DE1065473B - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE1065473B DE1065473B DENDAT1065473D DE1065473DA DE1065473B DE 1065473 B DE1065473 B DE 1065473B DE NDAT1065473 D DENDAT1065473 D DE NDAT1065473D DE 1065473D A DE1065473D A DE 1065473DA DE 1065473 B DE1065473 B DE 1065473B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrically conductive
- conductive surface
- crystal
- piezoelectric element
- electrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 5
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000011032 tourmaline Substances 0.000 claims description 5
- 229940070527 tourmaline Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052613 tourmaline Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 claims description 3
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- -1 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
- G05D23/2401—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor using a heating element as a sensing element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/323—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator having more than two terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
DEUTSCHESGERMAN
KL.21a4 10KL.21a4 10
INTERNAT. KL. H 03 hINTERNAT. KL. H 03 h
PATENTAMTPATENT OFFICE
G 23373 VIIIa/2la4 G 23373 VIIIa / 2la 4
ANMELDETAG: 15. NOVEMBER 1957REGISTRATION DATE: NOVEMBER 15, 1957
BEKANNTMACHUNG
DERANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 17. SEPTEMBER 1959NOTICE
LOGIN
AND ISSUE OF THE
EDITORIAL: SEPTEMBER 17, 1959
Die Erfindung betrifft ein piezoelektrisches Element, das insbesondere aus einem Kristall aus Quarz, Turmalin oder Seignettesalz oder einem Block aus ferroelektrischem Material, wie z. B. Bariumtitanat, hergestellt ist, wobei auf wenigstens einer seiner Oberflächen eine Elektrode durch einen elektrisch leitenden Flächenbelag gebildet ist.The invention relates to a piezoelectric element, which in particular consists of a crystal made of quartz, Tourmaline or Seignette salt or a block of ferroelectric material, such as. B. barium titanate, is made, with an electrode on at least one of its surfaces by an electrical conductive surface covering is formed.
Es ist bekannt, daß bestimmte Kristalle, z. B. Quarz, Turmalin und Seignettesalz, die piezoelektrische Effekte zeigen, als Steuer- oder Regelelemente verwendet werden können, um die Frequenz z. B. einer elektrischen Oszillatorschaltung stabil zu halten. Die Frequenz, bei der solche Kristalle schwingen, ändert sich geringfügig mit der Temperatur, und in vielen Anwendungsfällen, beispielsweise wenn der Kristall die Frequenz eines Hauptoszillators in einem Trägerfernsprechsystem regelt, ist es wesentlich, die Schwingungsfrequenz trotz Temperaturänderung konstant zu halten. Es ist bekannt, das Kristallsteuerelement zu diesem Zweck in einem Ofen anzuordnen, der mit thermostatischer Temperaturregelung versehen ist. Eine solche Anordnung bringt aber notwendigerweise einen großen Raumaufwand mit sich, und eine verhältnismäßig große Menge elektrischer Energie wird verbraucht, um den Ofen zu erwärmen und die erforderliche thermostatische Regelung zu betätigen.It is known that certain crystals, e.g. B. quartz, tourmaline and Seignette salt, the piezoelectric Effects show how control or regulating elements can be used to adjust the frequency e.g. B. to keep an electrical oscillator circuit stable. The frequency at which such crystals vibrate changes slightly with temperature, and in many applications, for example when the Crystal regulates the frequency of a main oscillator in a carrier telephone system, it is essential that Keep the oscillation frequency constant despite the temperature change. It is known the crystal control element for this purpose to be arranged in an oven, which is provided with thermostatic temperature control is. However, such an arrangement necessarily involves a large amount of space, and a relatively large amount of electrical energy is consumed to heat the furnace and operate the required thermostatic control.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung von Kristallelementen zur Verwendung in elektrischen Oszillatorschaltungen, bei denen die oben beschriebene Ofenanordnung zur Temperaturregelung nicht benötigt wird.The object of the invention is to create crystal elements for use in electrical oscillator circuits, where the oven arrangement described above for temperature control is not required will.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Elektrode mit einem Anschluß an jedem Ende versehen und so geschaltet, angeordnet und in ihrer Stärke so bemessen ist, daß sie das Widerstandselement eines elektrischen Heizkreises bildet, mittels dem das Element erwärmt werden kann, um seine Temperatur auf einem gewünschten Wert zu halten. Dieses Element kann aus einem Kristall, aus Quarz, Turmalin oder Seignettesalz oder aus einem Körper aus ferroelektrischem keramischem Material, wie Bariumtitanat, bestehen.This is achieved according to the invention in that the electrode has a connection at each end provided and so switched, arranged and dimensioned in their strength so that they are the resistance element forms an electrical heating circuit, by means of which the element can be heated to its Maintain temperature at a desired value. This element can be made from a crystal, from quartz, Tourmaline or Seignette salt or from a body made of ferroelectric ceramic material, such as Barium titanate.
