ethylene groups.

Der einwertige organische Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen kann linear, verzweigt oder cyclisch sein und kann auch gesättigt oder ungesättigt sein.The monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic and may also be saturated or unsaturated.

Beispiele für den einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen schließen lineare Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, verzweigte Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen, cyclische Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen und aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen ein, und bevorzugt werden lineare Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, verzweigte Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen, cyclische Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen und aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen.Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include linear hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms, branched hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, cyclic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms and aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms, and preferred are linear hydrocarbon groups having 1 to 6 carbon atoms, branched hydrocarbon radicals having 3 to 6 carbon atoms, cyclic hydrocarbon radicals having 3 to 6 carbon atoms and aromatic hydrocarbon radicals having 6 to 20 carbon atoms.

Was die linearen Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, die verzweigten Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen und die cyclischen Kohlenwasserstoffreste mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen betrifft, so kann jedes beliebige Wasserstoffatom, das in diesen Resten enthalten ist, durch ein Fluoratom ersetzt sein.As for the linear hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms, the branched hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms and the cyclic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, any hydrogen atom contained in these groups may be replaced with a fluorine atom.

Was die aromatischen Kohlenwasserstoffreste mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen betrifft, so kann jedes beliebige Wasserstoffatom in den Resten durch einen Alkylrest, Fluoralkylrest, Halogenatom oder dergleichen ersetzt sein.As for the aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms, any hydrogen atom in the groups may be replaced by an alkyl group, fluoroalkyl group, halogen atom or the like.

Spezifische Beispiele für den einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen schließen eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine Propylgruppe, eine Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine tertiär-Butylgruppe, eine Cyclopropylgruppe, eine Cyclobutylgruppe, eine Cyclopentylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine Cyclopentinylgruppe, eine Cyclohexinylgruppe, eine Trifluormethylgruppe, eine Trifluorethylgruppe, eine Phenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Anthrylgruppe, eine Tolylgruppe, eine Xylylgruppe, eine Dimethylphenylgruppe, eine Trimethylphenylgruppe, eine Ethylphenylgruppe, eine Diethylphenylgruppe, eine Triethylphenylgruppe, eine Propylphenylgruppe, eine Butylphenylgruppe, eine Methylnaphthylgruppe, eine Dimethylnaphthylgruppe, eine Trimethylnaphthylgruppe, eine Vinylnaphthylgruppe, eine Methylanthrylgruppe, eine Ethylanthrylgruppe, eine Chlorphenylgruppe und eine Bromphenylgruppe ein. Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group a cyclohexyl group, a cyclopentinyl group, a cyclohexynyl group, a trifluoromethyl group, a trifluoroethyl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a tolyl group, a xylyl group, a dimethylphenyl group, a trimethylphenyl group, an ethylphenyl group, a diethylphenyl group, a triethylphenyl group, a propylphenyl group, a Butylphenyl group, methylnaphthyl group, dimethylnaphthyl group, trimethylnaphthyl group, vinylnaphthyl group, methylanthryl group, ethylanthryl group, chlorophenyl group and bromophenyl group.

Ein Alkylrest wird als der einwertige organische Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen bevorzugt.An alkyl group is preferred as the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.

Die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, kann ferner mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (3), den Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (4), den Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (5) und den Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (6), einschließen.The macromolecular compound to be used for the present invention may further comprise at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (3), repeating units represented by formula (4), repeating units represented by formula (5) and repeating units represented by formula (6).

In Formel (3) bis Formel (6) stellen R6, R7 und R10, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen dar. Jedes beliebige Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest kann durch ein Fluoratom ersetzt sein. R8 stellt einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen oder eine Cyanogruppe dar. Jedes beliebige Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest kann durch ein Fluoratom ersetzt sein. R9 stellt ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe dar. Spezifische Beispiele für den einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen sind dieselben wie diejenigen, die bereits erläutert worden sind.In the formula (3) to the formula (6), R 6 , R 7 and R 10 , which are the same or different, each represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Any hydrogen atom in the monovalent organic group may be replaced by Be replaced by fluorine atom. R 8 represents a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms or a cyano group. Any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom. R 9 represents a hydrogen atom or a methyl group. Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms are the same as those already explained.

In einer qAusführungsform ist ein beliebiger Rest aus R6 und R8 ein Rest, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Phenylgruppe, einem o-Fluoralkylphenylrest und einem p-Fluoralkylphenylrest. Vorzugsweise ist ein beliebiger Rest aus R6 und R8 ein Rest, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Phenylgruppe und einem o-Fluoralkylphenylrest. Ein bevorzugtes Beispiel für den o-Fluoralkylphenylrest ist eine o-Trifluormethylphenylgruppe. Ein bevorzugtes Beispiel für den p-Fluoralkylphenylrest ist eine p-Trifluormethylphenylguppe.In a q embodiment, any of R 6 and R 8 is a group selected from the group consisting of a phenyl group, an o-fluoroalkylphenyl group and a p-fluoroalkylphenyl group. Preferably, any of R 6 and R 8 is a radical selected from the group consisting of a phenyl group and an o-fluoroalkylphenyl radical. A preferred example of the o-fluoroalkylphenyl radical is an o-trifluoromethylphenyl group. A preferred example of the p-fluoroalkylphenyl radical is a p-trifluoromethylphenyl group.

Die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, kann mit einem Verfahren hergestellt werden, das Polymerisieren eines polymerisierbaren Monomers umfasst, das einen Rest aufweist, der einen aktiven Wasserstoff enthält, und als ein Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und Formel (2) dient, indem ein Photopolymerisationsinitiator oder ein thermischer Polymerisationsinitiator verwendet wird, und man dann das Ergebnis mit einer Acrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon reagieren lässt, oder mit einer Methacrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon.The macromolecular compound to be used for the present invention can be prepared by a method comprising polymerizing a polymerizable monomer having a residue containing an active hydrogen and as a starting material for the repeating unit represented by formula (1 ) and formula (2), by using a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator, and then reacting the result with an acrylate compound having an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule thereof, or a methacrylate compound having an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule from that.

Wenn die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (3), Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (4), Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (5) und Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (6) aufweist, kann sie auch mit einem Verfahren hergestellt werden, das Copolymerisieren eines polymerisierbaren Monomers umfasst, das einen Rest aufweist, der einen aktiven Wasserstoff enthält, und als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und Formel (2) dient, mit einem polymerisierbaren Monomer, das als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (3) bis Formel (6) dient, indem ein Photopolymerisationsinitiator oder ein thermischer Polymerisationsinitiator verwendet wird, und man dann das Ergebnis mit einer Acrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon reagieren lässt oder einer Methacrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon.When the macromolecular compound to be used for the present invention is at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (3), repeating units represented by formula (4), repeating units represented by formula (5) and Repeating units represented by formula (6), it may also be prepared by a method comprising copolymerizing a polymerizable monomer having a residue containing an active hydrogen and as a starting material of the repeating unit represented by formula (1) and formula (2), with a polymerizable monomer serving as the starting material of the repeating unit represented by formula (3) to formula (6) by using a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator, and then the result with an acrylate compound having e an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule thereof, or a methacrylate compound having an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule thereof.

Beispiele für das polymerisierbare Monomer, das einen Rest aufweist, der einen aktiven Wasserstoff enthält, und als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und Formel (2) dient, schließen 4-Aminostyrol, 4-Allylanilin, 4-Aminophenylvinylether, 4-(N-Phenylamino)phenylallylether, 4-(N-Methylamino)phenylallylether, 4-Aminophenylallylether, Allylamin, 2-Aminoethylacrylat, 4-Hydroxystyrol, 4-Hydroxyallylbenzol, 4-Hydroxyphenylvinylether, 4-Hydroxyphenylallylether, 4-Hydroxybutylvinylether, Vinylalkohol, 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxypropylacrylat, 3-Hydroxypropylacrylat, 2-Hydroxybutylacrylat, 4-Hydroxyphenylacrylat, 2-Hydroxyphenylethylacrylat, 2-Aminoethylmethacrylat, 2-Hydroxyethylmethacrylat, 2-Hydroxypropylmethacrylat, 3-Hydroxypropylmethacrylat, 2-Hydroxybutylmethacrylat, 4-Hydroxyphenylmethacrylat und 2-Hydroxyphenylethylmethacrylat ein.Examples of the polymerizable monomer having a radical containing an active hydrogen and serving as a starting material for the repeating unit represented by formula (1) and formula (2) include 4-aminostyrene, 4-allylaniline, 4-aminophenylvinyl ether, 4 (N-phenylamino) phenyl allyl ether, 4- (N-methylamino) phenyl allyl ether, 4-aminophenyl allyl ether, allylamine, 2-aminoethyl acrylate, 4-hydroxystyrene, 4-hydroxyallylbenzene, 4-hydroxyphenyl vinyl ether, 4-hydroxyphenyl allyl ether, 4- Hydroxybutyl vinyl ether, vinyl alcohol, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxyphenyl acrylate, 2-hydroxyphenylethyl acrylate, 2-aminoethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate, 4- Hydroxyphenyl methacrylate and 2-hydroxyphenylethyl methacrylate.

Beispiele für die Acrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon schließen 2-Acryloyloxyethylisocyanat und 2-Acryloyloxyethylisothiocyanat ein.Examples of the acrylate compound having an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule thereof include 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-acryloyloxyethyl isothiocyanate.

