DE1044982B - Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types - Google Patents

Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types

Info

Publication number
DE1044982B
DE1044982B DES51113A DES0051113A DE1044982B DE 1044982 B DE1044982 B DE 1044982B DE S51113 A DES51113 A DE S51113A DE S0051113 A DES0051113 A DE S0051113A DE 1044982 B DE1044982 B DE 1044982B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cut
crystal
depth
semiconductor
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES51113A
Other languages
German (de)
Inventor
Dr Heinz Henker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES51113A priority Critical patent/DE1044982B/en
Publication of DE1044982B publication Critical patent/DE1044982B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren Übergängen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstyps Die Patentanmeldung S 35943 VIII c/ 21g, behandelt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren Übergängen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstyps nach Art von p-n-p-Übergängen oder n-p-n-Übergängen, bei dem zunächst ein Halbleiterkörper mit zwei flächenhaft aneinandeargrenzenden Zonen unterschiedlichen Leitunngstyps hergestellt wird und dann wenigstens eine Zone dieses Halbleiterkörpers durch einen oder mehrere Schnitte, die mittels eines mit Ätzflüssigkeit benetzten und/oder mit einem Schleifmittel bedeckten faden-oder drahtförmigen Werkzeuges erzeugt sind und die durch die Zone des einen Leitungstyps ganz hindurchgeführt sind, in mehreren Teilzonen aufgetrennt sind, welche nur über die Zone des anderen Leitungstyps zusammenhängen.Method for manufacturing a semiconductor device with multiple junctions between zones of different line types The patent application S 35943 VIII c / 21g, discusses a method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of Transitions between zones of different conductivity types in the manner of p-n-p junctions or n-p-n junctions, in which initially a semiconductor body with two planar Adjacent zones of different Leitunngtyps is produced and then at least one zone of this semiconductor body through one or more cuts, by means of a wetted with etching liquid and / or with an abrasive covered thread-like or wire-like tool are generated and through the zone of the one type of conduction are completely passed through, separated into several sub-zones which are only related via the zone of the other line type.

Zur Durchführung der erforderlichen Schnitte sind an sich verschiedene Verfahren bekannt. So befassen sich die deutschen Patentschriften 896 827, 913 803 und 902 757 mit der Möglichkeit des Schneidens und der Oberflächenbearbeitung von Halbleiterkristallen.There are several per se to make the necessary cuts Procedure known. The German patents 896 827, 913 803 deal with this and 902 757 with the possibility of cutting and surface finishing Semiconductor crystals.

Es ist in den meisten Fällen von großer Wichtigkeit, die Tiefe dieses Anschnittes genau zu dimensionieren. Gemäß der Erfindung ist daher vorgesehen, daß die erreichte Schnittiefe im Halbleiterkörper durch laufende Messungen einer sich mit der Tiefe des geführten Schnittes ändernden elektrischen Größe des Kristalls kontrolliert wird.In most cases, the depth of this is of great importance To dimension the bleed exactly. According to the invention it is therefore provided that the depth of cut achieved in the semiconductor body through ongoing measurements of a self with the depth of the led cut the electrical magnitude of the crystal changes is controlled.

Als besonders zweckmäßige derartige Maßnahme empfiehlt sich die Überwachung des, elektrischen Querwiderstandes. Man legt zu diesem Zweck an zwei geeignete Stellen des Kristalls Meßelektroden. Vorzugsweise sorgt man dafür, daß sich diese im gleichen Abstand von der Grenzfläche zwischen p- und n-Schicht oder eines ähnlichen Übergangs befinden. Am einfachsten benutzt xnan die Emitter- und Basiselektrode oder ein anderes geeignetes Elektredenpaar der Halbleiteranordnung, die man dann bereits vor dem Anschneiden des Kristalls anbringt.Monitoring is recommended as a particularly useful measure of this type of, electrical transverse resistance. For this purpose one places in two suitable places of the crystal measuring electrodes. It is preferable to ensure that these are in the same place Distance from the interface between p- and n-layer or a similar junction are located. The easiest way to use xnan is to use the emitter and base electrodes or another suitable Electredenpaar of the semiconductor arrangement, which one then already before the Cutting the crystal attaches.

