DE1044159B - Self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses and pulse trains - Google Patents

Self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses and pulse trains

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DE1044159B
DE1044159B DEI9063A DEI0009063A DE1044159B DE 1044159 B DE1044159 B DE 1044159B DE I9063 A DEI9063 A DE I9063A DE I0009063 A DEI0009063 A DE I0009063A DE 1044159 B DE1044159 B DE 1044159B
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Description

DEUTSCHESGERMAN

Es ist bekannt, Kippschaltungen mit nur einem Transistor herzustellen, indem ein Widerstand geeigneter Größe in den Basiskreis eines Punktkontakttransistors eingefügt wird. Die Strom-Spannungs-Kennlinie einer solchen Transistorschaltung weist einen Bereich negativen Widerstandes zwischen zwei Bereichen positiven Widerstandes auf. Diese Schaltung besitzt je nachdem, ob die Belastungslinie die Strom-Spannungs-Kennlinie in nur einem Punkt eines positiven Widerstandes, in nur einem Punkt des negativen Widerstandes oder in allen drei Widerstandsbereichen schneidet, stabile, astabile oder bistabile Eigenschaften. Bei astabilen Schaltungen muß ein Energiespeicher, z. B. ein Kondensator oder eine Induktivität, verwendet werden, dessen Energieumladungszeitkonstanten die Frequenz der freien Schwingung bestimmt. Man ist also bei derartigen Anordnungen in der maximal erreichbaren Frequenz durch die erwähnten Zeitkonstanten in Verbindung mit der zur Erhaltung des Schwingzustandes nötigen Phasendrehung der Schaltungen festgelegt.It is known to produce flip-flops with only one transistor by adding a resistor suitable Size is inserted into the base circle of a point contact transistor. The current-voltage characteristic such a transistor circuit has a region of negative resistance between two Areas of positive resistance. This circuit has depending on whether the load line the Current-voltage characteristic curve in only one point of positive resistance, in only one point of negative Resistance or intersects in all three resistance ranges, stable, astable or bistable Properties. In the case of astable circuits, an energy storage device, e.g. B. a capacitor or an inductor, are used, the energy transfer time constant of which the frequency of free oscillation certainly. With such arrangements, one is through with the maximum achievable frequency the mentioned time constants in connection with the phase rotation necessary to maintain the oscillation state of the circuits set.

Es ist ferner bekannt, daß ein beispielsweise an der Basiselektrode eines Transistors angelegter Rechteckimpuls zufolge dem Transistor an sich eigener, bisher als nachteilig angesehener Eigenschaften keine sofortige kongruente Änderung an der Kollektorelektrode bewirkt, sondern daß vielmehr eine bestimmte Verzögerung des an der Transistorausgangselektrode auftretenden Impulses vorhanden ist.It is also known that a square-wave pulse applied, for example, to the base electrode of a transistor according to the transistor's own inherent properties, which have hitherto been viewed as disadvantageous, no instantaneous properties causes congruent change at the collector electrode, but that rather a certain delay of the pulse occurring at the transistor output electrode is present.

