DE10357818B4 - Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board - Google Patents

Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board Download PDF

Info

Publication number
DE10357818B4
DE10357818B4 DE10357818A DE10357818A DE10357818B4 DE 10357818 B4 DE10357818 B4 DE 10357818B4 DE 10357818 A DE10357818 A DE 10357818A DE 10357818 A DE10357818 A DE 10357818A DE 10357818 B4 DE10357818 B4 DE 10357818B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
board
emitting semiconductor
semiconductor chip
injection mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10357818A
Other languages
German (de)
Other versions
DE10357818A1 (en
Inventor
Jochen Kunze
Veit Schwegler
Thorsten Ricking
Thomas Dr.-Ing. Manth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ODELO GMBH, 71409 SCHWAIKHEIM, DE
Original Assignee
Odelo GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Odelo GmbH filed Critical Odelo GmbH
Priority to DE10357818A priority Critical patent/DE10357818B4/en
Priority to US10/582,311 priority patent/US20070117248A1/en
Priority to PCT/DE2004/002652 priority patent/WO2005056269A2/en
Priority to TW093138197A priority patent/TW200525786A/en
Publication of DE10357818A1 publication Critical patent/DE10357818A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10357818B4 publication Critical patent/DE10357818B4/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14311—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles using means for bonding the coating to the articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0046—Details relating to the filling pattern or flow paths or flow characteristics of moulding material in the mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14836—Preventing damage of inserts during injection, e.g. collapse of hollow inserts, breakage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Abstract

Verfahren zur Herstellung mindestens einer lichtemittierenden Halbleiterdiode auf einer elektrische Leiterbahnen umfassenden Platine,
– wobei mindestens ein lichtemittierender Halbleiterchip (21) auf die Platine (10) aufgesetzt wird,
– wobei die Lage des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) an mindestens einer Ausrichtkante (18) der Platine (10) ausgerichtet wird,
– wobei der lichtemittierende Halbleiterchip (21) thermisch leitend, elektrisch und mechanisch mit der Platine (10) verbunden wird,
– wobei die so vormontierte Platine (10) in eine Spritzgießform eingesetzt wird,
– wobei die Lage der Platine (10) in der Spritzgießform zumindest am lichtemittierenden Halbleiterchip (21) ausgerichtet wird, und
– wobei die Spritzgießform mit einem Thermoplast ausgespritzt wird, der die Platine (10) durch mindestens einen Durchbruch (15) durchdringt oder die Platine (10) umfließt.Method for producing at least one light-emitting semiconductor diode on a circuit board comprising electrical tracks
Wherein at least one light-emitting semiconductor chip (21) is placed on the circuit board (10),
- wherein the position of the light-emitting semiconductor chip (21) is aligned on at least one alignment edge (18) of the board (10),
Wherein the light-emitting semiconductor chip (21) is thermally conductively, electrically and mechanically connected to the circuit board (10),
- wherein the pre-assembled board (10) is inserted into an injection mold,
- Wherein the position of the board (10) in the injection mold is aligned at least on the light-emitting semiconductor chip (21), and
- Wherein the injection mold is injected with a thermoplastic, which penetrates the board (10) through at least one opening (15) or the circuit board (10) flows around.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer lichtemittierenden Halbleiterdiode auf einer elektrische Leiterbahnen umfassenden Platine.The The invention relates to a process for producing at least one light-emitting semiconductor diode on an electrical conductor tracks comprehensive board.

Eine lichtemittierende Halbleiterdiode, beispielsweise eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode, umfasst üblicherweise einen elektrischen Teil und einen diesen mindestens bereichsweise umgebenden, zumindest weitgehend transparenten Lichtverteilkörper. Derartige Lumineszenzdioden werden beispielsweise in Leuchten für Automobile, für die Zimmerbeleuchtung, in Lichtmodulen für die Kommunikation, in Straßenleuchten etc. eingesetzt.A light emitting semiconductor diode, for example a light emitting diode or a laser diode usually includes an electrical part and this at least partially surrounding, at least largely transparent Lichtverteilkörper. such Luminescent diodes are used for example in lights for automobiles, for the Room lighting, in light modules for communication, in street lights etc. used.

Das hier als Platine bezeichnete Bauteil kann biegesteif oder biegeweich sein. Es kann auch folienförmig sein, wobei die Folie biegesteif oder biegeweich sein kann.The Here referred to as board component can be rigid or bend soft be. It can also be foil-shaped be, wherein the film may be rigid or bend soft.

Aus der JP 61 001 067 A ist ein Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden bekannt. Der auf die Platine aufgesetzte lichtemittierende Chip wird zur Bildung des Lichtverteilkörpers mit einem Harz umgossen, das die Durchbrüche der Platine durchdringt. Bei der Trocknung des Harzes erfolgt eine starke Schrumpfung des Werkstoffes, wodurch sich die Geometrie des Lichtverteilkörpers ändert. Mit diesem Verfahren können daher nur geometrisch einfache Leuchtdioden hergestellt werden.From the JP 61 001 067 A a method for the production of light-emitting diodes is known. The printed on the board light-emitting chip is encapsulated to form the Lichtverteilkörpers with a resin that penetrates the openings of the board. During the drying of the resin, a strong shrinkage of the material, whereby the geometry of the Lichtverteilkörpers changes. Therefore, only geometrically simple light-emitting diodes can be produced with this method.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Problemstellung zugrunde, ein Verfahren zur wiederholbaren Herstellung einer lichtemittierenden Halbleiterdiode auf einer Platine zu entwickeln, mit dem eine Vielzahl von Gestaltungen der lichtemittierenden Halbleiterdiode verwirklicht werden können.Of the The present invention is based on the problem, a method for the repeatable production of a light-emitting semiconductor diode to develop on a board with which a variety of designs the semiconductor light-emitting diode can be realized.