Das Wesen der Erfindung sei für das betrachtete Ausführungsbeispiel an Hand einer schematisch=en Figur erklärt. Fig..1 zeigt einen Halbleiterkristall 1 aus Germanium, Silizium oder einem anderen Halbleiter mit zwei Zonen verschiedenen Leitungstyps, insbesondere. einer oberen p- und einer unteren n-Schicht. 2 und 2' bedeuten die Emitter- und Kollektor- oder die Emitter- und Basiselektrode, die im vorliegenden Beispiel der Erfindung gleich zur überwarhung des Querwiderstandes dienen und über ein geeignetes Widerstandsmeßgerät 3 miteinander verbunden sind. Besondere Hilfselektroden sind im Beispielsfall entbehrlich und deshalb in der Zeichnung fortgelassen. 4 stellt eilten fokussierten Elektronenstrahl dar, welcher die Aufgabe hat, den Kristall exakt bis zur Tiefe der Grenzfläche zwischen p- und u-Schicht längs der gestrichelten Linie 5 anzuschneiden. Das Einschneiden des Kristalls geschieht so, daß der Elektronenstrah,14 längs der gestrichelten Linie ständig hin- und hergeführt wird und dabei langsam immer tiefer in den Kristall dringt.The essence of the invention is for the embodiment considered explained on the basis of a schematic figure. Fig..1 shows a semiconductor crystal 1 made of germanium, silicon or another semiconductor with two zones different Line type, in particular. an upper p- and a lower n-layer. 2 and 2 ' mean the emitter and collector or the emitter and base electrodes im present example of the invention to monitor the transverse resistance serve and are connected to one another via a suitable resistance measuring device 3. Special auxiliary electrodes are not required in the example and are therefore shown in the drawing omitted. Fig. 4 depicts a rushed focused electron beam which does the job has the crystal exactly to the depth of the interface between the p- and u-layer cut along the dashed line 5. The cutting of the crystal happens so that the electron beam 14 is constantly moved back and forth along the dashed line and slowly penetrates deeper and deeper into the crystal.

Der Schnitt kann auch mit einer andersartigen geeigneten Vorrichtung,, z. B. einer Diamantsäge, einem Sandstrahlgebläse, einem Strahl aus nichtleitender Flüssigkeit,, in der ein geeignetes feingemahlenes Schleifmittel suspensiert ist, oder einer elektrolytischen oder chemischen Ätzvorrichtung, erzeugt werden. In letzterem Fall ist es zweckmäßig, daß man abwechselnd ätzt, trocknet, eventuelle Rückstände fortbläst und schließlich die Messung des Querwiderstandes vornimmt.The cut can also be made with another suitable device, z. B. a diamond saw, a sandblasting blower, a beam of non-conductive Liquid in which a suitable finely ground abrasive is suspended, or an electrolytic or chemical etching device. In the latter In this case it is advisable to alternately etch and dry, any residues blows away and finally takes the measurement of the transverse resistance.

Die Wirkungsweise der Einrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist folgende: Der Querwiderstand, den man zwischen zwei verschiedenen Stellen eines Halbleiterkristalls mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyps mißt, ändert sieh mit dem Eindringen des Schnittes in den Kristall im allgemeinen stetig. Erst wenn der Schnitt eine Sperrschicht (z. B. die Grenze zwischen einer p- und n-Schicht) erreicht, ändert er sich mehr oder weniger sprunghaft. Dieses Verhalten begründet sich darauf, daß der Meßstrom zuerst die beiden Zonen verschiedenen Leitungstyps parallel durchfließt und dann plötzlich den. p-n-p-Übergang passieren muß.The operation of the device according to the first embodiment of the invention is as follows: The transverse resistance that one has between two different Measures places of a semiconductor crystal with zones of different conductivity types, generally changes steadily as the incision penetrates the crystal. Only when the cut has a barrier layer (e.g. the boundary between a p- and n-layer), it changes more or less abruptly. This behavior is based on the fact that the measuring current first crosses the two zones of different conductivity types flows through in parallel and then suddenly the. p-n-p transition must happen.

Der Übergang des Schnittes aus dem p-Bereich in den n-Bereich macht sich deutlich durch einen schnellen Austrag des Querwiderstandes bemerkbar. Soll der Schnitt nur bis zur Grenze-zwischen p- und n-Schicht vorgetrieben werden, so ist das Einschneiden abzubrechen, sobald das Meßinstrument den Widerstandssprung anzeigt.The transition of the cut from the p-area to the n-area makes clearly through a fast Discharge of the transverse resistance noticeable. Should the cut only be driven up to the border between the p- and n-layer cutting is to be stopped as soon as the measuring instrument shows the jump in resistance indicates.

