DE10226320A1

DE10226320A1 - Selective oxidation of a layer containing an oxidizable material in a vertical component comprises providing the layer with holes to adjust a defined oxidation rate

Info

Publication number: DE10226320A1
Application number: DE2002126320
Authority: DE
Inventors: Carsten Dipl.-Phys. Möller
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 2002-06-10
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2004-01-08

Abstract

Selective oxidation of a layer containing an oxidizable material in a vertical component comprises providing the layer with holes to adjust a defined oxidation rate, and oxidizing the exposed regions of the layer through the holes.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur selektiven Oxidation mindestens einer Schicht in einem vertikalen Bauelement.The invention relates to a Process for the selective oxidation of at least one layer in one vertical component.

Ein solches Verfahren kann für die Oxidation von Schichten vertikaler Bauelemente eingesetzt werden, z.B. für Schichten von LED^`s, resonante LED's, VCSEL, Photodetektoren. Aber auch für rein elektrische Bauelemente, bei denen eine tiefliegende Schicht kontrolliert zu oxidieren ist, ist das Verfahren anwendbar.Such a method can be used for the oxidation of vertical layers of components, for example for layers of LED ^'s, resonant LEDs, VCSELs, photodetectors. The method can also be used for purely electrical components in which a deep-lying layer is to be oxidized in a controlled manner.

Ein vertikales Bauelement ist beispielsweise der erwähnte, aus einer Oberfläche vertikal emittierende Laser (VCSEL – vertical cavity surface emitting laser). Prinzipiell besteht ein solcher Laser aus drei übereinander angeordneten Schichtenpaketen: oberer Bragg-Spiegel, aktiver Bereich, unterer Bragg-Spiegel. Für VCSEL auf GaAs-Basis wird üblicherweise AlAs/GaAs als Spiegelmaterial benutzt. Bei der Verwendung von AlAs/GaAs als Spiegelmaterial ist es auf Grund des relativ schmalen Stoppbandes der AlAs/GaAs-Spiegel für das Bauelement von großer Wichtigkeit, dass die maximale Reflexion der Spiegel in Bezug auf die Kavitätswellenlänge optimal getunt ist. Dies setzt eine sehr hohe Reproduzierbarkeit des Wachstums/der Schichtdicken voraus, was im Prinzip nur mit Anlagen, die über in-situ Reflexionsmessungen verfügen, möglich ist. Abhilfe lässt sich dadurch schaffen, dass Materialien mit einem größerem Brechungsindexunterschied verwendet werden, und dadurch das Stoppband bei gleicher maximaler Reflexion um ein Vielfaches breiter und damit gegenüber Wachstumsschwankungen unkritischer wird. Bei monolithisch gewachsenen Bauelementen auf GaAs-Basis wird dazu das Aluminiumarsenid der Spiegelschichten durch Oxidation zu Aluminiumoxid umgeformt, wodurch der Brechungsindexunterschied hinsichtlich des GaAs vervierfacht wird.A vertical component is, for example mentioned from one surface vertically emitting laser (VCSEL - vertical cavity surface emitting laser). In principle, such a laser consists of three stacked layers: upper Bragg mirror, active area, lower Bragg mirror. For VCSEL based on GaAs is common AlAs / GaAs used as mirror material. When using AlAs / GaAs as a mirror material, it is due to the relatively narrow stop band the AlAs / GaAs mirror for the component of great Importance that the maximum reflection with respect to the mirror the cavity wavelength tuned optimally is. This sets a very high reproducibility of growth / Layer thicknesses ahead, which is in principle only possible with systems that have in-situ Have reflection measurements, possible is. Remedy can be by creating materials with a larger refractive index difference be used, and thereby the stop band at the same maximum Reflection many times wider and thus against fluctuations in growth becomes less critical. For monolithically grown components For this purpose, the aluminum arsenide of the mirror layers is made of GaAs Oxidation converted to alumina, causing the refractive index difference is quadrupled in terms of GaAs.

Dem Stand der Technik nach wurden bisher für die Oxidation Schichten bzw. Bauelementestrukturen als Mesen freigelegt, sodass das im Trägergas enthaltene Wasser durch die freigelegten Seiten die gewünschte Schicht lateral oxidieren kann (bespielsweise beschrieben in EP 0 905 835 A1 ). Die Oxidationsrate hängt dabei von der Zusammensetzung der zu oxidierenden Schicht und den Oxidationsparametern (Temperatur, Druck, Zeit, Wasserdampfstrom etc.) ab, hierfür ist der Spielraum aber sehr gering. Bei konstant gehaltenen Prozessbedingungen für die Oxidation ist die Oxidationsrate dieser Strukturen (z.B. runde Mesen) konstant, da sie nur noch von der Zusammensetzung und der Schichtdicke bzw. von der Epitaxie dieser Schichten abhängt. Eine weitere Schwierigkeit dieses Verfahrens besteht durch die prozesstechnologisch bedingte Höhe der gesamten Struktur. Dies erfordert die Benutzung dickerer Photolacke, die Probleme wie Maßhaltigkeit, Definitionsgenauigkeit sowie stark inhomogene Lackdickenverteilung mit sich bringen. Es ist deshalb ein Prozess erwünscht, mit dem sich die Oxidationstiefe in weiten Bereichen reproduzierbar steuern läßt, um die sehr hohen Wachstumsanforderungen an die Epitaxie zu senken, und der gleichzeitig das Bauelement planarisiert und damit den prozesstechnologischen Aufwand deutlich vereinfacht.According to the prior art, layers or component structures have so far been exposed as mesas for the oxidation, so that the water contained in the carrier gas can laterally oxidize the desired layer through the exposed sides (described for example in EP 0 905 835 A1 ). The oxidation rate depends on the composition of the layer to be oxidized and the oxidation parameters (temperature, pressure, time, steam flow, etc.), but the scope for this is very small. If the process conditions for the oxidation are kept constant, the oxidation rate of these structures (for example round mesas) is constant, since it only depends on the composition and the layer thickness or on the epitaxy of these layers. Another difficulty of this process is the process-related height of the entire structure. This requires the use of thicker photoresists, which cause problems such as dimensional accuracy, definition accuracy and highly inhomogeneous coating thickness distribution. A process is therefore desired with which the depth of oxidation can be reproducibly controlled over a wide range in order to reduce the very high growth requirements for the epitaxy, and which at the same time planarizes the component and thus significantly simplifies the process-technological effort.

In DE 100 35 913 A1 wird ein Verfahren zur Steuerung des Oxidationsprozesses beschrieben, bei dem in quer beabstandete Bereiche der zu oxidierenden Schicht Ionen implantiert werden, um so die Konzentration des oxidierbaren Materials dieser Schicht definiert zu beeinflussen. Nach der Oxidation liegen dann in einer Querrichtung der Schicht Bereiche mit unterschiedlichem Grad der Oxidation vor. Jedoch werden auch hier die zu oxidierenden Schichten zuerst als Mesen freigelegt.In DE 100 35 913 A1 describes a method for controlling the oxidation process, in which ions are implanted in transversely spaced regions of the layer to be oxidized, so as to influence the concentration of the oxidizable material of this layer in a defined manner. After the oxidation, areas with different degrees of oxidation are then present in a transverse direction of the layer. However, here too the layers to be oxidized are first exposed as mesas.

Abgesehen davon ist diese Lösung nicht für tiefliegende Schichten geeignet, da die darüber liegenden Schichten während der Implantation beschädigt werden.Other than that, this solution is not for low-lying Layers suitable as the one above lying layers during the implantation damaged become.

Deshalb ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur selektiven Oxidation einer Schicht in einem vertikalen Bauelement anzugeben, das reproduzier- und steuerbar ist und sich in den bekannten Herstellungsprozess einpasst. Das Verfahren soll eine optimale Einstellung der Oxidationsraten mit technisch wenig aufwendigen Mitteln erlauben sowie das Bauelement planarisieren und dadurch den Herstellungsaufwand stark reduzieren.It is therefore the object of the invention a method for the selective oxidation of a layer in a vertical Specify component that is reproducible and controllable and in the known Manufacturing process fits. The procedure is said to be an optimal setting allow the oxidation rates with technically inexpensive means and planarize the component and thereby the manufacturing effort greatly reduce.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gelöst, bei dem zunächst die ein oxidierbares Material enthaltende Schicht zur Einstellung einer definierten Oxidationsrate mit Löchern versehen wird und anschließend durch die Löcher hindurch die freiliegenden Bereiche der Schicht oxidiert werden.The object is achieved by a Procedure solved, at first the adjustment layer containing an oxidizable material holes are provided at a defined oxidation rate and then by the holes through which the exposed areas of the layer are oxidized.