Erfindungsgemäß erhält man eine selbstschwingende Schaltungsanordnung zur Erzeugung von elektrischen Impulsen und Impulsfolgen ohne Verwendung äußerer Energiespeicher, indem eine in sich rückgekoppelte Kaskadenschaltung von mindestens zwei an sich bekannten bistabilen, aus je einem Transistor bestehenden Kippschaltungen aufgebaut wird, bei der die Kopplung so ausgelegt ist, daß eine bistabile Schaltung jeweils bei einem Übergang in einem stabilen Zustand die nächstfolgende Stufe in den anderen stabilen Zustand umschaltet und umgekehrt. Hierbei wird die Umschaltfrequenz im wesentlichen durch die den Transistoren eigene innere Verzögerung der Ladungsträger bestimmt. Die Vorspannungen der Transistorelektroden sind dabei entweder so gewählt, daß alle bistabilen Schaltungen eine gleichartige Ruhelage einzunehmen bestrebt sind oder daß die bistabilen Schaltungen ungleichartige Ruhelagen einnehmen, die Kopplungen jedoch eine Umschaltung in gleichartige Lagen bewirken. Diese Anordnung besitzt gegenüber den bisher bekannten einmal den Vorteil, daß keine Energiespeicher wie Induktivitäten und Kondensatoren und Kombinationen davon (LC-Kreise, Verzögerungsleitungen) benötigt werden und somit die Frequenz der Anordnung nur durch die den Selbstschwingende Schaltungsanordnung zur Erzeugung von elektrischen ImpulsenAccording to the invention, a self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses and pulse trains without the use of external energy stores is obtained by constructing a feedback cascade circuit of at least two known bistable trigger circuits, each consisting of a transistor, in which the coupling is designed so that a bistable circuit switches the next following stage to the other stable state and vice versa when there is a transition in one stable state. The switching frequency is essentially determined by the internal delay of the charge carriers inherent in the transistors. The bias voltages of the transistor electrodes are either chosen so that all bistable circuits strive to assume a similar rest position or that the bistable circuits assume unequal rest positions, but the couplings cause a switchover to similar positions. This arrangement has the advantage over the previously known ones that no energy stores such as inductors and capacitors and combinations thereof (LC circuits, delay lines) are required and thus the frequency of the arrangement is only required by the self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses

und Impulsfolgenand pulse trains

Anmelder:Applicant:

IBM DeutschlandIBM Germany

Internationale Büro-MaschinenInternational office machines

Gesellschaft m.b.H., Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49Gesellschaft m.b.H., Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49

Beanspruchte Priorität: V. S.t. v. Amerika vom 31. August 1953Claimed priority: V. S.t. v. America August 31, 1953

Altman William Lampe,Altman William lamp,

Hopewell Junctions, N. Y. (V. St. Α.),Hopewell Junctions, N. Y. (V. St. Α.),

ist als Erfinder genannt wordenhas been named as the inventor

Transistoren eigene innere Verzögerung bestimmt wird. Die hiermit erreichbaren Frequenzen liegen naturgemäß höher, als dies unter Anwendung äußerer Energiespeicher möglich war. Da die innere Verzögerung eines Transistors durch Änderung der an den Transistor angelegten Spannungen beeinflußt werden kann, ergibt sich somit als weiterer Vorteil, daß die erfindungsgemäßen Anordnungen in sehr einfacher Weise in ihrer Frequenz regelbar sind. Da weiterhin von jeder Elektrode der einzelnen an sich bistabilen Schaltungen Impulse abgenommen werden können, ergibt sich weiterhin eine einfache Möglichkeit zur Erzeugung von periodischen Impulsgruppen, wie sie an vielen Stellen von elektronischen Rechenanlagen benötigt werden.Transistors own internal delay is determined. The frequencies that can be achieved with this are naturally higher than was possible using external energy storage devices. Because the internal delay of a transistor can be influenced by changing the voltages applied to the transistor can, there is thus a further advantage that the arrangements according to the invention are very simple Way are adjustable in frequency. Since each electrode continues to be bistable in itself Circuits pulses can be picked up, there is still a simple way to Generation of periodic pulse groups, as they are in many places in electronic computing systems are needed.

Die Erfindung wird nunmehr an Hand der Zeichnungen im einzelnen näher erläutert.The invention will now be explained in more detail with reference to the drawings.

Fig. 1 stellt eine dreistufige Schaltung gemäß der Erfindung dar;Fig. 1 illustrates a three stage circuit according to the invention;

Fig. 2 zeigt die an den verschiedenen Punkten der Schaltung nach Fig. 1 auftretenden Impulsformen; Fig. 3 und 4 zeigen Ein- und Zweistufenausführungen der Erfindung.Fig. 2 shows the waveforms occurring at the various points in the circuit of Fig. 1; Figures 3 and 4 show one and two stage implementations of the invention.

