DE10258475B4 - Optical semiconductor amplifier - Google Patents
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Abstract
Optischer Halbleiterverstärker (10) zum Verstärken eines optischen Eingangssignals (Pin) mit einem auf einem Halbleitersubstrat (100) angeordneten optischen Verstärkungsbereich (20) und einem Pumplaser (60) zum Erzeugen einer optischen Pumpwelle für den optischen Verstärkungsbereich (20), wobei der Pumplaser (60) und der Verstärkungsbereich (20) derart auf dem Halbleitersubstrat (100) angeordnet sind, dass sich die Pumpwelle (80) parallel zur Substratoberfläche ausbreitet und in den Verstärkungsbereich (20) einstahlt, dadurch gekennzeichnet, dass der Pumplaser (60) den Verstärkungsbereich (20) kreuzt und zwischen dem Verstärkungsbereich (20) und dem Pumplaser (60) jeweils Isolationsgräben (340, 350) vorhanden sind, die den Verstärkungsbereich (20) von dem Pumplaser (60) elektrisch trennen.optical Semiconductor amplifier (10) for amplifying an optical input signal (pin) with a on a semiconductor substrate (100) arranged optical amplification area (20) and a Pumplaser (60) for generating an optical pumping shaft for the optical gain range (20), wherein the pump laser (60) and the gain region (20) are so on the semiconductor substrate (100) are arranged, that the pump shaft (80) parallel to the substrate surface spreads and into the reinforcement area (20), characterized in that the pump laser (60) the reinforcement area (20) and between the reinforcement region (20) and the Pumplaser (60) each isolation trenches (340, 350) are present, the reinforcement area (20) electrically separate from the pumping laser (60).
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen optischen Halbleiterverstärker mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The The invention relates to a semiconductor optical amplifier the features according to the preamble of claim 1
Die Verstärkung in optischen Halbleiterverstärkern, auch semiconductor optical amplifier (SOA) genannt, ist abhängig von der optischen Leistungsdichte im Verstärkungsbereich des Halbleiterverstärkers im Verstärkungsbetrieb. Die Abhängigkeit der Verstärkung von der optischen Leistungsdichte wird verursacht durch im Wesentlichen zwei Prozesse: Zum einen gibt es eine nichtlineare Unterdrückung der Verstärkung, deren Zeitkonstante im Bereich von ca. 10 Femtosekunden liegt. Darüber hinaus gibt es einen demgegenüber langsameren Prozess, der die Ladungsträgerdichte im Verstärkungsbereich verändert und wesentlich durch strahlende und nichtstrahlende Rekombination, insbesondere Auger-Rekombination, und Diffusion von Ladungsträgern bestimmt ist. Die Zeitkonstante der strahlenden und nichtsstrahlenden Rekombinationsprozesse und die des Diffusionsprozesses liegen in der Größenordnung von einigen Nanosekunden.The reinforcement in semiconductor optical amplifiers, also called semiconductor optical amplifier (SOA), is dependent on the optical power density in the gain region of the semiconductor amplifier in Boost operation. The dependence the reinforcement from the optical power density is caused by substantially two processes: First, there is a nonlinear suppression of gain whose time constant is in the range of about 10 femtoseconds. Furthermore there is one opposite slower process, which is the charge carrier density in the gain region changed and essentially by radiative and non-radiative recombination, in particular Auger recombination, and diffusion of charge carriers is determined. The time constant of radiative and non-radiative recombination processes and those of the diffusion process are on the order of a few nanoseconds.
