DE1117663B - Transistor AC amplifier - Google Patents

Transistor AC amplifier

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DE1117663B
DE1117663B DEN16352A DEN0016352A DE1117663B DE 1117663 B DE1117663 B DE 1117663B DE N16352 A DEN16352 A DE N16352A DE N0016352 A DEN0016352 A DE N0016352A DE 1117663 B DE1117663 B DE 1117663B
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DE
Germany
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transistor
input
impedance
input terminals
frequency
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Pending
Application number
DEN16352A
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German (de)
Inventor
Raphael Isidoor Gab Bosselaers
Gerardus Rosier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/36Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/72Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common gate configuration MOSFET

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

DEUTSCHESGERMAN

PATENfMfTPATENfMfT

N16352 IXd/21a4 N16352 IXd / 21a 4

ANMELDETAG: 5. MARZ 1959 REGISTRATION DATE: MARCH 5, 1959

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 23. NOVEMBER 1961
NOTIFICATION OF REGISTRATION AND ISSUE OF
EDITORIAL: NOVEMBER 23, 1961

Die Erfindung betrifft einen Transistorwechselstromverstärker, bei dem zwischen den Eingangsklemmen eine bestimmte Impedanz wirksam ist.The invention relates to a transistor AC amplifier in which between the input terminals a certain impedance is effective.

Bei Röhrenverstärkern wird die Kreuzmodulation bekanntlich dadurch verursacht, daß der Anodenstrom der Röhre nicht linear mit der Gitterspannung verläuft. Die folglich im Anodenstrom erzeugten Kreuzmodulationsprodukte hat man unter anderem dadurch zu beseitigen versucht, daß im Kathodenkreis der Röhre ein Niederfrequenzfilter aufgenommen wurde. Die infolge der Kennlinienkrümmung der Röhre über diesem Filter erzeugte Niederfrequenzspannung wurde zur Gegenmodulation ausgenutzt, um die unerwünschte Kreuzmodulation herabzusetzen.In tube amplifiers, the cross modulation is known to be caused by the anode current the tube is not linear with the grid voltage. The cross-modulation products consequently generated in the anode current one has tried to eliminate, among other things, that in the cathode circuit of the tube a Low frequency filter was added. The result of the curvature of the characteristic curve of the tube above it Filter generated low frequency voltage was used for counter modulation to avoid the undesired Reduce cross modulation.

Nach Untersuchungen, die der Erfindung zugrunde liegen, erweist es sich, daß die in einem Transistorwechselstromverstärker erzeugte Kreuzmodulation wesentlich durch den inneren Widerstand der Wechselspannungsquelle — der bei Röhrenverstärkern in dieser Hinsicht keine Rolle spielt — beeinflußt wird.According to investigations on which the invention is based, it turns out that the in a transistor AC amplifier Cross modulation generated mainly by the internal resistance of the AC voltage source - which plays no role in tube amplifiers in this regard - is influenced.

Bei einem Transistorwechselstromverstärker der eingangs erwähnten Art kann somit eine wesentliche Verbesserung erreicht werden, wenn gemäß der Erfindung die Impedanz zur Verminderung der Kreuzmodulation ungefähr die Bedingung erfüllt:In the case of a transistor AC amplifier of the type mentioned at the outset, a substantial improvement can thus be achieved can be achieved if, according to the invention, the impedance to reduce the cross modulation approximately fulfills the condition:

- =3/2 - = 3/2

Z0 +Z 0 +

Zq -\-Zq - \ -

Z0 -f-Z 0 -f-

alal

vorzugsweise ungefähr gleich 1, wobei Z0 die zwischen diesen Eingangsklemmen gemessene Transistorinnenimpedanz, Zp den Impedanzwert der zwischen den Eingangsklemmen geschalteten äußeren Impedanz gemessen für Niederfrequenz, Z0 diesen Wert gemessen bei einer Frequenz gleich dem Unterschied zwischen der Frequenz der Nutzschwingungen und die einer Störschwingung und Z8 diesen Wert gemessen bei der Summe letztgenannter Frequenzen darstellt und at, a2 und a3 die Koeffizienten der Reihepreferably approximately equal to 1, where Z 0 is the internal transistor impedance measured between these input terminals, Zp is the impedance value of the external impedance connected between the input terminals measured for low frequency, Z 0 is this value measured at a frequency equal to the difference between the frequency of the useful oscillations and that of an interfering oscillation and Z 8 represents this value measured at the sum of the latter frequencies and a t , a 2 and a 3 are the coefficients of the series