Diese Problemstellung wird mit den Merkmalen des Hauptanspruchs gelöst. Dazu wird mindestens ein lichtemittierender Halbleiterchip auf die Platine aufgesetzt. Die Lage des lichtemittierenden Halbleiterchips wird an mindestens einer Ausrichtkante der Platine ausgerichtet. Danach wird der lichtemittierende Halbleiterchip thermisch leitend, elektrisch und mechanisch mit der Platine verbunden. Die so vormontierte Platine wird in eine Spritzgießform eingesetzt. Hierbei wird die Lage der Platine in der Spritzgießform zumindest am lichtemittierenden Halbleiterchip ausgerichtet. Anschließend wird die Spritzgießform mit einem Thermoplast ausgespritzt, der die Platine durch mindestens einen Durchbruch durchdringt oder die Platine umfließt.These Problem is solved with the features of the main claim. To At least one light-emitting semiconductor chip is applied to the board placed. The location of the light-emitting semiconductor chip is aligned with at least one alignment edge of the board. After that becomes the light-emitting semiconductor chip thermally conductive, electrically and mechanically connected to the board. The pre-assembled board is used in an injection mold. Here, the position of the board in the injection mold is at least aligned with the light-emitting semiconductor chip. Subsequently, will the injection mold sprayed with a thermoplastic, the board through at least penetrates a breakthrough or flows around the board.

Zur Herstellung des Lichtverteilkörpers wird in die Spritzgießform ein Thermoplast eingespritzt. Der Thermoplast dringt durch die Platine oder umfließt die Platine und hintergreift oder umgreift diese. Dabei entsteht ein homogener Lichtverteilkörper, dessen Gestalt sich nach der Entnahme aus der Spritzgießform nicht ändert. Der Lichtverteilkörper kann Hinterschnitte aufweisen, er kann eine optische Linse, eine Freiformfläche, eine Diffraktionsoberfläche oder eine Fraktionsoberfläche etc. umfassen.to Production of the light distribution body gets into the injection mold a thermoplastic injected. The thermoplastic penetrates the board or flows around the board and engages behind or surrounds this. It arises a homogeneous light distribution body whose Shape does not change after removal from the injection mold. Of the Light distribution body can Undercuts have, it can be an optical lens, a freeform surface, a diffraction surface or a fraction surface etc. include.

Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung schematisch dargestellter Ausführungsformen.Further Details of the invention will become apparent from the dependent claims and the following description of schematically illustrated embodiments.

1: Leuchtdiode, auf einer Platine montiert; 1 : LED, mounted on a circuit board;

2: Leuchtdiode, wie 1 mit Chipträger; 2 : LED, how 1 with chip carrier;

3: Leuchtdiode mit integrierter optischer Linse; 3 : LED with integrated optical lens;

4: Leuchtdiode mit Bonddraht; 4 : LED with bonding wire;

5: Leuchtdiode wie 2 mit Bonddraht; 5 : LED as 2 with bonding wire;

6: Leuchtdiode mit zwei Bonddrähten; 6 : LED with two bonding wires;

7: Leuchtdiode nach 2 in dimetrischer Ansicht. 7 : LED after 2 in dimetric view.

Die 1 zeigt eine einzelne Leuchtdiode (20), die auf einer Platine (10) hergestellt ist. Diese Leuchtdiode (20) ist beispielsweise eine einzelne einer Vielzahl von Leuchtdioden (20), die auf einer gemeinsamen Platine (10) unlösbar aufgebaut sind.The 1 shows a single LED ( 20 ) on a board ( 10 ) is made. This LED ( 20 ) is, for example, a single one of a plurality of light-emitting diodes ( 20 ) on a common board ( 10 ) are constructed insoluble.

Die Platine (10) ist beispielsweise eine biegesteife Platte aus Kunststoff oder einem aus elektrisch nichtleitenden Werkstoffen aufgebauten Verbundwerkstoff, auf deren Oberseite (11) oder Unterseite elektrische Leiterbahnen (12, 13) aufgebracht sind. Die Leiterbahnen (12, 13) sind zumindest bereichsweise mit einer Passivierungsschicht (14) überzogen.The board ( 10 ) is, for example, a rigid plate made of plastic or a composite material constructed of electrically non-conductive materials, on the upper side ( 11 ) or bottom electrical traces ( 12 . 13 ) are applied. The conductor tracks ( 12 . 13 ) are at least partially with a passivation layer ( 14 ) overdrawn.

Die Platine (10) kann beispielsweise auch eine Metallplatine sein, auf deren z. B. isolierten Oberfläche Leiterbahnen auflaminiert sind.The board ( 10 ) may for example also be a metal plate on the z. B. insulated surface conductor tracks are laminated.