Die physikalischen Vorgänge in Halbleiterverstärkern sind in der Druckschrift „The Gain Decompression Effect and its Application to Very Fast Wavelength Conversions" (J. H. Chen et al., IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 9, No. 6, June 1997, pp. 755 – 757) erläutert. Demgemäß reduziert sich mit zunehmender Leistungsdichte im Halbleiterverstärker die optische Verstärkung, weil die zur Verstärkung verfügbaren angeregten Ladungsträger durch Rekombination schneller abnehmen, als sie durch Strominjektion nachgeliefert werden. Somit entstehen bei der Verstärkung von optischen Signalen besonders mit sehr hohen Datenraten im Bereich von 10 Gbit/s und mehr sogenannte Bit-pattern-Effekte. Diese Bit-pattern-Effekte bewirken, dass der Kontrast – also das Ein-/Aus-Verhältnis – der digitalen Signale nicht zeitlich konstant ist, sondern von der jeweils zuletzt verstärkten Bit-Folge des optischen Signals abhängt. Dadurch kann die Übertragungsqualität deutlich abnehmen und sich die Bit-Fehlerrate erhöhen. Unter Umständen können Bit-Fehlerraten (BER – bit error rate) von 10–9 nicht mehr eingehalten werden. Es ist deshalb erforderlich, mit einem optischen Halbleiterverstärker zu arbeiten, der im Betriebsbereich eine von der optischen Leistungsdichte weitgehend unabhängige und zeitlich konstante optische Verstärkung zur Verfügung stellt.The physical processes in semiconductor amplifiers are described in the publication "The Gain Decompression Effect and Its Application to Very Fast Wavelength Conversions" (JH Chen et al., IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 9, No. 6, June 1997, pp. 755-). Accordingly, as the power density in the semiconductor amplifier increases, the optical gain decreases because the excited carriers available for amplification decrease faster by recombination than they are replenished by current injection, thus resulting in the amplification of optical signals, especially at very high data rates in the range of 10 Gbit / s and more so-called bit-pattern effects. These bit-pattern effects cause the contrast - ie the on / off ratio - of the digital signals is not constant over time, but of the last bit amplified Depending on the optical signal, the transmission quality can be significantly reduced and sic h increase the bit error rate. Under certain circumstances, bit error rates (BER) of 10 -9 can no longer be maintained. It is therefore necessary to work with a semiconductor optical amplifier, which provides a largely independent of the optical power density and temporally constant optical gain in the operating range.
Bisher
wurden zur Stabilisierung der optischen Verstärkung in Halbleiterverstärkern verschiedene
Methoden verwendet:
Eine dieser Methoden besteht darin, optische
Pumpenergie eines separaten Pumplasers bereitzustellen und diese
in Ausbreitungsrichtung des zu verstärkenden optischen Eingangssignals
und/oder in Gegenrichtung zu dem zu verstärkenden optischen Eingangssignal über eine
optische Faser und zugeordnete Koppler in den Verstärkungsbereich
einzukoppeln. Diese Methode ist in der Druckschrift „Improvement
of Cascaded Semiconductor Optical Amplifier Gates by Using Holding
Light Injection" (Jianjun
Yu and Palle Jeppesen, IEEE Journ. Lightwave Technol., Vol. 19 No.
3, May 2001, pp. 614 – 623)
dargelegt.So far, various methods have been used to stabilize the optical gain in semiconductor amplifiers:
One of these methods is to provide pumping optical energy of a separate pump laser and to couple them in the direction of propagation of the optical input signal to be amplified and / or in the opposite direction to the optical input signal to be amplified via an optical fiber and associated couplers in the gain range. This method is described in the document "Improvement of Cascaded Semiconductor Optical Amplifier Gates by Using Lightning Injection" (Jianjun Yu and Palle Jeppesen, IEEE Journal Lightwave Technol., Vol. 19 No. 3, May 2001, pp. 614-623). explained.