In Ausführungsformen der Erfindung ist vorgesehen, dass die Löcher in der Schicht nasschemisch oder mittels Trockenätzverfahrens erzeugt werden.In embodiments of the invention it is intended that the holes can be generated in the layer by wet chemical means or by means of a dry etching process.

Weiterhin ist vorgesehen, dass über den Durchmesser und/oder die Anzahl der Löcher die Oxidationsrate eingestellt wird. Die Form des oxidierten Bereiches wird über die Anordnung der Löcher eingestellt, beispielsweise wird eine geradlinige oder rechteckige oder kreisförmige Anordnung der Löcher gewählt.It is also provided that the diameter and / or the number of holes the oxidation rate is adjusted. The shape of the oxidized area is about the arrangement of the holes adjusted for example, a straight line or rectangular or circular arrangement of the holes chosen.

Bei der erfindungsgemäßen Lösung wird die Oxidationsrate – zusätzlich von den bereits erwähnten Verfahrensparametern – von der Größe der Löcher, durch die die Wassermoleküle ja diffundieren müssen, bestimmt. Bei abnehmender Lochgröße nimmt die Oxidationsrate ab; werden die Löcher vergrößert, spielt dieser diffusionslimitierende Mechanismus eine immer kleinere Rolle, bis man sich schließlich wieder der „normalen" Oxidationsrate nähert. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht damit die Einstellung der Oxidationsrate in einem sehr weiten Bereich. Dies ist sehr vorteilhaft, denn wenn für die Bauelementeprozessierung eine optimale Oxidationsrate bei gleichbleibenden Oxidationsbedingungen erforderlich ist, muss dies nicht durch Epitaxieparameter der Struktur eingestellt bzw. kalibriert werden, was nicht nur ein langwieriger und kostspieliger Prozess ist, sondern auch ungenau in der Reproduzierbarkeit von Epitaxie zu Epitaxie.In the solution according to the invention, the oxidation rate - in addition to the process parameters already mentioned - is determined by the size of the holes through which the water molecules must diffuse. As the hole size decreases, the oxidation rate decreases; If the holes are enlarged, this diffusion-limiting mechanism plays an increasingly smaller role until one finally approaches the "normal" oxidation rate again. The method according to the invention thus makes it possible to set the oxidation rate in a very wide range. This is very advantageous, because if for the Component processing an opti If the oxidation rate is required at constant oxidation conditions, this does not have to be set or calibrated using epitaxial parameters of the structure, which is not only a lengthy and costly process, but also imprecise in the reproducibility from epitaxy to epitaxy.

Die erfindungsgemäße Lösung gestattet z.B. in einem vertikal lichtemittierenden Bauelement die Einstellung optimaler Oxidationsraten für die oberen und unteren Spiegelschichten und die Oxidstromblenden. Die Gesamthöhe der Bauelementestruktur stellt nun keine Schwierigkeit mehr dar, da in diesem Beispiel im erfindungsgemäßen Verfahren der untere Spiegel des Bauelements planarisiert wird und die notwendige genaue Definition der Kontaktringe durch Photolithographie erfolgen kann.The solution according to the invention allows e.g. in one vertically light-emitting component the setting optimal Oxidation rates for the top and bottom mirror layers and the oxide current shutters. The total height the component structure is no longer a problem, since in this example in the process according to the invention the lower mirror of the component is planarized and the necessary precise definition the contact rings can be done by photolithography.

Im Folgenden werden einige Erläuterungen zur Oxidation von Al-haltigen Spiegeln in vertikal lichtemittierenden Bauelementen gegeben.Below are some explanations for Oxidation of Al-containing mirrors in vertically light-emitting Given components.