In der Platine (10) sind z. B. drei Durchbrüche (15, 16) angeordnet. Zwei Durchbrüche (15) liegen im Bereich der Leiterbah nen (12, 13), ein Durchbruch (16) außerhalb der Leiterbahnen (12, 13). Der Abstand der beiden Durchbrüche (15) zueinander entspricht beispielsweise dem Abstand des hier links dargestellten Durchbruchs (15) zum Durchbruch (16).In the board ( 10 ) are z. B. three breakthroughs ( 15 . 16 ) arranged. Two breakthroughs ( 15 ) are in the area of conductor tracks ( 12 . 13 ), a breakthrough ( 16 ) outside the tracks ( 12 . 13 ). The distance between the two breakthroughs ( 15 ) corresponds to each other, for example, the distance of the breakthrough shown here on the left ( 15 ) to the breakthrough ( 16 ).

Die Durchbrüche (15), vgl. 7, sind z. B. Langlöcher, die die Leiterbahnen (12, 13) und die Platine (10) durchdringen. Sie sind hier beispielsweise parallel zueinander angeordnet.The breakthroughs ( 15 ), see. 7 , are z. B. Elongated holes containing the printed conductors ( 12 . 13 ) and the board ( 10 penetrate). They are arranged here, for example, parallel to each other.

Der Durchbruch (16) ist hier beispielsweise ebenfalls ein Langloch, das parallel zu den Langlöchern (15) liegt und etwa halb so lang wie diese ist. Die an der Oberseite (11) liegende Begrenzungskante des Langlochs (16) ist eine Ausrichtkante (18).The breakthrough ( 16 ) Here is also an elongated hole, for example, which is parallel to the oblong holes ( 15 ) and is about half as long as this one. The at the top ( 11 ) lying boundary edge of the slot ( 16 ) is an alignment edge ( 18 ).

Zur Herstellung der Leuchtdiode (20) wird auf die derart vorbereitete Platine (10) ein lichtemittierender Halbleiterchip (21) aufgesetzt. Beim Aufsetzen wird seine Lage an der Ausrichtkante (18) ausgerichtet. Der lichtemittierende Halbleiterchip (21) wird mit einer z. B. elektrisch und thermisch leitenden Klebe- und/oder Lötverbindung (22) an den Stellen, die frei von der Passivierungsschicht (14) sind, auf den Leiterbahnen (12, 13) befestigt. Statt eines einzelnen lichtemittierenden Halbleiterchips (21) kann auch z. B. eine Gruppe lichtemittierender Halbleiterchips (21) auf die Platine (10) aufgesetzt und elektrisch und thermisch leitend mit den Leiterbahnen (12, 13) verbunden werden. Das hier als lichtemittierendes Halbleiterchip (21) bezeichnete Bauteil kann auch eine Gruppe einzelner lichtemittierende Halbleiterchips umfassen. Auch können weitere elektrische Bauteile, wie z. B. Widerstände, Kondensatoren etc. integriert sein. Es kann eine Vielzahl elektrischer Anschlüsse aufweisen. Die so bestückte Platine (10) kann nun durch Anschluss der elektrischen Leiterbah nen (12, 13) an eine Gleichstromquelle elektrisch getestet werden.For the production of the light emitting diode ( 20 ) is placed on the prepared board ( 10 ) a light-emitting semiconductor chip ( 21 ). When placed, its position at the alignment edge ( 18 ). The light-emitting semiconductor chip ( 21 ) is with a z. B. electrically and thermally conductive adhesive and / or solder joint ( 22 ) at the sites which are free of the passivation layer ( 14 ), on the tracks ( 12 . 13 ) attached. Instead of a single light-emitting semiconductor chip ( 21 ) can also z. B. a group of light-emitting semiconductor chips ( 21 ) on the board ( 10 ) and electrically and thermally conductive with the conductor tracks ( 12 . 13 ) get connected. This as a light-emitting semiconductor chip ( 21 ) may also comprise a group of individual light-emitting semiconductor chips. Also, other electrical components, such. B. resistors, capacitors, etc. may be integrated. It can have a large number of electrical connections. The so equipped board ( 10 ) can now by connecting the electrical Leiterbah nen ( 12 . 13 ) are electrically tested to a DC power source.

Im nächsten Verfahrensschritt wird der Lichtverteilkörper (31) erzeugt. Hierzu wird die bestückte Platine (10) z. B. in eine hier nicht dargestellte Spritzgießform eingesetzt. Hierbei zeigt beispielsweise die Oberseite (11) der Platine (10) mit dem lichtemittierenden Halbleiterchip (21) nach unten. Beim Einsetzen in die Spritzgießform wird die Platine (10) zumindest am lichtemittierenden Halbleiterchip ausgerichtet.In the next process step, the light distribution body ( 31 ) generated. For this purpose, the assembled board ( 10 ) z. B. used in an injection mold, not shown here. Here, for example, shows the top ( 11 ) of the board ( 10 ) with the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) downward. When inserting into the injection mold, the board ( 10 ) aligned at least on the light-emitting semiconductor chip.

Nach dem Schließen der Spritzgießform wird ein Thermoplast, z. B. PMMA, in den Hohlraum der Spritzgießform eingespritzt. Die in der Form befindliche Luft wird verdrängt und/oder abgesaugt. Die Hohlräume der Form werden mit Thermoplast gefüllt. Ggf. wird der Zwischenraum (23) zwischen dem lichtemittierenden Halbleiterchip (21) und der Platine (10) vorab mit einem anderen Werkstoff gefüllt. Der Thermoplast dringt durch die Durchbrüche (15) der Platine (10) hindurch und hintergreift die Platine (10). Die Spritzgießform wird in der Gestalt des Lichtverteilkörpers (31) auf der Platine (10) abgebildet. Der so erzeugte Lichtverteilkörper (31) hat beispielsweise die Gestalt eines Halbellipsoids. Er ist homogen und hochtransparent.After closing the injection mold, a thermoplastic, for. B. PMMA, injected into the cavity of the injection mold. The air in the mold is displaced and / or sucked off. The cavities of the mold are filled with thermoplastic. Possibly. is the space ( 23 ) between the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) and the board ( 10 ) filled in advance with another material. The thermoplastic penetrates through the breakthroughs ( 15 ) of the board ( 10 ) and engages behind the board ( 10 ). The injection mold is in the shape of the Lichtverteilkörpers ( 31 ) on the board ( 10 ). The light distribution body ( 31 ), for example, has the shape of a semi-ellipsoid. He is homogeneous and highly transparent.

