DE1050809B - Core memory bias - Google Patents

Core memory bias

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DE1050809B
DE1050809B DENDAT1050809D DE1050809DA DE1050809B DE 1050809 B DE1050809 B DE 1050809B DE NDAT1050809 D DENDAT1050809 D DE NDAT1050809D DE 1050809D A DE1050809D A DE 1050809DA DE 1050809 B DE1050809 B DE 1050809B
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DE
Germany
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field strength
core
cores
point
coercive force
Prior art date
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Pending
Application number
DENDAT1050809D
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German (de)
Inventor
Dr.-Ing. Theodor Einsele Sindelfingen Dr. Karl Ganzhorn (Württ.), und Hans Bornhauser, Böblingen (Württ.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland Internationale Bueromaschinen GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland Internationale Bueromaschinen GmbH
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Publication date
Publication of DE1050809B publication Critical patent/DE1050809B/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb von Wertespeichern, die aus bistabilen magnetischen Kernen aufgebaut sind. Die Kerne werden einer konstanten Gleichstrommagnetisierung ausgesetzt.The invention relates to a method for operating value memories made up of bistable magnetic cores are constructed. The cores are subjected to constant DC magnetization.

Derartige Kerne bestehen aus einem Werkstoff mit annähernd rechteckiger Hystereseschleife. Nach Magnetisierung bis zur Sättigung in der einen oder anderen Richtung bleibt ein remanenter Fluß in der einen oder anderen Richtung beliebig lang erhalten, der z. B. der Darstellung der Werte »1« oder »0« dienen kann. Nur eine Feldstärke größer als die Koerzitivkraft kann den Übergang von einem zum anderen Zustand bewirken.Such cores consist of a material with an approximately rectangular hysteresis loop. After magnetization to saturation in one direction or the other, a remanent flux remains in one direction or the other for any length of time. B. can be used to represent the values "1" or "0". Only a field strength greater than the coercive force can cause the transition from one state to the other.

Kerne aus gleichem Werkstoff werden auch als Schalter oder Impülslieferer benutzt; eine Wicklung des Kernes liefert dabei während der Ummagnetisierung von einem Remanenzzustand zum anderen einen Spannungsstoß, der z. B. zum Antrieb eines Kernspeichers verwendbar ist.Cores made of the same material are also used as switches or impulses; one winding of the core supplies a voltage surge during the remagnetization from one remanence state to the other, the z. B. can be used to drive a core memory.

Es ist bekannt, solche als Schalter benutzten Kerne mit einer Gleichstromvormagnetisierung zu versehen, die den Werkstoff bis zur Sättigung bringt. Der Zweck ist, den Kern selbsttätig wieder in die Ausgangslage zurückzuführen, nachdem er durch einen Impuls in den zweiten Zustand gebracht worden war. Diese Gleichstromvormagnetisierung muß den Betrag der Koerzitivkraft überschreiten, da anderenfalls der als Schalter benutzte Kern nicht wieder in den für die nächste Schaltoperation notwendigen Zustand zurückkehren würde. Die ebenfalls bekannte Impulsvormagnetisierung von als Schalter arbeitenden Kernen bis zur Sättigung ist für als Speicher benutzte Kerne nicht brauchbar, da die Höhe der hierbei entstehenden ,Störsignale für Kernspeicher nicht tragbar wäre.It is known to provide such cores used as switches with a direct current bias, which brings the material to saturation. The purpose is to automatically return the core to its original position, after being brought into the second state by an impulse. This DC bias must exceed the amount of coercive force, otherwise the used as a switch Kern would not return to the state necessary for the next switching operation. That too known impulse bias of cores working as switches to saturation is for as memory The cores used cannot be used, as the level of the interfering signals generated in this way is not acceptable for the core memory were.

Weiter ist schon vorgeschlagen worden, alle Kerne eines Kernspeichers durch einen Gleichstrom bis zur Sättigung zu magnetisieren mit dem Ziel, den Speicher zwischen zwei Arbeitsspielen zu löschen.It has also already been proposed that all cores of a core memory be powered by a direct current up to To magnetize saturation with the aim of clearing the memory between two work cycles.

Das erfindungsgemäße Verfahren, der Speicherung von z, B. Zahlenwerten dienende Magnetkerne einer konstanten Gleichstrommagnetisierung auszusetzen, verfolgt einen anderen Zweck. Die Hystereseschleife verfügbarer Kernwerkstoffe weicht von der erwünschten Rechteckform ab. In der Zeichnung ist gestrichelt eine ideale rechteckige und ausgezogen die Hystereseschleife eines praktisch verfügbaren Werkstoffes dargestellt. Die Abweichung von der Rechteckform bewirkt, daß Feldstärken kleiner als die Koerzitivkraft in der Lage sind, Flußänderungen im Kern zu erzeugen. Bei der üblichen Anordnung der Speicherkerne auf den Schnittpunkten eines rechtwinkligen Koordinatennetzes nach Art einer Matrix geschieht die Ummagnetisierung gewöhnlich durch koinzidente, in Zeilen- und Spaltenrichtung der Matrix wirkende Ströme. Da die Summenwirkung dieser Ströme die Sättigung des auf dem Schnittpunkt der ausgewählten Zeile und Spalte liegenden Kerns verursachen muß, liegt Kernspeicher-VormagnetisierungThe inventive method, the storage of, for example, numerical values serving magnetic cores of a constant Suspending DC magnetization has a different purpose. The hysteresis loop more available Core materials deviate from the desired rectangular shape. In the drawing, a dashed line is an ideal Rectangular and drawn out the hysteresis loop of a practically available material is shown. The deviation of the rectangular shape causes that field strengths smaller than the coercive force are capable of flux changes to generate in the core. With the usual arrangement of the memory cores on the intersection points The magnetization reversal usually takes place through a rectangular coordinate network in the manner of a matrix coincident currents acting in the row and column direction of the matrix. Because the cumulative effect of these currents cause the saturation of the core lying on the intersection of the selected row and column Core memory bias