Nur bei optimaler Oxidation der Spiegel in einem vertikal lichtemittierenden Bauelement ist eine optimale Güte zu erreichen. Das bedeutet, dass der Oxidationsprozess gestoppt werden muss, sobald der Spiegel vollständig von aussen bis zur Mitte oxidiert ist. Wird der Spiegel noch weiter oxidiert, wird er regelrecht „überoxidiert" und degradiert. Diese Steuerung ist nunmehr mit dem erfindungsgemäßen Verfahren über die Anzahl und Größe der Löcher, die in die zu oxidierende Schicht eingebracht werden, sehr einfach zu handhaben.Only if the mirrors are optimally oxidized in a vertically light-emitting component is an optimal one Goodness too to reach. That means that the oxidation process will be stopped once the mirror is complete is oxidized from the outside to the middle. The mirror continues oxidized, it is literally "overoxidized" and degraded. This control is now with the inventive method on the Number and size of holes that can be introduced into the layer to be oxidized very easily handle.

Werden nicht stromleitfähige Spiegel verwendet, dies trifft z.B. für oxidierte Spiegel zu, so ist ein Intrakavitätskontakt zur Kontaktierung des aktiven Bereiches notwendig. Durch diese Intrakavitätskontakte am vertikal lichtemittierenden Bauelement ist automatisch der untere Spiegel im Durchmesser größer auszubilden als der obere. Wenn nun die Oxidationsraten des oberen und unteren Spiegels gleich wären, wäre der obere Spiegel bereits vollständig oxidiert, der untere, größere, jedoch nicht. Um diesen durchzuoxidieren, wäre eine längere Zeit nötig, was zu einem Überoxidieren des oberen Spiegels führen würde. Deswegen ist ein genaues Einstellen der unterschiedlichen Oxidationsraten für den oberen und den unteren Spiegel notwendig, was bisher z.B. durch unterschiedliche Schichtenkomposition bzw. Anpassen der Epitaxieparameter erfolgte. Auch hier ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren wieder über die Anzahl und Größe der Löcher, die unterschiedlich für die einzelnen Spiegelschichten ausgewählt werden, eine sehr einfache Steuerung der Oxidationsrate. Die Oxidation des unteren Spiegels erfolgt durch kleinste Löcher (Ø im μm-Bereich). Die Struktur ist vom Prinzip her dann schon von vornherein planar, da der untere Spiegel nicht mehr komplett freigelegt werden muss, sondern stattdessen durch die geätzten Löcher oxidiert wird.Become non-conductive mirrors used, e.g. For oxidized mirrors, there is an intracavity contact for contacting of the active area necessary. Through these intracavity contacts the lower one is automatically on the vertically light-emitting component Make mirrors larger in diameter than the top one. If now the oxidation rates of the upper and lower Would be the same, would be the upper mirror already completely oxidized, the lower, larger, however Not. It would take a long time to oxidize this, too an overoxidation of the top mirror would lead. therefore is an exact setting of the different oxidation rates for the upper and lower mirror necessary, which was previously e.g. by different layer composition or adaptation of the epitaxial parameters took place. Enabled here too the inventive method again over the number and size of the holes that different for the individual mirror layers are selected, a very simple one Control the rate of oxidation. The oxidation of the lower mirror takes place through the smallest holes (Ø in the μm range). The structure is basically planar from the outset, since the lower one Mirror no longer needs to be completely exposed, but instead through the etched holes is oxidized.

Wie bereits auch dem Stand der Technik nach bekannt, kann durch Zugabe von Ga zu einer AlAs-Schicht die Oxidation dieser Schicht verlangsamt werden. Den richtigen Ga-Gehalt sowohl für den oberen und den unteren Spiegel und die Oxidstromblenden genau zu treffen, ist aufgrund der Schwankungen in der Epitaxie von Run-zu-Run sehr schwierig. Durch die erfindungsgemäße Lösung ist es nun möglich, auf die Kalibrierung des unteren Spiegels zu verzichten, sodass lediglich zwei statt drei Oxidationsraten durch die Epitaxie eingestellt werden müssen. Die dritte Oxidationsrate, die des unteren Spiegels, wird durch die Erfindung prozesstechnisch festgelegt.As already according to the state of the art known, the oxidation can be done by adding Ga to an AlAs layer this layer will be slowed down. The right Ga content both for the top and bottom mirrors and oxide flow shutters exactly shut is due to fluctuations in the epitaxy from run-to-run very difficult. With the solution according to the invention it is now possible to to dispense with the calibration of the lower mirror, so that only two instead of three oxidation rates can be set by the epitaxy have to. The third rate of oxidation, that of the lower mirror, is due to the invention is determined in terms of process technology.

Die erfindungsgemäße Lösung bringt auch – wie bereits erwähnt – in Bezug auf eine bisher notwendige Planarisierung Vorteile. Geht man beispielsweise von der Höhe einer bekannten VCSEL-Struktur aus, oberer Spiegel (1,5 μm), Kavität (aktiver Bereich mit stromzuführenden Schichten 1,5 μm) und unterer Spiegel (2,1 μm), ergibt sich eine Gesamthöhe aller drei Mesen von 5,1 μm.The solution according to the invention also brings - as already mentioned - in relation benefits from a planarization that was previously necessary. For example, if you go from the height a known VCSEL structure, upper mirror (1.5 μm), cavity (more active Area with power supply Layers 1.5 μm) and lower mirror (2.1 μm), there is a total height of all three meses of 5.1 μm.

Bei einer derartigen 3-Mesen Struktur ist immer eine Planarisierung der unteren Spiegel (z.B. mit BCB, einem Polymer), was immer einen kritischen Schritt darstellt, notwendig. Zum Einen ist der Lack nämlich nicht auf der ganzen Struktur gleichmäßig dick verteilt, sondern auf den top-Spiegeln befindet sich nur noch ein Bruchteil der Lackdicke, verglichen mit der Lackdicke zwischen den Strukturen. Zum Anderen wird die Lithographie ungenauer, je dicker der verwendete Lack ist. Hinzu kommen die Lackwulste durch das Aufschleudern des Lackes, denn ein dicker Lack ist zähflüssig und bildet am Rand vermehrt „Wellen". Die Höhe dieser „Wellen" kann durchaus das Doppelte der Lackdicke im Zentrum betragen. Für unterschiedliche Lackdicken muss man natürlich unterschiedliche Belichtungszeiten etc. einstellen, d.h. es wird entweder der dünne Lackbereich oder der dicke Lackbereich optimal entwickelt. Je dicker der Lack ist, desto weiter ragen diese „Lackwellen" in das Waferzentrum hinein. Beispielsweise hinterlässt ein 1,5μm dicker Lack bei einem 1/4 Stück eines 2"-Wafers max. 2 mm unbrauchbaren Rand, ein 3,5 μm dicker Lack jedoch mindestens 5 mm Rand.With such a 3-meter structure is always a planarization of the lower mirrors (e.g. with BCB, a polymer), which is always a critical step. Firstly, there is the paint not evenly distributed over the entire structure, but on the top mirrors there is only a fraction of the paint thickness, compared to the paint thickness between the structures. On the other hand the thicker the varnish used, the less precise the lithography. In addition, there are the paint beads by spinning the paint on, because a thick varnish is viscous and forms more "waves" on the edge. The height of these "waves" can do that Double the paint thickness in the center. For different paint thicknesses you have to have different Set exposure times etc., i.e. it becomes either the thin paint area or the thick paint area is optimally developed. The thicker the paint is, the further these "paint waves" protrude into the wafer center into it. For example, leaves one 1.5μm thicker Lacquer with a 1/4 piece of a 2 "wafer Max. 2 mm unusable edge, but a 3.5 μm thick lacquer at least 5 mm edge.

Wird nun das erfindungsgemäße Verfahren angewendet, d.h. werden Löcher in dem unteren Spiegel mit einem Durchmesser kleiner oder gleich Lackdicke zur Definition der Intrakavitätskontakte verwendet, so werden sie die Lackdickenverteilung nur unscheinbar beeinflussen, da sie „zugespült" werden. Es liegt also vom Prinzip her schon eine planare Struktur vor, da der untere Spiegel – wie bereits beschrieben – nicht mehr komplett freigelegt werden muss, sondern die Oxidation durch die geätzten Löcher erfolgt.If the method according to the invention is now used, i.e. become holes in the lower mirror with a diameter less than or equal to the paint thickness used to define intracavity contacts, so they will only affect the paint thickness distribution inconspicuously, because they are "washed up". It lies So in principle there is already a planar structure, since the lower one Mirror - like already described - not more must be completely exposed, but through the oxidation the etched holes he follows.

Die Erfindung wird in folgendem Ausführungsbeispiel anhand von Figuren näher erläutert.The invention is shown in the following embodiment based on figures explained.

Dabei zeigen:Show:

1 die Aufsicht auf ein AlAs/GaAs-Schichtenpaket mit Löchern nach erfolgter Oxidation; 1 the supervision of an AlAs / GaAs layer package with holes after oxidation;

2 eine Kurve, die die Abhängigkeit der Oxidationsrate von der Löchergröße bei 420 °C Oxidationstemperatur darstellt; 2 a curve that shows the dependence of the Oxidation rate from hole size at 420 ° C oxidation temperature;

3 eine ebensolche Kurve, jedoch bei einer Oxidationstemperatur von 440 °C. 3 the same curve, but at an oxidation temperature of 440 ° C.

In ein AIAs/GaAs-Schichtenpaket wurden quadratisch angeordnete Löcher mit einem Durchmesser von 5 μm geätzt. Anschließend erfolgte die nasschemische Oxidation der Al-haltigen Schichten, z.B. Al_xGa_1–xAs mit 0,9 ⩽ x ⩽ 1, bei 420 °C. Das Ergebnis ist in 1 gezeigt.Square holes with a diameter of 5 μm were etched into an AIAs / GaAs layer package. Then the wet-chemical oxidation of the Al-containing layers, for example Al _x Ga _1-x As with 0.9 ⩽ x ⩽ 1, took place at 420 ° C. The result is in 1 shown.

Der Vergleich der in 2 und 3 dargestellten Kurven zeigt deutlich, dass die Oxidationsrate durch die Größe der Löcher bei sonst konstant gehaltenen Oxidationsbedingungen (hier: Oxidationstemperatur T_O _x 420°C bzw. 440°C) eingestellt werden kann.The comparison of the in 2 and 3 The curves shown clearly show that the oxidation rate can be set by the size of the holes under otherwise constant oxidation conditions (here: oxidation temperature T _O _x 420 ° C or 440 ° C).

Darüber hinaus kann die Oxidationsrate zusätzlich über die Anzahl der Löcher eingestellt werden.In addition, the rate of oxidation additionally about the number of holes can be set.

Lochgrößen zwischen 1 μm und 15 μm im Durchmesser ermöglichten bisher erfolgreich in dem erfindungsgemäßen Verfahren die beschriebene Beeinflussung der Oxidation. Kleinere Durchmesser sind ebenfalls möglich, jedoch erfolgt nach unten eine Begrenzung durch deren prozesstechnologische Herstellung (Definition der Löcher durch Lithographie und die verwendete Ätztechnik).Hole sizes between 1 μm and 15 μm in diameter enabled so far successfully described in the inventive method Influencing the oxidation. Smaller diameters are also possible, however, there is a lower limit due to their process technology Manufacturing (definition of the holes by lithography and the etching technique used).

Es sei darauf hingewiesen, dass bei kreisförmiger Anordnung der kleinen Löcher im μm-Bereich und anschließender Oxidation prinzipiell das gleiche Ergebnis erreicht wird wie bei der Freilegung des zu oxidierenden Bereiches als Mesa und anchließender Oxidation: nämlich ein runder oxidierter Bereich.It should be noted that at circular Arrangement of the small holes in the μm range and followed by In principle, the same result is achieved as with the exposure of the area to be oxidized as a mesa and subsequent oxidation: namely a round oxidized area.

Claims

Process for the selective oxidation of an an oxidizable Layer containing material in a vertical component, at the - first the a layer containing an oxidizable material for adjusting a defined oxidation rate with holes is provided and - then through the holes through which the exposed areas of the layer are oxidized.

The method of claim 1, wherein the holes in the layer are wet chemical be generated.

The method of claim 1, wherein the holes in the layer are by means of dry etching be generated.

The method of claim 1, wherein the oxidation rate over the Diameter and / or the number of holes is set.

The method of claim 1, wherein the shape of the oxidized region over the Arrangement of the holes is set.