DE10360539B4 - Reflecting layer sequence with a covering layer of silicon - Google Patents

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Abstract

Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm, die eine periodische Anordnung einer Mehrzahl von auf einem Substrat (1) angeordneten Schichtpaaren (5) enthält, die jeweils eine Siliziumschicht (2) und eine über dieser angeordnete Scandiumschicht (3) enthalten, wobei die Siliziumschicht (2) eine vorgegebene Dicke dSi aufweist, und auf der Mehrzahl von Schichtpaaren (5) eine Deckschicht (6) aufgebracht ist, die durch Aufbringen einer Siliziumschicht mit einer vorgegebenen Dicke d mit 0,6 dSi ≤ d ≤ 0,8 dSi herstellbar ist.Layer sequence for the reflection of radiation having a wavelength between 35 nm and 50 nm, which contains a periodic arrangement of a plurality of layer pairs (5) arranged on a substrate (1), each comprising a silicon layer (2) and a scandium layer (3 ), wherein the silicon layer (2) has a predetermined thickness d Si , and on the plurality of layer pairs (5) a cover layer (6) is applied, by applying a silicon layer having a predetermined thickness d with 0.6 d Si ≤ d ≤ 0.8 d Si can be produced.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft eine Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm.The The invention relates to a layer sequence for the reflection of radiation with one wavelength between 35 nm and 50 nm.

Reflektierende optische Bauelemente für die Nutzung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV), der den Wellenlängenbereich von etwa 10 nm bis etwa 50 nm umfasst, können durch Dünnschichtsysteme realisiert werden, die eine in der Regel periodische Schichtenfolge aus einer Vielzahl von Dünnschichtpaaren enthalten. Ein Dünnschichtpaar enthält im allgemeinen zwei Schichten aus verschiedenen Materialien, die in dem zur Verwendung des Bauelements vorgesehenen Wellenlängenbereich einen möglichst großen Unterschied in ihren optischen Konstanten aufweisen sollten. Zumindest eines dieser Materialien sollte bei der vorgesehenen Wellenlänge eine möglichst geringe Absorption aufweisen. Die Auswahl der Materialien für die Schichtenfolge ist daher vor allem von der Wellenlänge, bei der das optische Bauelement verwendet werden soll, abhängig. Im EUV-Spektralbereich gibt es daher für jeweils einen bestimmten, meist nur wenige Nanometer breiten Wellenlängenbereich eine optimale Materialpaarung, welche aufgrund des optischen Kontrastes der Schichtmaterialien eine hohe Reflexion garantiert.reflective optical components for the use in the extreme ultraviolet spectral range (EUV), the the wavelength range from about 10 nm to about 50 nm can be achieved by thin film systems be realized, which is a usually periodic layer sequence from a variety of thin-film pairs contain. A thin film pair contains In general, two layers of different materials, the in the wavelength range provided for use of the device one possible huge Should have difference in their optical constants. At least one of these materials should be at the intended wavelength preferably have low absorption. The selection of materials for the layer sequence is therefore mainly of the wavelength at which the optical component should be used depending. in the EUV spectral range is therefore available for a particular, usually only a few nanometers wide wavelength range optimal material pairing, which due to the optical contrast of the layer materials guarantees a high reflection.

Da im Wellenlängenbereich von etwa 35 nm bis etwa 50 nm zwischen den Materialien Scandium und Silizium ein guter optischer Kontrast besteht, ist diese Materialpaarung besonders zur Herstellung von reflektierenden Schichtenfolgen darstellt für diesen Wellenlängenbereich geeignet.There in the wavelength range from about 35 nm to about 50 nm between the scandium and the materials Silicon is a good optical contrast, this material pairing especially for the production of reflective layer sequences For this Wavelength range suitable.

