DE10327853A1 - Plasma treatment of surfaces and materials with moving microwave plasma in wave-conducting hollow conductor structure involves moving plasma away from microwave input coupling point - Google Patents

Plasma treatment of surfaces and materials with moving microwave plasma in wave-conducting hollow conductor structure involves moving plasma away from microwave input coupling point Download PDF

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Abstract

The method involves moving a microwave-stimulated plasma (5) to a predefined point in a microwave-conducting hollow conductor structure (3). The plasma is caused to move away from the microwave input coupling point (2a) and the surfaces and materials to be treated are arranged in the region of action of the plasma within the microwave-conducting hollow conductor structure. An independent claim is also included for the following: (a) an arrangement for plasma treatment of surfaces and materials with a moving microwave plasma in a wave-conducting hollow conductor structure.

Description

[Stand der Technik][State of the art]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Plasmabehandlung von Stoffen und Oberflächen mittels eines sich bewegenden Mikrowellenplasmas innerhalb einer wellenleitenden Hohlleiterstruktur, indem das Plasma veranlasst wird, sich von der Mikrowelleneinspeisung weg zu bewegen. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.The The present invention relates to a method of plasma treatment of fabrics and surfaces by means of a moving microwave plasma within a waveguide waveguide structure by causing the plasma is going to move away from the microwave feed. Further The invention relates to a device for carrying out this Process.

Plasmabehandlungen werden durchgeführt zum Beispiel zum Zweck der Reinigung, Aktivierung, Funktionalisierung, Sterilisation und Beschichtung von Oberflächen an Gegenständen, Bahnen, Platten und Stoffen.plasma treatments are carried out for Example for the Purpose of Purification, Activation, Functionalization, Sterilization and coating of surfaces on objects, webs, Plates and fabrics.

Für die Durchführung solcher Plasmabehandlungen mit sich bewegenden Plasmen sind verschiedene Verfahren, wie zum Beispiel PCT/DE00/03971 bekannt.For the implementation of such Plasma treatments with moving plasmas are different Method, such as PCT / DE00 / 03971 known.

Diese Verfahren sind zum Teil mit Nachteilen, wie geringer Plasmawirkbereich, Inhomogenitäten in Plasmaausbreitung und -wirkung verbunden.These Procedures are partly with disadvantages, such as low plasma range, inhomogeneities associated with plasma spread and action.

[Aufgabe der Erfindung]OBJECT OF THE INVENTION

In bekannten Verfahren wird die Bewegung von Plasmen so ausgeführt, dass eine Bewegung der Plasmen immer zum Einkoppelende der Mikrowellen erfolgt. Dies wirkt sich zum Teil nachteilig auf die Homogenität und Größe sowie auf die Führung der Bewegung des Plasmas aus. Somit ist die Wirkung des Plasmas auf Oberflächen und Stoffe teilweise erheblich eingeschränkt.In known methods, the movement of plasmas is carried out so that a movement of the plasmas is always done to Einkoppelende the microwaves. This partly adversely affects the homogeneity and size as well on the leadership the movement of the plasma. Thus, the effect of the plasma on surfaces and substances sometimes considerably limited.

Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, die Plasmabehandlung an Stoffen und Oberflächen von Gegenständen, Bahnen, Platten mittels mikrowellenangeregter sich bewegender Plasmen innerhalb einer wellenleitenden Hohlleiterstruktur mit verbesserter Wirkung, vorzugsweise im Bereich des atmosphärischen Drucks zu ermöglichen.Of the The present invention is therefore based on the object, the plasma treatment on fabrics and surfaces of objects, Tracks, plates by means of microwave excited moving plasmas within a waveguide waveguide structure with improved Effect, preferably in the range of atmospheric pressure to allow.