Beispiele für die Methacrylatverbindung mit einer Isocyanatogruppe oder Isothiocyanatogruppe in einem Molekül davon schließen 2-Methacryloyloxyethylisocyanat, 2-(2'-Methacryloyloxyethyl)oxyethylisocyanat, 2-Methacryloyloxyethylisothiocyanat und 2-(2'-Methacryloyloxyethyl)oxyethylisothiocyanat ein.Examples of the methacrylate compound having an isocyanato group or isothiocyanato group in a molecule thereof include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2- (2'-methacryloyloxyethyl) oxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isothiocyanate and 2- (2'-methacryloyloxyethyl) oxyethyl isothiocyanate.

Beispiele für das polymerisierbare Monomer, das als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (3) verwendet werden soll, schließen Vinylessigsäure, Vinylpropionat, Vinylbutyrat, Vinylbenzoat, Vinyl-2-methylbenzoat, Vinyl-3-methylbenzoat, Vinyl-4-methylbenzoat, Vinyl-2-trifluormethylbenzoat, Vinyl-3-trifluormethylbenzoat und Vinyl-4-trifluormethylbenzoat ein.Examples of the polymerizable monomer to be used as the starting material for the repeating unit represented by formula (3) include vinylacetic acid, vinylpropionate, vinylbutyrate, vinylbenzoate, vinyl-2-methylbenzoate, vinyl-3-methylbenzoate, vinyl-4-methylbenzoate, vinyl 2-trifluoromethylbenzoate, vinyl 3-trifluoromethylbenzoate and vinyl 4-trifluoromethylbenzoate.

Beispiele für das polymerisierbare Monomer, das als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (4) verwendet werden soll, schließen Vinylmethylether, Vinylethylether, Vinylpropylether, Vinylbutylether, Vinylphenylether, Vinylbenzylether, Vinyl-4-methylphenylether und Vinyl-4-trifluormethylphenylether ein.Examples of the polymerizable monomer to be used as the starting material of the repeating unit represented by formula (4) include vinyl methyl ether, vinyl ethyl ether, vinyl propyl ether, vinyl butyl ether, vinyl phenyl ether, vinyl benzyl ether, vinyl 4-methylphenyl ether and vinyl 4-trifluoromethylphenyl ether.

Beispiele für das polymerisierbare Monomer, das als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (5) verwendet werden soll, schließen Styrol, α-Methylstyrol, 2,4-Dimethyl-α-methylstyrol, o-Methylstyrol, m-Methylstyrol, p-Methylstyrol, 2,4-Dimethylstyrol, 2,5-Dimethylstyrol, 2,6-Dimethylstyrol, 3,4-Dimethylstyrol, 3,5-Dimethylstyrol, 2,4,6-Trimethylstyrol, 2,4,5-Trimethylstyrol, Pentamethylstyrol, o-Ethylstyrol, m-Ethylstyrol, p-Ethylstyrol, o-Chlorstyrol, m-Chlorstyrol, p-Chlorstyrol, o-Bromstyrol, m-Bromstyrol, p-Bromstyrol, o-Methoxystyrol, m-Methoxystyrol, p-Methoxystyrol, o-Hydroxystyrol, m-Hydroxystyrol, p-Hydroxystyrol, 2-Vinylbiphenyl, 3-Vinylbiphenyl, 4-Vinylbiphenyl, 1-Vinylnaphthalin, 2-Vinylnaphthalin, 4-Vinyl-p-terphenyl, 1-Vinylanthracen, o-Isopropenyltoluol, m-Isopropenyltoluol, p-Isopropenyltoluol, 2,4-Dimethyl-α-methylstyrol, 2,3-Dimethyl-α-methylstyrol, 3,5-Dimethyl-α-methylstyrol, p-Isopropyl-α-methylstyrol, α-Ethylstyrol, α-Chlorstyrol, Divinylbenzol, Divinylbiphenyl, Diisopropylbenzol, 4-Aminostyrol, 2,3,4,5,6-Pentafluorstyrol, 2-Trifluormethylstyrol, 3-Trifluormethylstyrol, 4-Trifluormethylstyrol, Acrylnitril, Allylacetat, Allylbenzoat, N-Methyl-N-vinylacetamid, 1-Buten, 1-Penten, 1-Hexen, 1-Octen, Vinylcyclohexan, Vinylchlorid, Allyltrimethylgermanium, Allyltriethylgermanium, Allyltributylgermanium, Trimethylvinylgermanium und Triethylvinylgermanium ein.Examples of the polymerizable monomer to be used as the starting material of the repeating unit represented by formula (5) include styrene, α-methylstyrene, 2,4-dimethyl-α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene , 2,4-dimethylstyrene, 2,5-dimethylstyrene, 2,6-dimethylstyrene, 3,4-dimethylstyrene, 3,5-dimethylstyrene, 2,4,6-trimethylstyrene, 2,4,5-trimethylstyrene, pentamethylstyrene, o Ethylstyrene, m-ethylstyrene, p-ethylstyrene, o-chlorostyrene, m-chlorostyrene, p-chlorostyrene, o-bromostyrene, m-bromostyrene, p-bromostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p-methoxystyrene, o-hydroxystyrene , m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2-vinylbiphenyl, 3-vinylbiphenyl, 4-vinylbiphenyl, 1-vinylnaphthalene, 2-vinylnaphthalene, 4-vinyl-p-terphenyl, 1-vinylanthracene, o-isopropenyltoluene, m-isopropenyltoluene, p Isopropenyltoluene, 2,4-dimethyl-α-methylstyrene, 2,3-dimethyl-α-methylstyrene, 3,5-dimethyl-α-methylstyrene, p-isopropyl-α-methylstyrene, α-ethylstyrene, α-chloro tyrol, divinylbenzene, divinylbiphenyl, diisopropylbenzene, 4-aminostyrene, 2,3,4,5,6-pentafluorostyrene, 2-trifluoromethylstyrene, 3-trifluoromethylstyrene, 4-trifluoromethylstyrene, acrylonitrile, allyl acetate, allyl benzoate, N-methyl-N-vinylacetamide, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, vinylcyclohexane, vinyl chloride, allyltrimethylgermanium, allyltriethylgermanium, allyltributylgermanium, trimethylvinylgermanium and triethylvinylgermanium.