Zwei solche elektrisch leitenden Flächenbeläge können auch an den beiden gegenüberliegenden Oberflächen dieses Elementes vorgesehen sein. Die elektrisch leitenden Flächenbeläge können außerdem als Elektroden verwendet werden, an die das Schwingungspotential einer elektrischen Oszillatorschaltung angelegt wird.Two such electrically conductive surface coverings can also be on the two opposite surfaces this element be provided. The electrically conductive surface coverings can also be used as Electrodes are used to which the oscillation potential of an electrical oscillator circuit is created.
Der Heizkreis, der den elektrisch leitenden Flächenbelag bzw. die elektrisch leitenden Flächenbeläge einschließt, wird zweckmäßig in üblicher Weise in Abhängigkeit von der Temperatur geregelt.The heating circuit that includes the electrically conductive surface covering or the electrically conductive surface covering, is expediently regulated in the usual way as a function of the temperature.
Piezoelektrisches Element
und Verfahren zu seiner HerstellungPiezoelectric element
and its method of manufacture
sowie Schaltung
mit einem solchen Elementas well as circuit
with such an element
Anmelder:Applicant:
The General Electric Company Limited,
LondonThe General Electric Company Limited,
London
Vertreter:Representative:
Dr.-Ing. H. Ruschke, Berlin-Friedenau, Lauterstr. 37,Dr.-Ing. H. Ruschke, Berlin-Friedenau, Lauterstr. 37,
und Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, München 27,and Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, Munich 27,
PatentanwältePatent attorneys
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 16. November 1956Claimed priority:
Great Britain 16 November 1956
Arthur Edward Harrold,Arthur Edward Harrold,
Coventry, Warwickshire (Großbritannien),Coventry, Warwickshire (UK),
ist als Erfinder genannt wordenhas been named as the inventor
Vorzugsweise wird ein derartiger elektrisch leitender Flächenbelag in der gleichen Weise hergestellt wie die bekannten gedruckten Schaltungen. Ein auf einer Oberfläche eines Elementes zu erzeugender leitender Flächenbelag kann beispielsweise dadurch gebildet werden, daß diejenigen Teile einer im wesentlichen kontinuierlichen Schicht aus leitendem Material durch Säureätzung, Elektroätzung oder elektrische Funkenerosion entfernt werden, die nicht erforderlich sind. Auch kann die Oberfläche des Elementes vor dem Aufbringen der leitenden Schicht entsprechend abgedeckt werden. Der elektrisch leitende Flächenbelag kann aus Silber oder Gold gebildet sein und eine Dicke in der Größenordnung von angenähert 0,5 μ haben. ■■:·■'·.■Such an electrically conductive surface covering is preferably produced in the same way like the well-known printed circuits. A conductive one to be produced on a surface of an element Surface covering can be formed, for example, that those parts of a substantially continuous layer of conductive material by acid etching, electro-etching or electrical Spark erosion, which is not required. The surface of the element must be covered accordingly before applying the conductive layer. The electrically conductive surface covering may be formed from silver or gold and have a thickness on the order of approximated Have 0.5 μ. ■■: · ■ '·. ■
Der Heizstrom, der an den oder die elektrisch leitenden Flächenbeläge geliefert wird, kann Gleichstrom sein.The heating current applied to the electrically conductive Surface coverings supplied can be direct current.