Eine weitere vorbekannte Methode besteht darin, die aktive Halbleiterschicht des optischen Halbleiterverstärkers gleichzeitig für den Betrieb eines VCSEL-Lasers (VCSEL: vertical cavity surface emitting laser) zu benutzen. Die optische Ausgangsleistung des VCSEL-Lasers wird dabei – wie auch sonst bei VCSEL-Lasern üblich – in bezogen auf die Substratoberfläche des Halbleitersubstrats vertikaler Richtung abgestrahlt. Das Licht des VCSEL-Lasers dringt in den „über" dem VCSEL-Laser angeordneten Verstärkungsbereich des Halbleiterverstärkers ein und wirkt dort als optische Pumpleistung. Ein optischer Halbleiterverstärker mit einem integrierten VCSEL-Pumplaser wird unter dem Produktnamen LOA (LOA: linear optical amplifier) von der Firma Genoa vertrieben.A Another previously known method is the active semiconductor layer of the semiconductor optical amplifier at the same time for the operation of a VCSEL laser (VCSEL: vertical cavity surface emitting laser) to use. The optical output power of the VCSEL laser will be there - like also usual with VCSEL lasers - in relation to on the substrate surface of the semiconductor substrate is emitted in the vertical direction. The light of the VCSEL laser penetrates into the "over" the VCSEL laser arranged gain region of the Semiconductor amplifier and acts there as an optical pump power. An optical semiconductor amplifier with An integrated VCSEL pump laser is named under the product name LOA (LOA: linear optical amplifier) sold by the company Genoa.
Aus
der
Aus
der
Aus
der
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen für hohe Datenraten geeigneten optischen Halbleiterverstärker anzugeben, der sich besonders einfach und damit kostengünstig fertigen lässt.Of the The invention is based on the object, one for high data rates specify suitable semiconductor optical amplifier, which is particularly simple and therefore cost-effective finished.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 vorgesehen. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen optischen Halbleiterverstärkers sind in Unteransprüchen angegeben.to solution This object is the characterizing features of claim 1 intended. Advantageous embodiments of the optical according to the invention Semiconductor amplifier are in dependent claims specified.
Danach ist vorgesehen, dass der Pumplaser und der Verstärkungsbereich auf dem Halbleitersubstrat derart angeordnet sind, dass sich die Pumpwelle parallel zur Substratoberfläche ausbreitet und in den Verstärkungsbereich einstrahlt. Der Pumplaser kreuzt den Verstärkungsbereich und zwischen dem Verstärkungsbereich und dem Pumplaser sind jeweils Isolationsgräben vorhanden, die den Verstärkungsbereich von dem Pumplaser elektrisch trennen.Thereafter, it is provided that the pump laser and the gain region on the Halbleitersub strat are arranged such that the pump shaft propagates parallel to the substrate surface and radiates into the gain region. The pump laser crosses the gain region and between the gain region and the pump laser isolation trenches are present, which electrically separate the gain region of the pump laser.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen optischen Halbleiterverstärkers ist darin zu sehen, dass der Pumplaser und der Verstärkungsbereich nebeneinander auf dem Halbleitersubstrat, also nicht „übereinander", angeordnet sind, wie dies bei dem zweiten der eingangs erläuterten vorbekannten Halbleiterverstärker mit vertikaler VCSEL-Struktur der Fall ist. Somit können der Pumpstrom für den Pumplaser und der Injektionsstrom für den Verstärkungsbereich separat voneinander eingestellt werden, so dass die optische Verstärkung des Verstärkungsbereichs und die optische Pumpenergie des Pumplasers separat kontrolliert und gesteuert werden können.One essential advantage of the optical semiconductor amplifier according to the invention to see that the pump laser and the gain area next to each other on the semiconductor substrate, so not "stacked", are arranged as in the second of the above-explained previously known semiconductor amplifier with vertical VCSEL structure of Case is. Thus, you can the pumping current for the pump laser and the injection current for the amplification area separately from each other can be adjusted so that the optical gain of the gain range and separately controls the optical pump energy of the pump laser and can be controlled.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Halbleiterverstärkers ist darin zu sehen, dass sich dieser sehr einfach fertigen lässt, weil der Pumplaser und der Verstärkungsbereich auf ein und demselben Halbleiter-Substrat integriert sind. Zusätzliche separate Anschlusskomponenten zwischen dem Pumplaser und dem Verstärkungsbereich, wie beispielsweise separate optische Koppler usw., sind bei dem erfindungsgemäßen optischen Halbleiterverstärker – im Gegensatz beispielsweise zu dem ersten der eingangs erläuterten vorbekannten Halbleiterverstärker mit separatem Pumplaser – nicht erforderlich.One Another significant advantage of the semiconductor amplifier according to the invention is to see that this is very easy to manufacture, because of Pump laser and gain area integrated on one and the same semiconductor substrate. additional separate connection components between the pump laser and the gain region, such as separate optical couplers, etc., are in the inventive semiconductor optical amplifier - in contrast For example, to the first of the above-known prior art semiconductor amplifier with separate pump laser - not required.