Beispiele für das polymerisierbare Monomer, das als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (6) verwendet werden soll, schließen Methylacrylat, Ethylacrylat, n-Propylacrylat, Isopropylacrylat, n-Butylacrylat, Isobutylacrylat, sec-Butylacrylat, Hexylacrylat, Octylacrylat, 2-Ethylhexylacrylat, Decylacrylat, Isobornylacrylat, Cyclohexylacrylat, Phenylacrylat, Benzilacrylat, N,N-Dimethylacrylamid, N,N-Diethylacrylamid, Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, n-Propylmethacrylat, Isopropylmethacrylat, n-Butylmethacrylat, Isobutylmethacrylat, sec-Butylmethacrylat, Hexylmethacrylat, Octylmethacrylat, 2-Ethylhexylmethacrylat, Decylmethacrylat, Isobornylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Phenylmethacrylat, Benzylmethacrylat, N,N-Dimethylmethacrylamid, N,N-Diethylmethacrylamid, N-Acryloylmorpholin, 2,2,2-Trifluorethylacrylat, 2,2,3,3,3-Pentafluorpropylacrylat, 2-(Perfluorbutyl)ethylacrylat, 3-Perfluorbutyl-2-hydroxypropylacrylat, 2-(Perfluorhexyl)ethylacrylat, 3-Perfluorhexyl-2-hydroxypropylacrylat, 2-(Perfluoroctyl)ethylacrylat, 3-Perfluoroctyl-2-hydroxypropylacrylat, 2-(Perfluordecyl)ethylacrylat, 2-(Perfluor-3-methylbutyl)ethylacrylat, 3-(Perfluor-3-methylbutyl)-2-hydroxypropylacrylat, 2-(Perfluor-5-methylhexyl)ethylacrylat, 2-(Perfluor-3-methy)butyl)-2-hydroxypropylacrylat, 3-(Perfluor-5-methylhexyl)-2-hydroxypropylacrylat, 2-(Perfluor-7-methyloctyl)ethylacrylat, 3-(Perfluor-7-methyloctyl)-2-hydroxypropylacrylat, 1H,1H,3H-Tetrafluorpropylacrylat, 1H,1H,5H-Octafluorpentylacrylat, 1H,1H,7H-Dodecafluorheptylacrylat, 1H,1H,9H-Hexadecafluornonylacrylat, 1H-1-(Trifluormethyl)trifluorethylacrylat, 1H,1H,3H-Hexafluorbutylacrylat, 2,2,2-Trifluorethylmethacrylat, 2,2,3,3,3-Pentafluorpropylmethacrylat, 2-(Perfluorbutyl)ethylmethacrylat, 3-Perfluorbutyl-2-hydroxypropylmethacrylat, 2-(Perfluorhexyl)ethylmethacrylat, 3-Perfluorhexyl-2-hydroxypropylmethacrylat, 2-(Perfluoroctyl)ethylmethacrylat, 3-Perfluoroctyl-2-hydroxypropylmethacrylat, 2-(Perfluordecyl)ethylmethacrylat, 2-(Perfluor-3-methylbutyl)ethylmethacrylat, 3-(Perfluor-3-methylbutyl)-2-hydroxypropylmethacrylat, 2-(Perfluor-5-methylhexyl)ethylmethacrylat, 2-(Perfluor-3-methylbutyl)-2-hydroxypropylmethacrylat, 3-(Perfluor-5-methylhexyl)-2-hydroxypropylmethacrylat, 2-(Perfluor-7-methyloctyl)ethylmethacrylat, 3-(Perfluor-7-methyloctyl)-2-hydroxypropylmethacrylat, 1H,1H,3H-Tetrafluorpropylmethacrylat, 1H,1H,5H-Octafluorpentylmethacrylat, 1H,1H,7H-Dodecafluorheptylmethacrylat, 1H,1H,9H-Hexadecafluornonylmethacrylat, 1H-1-(Trifluormethyl)trifluorethylmethacrylat und 1H,1H,3H-Hexafluorbutylmethacrylat ein.Examples of the polymerizable monomer to be used as the starting material of the repeating unit represented by formula (6) include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, sec-butyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate , Decyl acrylate, isobornyl acrylate, cyclohexyl acrylate, phenyl acrylate, benzil acrylate, N, N-dimethylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, hexyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate , Decyl methacrylate, isobornyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, N, N-dimethylmethacrylamide, N, N-diethylmethacrylamide, N-acryloylmorpholine, 2,2,2-trifluoroethyl acrylate, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl acrylate, 2- Perfluorobutyl) ethyl acrylate, 3-perfluorobutyl-2-hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluorohexyl) ethyl acrylate, 3-P erfluorhexyl 2-hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluorooctyl) ethyl acrylate, 3-perfluorooctyl-2-hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluorodecyl) ethyl acrylate, 2- (perfluoro-3-methylbutyl) ethyl acrylate, 3- (perfluoro-3-methylbutyl) -2 -hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluoro-5-methylhexyl) ethyl acrylate, 2- (perfluoro-3-methyl) butyl) -2-hydroxypropyl acrylate, 3- (perfluoro-5-methylhexyl) -2-hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluoro-7 -methyloctyl) ethyl acrylate, 3- (perfluoro-7-methyloctyl) -2-hydroxypropyl acrylate, 1H, 1H, 3H-tetrafluoropropyl acrylate, 1H, 1H, 5H-octafluoropentyl acrylate, 1H, 1H, 7H-dodecafluoroheptyl acrylate, 1H, 1H, 9H-hexadecafluorononyl acrylate , 1H-1- (trifluoromethyl) trifluoroethyl acrylate, 1H, 1H, 3H-hexafluorobutyl acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl methacrylate, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl methacrylate, 2- (perfluorobutyl) ethyl methacrylate, 3-perfluorobutyl-2 -hydroxypropyl methacrylate, 2- (perfluorohexyl) ethyl methacrylate, 3-perfluorohexyl-2-hydroxypropyl methacrylate, 2- (perfluorooctyl) ethyl methacrylate, 3-perfluorooctyl-2-hydroxypropyl methacrylate, 2- (perfluorodecyl ) ethyl methacrylate, 2- (perfluoro-3-methylbutyl) ethyl methacrylate, 3- (perfluoro-3-methylbutyl) -2-hydroxypropyl methacrylate, 2- (perfluoro-5-methylhexyl) ethyl methacrylate, 2- (perfluoro-3-methylbutyl) -2 -hydroxypropyl methacrylate, 3- (perfluoro-5-methylhexyl) -2-hydroxypropyl methacrylate, 2- (perfluoro-7-methyloctyl) ethyl methacrylate, 3- (perfluoro-7-methyloctyl) -2-hydroxypropyl methacrylate, 1H, 1H, 3H-tetrafluoropropyl methacrylate, 1H, 1H, 5H-octafluoropentyl methacrylate, 1H, 1H, 7H-dodecafluoroheptyl methacrylate, 1H, 1H, 9H-hexadecafluorononyl methacrylate, 1H-1- (trifluoromethyl) trifluoroethyl methacrylate and 1H, 1H, 3H-hexafluorobutyl methacrylate.

Beispiele für den Photopolymerisationsinitiator schließen Carbonylverbindungen, wie Acetophenon, 2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenon, 2,2-Diethoxyacetophenon, 4-Isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenon, 2-Hydroxy-2-methylpropiophenon, 4,4'-Bis(diethylamino)benzophenon, Benzophenon, Methyl(o-benzoyl)benzoat, 1-Phenyl-1,2-propandion-2-(o-ethoxycarbonyl)oxim, 1-Phenyl-1,2-propandion-2-(o-benzoyl)oxim, Benzoin, Benzoinmethylether, Benzoinethylether, Benzoinisopropylether, Benzoinisobutylether, Benzoinoctylether, Benzil, Benzyldimethylketal, Benzyldiethylketal und Diacetyl, Derivate von Anthrachinon oder Thioxanthon, wie Methylanthrachinon, Chloranthrachinon, Chlorthioxanthon, 2-Methylthioxanthon und 2-Isopropylthioxanthon, und Schwefelverbindungen, wie Diphenyldisulfid und Dithiocarbamat, ein.Examples of the photopolymerization initiator include carbonyl compounds such as acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 4-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 4,4 ' Bis (diethylamino) benzophenone, benzophenone, methyl (o-benzoyl) benzoate, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o -ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o benzoyl) oxime, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin octyl ether, benzil, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal and diacetyl, derivatives of anthraquinone or thioxanthone such as methylanthraquinone, chloroanthraquinone, chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone and 2-isopropylthioxanthone, and sulfur compounds such as Diphenyl disulfide and dithiocarbamate, a.

Der thermische Polymerisationsinitiator kann jede beliebige Substanz sein, die als ein Initiator für radikalische Polymerisation dienen kann, und Beispiele dafür schließen Verbindungen vom Azo-Typ, wie 2,2'-Azobisisobutyronitril, 2,2'-Azobisisovaleronitril, 2,2'-Azobis(2,4-dimethylvaleronitril), 4,4'-Azobis(4-cyanovaleriansäure), 1,1'-Azobis(cyclohexancarbonitril), 2,2'-Azobis(2-methylpropan) und 2,2'-Azobis(2-methylpropionamidin)dihydrochlorid, Ketonperoxide, wie Methylethylketonperoxid, Methylisobutylketonperoxid, Cyclohexanonperoxid und Acetylacetonperoxid, Diacylperoxide, wie Isobutylperoxid, Benzoylperoxid, 2,4-Dichlorbenzoylperoxid, o-Methylbenzoylperoxid, Lauroylperoxid und p-Chlorbenzoylperoxid, Hydroperoxide, wie 2,4,4-Trimethylpentyl-2-hydroperoxid, Diisopropylbenzolperoxid, Cumolhydroperoxid und tert-Butylperoxid, Dialkylperoxide, wie Dicumylperoxid, tert-Butylcumylperoxid, Di-tert-butylperoxid und Tris(tert-butylperoxy)triazin, Peroxyketale, wie 1,1-Di-tert-butylperoxycyclohexan und 2,2-Di(tert-butylperoxy)butan, Alkylperoxyester, wie tert-Butylperoxypivalat, tert-Butylperoxy-2-ethylhexanoat, tert-Butylperoxyisobutylat, Di-tert-butylperoxyhexahydroterephthalat, Di-tert-butylperoxyazelat, tert-Butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoat, tert-Butylperoxyacetat, tert-Butylperoxybenzoat und Di-tert-butylperoxytrimethyladipat, und Peroxycarbonate, wie Diisopropylperoxydicarbonat, Di-sec-butylperoxydicarbonat und tert-Butylperoxyisopropylcarbonat, ein.The thermal polymerization initiator may be any substance capable of serving as a radical polymerization initiator, and examples thereof include azo type compounds such as 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobisisovaleronitrile, 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), 1,1'-azobis (cyclohexanecarbonitrile), 2,2'-azobis (2-methylpropane) and 2,2'-azobis (2 -methylpropionamidine) dihydrochloride, ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide and acetylacetone peroxide, diacyl peroxides such as isobutyl peroxide, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, o-methylbenzoyl peroxide, lauroyl peroxide and p-chlorobenzoyl peroxide, hydroperoxides such as 2,4,4-trimethylpentyl 2-hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, cumene hydroperoxide and tert-butyl peroxide, dialkyl peroxides such as dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide and tris (tert-butylperoxy) triazine, peroxyketals such as 1,1-di-tert-butylperoxy yclohexane and 2,2-di (tert-butylperoxy) butane, alkyl peroxyesters, such as tert-butyl peroxypivalate, tert-butyl peroxy-2-ethylhexanoate, tert-butyl peroxyisobutylate, di-tert-butylperoxyhexahydroterephthalate, di-tert-butylperoxyazelate, tert-butylperoxy-3 , 5,5-trimethylhexanoate, tert-butyl peroxyacetate, tert-butyl peroxybenzoate and di-tert-butylperoxytrimethyl adipate, and peroxycarbonates such as diisopropyl peroxydicarbonate, di-sec-butyl peroxydicarbonate and tert-butyl peroxyisopropyl carbonate.

Die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, weist vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 3000 bis 1000000, stärker bevorzugt 5000 bis 500000 auf und sie kann in einer linearen Form, einer verzweigten Form oder einer cyclischen Form vorliegen.The macromolecular compound to be used for the present invention preferably has a weight average molecular weight of 3,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 500,000, and may be in a linear form, a branched form or a cyclic form.

Die molare einzusetzende Menge des polymerisierbaren Monomers, das einen Rest aufweist, der einen aktiven Wasserstoff enthält, und als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und Formel (2) dient, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, beträgt 1 mol% bis 95 mol%, stärker bevorzugt 5 mol% bis 80 mol% und noch stärker bevorzugt 10 mol% bis 70 mol%, bezogen auf die Gesamtsumme aller Monomeren, die für die Polymerisation verwendet werden sollen. Wenn die einzusetzende molare Menge des polymerisierbaren Monomers, das einen Rest aufweist, der einen aktiven Wasserstoff enthält, und als Ausgangsmaterial für die Wiederholungseinheit dargestellt durch Formel (1) und Formel (2) dient, weniger als 1 mol% beträgt, kann keine ausreichende Lösungsmittelbeständigkeit erhalten werden, und wenn sie größer als 95 mol% ist, kann die Lagerstabilität schlecht werden.The molar amount of the polymerizable monomer having a radical containing an active hydrogen and serving as a starting material for the repeating unit represented by formula (1) and formula (2) to be used for the present invention is 1 mol from% to 95 mol%, more preferably from 5 mol% to 80 mol%, and even more preferably from 10 mol% to 70 mol%, based on the sum total of all the monomers to be used for the polymerization. When the molar amount of the polymerizable monomer having a radical containing an active hydrogen and serving as the starting material for the repeating unit represented by formula (1) and formula (2) to be employed is less than 1 mol%, sufficient solvent resistance can not be obtained can be obtained, and if it is greater than 95 mol%, the storage stability can be poor.

Beispiele für die makromolekulare Verbindung, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, schließen Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonylamino]-styrol]), Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-acrylnitril-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonylamino]-styrol]}, Poly{vinylbenzoat-co-pentafluorstyrol-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonylamino]-styrol]}, Poly{vinylbenzoat-co-pentafluorstyrol-co-acrylnitril-co-[4-[(2-methacryloyloxyethyl)aminocarbonylamino]-styrol]}, Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-methylmethacrylat-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonylamino]-styrol]}, Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonyloxy]-styrol]}, Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-acrylnitril-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonyloxy]-styrol]), Poly{vinylbenzoat-co-pentafluorstyrol-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonyloxy]-styrol]), Poly{vinylbenzoat-co-pentafluorstyrol-co-acrylnitril-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonyloxy]-styrol]} und Poly{styrol-co-pentafluorstyrol-co-methylmethacrylat-co-[4-[(2'-methacryloyloxyethyl)aminocarbonyloxy]-styrol]} ein.Examples of the macromolecular compound to be used for the present invention include poly {styrene-co-pentafluorostyrene-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonylamino] -styrene], poly {styrene-co-pentafluorostyrene -co-acrylonitrile-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonylamino] -styrene]}, poly {vinylbenzoate-co-pentafluorostyrene-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonylamino] -styrene]} , Poly {vinyl benzoate-co-pentafluorostyrene-co-acrylonitrile-co- [4 - [(2-methacryloyloxyethyl) aminocarbonylamino] styrene]}, poly {styrene-co-pentafluorostyrene-co-methyl methacrylate-co- [4 - [( 2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonylamino] -styrene]}, poly {styrene-co-pentafluorostyrene-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonyloxy] -styrene]}, poly {styrene-co-pentafluorostyrene-co-acrylonitrile -co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonyloxy] styrene]), poly {vinyl benzoate-co-pentafluorostyrene-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonyloxy] styrene]), poly {vinyl benzoate -co-pentafluoro styrene-co-acrylonitrile-co - [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonyloxy] styrene]} and poly {styrene-co-pentafluorostyrene-co-methyl methacrylate-co- [4 - [(2'-methacryloyloxyethyl) aminocarbonyloxy] styrene]}.

Härtungsmittel (B)Hardening agent (B)

Das Härtungsmittel (B), das für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, schließt organische Azoverbindungen und organische Peroxide ein.The curing agent (B) to be used for the present invention includes organic azo compounds and organic peroxides.

Beispiele für die organischen Diazoverbindungen schließen 2,2'-Azobisisobutyronitril, 2,2'-Azobisisovaleronitril, 2,2'-Azobis(2,4-dimethylvaleronitril), 4,4'-Azobis(4-cyanovaleriansäure), 1,1'-Azobis(cyclohexancarbonitril), 2,2'-Azobis(2-methylpropan) und 2,2'-Azobis(2-methylpropionamidin)dihydrochlorid und Azobisisobutyronitril ein. Examples of the organic diazo compounds include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobisisovaleronitrile, 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), 1,1 ' Azobis (cyclohexanecarbonitrile), 2,2'-azobis (2-methylpropane) and 2,2'-azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride and azobisisobutyronitrile.

Beispiele für die organischen Peroxide schließen Ketonperoxide, wie Methylethylketonperoxid, Methylisobutylketonperoxid, Cyclohexanonperoxid und Acetylacetonperoxid, Diacylperoxide, wie Isobutylperoxid, Benzoylperoxid, 2,4-Dichlorbenzoylperoxid, o-Methylbenzoylperoxid, Lauroylperoxid und p-Chlorbenzoylperoxid, Hydroperoxide, wie 2,4,4-Trimethylpentyl-2-hydroperoxid, Diisopropylbenzolperoxid, Cumolhydroperoxid und tert-Butylperoxid, Dialkylperoxide, wie Dicumylperoxid, tert-Butylcumylperoxid, Di-tert-butylperoxid und Tris(tert-butylperoxid)triazin, Peroxyketale, wie 1,1-Di-tert-butylperoxycyclohexan und 2,2-Di(tert-butylperoxid)butan, Alkylperester, wie tert-Butylperoxyperpivalat, tert-Butylperoxy-2-ethylhexanoat, tert-Butylperoxyisobutylat, Di-tert-butylperoxyhexahydroterephthalat, Di-tert-butylperoxyazelat, tert-Butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoat, tert-Butylperoxyacetat, tert-Butylperoxybenzoat und Di-tert-butylperoxytrimethyladipat, und Peroxycarbonate, wie Diisopropylperoxydicarbonat, Di-sec-butylperoxydicarbonat, tert-Amylperoxyisopropylcarbonat und tert-Butylperoxyisopropylcarbonat, ein.Examples of the organic peroxides include ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide and acetyl acetone peroxide, diacyl peroxides such as isobutyl peroxide, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, o-methylbenzoyl peroxide, lauroyl peroxide and p-chlorobenzoyl peroxide, hydroperoxides such as 2,4,4-trimethylpentyl 2-hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, cumene hydroperoxide and tert-butyl peroxide, dialkyl peroxides such as dicumyl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide and tris (tert-butyl peroxide) triazine, peroxyketals such as 1,1-di-tert-butylperoxycyclohexane and 2 , 2-di (tert-butyl peroxide) butane, alkyl peresters, such as tert-butyl peroxyperpivalate, tert-butyl peroxy-2-ethylhexanoate, tert-butyl peroxyisobutylate, di-tert-butylperoxyhexahydroterephthalate, di-tert-butylperoxyazelate, tert-butylperoxy-3,5, 5-trimethylhexanoate, tert-butylperoxyacetate, tert-butylperoxybenzoate and di-tert-butylperoxytrimethyladipate, and peroxycarbonates such as diisopropylperoxydicarb onat, di-sec-butyl peroxy dicarbonate, tert-amyl peroxy isopropyl carbonate and tert-butyl peroxy isopropyl carbonate.

Das Härtungsmittel, das für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, weist vorzugsweise eine Temperatur für eine Halbwertszeit von 10 Stunden von 30°C bis 200°C, stärker bevorzugt eine Temperatur für eine Halbwertszeit von 10 Stunden von 40°C bis 150°C und noch starker bevorzugt eine Temperatur für eine Halbwertszeit von 10 Stunden von 40°C bis 100°C auf.The curing agent to be used for the present invention preferably has a temperature for a half life of 10 hours from 30 ° C to 200 ° C, more preferably a temperature for a half life of 10 hours from 40 ° C to 150 ° C and even more preferably a temperature for a half-life of 10 hours from 40 ° C to 100 ° C on.

Wenn die Temperatur für eine Halbwertszeit von 10 Stunden niedriger als 30°C ist, kann die Lagerstabilität schlecht werden und Gelbildung kann eintreten, und wenn sie höher als 200°C ist, kann ein nachteiliger Einfluss auf eine organische Halbleiterverbindung zum Zeitpunkt des Härtens ausgeübt werden.When the temperature is lower than 30 ° C for a half-life of 10 hours, the storage stability may become poor and gelation may occur, and if it is higher than 200 ° C, an adverse influence on an organic semiconductor compound may be exerted at the time of hardening ,

Organisches Lösungsmittel (C)Organic solvent (C)

Das organische Lösungsmittel, das für die vorliegende Erfindung verwendet werden soll, weist keine besondere Begrenzung auf, solange es ein gutes Lösungsmittel für die vorstehend erwähnte makromolekulare Verbindung (A), die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (1) und Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (2), einschließt, und für das Härtungsmittel (B) ist und es ein schlechtes Lösungsmittel für eine organische Halbleiterverbindung ist. Beispiele dafür schließen Butylacetat, 2-Heptanon und Propylenglykolmonomethyletheracetat ein.The organic solvent to be used for the present invention has no particular limitation as long as it is a good solvent for the above-mentioned macromolecular compound (A) containing at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units Formula (1) and repeating units represented by formula (2), and for the curing agent is (B) and it is a poor solvent for an organic semiconductor compound. Examples thereof include butyl acetate, 2-heptanone and propylene glycol monomethyl ether acetate.