Ein gemäß der Erfindung ausgebildetes piezoelektrisches Kristallelement sowie eine elektrische Oszillatorschaltung, deren Frequenz von einem solchen Kristallelement stabilisiert wird, werden nun an HandA piezoelectric crystal element designed according to the invention and an electrical oscillator circuit, whose frequency is stabilized by such a crystal element, are now on hand
909 628/279909 628/279
■::3ίΤ. :'.:■.·. 3 4■ :: 3 ίΤ . : '.: ■. ·. 3 4
von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbei- standselement einer Temperaturfühlanordnung, mitspielen beschrieben. Es zeigt ■ tels der die Lieferung von Gleichstrom an das Kri-of a temperature sensor arrangement shown in the drawing described. It shows ■ the delivery of direct current to the criminal
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht des Kristall- Stallwiderstandselement geregelt wird.Fig. 1 is a perspective view of the crystal stall resistance element being controlled.
elementes,. . Der erste Brückenzweig der Oszillatorbrücke 16element ,. . The first branch of the oscillator bridge 16
^ Fig. 2, einen schematischen Querschnitt durch eine 5 enthält das Kristallelement 1 und einen in Reihe geAnordnung, die"' ein" solches Kristallelement enthält, schalteten Abgleichkondensator 17, der zweite Brük-' Fig; 3 die'Schaltung eines elektrischen Oszillators, kenzweig einen Widerstand 18, der dritte Zweig eine der ein solches Kristallelement enthält. Wolframheizfadenlampe 19 (diese kann aber auch '•'^Iti'Fig. 1 umfaßt "das'Kristallelement 1, das die durch einen Thermistor oder einen nichtlinearen Frequenz des mit Bezug auf Fig. 3 zu beschreibenden io Widerstand anderer Art ersetzt werden) und der elektrischen Oszillators stabilisiert, einen flachen Ab- vierte Zweig einen Widerstand 20. Der Knotenpunkt schnitt, der aus einem Quarzkristall geschnitten .ist, 21 des ersten und vierten Brückenzweiges ist geerdet, wobei' das'Kristallelement 1 zwei größere ebene Ober- Die Schwingungen in der Brücke 16 werden durch flächen 2 und 3 hat. Die Oberfläche 2 des Kristall- einen Verstärker 22 aufrechterhalten, der zwei Einelementes 1 ist mit einem leitenden Belag 4 bestimm- 15 gangsklemmen 23 und 24 sowie zwei Ausgangsklemter Formgebung versehen, der im folgenden als Kri- men 25 und 26 hat. Die Eingangsklemme 23 ist an Stallwiderstandselement bezeichnet ist. Die gegen- den Knotenpunkt 27 des dritten und vierten Zweiges überliegende Oberfläche 3^ weist eine normale Elek- der Brücke 16 und die Eingangsklemme 24 ist an den trode 5 auf. Das Kristallwiderstandselement 4 wird Knotenpunkt 28 des ersten und zweiten Zweiges der dadurch hergestellt, daß die' Oberfläche 2 des Kri- ao Brücke 16 angeschlossen. Die Ausgangsklemmen 25 stalls 1 in. geeigneter. Weise teilweise abgedeckt und und 26 des Verstärkers 22 sind mit dem Knotenpunkt dann darauf in einem Vakuum Silber aufgesprüht 29 des zweiten und dritten Zweiges der Brücke 16 oder aufgedampft wird. Das Verfahren wird fortge- bzw. mit Erde verbunden.^ Fig. 2, a schematic cross-section through a 5 contains the crystal element 1 and an in-line arrangement, the "'contains" such a crystal element, switched balancing capacitor 17, the second bridge' Fig; 3 the circuit of an electrical oscillator, branch a resistor 18, the third branch a containing such a crystal element. Tungsten filament lamp 19 (but this can also '•' ^ Iti'Fig. 1 includes "das'Kristallelement 1, which by a thermistor or a nonlinear Frequency of the resistor of another type to be described with reference to FIG. 3) and the electrical oscillator stabilized, a flat fourth branch a resistor 20. The node cut, which is cut from a quartz crystal, 21 of the first and fourth bridge branches are grounded, where 'the'Kristallelement 1 two larger planar upper The vibrations in the bridge 16 are through has areas 2 and 3. The surface 2 of the crystal is maintained by an amplifier 22, the two one-element 1 is provided with a conductive coating 4 with specific 15 input terminals 23 and 24 as well as two output terminals Provided shaping, which has 25 and 26 as crimps in the following. The input terminal 23 is on Stall resistance element is designated. Opposite node 27 of the third and fourth branches Overlying surface 3 ^ has a normal electrode bridge 16 and the input terminal 24 is on the trode 5. The crystal resistance element 4 becomes the junction point 28 of the first and second branches of FIG produced in that the 'surface 2 of the Kria bridge 16 is connected. The output terminals 25 stalls 1 in. suitable. Way partially covered and and 26 of the amplifier 22 are connected to the node then silver sprayed 29 of the second and third branches of the bridge 16 thereon in a vacuum or is vaporized. The process is continued or connected to earth.