Bei einer derartigen Schichtenfolge beträgt die Eindringtiefe der EUV-Strahlung aufgrund der hohen Absorption der Schichtmaterialien nur wenige 100 nm. Daher tragen nur wenige Grenzflächen zur Reflexion der Schichtenfolge bei, insbesondere haben Schichten in Substratnähe nur noch einen sehr geringen Einfluss auf die Gesamtreflexion. Die erreichbaren Maximalwerte für die Reflexion R sind daher im Wellenlängenbereich zwischen 35 nm und 50 nm im Vergleich zu anderen Spektralbereichen relativ gering und betragen etwa R = 0,5. Beispielsweise wurde für reflektierende Schichtenfolgen aus dieser Materialpaarung in der Druckschrift Y.A. Uspenskii, V.E. Levashov, A.V. Vinogradov, A.I. Fedorenko, V.V. Kondratenko, Y.P. Pershin, E.N. Zubarev, V.Y. Fedotov, „High-reflectivity multilayer mirrors for a vacuum-ultraviolet interval of 35-50nm", Optics Letters 23, No. 10, 771-773 (1998) eine Reflexion von R = 54% bei einer Wellenlänge von 36,5 nm veröffentlicht.at Such a layer sequence is the penetration depth of the EUV radiation only a few 100 due to the high absorption of the coating materials nm. Therefore, only a few interfaces contribute to the reflection of the layer sequence In particular, layers near the substrate have only a very small Influence on the total reflection. The achievable maximum values for the Reflection R are therefore in the wavelength range between 35 nm and 50 nm relatively low compared to other spectral ranges and are about R = 0.5. For example, was for reflective Layer sequences from this material pairing in the publication Y.A. Uspenskii, V.E. Levashov, A.V. Vinogradov, A.I. Fedorenko, V.V. Kondratenko, Y.P. Pershin, E.N. Zubarev, V.Y. Fedotov, "High-reflectivity multilayer mirrors for a vacuum-ultraviolet interval of 35-50nm ", Optics Letters 23, no. 10, 771-773 (1998) a reflection of R = 54% in a wavelength published by 36.5 nm.

Insbesondere für Anwendungen, bei denen der optische Aufbau eine mehrfache Reflexion an verschiedenen Spiegeln vorsieht, ist eine hohe Reflexion jedes einzelnen Spiegels erstrebenswert, da die Reflexion des Gesamtsystems in diesem Fall exponentiell mit der Anzahl der Spiegel abnimmt. Bei einer Anordnung aus mehreren Spiegeln hat deshalb bereits eine geringfügige Verbesserung der Reflexion eines Einzelspiegels einen erheblichen Einfluss auf die Gesamtreflexion des optischen Systems.Especially for applications, in which the optical structure of a multiple reflection at different Mirroring is a high reflection of each mirror desirable, since the reflection of the entire system in this case decreases exponentially with the number of mirrors. In an arrangement from several mirrors therefore already has a slight improvement the reflection of a single mirror has a significant impact on the Total reflection of the optical system.

In der Druckschrift M. Singh, J.J.M. Braat: Capping layers for extreme-ultraviolet multilayer interference coatings, Optics Letters 26, Nr. 5, 2001, S. 259-261 wird der Einfluß von Deckschichten auf die Reflexion von Mo/Si Multilayer- Spiegeln diskutiert. Es wird vorgeschlagen, auf die oberste Siliziumschicht eine zusätzliche Deckschicht aufzubringen, wobei mehrere geeignete Materialien, beispielsweise SiO2, genannt werden und für diese Materialien jeweils eine optimierte Dicke für die unterhalb der Deckschicht angeordnete Siliziumschicht angegeben wird.In the publication M. Singh, JJM Braat: Capping layers for extreme-ultraviolet multilayer interference coatings, Optics Letters 26, No. 5, 2001, pages 259-261, the influence of cover layers on the reflection of Mo / Si multilayer mirrors discussed. It is proposed to apply an additional cover layer to the uppermost silicon layer, wherein a plurality of suitable materials, for example SiO 2 , are mentioned and for each of these materials an optimized thickness is specified for the silicon layer arranged below the cover layer.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge von 35 nm und 50 nm anzugeben, die sich durch eine verbesserte Reflexion auszeichnet. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Schichtenfolge angegeben werden.Of the Invention is based on the object, a layer sequence for reflection of radiation with one wavelength of 35 nm and 50 nm, characterized by improved reflection distinguished. Furthermore, a method for producing such a Layer order can be specified.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schichtenfolge gemäß Patentanspruch 1 beziehungsweise ein Verfahren nach Patentanspruch 9 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is achieved by a Layer sequence according to claim 1 or a method according to claim 9 solved. advantageous Embodiments and developments of the invention are the subject the dependent Claims.

