DE10323379A1 - Integrated circuit has Hall probe structure arranged close to conducting track so Hall voltage dependent on measurement voltage can be measured depending on magnetic field caused by track current - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einer Messstruktur zum Messen eines Stromes in einem Schaltkreis. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Messen eines Stromes in einem Schaltkreis einer integrierten Schaltung.The invention relates to an integrated Circuit with a measuring structure for measuring a current in one Circuit. The invention further relates to a method for Measuring a current in a circuit of an integrated circuit.
Beim Testen einer integrierten Schaltung werden unter anderem die auf der integrierten Schaltung angeordneten Logikschaltkreise und Generatorschaltkreise auf Kurzschlüsse oder offene Leitungen getestet. Dies erfolgt üblicherweise mit Hilfe einer Strommessung, wobei der Stromfluss in den zu testenden Schaltkreisen gemessen wird und dieser Strom einer Testschaltung zur Verfügung gestellt wird, um zu überprüfen, ob sich der in den Schaltkreis fließenden Strom innerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegt.When testing an integrated circuit among other things, the logic circuits arranged on the integrated circuit and generator circuits tested for short circuits or open lines. This is usually done with the help of a current measurement, the current flow in the to be tested Circuits is measured and this current is a test circuit to disposal is asked to check whether the current flowing into the circuit within one predetermined range.
Die Strommessung wird beispielsweise mit Hilfe eines Messwiderstandes, der in den Strompfad geschaltet ist, bzw. mit Hilfe einer Stromspiegelschaltung, die den durch den Schaltkreis fließenden Strom auf einen Messpfad spiegelt durchgeführt. Messwiderstände und Stromspiegelschaltungen verändern jedoch den Wiederstand des Strompfades und verfälschen dadurch die Strommessung.The current measurement is, for example with the help of a measuring resistor, which is connected in the current path is, or with the help of a current mirror circuit, which by the Circuit flowing Electricity carried on a measurement path reflects. Measuring resistors and Current mirror circuits change, however the resistance of the current path and thereby falsify the current measurement.
Üblicherweise werden zum Testen von Logikschaltungen externe Strommessgeräte eingesetzt, die den Strom durch die Versorgungsspannungsquellen messen und somit den Ruhestrom der Logikschaltung bestimmen können. Anhand des Ruhestroms wird festgestellt, ob die Stromaufnahme der Schaltkreise der Logikschaltung im gewünschten Bereich liegt oder nicht. Bei DRAM-Speicherbausteinen kann dieses Verfahren nicht verwendet werden, da extern nicht zwischen fehlerfreien und fehlerbe hafteten Bausteinen unterschieden werden kann, wenn redundante Speicherbereiche eingesetzt werden, mit denen defekte Bausteine repariert werden. Die real vorhandenen Kurzschlüsse in den defekten Speicherbereichen erhöhen beispielsweise die Stromaufnahme, so dass auch nach einer Reparatur fehlerfreie Speicherbausteine über eine sehr hohe bzw. eine sehr niedrige Stromaufnahme verfügen können.Usually external current measuring devices are used to test logic circuits, which measure the current through the supply voltage sources and thus can determine the quiescent current of the logic circuit. Based on the quiescent current it is determined whether the current consumption of the circuits of the logic circuit in the desired area lies or not. This procedure can be used for DRAM memory chips not be used as externally not between error free and faulty blocks can be distinguished if redundant Memory areas are used with which defective blocks be repaired. The real short circuits in the defective memory areas increase For example, the power consumption, so that even after a repair, error-free Memory modules via can have a very high or a very low power consumption.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine integrierte Schaltung mit einer oder mehreren Messstrukturen zur Verfügung zu stellen, mit der das Vorliegen eines Fehlers aufgrund zu hoher oder zu niedriger Stromaufnahmen erkannt werden kann. Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Messen eines Stromes in einem Schaltkreis zur Verfügung zu stellen, mit dem ein Fehler des Schaltkreises festgestellt werden kann, ohne dass der Strompfad des Schaltkreises durch Messelemente belastet wird.It is an object of the present invention integrated circuit with one or more measuring structures for disposal with which the existence of an error due to excessive or current consumption that is too low can be detected. It is still Object of the present invention, a method for measuring a To provide current in a circuit with which an error of the circuit can be determined without the current path of the circuit is loaded by measuring elements.