In weiterer Durchführung des Erfindungsgedankens wird vorgeschlagen, den Sprung, den der Querwiderstand erleidet, wenn der Schnitt die Grenzfläche erreicht, zum- selbsttätigen Abstellen der Sägevorrichtung, z. B. es Elektronenstrahls, zu verwenden.In a further implementation of the inventive concept, it is proposed that the jump that the transverse resistance suffers when the cut reaches the interface, for the automatic shutdown of the sawing device, e.g. B. it electron beam, too use.

Das soeben besprochene Ausführungsbeispiel ist aber noch in anderer Hinsicht ausbaufähig. Es ist nämlich bekannt, Halbleiterkristalle, wie sie bei den Verfahren nach der Hauptpätentanmeldung Verwendungfinden, serienmäßig=insbesonderebezüglichder Ausbildung der Dimensionen der p- und n-Schicht sowie der übrigen physikalischen Eigenschaften -mit sehr großer Gleichmäßigkeit herzustellen. Infolgedessen mißt man, wenn man die Meßelektroden und den Anschnitt jedesmal an _ der gleichen Stelle der Kristalle anbringt, auch jedesmal den gleichen Verlauf des Querwiderstandes. Es hat demzufolge Zweck, Eichkurven des Querwiderstandes für einen bestimmten Kristalltyp herzustellen. Mit Hilfe desselben kann man dann das Eindringen in die Kristalle leicht verfölgen-und. den Anschneidevorgäng in beliebiger, vorher genau festzulegender Tiefe beenden. Dies hat den Vorteil, daß man dabei von der Lage und Wirkung des p-n-Überganges oder sonstiger Übergänge zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstyps unabhängig wird.The exemplary embodiment just discussed is, however, still different Respectable. Namely, it is known, semiconductor crystals, as they are in the Method according to the main patent application find use, as standard = in particular with regard to the Formation of the dimensions of the p- and n-layer as well as the other physical ones Properties - to be produced with very great uniformity. As a result, measures you, if you put the measuring electrodes and the gate each time in the same place the crystals attaches, also each time the same course of the transverse resistance. It is therefore intended to provide calibration curves for the transverse resistance for a specific type of crystal to manufacture. With the help of the same one can then penetrate the crystals easily obscure and. the cutting process in any, precisely defined beforehand Finish depth. This has the advantage that you can rely on the location and effect of the p-n junction or other junctions between zones of different conductivity types becomes independent.

Ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft die Überwachung der Schnittiefe mit Hilfe der -Trägerinjektion im Halbleiterkristall; die gerade dann ihren Sättigungswert erreicht, wenn der Schnitt auf die Grenze zwischen -p- und n-Schicht trifft. Die Fig. 2 stellt eine Einrichtüng zur Durchführung.des Verfahrens schematisch dar. 1 bedeutet wieder den Halbleiterkristall mit einer oberen p-Schicht und einer unteren n-Schicht, der mittels eines fokussierten Elektronenstrahls 4 längs - der gestrichelten -Linie 5 angeschnitten werden soll.' 2 und 2' bedeuten wieder die-Anschlüsse für zwei Elektroden des Systems an der p-Schicht. Im vorliegenden Fall wird noch eine dritte Elektrode 6 benötigt, welche mit der anderen Schicht des Kristalls, nämlich mit der n-Schicht, leitenden Kontakt hat. Gegebenenfalls bildet man die Elektrode 6 so aus, daß sie nur für eine Trägersorte empfindlich ist. Außerdem legt man zwischen sie und jede der beiden anderen an der p-Schicht liegenden Elektroden 2 eine geeignete Gleichspannung Ui und U2.A second embodiment of the invention relates to the monitoring of the depth of cut with the aid of carrier injection in the semiconductor crystal; which just reaches its saturation value when the cut hits the boundary between -p- and n-layer. Figs. 2 illustrates a Einrichtüng to Durchführung.des method schematically illustrates 1 is again the semiconductor crystal with a p-type upper layer and a lower n-type layer, the longitudinally by means of a focused electron beam. 4 - dotted -line 5 is to be cut. ' 2 and 2 'again mean the connections for two electrodes of the system on the p-layer. In the present case, a third electrode 6 is also required, which has conductive contact with the other layer of the crystal, namely with the n-layer. If necessary, the electrode 6 is designed in such a way that it is only sensitive to one type of carrier. In addition, a suitable direct voltage Ui and U2 is placed between it and each of the two other electrodes 2 lying on the p-layer.