In der Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung beträgt das Gewicht des organischen Lösungsmittels vorzugsweise 50 bis 1000 Gewichtsteile, wenn die Gesamtsumme aus dem Gewicht der makromolekularen Verbindung, die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (1) und Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (2), einschließt, und dem Gewicht des Härtungsmittels 100 Gewichtsteile beträgt.In the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention, the weight of the organic solvent is preferably 50 to 1000 parts by weight when the total of the weight of the macromolecular compound, the at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (1) and repeating units represented by formula (2), and the weight of the curing agent is 100 parts by weight.

Das Gewicht des Härtungsmittels beträgt vorzugsweise 0,1 bis 10 Gewichtsteile, wenn der Gewichtsteil der makromolekularen Verbindung, die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (1) und Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (2), einschließt, 100 Gewichtsteile beträgt.The weight of the curing agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight when the weight part of the macromolecular compound including at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (1) and repeating units represented by formula (2) , 100 parts by weight.

Zu der Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung kann, falls erforderlich, ein Vernetzungsmittel, ein Egalisiermittel, ein Surfactant und so weiter gegeben werden.To the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention, if necessary, a crosslinking agent, a leveling agent, a surfactant and so on may be added.

Beispiele für das Vernetzungsmittel schließen niedermolekulare Verbindungen mit zwei oder mehr ungesättigten Doppelbindungen in ihren Molekülen und Vernetzungsmittel für acrylische Harze ein.Examples of the crosslinking agent include low-molecular compounds having two or more unsaturated double bonds in their molecules and crosslinking agents for acrylic resins.

Beispiele für die niedermolekularen Verbindungen mit zwei oder mehreren ungesättigten Doppelbindungen in ihren Molekülen schließen Divinylbenzol und Trimethylolpropantrimethacrylat ein.Examples of the low molecular weight compounds having two or more unsaturated double bonds in their molecules include divinylbenzene and trimethylolpropane trimethacrylate.

Beispiele für das Vernetzungsmittel für acrylische Harze schließen Dicumylperoxid und 4,4-Di-tert-butylperoxy-n-butylvalerat ein.Examples of the crosslinking agent for acrylic resins include dicumyl peroxide and 4,4-di-tert-butylperoxy-n-butyl valerate.

Organischer Dünnschichttransistor Organic thin film transistor

1 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die Struktur eines organischen Dünnschichttransistors vom Typ mit unten liegendem Gate veranschaulicht, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist. Dieser organische Dünnschichttransistor weist ein Substrat 1, ein Gate-Elektrode 2, die auf dem Substrat 1 erzeugt wurde, eine Isolierschicht für das Gate 3, die auf der Gate-Elektrode 2 erzeugt wurde, eine organische Halbleiterschicht 4, die auf der Isolierschicht für das Gate 3 erzeugt wurde, eine Source-Elektrode 5 und eine Drain-Elektrode 6, die quer über einen Kanalteil auf der organischen Halbleiterschicht 4 erzeugt wurden, und einen Überzug 7, der den gesamten Körper der Vorrichtung bedeckt, auf. 1 Fig. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of a bottom gate type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention. This organic thin film transistor has a substrate 1 , a gate electrode 2 that on the substrate 1 was generated, an insulating layer for the gate 3 on the gate electrode 2 was generated, an organic semiconductor layer 4 on the insulating layer for the gate 3 was generated, a source electrode 5 and a drain electrode 6 passing across a channel portion on the organic semiconductor layer 4 produced and a coating 7 covering the entire body of the device.

Eine Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des vorstehend beschriebenen organischen Dünnschichttransistors umfasst (i) einen Schritt des Erzeugens einer Gate-Elektrode auf einem Substrat, (ii) einen Schritt des Erzeugens einer Isolierschicht für das Gate auf der Gate-Elektrode, (iii) einen Schritt des Erzeugens einer organischen Halbleiterschicht auf der Isolierschicht für das Gate, (iv) einen Schritt des Erzeugens einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode auf der organischen Halbleiterschicht und (v) einen Schritt des Erzeugens einer Überzugsschicht, so dass die Vorrichtung vollständig bedeckt sein kann. Mindestens eine aus der Isolierschicht für das Gate, die in Schritt (ii) erzeugt werden soll, und der Überzugsschicht, die in Schritt (v) erzeugt werden soll, wird durch Auftragen, Trocknen und Härten einer Harzlösung erzeugt, welche die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung enthält.An embodiment of the method of manufacturing the organic thin film transistor described above comprises (i) a step of forming a gate electrode on a substrate, (ii) a step of forming a gate insulating layer on the gate electrode, (iii) a step the step of forming a source electrode and a drain electrode on the organic semiconductor layer, and (v) a step of forming a coating layer so that the device is completely covered can. At least one of the insulating layer for the gate to be formed in step (ii) and the coating layer to be formed in step (v) is formed by coating, drying and curing a resin solution containing the resin composition for the insulating layer an organic thin film transistor of the present invention.

Beispiele für das Material der Gate-Elektrode, die in Schritt (i) erzeugt werden soll, schließen Chrom, Gold, Silber und Aluminium ein. Die Gate-Elektrode kann mit einem herkömmlichen Verfahren erzeugt werden, wie ein Vakuumabscheidungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Druckverfahren und ein Tintenstrahlverfahren.Examples of the material of the gate electrode to be produced in step (i) include chromium, gold, silver and aluminum. The gate electrode may be formed by a conventional method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a printing method, and an inkjet method.

Wenn eine Harzlösung, welche die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung enthält, als eine Isolierschicht für das Gate in Schritt (ii) erzeugt wird, ist das organische Lösungsmittel, das in der Harzlösung enthalten ist, nicht besonders begrenzt, solange es die Harzzusammensetzung, die verwendet werden soll, auflösen kann, und es ist vorzugsweise dasjenige, das einen Siedepunkt unter Normaldruck von 100°C bis 200°C aufweist. Beispiele für das organische Lösungsmittel schließen 2-Heptanon und Propylenglykolmonomethyletheracetat ein.When a resin solution containing the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention is formed as an insulating layer for the gate in step (ii), the organic solvent contained in the resin solution is not particularly limited as long as it is the resin composition to be used can dissolve, and it is preferably that having a boiling point under normal pressure of 100 ° C to 200 ° C. Examples of the organic solvent include 2-heptanone and propylene glycol monomethyl ether acetate.

Zu der Harzlösung kann, falls erforderlich, ein Egalisiermittel, ein Härtungskatalysator und so weiter gegeben werden. Die Auftragungsflüssigkeit für die Isolierschicht für das Gate kann auf die Gate-Elektrode mit herkömmlicher Schleuderbeschichtung, einem Düsenbeschichter, Siebdruck, Tintenstrahl oder dergleichen aufgetragen werden.To the resin solution, if necessary, a leveling agent, a curing catalyst and so forth may be added. The coating liquid for the gate insulating layer may be applied to the gate electrode by conventional spin coating, die coating, screen printing, ink jet or the like.

Auf der Isolierschicht für das Gate kann auch eine Schicht aus einem selbstorganisierenden monomolekularen Film gebildet werden. Die Schicht aus einem selbstorganisierenden monomolekularen Film kann beispielsweise durch Behandeln der Isolierschicht für das Gate mit einer Lösung erzeugt werden, in der 1 bis 10 Gew.-% einer Alkylchlorsilanverbindung oder einer Alkylalkoxysilanverbindung in einem organischen Lösungsmittel gelöst worden ist.On the insulating layer for the gate, a layer of a self-assembling monomolecular film may also be formed. The self-assembling monomolecular film layer may be formed, for example, by treating the insulating layer for the gate with a solution in which 1 to 10% by weight of an alkylchlorosilane compound or an alkylalkoxysilane compound has been dissolved in an organic solvent.

Beispiele für die Alkylchlorsilanverbindung schließen Methyltrichlorsilan, Ethyltrichlorsilan, Butyltrichlorsilan, Decyltrichlorsilan und Octadecyltrichlorsilan ein.Examples of the alkylchlorosilane compound include methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, butyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane and octadecyltrichlorosilane.

Beispiele für die Alkylalkoxysilanverbindung schließen Methyltrimethoxysilan, Ethyltrimethoxysilan, Butyltrimethoxysilan, Decyltrimethoxysilan und Octadecyltrimethoxysilan ein.Examples of the alkylalkoxysilane compound include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, butyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane and octadecyltrimethoxysilane.

Die Erzeugung der organischen Halbleiterschicht in Schritt (iii) wird üblicherweise durch Auftragen und Trocknen einer organischen Halbleiterbeschichtungslösung durchgeführt, die durch Auflösen einer organischen Halbleiterverbindung in einem organischen Lösungsmittel hergestellt wurde. Das organische Lösungsmittel, das für die organische Halbleiterbeschichtungslösung verwendet werden soll, ist nicht besonders begrenzt, solange es die organische Halbleiterverbindung auflösen kann, und es ist vorzugsweise dasjenige, das einen Siedepunkt unter Normaldruck von 50°C bis 200°C aufweist. Beispiele für das organische Lösungsmittel schließen Chloroform, Toluol, Anisol, 2-Heptanon und Propylenglykolmonomethyletheracetat ein. Wie die vorstehend erwähnte Beschichtungslösung für die Isolierschicht für das Gate kann die organische Halbleiterbeschichtungslösung auf die Isolierschicht für das Gate mit herkömmlicher Schleuderbeschichtung, einem Düsenbeschichter, Siebdruck, Tintenstrahl oder dergleichen aufgetragen werden.The formation of the organic semiconductor layer in step (iii) is usually carried out by applying and drying an organic semiconductor coating solution prepared by dissolving an organic semiconductor compound in an organic solvent. The organic solvent to be used for the organic semiconductor coating solution is not particularly limited as long as it can dissolve the organic semiconductor compound, and it is preferably that having a boiling point under normal pressure of 50 ° C to 200 ° C. Examples of the organic solvent include chloroform, toluene, anisole, 2-heptanone and propylene glycol monomethyl ether acetate. Like the above-mentioned coating solution for the gate insulating layer, the organic semiconductor coating solution may be applied to the gate insulating layer by conventional spin coating, die coating, screen printing, ink jet or the like.