In der Schaltung nach Fig. 1 enthält jede der drei Stufen einen Punktkontakttransistor 10 mit einem stromverstärkenden Halbleiter vom η-Typ, dessen Emitterelektrode e über einen Widerstand 12 geerdet ist, dessen Kollektorelektrode c an den negativen Pol der Batterie 14 über einen Kollektorbelastungswiderstand 16 angeschlossen ist und dessen Basiselektrode b In the circuit of FIG. 1, each of the three stages contains a point contact transistor 10 with a current-amplifying semiconductor of the η-type, the emitter electrode e of which is grounded via a resistor 12, the collector electrode c of which is connected to the negative pole of the battery 14 via a collector load resistor 16 and its base electrode b

809 679/141809 679/141

3 43 4

über einen Widerstand 20 mit dem positiven Pol der kurven und etwa 15 Volt bei den Kollektorelektroden-Batterie 18 verbunden ist. Die Stufen sind zu einem kurven.Via a resistor 20 to the positive pole of the curve and about 15 volts for the collector electrode battery 18 is connected. The steps are a curve.

Ring über einen weiteren Widerstand 22 zusammen- Zwecks Erklärung der Wirkungsweise der Schalgeschlossen. Ferner ist jede Kollektorelektrode c mit tung nach Fig. 1 sei zunächst angenommen, daß die der Basiselektrode b der nächsten Stufe gekoppelt, so 5 Batterien 14 und 18 gleichzeitig an die Schaltung daß also die Kollektorelektrode der ersten Stufe mit gelegt werden. Dann ist zunächst keiner der bistabilen der Basiselektrode der zweiten, die Kollektorelektrode Transistoren im stromführenden Zustand. Damit liegt der zweiten Stufe mit der Basiselektrode der dritten aber an jeder der Kollektorelektroden fast die volle und die Kollektorelektrode der dritten Stufe mit der negative Spannung der Batterie 14. Über die Span-Basiselektrode der ersten gekoppelt sind. io nungsteilerwiderstände 22 und 20 erhalten jetzt dieRing together via a further resistor 22 for the purpose of explaining the mode of operation of the scarf. Furthermore, each collector electrode c with the device according to FIG. 1, it is initially assumed that the base electrode b of the next stage is coupled, so 5 batteries 14 and 18 are simultaneously connected to the circuit that the collector electrode of the first stage is also placed. Then initially none of the bistable of the base electrode of the second, the collector electrode transistors are in the current-carrying state. This means that the second stage with the base electrode of the third is almost full on each of the collector electrodes and the collector electrode of the third stage with the negative voltage of the battery 14. Are coupled via the span base electrode of the first. io voltage divider resistors 22 and 20 now receive the

Die Schaltelemente jeder Stufe sind so festgelegt, Basiselektroden ein negativeres Potential, das die sper-The switching elements of each stage are set in such a way that the base electrodes have a more negative potential that

daß jede Stufe selbst zwei stabile Zustände besitzt, rende Wirkung des positiven Potentials der Batteriethat each stage itself has two stable states, the effect of the positive potential of the battery

und zwar ist der Wert des Widerstandes 20 so ge- 18 aufhebt. Es versuchen also alle Transistoren etwanamely, the value of the resistor 20 is thus canceled. So all transistors try to do it

wählt, daß die Strom-Spannungs-Kennlinie einen gleichzeitig in den EIN-Zustand zu gelangen. Wennselects that the current-voltage characteristic line one at the same time to get into the ON state. if

ausreichenden Bereich negativen Widerstandes be- 15 zuerst der linke Transistor 10' in Fig. 1 in den EIN-sufficient range of negative resistance is 15 first the left transistor 10 'in Fig. 1 in the ON-

sitzt. Der Wert des Widerstandes 12 ist so bestimmt, Zustand gerät, sperrt er durch die an seinem Kollek-sits. The value of the resistor 12 is determined in such a way that the state of the device is blocked by the

daß die Belastungslinie diese Kennlinie an drei Stel- tor nahezu auf Massepotential absinkende Spannungthat the load curve has this characteristic curve at three points, a voltage that drops almost to ground potential

len. von denen zwei stabil sind, schneidet. An jedem den mittleren Transistor 10". Es kann also nun nochlen. two of which are stable, cuts. On each the middle transistor 10 ". So it can now