Anmelder:Applicant:

IBM DeutschlandIBM Germany

Internationale Büro-MaschinenInternational office machines

Gesellschaft. m.b.H.,
Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49
Society. mbH,
Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49

Dr. Karl Ganzhorn, Dr.-Ing. Theodor Einsele,Dr. Karl Ganzhorn, Dr.-Ing. Theodor Einsele,

Sindelfingen (Württ.);Sindelfingen (Württ.);

und Hans Bornhauser, Böblingen (Württ.),and Hans Bornhauser, Böblingen (Württ.),

sind als Erfinder genannt wordenhave been named as inventors

die halbe Feldstärke, welcher die nicht ausgewählten Kerne der stromdurchflossenen Zeile und Spalte ausgesetzt sind, mehr oder weniger im Knick der Hystereseschleife.half the field strength to which the unselected nuclei of the current-carrying row and column are exposed are more or less in the kink of the hysteresis loop.

Es werde willkürlich angenommen, daß der Schnittpunkt der Hystereseschleife mit dem positiven Ast der Ordinate (oberhalb der Abszisse) zur Darstellung des Wertes Eins, der Schnittpunkt mit dem negativen Ast der Ordinate zur Darstellung des Wertes Null dient. In der Zeichnung sind diese Punkte mit E und N bezeichnet.It is arbitrarily assumed that the point of intersection of the hysteresis loop with the positive branch of the ordinate (above the abscissa) is used to represent the value one, and the point of intersection with the negative branch of the ordinate is used to represent the value zero. These points are designated E and N in the drawing.

Der Schreibvorgang, das ist die Eintragung des Wertes Eins in einem Kern, bringt diesen mit dem Strom J vom Punkt N zum Punkt P; die Kerne der ausgewählten Zeilen und Spalten erhalten nur die halbe Feldstärke und erreichen den Punkt Q*. Nach dem Abklingen der Impulse geht der ausgewählte Kern von P nach E; die halbmagnetisierten Kerne kehren aber nicht nach N zurück, sondern zu Punkten auf der Ordinatenachse zwischen N und dem Koordinatenanfang. Wiederholte Einwirkung von Halbimpulsen auf denselben Kern, die beim Betrieb des Kernspeichers unvermeidlich sind, können den Speicherwert Null wenn nicht vernichten, so doch so weit beeinträchtigen, daß ein nachfolgender Lese- (Entnahme-) Vorgang, der diesen Kern zum Punkt P* bringt, fälschlicherweise ein Signal liefert. In einem Speicher aus vielen Kernen resultiert daraus eine hohe, das Nutzsignal überdeckende Störspannung.The writing process, that is, the entry of the value one in a nucleus, brings it with the current J from point N to point P ; the cores of the selected rows and columns receive only half the field strength and reach point Q *. After the impulses have decayed, the selected nucleus goes from P to E; however, the semi-magnetized nuclei do not return to N , but to points on the ordinate axis between N and the start of the coordinates. Repeated action of half-pulses on the same core, which are unavoidable when operating the core memory, can if not destroy the memory value zero, then at least impair it to such an extent that a subsequent reading (removal) process, which brings this core to point P *, incorrectly delivers a signal. In a memory made up of many cores, this results in a high interference voltage that covers the useful signal.

Erfindungsgemäß werden alle Kerne des Speichers einer dauernden Magnetisierung in Leserichtung durch einen konstanten Gleichstrom I0 ausgesetzt (s. Zeichnung), welche sie je nach dem eingetragenen Speicherwert an die mit »1« und »0« bezeichneten Punkte der Hystereseschleife bringt und die Feldstärke H0 erzeugt. Ein vom Punkt »0« ausgehender Schreibvorgang zum Speichern des Wertes »l«, der die Feldstärke des Punktes PAccording to the invention all the cores of the memory in the reading direction subjected to a permanent magnetization by a constant direct current I 0 (s. Drawing), which brings them to the designated with "1" and "0" points of the hysteresis loop, depending on the registered memory value and the field strength H 0 generated. A write operation starting from point »0« to store the value »l«, which determines the field strength of point P

809· 750/214809 750/214

hervorrufen muß, erfordert jetzt den Gesamtmagnetisierungsstrom Is. Sein halber Wert erreicht nur deri Punkt Q außerhalb des Knickes, die Gefahr der StOrwertbildung ist beseitigt. Gleichzeitig wird die Toleranz vergrößert, innerhalb welcher die· ,Impulsamplituden schwanken dürfen, ' ohne die Betriebssicherheit zu gefährden. Die Lesefeldstärke, die mit dem Strom Ij1 den Kern vom Punkt »1« zum Punkt P* bringen muß, ist ebenso groß wie die halbe Schreibfeldstärke und wird mit nur einer Koordinatenwicklung erzeugt; die Signalspannung erscheint auf der Leitung der anderen Koordinate. now requires the total magnetizing current Is. Half of its value is only reached by point Q outside the bend, the risk of fault value formation is eliminated. At the same time, the tolerance within which the 'pulse amplitudes may fluctuate' without endangering operational safety is increased. The reading field strength, which with the current Ij 1 must bring the nucleus from point "1" to point P * , is as large as half the writing field strength and is generated with only one coordinate winding; the signal voltage appears on the line of the other coordinate.

Der Spitzenwert der Lesespannung eines Kernes bei einer Lesefeldstärke Hj1 größer als l,5mal der;-Koerzitivkraft Hc beträgtThe peak value of the reading voltage of a core at a reading field strength Hj 1 is greater than 1.5 times the coercive force H c

^0 = COnSt(Fi — H0) ^ 0 = COnSt (Fi - H 0 )

ohne Vormagnetisierung. Mit der Vormagnetisierung H0 erhält manwithout bias. With the premagnetization H 0 one obtains

Uh0 = const (HL + H0- H0). Uh 0 = const (H L + H 0 - H 0 ).

Die Umschaltzeit Ts eines Kernes, z. B. von Punkt E nach Punkt P*, ohne Vormagnetisierung istThe switching time Ts of a core, e.g. B. from point E to point P *, without bias

constconst

Ts(O) =Ts (O) =

beim Anlegen der Gleichfeldstärke H0 berechnet sie sich zuwhen applying the constant field strength H 0 , it is calculated as

T (JT\- T (JT \ - constconst

■* « V"0/ — JT ι ττ ■ * «V" 0 / - JT ι ττ TT ·TT

■"£ -f- Xl0U0 ■ "£ -f- Xl 0 - U 0

Die Gleichungen besagen, daß mittels der Vormagnetisierung die Signalspannung erhöht und die Schaltzeit verkürzt werden können unter Beibehaltung der Leseimpulsamplitude oder daß gleiche Signalamplitude und Schaltzelt mit geringeren Leseimpulsamplituden erreichbar sind;The equations state that the signal voltage and the switching time are increased by means of the premagnetization can be shortened while maintaining the read pulse amplitude or the same signal amplitude and Switching tent with lower reading pulse amplitudes can be achieved;

Andererseits lassen sich besonders bei AnwendungOn the other hand, especially when using

höherer Leseimpulsamplituden (1^1 in der Zeichnung) geringe Störamplituden, hohe Signalspannungen undhigher read pulse amplitudes (1 ^ 1 in the drawing) low interference amplitudes, high signal voltages and

ίο kleine Schaltzeiten mit Kernen geringerer Koerzitivkraft und schlechterer Rechteckform verwirklichen.ίο short switching times with cores with a lower coercive force and realize a poorer rectangular shape.

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Magnetisierungsvei fahren für Speicherkerne mit annähernd rechteckiger Hystereseschleife, dadurch gekennzeichnet, daß alle Kerne in Leserichtung dauernd einer konstanten Feldstärke ausgesetzt werden, die kleiner ist als die Koerzitivkraft.1. Magnetisierungsvei drive for memory cores with an approximately rectangular hysteresis loop, thereby characterized in that all nuclei are continuously exposed to a constant field strength in the reading direction which is smaller than the coercive force. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-. zeichnet, daß die konstante Feldstärke halb so groß ist wie die Koerzitivkraft.2. The method according to claim 1, characterized. draws that the constant field strength is half as great is like the coercive force. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Lese Vorgang durch einen Impuls in nur einer Koordinatenrichtung der Kernmatrixanordnung bewirkt wird.3. The method according to claims 1 and 2, characterized in that the reading process by a pulse is caused in only one coordinate direction of the core matrix arrangement. In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1 095 967.
Considered publications:
French patent specification No. 1 095 967.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 750/214 1. 59750/214 1. 59
DENDAT1050809D 1956-03-17 Core memory bias Pending DE1050809B (en)

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DEI0011431 1956-03-17

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DE (1) DE1050809B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1277922B (en) * 1963-10-01 1968-09-19 Sperry Rand Corp Orthogonally controlled storage device
DE1292194B (en) * 1962-08-27 1969-04-10 Siemens Ag Process for the non-destructive reading of information from a memory matrix consisting of magnetic cores with a rectangular hysteresis loop

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1292194B (en) * 1962-08-27 1969-04-10 Siemens Ag Process for the non-destructive reading of information from a memory matrix consisting of magnetic cores with a rectangular hysteresis loop
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