Beispiele für das Material für die Source-Elektrode, die gebildet werden soll, und das Material für die Drain-Elektrode, die in Schritt (iv) gebildet werden soll, schließen Chrom, Gold, Silber und Aluminium ein. Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode können mit demselben Verfahren wie dasjenige für die vorstehend beschriebene Gate-Elektrode erzeugt werden. Examples of the material for the source electrode to be formed and the material for the drain electrode to be formed in step (iv) include chromium, gold, silver and aluminum. The source electrode and the drain electrode can be formed by the same method as that for the above-described gate electrode.

Wenn eine Harzlösung, welche die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung enthält, als eine Überzugsschicht in Schritt (v) gebildet wird, kann die Harzlösung auf die organische Halbleiterschicht mit herkömmlicher Schleuderbeschichtung, einem Düsenbeschichter, Siebdruck, Tintenstrahl oder dergleichen aufgetragen werden, wie im Fall der Erzeugung der vorstehend erwähnten Isolierschicht für das Gate. Die Härtungstemperatur beträgt vorzugsweise 50°C bis 250°C, stärker bevorzugt 60°C bis 230°C und noch stärker bevorzugt 80°C bis 200°C. Die Härtungsdauer kann in passender Weise in Abhängigkeit von der Härtungstemperatur gewählt werden. Falls die Härtungstemperatur niedriger als 50°C ist, kann das Härten unzureichend werden, wohingegen falls sie höher als 250°C ist, sich die makromolekulare Verbindung thermisch zersetzen kann.When a resin solution containing the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention is formed as a coating layer in step (v), the resin solution may be applied to the organic semiconductor layer by conventional spin coating, die coating, screen printing, ink jet or the like as in the case of forming the above-mentioned insulating layer for the gate. The curing temperature is preferably 50 ° C to 250 ° C, more preferably 60 ° C to 230 ° C, and even more preferably 80 ° C to 200 ° C. The curing time can be suitably selected depending on the curing temperature. If the curing temperature is lower than 50 ° C, the curing may become insufficient, whereas if it is higher than 250 ° C, the macromolecular compound may thermally decompose.

Für das Härtungsverfahren kann eine herkömmliche Heizplatte, ein Ofen, ein Fern-Infrarot-Brennofen oder dergleichen verwendet werden. Die Atmosphäre, die nicht besonders begrenzt ist, kann Luft oder eine Atmosphäre aus inertem Gas sein und ist vorzugsweise eine Atmosphäre aus inertem Gas.For the curing process, a conventional hot plate, oven, far-infrared kiln or the like may be used. The atmosphere, which is not particularly limited, may be air or an atmosphere of inert gas and is preferably an atmosphere of inert gas.

2 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die Struktur eines organischen Dünnschichttransistors vom Typ mit oben liegendem Gate veranschaulicht, der eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist. Dieser organische Dünnschichttransistor weist ein Substrat 1, eine Source-Elektrode 5 und eine Drain-Elektrode 6, die auf dem Substrat 1 erzeugt wurden, eine organische Halbleiterschicht 4, die mit einem Kanalteil, der sandwichartig angeordnet auf diesen Elektroden erzeugt wurde, eine Isolierschicht für das Gate 3, die auf der organischen Halbleiterschicht 4 erzeugt wurde und vollständig die Vorrichtung bedeckt, und eine Gate-Elektrode 2, die auf der Oberfläche der Isolierschicht für das Gate 3 erzeugt wurde, auf. 2 Fig. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of a top gate type organic thin film transistor which is another embodiment of the present invention. This organic thin film transistor has a substrate 1 , a source electrode 5 and a drain electrode 6 that on the substrate 1 were generated, an organic semiconductor layer 4 provided with a channel portion sandwiched on these electrodes, an insulating layer for the gate 3 on the organic semiconductor layer 4 was generated and completely covers the device, and a gate electrode 2 placed on the surface of the insulating layer for the gate 3 was created on.

Eine Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung der vorstehend erwähnten organischen Dünnschichttransistors umfasst (a) einen Schritt des Erzeugens der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode auf dem Substrat, (b) einen Schritt des Erzeugen der organischen Halbleiterschicht auf der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode, (c) einen Schritt des Erzeugens der Isolierschicht für das Gate auf der organischen Halbleiterschicht und (d) einen Schritt des Erzeugens der Gate-Elektrode auf der Isolierschicht für das Gate. Die Isolierschicht für das Gate, die in Schritt (d) erzeugt werden soll, wird durch Auftragen, Trocknen und Härten einer Harzlösung erzeugt, welche die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung enthält.An embodiment of the method of manufacturing the above-mentioned organic thin film transistor comprises (a) a step of forming the source electrode and the drain electrode on the substrate, (b) a step of forming the organic semiconductor layer on the source electrode and the drain Electrode, (c) a step of forming the insulating layer for the gate on the organic semiconductor layer, and (d) a step of forming the gate electrode on the insulating layer for the gate. The insulating layer for the gate to be formed in step (d) is formed by coating, drying and curing a resin solution containing the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention.

Beispiele für das Material einer Source-Elektrode, das Verfahren zum Erzeugen einer Source-Elektrode, das Material einer Drain-Elektrode, das Verfahren zum Erzeugen einer Drain-Elektrode, das Material einer Gate-Elektrode, das Verfahren zum Erzeugen einer Gate-Elektrode, das organische Lösungsmittel, das für eine organische Halbleiterbeschichtungslösung verwendet werden soll, das Verfahren zum Erzeugen einer organischen Halbleiterschicht, das Verfahren zum Auftragen einer Beschichtungslösung für die Isolierschicht, welche eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors enthält, die Temperatur, die Dauer und das Verfahren zum Härten der Beschichtungslösung für die Isolierschicht sind dieselben Materialien und Verfahren wie diejenigen, die zuvor beschrieben wurden.Examples of the material of a source electrode, the method of generating a source electrode, the material of a drain electrode, the method of generating a drain electrode, the material of a gate electrode, the method of generating a gate electrode, the organic solvent to be used for an organic semiconductor coating solution, the method for producing an organic semiconductor layer, the method for applying a coating solution for the insulating layer containing a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor, the temperature, the duration and the method for curing the coating solution for the insulating layer are the same materials and methods as those described above.

Auf der Isolierschicht, die unter Verwendung der Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, kann eine ebene Schicht und dergleichen erzeugt werden, und dadurch ist es möglich, auf einfache Weise eine Schichtstruktur zu erzeugen. Darüber hinaus kann eine organische elektrolumineszierende Vorrichtung in geeigneter Weise auf der Isolierschicht angebracht werden.On the insulating layer formed by using the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor of the present invention, a planar layer and the like can be formed, and thereby it is possible to easily form a layered structure. In addition, an organic electroluminescent device may be appropriately mounted on the insulating layer.

Durch die Verwendung des organischen Dünnschichttransistors der vorliegenden Erfindung kann ein Element für Anzeigen, das einen organischen Dünnschichttransistor aufweist, in geeigneter Weise hergestellt werden. Durch die Verwendung des Elements für Anzeigen, das einen organischen Dünnschichttransistor aufweist, kann eine Anzeige, die ein Element für Anzeigen aufweist, in geeigneter Weise hergestellt werden.By the use of the organic thin film transistor of the present invention, an element for displays comprising an organic thin film transistor can be suitably manufactured. By using the element for display having an organic thin film transistor, a display having an element for display can be suitably manufactured.

BEISPIELEEXAMPLES

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend ausführlicher mittels Beispielen beschrieben, aber es muss nicht erwähnt werden, dass die Erfindung nicht durch die Beispiele begrenzt ist.The present invention will be described below in more detail by way of examples, but it goes without saying that the invention is not limited by the examples.

<Synthesebeispiel 1> <Synthesis Example 1>

In einen druckfesten 125-ml-Behälter (hergestellt von ACE) wurden 8,47 g Vinylbenzoat (hergestellt von Aldrich), 6,16 g 2-Trifluormethylstyrol (hergestellt von Aldrich), 6,16 g 4-Trifluormethylstyrol (hergestellt von Aldrich), 1,70 g 4-Aminostyral (hergestellt von Aldrich), 0,22 g of 2,2'-Azobis(isobutyronitril) und 52,93 g 2-Heptanon (hergestellt von Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) eingefüllt, gefolgt von Durchperlen mit Stickstoff. Dann wurde der Behälter fest verschlossen, gefolgt von Polymerisation, die 48 Stunden lang in einem Ölbad bei 60°C durchgeführt wurde, so dass eine viskose Lösung erhalten wurde.Into a pressure-proof 125 ml container (manufactured by ACE) were added 8.47 g of vinyl benzoate (manufactured by Aldrich), 6.16 g of 2-trifluoromethylstyrene (mfd. By Aldrich), 6.16 g of 4-trifluoromethylstyrene (mfd. By Aldrich). , 1.70 g of 4-aminostyral (manufactured by Aldrich), 0.22 g of 2,2'-azobis (isobutyronitrile) and 52.93 g of 2-heptanone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were charged of bubbling with nitrogen. Then, the container was tightly sealed, followed by polymerization, which was carried out in an oil bath at 60 ° C for 48 hours to obtain a viscous solution.