Kollektorelektrodenwiderstand 16 wird ein Impuls der rechte Transistor 10'" in Fig. 1 in den EIN-Zu-Collector electrode resistor 16 is a pulse the right transistor 10 '"in Fig. 1 in the ON-to-

für die nächste Stufe abgenommen. Dieser Widerstand 20 stand gelangen. Infolge der Ringschaltung sperrt erdecreased for the next stage. This resistance 20 stood. As a result of the ring circuit, it locks

begrenzt außerdem den durch den Kollektorelektro- aber über den Widerstand 22'" die Basis des linkenalso limits the base of the left through the collector electrical but through the resistor 22 '"

denkreis fließenden Strom. In diesem Stromkreis fin- Transistors, so daß dieser in den AUS-Zustand um-current flowing in the circle. In this circuit fin- transistor, so that this in the OFF state to-

det nun eine Verzögerung zwischen der an dar Basis- geschaltet wird und dadurch der mittlere TransistorThere is now a delay between when the base is switched to and thereby the middle transistor

elektrode b oder der Emitterelektrode e angelegten in den EIN-Zustand umzuschalten beginnt. Wie ohneelectrode b or the emitter electrode e applied to switch to the ON state. How without

Steuerspannung und dem hierdurch an der Kollektor- 25 weiteres ersichtlich, wird die Schaltfrequenz nur nochControl voltage and what can be seen from this on the collector 25, the switching frequency is only

elektrode dieses Transistors auftretenden Umschalt- durch die innere Verzögerung der Transistoren be-electrode of this transistor that occurs due to the internal delay of the transistors

impuls statt. Diese Eigenverzögerung ist beim Um- stimmt. An Hand der Fig. 2 soll im folgenden derimpulse instead. This self-delay is part of the change of mind. With reference to FIG. 2, the following is intended to

schalten eines Transistors vom EIN- in den AUS- Verlauf der Umschaltungen im einzelnen beschriebenSwitching a transistor from the ON to the OFF course of the switchings is described in detail

Zustand größer als beim Umschalten vom AUS- in werden.State greater than when switching from OFF to.

den EIN-Zustand. Es wird angenommen, daß die erste 30 In Fig. 2 beginnt zur Zeit 0 (Anlegen der Batterien Verzögerung, die Abfallzeit genannt werden soll, 18 und 14) das Basispotential des linken (ersten) durch die Zeit zum Auffüllen der Elektronenlöcher Transistors Elb negativer zu werden, so daß der und dem Durchlaufen der Elektronen hervorgerufen Transistor von der Basis her eingeschaltet wird wird. Diese Zeit beträgt etwa 1 bis 4 Mikrosekunden, (Zeit 1). Der ensprechende Anstieg des Kollektor-^ die durch Einstellen des Kollektorelektrodenwider- 35 potentials E1 c in Richtung Massepotential beginnt jestandes und der Kollektorelektrodenspannung geregelt doch zufolge der inneren Verzögerung erst zur Zeit 2 werden kann. Die zweite und kürzere Verzögerung, und erreicht seinen Endwert zur Zeit 3. Über den die Anstiegzeit genannt wird, ist wahrscheinlich der Widerstand 22' wird der zweite Transistor 10" gehin-Lochsteuer- und der Durchlaufzeit zuzuschreiben und dert, in den stromführenden Zustand umzuschalten, hängt von der Leistungsfähigkeit der Steuerelektrode 40 Es kann jedoch der dritte Transistor 10'" in den und dem Widerstand der Steuerquelle ab; diese Zeit EIN-Zustand gehen. Der Vorgang läuft analog zum beträgt etwa 0,2 bis 2,0 Mikrosekunden. Die oben soeben beschriebenen in der Zeitfolge 4-5-6-7, Kurangegebenen Werte gelten für Basiselektroden- oder ven£3& und E3 c ab. In der Zeit 6-7 wird aber die Emitterelektrodeneingangsverbindungen zu einem Basiselektrode des ersten Transistors über den Wider-Ptinktkontakttransistor oder für eine Basiselektroden- 45 stand 22'" gesperrt. Erst nach Ablauf der Defekteingangsverbindung zu einem Schichttransistor. Bei elektronenauffüllzeit 7-8 beginnt eine entsprechende Verwendung einer Basiselektrodeneingangsverbin- Änderung an der Kollektorspannung JS1 c. Die Abfalldung zu einem Schichttransistor sind die Anstiegs- zeit dauert also von 7 bis 9. Dadurch wird jetzt das und auch die Abfallzeit geringer. Basispotential des mittleren Transistors im Sinnethe ON state. It is assumed that the first 30 in Fig. 2 starts at time 0 (application of the batteries delay, which shall be called the fall time, 18 and 14) the base potential of the left (first) through the time to fill the electron holes transistor E lb negative so that the transistor caused by the passage of electrons is turned on from the base. This time is about 1 to 4 microseconds (time 1). The corresponding increase in the collector electrode, which begins by adjusting the collector electrode resistance E 1 c in the direction of ground potential, begins and the collector electrode voltage can only be regulated at time 2 due to the internal delay. The second and shorter delay, and reaches its final value at time 3. Over which the rise time is called, is likely to be the resistor 22 ', the second transistor 10 "will be attributed to the going-hole control and transit time and changing to the energized state, depends on the performance of the control electrode 40. However, the third transistor 10 '"in the and the resistance of the control source; this time go ON state. The process is analogous to the approx. 0.2 to 2.0 microseconds. The values just described above in the sequence 4-5-6-7, cure apply to base electrode or ven £ 3 & and E 3 c ab. In the time 6-7, however, the emitter electrode input connection to a base electrode of the first transistor is blocked via the resistive contact transistor or for a base electrode stand 22 '". Only after the defect input connection to a layer transistor has expired Use of a base electrode input connection change at the collector voltage JS 1 c . The fall-off to a layer transistor is the rise time lasts from 7 to 9. This means that this and also the fall time are now lower