setzt, bis das auf der Oberfläche 2 niedergeschlagene In dem ersten Zweig der Brücke 16 ist das Kristall-Silber eine Stärke von etwa 0,5 μ hat. Die Form des 25 element 1 so angeordnet, daß die Leitung 30 zwischen Kristallwiderstandselementes 4 ist derart, daß es der normalen Elektrode 5 und dem Abgleichkondeneinen.' -Widerstandspfad zwischen einem Eingangs- sator 17 liegt, während die Leitung 31 das Kristallpunkt'6 und einem'Ausgangspunkt'7^ Widerstandselement 4 mit dem Knotenpunkt 21 des Breite des Spaltes 8 zwischen benachbarten Teilen ersten und vierten Zweiges der Brücke 16 verbindet, des Kristallwiderstandselementes die Größenordnung 30 Die andere Anschluß leitung 32 zu dem Kristallelevon 0,4 mm hat. . ::.J; ment 4 ist an eine weitere Brückenschaltung 33 ange-continues until the deposited on the surface 2 in the first branch of the bridge 16 is the crystal silver has a thickness of about 0.5 μ. The shape of the 25 element 1 arranged so that the line 30 between crystal resistance element 4 is such that it is the normal electrode 5 and the adjustment capacitor. ' -Resistance path between an input sator 17, while the line 31 connects the crystal point '6 and an' output point '7 ^ resistance element 4 with the node 21 of the width of the gap 8 between adjacent parts of the first and fourth branches of the bridge 16, the crystal resistance element the order of magnitude 30 has the other lead 32 to the crystal of 0.4 mm. . ::. J ; ment 4 is connected to a further bridge circuit 33
;Die:an dem. Eingangspunkt 6 und dem. Ausgangs- schlossen, die im folgenden beschrieben wird, und; The : on that. Entry point 6 and the. Exit closures, which will be described below, and
punkt;7. angelöteten Anschluß leitungen 9 bzw. 10 und auch im Nebenschluß an Erde über eine geeignete ge-point; 7. soldered connection lines 9 or 10 and also shunted to earth via a suitable
die Ahschlußleitung 11 (Fig. 2), die an die Punkte 12 wählte Kapazität 34.the termination line 11 (FIG. 2), the capacitance 34 connected to the points 12.