Besonders platzsparend und damit vorteilhaft lässt sich der Halbleiterverstärker gestalten, wenn der Verstärkungsbereich und der Pumplaser derart nebeneinander auf dem Halbleitersubstrat angeordnet sind, dass die Pumpwelle unmittelbar in den Verstärkungsbereich einstrahlt.Especially space-saving and thus advantageous can be designed the semiconductor amplifier, if the reinforcement area and the pump laser side by side on the semiconductor substrate are arranged so that the pump shaft directly into the gain region irradiates.
Die Einstrahlung der Pumpwelle des Pumplasers in den Verstärkungsbereich sollte dabei unter einem vorgegebenen Winkel zur Ausbreitungsrichtung des optischen Eingangssignals im Verstärkungsbereich erfolgen; dabei ist aus Gründen der Platzersparnis ein vorgegebener Winkel im Bereich zwischen 30° und 90° zur Ausbreitungsrichtung, insbesondere vorzugsweise von ca. 90° zur Ausbreitungsrichtung, empfehlenswert. Insbesondere bei einem ungefähr senkrechten bzw. vorzugsweise senkrechten Winkel zwischen der Ausbreitungsrichtung des zu verstärkenden optischen Signals und dem Pumplicht wird eine besonders hohe Effizienz beim Pumpen bei gleichzeitig hoher Platzersparnis erreicht.The Irradiation of the pump shaft of the pump laser in the gain range should be at a given angle to the propagation direction the optical input signal in the gain range; there is for reasons the space savings a predetermined angle in the range between 30 ° and 90 ° to the propagation direction, in particular preferably of about 90 ° to the propagation direction, recommended. Especially at about vertical or preferably perpendicular angle between the propagation direction of to be reinforced optical signal and the pump light is a particularly high efficiency while pumping achieved at the same time high space savings.
Anstelle einer unmittelbaren Einkopplung der Pumpwelle vom Pumplaser in den Verstärkungsbereich kann die Einkopplung der Pumpwelle auch mittelbar erfolgen; es wird daher als vorteilhaft angesehen, wenn der Verstärkungsbereich und der Pumplaser über zumindest einen Wellenleiter verbunden sind, der auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist.Instead of an immediate coupling of the pump shaft from the pump laser in the gain range the coupling of the pump shaft can also be done indirectly; it will therefore considered advantageous if the gain region and the pump laser over at least a waveguide are connected on the semiconductor substrate is arranged.
Aus Gründen der Platzersparnis auf dem Halbleitersubstrat wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Verstärkungsbereich und der Wellenleiter zum Einstrahlen der Pumpwelle derart zueinander angeordnet sind, dass die Pumpwelle in einem vorgegebenen Winkel zur Ausbreitungsrichtung des optischen Eingangssignals im Verstärkungsbereich einstrahlt. Besonders platzsparend ist die Anordnung dann, wenn der vorgegebene Winkel in einem Bereich zwischen 30° und 90° liegt bzw. vorzugsweise ca. 90° beträgt.Out establish The space savings on the semiconductor substrate, it is advantageous viewed when the gain range and the waveguide arranged to irradiate the pump shaft to each other are that the pump shaft at a predetermined angle to the propagation direction of the optical input signal in the amplification area. Especially space saving is the arrangement then, if the predetermined angle in a range between 30 ° and 90 ° or preferably about 90 °.