Diese Aufgabe wird durch die integrierte Schaltung nach Anspruch 1 sowie durch das Verfahren nach Anspruch 9 gelöst.This task is accomplished through the integrated circuit according to claim 1 and solved by the method according to claim 9.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.Further advantageous configurations of the invention are in the dependent claims specified.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung ist eine integrierte Schaltung mit einer Messstruktur zum Messen eines Stromes in einem Schaltkreis vorgesehen. Die Messstruktur weist eine Leiterbahn auf, durch die der zu messende Strom fließt. Die Messstruktur weist weiterhin eine Hall-Sonden-Struktur auf, die durch einen definierten Messstrom durchflossen ist und so in unmittelbarer Nähe der Leiterbahn angeordnet ist, dass abhängig von einem durch den in der Leiterbahn fließenden Strom gebildeten Magnetfeld eine Hall-Spannung an der Hall-Sonden-Struktur messbar ist. Der zu messende Strom ist abhängig von der Hall-Spannung.According to a first aspect of the invention an integrated circuit with a measuring structure for measuring a Current provided in a circuit. The measurement structure points a conductor track through which the current to be measured flows. The Measurement structure also has a Hall probe structure that is flowed through by a defined measuring current and thus in immediate Near the Conductor path is arranged depending on one by the in the conductive path flowing Current formed magnetic field a Hall voltage at the Hall probe structure measurable is. The current to be measured depends on the Hall voltage.
Die erfindungsgemäße integrierte Schaltung nutzt zur Messung eines fließenden Strom eine Hall-Sonden-Struktur, mit der das aufgrund des Stromflusses gebildete Magnetfeld gemessen werden kann. Da die Stärke des Magnetfeldes proportional abhängig ist von dem Strom, der das Magnetfeld bildet, kann über die Messung des Magnetfeldes der Strom in der Leiterbahn bestimmt werden. Diese Art der Messung ist für die Strommessung sehr geeignet, da die Stromaufnahme der Schaltung durch die Messung nicht beeinflusst wird.The integrated circuit according to the invention uses for measuring a flowing Electricity is a Hall probe structure that is used because of the current flow formed magnetic field can be measured. Because the strength of the Magnetic field proportionally dependent is from the current that forms the magnetic field, over the Measurement of the magnetic field to determine the current in the conductor track. This type of measurement is for the current measurement is very suitable since the current consumption of the circuit is not affected by the measurement.
Vorzugsweise ist eine Testschaltung vorgesehen, um die Hall-Spannung mit einer Referenzspannung zu vergleichen und um ein Fehlersignal auszugeben, das anzeigt, ob die Hall-Spannung größer oder kleiner als die Referenzspannung ist.A test circuit is preferred provided to the Hall voltage to compare with a reference voltage and to output an error signal, that indicates whether the Hall voltage is greater or less than the reference voltage is.
Auf diese Weise kann mit einer in der integrierten Schaltung vorgesehenen Testschaltung eine Bewertung der Stromaufnahme des Schaltkreises durchgeführt werden, wobei lediglich ein Fehlersignal ausgegeben wird, mit dem festgestellt werden kann, ob die Stromaufnahme in einem Sollbereich liegt oder nicht.That way, with one in the integrated circuit test circuit an evaluation the current consumption of the circuit can be carried out, whereby only an error signal is output with which it can be determined whether the current consumption is in a target range or not.
Es kann auch eine Testschaltung mit einer Analog-Digital-Wandlerschaltung vorgesehen sein, um die Hall-Spannung zu digitalisieren und diese als digitalisierten Wert auszugeben. Auf diese Weise kann der exakte Stromwert von der integrierten Schaltung ausgegeben werden, so dass eine externe Testereinheit anhand des digitalisierten Spannungswertes den Stromwert ermitteln kann und feststellen kann, ob der Stromwert in dem Sollbereich liegt oder nicht.It can also use a test circuit an analog-to-digital converter circuit be provided to digitize the Hall voltage and this output as digitized value. In this way, the exact Current value are output from the integrated circuit so that an external tester unit based on the digitized voltage value can determine the current value and can determine whether the current value is in the target range or not.