i =i =

v2 + a3 v3 v 2 + a 3 v 3

der Transistoreingangskennlinie (Transistoreingangsstrom i als Funktion der zwischen seinen Eingangselektroden angelegten Spannung v) darstellen.the transistor input characteristic (transistor input current i as a function of the voltage v applied between its input electrodes).

Es ist zwar an sich bekannt, einen zusätzlichen Widerstand im Transistoreingang anzuordnen oder die Steuerung von einer einen beträchtlichen Innenwiderstand aufweisenden Spannungsquelle durchzuführen. Durch die spezielle Bemessung der Widerstände im Eingangskreis kann jedoch nach der Erfindung eine TransistorwechselstromverstärkerIt is known per se to arrange an additional resistor in the transistor input or the To carry out control of a voltage source exhibiting a considerable internal resistance. Due to the special dimensioning of the resistors in the input circuit, however, according to the invention, a Transistor AC amplifier

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Netherlands)

Vertreter: Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt, Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Representative: Dipl.-Ing. E. E. Walther, patent attorney, Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Raphael Isidoor Gabriel BosselaersRaphael Isidoor Gabriel Bosselaers

und Gerardus Rosier, Hilversum (Niederlande), sind als Erfinder genannt wordenand Gerardus Rosier, Hilversum (Netherlands), have been named as inventors

wesentliche Verbesserung hinsichtlich des Auftretens von Kreuzmodulation erzielt werden.substantial improvement in terms of the occurrence of cross-modulation can be achieved.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.The invention is explained in more detail with reference to the drawing.

Fig. 1 veranschaulicht einen Verstärker nach der Erfindung, z. B. einen HF- bzw. ZF-Verstärker in einem Empfänger für amplitudenmodulierte Schwingungen; Fig. 1 illustrates an amplifier according to the invention, e.g. B. an RF or IF amplifier in a receiver for amplitude-modulated oscillations;

Fig. 2 veranschaulicht den mit diesem Verstärker erhaltenen Kreuzmodulationsfaktor .Oür verschiedene Werte der zwischen den Eingangsklemmen des Transistors eingeschalteten Impedanzen.Fig. 2 illustrates the cross modulation factor obtained with this amplifier .Oür different Values of the impedances connected between the input terminals of the transistor.

In der Verstärkerschaltung nach Fig. 1 werden amplitudenmodulierteNutzschwingungeneinerQuelleß! mit Innenwiderstand 1 einem auf diese Schwingungen abgestimmten Resonanzkreis 3 und nachfolgend, gegebenenfalls nach Herabtransformierung, den Eingangsklemmen eines Transistors 4 zugeführt und verstärkt. Die verstärkten Schwingungen werden dem auf die Nutzfrequenz abgestimmten Ausgangskreis 10 entnommen. Unerwünschte (Stör-) Schwingungen, die z. B. von einem benachbarten Sender herrühren, gelangen ebenfalls an den Eingangskreis und sind in Fig. 1 als eine zweite Quelle e2 dargestellt worden. Es zeigt sich, daß der vom Transistor 4 gelieferte Ausgangsstrom nicht nur diesen beiden Schwingungen proportional ist, sondern daß auch eine durch Kreuzmodulation dieser beiden Schwingungen verursachte, im Nutzfrequenzband liegende Komponente in diesem Strom enthalten ist.In the amplifier circuit according to Fig. 1, amplitude-modulated useful oscillations of a source ß! with internal resistance 1 to a resonant circuit 3 matched to these oscillations and subsequently, optionally after stepping down, fed to the input terminals of a transistor 4 and amplified. The amplified vibrations are taken from the output circuit 10, which is matched to the useful frequency. Unwanted (interfering) vibrations, e.g. B. originate from a neighboring transmitter, also reach the input circuit and are shown in FIG. 1 as a second source e 2 . It can be seen that the output current supplied by transistor 4 is not only proportional to these two oscillations, but that this current also contains a component which is caused by cross-modulation of these two oscillations and is in the useful frequency band.