Mit dem Einschneiden des Kristalls durch die Einrichtung 4 tritt eine Zunahme der Trägerinjektion ein, die mit tiefer gehendem Schnitt ihren Sättigungswert erreicht. Man erfaßt ihn, indem man über die Elektrode 6 und. eine der beiden Elektroden 2 einen geeigneten Strom I1 schickt und den hierdurch hervorgerufenen. Strom I2 über die : Elektrode 6 und über die andere der Elektroden 2 mittels eines Strommessers 7 mißt. Erreicht der Strom I2 sein Maximum bzw. seinen Sättigungswert, so ist das Einschneiden abzubrechen.With the cutting of the crystal by the device 4 occurs Increase in carrier injection, which increases its saturation value with a deeper cut achieved. It is detected by touching electrodes 6 and. one of the two electrodes 2 sends a suitable current I1 and the resulting one. Current I2 via the: electrode 6 and via the other of the electrodes 2 by means of an ammeter 7 measures. If the current I2 reaches its maximum or its saturation value, that is Abort cutting.

Ein drittes Ausführungsbeispiel ist in Fig. 3 dargestellt. 1 ist wieder der Halbleiterkristall mit einer obenliegenden p-Schicht und einer untenliegenden n-Schicht, 2 die Anschlüsse für die beiden Elektroden des späteren Systems an der p-Schicht und 4 der Elektronenstrahl, der den Kristall längs der gestrichelten Linie 5 einschneiden soll. -8 bedeutet eine Lichtquelle, welche genügend kurzwelliges Licht geeigneter Intensität auf die Schnittlinie 5 wirft. Durch Wahl einer geeigneten kurzen Wellenlänge erreicht man, daß die Eindringtiefe des Lichtes in den Kristall beliebig klein wird. Solange der Einschnitt längs 5 noch nicht tief eingedrungen ist, wird sich zwischen den beiden Elektroden 2 nichts ändern. Erst wenn der Schnitt bis zur n-p-Grenzfläche hindurchgedrungen ist, tritt plötzlich zwischen den beiden Elektroden 2 eine Fotospannung auf, die einen Fotostrom 13, der mit einem Strommesser 7 gemessen wird, zur Folge hat. Es ist in diesem Fall zweckmäßig, die Seitenflächen des Halbleiterkristalls lichtdicht abzudecken, indem man ihn z. B. in einen Kasten 9 bringt.A third exemplary embodiment is shown in FIG. 3. 1 is again the semiconductor crystal with a p-layer on top and one on the bottom n-layer, 2 the connections for the two electrodes of the later system on the p-layer and 4 the electron beam that passes the crystal along the dashed line 5 should cut. -8 means a light source which is sufficiently short-wave Throws light of suitable intensity onto cutting line 5. By choosing a suitable short wavelength one achieves that the depth of penetration of the light into the crystal becomes arbitrarily small. As long as the incision along 5 has not yet penetrated deeply is, nothing will change between the two electrodes 2. Only when the cut has penetrated to the n-p interface, suddenly occurs between the two Electrodes 2 a photo voltage, a photo current 13, which with an ammeter 7 is measured. In this case, it is advisable to use the side surfaces to cover the semiconductor crystal light-tight by z. B. in a box 9 brings.

Die am ersten Ausführungsbeispiel - geschildertenweiteren Ausbaumöglichkeiten der Erfindung lassen sich auch auf die Beispiele 2 und 3 anwenden. So kann man z. B. eine an sich bekannte Vorrichtung bauen, welche auf das Erreichen des Sättigungsstromes der Trägerinjektion gemäß Ausführungsbeispiel 2 oder auf das Auftreten des Fotostroms gemäß Ausführungsbeispiel 3 anspricht und dann die Schneidevorrichtung automatisch ausschaltet.The further expansion options described in the first exemplary embodiment of the invention can also be applied to Examples 2 and 3. So you can z. B. build a known device, which is based on reaching the saturation current the carrier injection according to embodiment 2 or the occurrence of the photocurrent according to embodiment 3 responds and then the cutting device automatically turns off.