der Elektrode 5 an der Oberfläche 3 des Kristall- 35 Die weitere Brückenschaltung 33 umfaßt einen elementes 1 gelötet sind, sind zweckmäßig so ausge- ■ ersten, zweiten und dritten Widerstand 35, 36 bzw. bildet, daß sie das Kristallelement 1 innerhalb einer 37, die in den ersten, zweiten bzw. dritten Zweig der Glas- oder Metallumhüllung 13 zu tragen vermögen. Brücke 33 geschaltet sind, wobei das Kristallwider-Glimmerscheiben 14 können vorgesehen werden, um standselement 4 in dem vierten Zweig der Brücke 33 eine etwaige übermäßige Bewegung des Kristall- 4° angeordnet ist. Die Widerstände 35, 36 und 37 haben elementes 1 zu begrenzen, wodurch ein Bruch der Zu- jeweils gleichen Widerstandswert, der die gleiche leitungen 9, 10 und 11 verursacht werden könnte. Im Größe wie der Widerstand des Kristallwiderstandsnormalen Betrieb darf das Kristallelement 1 die GHm- elementes 4 hat. Die Gleichstromversorgung des Krimerscheiben 14 nicht berühren. Der Zweck der Um- Stallwiderstandselementes 4 wird durch einen Gleich-. hüllung 13 besteht darin,. Wärmeverluste aus dem 45 stromverstärker 38 aufrechterhalten. Die Eingangs-Kristallelement 1 zu vermindern. Eine stärkere klemmen 39 und 40 des Verstärkers 38 sind an den Wärmeisolierung kann in"; an sich bekannter Weise Knotenpunkt 43 des ersten und zweiten Zweiges der noch dadurch bewirkt werden, daß die Umhüllung 13 Brücke 33 bzw. den Knotenpunkt 44 des dritten und evakuiert und mit Doppelwänden versehen wird, wo- vierten Zweiges der Brücke 33 angeschlossen, und bei der Raum 15 zwischen den Wandungen evakuiert 50 die Ausgangsklemmen 41 und 42 sind mit dem Knowird, oder dadurch, daß die Umhüllung 13 aus Glas tenpunkt 45 des zweiten und dritten Zweiges der besteht und einige oder alle Oberflächen der Wan- Brücke 33 bzw. mit Erde verbunden. Der Knotendungen der Umhüllung 13 versilbert werden. punkt 46 des ersten und vierten Zweiges der Brückeof the electrode 5 on the surface 3 of the crystal 35 The further bridge circuit 33 comprises one element 1 are soldered, are appropriately designed ■ first, second and third resistor 35, 36 or forms that they the crystal element 1 within a 37, which in the first, second and third branch of the Glass or metal envelope 13 are able to carry. Bridge 33 are connected, the crystal resisting mica discs 14 can be provided to stand element 4 in the fourth branch of the bridge 33 any excessive movement of the crystal 4 ° is arranged. The resistors 35, 36 and 37 have element 1 limit, creating a break of the same resistance value, which is the same lines 9, 10 and 11 could be caused. In size like the resistance of the crystal resistance normal In operation, the crystal element 1 has the GHm element 4. The DC power supply of the Krimer discs 14 do not touch. The purpose of the stall resistance element 4 is by an equal. Enclosure 13 consists of. Heat losses from the 45 current amplifier 38 are maintained. The input crystal element 1 to decrease. A stronger clamp 39 and 40 of the amplifier 38 are connected to the thermal insulation can in "; in a known manner, junction 43 of the first and second branches of the can still be caused by the fact that the sheath 13 bridge 33 or the node 44 of the third and evacuated and provided with double walls, connected to the fourth branch of the bridge 33, and at the space 15 between the walls evacuated 50 the output terminals 41 and 42 are with the knowird, or in that the envelope 13 made of glass tenpunkt 45 of the second and third branches of the exists and some or all of the surfaces of the wall bridge 33 or connected to earth. The knot endings the envelope 13 are silver-plated. point 46 of the first and fourth branches of the bridge
Die in Fig. 3 dargestellte Oszillatorschaltung weist 33 ist ebenfalls geerdet.The oscillator circuit shown in Fig. 3 has 33 is also grounded.
eine kristallgesteuerte Brücke auf, wobei eine weitere 55 Die Anordnung ist derart getroffen, daß eine er-a crystal-controlled bridge, with a further 55 The arrangement is made in such a way that a
Brückenschaltung für die1 Lieferung und Regelung höhte Spannung an das Kristallwiderstandselement 4Bridge circuit for the 1 supply and regulation of increased voltage to the crystal resistance element 4
■des'Gleichstromes zum Heizen des Kristallelementes 1 angelegt wird, wenn die Temperatur des Kristall-■ the direct current for heating the crystal element 1 is applied when the temperature of the crystal
;vorgesehen ist. ■'·". elementes 1 abfällt, und umgekehrt, so daß die Tem-;is provided. ■ '· ". Element 1 falls, and vice versa, so that the temperature
■ Das Kristallwiderstandselement 4 hat in dieser peratur des Kristallelementes 1 und daher die Schwin-■ The crystal resistance element 4 has at this temperature of the crystal element 1 and therefore the vibration
Schaltung drei Funktionen1 zu erfüllen. Erstens bildet 60 gungsfrequenz der Brücke 16 konstant gehalten wird.Circuit to fulfill three functions 1. First, 60 forms the frequency of the bridge 16 is kept constant.
