DE10246063A1 - Anisotropic etching of structures defined by etching mask in silicon substrate involves periodic deposition of fluoropolymer from exotic fluorocarbon by plasma polymerization, alternating with plasma etching - Google Patents

Anisotropic etching of structures defined by etching mask in silicon substrate involves periodic deposition of fluoropolymer from exotic fluorocarbon by plasma polymerization, alternating with plasma etching Download PDF

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Abstract

In a process for anisotropic etching of structures defined by an etching mask in a silicon substrate with a plasma, charged with an etching gas, at least at times, and a polymerization gas, at least at times, a fluorocarbon gas selected from compounds with formulae corresponding to hexafluorocyclobutene, octafluorocyclopentene or difluoroethene or a mixture of these is used as polymerization gas. In a process for anisotropic etching of structures defined by an etching mask in a silicon substrate with a plasma, charged with an etching gas, at least at times, and a polymerization gas, at least at times, a fluorocarbon gas selected from C4F6, C5F8. C2H2F2 or a mixture of these is used as polymerization gas.

Description

Die Endung betrifft ein Verfahren zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mittels eines Plasmas nach der Gattung des Hauptanspruches.The extension concerns a procedure for anisotropic etching from with an etching mask defined structures in a silicon substrate by means of a plasma according to the genus of the main claim.

Aus DE 42 41 045 C1 ist ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in Silizium mittels eines Plasmas bekannt. Dabei wird neben einer hohen Maskenselektivität ein hohes Aspektverhältnis (Verhältnis von Tiefe zu Breite) von in das Siliziumsubstrat eingeätzten Trenchgräben erreicht. Der anisotrope Ätzvorgang erfolgt in separaten, alternierend aufeinander folgenden Polymerisations- und Ätzschritten, wobei als Polymerisationsgas zum Beispiel Trifluormethan (CHF3) eingesetzt wird.Out DE 42 41 045 C1 a method for anisotropic etching of structures defined with an etching mask in silicon by means of a plasma is known. In addition to a high mask selectivity, a high aspect ratio (ratio of depth to width) of trench trenches etched into the silicon substrate is achieved. The anisotropic etching process takes place in separate, alternating successive polymerization and etching steps, trifluoromethane (CHF 3 ) being used as the polymerization gas.

In DE 43 17 623 A1 wird ein Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen von Silizium beschrieben, wobei in einem Prozessraum ein Plasma erzeugt wird, dem ein Ätzgas und ein Passiviergas, das polymerbildende Monomere enthält, zugeführt wird. Das Passiviergas ist CHF3, C2F4 oder C2F6.In DE 43 17 623 A1 describes a method for anisotropic plasma etching of silicon, a plasma being generated in a process space, to which an etching gas and a passivating gas which contains polymer-forming monomers are fed. The passivation gas is CHF 3 , C 2 F 4 or C 2 F 6 .

Aus DE 197 36 370 A1 ist ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von Mikro- und Nanostrukturen in Siliziumsubstraten mittels alternierend aufeinander folgenden, unabhängig voneinander gesteuerten Ätzschritten und Polymerabscheideschritten bekannt, wobei die Menge an deponiertem Polymere im Laufe der Polymerabscheideschritte abnimmt. Das eingesetzte Polymerisationsgas ist dort Trifluormethan (CHF3), Octafluorcyclobutan (C4F8) oder Hexafluorpropen (C3F6) bzw. dessen Dimeres (C3F6)2. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung eines Verfahrens zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mit gegenüber dem Stand der Technikerhöhten Ätzraten, besserer Profilkontrolle und höherer Maskenselektivität.Out DE 197 36 370 A1 is known a method for anisotropic etching of micro and nanostructures in silicon substrates by means of alternately successive, independently controlled etching steps and polymer deposition steps, the amount of deposited polymer decreasing in the course of the polymer deposition steps. The polymerization gas used there is trifluoromethane (CHF 3 ), octafluorocyclobutane (C 4 F 8 ) or hexafluoropropene (C 3 F 6 ) or its dimer (C 3 F 6 ) 2 . The object of the present invention was to provide a method for anisotropically etching structures defined with an etching mask into a silicon substrate with etching rates higher than the prior art, better profile control and higher mask selectivity.