Eine Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm enthält gemäß der Erfindung eine periodische Anordnung einer Mehrzahl von auf einem Substrat angeordneten Schichtpaaren, die jeweils eine Siliziumschicht und eine über dieser angeordnete Scandiumschicht enthalten, wobei die Siliziumschicht eine vorgegebene Dicke dSi aufweist, und auf der Mehrzahl von Schichtpaaren eine Deckschicht aufgebracht ist, die durch Aufbringen einer Siliziumschicht mit einer vorgegebenen Dicke d mit 0,6 dSi ≤ d ≤ 0,8 dSi herstellbar ist.A layer sequence for the reflection of radiation having a wavelength between 35 nm and 50 nm according to the invention comprises a periodic arrangement of a plurality of arranged on a substrate layer pairs, each containing a silicon layer and a scandium layer disposed above this, wherein the silicon layer has a predetermined thickness d Si , and on the plurality of pairs of layers, a cover layer is applied, which can be produced by applying a silicon layer having a predetermined thickness d with 0.6 d Si ≤ d ≤ 0.8 d Si .

Die bei der Herstellung der Deckschicht aufgebrachte Siliziumschicht ist erfindungsgemäß dünner als die Siliziumschichten innerhalb der Schichtenfolge. Obwohl theoretische Berechnungen eine maximale Reflexion der Schichtenfolge für den Fall einer Deckschicht aus Silizium vorhersagen, deren Dicke mit der Dicke der Siliziumschichten innerhalb der übrigen Schichtenfolge übereinstimmt, kann mit einer erfindungsgemäßen Wahl der Dicke der Deckschicht eine Erhöhung der Reflexion erreicht werden. Dies ist insbesondere dadurch begründet, dass durch die Verringerung der Deckschichtdicke reflexionsmindernde Effekte an der Oberfläche der Schichtenfolge, beispielsweise durch Oxidation und/oder der Ablagerung von Verunreinigungen, die in theoretischen Berechnungen der Reflexion typischerweise nicht berücksichtigt werden, kompensiert werden.The silicon layer applied in the production of the cover layer is thinner according to the invention than the silicon layers within the layer sequence. Although theoretical calculations predict a maximum reflection of the layer sequence in the case of a cover layer of silicon, the thickness of which coincides with the thickness of the silicon layers within the remaining layer sequence, with a thickness selection according to the invention the deck can an increase in the reflection can be achieved. This is due in particular to the fact that the reduction in the cover layer thickness compensates for reflection-reducing effects on the surface of the layer sequence, for example due to oxidation and / or the deposition of impurities, which are typically not taken into account in theoretical calculations of the reflection.

Durch eine Oxidation der Deckschicht, insbesondere durch den Kontakt der Schichtenfolge mit Luft nach einem Beschichtungsprozess unter Vakuumbedingungen, kann die Deckschicht an einer von der Mehrzahl von Schichtpaaren abgewandten Seite zumindest teilweise in eine Siliziumoxidschicht umgewandelt sein. Dabei kann sich die Dicke d und/oder der Brechungsindex der Deckschicht ändern. In diesem Fall wird im Rahmen der Erfindung unter der Dicke der Deckschicht d die Dicke verstanden, die diese unmittelbar nach ihrer Herstellung, also vor einer Oxidation aufweist.By an oxidation of the cover layer, in particular by the contact of the Layer sequence with air after a coating process under vacuum conditions, For example, the cover layer may be on one of the plurality of layer pairs opposite side at least partially in a silicon oxide layer be transformed. In this case, the thickness d and / or the refractive index change the topcoat. In this case, in the invention under the thickness of the Cover layer d understood the thickness of these immediately after their Production, ie before oxidation has.

Vorzugsweise ist die Reflexion R der Schichtenfolge bei zumindest einer Wellenlänge zwischen 40 nm und 50 nm größer als R = 0,50.Preferably is the reflection R of the layer sequence at at least one wavelength between 40 nm and 50 nm larger than R = 0.50.

Die Anzahl der Schichtpaare der Schichtenfolge beträgt vorteilhaft zwischen einschließlich 5 und einschließlich 30.The The number of layer pairs of the layer sequence is advantageously between 5 inclusive and inclusive 30th

Eine Erhöhung der Reflexion der Schichtenfolge ist weiterhin dadurch möglich, dass die Schichtenfolge auf ein Substrat aufgebracht ist, das eine Oberflächenrauheit von weniger als 0,2 nm aufweist. Unter der Oberflächenrauheit wird dabei die beispielsweise aus Kurvenanpassungen an mit Cu Kα-Strahlung gemessene Röntgenreflexionskurven bestimmbare rms-Rauheit der Oberfläche verstanden.A increase the reflection of the layer sequence is further possible in that the layer sequence is applied to a substrate having a surface roughness of less than 0.2 nm. Under the surface roughness is doing the example of curve adjustments on with Cu Kα radiation Measured X-ray reflection curves determinable rms roughness of the surface Understood.

Die Schichtenfolge kann zum Beispiel auf ein ebenes Substrat aufgebracht sein, insbesondere auf ein Halbleitersubstrat wie beispielsweise ein Siliziumwafer. Ferner ist es möglich, dass die Schichtenfolge auf eine gekrümmte Oberfläche eines Substrats aufgebracht ist. Insbesondere kann die Oberfläche des Substrats auch eine asphärische Krümmung, beispielsweise eine parabolische Krümmung zur Erzeugung eines weitgehend parallelen Strahls aus einer nahezu punktförmigen Strahlungsquelle sein.The Layer sequence can be applied to a planar substrate, for example be, especially on a semiconductor substrate such as a silicon wafer. Furthermore, it is possible that the layer sequence on a curved one surface a substrate is applied. In particular, the surface of the substrate also an aspherical Curvature, For example, a parabolic curvature to produce a largely be parallel beam from a nearly point-shaped radiation source.

Die angegebenen Materialien der Schichtenfolge und der Deckschicht weisen bevorzugt eine hohe Reinheit auf. Im Rahmen der Erfindung ist es aber nicht ausgeschlossen, dass in den Schichten Fremdmaterialien nachweisbar sind, die beispielsweise während eines zur Herstellung der Schichtenfolge verwendeten Beschichtungsprozesses als Verunreinigungen in die Schichten eingebracht werden können.The have indicated materials of the layer sequence and the cover layer prefers a high purity. However, it is within the scope of the invention not excluded that foreign materials are detectable in the layers are, for example, during a coating process used to produce the layer sequence can be introduced as impurities in the layers.

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Schichtenfolge gemäß der Erfindung wird ein Substrat bereitgestellt, und nachfolgend abwechselnd Siliziumschichten einer vorgegebenen Dicke dSi und Scandiumschichten aufgebracht, bis eine gewünschte Anzahl von Schichtpaaren, bevorzugt 5 bis 30, erreicht ist. Nachfolgend wird eine Deckschicht aus Silizium aufgebracht, deren Dicke d das 0,6 fache bis 0,8 fache der Dicke dSi der Siliziumschichten innerhalb der Schichtenfolge beträgt.In a method for producing a layer sequence according to the invention, a substrate is provided, and subsequently applied alternately silicon layers of a predetermined thickness d Si and scandium layers until a desired number of layer pairs, preferably 5 to 30, is reached. Subsequently, a cover layer of silicon is applied, whose thickness d is 0.6 times to 0.8 times the thickness d Si of the silicon layers within the layer sequence.

Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens gegenüber einer möglichen Alternativlösung, bei der eine reflexionsmindernde Oxidierung der Oberfläche der Schichtenfolge durch das Aufbringen einer Deckschicht aus einem gegenüber Oxidation unempfindlichen Material verhindert wird, besteht darin, dass in einer für die Herstellung der Schichtenfolge bestimmten Beschichtungsanlage keine zusätzlichen Vorkehrungen zur Beschichtung eines zusätzlichen Materials aufgewendet werden müssen, da Siliziumschichten ohnehin Bestandteil der Schichtenfolge sind. Beim Aufbringen der Deckschicht werden einer oder mehrere Beschichtungsparameter gegenüber den Siliziumschichten der Schichtenfolge derart geändert, dass eine Siliziumschicht mit der erfindungsgemäßen Dicke abgeschieden wird.One Advantage of the method according to the invention across from a possible Alternative solution, at a reflection-reducing oxidation of the surface of the Layer sequence by the application of a cover layer of a across from Oxidation insensitive material is prevented, is that that in one for the production of the layer sequence specific coating plant No additional Provided for the coating of an additional material Need to become, since silicon layers are part of the layer sequence anyway. When applying the cover layer, one or more coating parameters across from the silicon layers of the layer sequence changed such that a silicon layer is deposited with the thickness according to the invention.

Das Aufbringen der Schichtenfolge auf ein Substrat 1 erfolgt bevorzugt mittels Sputtern, insbesondere mittels DC-Magnetronsputtern. Beispielsweise kann Argon mit einem Druck von 1,33·10–3 mbar als Arbeitsgas verwendet werden. Bei einem Abstand von etwa 50 mm zwischen den Sputtertargets und dem Substrat 1 kann eine Wachstumsrate von etwa 0,5 nm/s bis 0,7 nm/s erzielt werden. Im Rahmen der Erfindung sind aber auch andere Beschichtungsverfahren denkbar, insbesondere Elektronenstrahlverdampfung, Plasma-Ionengestützte Verdampfung (PIAD – Plasma Ion Assisted Deposition) oder Laser-Ablation.The application of the layer sequence on a substrate 1 is preferably carried out by means of sputtering, in particular by means of DC magnetron sputtering. For example, argon can be used at a pressure of 1.33 × 10 -3 mbar as working gas. At a distance of about 50 mm between the sputtering targets and the substrate 1 For example, a growth rate of about 0.5 nm / s to 0.7 nm / s can be achieved. In the context of the invention, however, other coating methods are conceivable, in particular electron beam evaporation, plasma ion assisted deposition (PIAD) or laser ablation.

Eine reflektierende Schichtenfolge gemäß der Erfindung kann zum Beispiel für Bauelemente zur Strahlführung und/oder Strahlformung einer Strahlungsquelle mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm verwendet werden, insbesondere für ebene Spiegel zur Strahlumlenkung oder für gekrümmte Spiegel zur Kollimation oder Fokussierung der Strahlung. Aufgrund der spektral sehr engen Reflexion, die eine volle Halbwertsbreite von typischerweise etwa 5 nm aufweist, ist eine Schichtenfolge gemäß der Erfindung insbesondere auch für die Anwendung in Spektrometern geeignet.A Reflective layer sequence according to the invention can, for example for components for beam guidance and / or beam forming a radiation source having a wavelength between 35 nm and 50 nm are used, in particular for plane mirror for beam deflection or for curved mirror for collimation or focusing of the radiation. Due to the spectral very narrow reflection, which is a full half width of typically about 5 nm, is a layer sequence according to the invention in particular also for the application in spectrometers suitable.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 3 näher erläutert.The invention will be described below with reference to embodiments in connection with 1 to 3 explained in more detail.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine Schichtenfolge gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, 1 FIG. 2 a schematic representation of a cross section through a layer sequence according to an exemplary embodiment of the invention, FIG.

2 eine gemessene Reflexionskurve einer Schichtenfolge gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung im Vergleich zu einer weiteren Schichtenfolge und 2 a measured reflection curve of a layer sequence according to an embodiment of the invention in comparison to a further layer sequence and

3 gemessene Reflexionskurven von drei Schichtenfolgen gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung im Vergleich zu einer weiteren Schichtenfolge. 3 measured reflection curves of three layer sequences according to embodiments of the invention in comparison to a further layer sequence.

Die in 1 dargestellte Schichtenfolge enthält ein Substrat 1 und eine periodische Anordnung einer Mehrzahl von Schichtpaaren 5 aus Siliziumschichten 2 und Scandiumschichten 3. Zur Vereinfachung der Darstellung sind nur fünf Schichtpaare 5 dargestellt. Eine bevorzugte Anzahl der Schichtpaare beträgt zwischen einschließlich 5 und einschließlich 30. Die Siliziumschichten 2 weisen eine Dicke dSi und die Scandiumschichten eine Dicke dSc auf.In the 1 Layer sequence shown contains a substrate 1 and a periodic arrangement of a plurality of layer pairs 5 from silicon layers 2 and scandium layers 3 , To simplify the illustration, only five pairs of layers 5 shown. A preferred number of layer pairs is between inclusive 5 and including 30. The silicon layers 2 For example, a thickness d Si and the scandium layers have a thickness d Sc .

Auf die Schichtenfolge ist eine Deckschicht 6 aus Silizium aufgebracht, deren Dicke d die Ungleichung 0,6 dSi ≤ d ≤ 0,8 dSi erfüllt. Die Deckschicht 6 kann an der von der Schichtenfolge abgewandten Seite 4 zumindest teilweise in eine Siliziumoxidschicht umgewandelt sein, insbesondere durch den Kontakt der Schichtenfolge mit Luft.On the layer sequence is a cover layer 6 of silicon whose thickness d satisfies the inequality 0.6 d Si ≦ d ≦ 0.8 d Si . The cover layer 6 can at the side facing away from the layer sequence side 4 be at least partially converted into a silicon oxide layer, in particular by the contact of the layer sequence with air.

Der Einfluss der Deckschicht 6 auf die Reflexion R der Schichtenfolge wird in den 2 und 3 verdeutlicht. In 2 sind gemessene Reflexionskurven einer Schichtenfolge mit einer Deckschicht 6 aus Silizium (Kurve 7) und einer Schichtenfolge mit einer Deckschicht 6 aus Scandium (Kurve 8) dargestellt. Die sehr unterschiedlichen Werte der maximalen Reflexion von R = 0,49 für die Schichtenfolge mit einer Deckschicht 6 aus Silizium und R = 0,03 für die Schichtenfolge mit einer Deckschicht 6 aus Scandium verdeutlichen, dass Silizium für die Erzielung einer hohen Reflexion wesentlich besser als Deckschichtmaterial geeignet ist als Scandium. Die deutlichen Unterschiede in der Reflexion sind darauf zurückzuführen, dass eine Deckschicht 6 aus Scandium besonders anfällig für eine reflexionsmindernde Oxidation ist.The influence of the top layer 6 on the reflection R of the layer sequence is in the 2 and 3 clarified. In 2 are measured reflection curves of a layer sequence with a cover layer 6 made of silicon (curve 7 ) and a layer sequence with a cover layer 6 from scandium (curve 8th ). The very different values of the maximum reflection of R = 0.49 for the layer sequence with a cover layer 6 made of silicon and R = 0.03 for the layer sequence with a cover layer 6 from Scandium make it clear that silicon is much better suited as a cover layer material for achieving high reflection than scandium. The significant differences in reflection are due to the fact that a topcoat 6 from Scandium is particularly susceptible to a reflection-reducing oxidation.

In 3 sind gemessene Reflexionskurven von vier verschiedenen Schichtenfolgen dargestellt, bei denen die Dicke d einer Deckschicht 6 aus Silizium bei der Herstellung variiert wurde. Die Dicken d der Deckschichten 6 der Schichtenfolgen betragen d = 0,7 dSi (Kurve 9), d = 0,8 dSi (Kurve 10), d = 0,9 dSi (Kurve 11) und d = 1,0 dSi (Kurve 12). Die maximale Reflexion der Schichtenfolgen, die mit einer Dicke der Deckschicht 6 hergestellt wurden, die geringer ist als die Dicke dSi der Siliziumschichten 2 innerhalb der Schichtenfolge (Kurven 9, 10, 11), ist größer als die Reflexion der Schichtenfolge, die mit einer Deckschicht 6 aus Silizium hergestellt wurde, deren Dicke der Dicke der Siliziumschichten 2 innerhalb der Schichtenfolge entspricht (Kurve 12).In 3 are measured reflection curves of four different layer sequences shown, in which the thickness d of a cover layer 6 was varied from silicon during manufacture. The thicknesses d of the cover layers 6 the layer sequences are d = 0.7 d Si (curve 9 ), d = 0.8 d Si (curve 10 ), d = 0.9 d Si (curve 11 ) and d = 1.0 d Si (curve 12 ). The maximum reflection of the layer sequences, with a thickness of the top layer 6 which is smaller than the thickness d Si of the silicon layers 2 within the layer sequence (curves 9 . 10 . 11 ), is greater than the reflection of the layer sequence, with a cover layer 6 made of silicon whose thickness is the thickness of the silicon layers 2 within the layer sequence (curve 12 ).

Die maximale Reflexion wurde mit der Schichtenfolge erreicht, bei der die Dicke d der Deckschicht 6 bei der Herstellung das 0,7 fache der Dicke dSi der Siliziumschichten 2 innerhalb der Schichtenfolge betrug.The maximum reflection was achieved with the layer sequence, in which the thickness d of the cover layer 6 during manufacture, 0.7 times the thickness d Si of the silicon layers 2 within the layer sequence was.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Kombination nicht explizit in den Patentansprüchen angegeben ist.The The invention is not based on the description of the invention the embodiments limited. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this combination is not explicitly stated in the claims is.

Claims (10)

Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm, die eine periodische Anordnung einer Mehrzahl von auf einem Substrat (1) angeordneten Schichtpaaren (5) enthält, die jeweils eine Siliziumschicht (2) und eine über dieser angeordnete Scandiumschicht (3) enthalten, wobei die Siliziumschicht (2) eine vorgegebene Dicke dSi aufweist, und auf der Mehrzahl von Schichtpaaren (5) eine Deckschicht (6) aufgebracht ist, die durch Aufbringen einer Siliziumschicht mit einer vorgegebenen Dicke d mit 0,6 dSi ≤ d ≤ 0,8 dSi herstellbar ist.Layer sequence for the reflection of radiation having a wavelength between 35 nm and 50 nm, which is a periodic arrangement of a plurality of on a substrate ( 1 ) arranged layer pairs ( 5 ), each containing a silicon layer ( 2 ) and a scandium layer ( 3 ), wherein the silicon layer ( 2 ) has a predetermined thickness d Si , and on the plurality of layer pairs ( 5 ) a cover layer ( 6 ) is applied, which can be produced by applying a silicon layer having a predetermined thickness d with 0.6 d Si ≤ d ≤ 0.8 d Si . Schichtenfolge nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenfolge bei zumindest einer Wellenlänge zwischen 40 nm und 50 nm eine Reflexion R > 0,50 aufweist.Layer sequence according to claim 1, characterized that the layer sequence at least one wavelength between 40 nm and 50 nm a reflection R> 0.50 having. Schichtenfolge nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Herstellung der Deckschicht aufgebrachte Siliziumschicht an einer von der Mehrzahl von Schichtpaaren (5) abgewandten Seite (4) zumindest teilweise in eine Siliziumoxidschicht umgewandelt ist.Layer sequence according to claim 1 or 2, characterized in that the silicon layer applied for the production of the cover layer is applied to one of the plurality of layer pairs ( 5 ) facing away ( 4 ) is at least partially converted into a silicon oxide layer. Schichtenfolge nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der Schichtpaare (5) zwischen einschließlich 5 und einschließlich 30 beträgt.Layer sequence according to one of the preceding claims, characterized in that the number of layer pairs ( 5 ) between 5 and 30 inclusive. Schichtenfolge nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) eine Oberflächenrauheit von weniger als 0,2 nm aufweist.Layer sequence according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate ( 1 ) has a surface roughness of less than 0.2 nm. Schichtenfolge nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenfolge auf eine gekrümmte Oberfläche eines Substrats (1) aufgebracht ist.Layer sequence according to one of the preceding claims, characterized in that the layer sequence on a curved surface of a substrate ( 1 ) is applied. Schichtenfolge nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Substrats (1) asphärisch gekrümmt ist.Layer sequence according to claim 6, characterized in that the surface of the substrate ( 1 ) is curved aspherically. Verfahren zur Herstellung einer Schichtenfolge zur Reflexion von Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 35 nm und 50 nm, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines Substrats (1), b) Aufbringen einer Siliziumschicht (2) einer vorgegebenen Dicke dSi, c) Aufbringen einer Scandiumschicht (3) auf die Siliziumschicht (2), d) Wiederholen der Schritte b) und c), bis eine gewünschte Anzahl von Schichtpaaren (5) erreicht ist, e) Aufbringen einer Deckschicht (6) aus Silizium, deren Dicke d das 0,6 fache bis 0,8 fache der Dicke dSi der im Verfahrensschritt b) aufgebrachten Siliziumschicht (2) beträgt.Method for producing a layer sequence for reflecting radiation having a wavelength between 35 nm and 50 nm, characterized by the method steps: a) providing a substrate ( 1 ), b) applying a silicon layer ( 2 ) of a predetermined thickness d Si , c) application of a scandium layer ( 3 ) on the silicon layer ( 2 d) repeating steps b) and c) until a desired number of layer pairs ( 5 ), e) application of a cover layer ( 6 ) of silicon whose thickness d is 0.6 times to 0.8 times the thickness d Si of the silicon layer applied in process step b) ( 2 ) is. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) nach dem Aufbringen an einer von den Schichtenpaaren (5) abgewandten Seite (4) zumindest teilweise in eine Siliziumoxidschicht umgewandelt wird.Method according to claim 8, characterized in that the cover layer ( 6 ) after application to one of the pairs of layers ( 5 ) facing away ( 4 ) is at least partially converted into a silicon oxide layer. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Schichtenfolge mittels Sputtern erfolgt.Method according to claim 8 or 9, characterized the application of the layer sequence takes place by means of sputtering.
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