Um eine hohe Pumpleistung im Wellenleiterbereich zu erreichen, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der mindestens eine Wellenleiter in einem optischen Resonator integriert ist.Around to achieve a high pumping power in the waveguide area is considered advantageous if the at least one waveguide integrated in an optical resonator.
Um zu erreichen, dass der Einstrahlungsbereich – bzw. der Wirkbereich – der Pumpwelle in dem Verstärkungsbereich möglichst groß ist, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Wellenleiter im Anschlussbereich an den Verstärkungsbereich getapert ist.Around to achieve that the irradiation area - or the effective range - the pump shaft in the reinforcement area preferably is great it is considered advantageous if the waveguide in the connection area to the reinforcement area is tapped.
Im Hinblick auf eine hohe Pumpleistung des Pumplasers wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Endflächen des Pumplasers einen hohen Brechzahlsprung aufweisen, damit die Pumpwelle den Pumpbereich bzw. den Pumplaser möglichst nicht verlassen kann. So wird nämlich die Pumpwelle bei einem hohen Brechzahlsprung an den Endflächen reflektiert.in the With regard to a high pumping power of the pump laser, it is advantageous viewed when the end faces of the pump laser have a high refractive index jump, so that the Pump wave the pumping area or the pump laser as possible can not leave. This is how it is the pump wave reflects at a high refractive index jump at the end surfaces.
Anstelle einer „Verspiegelung" der Endflächen mit Hilfe eines hohen Brechzahlsprunges kann vorteilhaft auch eine „Verspiegelung" durch ein λ/4-Schichtpaket erfolgen, insbesondere durch ein λ/4-Schichtpaket bestehend aus Silizium- und Aluminiumoxydschichten. Eine Verspiegelung ist darüber hinaus vorteilhaft auch durch eine Metallschicht möglich; die Metallschicht sollte vorteilhaft isoliert sein, um Kurzschlüsse zu vermeiden.Instead of a "mirroring" of the end surfaces with The help of a high refractive index jump can advantageously also be a "mirroring" through a λ / 4-layer package take place, in particular by a λ / 4-layer package consisting of silicon and aluminum oxide layers. A mirroring is beyond advantageously also possible by a metal layer; the metal layer should be be advantageously isolated to avoid short circuits.
Besonders einfach und damit kostengünstig lässt sich der Pumplaser realisieren, wenn er eine Fabry-Perot-Struktur aufweist.Especially easy and thus inexpensive can be realize the pump laser, if it has a Fabry-Perot structure.
Soll hingegen die Pumpwelle eine möglichst kleine optische Bandbreite haben, so wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Pumplaser eine DFB-Struktur (DFB: distributed feedback) aufweist.Should however, the pump shaft is as small as possible have optical bandwidth, so it is considered advantageous if the pump laser has a DFB structure (DFB: distributed feedback) having.
Eine besonders kostengünstige Fertigung des optischen Halbleiterverstärkers lässt sich dann erreichen, wenn zumindest eine aktive Schicht des Verstärkungsbereichs zumindest auch eine aktive Schicht des Pumplasers bildet. Bei einer solchen Ausgestaltung des optischen Halbleiterverstärkers lässt sich nämlich die Anzahl der auf dem Halbleitersubstrat abzuscheidenden Schichten reduzieren bzw. minimieren, weil nämlich zumindest eine abgeschiedene Schicht gleichzeitig für den Verstärkungsbereich und auch für den Pumplaser Verwendung findet.A particularly cost-effective Fabrication of the semiconductor optical amplifier can then be achieved if at least one active layer of the gain region at least also forms an active layer of the pump laser. In such an embodiment of the semiconductor optical amplifier can be namely the number of layers to be deposited on the semiconductor substrate reduce or minimize, because at least one separated Layer at the same time for the reinforcement area and also for the pump laser is used.