Die erfindungsgemäß eingesetzten Polymerisationsgase C4F6 oder C5F8 sowie in geringerem Ausmaß auch C2H2F2 haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil einer besonders effektiven Polymerbildung, d.h. die Polymerabscheidung aus dem Plasma erfolgt bei sonst vergleichbaren Plasmakenndaten schneller, und das erhaltene Polymer ist dichter und stärker quervernetzt als beispielsweise bei bekannten Polymerisationsgasen wie C4F8 oder C3F6.The polymerization gases C 4 F 6 or C 5 F 8 and to a lesser extent also C 2 H 2 F 2 have the advantage of a particularly effective polymer formation compared to the prior art, ie the polymer separation from the plasma takes place faster with otherwise comparable plasma characteristics, and the polymer obtained is denser and more crosslinked than, for example, known polymerization gases such as C 4 F 8 or C 3 F 6 .

Weiter ist voreilhaft, dass die erfindungsgemäß eingesetzten Polymerisationsgase zu akzeptablen Preisen und auch in für den industriellen Maßstab erforderlichen Mengen angeboten werden, so dass auch die Liefersicherheit dieser an sich „exotischen" Gase gegeben ist.It is also advantageous that the used according to the invention Polymerization gases at acceptable prices and also for the industrial Scale required Quantities are offered so that the delivery security of these "exotic" gases per se.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.Advantageous further developments of Invention result from the measures mentioned in the subclaims.

So ist besonders vorteilhaft, dass die erläuterten Polymerisationsgase in einem Prozess nach Art der DE 42 41 045 C1 , der DE 43 17 623 A1 oder der DE 197 36 370 A1 an Stelle der dort jeweils eingesetzten Polymerisationsgase eingesetzt werden können, ohne dass diese Prozesse nennenswert modifiziert werden müssen. Insbesondere eignet sich das Gas C4F6 besonders gut zum Ersatz des Gases C4F8 oder des Gases C3F6.It is particularly advantageous that the polymerization gases explained in a process of the type DE 42 41 045 C1 , the DE 43 17 623 A1 or the DE 197 36 370 A1 can be used instead of the polymerization gases used in each case without these processes having to be significantly modified. In particular, the gas C 4 F 6 is particularly suitable for replacing the gas C 4 F 8 or the gas C 3 F 6 .

Vorteilhaft ist weiter, dass eine mit Hilfe der genannten Polymerisationsgase erzeugte teflonartige Seitenwandpassivierung auf der Oberfläche der in dem Siliziumsubstrat erzeugten Ätzgräben einen höheren Kohlenstoffgehalt aufweist als eine entsprechende Seitenwandpassivierung, die beispielsweise ausgehend von dem Polymerisationsgas C4F8 erzeugt worden ist. Dieser erhöhte Kohlenstoffgehalt und die gleichzeitig stärkere Quervernetzung des Polymermaterials, die vor allein von den angebotenen polymerisationsfähigen Doppelbindungen des Ausgangsstoffes herrührt, macht die Seitenwandpassivierung widerstandsfähiger gegenüber einem Ätzabtrag, so dass die Dauer der Polymerisationsschritte entsprechend insbesondere relativ zur Dauer der Ätzschritte deutlich verkürzt werden kann, um eine gleiche bzw. noch ausreichende Passivierung zu erreichen. Daneben geht durch den höheren Kohlenstoffgehalt und den verringerten Seitenwandabtrag des widerstandsfähigeren Polymers weniger Fluor durch Wechselwirkung mit während der Ätzschritte ionengetrieben vorwärts transportierten Polymermaterialien verloren.It is also advantageous that a teflon-like side wall passivation generated with the aid of the polymerization gases mentioned has a higher carbon content on the surface of the etching trenches produced in the silicon substrate than a corresponding side wall passivation which was generated, for example, from the polymerization gas C 4 F 8 . This increased carbon content and, at the same time, stronger cross-linking of the polymer material, which results primarily from the polymerizable double bonds of the starting material, make the sidewall passivation more resistant to etching removal, so that the duration of the polymerization steps can be significantly shortened, in particular relative to the duration of the etching steps to achieve an equal or sufficient passivation. In addition, due to the higher carbon content and the reduced sidewall removal of the more resistant polymer, less fluorine is lost through interaction with polymer materials that are ion-propelled during the etching steps.

Andererseits wird vor allem bei dem Prozess gemäß DE 42 41 045 C1 auch weiterhin ein zunächst während eines Polymerisationsschrittes erzeugter Seitenwandpolymerfilm während des nachfolgenden, an sich isotropen Ätzschrittes zumindest teilweise wieder abgetragen, vorwärts getrieben und in tieferen Regionen der erzeugten Struktur redeponiert, welche gerade während des laufenden Ätzschrittes eröffnet werden. Dank der höheren Beständigkeit des Seitenwandpolymerfilm ist dabei nun auch in insgesamt geringerem Ausmaß deponiertes Seitenwandpolymermaterial ausreichend für die gewünschte lokale Passivierung bzw. den gewünschten temporären Ätzstopp und die damit verbundene lokale Anisotropie des Ätzschrittes.On the other hand, especially in the process DE 42 41 045 C1 a sidewall polymer film initially produced during a polymerization step is at least partially removed again during the subsequent etching step, which is in itself isotropic, driven forward and redeponed in deeper regions of the structure produced, which are currently being opened during the ongoing etching step. Thanks to the higher resistance of the sidewall polymer film, the sidewall polymer material deposited to a lesser extent is now sufficient for the desired local passivation or the desired temporary etching stop and the associated local anisotropy of the etching step.

Insgesamt führt der Einsatz der Polymerisationsgase C4F6, C5F8 oder C2H2F2, wobei vor allem C4F6 vorteilhaft ist, zu einer gesteigerten Polymerisationseffizienz und verbesserten Seitenwandfilmeigenschaften hinsichtlich Dichtheit, Quervernetzung und einer erhöhten Widerstandsfähigkeit gegenüber einem Ätzabtrag, was sich vor allem bei einem Prozess gemäß DE 42 41 045 C1 unmittelbar in Form deutlich verkürzter Polymerisationszyklen und relativ dazu verlängerter Ätzzyklen umsetzen lässt. So kann die Dauer eines Polymerisationsschrittes nunmehr von zuvor ca. 4 s bis 8 s auf 1 s bis 2 s verkürzt werden, während gleichzeitig die Ätzschritte von bisher 10 s bis 15 s auf 20 s bis 30 s verlängert werden können. Insbesondere kann das Verhältnis von Ätzzeit zu Passivierzeit deutlich zu Gunsten der Ätzzeit auf Werte von nunmehr 3 : 1 bis 50 : 1, vorzugsweise von 8 : 1 bis 30 : 1, beispielsweise 5 : 1, 10 : 1 oder 15 : 1, im Vergleich zu etwa 2 : 1 bis 3 : 1 nach dem Stand der Technik angepasst werden, so dass durch das höhere zeitliche Gewicht der Ätzschritte an der Gesamtprozesszeit insgesamt auch eine höhere Ätzrate erzielt wird.Overall, the use of the polymerization gases C 4 F 6 , C 5 F 8 or C 2 H 2 F 2 , with C 4 F 6 being particularly advantageous, leads to increased polymerization efficiency and improved sidewall film properties with regard to tightness, crosslinking and increased resistance to one Etching removal, which is especially true in a process DE 42 41 045 C1 immediately in the form of significantly shortened polymerization cycles and relatively to implement extended etching cycles. The duration of a polymerization step can now be shortened from previously approximately 4 s to 8 s to 1 s to 2 s, while at the same time the etching steps can be extended from previously 10 s to 15 s to 20 s to 30 s. In particular, the ratio of etching time to passivation time can be clearly compared in favor of the etching time to values from now 3: 1 to 50: 1, preferably from 8: 1 to 30: 1, for example 5: 1, 10: 1 or 15: 1 to be adjusted to about 2: 1 to 3: 1 according to the prior art, so that the higher time weight of the etching steps in the overall process time also results in a higher etching rate.

Die erläuterten Polymerisationsgase führen daneben vorteilhaft auch zu einer verbesserten Maskenselektivität, da die auch auf der Ätzmaske abgeschiedenen Polymerfilme bzw. Passivierschichten beständiger sind als vergleichbare Schichten nach dem Stand der Technik. Dies führt zu einem verbesserten Schutz der Ätzmaske vor einem Ätzangriff was vor allein bei Verwendung einer Fotolackmaske wichtig ist, und damit zu einer sehr zuverlässigen und präzisen Maskierung.The polymerization gases explained run next to it also advantageous for improved mask selectivity, since the also on the etching mask deposited polymer films or passivation layers are more resistant as comparable layers according to the prior art. This leads to one improved protection of the etching mask something before an etching attack alone when using a photoresist mask is important, and therefore to a very reliable and precise Masking.

Vorteilhaft ist weiter, wenn der Einsatz der erläuterten Polymerisationsgase mit der Verwendung eines hochdichten Plasmas mit mindestens 1012 reaktiven Spezies/cm3 verbunden wird, und/oder wenn bevorzugt zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein Ionenbeschuss des Substrates, insbesondere mit einer Ionenenergie von 1 eV bis 100 eV, vorzugsweise 1 eV bis 50 eV, erfolgt. Der Ionenbeschuss ist weiterhin bevorzugt gepulst mit einem Puls-Pause-Verhältnis von vorzugsweise 1:1 bis 1:5. In diesem Fall wird die genannten Ionenenergie im zeitlichen Mittel eingesetzt.It is also advantageous if the use of the polymerization gases described is combined with the use of a high-density plasma with at least 10 12 reactive species / cm 3 , and / or if preferably at least temporarily ion bombardment of the substrate, in particular with an ion energy of 1 eV, during the etching steps up to 100 eV, preferably 1 eV to 50 eV. The ion bombardment is furthermore preferably pulsed with a pulse-pause ratio of preferably 1: 1 to 1: 5. In this case, the ion energy mentioned is used on average over time.

Darüber hinaus ist vorteilhaft, wenn die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit dem Fortschreiten des Einätzens insbesondere kontinuierlich oder schrittweise reduziert wird. Dies vermeidet ein Übermaß an deponiertem Polymer mit dem Ätzfortschritt, das immer weniger benötigt wird.It is also advantageous if that during the amount of the individual polymerization steps used of polymerization gas with the progress of the etching in particular is reduced continuously or gradually. This avoids an excess of deposited Polymer with the progress of etching, that needs less and less becomes.

Schließlich ist vorteilhaft, wenn bei dem anisotropen Einätzen mit separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten der erste Schritt zu Beginn des Einätzens ein Polymerisationsschritt ist, um so einer unerwünschten Unterätzung oder einem Maskenangriff von Beginn an zu begegnen.Finally, it is advantageous if with anisotropic etching with separate, alternating successive etching steps and polymerization steps the first step at the beginning of the etching Polymerization step is so as to avoid an undesirable undercut or to face a mask attack from the start.

Ein erstes Ausführungsbeispiel geht zunächst von dem aus DE 42 41 045 C1 bekannten Verfahren aus. In diesem Verfahren wird das während der Polymerisationsschritte eingesetzte Gas, das eine teflonartige Seitenwandpassivierung der erzeugten Strukturen in Silizium bewirkt, durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Bevorzugt ist die Verwendung von C4F6.A first exemplary embodiment is based on this DE 42 41 045 C1 known methods. In this process, the gas used during the polymerization steps, which causes a Teflon-like sidewall passivation of the structures produced in silicon, is replaced by C 4 F 6 , C 5 F 8 or C 2 H 2 F 2 . The use of C 4 F 6 is preferred.

In einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird bei dem Verfahren gemäß DE 197 36 370 A1 das dort während der Polymerisationsschritte eingesetzte Passiviergas durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Auch hier ist die Verwendung von C4F6 bevorzugt.In a second exemplary embodiment of the invention, the method according to DE 197 36 370 A1 the passivating gas used there during the polymerization steps is replaced by C 4 F 6 , C 5 F 8 or C 2 H 2 F 2 . Here too, the use of C 4 F 6 is preferred.

In einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird bei dem Verfahren gemäß DE 43 17 623 A1 das dort eingesetzte Passiviergas, das polymerbildende Monomere enthält, durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Daneben kann auch eine Gasmischung mit mindestens einem dieser Gase eingesetzt werden. Bevorzugt ist erneut die Verwendung des Passiviergases C4F6.In a third exemplary embodiment of the invention, the method according to DE 43 17 623 A1 the passivating gas used there, which contains polymer-forming monomers, is replaced by C 4 F 6 , C 5 F 8 or C 2 H 2 F 2 . In addition, a gas mixture with at least one of these gases can also be used. The passivation gas C 4 F 6 is again preferred.

Ansonsten werden die Verfahren gemäß den vorstehenden Ausführungsbeispielen jeweils entsprechend dem Stand der Technik durchgeführt, wobei im Fall der DE 197 36 370 A1 oder der DE 42 41 045 C1 bevorzugt zusätzlich die dort jeweils eingesetzten alternierend aufeinander folgenden Ätz- und Polymerisationsschritte der Gestalt modifiziert werden, dass die Dauer der Polymerisationsschritte verkürzt und die Dauer der Ätzschritte entsprechend verlängert wird. Insbesondere wird die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 3 bis 50 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt. Besonders bevorzugt wird die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 10 bis 30 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt. Weiter wird die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit dem Fortschreiten des Einätzens kontinuierlich oder schrittweise reduziert, und als erster Schritt zu Beginn des Einätzens bevorzugt ein Polymerisationsschritt eingesetzt.Otherwise, the methods according to the above exemplary embodiments are each carried out in accordance with the prior art, with in the case of DE 197 36 370 A1 or the DE 42 41 045 C1 the alternating successive etching and polymerization steps used there are preferably additionally modified in such a way that the duration of the polymerization steps is shortened and the duration of the etching steps is correspondingly lengthened. In particular, the duration of the polymerization steps is set to be a factor of 3 to 50 shorter than the duration of the etching steps. The duration of the polymerization steps is particularly preferably set to be a factor of 10 to 30 shorter than the duration of the etching steps. Furthermore, the amount of polymerization gas used during the individual polymerization steps is reduced continuously or step by step as the etching progresses, and a polymerization step is preferably used as the first step at the beginning of the etching.

Claims (11)

Verfahren zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mittels eines Plasmas, wobei zumindest zeitweilig ein Ätzgas und zumindest zeitweilig ein Polymerisationsgas eingesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Polymerisationsgas ein Gas ausgewählt aus der Gruppe C4F6, C5F8 oder C2H2F2 oder eine Gasmischung mit mindestens einem dieser Gase eingesetzt wird.Method for anisotropically etching structures defined with an etching mask into a silicon substrate by means of a plasma, an etching gas being used at least temporarily and a polymerization gas being used at least temporarily, characterized in that a gas selected from the group C 4 F 6 , C 5 F is used as the polymerization gas 8 or C 2 H 2 F 2 or a gas mixture with at least one of these gases is used. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Einätzen in separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten erfolgt, wobei mit Hilfe des Polymerisationsgases während des Polymerisationsschrittes auf die durch die Ätzmaske definierte laterale Begrenzung der Strukturen ein insbesondere teflonartiges Polymer aufgebracht wird, das während des nachfolgenden Ätzschrittes zumindest teilweise wieder abgetragen wird.A method according to claim 1, characterized in that the anisotropic etching in separate, alternating successive etching steps and polymerization steps, with the help of the polymerization gas while the polymerization step to the lateral one defined by the etching mask Limitation of the structures, especially a Teflon-like polymer is applied, which during the subsequent etching step is at least partially removed again. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das abgetragene Polymer teilweise während der Ätzschritte in tieferen Regionen der erzeugten Struktur redeponiert wird.A method according to claim 2, characterized shows that the ablated polymer is partially repositioned during the etching steps in deeper regions of the structure produced. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Polymerisationsschritte kürzer, insbesondere um einen Faktor 3 bis 50 kürzer, als die Dauer der Ätzschritte eingestellt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the duration of the polymerization steps is shorter, in particular shorter by a factor of 3 to 50, than the duration of the etching steps is set. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 10 bis 30 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt wird.A method according to claim 4, characterized in that the duration of the polymerization steps by a factor of 10 to 30 shorter than the duration of the etching steps is set. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymerisationsgas zumindest weitgehend lediglich während der Polymerisationsschritte und das Ätzgas, insbesondere SF6, zumindest weitgehend lediglich während der Ätzschritte eingesetzt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the polymerization gas is used at least largely only during the polymerization steps and the etching gas, in particular SF 6 , is used at least largely only during the etching steps. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein hochdichtes Plasma mit mindestens 1012 reaktive Spezies/cm3 erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that a high-density plasma with at least 10 12 reactive species / cm 3 is generated. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein insbesondere gepulster Ionenbeschuss des Substrates, insbesondere mit einer Ionenergie von 1 eV bis 100 eV im Dauerstrichbetrieb oder im zeitlichen Mittel, erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that at least temporarily a pulsed during the etching steps Ion bombardment of the substrate, in particular with ion energy from 1 eV to 100 eV in continuous wave mode or on average, he follows. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein gepulster Ionenbeschuss des Substrates mit einer Ionenergie von 1 eV bis 50 eV im zeitlichen Mittel erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that at least temporarily a pulsed ion bombardment during the etching steps of the substrate with an ion energy of 1 eV to 50 eV in time Means done. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit einem Fortschreiten des Einätzens insbesondere kontinuierlich oder schrittweise reduziert wird.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized that the during the amount of the individual polymerization steps used of polymerization gas with progress of the etching in particular is reduced continuously or gradually. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Einätzen in separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten erfolgt, wobei als erster Schritt zu Beginn des Einätzens ein Polymerisationsschritt eingesetzt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized that the anisotropic etching in separate, alternating successive etching steps and polymerization steps, the first step being Start of etching a polymerization step is used.
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