Durch das Hintergreifen wird die Leuchtdiode (20) fest mit der Platine (10) verbunden und ist von dieser nur unter Zerstörung lösbar.By grasping behind the light emitting diode ( 20 ) firmly with the board ( 10 ) and is solvable by this only with destruction.

Nach der Herstellung des Lichtverteilkörpers (31) stehen die elektrischen Leiterbahnen (12, 13) beispielsweise in radialer Richtung über den Lichtverteilkörper (31) über.After the production of the light distribution body ( 31 ) are the electrical conductors ( 12 . 13 ), for example in the radial direction over the light distribution body ( 31 ) above.

Die so hergestellte Leuchtdiode (20) kann nun aus der Spritzgießform entnommen werden. Beim Trocknen und Erkalten ändert sich die Gestalt des Lichtverteilkörpers (31) im wesentlichen nicht.The light-emitting diode produced in this way ( 20 ) can now be removed from the injection mold. When drying and cooling, the shape of the Lichtverteilkörpers changes ( 31 ) essentially not.

Die Leuchtdiode (20) auf der Platine (10) kann anschließend in einem weiteren Bearbeitungsschritt nochmals umspritzt werden. Die Bearbeitungsschritte können räumlich und/oder zeitlich getrennt sein. Hierbei kann z. B. eine optische Linse an die Leuchtdiode (20) angeformt werden. Bei einer derartigen Verfahrensschrittfolge kann beispielsweise im ersten Spritzgießschritt ein Standardmodul hergestellt werden, das dann im zweiten Spritzgießschritt die endgültige Gestalt erhält.The light emitting diode ( 20 ) on the board ( 10 ) can then be encapsulated again in a further processing step. The processing steps can be spatially and / or temporally separated. This z. B. an optical lens to the light emitting diode ( 20 ) are formed. In such a sequence of steps, for example, a standard module can be produced in the first injection molding step, which then receives the final shape in the second injection molding step.

Die 2 zeigt eine Leuchtdiode (20) mit einem Chipträger (24). Der Chipträger (24) kann beispielsweise ein Wärmeisolator, ein Reflektor, ein Kühlkörper etc. sein. Er kann z. B. auch mehrschichtig aufgebaut sein. So kann der Chipträger (24) eine thermische Isolationsschicht umfassen, auf die eine reflektierende Schicht aufgebracht ist. Der Chipträger (24) kann auch elektrisch leitende Bereiche aufweisen.The 2 shows a light-emitting diode ( 20 ) with a chip carrier ( 24 ). The chip carrier ( 24 ) may be, for example, a heat insulator, a reflector, a heat sink, etc. He can z. B. also be multi-layered. So the chip carrier ( 24 ) comprise a thermal insulation layer to which a reflective layer is applied. The chip carrier ( 24 ) may also have electrically conductive regions.

Bei der Herstellung der Leuchtdiode (20) auf der Platine (10) wird z. B. zunächst der lichtemittierende Halbleiterchip (21) auf den Chipträger (24) aufgesetzt und beispielsweise durch eine elektrisch und thermisch leitende Klebe- und/oder Lötverbindung (22) mit einem elektrisch leitenden Bereich des Chipträgers (24) verbunden.In the manufacture of the light emitting diode ( 20 ) on the board ( 10 ) is z. B. first, the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) on the chip carrier ( 24 ) and, for example, by an electrically and thermally conductive adhesive and / or soldered connection ( 22 ) with an electrically conductive region of the chip carrier ( 24 ) connected.

Der lichtemittierende Halbleiterchip (21) wird dann zusammen mit dem Chipträger (24) auf die Platine (10) aufgesetzt und an der Ausrichtkante (18) ausgerichtet. Hierbei wird z. B. eine elektrisch und thermisch leitende Klebe- und Lötverbin dung (26) zwischen dem Chipträger (24) und der Platine (10) hergestellt und so der lichtemittierende Halbleiterchip (21) mit der Platine (10) elektrisch verbunden.The light-emitting semiconductor chip ( 21 ) is then together with the chip carrier ( 24 ) on the board ( 10 ) and at the alignment edge ( 18 ). This z. B. an electrically and thermally conductive adhesive and Lötverbin tion ( 26 ) between the chip carrier ( 24 ) and the board ( 10 ) and thus the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) with the board ( 10 ) electrically connected.

Die so bestückte Platine (10) wird dann, wie im ersten Ausführungsbeispiel beschrieben, in eine Spritzgießform eingesetzt, mittels des lichtemittierenden Chips (21) ausgerichtet und umspritzt.The so equipped board ( 10 ) is then, as described in the first embodiment, inserted into an injection mold, by means of the light-emitting chip ( 21 ) and sprayed over.

Die 3 zeigt eine Leuchtdiode (20) mit einer integrierten optischen Linse (32). Die Platine (10) hat hier beispielsweise zwei Ausrichtkanten (18, 19). Die Ausrichtkanten (18, 19) sind z. B. zwei Außenkanten der Platine (10), die senkrecht zueinander angeordnet sind.The 3 shows a light-emitting diode ( 20 ) with an integrated optical lens ( 32 ). The board ( 10 ) has for example two alignment edges ( 18 . 19 ). The alignment edges ( 18 . 19 ) are z. B. two outer edges of the board ( 10 ), which are arranged perpendicular to each other.

Bei der Montage des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) auf der Platine (10) wird die Lage des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) zu der Platine (10) mittels der Ausrichtkanten (18, 19) justiert.When mounting the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) on the board ( 10 ), the position of the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) to the board ( 10 ) by means of the alignment edges ( 18 . 19 ) adjusted.

Wird die mit dem lichtemittierenden Halbleiterchip (21) bestückte Platine (10) in die Spritzgießform eingesetzt, wird sie zumindest am lichtemittierenden Halbleiterchip (21) ausgerichtet.If the with the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) equipped board ( 10 ) is inserted into the injection mold, it is at least on the light-emitting semiconductor chip ( 21 ).

Bei der Einbringung des Thermoplasts in die Spritzgießform umfließt dieser die Platine (10) und durchdringt die Durchbrüche (15). Der beim Spritzgießen erzeugte – hier oberhalb der Platine (10) dargestellte – Lichtverteilkörper (31) kann z. B. die Gestalt eines Ellipsoidstumpfes haben, dessen Oberseite eine optische Linse (32) umfasst. Der Durchmesser dieses Ellipsoidstumpfes wächst z. B. stetig von der Platine (10) aus in Richtung der optischen Linse (32). Der maximale Durchmesser des Ellipsoidstumpfes, er entspricht dem Durchmesser der opti schen Linse (32), beträgt etwa das doppelte seiner Höhe. Sein minimaler Durchmesser nahe der Platine (10) beträgt z. B. etwa 80% dieses Durchmessers.When the thermoplastic is introduced into the injection mold, the latter flows around the circuit board ( 10 ) and penetrates the breakthroughs ( 15 ). The injection molding - here above the board ( 10 ) - light distribution body ( 31 ) can z. B. have the shape of a ellipsoid stump, the upper side of an optical lens ( 32 ). The diameter of this ellipsoid stump grows z. B. steadily from the board ( 10 ) out in the direction of the optical lens ( 32 ). The maximum diameter of the ellipsoid stump, it corresponds to the diameter of the opti's lens ( 32 ), is about twice its height. Its minimum diameter near the board ( 10 ) is z. B. about 80% of this diameter.

Die optische Linse (32) ist hier eine plane Linse, die in den Lichtverteilkörper (31) integriert ist. Die optische Linse (32) kann aber auch die Gestalt einer Sammellinse, einer Streulinse, einer Prismenfläche, eine Freiformfläche, eine Fraktionsfläche, eine Diffraktionsfläche, etc. haben.The optical lens ( 32 ) is here a plane lens, in the light distribution body ( 31 ) is integrated. The optical lens ( 32 ) may also have the shape of a converging lens, a scattering lens, a prism surface, a free-form surface, a fraction surface, a diffraction surface, etc.

Die in den 4 und 5 dargestellten Leuchtdioden (20) sind ähnlich hergestellt wie die Leuchtdioden (20), die in den 1 und 2 gezeigt sind.The in the 4 and 5 illustrated light emitting diodes ( 20 ) are made similar to the light-emitting diodes ( 20 ), which in the 1 and 2 are shown.

Der lichtemittierende Halbleiterchip (21) wird, ggf. auf einem Chipträger (24) vormontiert, auf die Platine (10) aufgesetzt und an der Ausrichtkante (18) ausgerichtet.The light-emitting semiconductor chip ( 21 ), possibly on a chip carrier ( 24 ), to the board ( 10 ) and at the alignment edge ( 18 ).

Bei diesen Ausführungsbeispielen wird der lichtemittierende Halbleiterchip (21) nur an einer Leiterbahn (12) mit einer Klebe- und Lötverbindung (22) befestigt. Die andere elektrische Leiterbahn (13) wird über einen Bonddraht (27) mit dem lichtemittierenden Halbleiterchip (21) elektrisch verbunden.In these embodiments, the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) only on a conductor track ( 12 ) with an adhesive and solder connection ( 22 ) attached. The other electrical track ( 13 ) is connected via a bonding wire ( 27 ) with the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) electrically connected.

In der 6 ist eine Leuchtdiode (20) dargestellt, bei der der lichtemittierende Halbleiterchip (21) mittels zweier Bonddrähte (27) mit den Leiterbahnen (12, 13) verbunden, ist.In the 6 is a light emitting diode ( 20 ), in which the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) by means of two bonding wires ( 27 ) with the tracks ( 12 . 13 ) connected is.

Der lichtemittierende Halbleiterchip (21) wird in eine Einsenkung (41) der Platine (10) eingesetzt, die beispielsweise mit einer reflektierenden Schicht (42) beschichtet ist. Beim Ein setzen des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) wird seine Lage z. B. an zwei Ausrichtkanten (18, 19) ausgerichtet.The light-emitting semiconductor chip ( 21 ) is placed in a sink ( 41 ) of the board ( 10 ), for example, with a reflective layer ( 42 ) is coated. When inserting the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) is its location z. B. at two Ausrichtkanten ( 18 . 19 ).

Die Ausrichtkante (18) kann eine Kante einer Ausrichtfläche sein. Diese Ausrichtfläche kann z. B. die Innenwandung einer kegelförmigen oder zylindrischen Bohrung, die Wandung eines Zylinders, die Außenfläche der Platine (10), die Wandung eines Zylinderstifts, etc. sein.The alignment edge ( 18 ) may be an edge of an alignment surface. This alignment can z. As the inner wall of a conical or cylindrical bore, the wall of a cylinder, the outer surface of the board ( 10 ), the wall of a cylindrical pin, etc.

Beim Einsetzen der mit dem lichtemittierenden Halbleiterchip (21) bestückten Platine (10) in die Spritzgussform wird der lichtemittierende Halbleiterchip (21) gegenüber der Spritzgussform ausgerichtet. Hierbei kann der lichtemittierende Halbleiterchip (21) beispielsweise normal zur optischen Achse des herzustellenden Lichtverteilkörpers (31), in oder nahe des Ursprungsortes der Kontur des Lichtverteilkörpers (31) etc. angeordnet sein. Der Ursprungsort ist hierbei ein markanter Punkt in bezug auf eine physikalische Eigenschaft oder eine geometrische Randbedingung für die Beschreibung der Kontur des Lichtverteilkörpers (31).When inserting the with the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) equipped board ( 10 ) in the injection mold, the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) aligned with the injection mold. Here, the light-emitting semiconductor chip ( 21 ), for example, normal to the optical axis of the light distribution body ( 31 ), in or near the place of origin of the contour of the light distribution body ( 31 ) etc. may be arranged. The place of origin here is a prominent point with regard to a physical property or a geometric boundary condition for the description of the contour of the light distribution body ( 31 ).

Beim Einsetzen der mit dem lichtemittierenden Chip (21) bestückten Platine (10) in die Spritzgießform kann der lichtemittierende Halbleiterchip (21) unterhalb, oberhalb oder seitlich der Platine (10) liegen. Beim Spritzgießen kann der Thermoplast von der Seite des Lichtverteilkörpers (31), von der Unterseite der Platine (10) oder von der Seite zugeführt werden.When inserting the with the light-emitting chip ( 21 ) equipped board ( 10 ) in the injection mold, the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) below, above or on the side of the board ( 10 ) lie. In injection molding, the thermoplastic from the side of the light distribution body ( 31 ), from the underside of the board ( 10 ) or from the side.

Der Thermoplast kann eine Platine (10), die beispielsweise keine Durchbrüche (15) aufweist, umfließen. Der fertige Lichtverteilkörper (31) umgreift dann die Platine (10).The thermoplastic can be a circuit board ( 10 ), for example, no breakthroughs ( 15 ), flow around. The finished light distribution body ( 31 ) then surrounds the board ( 10 ).

Die Platine (10) kann mehrschichtig aufgebaut sein. So kann sie z. B. mehrere Lagen Leiterbahnen (12, 13) haben, sie kann einen Metallkern zur Wärmeableitung des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) umfassen, eine Beschichtung aufweisen, etc.The board ( 10 ) can be multi-layered. So she can z. B. several layers of printed conductors ( 12 . 13 ), it may have a metal core for heat dissipation of the light-emitting semiconductor chip ( 21 ), have a coating, etc.

Die Platine (10) kann eine Folie sein, auf der Leiterbahnen (12, 13) aufgebracht sind. Eine Ausrichtkante (18) ist dann beispielsweise eine Begrenzungskante der Folie, ein gestanzter Durchbruch, etc.The board ( 10 ) may be a foil on the tracks ( 12 . 13 ) are applied. An alignment edge ( 18 ) is then, for example, a boundary edge of the film, a punched breakthrough, etc.

Der lichtemittierende Chip (21) oder eine Gruppe von lichtemittierenden Chips (21) kann in allen dargestellten Ausführungsformen auch drei oder mehr elektrische Anschlüsse haben. Dies können elektrisch und/oder thermisch leitende Klebeverbindungen (22), Bonddrähte (27), etc. sein. Auch Kombinationen verschiedenartiger elektrischer Verbindungen sind denkbar. Die Leuchtdiode (20) kann beispielsweise dann je nach elektrischem Anschluss in verschiedenen Helligkeitsstufen oder in verschiedenen Farben aufleuchten.The light-emitting chip ( 21 ) or a group of light-emitting chips ( 21 ) may also have three or more electrical connections in all the illustrated embodiments. These can be electrically and / or thermally conductive adhesive bonds ( 22 ), Bonding wires ( 27 ), etc. Also comm combinations of various electrical connections are conceivable. The light emitting diode ( 20 ) can, for example, depending on the electrical connection in different levels of brightness or in different colors light up.

Der Thermoplast hat eine geringe optische Dämpfung. Die mit dem Verfahren hergestellten, auf einer Platine (10) hergestellten Leuchtdioden (20), haben bei geringer Baugröße eine hohe Lichtausbeute.The thermoplastic has a low optical attenuation. Those manufactured by the method, on a board ( 10 ) produced light-emitting diodes ( 20 ), have a high luminous efficacy in a small size.

Bei der Herstellung mehrerer Leuchtdioden (20) auf einer Platine (10) können diese in eine gemeinsamen Spritzgussform eingesetzt werden. Die Spritzgussform kann dann für jeden einzelnen Lichtverteilkörper (31) einen einzelnen Anguss aufweisen. Es können aber auch mehrere oder alle Lichtverteilkörper (31) durch Spritzgießen über einen gemeinsamen Anguss hergestellt werden.In the manufacture of several light-emitting diodes ( 20 ) on a board ( 10 ) These can be used in a common injection mold. The injection mold can then be used for each individual light distribution body ( 31 ) have a single sprue. But it can also be several or all Lichtverteilkörper ( 31 ) are produced by injection molding over a common sprue.

11
UmgebungSurroundings
1010
Platinecircuit board
1111
Oberseite von (10)Top of ( 10 )
1212
elektrische Leiterbahnelectrical conductor path
1313
elektrische Leiterbahnelectrical conductor path
1414
Passivierungsschichtpassivation
1515
Durchbrüche, LanglöcherBreakthroughs, oblong holes
1616
Durchbruch, LanglochBreakthrough, Long hole
1818
Ausrichtkantealigning edge
1919
Ausrichtkantealigning edge
2020
Leuchtdiodeled
2121
lichtemittierender Halbleiterchiplight emitting Semiconductor chip
2222
Klebe- und Lötverbindungadhesive and solder joint
2323
Zwischenraumgap
2424
Chipträgerchip carrier
2626
Klebe- und Lötverbindungadhesive and solder joint
2727
Bonddrahtbonding wire
3131
Lichtverteilkörperlight distribution
3232
optische Linseoptical lens
4141
Einsenkung von (10)Sinking of ( 10 )
4242
reflektierende Schichtreflective layer

Claims (8)

Verfahren zur Herstellung mindestens einer lichtemittierenden Halbleiterdiode auf einer elektrische Leiterbahnen umfassenden Platine, – wobei mindestens ein lichtemittierender Halbleiterchip (21) auf die Platine (10) aufgesetzt wird, – wobei die Lage des lichtemittierenden Halbleiterchips (21) an mindestens einer Ausrichtkante (18) der Platine (10) ausgerichtet wird, – wobei der lichtemittierende Halbleiterchip (21) thermisch leitend, elektrisch und mechanisch mit der Platine (10) verbunden wird, – wobei die so vormontierte Platine (10) in eine Spritzgießform eingesetzt wird, – wobei die Lage der Platine (10) in der Spritzgießform zumindest am lichtemittierenden Halbleiterchip (21) ausgerichtet wird, und – wobei die Spritzgießform mit einem Thermoplast ausgespritzt wird, der die Platine (10) durch mindestens einen Durchbruch (15) durchdringt oder die Platine (10) umfließt.Method for producing at least one light-emitting semiconductor diode on a circuit board comprising electrical conductors, - wherein at least one light-emitting semiconductor chip ( 21 ) on the board ( 10 ), - wherein the position of the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) on at least one alignment edge ( 18 ) of the board ( 10 ), wherein the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) thermally conductive, electrically and mechanically with the board ( 10 ), the pre-assembled board ( 10 ) is inserted into an injection mold, - the position of the board ( 10 ) in the injection mold at least on the light-emitting semiconductor chip ( 21 ), and - wherein the injection mold is sprayed with a thermoplastic, the circuit board ( 10 ) by at least one breakthrough ( 15 ) or the board ( 10 ) flows around. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der lichtemittierende Halbleiterchip (21) beim Spritzgießen unterhalb der Platine (10) liegt.Method according to Claim 1, characterized in that the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) during injection molding below the board ( 10 ) lies. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Spritzgießen mindestens eine optische Linse (32) erzeugt wird.A method according to claim 1, characterized in that during injection molding at least one optical lens ( 32 ) is produced. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der lichtemittierende Halbleiterchip (21) auf einem Chipträger (24) vormontiert wird.Method according to Claim 1, characterized in that the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) on a chip carrier ( 24 ) is pre-assembled. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausrichtkante (18) Teil eines Durchbruchs (16) ist.Method according to claim 1, characterized in that the alignment edge ( 18 ) Part of a breakthrough ( 16 ). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der lichtemittierende Halbleiterchip (21) mittels einer Klebe- und/oder Lötverbindung (22) mit den Leiterbahnen (12, 13) thermisch leitend, elektrisch und mechanisch verbunden wird.Method according to Claim 1, characterized in that the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) by means of an adhesive and / or solder joint ( 22 ) with the tracks ( 12 . 13 ) is thermally conductive, electrically and mechanically connected. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der lichtemittierende Halbleiterchip (21) mittels mindestens eines Bonddrahtes (27) mit den Leiterbahnen (12, 13) verbunden ist.Method according to Claim 1, characterized in that the light-emitting semiconductor chip ( 21 ) by means of at least one bonding wire ( 27 ) with the tracks ( 12 . 13 ) connected is. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung mehrerer Leuchtdioden (20) auf einer Platine (10) die jeweiligen Lichtverteilkörper (31) durch Spritzgießen über einen gemeinsamen Anguss hergestellt werden.Method according to claim 1, characterized in that for producing a plurality of light-emitting diodes ( 20 ) on a board ( 10 ) the respective light distribution body ( 31 ) are produced by injection molding over a common sprue.
DE10357818A 2003-12-09 2003-12-09 Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board Expired - Fee Related DE10357818B4 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10357818A DE10357818B4 (en) 2003-12-09 2003-12-09 Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board
US10/582,311 US20070117248A1 (en) 2003-12-09 2004-12-03 Method for the production of light-emitting semiconductor diodes
PCT/DE2004/002652 WO2005056269A2 (en) 2003-12-09 2004-12-03 Method for the production of light-emitting semiconductor diodes on a printed circuit board, and illumination units comprising an integrated circuit board
TW093138197A TW200525786A (en) 2003-12-09 2004-12-09 Method for the production of light-emitting semiconductor diodes on a printed circuit board, and illumination units comprising an integrated circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10357818A DE10357818B4 (en) 2003-12-09 2003-12-09 Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10357818A1 DE10357818A1 (en) 2005-07-14
DE10357818B4 true DE10357818B4 (en) 2009-10-08

Family

ID=34672568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10357818A Expired - Fee Related DE10357818B4 (en) 2003-12-09 2003-12-09 Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10357818B4 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2437581A1 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Odelo GmbH Light diode on a ceramic substrate basis
EP2437319A2 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Odelo GmbH Method for producing lensed SMD light diodes
WO2018019726A1 (en) 2016-07-28 2018-02-01 HELLA GmbH & Co. KGaA Light source with a silicone primary optic and method for producing the light source

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007017855A1 (en) 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (en) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd Molding method of led chip mounted on printed board
JPH06334223A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Led illuminator
JPH06334224A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Manufacture of led illuminator
JPH0722653A (en) * 1993-06-30 1995-01-24 Mitsubishi Cable Ind Ltd Molding method of electronic component mounted on substrate
JPH0730152A (en) * 1993-07-09 1995-01-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd Molding method for electronic component mounted on board and board structure for molding
DE19612388C2 (en) * 1996-03-28 1999-11-04 Siemens Ag Integrated semiconductor circuit, in particular an optoelectronic component with overvoltage protection

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0611067A (en) * 1992-01-16 1994-01-21 Fujikin:Kk Control valve

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611067A (en) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd Molding method of led chip mounted on printed board
JPH06334223A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Led illuminator
JPH06334224A (en) * 1993-05-24 1994-12-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Manufacture of led illuminator
JPH0722653A (en) * 1993-06-30 1995-01-24 Mitsubishi Cable Ind Ltd Molding method of electronic component mounted on substrate
JPH0730152A (en) * 1993-07-09 1995-01-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd Molding method for electronic component mounted on board and board structure for molding
DE19612388C2 (en) * 1996-03-28 1999-11-04 Siemens Ag Integrated semiconductor circuit, in particular an optoelectronic component with overvoltage protection

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Abstract & JP 06 334 223 A *
Abstract & JP 06 334 224 A *
Abstract & JP 07 022 653 A *
Abstract & JP 07 030 152 A *
Abstract & JP 61 001 067 A *
JP 61-001 067 A (Abstract) JP 06-334 224 A (Abstract) JP 06-334 223 A (Abstract) JP 07-022 653 A (Abstract) JP 07-030 152 A (Abstract)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2437581A1 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Odelo GmbH Light diode on a ceramic substrate basis
EP2437319A2 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Odelo GmbH Method for producing lensed SMD light diodes
DE102010047002A1 (en) 2010-09-30 2012-04-05 Odelo Gmbh Method for producing belinster SMD LEDs
WO2018019726A1 (en) 2016-07-28 2018-02-01 HELLA GmbH & Co. KGaA Light source with a silicone primary optic and method for producing the light source
DE102016113942A1 (en) 2016-07-28 2018-02-15 HELLA GmbH & Co. KGaA Light source with a primary optic of silicone and method for producing the light source
US11009208B2 (en) 2016-07-28 2021-05-18 HELLA GmbH & Co. KGaA Light source with a primary lens made of silicone and a method for manufacturing the light source

Also Published As

Publication number Publication date
DE10357818A1 (en) 2005-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2317213B1 (en) Light diode module of a motor vehicle lighting device and motor vehicle lighting device
DE102005033709B4 (en) Light emitting module
DE19746893B4 (en) Optoelectronic component with heat sink in the base part and method for the production
DE102007044684B4 (en) Compact high intensity LED based light source and method of making same
EP0364806A2 (en) Surface light-emitting device
WO2016034540A1 (en) Light-emitting diode component
DE102006033873A1 (en) Radiation-emitting device with a plurality of radiation-emitting components and illumination device
DE202006020926U1 (en) lamp
DE102009007650A1 (en) Illuminant with heat spreading by heat conduction coating and adaptation to the power supply network and manufacturing method thereof
WO2015040107A1 (en) Optoelectronic component and method for producing same
WO2015086665A1 (en) Optoelectronic component
WO2016102474A1 (en) Optoelectronic component and method for producing same
EP2141406B1 (en) Lamp
DE10357818B4 (en) Method for producing light-emitting semiconductor diodes on a circuit board
DE102007061261A1 (en) Luminaire with LED DIEs and their manufacture
WO2005056269A2 (en) Method for the production of light-emitting semiconductor diodes on a printed circuit board, and illumination units comprising an integrated circuit board
WO2001015242A1 (en) Method for the production of an optoelectronic component with a lens
DE102012006924A1 (en) LED lighting module with uniform light output
DE102013207111B4 (en) Optoelectronic component
WO2017050617A1 (en) Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
DE102004004779B4 (en) Light-emitting diode illumination module with optical device for beam shaping
WO2020169448A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102015201152A1 (en) Heat sink for a lighting device
DE102008019612A1 (en) Optoelectronic component has base body and two light-emitting semiconductor chips arranged on two non-parallel surfaces of base body, where base body has metallization for supplying power to light-emitting semiconductor chips
EP3309854A1 (en) Light with oled for vehicle light

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ODELO GMBH, 71409 SCHWAIKHEIM, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140701