Fig. 2 zeigt Kurvenformen an verschiedenen Stel- 50 einer EIN-Schaltung geändert, dessen EinschaltungFig. 2 shows waveforms at various points 50 of an ON circuit changed, its switching on

len der Schaltung nach Fig. 1, wenn diese bei geöffne- sich analog in 8-9-10-11, Kurve Ji2 6 und E2 c vollzieht,len the circuit according to Fig. 1, if this takes place when open analog in 8-9-10-11, curve Ji 2 6 and E 2 c ,

tem Schalter 24 und damit bei abgeschaltetem Kon- Vom mittleren Transistor wird der dritte Transistorsystem switch 24 and thus with the con-The middle transistor becomes the third transistor

densator26 betrieben wird. Die oberste Kurve stellt in den AUS-Zustand gesteuert, 10-11-12-13, Kurvedensator26 is operated. The top curve represents controlled in the OFF state, 10-11-12-13, curve

die Spannungskurve E1 6 an der Basiselektrode & des E3b und Esc. Danach wird in der Schaltung nachthe voltage curve E 1 6 to the base electrode of the E & E s 3b and c. After that, in the circuit according to

ersten oder linken Transistors der Fig. 1 dar. Die-fol- 55 Fig. 1 der Zyklus gemäß der Darstellung in Fig. 2first or left transistor of FIG. 1. The following 55 FIG. 1 shows the cycle as shown in FIG

genden fünf Kurvenzüge der Fig. 2 zeigen die Span- fortgesetzt.The five curves in FIG. 2 show the span continued.

nungen an der Kollektorelektrode des ersten Tran- Man kann also an jeder Basis-, Emitter- oder sistors und an der Basiselektrode und an der Kollek- Kollektorelektrode jedem der drei Transistoren Imtorelektrode des zweiten Transistors und an der pulse abnehmen, die in bestimmter gegenseitiger Zeit-Basiselektrode und an der Kollektorelektrode des 60 beziehung stehen.voltages at the collector electrode of the first tran- You can therefore at any base, emitter or sistors and at the base electrode and at the collector-collector electrode of each of the three transistors Imtorelectrode of the second transistor and decrease in the pulse, which in certain mutual time base electrode and on the collector electrode of the 60 there is a relationship.

dritten Transistors. Alle diese Kurven zeigen die In Weiterbildung der Erfindung läßt sich insbeson-third transistor. All of these curves show that in a further development of the invention, in particular