ϊes eine der Elektroden des Kristallelementes 1, wobei Aus Fig. 1 erkennt man, daß das Kristallwider-ϊes one of the electrodes of the crystal element 1, from Fig. 1 it can be seen that the crystal resistance
die "an. der entgegengesetzten Oberfläche 4 des Kri- standselement 4 nach Art der gedruckten Schaltungenthe "on the opposite surface 4 of the crystal element 4 in the manner of printed circuits
Stallelementes 1 gebildete Elektrode 5 die andere aufgebracht werden kann, indem beispielsweise eineStable element 1 formed electrode 5 the other can be applied by, for example, a
Elektrode'. ist. Zweitens': bildet das Kristallwider- Silberschicht auf die teilweise entsprechend abgedeckteElectrode'. is. Second, 'forms the crystal-resisting silver layer on the partially covered
- standselement 4 das Wide'r'standselement einer Heiz- 65 Oberfläche 2 des Kristallelementes 1 gesprüht wird- Stand element 4, the wide'r'stand element of a heating surface 2 of the crystal element 1 is sprayed
anordnung, mittels welcher dem Kristallelement 1 oder die unerwünschten Teile einer kontinuierlichenarrangement by means of which the crystal element 1 or the undesired parts of a continuous
■Warme zugeführt wird, um es auf der erforderlichen Metallschicht auf der Oberfläche 2 durch Säureätzung■ Heat is supplied to it on the required metal layer on the surface 2 by acid etching
■Temperatur zu halten, und damit die erforderliche oder elektrische Funkenerosion entfernt werden. In■ Maintain temperature and thus remove the required or electrical spark erosion. In
• Schwingungsfrequenz aufrechtzuerhalten. Drittens anderer Weise können aber die unerwünschten Teile• Maintain vibration frequency. Thirdly, the unwanted parts can be used in a different way
.'bildet das Kristallwiddrstandselement4 das Wider- 70 einer kontinuierlichen Metallschicht auf der Ober-. 'the crystal resistance element4 forms the resistance of a continuous metal layer on the upper
fläche 2 durch Elektroätzung entfernt werden, wobei die Oberfläche als die Anode in einer elektrolytischen Zelle wirkt und die unerwünschten Teile der Oberfläche, die nicht abgedeckt sind, durch elektrolytische Wirkung entfernt werden. Die Erfindung ist nicht auf den Fall begrenzt, bei dem das Kristallwiderstandselement 4 aus Silber gebildet ist, da auch andere Metalle, beispielsweise Gold, verwendet werden können.surface 2 can be removed by electroetching, the surface being used as the anode in an electrolytic Cell acts and the unwanted parts of the surface that are not covered by electrolytic Effect can be removed. The invention is not limited to the case where the crystal resistance element 4 is formed from silver, since other metals, such as gold, are also used can.
Obgleich die beschriebene Ausführungsform der Erfindung eine Oszillatorschaltung ist, wird bemerkt, daß die Erfindung in gleicher Weise auf andere Schaltungen, wie etwa ein elektrisches Filternetzwerk, anwendbar ist, in welchem die Frequenz von einem piezoelektrischen Element stabilisiert wird, dessen Resonanzfrequenzänderung durch Temperaturänderung das zulässige Maß überschreitet, wenn keine Temperaturregelung erfolgt.Although the described embodiment of the invention is an oscillator circuit, it is noted that that the invention applies equally to other circuits, such as an electrical filter network, is applicable, in which the frequency is stabilized by a piezoelectric element, whose change in resonance frequency due to a change in temperature exceeds the permissible level if no temperature control takes place.