Da die Hall-Spannung sehr gering ist, ist vorzugsweise eine Testschaltung mit einem Verstärker vorgesehen, um die Hall-Spannung zu verstärken und die verstärkte Spannung auszugeben. Die verstärkte Spannung kann dann von der Testereinheit empfangen und gemessen werden und damit auf den in den Schaltkreis fließenden Strom rückgeschlossen werden.Since the Hall voltage is very low, a test circuit with an amplifier is preferably provided in order to amplify the Hall voltage and to output the amplified voltage. The amplified voltage can then be received and measured by the tester unit and thus on the current flowing in the circuit can be inferred.
Vorzugsweise sind in unmittelbarer Nähe der Leiterbahn zwei Hall-Sonden-Strukturen mit gleichem Abstand zur Leiterbahn so angeordnet, dass ein durch den zu messenden Strom gebildetes Magnetfeld, die Hall-Sonden-Strukturen in unterschiedlicher Richtung durchdringt. Es ist eine Testschaltung vorgesehen, die die in den zwei Hall-Sonden-Strukturen gemessenen Hall-Spannungen addiert, um den zu messenden Strom zu bestimmen. Auf diese Weise können Störeinflüsse von zeitlich veränderlichen aber räumlich homogenen Magnetfeldern vermieden werden. Da durch das Addieren der Hall-Spannungen der Störanteil der Hall-Spannung eliminiert werden kann.Preferably in immediate Near the conductor track two Hall probe structures at the same distance from the conductor track arranged so that a formed by the current to be measured Magnetic field, the Hall probe structures in different directions penetrates. A test circuit is provided, which the in the two Hall probe structures measured Hall voltages added to the one to be measured To determine current. In this way, disturbances of time-varying, however spatial homogeneous magnetic fields can be avoided. Because by adding of the Hall voltages the interference component the Hall voltage can be eliminated.
Vorzugsweise ist die Hall-Sonden-Struktur als Halbleiterbereich bzw. die Leiterbahn als Metallisierungsbereich ausgebildet.The Hall probe structure is preferably as Semiconductor area or the conductor track as a metallization area educated.
Eine weitere Leiterbahn kann in unmittelbarer Nähe der Hall-Sonden-Struktur angeordnet sein, wobei der in der weiteren Leiterbahn ebenfalls der zu messende Strom fließt, jedoch in entgegengesetzter Richtung. Auf diese Weise kann das Magnetfeld, dass durch den zu messenden Strom bewirkt wird, in definierter Weise erhöht werden, so dass die dadurch bewirkte Hall-Spannung größer ist und weniger störempfindlich bezüglich Fremdmagnetfelder ist, als bei Messung des Magnetfeldes von nur einer Leiterbahn.Another conductor track can be in the immediate vicinity Near the Hall probes structure be arranged, which also in the further conductor track the current to be measured flows however in the opposite direction. In this way, the magnetic field that is caused by the current to be measured, in a defined manner elevated become so that the Hall voltage caused thereby is greater and less sensitive to interference in terms of External magnetic fields is less than when measuring the magnetic field a trace.
Weiterhin kann vorgesehen sein, dass der definierte Messstrom von einer steuerbaren Stromquelle geliefert wird, die mit der Testschaltung verbunden ist. Die Testschaltung misst eine erste Hall-Spannung bei einem ersten angelegten definierten Messstrom und eine zweite Hall-Spannung bei einem zweiten definierten Messstrom, wobei der erste und der zweite definierte Messstrom die gleiche Stromstärke und verschiedene Vorzeichen aufweisen. Der zu messende Strom durch die Leiterbahn hängt dann von der Differenz zwischen der ersten und der zweiten Hall-Spannung ab. Dadurch wird die nutzbare Signal stärke verdoppelt und der störende Effekt von Offsetfehlern in den Verstärkerstufen eliminiert.It can also be provided that the defined measuring current is supplied by a controllable current source that is connected to the test circuit. The test circuit measures a first Hall voltage when a first defined one is applied Measuring current and a second Hall voltage at a second defined Measuring current, the first and the second defined measuring current same current and have different signs. The current to be measured by the track is hanging then the difference between the first and the second Hall voltage from. This doubles the usable signal strength and the disruptive effect of offset errors in the amplifier stages eliminated.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Messen eines Stromes in einem Schaltkreis einer integrierten Schaltung vorgesehen. Der zu messende Strom wird in eine Leiterbahn eingeprägt, wobei eine Hall-Sonden-Struktur in unmittelbarer Nähe der Leiterbahn angeordnet ist und mit einem definierten Messstrom durchflossen wird. Abhängig von einem durch den in der Leiterbahn fließenden Strom gebildeten Magnetfeld wird eine Hall-Spannung an der Hall-Sonden-Struktur gemessen, wobei der zu messende Strom abhängig von der Hall-Spannung bestimmt wird.According to another aspect of The present invention is a method of measuring a current provided in a circuit of an integrated circuit. The Current to be measured is impressed on a conductor track, whereby a Hall probe structure close the conductor track is arranged and flowed through with a defined measuring current becomes. Dependent from a magnetic field formed by the current flowing in the conductor track a Hall voltage is measured on the Hall probe structure, where the current to be measured depends is determined by the Hall voltage.