Abhängigkeit der Impulse von der Zeit und sind nicht dere die Frequenz der Impulszüge außer der bereitsDependence of the impulses on the time and are not the frequency of the impulse trains other than that already

maßstabgerecht gezeichnet. Sowohl die Spannungs- erwähnten Maßnahmen der Speisespannungsänderungdrawn to scale. Both the voltage-mentioned measures for changing the supply voltage

änderungen der Impulse als auch die Zeitdauer dieser auch durch Einfügung eines regelbaren KondensatorsChanges in the impulses as well as the duration of these also by inserting a controllable capacitor

Änderungen sind übertrieben dargestellt worden, da- 65 26, der über den Schalter 24 zwischen die Kollektor-Changes have been exaggerated because 65 26, the switch 24 between the collector

niit die Arbeitsweise der Schaltung klarer hervortritt. elektrode c des ersten Transistors und die Basiselek-niit the operation of the circuit becomes clearer. electrode c of the first transistor and the base elec-

Der Betrag der verschiedenen Zeitverzögerungen in trode b- des dritten Transistors eingeschaltet ist,The amount of the different time delays in trode b- of the third transistor is switched on,

der Schaltung ist bereits angegeben worden; die steuern.the circuit has already been specified; the taxes.

Spaimungsdifferenzen in den Kurven betragen von Ein: anderes Verfahren, zur Veränderung der Fre-Spaiming differences in the curves are from Ein: Another method for changing the fre-

Sprize zu Spitze etwa 1 Volt bei den Basiselektroden- 70 quenz, insbesondere Verringerung derselben, derSprinkle to peak about 1 volt at the base electrode frequency, especially decreasing the same, the

Claims (4)