Die Erfindung kann auf jedes piezoelektrische Element angewandt werden, in welchem Elektroden auf die Oberfläche eines Körpers aus piezoelektrischem Material aufgebracht sind. Außer Quarz kann beispielsweise Turmalin, Seignettesalz oder ein gesinterter Block aus ferroelektrischem keramischem Material, wie Bariumtitanat, verwendet werden.The invention can be applied to any piezoelectric element in which electrodes are applied to the surface of a body made of piezoelectric material. Besides quartz can for example tourmaline, Seignette salt or a sintered block of ferroelectric ceramic Material such as barium titanate can be used.
Claims (7)
Deutsche Patentschrift Nr. 552 771;
USA.-Patentschriften Nr. 1 791 804, 2 004 170.Considered publications:
German Patent No. 552 771;
U.S. Patent Nos. 1,791,804, 2,004,170.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB3512856A GB824786A (en) | 1956-11-16 | 1956-11-16 | Improvements in or relating to piezo-electric elements and electric circuits using such elements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1065473B true DE1065473B (en) | 1959-09-17 |
Family
ID=10374162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1065473D Pending DE1065473B (en) | 1956-11-16 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1065473B (en) |
GB (1) | GB824786A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3201621A (en) * | 1963-03-18 | 1965-08-17 | Milner Consuelo Stokes | Thermally stabilized crystal units |
US3531663A (en) * | 1965-07-29 | 1970-09-29 | Exxon Research Engineering Co | Integral heater piezoelectric devices |
FR2538633A1 (en) * | 1982-12-27 | 1984-06-29 | France Etat | HIGH FREQUENCY OSCILLATOR WITHOUT COMPENSATION ISOCHRONISM |
-
0
- DE DENDAT1065473D patent/DE1065473B/de active Pending
-
1956
- 1956-11-16 GB GB3512856A patent/GB824786A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB824786A (en) | 1959-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3784376T2 (en) | TEMPERATURE COMPENSATED OSCILLATOR CIRCUIT. | |
DE69610368T2 (en) | Ferroelectric capacitance for semiconductor integrated circuit and method of manufacture | |
WO1998006110A1 (en) | Adjustable voltage divider produced by hybrid technology | |
DE1515884B2 (en) | PROCESS FOR CALIBRATING THE RESISTANCE VALUE OF A RESISTOR MANUFACTURED IN MONOLITHIC TECHNOLOGY | |
DE1521625A1 (en) | Process for the production of semiconductor pieces of small spatial dimensions | |
DE3204838A1 (en) | POWER UNIT FOR AN ELECTRICAL DISCHARGE MACHINE | |
DE1200403B (en) | Method for producing an electrically insulating layer between two thin, electrically conductive layers | |
DE1264615B (en) | Emitter connection of a power transistor | |
DE69207047T2 (en) | Method for protecting the piezoelectric element of a piezoelectric drive from moisture | |
DE2530627A1 (en) | ELECTRIC PRECISION RESISTANCE CIRCUIT | |
DE1065473B (en) | ||
DE1514003B2 (en) | ELECTRIC CAPACITOR | |
DE3786807T2 (en) | Semiconductor device with variable capacitance. | |
DE1275221B (en) | Process for the production of an electronic solid state component having a tunnel effect | |
DE102008016613B4 (en) | Method for producing an electrical component having at least one dielectric layer and an electrical component having at least one dielectric layer | |
DE2323988C2 (en) | Process for metallizing a non-conductive substrate | |
DE69735378T2 (en) | METHOD FOR PRODUCING A CONSTRUCTION ELEMENT WITH MULTIPLE PROTECTION FUNCTION | |
DE68906044T2 (en) | SUPRALOCIAL LOGICAL DEVICE. | |
DE763329C (en) | Quartz crystal executing bending vibrations | |
DE1279242B (en) | Electronic solid-state component for switching | |
DE2501824A1 (en) | Temp. compensated printed resistor - has series-parallel arm network with one arm section of high temp. coeffn. | |
DE3328250A1 (en) | Speed-regulating device for a DC motor | |
DE1640503B2 (en) | Method for the resistance adjustment of an electrical sheet resistance element with a glazed resistance layer | |
DE1640550A1 (en) | Procedure for adjusting thin-film resistances | |
DE2939348A1 (en) | SILICON SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |