DE10253250A1 - Automatic precision alignment method for a semiconductor wafer cutting device in which the wafer is aligned with a virtual line through its center, determined using a key pattern, parallel to the wafer cutting direction - Google Patents

Automatic precision alignment method for a semiconductor wafer cutting device in which the wafer is aligned with a virtual line through its center, determined using a key pattern, parallel to the wafer cutting direction Download PDF

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Abstract

Automatic precision alignment method for a semiconductor cutting device has the following steps: mounting of a wafer (101) on a platform (1) and movement of the platform and camera unit (3) to a start position; balancing of the electric output of the camera with a key pattern; calculation of a separation value; determination of whether the separation value agrees with a key pattern measurement and; if there is agreement rotation of the platform so that a virtual line through its mid-point coordinates is parallel to a wafer cutting direction (x, y).

Description

Die Erfindung betrifft ein Ausrichtungsverfahren für eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung, und insbesondere ein automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren, das durch eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung zum Anordnen eines Halbleiterwafers an einer erforderlichen Position auszuführen ist.The invention relates to an alignment method for one Semiconductor wafer cutting device, and especially an automatic one Nudge procedures by a semiconductor wafer cutting device for arranging a Semiconductor wafers to be executed at a required position.

Bei einer herkömmlichen Halbleiterwaferschneidevorrichtung wird das Anordnen eines Halbleiterwafers an einer erforderlichen Schneideposition manuell gesteuert. Der manuelle Steuervorgang beinhaltet eine wiederholte abstimmende Einstellung zum präzisen Ausrichten des Halbleiterwafers an einer Schneideeinheit und ist daher lästig und zeitraubend.In a conventional semiconductor wafer cutter arranging a semiconductor wafer on a required one Manually controlled cutting position. The manual control process includes a repeated tuning setting for precise alignment of the semiconductor wafer on one cutting unit and is therefore annoying and time-consuming.

Zur Bewältigung des obengenannten Nachteils wurde vordem im US-Patent 4,757,550 ein automatisches Präzisionsausrichtungssystem vorgeschlagen. In dem vorgeschlagenen System kommen zwei Kameras mit verschiedenen Vergrößerungen zur Aufnahme von Bildern eines Halbleiterwafers zur Anwendung, der automatisch ausgerichtet werden soll. Obwohl durch das vorgeschlagene System tatsächlich der Ausrichtungszeitraum verkürzbar ist, erhöht die Notwendigkeit, zwei Kameras zu installieren, die Einrichtungskosten des vorgeschlagenen Systems.To overcome the above disadvantage previously disclosed an automatic precision alignment system in U.S. Patent 4,757,550 proposed. In the proposed system there are two cameras with different magnifications Taking pictures of a semiconductor wafer for use automatically to be aligned. Although through the proposed system indeed the targeting period can be shortened is increased the need to install two cameras, the set-up cost of the proposed system.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren bereitzustellen, das durch eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung zum Anordnen eines Halbleiterwafers an einer erforderlichen Position ausgeführt wird, und das die Verwendung von lediglich einer einzelnen Kamera zur Erzielung niedrigerer Kosten erfordert.It is therefore the object of the present invention an automatic precision alignment process to provide by a semiconductor wafer cutter for arranging a semiconductor wafer at a required position accomplished the use of a single camera to achieve lower costs.

Gemäß der vorliegenden Erfindung soll ein automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren durch eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung zum Anordnen eines Halbleiterwafers an einer erforderlichen Position ausgeführt werden. Der Halbleiterwafer ist mit einer Anordnung von polygonalen Schaltungsbereichen ausgebildet. Benachbarte polygonale Schaltungsbereiche sind durch geradlinige Schnittbahnen räumlich voneinander getrennt. Die Halbleiterwaferschneidevorrichtung beinhaltet eine Plattform, eine Kameraeinheit, eine Schneideeinheit und eine Verarbeitungseinheit. Die Plattform wird zum Halten des Halbleiterwafers verwendet, ist entlang einer ersten Achse bewegbar und ist um eine zweite Achse drehbar, die schräg zur ersten Achse verläuft. Die Kameraeinheit ist über der Plattform angeordnet, zum Erzeugen einer elektrischen Ausgabe betreibbar, die zumindest einem Teil eines Bildes des Halbleiterwafers auf der Plattform entspricht, und entlang einer dritten Achse bewegbar, die schräg zur ersten und zweiten Achse verläuft. Die Schneideeinheit ist mit der Kameraeinheit entlang der dritten Achse bewegbar und ferner entlang der zweiten Achse bewegbar. Die Verarbeitungseinheit ist elektrisch an die Plattform, die Kameraeinheit und die Schneideeinheit gekoppelt. Die Verarbeitungseinheit empfängt die elektrische Ausgabe der Kameraeinheit und steuert Bewegungen der Plattform, der Kameraeinheit und der Schneideeinheit. Die Verarbeitungseinheit ist mit einer Schlüsselmusterdatenbank konfiguriert, die ein Schlüsselmuster eines polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs mit zumindest einer ersten Abmessung entlang einer ersten Schnittrichtung und einer zweiten Abmessung entlang einer zweiten Schnittrichtung aufweist.According to the present invention is supposed to perform an automatic precision alignment process a semiconductor wafer cutting device for arranging a semiconductor wafer run in a required position. The semiconductor wafer is formed with an arrangement of polygonal circuit areas. Adjacent polygonal circuit areas are indicated by straight lines Cutting paths spatially separated from each other. The semiconductor wafer cutter includes a platform, a camera unit, a cutting unit and one Processing unit. The platform is used to hold the semiconductor wafer used, is movable along a first axis and is about a second axis rotatable, the oblique runs to the first axis. The Camera unit is over the platform is arranged to generate an electrical output operable, the at least part of an image of the semiconductor wafer on the platform, and movable along a third axis, the weird runs to the first and second axes. The cutting unit is with the camera unit is movable along the third axis and further movable along the second axis. The processing unit is electrically coupled to the platform, the camera unit and the cutting unit. The processing unit receives the electrical output of the camera unit and controls movements the platform, the camera unit and the cutting unit. The processing unit is with a key pattern database configured which is a key pattern of a polygonal key circuit area with at least a first dimension along a first cutting direction and a second dimension along a second cutting direction having.

Das automatische Präzisionsausrichtungsverfahren umfasst die Schritte:The automatic precision alignment process includes the steps:

  • (a) Anordnen des Halbleiterwafers auf der Plattform und Versetzen der Verarbeitungseinheit in die Lage zum Bewegen der Plattform und der Kameraeinheit in anfängliche Positionen;(a) placing the semiconductor wafer on the platform and enabling the processing unit to move the Platform and camera unit in initial positions;
  • (b) Versetzen der Verarbeitungseinheit in die Lage zum Abgleichen der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit mit dem Schlüsselmuster, um eine Vielzahl von benachbarten Arbeitsmustern in der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit zu finden und Mittelpunktskoordinaten der Arbeitsmuster aufzuzeichnen;(b) Enable the processing unit to align the electrical output of the camera unit with the key pattern, around a variety of adjacent work patterns in the electrical Output camera unit to find and center coordinates record the work pattern;
  • (c) Versetzen der Verarbeitungseinheit in die Lage zum Errechnen von mindestens einem Entfernungswert, der den Mittelpunktskoordinaten eines entsprechenden benachbarten Paars der Arbeitsmuster zugeordnet ist;(c) Enable the processing unit to calculate of at least one distance value that corresponds to the center point coordinates assigned to a corresponding neighboring pair of the working patterns is;
  • (d) Versetzen der Verarbeitungseinheit in die Lage zum Bestimmen, ob irgendein Entfernungswert, der in Schritt (c) errechnet wurde, mit der ersten oder zweiten Abmessung des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs übereinstimmt; und(d) enabling the processing unit to determine, whether any distance value calculated in step (c) matches the first or second dimension of the polygonal key circuit area; and
  • (e) auf eine Bestimmung hin, dass ein Entfernungswert, der in Schritt (c) errechnet wurde, vorliegt, der mit der ersten oder zweiten Abmessung des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs übereinstimmt, Versetzen der Verarbeitungseinheit in die Lage zum Drehen der Plattform um die zweite Achse, so dass eine imaginäre Linie, die die Mittelpunktskoordinaten miteinander verbindet, welche dem Entfernungswert zugeordnet sind, parallel zu der ersten oder zweiten Schnittrichtung verläuft.(e) upon a determination that a range value that is in Step (c) has been calculated, is that with the first or second Dimension of the polygonal key circuit area matches, Enabling the processing unit to rotate the platform around the second axis so that an imaginary line that represents the center coordinates connects with each other, which are assigned to the distance value, runs parallel to the first or second cutting direction.

Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ersichtlich, wobei:Other features and advantages of present invention will become apparent from the following detailed description of the preferred embodiments below Reference is made to the accompanying drawings, in which:

1 eine perspektivische Ansicht einer Halbleiterwaferschneidevorrichtung ist, die eine bevorzugte Ausführungsform eines automatischen Präzisionsausrichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ausführt; 1 FIG. 10 is a perspective view of a semiconductor wafer cutting device incorporating a preferred embodiment of an automatic precision alignment method according to the present invention;

2 eine perspektivische Ansicht ist, die die Halbleiterwaferschneidevorrichtung aus 1 mit entferntem Gehäuse zeigt; 2 12 is a perspective view showing the semiconductor wafer cutting device 1 with the housing removed;

3 ein schematisches Blockdiagramm der Halbleiterwaferschneidevorrichtung aus 1 ist; 3 a schematic block diagram of the semiconductor wafer cutting device 1 is;

4 eine Draufsicht ist, die einen Halbleiterwafer zeigt, der mit einer Anordnung von rechteckigen Schaltungsbereichen ausgebildet ist; 4 FIG. 12 is a plan view showing a semiconductor wafer formed with an arrangement of rectangular circuit areas;

5 ein Bild veranschaulicht, das durch ein Anzeigegerät angezeigt wird und das einem Teil eines Schlüsselhalbleiterwafers entspricht, zur Erstellung eines Schlüsselmusters gemäß dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsform; 5 Figure 12 illustrates an image displayed by a display device that corresponds to part of a key semiconductor wafer for creating a key pattern according to the method of the preferred embodiment;

6 ein Flussdiagramm ist, das aufeinanderfolgende Schritte der bevorzugten Ausführungsform des automatischen Präzisionsausrichtungsverfahrens gemäß der Erfindung veranschaulicht; 6 Figure 3 is a flowchart illustrating sequential steps of the preferred embodiment of the automatic precision alignment method according to the invention;

7 ein Bild zeigt, das durch das Anzeigegerät angezeigt wird, um darzustellen, wie gemäß dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsform Arbeitsmuster gefunden werden; 7 Figure 14 shows an image displayed by the display device to illustrate how work patterns are found in accordance with the method of the preferred embodiment;

8 ein Bild zeigt, das nach dem Ausrichten des Halbleiterwafers in eine Schnittrichtung durch das Anzeigegerät angezeigt wird; 8th shows an image displayed by the display device after the semiconductor wafer is aligned in a cutting direction;

9 ein Bild zeigt, das nach einer 90°-Drehung des Halbleiterwafers aus der Position, die in 8 gezeigt ist, durch das Anzeigegerät angezeigt wird; 9 a picture shows that after a 90 ° rotation of the semiconductor wafer from the position shown in 8th is shown by the display device;

10 ein Bild zeigt, das durch das Anzeigegerät angezeigt wird, wenn der Halbleiterwafer an einer erforderlichen Position zum Schneiden angeordnet ist; und 10 shows an image displayed by the display device when the semiconductor wafer is placed at a required position for cutting; and

11 einen Halbleiterwafer zeigt, der mit hexagonalen Schaltungsbereichen ausgebildet und durch eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung automatisch und präzise ausrichtbar ist, die eine modifizierte bevorzugte Ausführungsform des automatischen Präzisionsausrichtungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung ausführt. 11 FIG. 5 shows a semiconductor wafer formed with hexagonal circuit areas and automatically and precisely alignable by a semiconductor wafer cutting device that carries out a modified preferred embodiment of the automatic precision alignment method according to the present invention.