Schaltung nach Fig. 1 besteht darin, einzelne oder alle Kopplungswiderstände 22 durch veränderliche oder unveränderliche Verzögerungsleitungen zu ergänzen, so daß eines der in der Schaltung enthaltenen bistabilen Elemente einen Aufbau gemäß Fig. 3 erhält. Es ist ferner auch möglich, einzelne oder alle Belastungswiderstände durch veränderliche Impedanzen zu ersetzen. Die soeben aufgezeigten Veränderungen ergeben im wesentlichen eine Verringerung der Impulsfolgefrequenz. Die bislang erläuterten erfindungsgemäßen Schaltungen arbeiten mit einer ungeraden Anzahl von Stufen, mindestens jedoch mit drei Stufen. Das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip läßt sich jedoch auch noch für eine Zusammenschaltung von nur zwei je für sich bistabilen Stufen anwenden, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. Diese Schaltung ermöglicht eine höhere Impulsfolgefrequenz bei Verwendung sonst gleicher Bauteile gemäß Fig. 1. Die rechte Stufe wirkt jetzt von ihrer KoHektorelektrode über den Widerstand 22 auf die Emitterelektrode der linken Stufe ein. Außerdem ist der Emitter des linken Transistors statt an Erde an das positive Potential der Batterie 18 gelegt, während die Basiselektrode nun geerdet ist. Der Verlauf des Schaltvorganges entspricht dem der Schaltung nach Fig. 1, jedoch mit dem Unterschied, daß die Vorspannungen die linke Stufe in den EIN-Zustand und die rechte Stufe im AUS-Zustand zu halten suchen und daß sich über die Kopplungswiderstände 22 beide bistabile Schaltungen in den gleichen Zustand zu bringen suchen, also beide EIN oder beide AUS. Di? gezeigten Beispiele lassen sich selbstverständlich in mannigfacher Weise den gewünschten Bedingungen anpassen und stellen keine Beschränkung der Erfindung dar. Pa tent λ χ s ι· ι; few, ΐ·:.The circuit according to FIG. 1 consists in supplementing individual or all coupling resistors 22 with variable or unchangeable delay lines, so that one of the bistable elements contained in the circuit is given a structure according to FIG. It is also possible to replace individual or all load resistances with variable impedances. The changes just indicated essentially result in a reduction in the pulse repetition frequency. The circuits according to the invention explained so far operate with an odd number of stages, but at least with three stages. The principle on which the invention is based can, however, also be used for an interconnection of only two bistable stages, as shown in FIG. This circuit enables a higher pulse repetition frequency when using otherwise identical components according to FIG. 1. The right stage now acts from its co-heater electrode via the resistor 22 on the emitter electrode of the left stage. In addition, the emitter of the left transistor is connected to the positive potential of the battery 18 instead of to earth, while the base electrode is now earthed. The course of the switching process corresponds to that of the circuit according to FIG. 1, but with the difference that the bias voltages seek to keep the left stage in the ON state and the right stage in the OFF state and that both bistable circuits are connected via the coupling resistors 22 try to bring them into the same state, i.e. both ON or both OFF. Di? The examples shown can of course be adapted to the desired conditions in many ways and do not constitute a limitation of the invention. few, ΐ · :. 1. Selbstschwingende Schaltungsanordnung zur Erzeugung von elektrischen Impulsen und Impulsfolgen, gekennzeichnet durch eine in sich rückgekoppelte Kaskadenschaltung von mindestens zwei an sich bekannten bistabilen, aus je einem Transistor bestehende Kippschaltungen, von denen eine bistabile Schaltung jeweils bei einem Übergang in einen stabilen Zustand die nächstfolgende Stufe in den anderen stabilen Zustand umschaltet und umgekehrt, daß die Umschaltfrequenz der einzelnen Kippschaltungen im wesentlichen durch die den Transistoren eigene innere Verzögerung der Ladungsträger bestimmt wird und daß die Vorspannungen der Transistorelektroden so gewählt sind, daß alle bistabilen Schaltungen eine gleichartige Ruhelage einzunehmen bestrebt sind.1. Self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses and pulse trains, characterized by a back-coupled cascade circuit of at least two known bistable flip-flops, each consisting of a transistor, of which a bistable circuit in each case the next following when there is a transition to a stable state Stage switches to the other stable state and vice versa that the switching frequency of the individual Flip-flops essentially due to the intrinsic delay of the transistors Charge carrier is determined and that the bias voltages of the transistor electrodes are chosen are that all bistable circuits strive to assume a similar rest position. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine geradzahlige Zahl von bistabilen Schaltungen so zu einem Ring zusammengeschaltet sind, daß jeweils die KoHektorelektrode der vorhergehenden Stufe galvanisch mit der Emitterelektrode einer bistabilen Punktkontakttransistorschaltung verbunden ist.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that an even number of bistable Circuits are interconnected to form a ring that each KoHektorelectrode the previous stage galvanically with the emitter electrode of a bistable point contact transistor circuit connected is. 3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer dreistufigen Ringschaltung die Basiselektrode des dritten Transistors über einen veränderlichen Kondensator mit der KoHektorelektrode des ersten Transistors gekoppelt ist.3. Arrangement according to claims 1 and 2, characterized in that in a three-stage Ring connection the base electrode of the third transistor via a variable capacitor is coupled to the KoHektorelectrode of the first transistor. 4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Schaltung mit geradzahliger Stufenzahl eine Impulsumkehrschaltung in den Ring eingefügt ist.4. Arrangement according to claims 1 and 2, characterized in that in a circuit with an even number of stages, a pulse reversing circuit is inserted into the ring. In Betracht gezogene Druckschriften:Considered publications: USA.-Patentschrift Nr. 2 556 296;U.S. Patent No. 2,556,296; B. Chance, V. Hughes u. a., »Waveforms«, McGraw-Hill-Book Co., New York, 1949, S. 246;B. Chance, V. Hughes et al., "Waveforms," McGraw-Hill-Book Co., New York, 1949, p. 246; »RCA-Review«, Dezember 1949, H. 4, S. 459 bis 476;"RCA Review", December 1949, no. 4, pp. 459 to 476; »Das Elektron«, 1950, S. 357 bis 367."Das Elektron", 1950, pp. 357 to 367. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings © 809 679/141 11.58© 809 679/141 11.58
DEI9063A 1953-08-31 1954-08-24 Self-oscillating circuit arrangement for generating electrical pulses and pulse trains Pending DE1044159B (en)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2556296A (en) * 1949-04-26 1951-06-12 Bell Telephone Labor Inc High-frequency transistor oscillator

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GB755797A (en) 1956-08-29

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