Das Verfahren hat den Vorteil, dass durch die Messung der Hall-Spannung an der Hall-Sonden-Struktur ein von dem fließenden Strom abhängiger Spannungswert gemessen werden kann, so dass der fließende Strom aus der gemessenen Hall-Spannung ermittelt werden kann. Dies dient dazu, festzustellen, ob der fließende Strom zu groß oder zu gering ist, wobei auf einen Fehler geschlossen werden kann, wenn sich der Wert des Stromes nicht in einem Sollbereich befindet.The process has the advantage that by measuring the Hall voltage on the Hall probe structure one of the flowing Electricity dependent Voltage value can be measured so that the flowing current can be determined from the measured Hall voltage. This serves to determine if the flowing current is too large or too is low, an error can be concluded if the value of the current is not in a target range.
Vorzugsweise sind in unmittelbarer Nähe der Leiterbahn zwei Hall-Sonden-Strukturen mit gleichem Abstand zu der Leiterbahn so angeordnet, dass ein durch den zu messenden Strom gebildetes Magnetfeld die Hall-Sonden-Strukturen in unterschiedlicher Richtung durchdringt. Die resultierenden Hall-Spannungen werden gemessen und addiert, wobei der zu messende Strom aus der addierten Hall-Spannungen bestimmt wird.Preferably in immediate Near the conductor track two Hall probe structures at the same distance from the conductor track arranged so that a magnetic field formed by the current to be measured penetrates the Hall probe structures in different directions. The resulting Hall voltages are measured and added, whereby the current to be measured is determined from the added Hall voltages becomes.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Preferred embodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the accompanying drawings. It demonstrate:
In
Der erste Leiterbahnabschnitt
Die Messstruktur ist in einen Strompfad eines Schaltkreise (nicht gezeigt) der integrierten Schaltung eingesetzt, so dass der Versorgungsstrom über den ersten Anschluss A zu dem zweiten Anschluss B und anschließend durch den Schaltkreis, dessen Stromaufnahme gemessen werden soll, zu einem Massepotential fließt. Bei einem Betrieb des Schaltkreise der integrierten Schaltung fließt also zu jeder Zeit der Versorgungsstrom durch die Messstruktur.The measurement structure is in a current path a circuit (not shown) of the integrated circuit, so the supply current is over the first connection A to the second connection B and then through the circuit whose current consumption is to be measured into one Ground potential flows. When the circuit of the integrated circuit is in operation, it flows the supply current through the measuring structure at all times.
Der erste und der zweite Leiterbahnabschnitt
Die Hall-Sonden-Struktur wird vorzugsweise als dotierter Halbleiterbereich ausgebildet, die einen Schichtwiderstand von etwa 2000 Ω/⧠ und eine Beweglichkeit von Ladungsträgern von etwa 103 cm2/Vs aufweist. Auch andere Werte für den Schichtwiderstand und die Ladungsträgerbeweglichkeit sind denkbar.The Hall probe structure is preferably designed as a doped semiconductor region which has a sheet resistance of approximately 2000 Ω / / and a mobility of charge carriers of approximately 10 3 cm 2 / Vs. Other values for the sheet resistance and the mobility of the charge carriers are also conceivable.