Unter Bezugnahme auf 1, 2 und 3 ist die bevorzugte Ausführungsform eines automatischen Präzisionsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung durch eine bekannte Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 ausgeführt gezeigt, welche eine Plattform 1, die zum Halten eines Halbleiterwafers 101 mit einer gemusterten Oberfläche (siehe 4) geeignet ist, eine Schneideeinheit 2, eine Kameraeinheit 3 mit einer Kameralinse 301, eine Verarbeitungseinheit 4 und ein Anzeigegerät 5 beinhaltet. Die Plattform 1 ist entlang einer ersten Achse (X) bewegbar und um eine zweite Achse (Z) drehbar, die schräg zur ersten Achse (X) verläuft. Die Kameraeinheit 3 ist über der Plattform 1 angeordnet und zum Erzeugen einer elektrischen Ausgabe betreibbar, die zumindest einem Teil eines Bilds des Halbleiterwafers 101 auf der Plattform 1 entspricht. Die Kameraeinheit 3 ist entlang einer dritten Achse (Y) bewegbar, die schräg zur ersten und zweiten Achse (X, Z) verläuft. Die Schneideeinheit 2 ist mit der Kameraeinheit 3 entlang der dritten Achse (Y) bewegbar und ferner entlang der zweiten Achse (Z) bewegbar. Die Verarbeitungseinheit 4 ist elektrisch an die Plattform 1, die Kameraeinheit 3 und die Schneideeinheit 2 gekoppelt, empfängt die elektrische Ausgabe der Kameraeinheit 3 und steuert Bewegungen der Plattform 1, der Kameraeinheit 3 und der Schneideeinheit 2. In der beispielhaften Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 aus 1 bis 3 enthält die Verarbeitungseinheit 4 einen Analog-Digitalwandler (A/D-Wandler) 401, der elektrisch an die Kameraeinheit 3 gekoppelt ist, zum Umwandeln der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit 3 in Bilddaten, einen Einzelbildspeicher 402, der elektrisch an den A/D-Wandler 401 gekoppelt ist, zum Speichern der Bilddaten von dem A/D-Wandler 401, eine zentrale Recheneinheit (CPU) 403, die elektrisch an den Einzelbildspeicher 402 gekoppelt ist, und ein Bewegungssteuereinheit 404, die elektrisch an die CPU 403, die Plattform 1, die Kameraeinheit 3 und die Schneideeinheit 2 gekoppelt ist. Das Anzeigegerät 5 ist elektrisch an die CPU gekoppelt und von ihr zum Anzeigen eines Bilds gesteuert, das den Bilddaten entspricht, die im Einzelbildspeicher 402 gespeichert sind.With reference to 1 . 2 and 3 is the preferred embodiment of an automatic precision method according to the present invention by a known semiconductor wafer cutting device 100 shown which is a platform 1 that are used to hold a semiconductor wafer 101 with a patterned surface (see 4 ) is suitable, a cutting unit 2 , a camera unit 3 with a camera lens 301 , a processing unit 4 and a display device 5 includes. The platform 1 is movable along a first axis (X) and rotatable about a second axis (Z) which runs obliquely to the first axis (X). The camera unit 3 is over the platform 1 arranged and operable to generate an electrical output, the at least part of an image of the semiconductor wafer 101 on the platform 1 equivalent. The camera unit 3 is movable along a third axis (Y), which runs obliquely to the first and second axes (X, Z). The cutting unit 2 is with the camera unit 3 movable along the third axis (Y) and also movable along the second axis (Z). The processing unit 4 is electrical to the platform 1 , the camera unit 3 and the cutting unit 2 coupled, receives the electrical output of the camera unit 3 and controls movements of the platform 1 , the camera unit 3 and the cutting unit 2 , In the exemplary semiconductor wafer cutter 100 out 1 to 3 contains the processing unit 4 an analog-digital converter (A / D converter) 401 that electrically connected to the camera unit 3 is coupled to convert the electrical output of the camera unit 3 in image data, a single image memory 402 , which is electrically coupled to the A / D converter 401, for storing the image data from the A / D converter 401 , a central processing unit (CPU) 403 that are electrically connected to the still image memory 402 is coupled, and a motion control unit 404 that are electrically connected to the CPU 403 , the platform 1 , the camera unit 3 and the cutting unit 2 is coupled. The display device 5 is electrically coupled to and controlled by the CPU to display an image corresponding to the image data stored in the frame memory 402 are saved.

Wie in 4 gezeigt, ist der Halbleiterwafer 101, der durch die Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 zu verarbeiten ist, mit einer Anordnung von rechteckigen Schaltungsbereichen 11 ausgebildet. Benachbarte Schaltungsbereiche 11 sind durch geradlinige Schnittbahnen 12 räumlich voneinander getrennt.As in 4 shown is the semiconductor wafer 101 by the semiconductor wafer cutter 100 is to be processed, with an arrangement of rectangular circuit areas 11 educated. Adjacent circuit areas 11 are due to straight lines 12 spatially separated from each other.

Unter Bezugnahme auf 5 wird vor der automatischen präzisen Ausrichtung des Halbleiterwafers 101 ein Schritt des Erstellens einer Schlüsselmusterdatenbank in der Verarbeitungseinheit 4 ausgeführt. Der Schritt beinhaltet die untergeordneten Schritte:
Anordnen eines Schlüsselhalbleiterwafers 10 auf der Plattform 2 (richtig: 1), wobei der Schlüsselhalbleiterwafer 10 mit einer Anordnung von identischen rechteckigen Schlüsselschaltungsbereichen 11 ausgebildet ist, die durch geradlinige Schnittbahnen 12 räumlich voneinander getrennt sind;
Aktivieren der Kameraeinheit 3 zum Erzeugen der elektrischen Ausgabe, die zumindest einem Teil eines Bilds des Schlüsselhalbleiterwafers 10 auf der Plattform 1 entspricht;
Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Steuern des Anzeigegeräts 5 zum Anzeigen des Bilds darauf, das der elektrischen Ausgabe entspricht;
Durchführen eines herkömmlichen manuellen Ausrichtungsvorgangs zum Steuern der Verarbeitungseinheit 4, um Positionen der Plattform 1 und der Kameraeinheit 3 unter Bezugnahme auf das Bild und lineare Markierungen 502, die auf einem Sichtfenster des Anzeigegeräts 5 gezeigt werden, einzustellen, bis der Schlüsselhalbleiterwafer 10 an der erforderlichen Position angeordnet ist; und
Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Konfigurieren von Parametern eines Schlüsselmusters 13 auf Grundlage eines ausgewählten der rechteckigen Schlüsselschaltungsbereiche 11 des Schlüsselhalbleiterwafers 10, sobald der Schlüsselhalbleiterwafer 10 an der erforderlichen Position angeordnet wurde.With reference to 5 before the automatic precise alignment of the semiconductor wafer 101 a step of creating a key pattern database in the processing unit 4 executed. The step includes the subordinate steps:
Arranging a key semiconductor wafer 10 on the platform 2 (correct: 1), with the key semiconductor wafer 10 with an arrangement of identical rectangular key circuit areas 11 is formed by straight-line cutting paths 12 are spatially separated from each other;
Activate the camera unit 3 for generating the electrical output, the at least part of an image of the key semiconductor wafer 10 on the platform 1 corresponds;
Relocate the processing unit 4 able to control the display device 5 to display thereon the image corresponding to the electrical output;
Performing a conventional manual alignment process to control the processing unit 4 to position the platform 1 and the camera unit 3 referring to the image and linear markings 502 on a viewing window of the display device 5 shown to hire until the key semiconductor wafer 10 is located at the required position; and
Relocate the processing unit 4 able to configure parameters of a key pattern 13 based on a selected one of the rectangular key circuit areas 11 of the key semiconductor wafer 10 once the key semiconductor wafer 10 has been placed in the required position.

Wie in 5 gezeigt, weist jeder rechteckige Schlüsselschaltungsbereich 11 eine erste Abmessung (D1) entlang einer ersten Schnittrichtung (x) und eine zweite Abmessung (D2) entlang einer zweiten Schnittrichtung (y) auf. Die erste Abmessung (D1) ist gleich der Breite des Schaltungsbereichs 11 plus der Breite der Schnittbahn 12 entlang der ersten Schnittrichtung (x), während die zweite Abmessung (D2) gleich der Breite des Schaltuncsbereichs 11 plus der Breite der Schnittbahn 12 entlang der zweiten Schnittrichtung (y) ist. Man beachte, dass die erste Abmessung (D1) auch gleich der Entfernung (D3) zwischen Mittelpunktskoordinaten eines benachbarten Paars von Schaltungsbereichen 11 entlang der ersten Schnittrichtung (x) ist, während die zweite Abmessung (D2) auch gleich der Entfernung (D4) zwischen den Mittelpunktskoordinaten eines benachbarten Paars von Schaltungsbereichen 11 entlang der zweiten Schnittrichtung (y) ist.As in 5 each rectangular key circuit area 11 a first dimension (D1) along a first cutting direction (x) and a second dimension (D2) along a second cutting direction (y). The first dimension (D1) is equal to the width of the circuit area 11 plus the width of the cutting path 12 along the first cutting direction (x), while the second dimension (D2) is equal to the width of the switching area 11 plus the width of the cutting path 12 along the second cutting direction (y). Note that the first dimension (D1) is also equal to the distance (D3) between center coordinates of an adjacent pair of circuit areas 11 along the first cutting direction (x), while the second dimension (D2) is also equal to the distance (D4) between the center coordinates of an adjacent pair of circuit areas 11 along the second cutting direction (y).

Nach dem Konfigurieren der Verarbeitungseinheit 4 mit der Schlüsselmusterdatenbank kann die Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 zum Anordnen des Halbleiterwafers 101 verwendet werden, der Spezifikationen aufweist, die mit denen des Schlüsselhalbleiterwafers 10 identisch sind, gemäß dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsform. Unter Bezugnahme auf 6 ist die bevorzugte Ausführungsform des automatischen Präzisionsausrichtungsverfahrens gemäß der Erfindung gezeigt, das die folgenden Schritte beinhaltet:After configuring the processing unit 4 with the key pattern database, the semiconductor wafer cutter 100 for arranging the semiconductor wafer 101 can be used that has specifications that match those of the key semiconductor wafer 10 are identical according to the method of the preferred embodiment. With reference to 6 The preferred embodiment of the automatic precision alignment method according to the invention is shown, which includes the following steps:

  • (a) Anordnen des Halbleiterwafers 101 auf der Plattform 1 und Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Bewegen der Plattform 1 und der Kameraeinheit 3 in anfängliche Positionen;(a) Arranging the semiconductor wafer 101 on the platform 1 and moving the processing unit 4 able to move the platform 1 and the camera unit 3 in initial positions;
  • (b) Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Abgleichen der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit 3 mit dem Schlüsselmuster 13, um unter Anwendung bekannter Musterabgleichtechniken eine Vielzahl von benachbarten Arbeitsmustern in der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit 3 zu finden, und um Mittelpunktskoordinaten der Arbeitsmuster aufzuzeichnen. Unter Bezugnahme auf 7 werden in dieser Ausführungsform drei Arbeitsmuster 22, 23, 24 in diesem Schritt gefunden. Falls weniger als zwei Arbeitsmuster gefunden werden, wenn etwa das Bild eines Begrenzungsabschnitts des Halbleiterwafers 101 durch die Kameraeinheit 3 aufgenommen wird, wird die Verarbeitungseinheit 4 in die Lage versetzt, eine Bewegung der Plattform 1 entlang der ersten Achse (X) und eine Bewegung der Kameraeinheit 3 entlang der dritten Achse (Y) anzutreiben, so dass eine Vielzahl der Arbeitsmuster 22, 23, 24 in der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit 3 auffindbar ist;(b) Relocate the processing unit 4 able to match the electrical output of the camera unit 3 with the key pattern 13 to perform a variety of adjacent work patterns in the electrical output of the camera unit using known pattern matching techniques 3 to find, and to record center coordinates of the work patterns. With reference to 7 are three working patterns in this embodiment 22 . 23 . 24 found in this step. If fewer than two working patterns are found, such as the image of a boundary portion of the semiconductor wafer 101 through the camera unit 3 is included, the processing unit 4 enabled movement of the platform 1 along the first axis (X) and a movement of the camera unit 3 to drive along the third axis (Y), so that a variety of working patterns 22 . 23 . 24 in the electrical output of the camera unit 3 can be found;
  • (c) Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Errechnen von zumindest einem Entfernungswert, der den Mittelpunktskoordinaten eines entsprechenden benachbarten Paars der Arbeitsmuster zugeordnet ist. In dieser Ausführungsform werden drei Entfernungswerte (S1, S2, S3) errechnet und den Arbeitsmustern 22 und 23 bzw. 23 und 24 bzw. 24 und 22 zugeordnet, wie am besten in 7 gezeigt;(c) Relocate the processing unit 4 able to calculate at least one distance value which is assigned to the center coordinates of a corresponding adjacent pair of the working patterns. In this embodiment, three distance values (S1, S2, S3) and the working patterns are calculated 22 and 23 respectively. 23 and 24 respectively. 24 and 22 assigned as best in 7 shown;
  • (d) Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Bestimmen, ob irgendein Entfernungswert, der in Schritt (c) errechnet wurde, mit der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2) des rechteckigen Schlüsselschaltungsbereichs 11 übereinstimmt. In dieser Ausführungsform wird eine optimale Übereinstimmung zwischen jedem Entfernungswert (S1, S2, S3) und einer vorgegebenen der ersten und zweiten Abmessung (D1, D2) bestimmt. Zum Bestimmen der optimalen Übereinstimmung wird ein Differenzwert zwischen jedem Entfernungswert (S1, S2, S3) und der vorgegebenen Abmessung, z.B. der ersten Abmessung (D1), errechnet. Im Beispiel von 7 wird der Differenzwert für den Entfernungswert (S2) als am nächsten zu Null erkannt, und es wird daher bestimmt, dass der Entfernungswert (S2) mit der ersten Abmessung (D1) übereinstimmt. Falls alle errechneten Differenzwerte einen voreingestellten Schwellenwert überschreiten, wird überdies eine Alarmausgabe erzeugt, um anzuzeigen, dass sich die Spezifikationen des Halbleiterwafers 101 von denen des Schlüsselhalbleiterwafers 10 unterscheiden, und der weitere Ausrichtungsvorgang der Verarbeitungseinheit 4 wird angehalten;(d) Relocate the processing unit 4 capable of determining whether any distance value calculated in step (c) with the first or second dimension (D1, D2) of the rectangular key circuit area 11 matches. In this embodiment, an optimal match between each distance value (S1, S2, S3) and a predetermined one of the first and second dimensions (D1, D2) is determined. To determine the optimal match, a difference value between each distance value (S1, S2, S3) and the specified dimension, for example the first dimension (D1), is calculated. In the example of 7 the difference value for the distance value (S2) is recognized as closest to zero, and it is therefore determined that the distance value (S2) matches the first dimension (D1). In addition, if all the calculated difference values exceed a preset threshold value, an alarm output is generated to indicate that the specifications of the semiconductor wafer 101 of those of the key semiconductor wafer 10 distinguish, and the further alignment process of the processing unit 4 is stopped;
  • (e) auf die Bestimmung hin, dass ein Entfernungswert, der in Schritt (c) errechnet wurde, vorliegt, der mit der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2) des rechteckigen Schlüsselschaltungsbereichs 11 übereinstimmt, Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Drehen der Plattform 1 um die zweite Achse (Z), so dass eine imaginäre Linie, die die Mittelpunktskoordinaten miteinander verbindet, welche dem Entfernungswert zugeordnet sind, parallel zu der ersten oder zweiten Schnittrichtung (x, y) verläuft. In dieser Ausführungsform dreht die Verarbeitungseinheit 4, wie in 8 gezeigt, die Plattform 1 um die zweite Achse (Z), um das Waferbild, das auf dem Anzeigegerät 5 angezeigt wird, um einen Mittelpunkt (x0, y0) zu drehen, so dass eine imaginäre Linie, die die Mittelpunktskoordinaten miteinander verbindet, welche dem Entfernungswert (S2) zugeordnet sind, parallel zur ersten Schnittrichtung (x) verläuft;(e) upon the determination that there is a range value calculated in step (c) that corresponds to the first or second dimension (D1, D2) of the rectangular key circuit area 11 matches, move the processing unit 4 capable of rotating the platform 1 about the second axis (Z) so that an imaginary line connecting the center coordinates which are associated with the distance value runs parallel to the first or second cutting direction (x, y). In this embodiment, the processing unit rotates 4 , as in 8th shown the platform 1 about the second axis (Z) to the wafer image that is on the display device 5 is displayed to rotate a center point (x0, y0) so that an imaginary line connecting the center point coordinates associated with the distance value (S2) is parallel to the first cutting direction (x);
  • (f) Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage zum Drehen der Plattform 1 um die zweite Achse (Z) über einen Winkel von 90°, so dass die imaginäre Linie parallel zu einer anderen der Schnittrichtungen, z.B. der zweiten Schnittrichtung (y), verläuft, wie am besten in 9 gezeigt, und danach Wiederholen von Schritt (b) bis Schritt (e), wobei eine Abmessungsübereinstimmung in Schritt (d) unter Bezugnahme auf die andere der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2), z.B. der zweiten Abmessung (D2) des rechteckigen Schlüsselschaltungsbereichs 11, bestimmt wird; und(f) moving the processing unit 4 in the Position for rotating the platform 1 about the second axis (Z) through an angle of 90 °, so that the imaginary line runs parallel to another of the cutting directions, for example the second cutting direction (y), as best in FIG 9 and then repeating from step (b) to step (e), with one dimension match in step (d) referring to the other of the first or second dimension (D1, D2), eg the second dimension (D2) of the rectangular key circuit area 11 , is determined; and
  • (g) Versetzen der Verarbeitungseinheit 4 in die Lage, eine Bewegung der Plattform 1 entlang der ersten Achse (X) und eine darauffolgende Bewegung der Kameraeinheit 3 entlang der dritten Achse (Y) anzutreiben, so dass der Halbleiterwafer 101 an einer erforderlichen Position angeordnet ist. Wie in 10 gezeigt, stimmt, wenn der Halbleiterwafer 101 an der erforderlichen Position zum Schneiden durch die Schneideeinheit 2 angeordnet ist (siehe 2), ein Mittelpunkt 5021 der linearen Markierungen 502, die auf dem Anzeigegerät 5 angezeigt werden, mit dem Schnittpunkt eines sich schneidenden Paars der Schnittbahnen 12 überein.(g) moving the processing unit 4 able to move the platform 1 along the first axis (X) and a subsequent movement of the camera unit 3 to drive along the third axis (Y) so that the semiconductor wafer 101 is arranged at a required position. As in 10 shown is true if the semiconductor wafer 101 at the required position for cutting by the cutting unit 2 is arranged (see 2 ), a focal point 5021 of the linear markings 502 that on the display device 5 are displayed, with the intersection of a intersecting pair of cutting paths 12 match.