Zu der resultierenden viskosen Lösung wurden 2,21 g 2-Methacryloyloxyethylisocyanat (Karenz MOI, hergestellt von Showa Denko K. K.) gegeben, gefolgt von einer Umsetzung, die 24 Stunden lang bei Zimmertemperatur durchgeführt wurde, so dass eine 2-Heptanonlösung der makromolekularen Verbindung 1 erhalten wurde.To the resulting viscous solution was added 2.21 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Karenz MOI, made by Showa Denko KK), followed by a reaction carried out at room temperature for 24 hours to obtain a 2-heptanone solution of the macromolecular compound 1 has been.

Die makromolekulare Verbindung 1 weist die Wiederholungseinheiten dargestellt durch Formel (A) bis Formel (D) auf. [Chem 8]

Figure 00230001
The macromolecular compound 1 has the repeating units represented by formula (A) to formula (D). [Chem 8]
Figure 00230001

Das Gewichtsmittel des Molekulargewichts, das unter Verwendung von Standard-Polystyrolen bestimmt wurde, der erhaltenen makromolekularen Verbindung 1 betrug 19000 (GPC, hergestellt von Shimadzu, ein Tskgel super HM-H 1 und ein Tskgel super H2000, mobile Phase = THF).The weight-average molecular weight determined by using standard polystyrenes of the obtained macromolecular compound 1 was 19,000 (GPC, manufactured by Shimadzu, Tskgel super HM-H 1 and Tskgel super H2000, mobile phase = THF).

<Beispiel 1><Example 1>

(Herstellung einer Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors)(Preparation of a resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor)

In einen 10-ml-Probenkolben wurden 3,00 g einer 2-Heptanonlösung der makromolekularen Verbindung 1 und 0,036 g tert-Amylperoxyisopropylcarbonat (AIC-75, hergestellt von Kayaku Akzo Corporation) gefüllt, welche zur Auflösung gerührt wurden, so dass eine homogene Beschichtungslösung hergestellt wurde.Into a 10 ml sample flask was charged 3.00 g of a 2-heptanone solution of the macromolecular compound 1 and 0.036 g of tert-amyl peroxyisopropyl carbonate (AIC-75, manufactured by Kayaku Akzo Corporation), which were stirred for dissolution to give a homogeneous coating solution was produced.

Die resultierende Beschichtungslösung wurde durch einen Membranfilter mit einer Porengröße von 0,2 μm filtriert, so dass eine Beschichtungslösung der makromolekularen Verbindung 1 hergestellt wurde.The resulting coating solution was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm so that a coating solution of the macromolecular compound 1 was prepared.

(Herstellung eines organischen Dünnschichttransistors vom elektrischen Feldeffekt-Typ)(Production of Electric Field Effect Type Organic Thin Film Transistor)

F8T2 (ein Copolymer aus 9,9-Dioctylfluoren:Bithiophen 50:50 (Molverhältnis); Polystyrol-äquivalentes Gewichtsmittel des Molekulargewichts = 69.000) wurde in Chloroform, einem Lösungsmittel, gelöst, um eine Lösung mit einer Konzentration Von 0,5 Gew.-% (organische Halbleiterzusammensetzung) herzustellen, die dann durch einen Membranfilter filtriert wurde, so dass eine Beschichtungsflüssigkeit für einen organischen Halbleiter hergestellt wurde.F8T2 (a copolymer of 9,9-dioctylfluorene: bithiophene 50:50 (molar ratio), polystyrene equivalent weight average molecular weight = 69,000) was dissolved in chloroform, a solvent, to obtain a solution having a concentration of 0.5% by weight. % (organic semiconductor composition), the was then filtered through a membrane filter, so that a coating liquid for an organic semiconductor was prepared.

Eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode (jeweils mit einer Schichtstruktur, zusammengesetzt aus Chrom und Gold in der Reihenfolge, wenn von einer Isolierschicht her betrachtet) jeweils mit einer Kanallänge von 20 μm und einer Kanalbreite von 2 mm wurden durch Vakuumabscheidung unter Verwendung einer Metallmaske auf einem Siliciumkristallsubstrat vom n-Typ erzeugt, bei dem es sich um eine Gate-Elektrode mit einem thermisch oxidierten Film aus SiO2 in einer Dicke von 300 nm (hergestellt von Advantech Co., Ltd., spezifischer Widerstand < 0,1 Ω) handelte. Nachfolgend wurde die Beschichtungslösung für einen organischen Halbleiter durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren auf das Substrat mit den Elektroden aufgetragen, gefolgt von 10 Minuten lang Einbrennen bei 100°C, so dass eine aktive Schicht mit einer Dicke von etwa 60 nm erzeugt wurde, und dadurch wurde ein Transistor vom Typ mit unten liegendem Gate und unten liegendem Kontakt hergestellt.A source electrode and a drain electrode (each having a layer structure composed of chromium and gold in the order when viewed from an insulating layer) each having a channel length of 20 μm and a channel width of 2 mm were obtained by vacuum deposition using a Metal mask formed on an n-type silicon crystal substrate, which is a gate electrode with a thermally oxidized film of SiO 2 in a thickness of 300 nm (manufactured by Advantech Co., Ltd., resistivity <0.1 Ω ) acted. Subsequently, the organic semiconductor coating solution was applied to the substrate with the electrodes by a spin coating method, followed by baking at 100 ° C for 10 minutes to form an active layer having a thickness of about 60 nm, thereby to become a transistor of the bottom gate type and the bottom contact.

Als Nächstes wurde eine Beschichtungslösung der makromolekularen Verbindung 1 auf den resultierenden Transistor schleuderbeschichtet und wurde dann 1 Minute lang bei 200°C auf einer Heizplatte in Stickstoffatmosphäre gebrannt, so dass ein organischer Dünnschichttransistor vom elektrischen Feldeffekt-Typ mit einer 500 nm dicken Überzugsschicht hergestellt wurde.Next, a coating solution of the macromolecular compound 1 was spin-coated on the resulting transistor and then baked at 200 ° C for 1 minute on a hot plate in a nitrogen atmosphere to prepare an electric field effect type organic thin film transistor having a 500 nm thick cladding layer.

<Transistormerkmale eines organischen Dünnschichttransistors vom elektrischen Feldeffekt-Typ><Transistor characteristics of an organic electric field effect type thin film transistor>

Für den so hergestellten organischen Dünnschichttransistor vom elektrischen Feldeffekt-Typ wurden Von-Spannung, ON/OFF-Verhältnis und on-Stromdichte bei –60 V (Ion, A/cm2), die Transistormerkmale davon, unter Verwendung eines Vakuumuntersuchungsgeräts (BCT22MDC-5-HT-SCU; hergestellt von Nagase Electronic Equipments Service Co., Ltd.) unter solchen Bedingungen gemessen, dass eine Gate-Spannung Vg von 10 bis –60 V variiert wurde und eine Source-Drain-Spannung Vsd von 0 bis –60 V variiert wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.For the electric field effect type organic thin film transistor thus prepared, V on voltage, ON / OFF ratio and on-current density at -60 V (I on , A / cm 2 ), the transistor characteristics thereof, were measured by using a vacuum inspector (BCT22MDC 5-HT-SCU manufactured by Nagase Electronic Equipment Services Co., Ltd.) under such conditions that a gate voltage V g of 10 to -60 V was varied and a source-drain voltage V sd of 0 until -60 V was varied. The results are shown in Table 2.

<Elektrische Merkmale einer Isolierschicht><Electrical characteristics of an insulating layer>

Eine Beschichtungslösung der makromolekularen Verbindung 1 wurde auf ein Siliciumsubstrat aufgetragen, auf dessen rückwärtige Oberfläche Aluminium abgeschieden worden war, und wurde 1 Minute lang bei 200°C in einer Stickstoffatmosphäre gebrannt, so dass eine Isolierschicht (507 nm in der Dicke) erzeugt wurde. Dann wurde eine Aluminiumelektrode auf der Isolierschicht unter Verwendung einer Metallmaske abgeschieden, so dass eine Vorrichtung zur Bewertung hergestellt wurde. Die elektrischen Eigenschaften der resultierenden Bewertungsvorrichtung wurden unter Verwendung eines Vakuumuntersuchungsgeräts (BCT22MDC-5-HT-SCU; hergestellt von Nagase Electronic Equipments Service Co., Ltd.) gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt. [Tabelle 1] Elektrische Merkmale Gemessener Wert Leck-Stromdichte bei 1 MV (A/cm2) 5,4 × 10–11 Durchschlagsspannung > 2 MV Dielektrizitätskonstante bei 100 kHz 2,75 A coating solution of the macromolecular compound 1 was coated on a silicon substrate on the back surface of which aluminum was deposited, and was fired at 200 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere to form an insulating layer (507 nm in thickness). Then, an aluminum electrode was deposited on the insulating layer using a metal mask so that a device for evaluation was fabricated. The electrical properties of the resulting evaluation apparatus were measured by using a vacuum inspector (BCT22MDC-5-HT-SCU, manufactured by Nagase Electronic Equipment Services Co., Ltd.). The results are shown in Table 1. [Table 1] Electrical characteristics Measured value Leakage current density at 1 MV (A / cm 2 ) 5.4 × 10 -11 Breakdown voltage > 2 MV Dielectric constant at 100 kHz 2.75

<Adhäsionseigenschaft einer Isolierschicht><Adhesive property of an insulating layer>

Eine Beschichtungslösung der makromolekularen Verbindung 1 wurde auf ein Siliciumsubstrat aufgetragen und wurde 1 Minute lang bei 200°C in einer Stickstoffatmosphäre gebrannt, so dass eine Isolierschicht (507 nm in der Dicke) erzeugt wurde. Dann wurde eine Aluminiumelektrode unter Verwendung einer Metallmaske auf der Isolierschicht abgeschieden. Als ein Kapton-Band auf die Aluminiumelektrode geklebt wurde und dann das Kapton-Band entfernt wurde, wurde keine Ablösung der Aluminiumelektrode bewirkt.A coating solution of the macromolecular compound 1 was coated on a silicon substrate and fired at 200 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere to form an insulating layer (507 nm in thickness). Then, an aluminum electrode was deposited on the insulating layer using a metal mask. When a Kapton tape was stuck to the aluminum electrode and then the Kapton tape was removed, no detachment of the aluminum electrode was effected.

<Vergleichsbeispiel 1> <Comparative Example 1>

(Herstellung eines organischen Dünnschichttransistors vom elektrischen Feldeffekt-Typ)(Production of Electric Field Effect Type Organic Thin Film Transistor)

Ein organischer Dünnschichttransistor vom elektrischen Feldeffekt-Typ wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, ausgenommen dass keine Beschichtungslösung der makromolekularen Verbindung 1 aufgetragen wurde, und dann wurden die Von-Spannung, ON/OFF-Verhältnis und on-Stromdichte bei –60 V (Ion, A/cm2), die Transistormerkmale des organischen Dünnschichttransistors vom elektrischen Feldeffekt-Typ, gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.An electric field effect type thin-film organic transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that no coating solution of the macromolecular compound 1 was applied, and then the V on voltage, ON / OFF ratio and on-current density were set. 60V (I on , A / cm 2 ), the transistor characteristics of the electric field effect type organic thin film transistor. The results are shown in Table 2.

<Bewertungsbeispiel 1><Evaluation Example 1>

<Adhäsionseigenschaft eines Fluorharzes><Adhesive property of a fluorine resin>

Cytop (hergestellt von Asahi Glass Co., Ltd.), ein Fluorharz, wurde auf ein Siliciumsubstrat aufgetragen und wurde 10 Minuten lang bei 200°C in einer Stickstoffatmosphäre gebrannt, so dass eine Isolierschicht (1 μm in der Dicke) erzeugt wurde.Cytop (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), a fluororesin, was coated on a silicon substrate and fired at 200 ° C for 10 minutes in a nitrogen atmosphere to form an insulating layer (1 μm in thickness).

Dann wurde eine Aluminiumelektrode unter Verwendung einer Metallmaske auf der Isolierschicht abgeschieden. Als ein Kapton-Band auf die Aluminiumelektrode geklebt wurde und dann das Kapton-Band entfernt wurde, wurde die Aluminiumelektrode abgezogen. [Tabelle 2] Beispiel 1 Vergleichsbeispiel 1 Von-Spannung (V) 0 –21 ON/OFF-Verhältnis 105 106 Ion bei –60 V (A/cm2) 1 × 10–5 1 × 10–5 Then, an aluminum electrode was deposited on the insulating layer using a metal mask. When a Kapton tape was stuck to the aluminum electrode and then the Kapton tape was removed, the aluminum electrode was peeled off. [Table 2] example 1 Comparative Example 1 V on voltage (V) 0 -21 ON / OFF ratio 10 5 10 6 I on at -60 V (A / cm 2 ) 1 × 10 -5 1 × 10 -5

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Substrat,substrate
22
Gate-Elektrode,Gate electrode,
33
Isolierschicht für das Gate,Insulating layer for the gate,
44
organische Halbleiterschicht,organic semiconductor layer,
55
Source-Elektrode,Source electrode,
66
Drain-Elektrode.Drain electrode.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • JP 2005-513788 [0010] JP 2005-513788 [0010]

Claims (7)

Eine Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors, dadurch gekennzeichnet, dass sie (A) eine makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe einschließt, (B) ein Härtungsmittel und (C) ein organisches Lösungsmittel umfasst.A resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor, characterized by comprising (A) a macromolecular compound including a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond, (B) a curing agent, and (C) an organic solvent , Die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die makromolekulare Verbindung, welche eine Wiederholungseinheit mit einer über eine Harnstoffbindung oder eine Urethanbindung gebundenen photoempfindlichen Gruppe einschließt, eine makromolekulare Verbindung ist, die mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit enthält, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (1) und Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (2): [Chem 1]
Figure 00270001
wobei R1 und R2, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für ein Wasserstoffatom oder einer Methylgruppe steht, R3 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und Raa und Rbb, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für einen zweiwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht; jedes Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; X für ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom steht; q für eine ganze Zahl von 0 bis 20 steht und r für eine ganze Zahl von 1 bis 20 steht; wenn es zwei oder mehr Reste Raa gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können; und wenn es zwei oder mehrere Reste Rbb gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können; [Chem 2]
Figure 00280001
wobei R4 und R5, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe steht und Rc und Rd, die gleich oder voneinander verschieden sind, jeweils für einen zweiwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht; jedes Wasserstoffatom in dem zweiwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; X für ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom steht, s für eine ganze Zahl von 0 bis 20 steht und t für eine ganze Zahl von 1 bis 20 steht; wenn es zwei oder mehr Reste Re gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können, und wenn es zwei oder mehr Reste Rd gibt, sie gleich oder voneinander verschieden sein können.The resin composition for the organic thin film transistor insulating layer according to claim 1, characterized in that the macromolecular compound including a repeating unit having a photosensitive group bonded via a urea bond or a urethane bond is a macromolecular compound containing at least one kind of repeating unit from the group consisting of repeating units represented by formula (1) and repeating units represented by formula (2): [Chem 1]
Figure 00270001
wherein R 1 and R 2 , which are the same or different, each represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and Raa and Rbb, which are the same or different, each represents a bivalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms; each hydrogen atom in the bivalent organic group may be replaced by a fluorine atom; X represents an oxygen atom or a sulfur atom; q is an integer from 0 to 20 and r is an integer from 1 to 20; when there are two or more Raa, they may be the same or different; and when there are two or more Rbb radicals, they may be the same or different; [Chem 2]
Figure 00280001
wherein R 4 and R 5 , which are the same or different, each represents a hydrogen atom or a methyl group and R c and R d, which are the same or different, each represents a bivalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; each hydrogen atom in the bivalent organic group may be replaced by a fluorine atom; X is an oxygen atom or a sulfur atom, s is an integer of 0 to 20, and t is an integer of 1 to 20; when there are two or more radicals Re, they may be the same or different, and when there are two or more radicals Rd, they may be the same or different from each other. Die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die makromolekulare Verbindung weiter mindestens eine Art einer Wiederholungseinheit enthält, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (3), Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (4), Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (5), und Wiederholungseinheiten, dargestellt durch Formel (6): [Chem 3]
Figure 00280002
wobei R6 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 4]
Figure 00290001
wobei R7 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 5]
Figure 00290002
wobei R8 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen oder eine Cyanogruppe steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann; [Chem 6]
Figure 00290003
wobei R9 für ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe steht; R1 für einen einwertigen organischen Rest mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen steht und jedes Wasserstoffatom in dem einwertigen organischen Rest durch ein Fluoratom ersetzt sein kann.The resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor according to claim 1 or 2, characterized in that the macromolecular compound further contains at least one kind of repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by formula (3), repeating units represented by formula ( 4), repeating units represented by formula (5), and repeating units represented by formula (6): [Chem 3]
Figure 00280002
wherein R 6 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom; [Chem 4]
Figure 00290001
wherein R 7 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom; [Chem 5]
Figure 00290002
wherein R 8 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a cyano group, and any hydrogen atom in the monovalent organic group may be replaced by a fluorine atom; [Chem 6]
Figure 00290003
wherein R 9 represents a hydrogen atom or a methyl group; R 1 is a monovalent organic radical having 1 to 20 carbon atoms and any hydrogen atom in the monovalent organic radical may be replaced by a fluorine atom. Ein organischer Dünnschichttransistor, dadurch gekennzeichnet, dass die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 als Überzugsschicht verwendet wird.An organic thin film transistor, characterized in that the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor according to any one of claims 1 to 3 is used as a cladding layer. Ein organischer Dünnschichttransistor, dadurch gekennzeichnet, dass die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 als Isolierschicht für das Gate verwendet wird.An organic thin film transistor, characterized in that the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor according to any one of claims 1 to 3 is used as an insulating layer for the gate. Ein Element für eine Anzeige, umfassend die Harzzusammensetzung für die Isolierschicht eines organischen Dünnschichttransistors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3.An element for display comprising the resin composition for the insulating layer of an organic thin film transistor according to any one of claims 1 to 3. Eine Anzeige aufgebaut aus dem Element für eine Anzeige gemäß Anspruch 6.A display constructed of the element for a display according to claim 6.
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