Falls man annimmt, daß der Transistoreingangsstrom praktisch exponentiell mit der an den Eingangsklemmen wirksamen Spannung ansteigt, findet man If one assumes that the transistor input current increases practically exponentially with the voltage effective at the input terminals, one finds

109 740/37D109 740 / 37D

für den Kreuzmodulationsfaktor K einen Ausdruck, der ungefähr unabhängig von der Amplitude der Nutzschwingung, ungefähr proportional zum. Quadrat der Störschwingungsamplitude und weiter proportional zu einem Faktorfor the cross modulation factor K an expression that is approximately independent of the amplitude of the useful oscillation, approximately proportional to. Square of the parasitic oscillation amplitude and further proportional to a factor

1 —1 -

■+■■ + ■

Z0 -j- Z 0 -j-

Z0 -\-Z 0 - \ -

(1)(1)

ist, in dem Z0 die zwischen diesen Eingangsklemmen gemessene innere Transistorimpedanz, Zv den Impedanzwert der zwischen den Eingangsklemmen geschalteten äußeren Impedanz gemessen für Niederfrequenz (die höchste Modulationsfrequenz der Nutzschwingungen), Zv diesen Wert gemessen bei einer Frequenz gleich dem Unterschied zwischen der Frequenz der Nutz- und der Störschwingungen und Z8 diesen Wert gemessen bei der Summe letztgenannter Frequenzen darstellt.where Z 0 is the internal transistor impedance measured between these input terminals, Z v is the impedance value of the external impedance connected between the input terminals, measured for low frequency (the highest modulation frequency of the useful oscillations), Z v this value measured at a frequency equal to the difference between the frequency the useful and interfering vibrations and Z 8 represents this value measured at the sum of the latter frequencies.

Der Kreuzmodulationsfaktor K kann somit durch geeignete Bemessung der zwischen den Eingangsklemmen des Transistors geschalteten Impedanz praktisch Null gemacht werden. Eine einfache Methode besteht darin, daß der Resonanzkreis 3 über einen Widerstand 5 mit den Eingangsklemmen des Transistors 4 verbunden ist. Die zur Vorspannungserzeugung verwendeten Schaltelemente 7, 8 und 9 werden so bemessen, daß sie außer Betracht bleiben können. Die Impedanz des Kreises 3 ist für die drei in Frage kommenden Frequenzen nahezu vernachlässigbar. Wenn auch der Trennkondensator 6 eine vernachlässigbare Impedanz für diese Frequenzen aufweist, sind die Impedanzen Zp, Z8, Z8 je durch den Wert des Widerstandes 5 gegeben. Die angestrebte Bedingung ist dann somit erfüllt, falls der Widerstand 5 die Hälfte des Eingangswiderstandes R0 des Transistors 4 beträgt.The cross modulation factor K can thus be made practically zero by suitable dimensioning of the impedance connected between the input terminals of the transistor. A simple method consists in that the resonance circuit 3 is connected to the input terminals of the transistor 4 via a resistor 5. The switching elements 7, 8 and 9 used to generate the bias voltage are dimensioned so that they can be disregarded. The impedance of circuit 3 is almost negligible for the three frequencies in question. Even if the isolating capacitor 6 has a negligible impedance for these frequencies, the impedances Zp, Z 8 , Z 8 are each given by the value of the resistor 5. The desired condition is thus fulfilled if the resistor 5 is half of the input resistance R 0 of the transistor 4.

In Fig. 2 zeigt die Kurve α den Kreuzmodulationsfaktor K als Funktion des Wertes des Widerstandes 5, wenn ein Kondensator 6 von 250 ^F angewendet wird. Mit einem Kondensator 6 von 25 μΤ? wird die Kurve b miteinemvielwenigerausgeprägfenMinimumgefunden. Mit einem Kondensator 6 von 0,5 \xB ist kaum noch ein Minimum in der K-Kxave wahrnehmbar. Durch Einschaltung einer Selbstinduktion in Reihe mit dem Kondensator 6 wird die Kurve c erhalten. Zwar könnten die Schaltelemente 6 und 7 weggelassen werden, aber weil die Einstellung auf den Minimumwert des Faktors K ziemlich kritisch ist, ist eine ausreichende Arbeitspunktstabilisierung z. B. durch einen genügend großen Wert des Widerstandes 7 und/oder durch geeignete Temperaturabhängigkeit des Widerstandes 8 empfehlenswert. Auch kann der Widerstand 5 selber eine dem temperaturabhängigen Eingangswiderstand des Transistors entsprechende Temperaturabhängigkeit aufweisen.In Fig. 2, the curve α shows the cross modulation factor K as a function of the value of the resistor 5 when a capacitor 6 of 250 ^ F is used. With a capacitor 6 of 25 μΤ? the curve b is found with a much less pronounced minimum. With a capacitor 6 of 0.5 \ xB , a minimum is hardly perceptible in the K-Kxave. By connecting a self-induction in series with the capacitor 6, the curve c is obtained. Although the switching elements 6 and 7 could be omitted, but because the setting to the minimum value of the factor K is quite critical, a sufficient operating point stabilization z. B. by a sufficiently large value of the resistor 7 and / or by suitable temperature dependence of the resistor 8 is recommended. The resistor 5 itself can also have a temperature dependency corresponding to the temperature-dependent input resistance of the transistor.

Selbstverständlich können durch andersartige Bemessung und Ausführung des zwischen den Eingangsklemmen des Transistors 4 geschalteten Netzwerkes ähnliche Effekte erreicht werden. So kann z. B. der Widerstand 5 von einem kleinen Kondensator_iiberbrückt werden, der nur für die, Summenfrequenz der Nutz- und Störschwingungen durchlässig ist (die Differenz der Nutz- und Störfrequenz ist im allgemeinen verhältnismäßig klein). In diesem FaEe ist Zs = 0 und soll der Wert des Widerstandes 5 gerade gleich groß wie der Eingangswiderstand R0 des Transistors 4 sein. Im ersten Fall (ohne den Überbrückungskondensator) ist der innere Widerstand 1 der Quelle 1 auf 3/2 R0 anzupassen und wird somit infolge des Widerstandes 5 ein Verstärkungsverlust von etwa 3,5 db verursacht, im zweiten Fall ist der Widerstand 5 auf R0 anzupassen und beträgt der Verstärkungsverlust ungefähr 6 db.Of course, similar effects can be achieved by differently dimensioning and designing the network connected between the input terminals of the transistor 4. So z. For example, the resistor 5 can be bridged by a small capacitor which is only permeable to the sum frequency of the useful and interfering oscillations (the difference between the useful and interfering frequencies is generally relatively small). In this case, Z s = 0 and the value of the resistor 5 should be exactly the same as the input resistance R 0 of the transistor 4. In the first case (without the bypass capacitor) the internal resistance 1 of the source 1 has to be adjusted to 3/2 R 0 and a gain loss of about 3.5 db is caused as a result of the resistance 5, in the second case the resistance 5 is set to R 0 adjust and the gain loss is about 6 db.

Der Transistor kann gegebenenfalls auch in Emitterschaltung betrieben werden. Ganz allgemein kann der Eingangsstrom 1 des Transistors als Funktion der zwischen seinen Eingangselektroden angelegten Spannung durch die ReiheThe transistor can optionally also be emitter operate. In general, the input current 1 of the transistor as a function of the between voltage applied to its input electrodes through the series

i = ax ν + a2 v2 + as v3 ... i = a x ν + a 2 v 2 + a s v 3 ...

dargestellt werden.
Falls das Exponentialverhältnis
being represented.
If the exponential ratio

gilt (wobei J0, q, Je und T Konstanten darstellen), findet man fürholds (where J 0 , q, Je and T represent constants), one finds for

- Ai - _L und für aiUs - 2/3- Ai - _L and for aiUs - 2/3

«1 =«1 =

kTkT

Die Zahl 1 in der Formel 1 muß im allgemeinen Fall dementsprechend durch 3/2-^^- ersetzt werden.In general, the number 1 in formula 1 must be replaced by 3/2 - ^^ -.

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Transistorwechselstromverstärker, bei dem zwischen den Eingangsklemmen eine bestimmte Impedanz wirksam ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz zur Verminderung der Kreuzmodulation ungefähr die Bedingung erfüllt:1. Transistor AC amplifier, in which between the input terminals a certain Impedance is effective, characterized in that the impedance to reduce the cross modulation approximately fulfills the condition: Z0 + Zp Z 0 + Zp + ■+ ■ Z0 + Z8 Z 0 + Z 8 = 3/2= 3/2 vorzugsweise ungefähr gleich 1, wobei Z0 die zwischen diesen Eingangsklemmen gemessene Transistorinnenimpedanz, Zp den Impedanzwert der zwischen den Eingangsklemmen geschaltenen äußeren Impedanz gemessen für Niederfrequenz, Z„ diesen Wert gemessen bei einer Frequenz gleich dem Unterschied zwischen der Frequenz der Nutzschwingungen und die einer Störschwingung und Z8 diesen Wert gemessen bei der Summe letztgenannter Frequenzen darstellt und O1, a% und a3 die Koeffizienten der Reihepreferably approximately equal to 1, where Z 0 is the internal transistor impedance measured between these input terminals, Zp the impedance value of the external impedance connected between the input terminals measured for low frequency, Z "this value measured at a frequency equal to the difference between the frequency of the useful oscillations and that of an interfering oscillation and Z 8 represents this value measured at the sum of the latter frequencies and O 1 , a % and a 3 are the coefficients of the series i = O1 ν + Ct2 τ2 + «3 v3 ... i = O 1 ν + Ct 2 τ 2 + «3 v 3 ... der TransistoreingangskennHnie (Transistoreingangsstrom i als Funktion der zwischen seinen Eingangselektroden angelegten Spannung v) darstellen. the transistor input characteristic (transistor input current i as a function of the voltage v applied between its input electrodes). 2. Verstärker nach Anspruch 1, in dem die Nutzschwingungen über einen Resonanzkreis dem Transistor zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zwischen dem Resonanzkreis und den Transistoreingangsklemmen ein nicht entkoppelter Widerstand eingeschaltet ist, dessen Wert auf ungefähr die Hälfte des Transistoreingangsinnenwiderstandes eingestellt ist.2. Amplifier according to claim 1, in which the useful oscillations via a resonance circuit to the transistor are supplied, characterized in that in series between the resonance circuit and the Transistor input terminals a non-decoupled resistor is switched on, the value of which is approximately half of the transistor input internal resistance is set. 3. Verstärker nach Anspruch 1, in dem die Nutzschwingungen über einen Resonanzkreis dem Transistor zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zwischen dem Resonanzkreis und den3. Amplifier according to claim 1, in which the useful vibrations are fed to the transistor via a resonance circuit, characterized in that that in series between the resonance circuit and the Transistoreingangsklemmen ein für die Summe der Nutz- und der Störfrequenz entkoppelter Widerstand eingeschaltet ist, dessen Wert ungefähr gleich groß wie der Transistoreingangsinnenwiderstand ist. Transistor input terminals a resistor that is decoupled for the sum of the useful frequency and the interference frequency is switched on, the value of which is approximately the same as the internal resistance of the transistor input. 4. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand entsprechend dem Transistoreingangsinnenwiderstand mit der Temperatur schwankt.4. Amplifier according to claim 2 or 3, characterized in that the resistance is accordingly the internal resistance of the transistor input fluctuates with temperature. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 826148; »Electronics, Eng. Ed.«, März 1958, S. 176 bis 190.Documents considered: German Patent No. 826148; “Electronics, Eng. Ed. ”, March 1958, pp. 176-190. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
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DE826148C (en) * 1948-11-06 1951-12-27 Western Electric Co Transistor amplifier for electrical oscillations

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