In der vorliegenden Erfindung müssen lediglich Schlüsselhalbleiterwafer 10 manuell ausgerichtet werden, um die Schlüsselmusterdatenbank zu erstellen. Danach sind Halbleiterwafer 101 mit denselben Spezifikationen wie die Schlüsselhalbleiterwafer 10 automatisch durch die Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 ausrichtbar, die das automatische Präzisionsausrichtungsverfahren der Erfindung ausführt. Daher ist die Erfindung imstande, das präzise Anordnen von Halbleiterwafern auf eine wirksame und weniger fehleranfällige Weise zu erleichtern, und ermöglicht es den Herstellern so, den Zeitraum zu verkürzen, der zur Lieferung des Produkts an die Kunden erforderlich ist. Überdies ist es nicht erforderlich, die Halbleiterwaferschneidevorrichtung 100 mit zwei Kameras zu versehen, so dass ihre Erstellungskosten niedrig gehalten sein können.In the present invention, only key semiconductor wafers are required 10 manually aligned to create the key pattern database. After that are semiconductor wafers 101 with the same specifications as the key semiconductor wafers 10 automatically by the semiconductor wafer cutter 100 alignable that performs the automatic precision alignment method of the invention. Therefore, the invention is able to facilitate the precise placement of semiconductor wafers in an effective and less error-prone manner, and thus enables manufacturers to shorten the time required to deliver the product to customers. Moreover, the semiconductor wafer cutting device is not required 100 to be provided with two cameras so that their production costs can be kept low.

Außerdem sollte beachtet werden, dass das Verfahren dieser Erfindung auf das Anordnen eines Halbleiterwafers 30 mit hexagonalen Schaltungsbereichen 31 ausweitbar ist, wie am besten in 11 gezeigt. Jeder hexagonale Schaltungsbereich 31 weist drei Schnittrichtungen X60, X120 und X180 auf. Anders als im Verfahren der vorhergehenden Ausführungsform wird nach dem Durchführen der automatischen Ausrichtung in einer der Schnittrichtungen, z.B. X60, eine weitere Ausrichtung in die anderen Schnittrichtungen, z.B. X120 und X180, auf ähnliche Weise wie oben beschrieben ausgeführt, um den Halbleiterwafer 30 an der erforderlichen Position zum Schneiden anzuordnen.It should also be noted that the method of this invention is based on the placement of a semiconductor wafer 30 with hexagonal circuit areas 31 is expandable as best in 11 shown. Any hexagonal circuit area 31 has three cutting directions X 60 , X 120 and X 180 . Unlike the method of the previous embodiment, after performing the automatic alignment in one of the cutting directions, for example X 60 , another alignment in the other cutting directions, for example X 120 and X 180 , is carried out in a similar manner to that described above around the semiconductor wafer 30 to be placed in the required position for cutting.

Claims (9)

Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren, auszuführen durch eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung (100), zum Anordnen eines Halbleiterwafers (101) an einer erforderlichen Position, wobei der Halbleiterwafer (101) mit einer Anordnung von polygonalen Schaltungsbereichen (11) ausgebildet ist, wobei benachbarte polygonale Schaltungsbereiche (11) durch geradlinige Schnittbahnen (12) räumlich voneinander getrennt sind, die Halbleiterwaferschneidevorrichtung (100) beinhaltend: eine Plattform (1) zum Halten des Halbleiterwafers (101), wobei die Plattform (1) entlang einer ersten Achse (X) bewegbar und um eine zweite Achse (Z) drehbar ist, welche schräg zur ersten Achse (X) verläuft; eine Kameraeinheit (3), die über der Plattform (1) angeordnet ist und die zum Erzeugen einer elektrischen Ausgabe bedienbar ist, die zumindest einem Teil eines Bildes des Halbleiterwafers (101) auf der Plattform (1) entspricht, wobei die Kameraeinheit (3) entlang einer dritten Achse (Y) bewegbar ist, welche schräg zur ersten und zweiten Achse (X, Z) verläuft; eine Schneideeinheit (2), die mit der Kameraeinheit (3) entlang der dritten Achse (Y) bewegbar und ferner entlang der zweiten Achse (Z) bewegbar ist; und eine Verarbeitungseinheit (4), die elektrisch an die Plattform (1), die Kameraeinheit (3) und die Schneideeinheit (2) gekoppelt ist, wobei die Verarbeitungseinheit (4) die elektrische Ausgabe der Kameraeinheit (3) empfängt und Bewegungen der Plattform (1), der Kameraeinheit (3) und der Schneideeinheit (2) steuert, wobei die Verarbeitungseinheit (4) mit einer Schlüsselmusterdatenbank konfiguriert ist, die ein Schlüsselmuster (13) eines polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) mit zumindest einer ersten Abmessung (D1) entlang einer ersten Schnittrichtung (x) und einer zweiten Abmessung (D2) entlang einer zweiten Schnittrichtung (y) enthält, gekennzeichnet durch: (a) Anordnen des Halbleiterwafers (101) auf der Plattform (1) und Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Bewegen der Plattform (1) und der Kameraeinheit (3) in anfängliche Positionen; (b) Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Abgleichen der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit (3) mit dem Schlüsselmuster (13), um eine Vielzahl von benachbarten Arbeitsmustern (22, 23, 24) in der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit (3) zu finden und Mittelpunktskoordinaten der Arbeitsmuster (22, 23, 24) aufzuzeichnen; (c) Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Errechnen von zumindest einem Entfernungswert (S1, S2, S3), der den Mittelpunktskoordinaten eines entsprechenden benachbarten Paars der Arbeitsmuster (22, 23, 24) zugeordnet ist; (d) Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Bestimmen, ob irgendein Entfernungswert (S1, S2, S3), der in Schritt (c) errechnet wurde, mit der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) übereinstimmt; und (e) auf die Bestimmung hin, dass ein Entfernungswert (S1, S2, S3), der in Schritt (c) errechnet wurde, vorliegt, der mit der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) übereinstimmt, Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Drehen der Plattform (1) um die zweite Achse (Z), so dass eine imaginäre Linie, die die Mittelpunktskoordinaten miteinander verbindet, welche dem Entfernungswert (S1, S2, S3) zugeordnet sind, parallel zu der ersten oder zweiten Schnittrichtung (x, y) verläuft.Automatic precision alignment method to be performed by a semiconductor wafer cutter ( 100 ), for arranging a semiconductor wafer ( 101 ) at a required position, the semiconductor wafer ( 101 ) with an arrangement of polygonal circuit areas ( 11 ) is formed, with adjacent polygonal circuit areas ( 11 ) through straight-line cutting paths ( 12 ) are spatially separated from each other, the semiconductor wafer cutting device ( 100 ) including: one platform ( 1 ) to hold the semiconductor wafer ( 101 ), the platform ( 1 ) is movable along a first axis (X) and rotatable about a second axis (Z) which extends obliquely to the first axis (X); a camera unit ( 3 ) above the platform ( 1 ) is arranged and which can be operated to generate an electrical output which comprises at least part of an image of the semiconductor wafer ( 101 ) on the platform ( 1 ) corresponds, whereby the camera unit ( 3 ) is movable along a third axis (Y), which extends obliquely to the first and second axes (X, Z); a cutting unit ( 2 ) with the camera unit ( 3 ) is movable along the third axis (Y) and further along the second axis (Z); and a processing unit ( 4 ) that are electrically connected to the platform ( 1 ), the camera unit ( 3 ) and the cutting unit ( 2 ) is coupled, the processing unit ( 4 ) the electrical output of the camera unit ( 3 ) receives and movements of the platform ( 1 ), the camera unit ( 3 ) and the cutting unit ( 2 ) controls, the processing unit ( 4 ) is configured with a key pattern database that contains a key pattern ( 13 ) of a polygonal key circuit area ( 11 ) with at least a first dimension (D1) along a first cutting direction (x) and a second dimension (D2) along a second cutting direction (y), characterized by: (a) arranging the semiconductor wafer ( 101 ) on the platform ( 1 ) and moving the processing unit ( 4 ) able to move the platform ( 1 ) and the camera unit ( 3 ) in initial positions; (b) moving the processing unit ( 4 ) able to adjust the electrical output of the camera unit ( 3 ) with the key pattern ( 13 ) to a variety of adjacent work patterns ( 22 . 23 . 24 ) in the electrical output of the camera unit ( 3 ) to find and center coordinates of the working patterns ( 22 . 23 . 24 ) record; (c) moving the processing unit ( 4 ) capable of calculating at least one distance value (S1, S2, S3) that corresponds to the center coordinates of a corresponding adjacent pair of working patterns ( 22 . 23 . 24 ) assigned; (d) moving the processing unit ( 4 ) to determine whether any distance value (S1, S2, S3) calculated in step (c) with the first or second dimension (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ) matches; and (e) upon the determination that there is a distance value (S1, S2, S3) calculated in step (c) that corresponds to the first or second dimension (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ) matches, relocating the processing unit ( 4 ) able to rotate the platform ( 1 ) around the second axis (Z), so that an imaginary line connecting the center coordinates, which are assigned to the distance value (S1, S2, S3), runs parallel to the first or second cutting direction (x, y). Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (b) drei Arbeitmuster (22, 23, 24) gefunden werden, in Schritt (c) drei Entfernungswerte (S1, S2, S3) errechnet werden und Schritt (d) das Bestimmen einer optimalen Übereinstimmung zwischen jedem der Entfernungswerte (S1, S2, S3), die in Schritt (c) errechnet wurden, und einer vorgegebenen der ersten und zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) beinhaltet.Automatic precision alignment method according to claim 1, characterized in that in step (b) three working patterns ( 22 . 23 . 24 ), three distance values (S1, S2, S3) are calculated in step (c) and step (d) the determination of an optimal match between each of the distance values (S1, S2, S3) calculated in step (c) , and a predetermined one of the first and second dimensions (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ) includes. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 2, ferner dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (e) die Verarbeitungseinheit (4) die Plattform (1) dreht, so dass die imaginäre Linie parallel zur Schnittrichtung (x, y) verläuft, die der vorgegebenen der ersten und zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) zugeordnet ist.Automatic precision alignment method according to claim 2, further characterized in that in step (e) the processing unit ( 4 ) the platform ( 1 ) rotates so that the imaginary line runs parallel to the cutting direction (x, y) that corresponds to the predetermined one of the first and second dimensions (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ) assigned. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 2, ferner dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bestimmens der optimalen Übereinstimmung beinhaltet: Errechnen eines Differenzwerts zwischen jedem der Entfernungswerte (S1, S2, S3), die in Schritt (c) errechnet wurden, und der vorgegebenen der ersten und zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11), und Erzeugen einer Alarmausgabe und Anhalten des weiteren Ausrichtungsvorgangs der Verarbeitungseinheit (4), wenn alle errechneten Differenzwerte einen voreingestellten Schwellenwert überschreiten.The automatic precision alignment method according to claim 2, further characterized in that the step of determining the optimal match includes: calculating a difference value between each of the distance values (S1, S2, S3) calculated in step (c) and the predetermined one of the first and second dimension (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ), and generating an alarm output and stopping the further alignment process of the processing unit ( 4 ) when all calculated difference values exceed a preset threshold. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet nach Schritt (e) durch: (g) Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage, eine Bewegung der Plattform (1) entlang der ersten Achse (X) und eine darauffolgende Bewegung der Kameraeinheit (3) entlang der dritten Achse (Y) anzutreiben, so dass der Halbleiterwafer (101) an einer erforderlichen Position angeordnet wird.An automatic precision alignment method according to claim 1, further characterized after step (e) by: (g) moving the processing unit ( 4 ) able to move the platform ( 1 ) along the first axis (X) and a subsequent movement of the camera unit ( 3 ) along the third axis (Y), so that the semiconductor wafer ( 101 ) is placed at a required position. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 5, ferner gekennzeichnet zwischen Schritt (e) und Schritt (g) durch: (f) Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Drehen der Plattform (1) um die zweite Achse (Z), so dass die imaginäre Linie parallel zu einer anderen der Schnittrichtungen (x, y) verläuft, und danach Wiederholen von Schritt (b) bis Schritt (e), wobei eine Abmessungsübereinstimmung in Schritt (d) bezüglich der anderen der ersten und zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) bestimmt wird.An automatic precision alignment method according to claim 5, further characterized between step (e) and step (g) by: (f) moving the processing unit ( 4 ) able to rotate the platform ( 1 ) about the second axis (Z) so that the imaginary line is parallel to another of the cutting directions (x, y), and then repeating from step (b) to step (e), with a dimensional match in step (d) with respect to the other of the first and second dimensions (D1, D2) of the polygonal key circuit area ( 11 ) is determined. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (b) beinhaltet: wenn keine Vielzahl von Arbeitsmustern (22, 23, 24) gefunden wird, Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage, eine Bewegung der Plattform (1) entlang der ersten Achse (X) und eine Bewegung der Kameraeinheit (3) entlang der dritten Achse (Y) anzutreiben, so dass eine Vielzahl von Arbeitsmustern (22, 23, 24) in der elektrischen Ausgabe der Kameraeinheit (3) gefunden werden kann.Automatic precision alignment method according to claim 1, characterized in that step (b) includes: if no plurality of work patterns ( 22 . 23 . 24 ) is found, moving the processing unit ( 4 ) able to move the platform ( 1 ) along the first axis (X) and a movement of the camera unit ( 3 ) along the third axis (Y) so that a variety of work patterns ( 22 . 23 . 24 ) in the electrical output of the camera unit ( 3 ) can be found. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (d) beinhaltet: Errechnen eines Differenzwerts zwischen jedem Entfernungswert (S1, S2, S3), der in Schritt (c) errechnet wurde, und der ersten oder zweiten Abmessung (D1, D2) des polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11), und Erzeugen einer Alarmausgabe und Anhalten des weiteren Ausrichtungsvorgangs der Verarbeitungseinheit (4), wenn jeder errechnete Differenzwert einen voreingestellten Schwellenwert überschreitet.An automatic precision alignment method according to claim 1, characterized in that step (d) includes: calculating a difference value between each distance value (S1, S2, S3) calculated in step (c) and the first or second dimension (D1, D2) the polygonal key circuit area ( 11 ), and generating an alarm output and stopping the further alignment process of the processing unit ( 4 ) if each calculated difference value exceeds a preset threshold. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterwaferschneidevorrichtung (100) ferner ein Anzeigegerät (5) beinhaltet, das elektrisch an die Verarbeitungseinheit (4) gekoppelt ist, ferner gekennzeichnet vor Schritt (a) durch den Schritt des Erstellens der Schlüsselmusterdatenbank, umfassend die untergeordneten Schritte: Anordnen eines Schlüsselhalbleiterwafers (10) auf der Plattform (1), wobei der Schlüsselhalbleiterwafer (10) mit einer Anordnung von identischen polygonalen Schlüsselschaltungsbereichen (11) ausgebildet ist; Aktivieren der Kameraeinheit (3) zum Erzeugen der elektrischen Ausgabe, die zumindest einem Teil eines Bilds des Schlüsselhalbleiterwafers (10) auf der Plattform (1) entspricht; Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Steuern des Anzeigegeräts (5) zum Anzeigen des Bilds darauf, das der elektrischen Ausgabe entspricht; Durchführens eines manuellen Ausrichtungsvorgangs zum Steuern der Verarbeitungseinheit (4), um Positionen der Plattform (1) und der Kameraeinheit (3) unter Bezugnahme auf das Bild, das auf dem Anzeigegerät (5) gezeigt wird, einzustellen, bis der Schlüsselhalbleiterwafer (10) an der erforderlichen Position angeordnet ist; und Versetzen der Verarbeitungseinheit (4) in die Lage zum Konfigurieren von Parametern des Schlüsselmusters (13) auf Grundlage eines ausgewählten polygonalen Schlüsselschaltungsbereichs (11) des Schlüsselhalbleiterwafers (10), sobald der Schlüsselhalbleiterwafer (10) an der erforderlichen Position angeordnet wurde.The automatic precision alignment method according to claim 1, wherein the semiconductor wafer cutting device ( 100 ) also a display device ( 5 ) which is electrically connected to the processing unit ( 4 ), further characterized before step (a) by the step of creating the key pattern database, comprising the subordinate steps: arranging a key semiconductor wafer ( 10 ) on the platform ( 1 ), the key semiconductor wafer ( 10 ) with an arrangement of identical polygonal key circuit areas ( 11 ) is trained; Activate the camera unit ( 3 ) for generating the electrical output, the at least part of an image of the key semiconductor wafer ( 10 ) on the platform ( 1 ) corresponds to; Relocate the processing unit ( 4 ) able to control the display device ( 5 ) to display thereon the image corresponding to the electrical output; Perform manual alignment to control the processing unit ( 4 ) to position the platform ( 1 ) and the camera unit ( 3 ) with reference to the image on the display device ( 5 ) is shown until the key semiconductor wafer ( 10 ) is located at the required position; and moving the processing unit ( 4 ) able to configure parameters of the key pattern ( 13 ) based on a selected polygonal key circuit area ( 11 ) of the key semiconductor wafer ( 10 ) as soon as the key semiconductor wafer ( 10 ) was placed in the required position.
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