Es ist auch möglich; Eichkurven des Trägerinjektionsstromes sowie des Fotostromes an einem bekannten Kristall in Abhängigkeit von der Tiefe des erreichten Schnittes aufzunehmen und sie zur genauen Überwachung bei der Herstellung der Schnittiefe zumindert in einer dar beiden Schichten verschiedenen Leitungstyps an jedem anderen gleichartigen Kristall in der .Weise anzuwenden, wie sie im ersten AusfÜhrungsbeispiel der Erfindung beschrieben ist.It is also possible; Calibration curves of the carrier injection flow as well as of the photocurrent on a known crystal as a function of the depth of the reached Record the cut and use it for precise monitoring during the production of the cutting depth at least in one of the two layers of different conductivity types in each other similar crystal in the .Weise to use as in the first embodiment of the invention is described.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE: -1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren Übergängen zwischen Zonen. unterschiedlichen Leitungstyps nach Art von p-n p-Übergängen oder n-p-n-Übergüngen, bei dem zunächst ein Halbleiterkörper mit zwei flächenhaft aneinandergrenzenden Zonen untersahiedli-chen Leitungstyps hergestellt wird und dann wenigstens eine Zone dieses Halbleiterkörpers durch einen oder mehrere Schnitte, die mittels eines mit Ätzflüssigkeit benetzten und/oder mit einem Schleifmittel@bedeckten faden- oder drahtförmigen Werkzeuges erzeugt sind und die durch die Zone des einen Leitungstyps ganz hindurchgeführt sind, in mehrere Teilzonen aufgetrennt wird, welche nur über die Zone des anderen Leitungstyps. zusammenhängen, nach Patentanmeldung S 35943 VIII c / 21 g, dadurch gekennzeichnet, daß die erreichte Schnittiefe im Halbleiterkörper durch laufende Messungen einer sich mit der Tiefe des geführten Schnittes ändernden elektrischen Größe des Kristalls kontrolliert wird. PATENT CLAIMS: -1. Method for manufacturing a semiconductor device with multiple transitions between zones. different cable types according to Art of p-n p-junctions or n-p-n junctions, in which first a semiconductor body with two two-dimensionally adjoining zones of different conduction types is produced and then at least one zone of this semiconductor body by a or several cuts made by means of a wetted with etching liquid and / or with an abrasive @ covered thread or wire-shaped tool are generated and which are completely passed through the zone of one conduction type into several Partial zones are separated, which only over the zone of the other line type. related, according to patent application S 35943 VIII c / 21 g, characterized in that the achieved Depth of cut in the semiconductor body through ongoing measurements one with the depth of the guided cut controlling the changing electrical size of the crystal will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schnittiefe durch Messungen des elektrischen OOuerwiderstandes im Kristall zwischen zwei an den Halbleiterkristall angelegten, vorgespannten Elektroden kontrolliert wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that the depth of cut by measuring the electrical resistance in the crystal between two biased electrodes applied to the semiconductor crystal is controlled. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schnittiefe durch Messung des Verlaufes. -einer Trägerinjektion in den Halbleiterkristall kontrolliert wird. 3. Method according to Claim 1, characterized in that the depth of cut is determined by measurement of the course. -A carrier injection into the semiconductor crystal is controlled. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwecks Kontrolle der Schnitttiefe mindestens drei an- den Halbleiterkristall angelegte, an verschiedenem Potential liegende Meßelektroden verwendet werden und der durch, den über zwei dieser Elektroden fließenden konstant gehaltenen Primärstrom erzeugte, über die dritte Elektrode fließende Sekundärstrom in Abhängigkeit von der erreichten Schnittiefe bis zu seiner Sättigungsgrenze gemessen wird. 4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that for the purpose of control the cutting depth at least three applied to the semiconductor crystal, on different Potential measuring electrodes are used and the through, the above two of these electrodes flowing constant primary current generated over the third electrode flowing secondary current depending on the achieved Depth of cut is measured up to its saturation limit. 5. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die Verwendung einer dritten Elektrode, die nur für eine Trägersorte empfindlich ist. 5. Order for implementation of the method according to claim 4, characterized by the use of a third Electrode that is only sensitive to one type of carrier. 6. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte, nur für eine Trägersorte empfindliche Me#ßelektrode mit der anderen Schicht des Kristalls als die beiden anderen Elektroden kontaktiert ist. 6. Order for implementation of the method according to claim 5, characterized in that the third, only for a support type of sensitive measuring electrode with the other layer of the crystal than the other two electrodes are in contact. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der entstehende Einschnitt durch ein vorzugsweise kurzwelliges Lichtbündel belichtet und der während des Eindringens des Schnittes in den Kristallkbrper auftretende Fotostrom gemessen wird. B. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der bisherigen Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, welche das den. Einschnitt bewirkende faden- oder drahtförmige Werkzeug selbsttätig abstellt, sobald der Einsschnitt , die Grenzfläche zwischen p- und n-Schicht erreicht. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontrolle der Schnittiefe mit Hilfe der bereits vor dem Einschneiden an den Halbleiterkristall angebrachten endgültigen Elektroden der Halbleiteranordnung vorgenommen wird.7. The method according to claim 1, characterized in that the incision formed by a preferably short-wave Light bundle exposed and the during the penetration of the cut into the crystal body occurring photocurrent is measured. B. Arrangement for carrying out the procedure according to one of the previous claims, characterized by a device which that the. Thread-like or wire-like tool that causes incision automatically switches off, as soon as the incision reaches the interface between the p- and n-layer. 9. Method according to one of Claims 1 to 9, characterized in that the control the depth of cut with the help of the semiconductor crystal before the incision attached final electrodes of the semiconductor device is made.
DES51113A 1956-11-02 1956-11-02 Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types Pending DE1044982B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES51113A DE1044982B (en) 1956-11-02 1956-11-02 Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES51113A DE1044982B (en) 1956-11-02 1956-11-02 Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1044982B true DE1044982B (en) 1958-11-27

Family

ID=7488102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES51113A Pending DE1044982B (en) 1956-11-02 1956-11-02 Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1044982B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146203B (en) * 1958-01-17 1963-03-28 Philips Nv Method for removing material from a semiconductor body of a semiconductor component, e.g. B. a transistor or a crystal diode, by the action of a strahlenfoermig applied abrasive
DE1199407B (en) * 1959-01-20 1965-08-26 Siemens Ag Method for removing a semiconductor body with a pn junction of a semiconductor component by etching

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146203B (en) * 1958-01-17 1963-03-28 Philips Nv Method for removing material from a semiconductor body of a semiconductor component, e.g. B. a transistor or a crystal diode, by the action of a strahlenfoermig applied abrasive
DE1199407B (en) * 1959-01-20 1965-08-26 Siemens Ag Method for removing a semiconductor body with a pn junction of a semiconductor component by etching

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1439921B2 (en) Reinforcing semiconductor device
DE1246890B (en) Diffusion process for manufacturing a semiconductor component
DE3118834A1 (en) METHOD FOR DETERMINING THE END POINT OF A PHYSICAL ETCHING PROCESS AND DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD
DE102015121636A1 (en) Device and method for one-sided etching of a semiconductor layer
DE1024640B (en) Process for the production of crystallodes
DE2951733A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
DE3003391C2 (en) Radiation detector with a passivated pn semiconductor junction
DE1044982B (en) Method for producing a semiconductor arrangement with several transitions between zones of different conductivity types
DE1217000B (en) Photodiode
DE1808406C3 (en) Radiation detector and process for its manufacture
DE2930584C2 (en) Semiconductor component that uses the effect of stored photoconductivity
DE10217426B4 (en) Spatial detector for the measurement of electrically charged particles and use of the detector
DE112016001599T5 (en) Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
DE3942861A1 (en) METHOD FOR DETERMINING THE POSITION OF A PN TRANSITION
AT206937B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
DE2012945A1 (en)
DE112018007456B4 (en) Semiconductor device, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device
CH668860A5 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.
DE2037089C3 (en) Method for determining the carrier life in semiconductor component wafers with at least three zones of alternating conductivity types
DE1790173C3 (en) Method for producing pairs of magnetic field controllable semiconductor components
DE1439522B2 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A DIRECTIVE PN TRANSITION AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING
DE1614184C3 (en) Method for producing a semiconductor switching element
DE1589696C3 (en) Semiconductor component, in particular a flat transistor
DE19927329A1 (en) Semiconductor detector, especially for use with high radiation exposure; has biased laminar structure to detect charge carrier produced by radiation
DE3238426C2 (en) Photoconductor strip detector