Im Hinblick auf möglichst geringe Injektionsströme für den Verstärkungsbereich bzw. im Hinblick auf möglichst geringe Pumpströme für den Pumplaser wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Verstärkungsbereich und/oder der Pumplaser Quantum Well(QW)- und/oder Quantum Dot(QD)-Schichten aufweist. Quantum Well- und Quantum Dot-Schichten rufen aufgrund der durch sie bewirkten Ladungsträgerbündelung eine besonders hohe Ladungsträgerdichte in der aktiven Schicht des Pumplasers bzw. des Verstärkungsbereichs hervor, wodurch eine besonders hohe Effizienz des Pumplasers bzw. des Verstärkungsbereichs erreicht wird.in the Regard as possible low injection currents for the gain range or as far as possible low pumping currents for the Pump laser, it is considered advantageous if the gain range and / or the pump laser has quantum well (QW) and / or quantum dot (QD) layers. Quantum well and quantum dot layers call due to the they caused charge carrier bundling a particularly high charge carrier density in the active layer of the pump laser or the amplification area resulting in a particularly high efficiency of the pump laser or of the amplification area is reached.
Um zu ermöglichen, dass die abgeschiedenen aktiven Schichten auch für andere Komponenten als den Verstärkungsbereich und den Pumplaser Verwendung finden können, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Verstärkungsbereich und/oder der Pumplaser zwei oder mehrere Quantum Well- und/oder Quantum Dot-Schichttypen aufweist. So lassen sich dann beispielsweise Komponenten wie Elektroabsorbtionsmodulatoren oder Fotodioden auf dem Substrat integrieren, die auf die aktiven Schichten des Pumplasers bzw. des Verstärkungsbereichs zurückgreifen können.Around to enable that the deposited active layers also for other components than the gain range and the pump laser can be used, it will be beneficial viewed when the gain range and / or the pump laser two or more quantum Well and / or Quantum dot layer types has. So then, for example Components such as electroabsorption modulators or photodiodes on the Integrate substrate on the active layers of the pump laser or the gain range fall back can.
Im Übrigen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Pumpenergie des Pumplasers so eingestellt ist, dass sie der Transparenzenergie des Verstärkungsbereichs entspricht. Bei einer solchen Pumpenergie wird nämlich eine möglichst schnelle „Erholung" der optischen Verstärkung im Verstärkungsbereich des Verstärkungsbereichs erreicht.Incidentally, will considered beneficial when the pumping energy of the pump laser is set to match the transparency energy of the gain region equivalent. With such a pumping energy is in fact as possible fast "recovery" of optical amplification in the gain range of the amplification area reached.
Insbesondere bei hohen optischen Ausgangsleistungen des optischen Halbleiterverstärkers wird es als vorteilhaft angesehen, wenn mehrere Pumplaser senkrecht zur Ausbreitungsrichtung des optischen Eingangssignals im Verstärkungsbereich angeordnet sind.Especially at high optical output powers of the semiconductor optical amplifier considered it advantageous if several pump lasers perpendicular to Propagation direction of the optical input signal arranged in the gain region are.
Zur Erläuterung der Erfindung zeigen:to explanation of the invention show:
In den Figuren werden für identische oder vergleichbare bzw. ähnliche Komponenten zum besseren Verständnis identische Bezugszeichen verwendet.In the figures are for identical or comparable or similar components for the better understanding identical reference numerals used.