In
Bei einem Schichtwiderstand einer
p–-dotierten
Schicht von etwa 2000 Ω/⧠ und
einer Beweglichkeit von etwa 103 cm2/Vs
ergibt sich die zweidimensionale Trägerdichte n2 mit
3 × 1012 cm2. Die Größenordnung
impliziert bei einem Längen-
zu Breitenverhältnis
von etwa 1,25 (z. B. bei 0,5 μm
Breite und 0,625 μm
Länge der
Diffusionsregion für
die Hall-Sonden-Struktur)
und bei einer an die Hall-Sonden-Struktur
Ein zu messender Strom I1 von 100 mA liefert eine Spannung von 6 mV. Die gemessene Hall-Spannung UH muss daher verstärkt an einen Ausgang der integrierten Schaltung übertragen werden. Ein höherer Messstrom könnte zwar eine höhere Hall-Spannung bewirken, jedoch müsste dafür bei konstanter externer Messspannung der Widerstand der Hall-Sonden-Struktur verkleinert werden. Dies würde eine Erhöhung der Trägerdichte n2 bedeuten. Die Trägerdichte n2 steht aber in der Formel für die Hall-Spannung UH in Nenner, so dass die Erhöhung des Messstromes über die Erhöhung der Trägerdichte sich in der Hall-Spannung UH insgesamt kompensiert.A current I 1 to be measured of 100 mA supplies a voltage of 6 mV. The measured Hall voltage U H must therefore be increasingly transmitted to an output of the integrated circuit. A higher measuring current could cause a higher Hall voltage, but the resistance of the Hall probe structure would have to be reduced if the external measuring voltage was constant. This would mean an increase in the carrier density n 2 . In the formula, however, the carrier density n 2 stands for the Hall voltage U H in denominator, so that the increase in the measuring current is compensated for in the Hall voltage U H as a whole by increasing the carrier density.
Eine Erhöhung der Messempfindlichkeit kann erreicht werden, indem man den Messstrom I2 nacheinander in unterschiedlicher Richtung fließen lässt. Die resultierenden Hall-Spannungen für beide Stromrichtungen werden dann voneinander subtrahiert. Dies wird mit Hilfe einer Testschaltung durchgeführt, die mit einem steuerbaren Stromgenerator verbunden ist, so dass der Messstrom I2 in unterschiedliche Richtung durch die Hall-Sonden-Struktur geleitet werden kann. Durch diese Art der Messung kann die nutzbare Signalstärke verdoppelt werden und den störenden Effekt von Offsetfehlern in den Verstärkerstufen eliminiert werden.An increase in measuring sensitivity can be achieved by allowing the measuring current I 2 to flow in different directions one after the other. The resulting Hall voltages for both current directions are then subtracted from each other. This is carried out with the aid of a test circuit which is connected to a controllable current generator, so that the measuring current I 2 can be passed through the Hall probe structure in different directions. With this type of measurement, the usable signal strength can be doubled and the disturbing effect of offset errors in the amplifier stages can be eliminated.
Durch die Leiterbahnabschnitte
Als Näherung kann angenommen werden, dass
der Anteil des Magnetfeldes sich im Wesentlichen auf tangentialen
und radialen Anteil für
jeden Leiterbahnabschnitt 1, 2 im Wesentlichen gleich verteilt.
Dies ist bei einem Winkel von 45° des
Magnetfeldvektors durch die Hall-Sonden-Struktur
Eingesetzt in die Formel für die Hall-Spannung UH ergibt sich somit: When used in the formula for the Hall voltage U H, the result is:
Die Anordnung kann weiter optimiert
werden, indem der Abstand zwischen dem Leiterbahnabschnitt und der
Hall-Sonden-Struktur weiter verkleinert wird und auf die Hall-Sonden-Struktur
eine größere senkrechte
Magnetfeldkomponente wirkt. In
Wie in
In dem in
Um den Abstand zwischen den Leiterbahnstrukturen und der Hall-Sonden-Struktur weiter zu verringern, können auch die Leiterbahnabschnitte verkleinert werden. Dabei ist darauf zu achten, dass die maximale Stromtragfähigkeit der Leiterbahnabschnitte nicht überschritten wird. Beispielsweise ist daher vorstellbar, dass anstatt die Leiterbahnstrukturen in einer Metallisierungs- oder Polysiliziumebene auszuführen, diese auch in Form von Carbon-Nano-Tubes ausgeführt werden, die eine hohe Stromtragfähigkeit aufweisen und einen geringen Durchmesser. Dies ermöglicht es, den Abstand zwischen den Leiterbahnabschnitten und der Hall-Sonden-Struktur weiter zu verringern, so dass eine weitaus höhere Empfindlichkeit erreicht werden kann.The distance between the conductor track structures and to further reduce the Hall probe structure, too the conductor track sections are reduced. It is towards make sure that the maximum current carrying capacity of the conductor track sections not exceeded becomes. For example, it is therefore conceivable that instead of the conductor track structures to perform in a metallization or polysilicon level, this can also be executed in the form of carbon nano tubes, which have a high current carrying capacity have and a small diameter. This enables the distance between the conductor track sections and the Hall probe structure further decrease so that a much higher sensitivity is achieved can be.