Gelöst wird diese Aufgabe durch eine verfahrenstechnische Lösung, bei der

  • a) innerhalb einer wellenleitenden Hohlleiterstruktur ein mikrowellenangeregtes Plasma an einem vorherbestimmten Ort erzeugt wird,
  • b) das Plasma veranlasst wird, sich von der Mikrowelleneinkopplung weg zu bewegen,
  • c) zu behandelnde Oberflächen und Stoffe im Wirkbereich des Plasmas angeordnet werden,
  • d) die Mikrowelleneinkopplung abgebrochen wird, wenn ein gewünschtes Arbeitsergebnis erreicht ist,
  • e) die Bewegung des Plasmas unterbunden wird, sobald das Plasma den vorherbestimmten Ort erreicht hat,
  • f) die Plasmabehandlung im Bereich des atmosphärischen Luftdrucks durchgeführt wird,
  • g) eine im Wirkbereich des Plasmas für eine definierte Plasmabehandlung geeignete Atmosphäre genutzt wird,
  • h) die Bewegung des Plasmas so oft wiederholt wird, bis ein gewünschtes Arbeitsergebnis erreicht ist.
  • i) eine im Bewegungsbereich des Plasmas gerichtete Gasströmung erzeugt wird,
  • j) eine weitere Mikrowelleneinkopplung entgegengesetzt zur ersten Mikrowelleneinkopplung erfolgt,
  • k) die Bewegungsrichtung des Plasmas während der Plasmabehandlung geändert wird,
  • l) die Bewegung des Plasmas so gesteuert wird, dass sie gegen Null läuft,
  • m) die Mikrowelleneinkopplung moduliert erfolgt,
  • n) für die Bewegung des Plasmas der thermische Auftrieb des Plasmas genutzt wird,
This problem is solved by a process engineering solution in which
  • a) a microwave-excited plasma is generated at a predetermined location within a waveguide waveguide structure,
  • b) the plasma is caused to move away from the microwave coupling,
  • c) surfaces and substances to be treated are arranged in the effective range of the plasma,
  • d) the microwave coupling is interrupted when a desired working result is reached,
  • e) the movement of the plasma is stopped as soon as the plasma has reached the predetermined location,
  • f) the plasma treatment is carried out in the region of the atmospheric air pressure,
  • g) a suitable atmosphere in the effective range of the plasma for a defined plasma treatment is used,
  • h) the movement of the plasma is repeated until a desired work result is achieved.
  • i) a gas flow directed in the area of movement of the plasma is generated,
  • j) another microwave coupling takes place opposite to the first microwave coupling,
  • k) the direction of movement of the plasma is changed during the plasma treatment,
  • l) the movement of the plasma is controlled so that it approaches zero,
  • m) the microwave coupling is modulated,
  • n) for the movement of the plasma the thermal buoyancy of the plasma is used,

Mit Hilfe dieses Verfahrens ist eine vorteilhafte Plasmabehandlung von Stoffen und Oberflächen möglich, bezüglich:

  • – Keimabtötung (Sterilisierung)
  • – Reinigung
  • – Aktivierung
  • – Modifizierung der Oberflächenstruktur
  • – Veränderung der Oberflächeneigenschaften
  • – Beschichten
With the aid of this method, an advantageous plasma treatment of substances and surfaces is possible with respect to:
  • - germ killing (sterilization)
  • - Cleaning
  • - Activation
  • - modification of the surface structure
  • - Change of surface properties
  • - coating

Durch Einstellen definierter Parameter, wie z. Bsp. der Gaszusammensetzung, Gasdruck, der Zudosierung von Flüssigkeiten, Aerosolen, Feststoffpartikeln im Wirkbereich des Plasmas, der Modulation der Mikrowelleneinkopplung kann der gewünschte Plasmabehandlungseffekt gezielt beeinflusst werden.By Setting defined parameters, such. Eg the gas composition, Gas pressure, the metered addition of liquids, Aerosols, solid particles in the effective range of the plasma, the modulation Microwave coupling can produce the desired plasma treatment effect be specifically influenced.

Durch Einstellung einer definierten Gasströmung im Bewegungsbereich des Plasmas kann die Bewegung des Plasmas beeinflusst werden. Die Gasströmung kann zur Reduzierung des Gasverbrauches als Umlaufströmung oder als Durchgangsströmung mit Abführung realisiert werden. Verbrauchte oder durch den Plasmaprozeß verschmutzte Gase werden über eine Abführvorrichtung aus dem Prozeß abgeführt und entsorgt.By Adjustment of a defined gas flow in the range of motion of the Plasma can affect the movement of the plasma. The gas flow can for reducing the gas consumption as a circulation flow or as a throughflow with removal will be realized. Spent or contaminated by the plasma process Gases are over a discharge device removed from the process and disposed of.

Der Wirkbereich des Plasmas kann so gestaltet werden, dass eine Anpassung an Konturen der zu behandelnden Oberfläche von Gegenständen ermöglicht wird. Der Wirkbereich sowie die Bewegungsrichtung des Plasmas kann geradlinig oder gekrümmt sein.Of the Effective range of the plasma can be designed so that an adaptation is made possible on contours of the surface to be treated by objects. The effective range and the direction of movement of the plasma can be rectilinear or curved be.

Die Ausdehnung des Plasmas sowie die Bewegungsrichtung und Bewegungsgeschwindigkeit kann durch verschiedene Maßnahmen, wie z. Beisp. Änderung der Mikrowellenfrequenz, Leistung, Gasströmung, Taktung und durch Einbauten den Erfordernissen angepasst werden.The extent of the plasma as well as the Be direction of movement and speed of movement can by various measures, such. Ex. Change the microwave frequency, power, gas flow, timing and be adapted by internals to the requirements.

Für bestimmte Anwendungen ist es zweckmäßig die wellenleitende Hohlleiterstruktur so auszuführen, dass vorzugsweise entsprechend der gewählten Mikrowellenfrequenz nur ein Mode entsteht bzw. überwiegt. Die Erzeugung des Plasmas am vorherbestimmten Ort kann durch Zuführung einer geeigneten Zündvorrichtung bzw. andere bekannte Maßnahmen erfolgen. Ein Entfernen der Zündeinrichtung kann nach der Erzeugung des Plasmas zweckmäßig sein. Die Veranlassung der Bewegung des Plasmas aus dem Zündbereich heraus kann z. Beisp. durch Ausnutzung des thermischen Auftriebs des Plasmas, durch den Aufbau von Magnetfeldern, durch den Aufbau einer Gasströmung und durch das Anordnen mindestens einer weiteren Mikrowelleneinkopplung so ausgeführt werden, dass eine Bewegung des Plasmas mindestens von einer Mikrowelleneinkopplung weg erfolgt.For certain Applications, it is appropriate the Waveguide waveguide structure to be designed so that preferably according to the chosen one Microwave frequency only one mode is created or predominates. The generation of the Plasmas at the predetermined location can by supplying a suitable ignition device or other known measures respectively. Removing the ignition device may be appropriate after the generation of the plasma. The cause the movement of the plasma out of the ignition area can z. Ex. by exploiting the thermal buoyancy of the plasma, through the Structure of magnetic fields, by building up a gas flow and by arranging at least one further microwave coupling so executed be that movement of the plasma at least from a microwave coupling done away.

Durch weitere Maßnahmen, wie z. Beisp. der Anordnung einer Barriere, dem rechtzeitigen Ausschalten der Energiezufuhr oder/und dem Aufbau einer definierten Gasströmung kann die Bewegung des Plasmas so gesteuert werden, dass die Bewegung des Plasmas gestoppt wird und im Extremfall gegen Null läuft.By further measures, such as Ex. The arrangement of a barrier, the timely turn off the power supply and / or the construction of a defined gas flow can the movement of the plasma are controlled so that the movement of the Plasmas is stopped and in extreme cases runs to zero.

Gegenstände, Stoffe, Partikel und Bahnen sind teilweise oder ganz so innerhalb der wellenleitenden Hohlleiterstruktur anzuordnen, dass die zu behandelnden Oberflächen und Stoffe in den Wirkbereich des Plasmas gelangen.Objects, fabrics, Particles and orbits are partially or wholly within the waveguiding Waveguide structure to arrange that the surfaces to be treated and Substances enter the effective range of the plasma.

Eine bevorzugte Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens enthält folgende Elemente:

  • a) einen Mikrowellengenerator (1a) zum Erzeugen von Mikrowellen
  • b) eine mikrowellenleitende Hohlleiterstruktur (3)
  • c) eine Mikrowelleneinkopplung (2a) an einem Ende der mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) zum Einkoppeln der Mikrowellen
  • d) eine Zündvorrichtung (4) für das Plasma (5)
  • e) eine Steuervorrichtung (7) zum Steuern des Plasmas (5)
A preferred apparatus for carrying out the method contains the following elements:
  • a) a microwave generator ( 1a ) for generating microwaves
  • b) a microwave-conducting waveguide structure ( 3 )
  • c) a microwave coupling ( 2a ) at one end of the microwave waveguide structure ( 3 ) for coupling the microwaves
  • d) an ignition device ( 4 ) for the plasma ( 5 )
  • e) a control device ( 7 ) for controlling the plasma ( 5 )

Eine Vorrichtung mit diesen Merkmalen kann dadurch, dass

  • f) eine Zuführvorrichtung für Gas (10), mittels der das für eine Plasmabehandlung geeignete Gas dem Wirkbereich des Plasmas zugeführt wird, angeordnet ist,
  • g) eine Abführeinrichtung (11) für durch den Plasmaprozeß beeinflusstes Gas angeordnet ist,
  • h) ein Gebläse (12) zur Erzeugung einer gerichteten Gasströmung vorgesehen ist,
  • i) eine zweite Mikrowelleneinkopplung (2b) zum Einkoppeln von Mikrowellen am anderen Ende der mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) angeordnet ist,
  • j) ein zweiter Mikrowellengenerator (1b) vorgesehen ist,
zweckmäßig ausgestaltet werden.A device with these features can be characterized in that
  • f) a gas supply device ( 10 ), by means of which the gas suitable for a plasma treatment is supplied to the active region of the plasma, is arranged,
  • g) a discharge device ( 11 ) is arranged for gas influenced by the plasma process,
  • h) a blower ( 12 ) is provided for generating a directed gas flow,
  • i) a second microwave coupling ( 2 B ) for coupling microwaves at the other end of the microwave waveguide structure ( 3 ) is arranged
  • j) a second microwave generator ( 1b ) is provided,
be designed appropriately.

[Beispiele][Examples]

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen erläutert.following The invention will be explained with reference to embodiments.

1: eine schematische Darstellung einer Grundvorrichtung zur Plasmabehandlung der Innenoberfläche eines Rohres aus dielektrischem Material mittels atmosphärischem Luftplasma unter Nutzung des thermischen Auftriebs des Plasmas 1 : A schematic representation of a basic device for plasma treatment of the inner surface of a tube of dielectric material by means of atmospheric air plasma using the thermal buoyancy of the plasma

2: eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen eines Gegenstandes mittels einer definierten Gasströmung und definiertem Gasdruck sowie einer zweiten Mikrowelleneinkopplung 2 : A schematic representation of an apparatus for the plasma treatment of surfaces of an object by means of a defined gas flow and a defined gas pressure and a second microwave coupling

In 1 ist der schematische Aufbau einer Vorrichtung zur Behandlung der Innenoberfläche eines Gegenstandes (6), hier ein Rohr aus dielektrischem Material, mittels eines sich bewegenden Plasmas (5) unter Nutzung des thermischen Auftriebs des Plasmas dargestellt.In 1 is the schematic structure of an apparatus for treating the inner surface of an article ( 6 ), here a tube of dielectric material, by means of a moving plasma ( 5 ) using the thermal buoyancy of the plasma.

Die Vorrichtung besteht aus einem Mikrowellengenerator (1a), einer Mikrowelleneinkopplung (2a), einer senkrecht stehenden mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3), einer Zündvorrichtung (4) und einer Steuervorrichtung (7).The device consists of a microwave generator ( 1a ), a microwave coupling ( 2a ), a vertical microwave waveguide structure ( 3 ), an ignition device ( 4 ) and a control device ( 7 ).

Die wellenleitende Hohlleiterstruktur (3) ist als Rundhohlleiter für die hier beispielhaft verwendete Frequenz von 2,45 GHz so gestaltet, dass vorzugsweise der E01-Mode angeregt wird.The waveguide waveguide structure ( 3 ) is configured as a circular waveguide for the 2.45 GHz frequency used here by way of example in such a way that preferably the E 01 mode is excited.

Der Gegenstand (6), Rohr, ist so innerhalb der wellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) angeordnet, dass mittels der Zündvorrichtung (4) ein Plasma (5) am unteren Ende des Rohres entsteht und sich innerhalb des Rohres, durch den thermischen Auftrieb des Plasmas bedingt, zum oberen Ende des Rohres bewegt. Die Zündvorrichtung (4) kann nach der Bildung des Plasmas aus der wellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) entfernt werden. Das Plasma (5) erlischt nach Erreichen des oberen Ende des Rohres, indem durch die Steuervorrichtung (7) die Mikrowelleneinkopplung unterbrochen wird. Dieser Prozeß wird so oft wiederholt, bis der gewünschte Behandlungseffekt erreicht ist.The object ( 6 ), Tube is so within the waveguide waveguide structure ( 3 ) arranged by means of the ignition device ( 4 ) a plasma ( 5 ) arises at the lower end of the tube and moves within the tube, due to the thermal buoyancy of the plasma, to the upper end of the tube. The ignition device ( 4 ) can, after the formation of the plasma from the waveguide waveguide structure ( 3 ) are removed. The plasma ( 5 ) goes out after reaching the upper end of the pipe by the control device ( 7 ) the microwave coupling is interrupted. This process is repeated until the desired treatment effect is achieved.

Der Plasmaprozeß wird unter atmosphärischem Druck mit Luft realisiert. Mit diesem atmosphärischem Luftplasma kann z. Bsp. sowohl eine Aktivierung als auch eine Sterilisation von Oberflächen realisiert werden.Of the Plasma process becomes under atmospheric Realized pressure with air. With this atmospheric air plasma z. For example, realized both an activation and a sterilization of surfaces become.

In 2 ist eine erweiterte Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen eines Gegenstandes (6), hier eine Platte, mittels einer definierten Gaszuzammensetzung und Gasströmung dargestellt.In 2 is an advanced device for the plasma treatment of surfaces of an object ( 6 ), here a plate, represented by means of a defined Gaszuzammensetzung and gas flow.

Die Vorrichtung besteht aus einem Mikrowellengenerator (1a), einer Mikrowelleneinkopplung (2a), einer mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3), einer Zündvorrichtung (4) und einer Steuervorrichtung (7).The device consists of a microwave generator ( 1a ), a microwave coupling ( 2a ), a microwave waveguide structure ( 3 ), an ignition device ( 4 ) and a control device ( 7 ).

Darüber hinaus enthält die Vorrichtung eine Zuführvorrichtung für Gas (10) über die eine vorher erzeugte Gasatmosphäre dem Wirkbereich (9) des Plasmas (5) zugeführt wird. Über eine Abführvorrichtung für Gas (11) kann verbrauchtes Gas abgeführt werden. Mittels eines Gebläses (12) kann das Gas so geführt werden, dass eine gerichtete Gasströmung im Wirkbereich (9) des Plasmas (5) und gegebenfalls eine Gaszirkulation entsteht. Die Richtung der Gasströmung kann durch Umschalten des Gebläses (12) geändert werden.In addition, the device includes a gas supply device ( 10 ) via the one previously generated gas atmosphere the effective range ( 9 ) of the plasma ( 5 ) is supplied. Via a gas discharge device ( 11 ) used gas can be removed. By means of a blower ( 12 ), the gas can be guided so that a directed gas flow in the effective range ( 9 ) of the plasma ( 5 ) and, if necessary, a gas circulation arises. The direction of the gas flow can be changed by switching the blower ( 12 ).

Durch die Anordnung einer zweiten Mikrowelleneinkopplung (2b) am anderen Ende der mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) kann die Ausdehnung und die Bewegung des Plasmas (5) beeinflusst werden. Die Mikrowelleneinkoppung (2b) kann entweder vom Mikrowellengenerator (1a) oder von einem weiteren Mikrowellengenerator (1b) mit Mikrowellen gespeist werden.By the arrangement of a second microwave coupling ( 2 B ) at the other end of the microwave waveguide structure ( 3 ), the expansion and movement of the plasma ( 5 ) to be influenced. Microwave coupling ( 2 B ) can be either from the microwave generator ( 1a ) or another microwave generator ( 1b ) are fed with microwaves.

Der Plasmaprozeß wird unter atmosphärischem Druck mit Luft oder mit einer für eine spezifische Plasmabehandlung geeigneten Gasatmosphäre durchgeführt.Of the Plasma process becomes under atmospheric Pressure with air or with a for performed a specific plasma treatment suitable gas atmosphere.

Mit Hilfe der Steuervorrichtung (7) kann die Bewegung und der Aufbau des Plasmas (5) so gestaltet werden, dass eine Änderung (Umkehr) der Bewegungsrichtung (8), der Bewegungsgeschwindigkeit und der Größe des Plasmas (5) erreicht wird. Durch Modulation der Mikrowelleneinkopplung ist ein dem gewünschten Behandlungsprozeß angepasster reduzierter Energieeintrag möglich.With the help of the control device ( 7 ), the movement and the structure of the plasma ( 5 ) are designed so that a change (reversal) of the direction of movement ( 8th ), the speed of movement and the size of the plasma ( 5 ) is achieved. By modulating the microwave coupling, a reduced energy input adapted to the desired treatment process is possible.

1a1a
Mikrowellengeneratormicrowave generator
1b1b
Mikrowellengeneratormicrowave generator
2a2a
MikrowelleneinkoppiungMikrowelleneinkoppiung
2b2 B
Mikrowelleneinkopplungmicrowave coupling
33
mikrowellenleitende Hohlleiterstrukturmicrowave conducting Waveguide structure
44
Zündvorrichtungdetonator
55
Plasmaplasma
66
Gegenstandobject
77
Steuervorrichtungcontrol device
88th
Bewegungsrichtung des Plasmasmovement direction of the plasma
99
Wirkbereich des Plasmaseffective range of the plasma
1010
Zuführvorrichtung für Gasfeeder for gas
1111
Abführvorrichtung für Gasdischarge device for gas
1212
Gebläsefan

Claims (15)

Verfahren zum Behandeln von Oberflächen und Stoffen mittels Mikrowellenplasma dadurch gekennzeichnet, dass ein mikrowellenangeregtes Plasma innerhalb einer mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur an einem vorbestimmten Ort erzeugt wird, das Plasma veranlasst wird, sich so zu bewegen, dass es sich in seiner Bewegungsrichtung von der Mikrowelleneinkopplung weg bewegt und zu behandelnde Oberflächen und Stoffe innerhalb der mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur im Wirkbereich des Plasmas angeordnet werden,A method for treating surfaces and fabrics by microwave plasma, characterized in that a microwave-excited plasma is generated within a microwave waveguide structure at a predetermined location, the plasma is caused to move so that it moves in its direction of movement away from the microwave coupling and to treating surfaces and substances are arranged within the microwave waveguide structure in the effective range of the plasma, Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass eine im Wirkbereich des Plasmas für eine definierte Plasmabehandlung geeignete Gasatmosphäre im Bereich des atmosphärischen Drucks genutzt wird.Method according to claim 1, characterized that one in the effective range of the plasma for a defined plasma treatment suitable gas atmosphere in the area of the atmospheric Pressure is used. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung des Plasmas so oft wiederholt wird, bis ein gewünschtes Arbeitsergebnis erreicht ist.Method according to claims 1 and 2, characterized that the movement of the plasma is repeated until a desired Work result is reached. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, dass im Wirkbereich des Plasmas eine gerichtete Gasströmung erzeugt wird.Method according to at least one of claims 1 to 3 characterized in that in the active region of the plasma a directed gas flow is produced. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung des Plasmas unterbunden wird, sobald das Plasma den vorherbestimmten Ort erreicht hat.Method according to at least one of claims 1 to 4 characterized in that the movement of the plasma prevented becomes as soon as the plasma reaches the predetermined place. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegungsrichtung des Plasmas geändert wird.Method according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the direction of movement of the plasma changed becomes. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, dass eine weitere Mikrowelleneinspeisung entgegengesetzt zur ersten Mikrowelleneinspeisung erfolgt.Method according to at least one of claims 1 to 6, characterized in that a further microwave feed opposite to the first microwave feed takes place. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung des Plasmas gegen Null läuft.Method according to at least one of claims 1 to 7 characterized in that the movement of the plasma towards zero running. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowelleneinspeisung moduliert erfolgt.Method according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that the micro Wavelength modulation is modulated. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9 dadurch gekennzeichnet, dass für die Bewegung des Plasmas der thermische Auftrieb des Plasmas genutzt wird,Method according to at least one of claims 1 to 9 characterized in that for the movement of the plasma utilized the thermal buoyancy of the plasma becomes, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bestehend aus a) einem Mikrowellengenerator (1a) zum Erzeugen von Mikrowellen, b) einer Mikrowelleneinkopplung (2a) zum Einkoppeln der Mikrowellen in eine mikrowellenleitende Hohlleiterstruktur (3), c) einer mikrowellenleitenden Hohlleiterstruktur (3) d) einer Zündvorrichtung (4) für das Plasma (5), e) einer Steuervorrichtung (7) zum Steuern des Plasmas (5).Apparatus for carrying out the method according to claim 1 consisting of a) a microwave generator ( 1a ) for generating microwaves, b) a microwave coupling ( 2a ) for coupling the microwaves into a microwave-conducting waveguide structure ( 3 ), c) a microwave-conducting waveguide structure ( 3 ) d) an ignition device ( 4 ) for the plasma ( 5 ), e) a control device ( 7 ) for controlling the plasma ( 5 ). Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass mittels einer Zuführvorrichtung für Gas (10) die für eine Plasmabehandlung erforderliche Gasatmosphäre dem Wirkbereich (9) des Plasmas (5) zugeführt wird.Apparatus according to claim 11, characterized in that by means of a supply device for gas ( 10 ) required for a plasma treatment gas atmosphere the effective range ( 9 ) of the plasma ( 5 ) is supplied. Vorrichtung nach Anspruch 11 und 12, dadurch gekennzeichnet, dass mittels einer Abführvorrichtung für Gas (11) durch den Plasmaprozeß beeinflußtes Gas abgeführt wird.Apparatus according to claim 11 and 12, characterized in that by means of a discharge device for gas ( 11 ) is removed by the plasma process influenced gas. Vorrichtung nach Anspruch 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gebläse (12) zur Erzeugung einer gerichteten Gasströmung vorgesehen ist.Apparatus according to claim 11 to 13, characterized in that a blower ( 12 ) is provided for generating a directed gas flow. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine zusätzliche, der ersten Mikrowelleneinspeisung (2a) entgegengesetzt angeordnete Mikrowelleneinspeisung (2b) vorgesehen ist.Device according to at least one of claims 10 to 14, characterized in that an additional, the first microwave feed ( 2a ) oppositely arranged microwave feed ( 2 B ) is provided.
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