Die
Man
erkennt in den
In
einem vorgegebenen Winkel α,
der vorzugsweise 90° beträgt, ist
relativ zu dem Verstärkungsbereich
Der
Pumplaser
Bei
dem Pumplaser
Das Zeichen „⨂" deutet in den Figuren im Übrigen an, das die Ausbreitungsrichtung des Lichts senkrecht in die Zeichnungsebene hineinzeigt; ein Kreis mit einem Punkt im Kreismittelpunkt gibt an, dass die Ausbreitungsrichtung senkrecht zur Zeichnungsebene liegt und aus dieser herauszeigt.The Sign "⨂" indicates in the figures Furthermore indicating the direction of propagation of light perpendicular to the plane of the drawing into shows; there is a circle with a point in the center of the circle indicates that the propagation direction is perpendicular to the plane of the drawing lies and points out of this.
Die
Auf
dem MQW-Schichtpaket
Der
optische Halbleiterverstärker
Eine
unstrukturierte Deckschicht
An
der Bodenfläche
des Halbleitersubstrats
Die
Ausbreitungsrichtung
Die
Breite b des Verstärkungsbereichs
Die Länge L2 des Verstärkungsbereichs liegt vorzugsweise in einem Bereich zwischen 50 und 1000 μm.The Length L2 of the amplification area is preferably in a range between 50 and 1000 microns.
Die
Im
Unterschied zu dem Halbleiterverstärker gemäß den
Im Übrigen entspricht
der Aufbau des optischen Halbleiterverstärkers gemäß der
Die
In
der
In
der
In
der
Aufgrund
der Auftaperung wird ein größerer Überlappungsbereich
Die
Breite der getaperten Wellenleiter beträgt im Bereich des Anschlusses
In
der
In
der
In
der
Die
maximale optische Verstärkung
wird bei dem Diagramm gemäß der
- 1010
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 2020
- Verstärkungsbereichgain range
- 3030
- Einkoppelstellecoupling point
- 4040
- Auskoppelstelledecoupling point
- 5050
- Ausbreitungsrichtungpropagation direction
- 6060
- Pumplaserpump laser
- 7070
- Überlappungsbereichoverlap area
- 8080
- Ausbreitungsrichtung der Pumpwellepropagation direction the pump shaft
- 9090
- Reflektionsschichtreflective layer
- 100100
- HalbleitersubstratSemiconductor substrate
- 110110
- Pufferschichtbuffer layer
- 120120
- MQW-SchichtpaketMQW layer packet
- 130130
- MQD-SchichtpaketMQD layer packet
- 140140
- unstrukturierte Deckschichtunstructured topcoat
- 150150
- strukturierte Deckschichtstructured topcoat
- 160160
- Metallisierungsschichtmetallization
- 170170
- Kontakte für den Pumplasercontacts for the pump laser
- 180180
- Kontakt für den VerstärkungsbereichContact for the gain range
- 190190
- Massekontaktmass contact
- 300300
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 320, 330320 330
- Bragg-GitterBragg grating
- 340, 350340 350
- Isolationsgräbenisolation trenches
- 400400
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 410410
- integrierte Gitterstrukturintegrated lattice structure
- 500500
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 510, 520510 520
- Stirnflächenfaces
- 530, 540530 540
- weitere PumplaserFurther pump laser
- 550550
- Gittergrid
- 600600
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 610, 620, 630610 620, 630
- Pumplaserpump laser
- 610', 610''610 ', 610' '
- Pumpzonenpump zones
- 620', 620''620 ', 620' '
- Pumpzonenpump zones
- 630', 630''630 ', 630' '
- Pumpzonenpump zones
- 640, 650640, 650
- getaperte Wellenleitergetaperte waveguides
- 660, 670660 670
- Anschlussbereiche an Wellenleiterlands to waveguides
- 680, 690680, 690
- Anschlussbereiche an Pumplaserlands at pump laser
- 700700
- HalbleiterverstärkerSemiconductor amplifier
- 710, 720, 730710 720, 730
- Verstärkersektionenamplifier sections
- 740740
- Pumplaserpump laser
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