In
Eine solche Schaltung ist sinnvoll,
um Störeinflüsse, die üblicherweise
in zeitlich veränderlichen
Magnetfeldern auftreten, auf die durch den zu messenden Strom bewirkte
Hall-Spannung UH zu vermeiden. Zeitlich veränderliche
Magnetfelder können
beispielsweise durch schaltkreisinterne Ströme von Signalen in der Nähe der Messstruktur
erzeugt werden. Ein in der
Eine Feldbündelung durch ferromagnetische Materialien, die über den Messstrukturen angeordnet sind, könnte den Anteil der senkrecht auf die Hall-Struktur treffenden Feldlinien des Magnetfeldes und damit das Verhältnis der Hall-Spannung UH (t) zum zu messenden Strom I1 (t) deutlich erhöhen.A field bundling by ferromagnetic materials, which are arranged above the measuring structures, could clearly show the proportion of the field lines of the magnetic field perpendicular to the Hall structure and thus the ratio of the Hall voltage U H (t) to the current I 1 (t) to be measured increase.
In
In
Von der Messstruktur
Zum Einen ist es möglich, dass
die Testschaltung
Zum Anderen ist es möglich, dass
ein Vergleich der gemessenen Hall-Spannung mit einer Referenzspannung
bereits intern in der integrierten Schaltung stattfindet, wobei
ein Fehlersignal an dem externen Anschluss
- 11
- erster Leiterbahnabschnittfirst Trace section
- 22
- zweiter Leiterbahnabschnittsecond Trace section
- 33
- Verbindungsleitungconnecting line
- 44
- Hall-Sonden-StrukturHall probes structure
- 55
- Hall-Sonden-AnschlüsseHall probes connections
- 1010
- Metallisierungsschichtmetallization
- 1111
- Isolationsschichtinsulation layer
- 1212
- Polysiliziumschichtpolysilicon layer
- 1313
- HalbleiterschichtSemiconductor layer
- 1414
- weitere IsolationsschichtFurther insulation layer
- 1515
- HalbleiterbereichSemiconductor region
- 20, 2120 21
- Hall-Sonden-StrukturHall probes structure
- 2222
- LeiterbahnabschnittTrace section
- 2323
- Schaltkreiscircuit
- 3030
- Messstrukturmeasurement structure
- 3131
- Schaltkreiscircuit
- 3232
- Stromquellepower source
- 3333
- Hall-Sonden-AnschlüsseHall probes connections
- 3434
- externer Anschlussexternal connection
- 3535
- Testschaltungtest circuit
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003123379 DE10323379A1 (en) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | Integrated circuit has Hall probe structure arranged close to conducting track so Hall voltage dependent on measurement voltage can be measured depending on magnetic field caused by track current |
Applications Claiming Priority (1)
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DE2003123379 DE10323379A1 (en) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | Integrated circuit has Hall probe structure arranged close to conducting track so Hall voltage dependent on measurement voltage can be measured depending on magnetic field caused by track current |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE10323379A1 true DE10323379A1 (en) | 2004-06-24 |
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DE2003123379 Withdrawn DE10323379A1 (en) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | Integrated circuit has Hall probe structure arranged close to conducting track so Hall voltage dependent on measurement voltage can be measured depending on magnetic field caused by track current |
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---|---|
DE (1) | DE10323379A1 (en) |
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- 2003-05-23 DE DE2003123379 patent/DE10323379A1/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |