DE10224137A1 - Etching gas and dry etching method - Google Patents
Etching gas and dry etching methodInfo
- Publication number
- DE10224137A1 DE10224137A1 DE2002124137 DE10224137A DE10224137A1 DE 10224137 A1 DE10224137 A1 DE 10224137A1 DE 2002124137 DE2002124137 DE 2002124137 DE 10224137 A DE10224137 A DE 10224137A DE 10224137 A1 DE10224137 A1 DE 10224137A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- etching
- layer
- proportion
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Ätzgas für die Herstellung eines Halbleiterbausteins mittels eines Trockenätzverfahrens mit mindestens einem Anteil von C¶x¶F¶y¶H¶z¶-Gas, insbesondere C¶5¶F¶8¶, C¶4¶F¶6¶, C¶4¶F¶8¶ und/oder C¶2¶F¶4¶H¶2¶, gekennzeichnet durch einen molaren Wasserstoff-Anteil, der größer ist als der molare Anteil des C¶x¶F¶y¶H¶z¶-Gases. Damit wird eine hohe Selektivität in Bezug auf eine Resistschicht 10 erreicht.The invention relates to an etching gas for the production of a semiconductor device by means of a dry etching process with at least a portion of C¶x¶F¶y¶H¶z¶ gas, in particular C¶5¶F¶8¶, C¶4¶F¶6 ¶, C¶4¶F¶8¶ and / or C¶2¶F¶4¶H¶2¶, characterized by a molar proportion of hydrogen that is greater than the molar proportion of C¶x¶F¶y¶ H¶z¶ gas. A high selectivity with respect to a resist layer 10 is thus achieved.
Description
Die Erfindung betrifft ein Ätzgas nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Trockenätzen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 4. The invention relates to an etching gas according to the preamble of Claim 1 and a method for dry etching according to Preamble of claim 4.
Insbesondere bei der Herstellung von DRAM-Bauelementen ist es notwendig, tiefe Strukturen in ein Halbleistersubstrat einzubringen. Wie z. B. aus der DE 100 00 003 oder der DE 198 52 763 bekannt ist, weist das Halbleitersubstrat dabei verschiedene Schichten auf, die mit einem Trockenätzverfahren strukturiert werden. Die Bereiche der Schichten, die nicht durch das Trockenätzverfahren strukturiert werden sollen, werden durch eine Lackschicht (Resistschicht) geschützt. It is particularly in the manufacture of DRAM devices necessary deep structures in a semi-conductor substrate contribute. Such as B. from DE 100 00 003 or DE 198 52 763 is known, the semiconductor substrate has different layers with a dry etching process be structured. The areas of the layers that are not to be structured by the dry etching process, are protected by a layer of lacquer (resist layer).
Diese Resistschicht wird zunehmend immer dünner ausgebildet, da die herzustellenden Strukturen immer kleiner werden. Da die Ätzzeiten gerade für die Herstellung tiefer Strukturen (z. B. Deep-Trenches bei DRAM-Speicherzellen) immer länger werden, ist die Selektivität für die Ätzung der Maske, insbesondere der Resistschicht, von großer Bedeutung. Im Idealfall soll die Resistschicht durch die Trockenätzung nicht angegriffen werden (d. h. es liegt eine unendliche Selektivität vor). Bei bekannten Trockenätzverfahren wird die notwendige hohe Selektivität nicht erreicht. Dies gilt insbesondere bei der Trockenätzung von SiN-Schichten oder verwandten Materialien, wie z. B. SiON. Die gleiche Problematik ergibt sich auch bei der Herstellung anderer Baueleemente auf Halbleitersubstraten, wie z. B. Logikbauelementen. This resist layer is increasingly thin, because the structures to be manufactured are getting smaller and smaller. There the etching times especially for the production of deep structures (e.g. deep trenches with DRAM memory cells) always longer is the selectivity for the etching of the mask, especially the resist layer, of great importance. in the Ideally, the resist layer should be dry etched not be attacked (i.e. there is an infinite Selectivity before). In known dry etching processes necessary high selectivity not achieved. this applies especially when dry etching SiN layers or related materials, such as. B. SiON. The same Problems also arise in the manufacture of others Components on semiconductor substrates, such as. B. Logic devices.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Ätzgas für ein Trockenätzungsverfahren zu schaffen, mit dem eine hohe Selektivität in Bezug auf eine Resistschicht erreicht wird. The present invention is based on the object To create etching gas for a dry etching process with which high selectivity with regard to a resist layer is achieved.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Ätzgas mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. This object is achieved by an etching gas with the Features of claim 1 solved.
Ein erfindungsgemäßes Ätzgas für die Herstellung eines Halbleiterbausteins mittels eines Trockenätzverfahrens weist mindestens einen Anteil von CxFyHZ-Gas auf. Insbesondere weist das Ätzgas mindestens einen Anteil C5F8, C4F6, C4F8 und/oder C2F4H2 auf (d. h. der Wasserstoffanteil kann auch Null sein). Erfindungsgemäß weist das Ätzgas einen molaren Wasserstoff- Anteil auf, der größer ist, als der molare Anteil des CxFyHZ- Gases. Es hat sich überraschend gezeigt, dass ein solches Ätzgas eine sehr hohe Selektivität gegenüber Resistschichten aufweist. Dies gilt insbesondere für Resiste, die bei Belichtungswellenlängen von 193 nm bzw. 157 nm verwendet werden. Durch die hohe Selektivität können die Resistschichtdicken klein gewählt werden. Auch zeigte sich eine verminderte Seitenwandrauhigkeit an den Resistflanken. An etching gas according to the invention for the production of a semiconductor module by means of a dry etching process has at least a proportion of C x F y H Z gas. In particular, the etching gas has at least a portion of C 5 F 8 , C 4 F 6 , C 4 F 8 and / or C 2 F 4 H 2 (ie the hydrogen portion can also be zero). According to the invention, the etching gas has a molar proportion of hydrogen which is greater than the molar proportion of the C x F y H Z gas. It has surprisingly been found that such an etching gas has a very high selectivity towards resist layers. This applies in particular to resists that are used at exposure wavelengths of 193 nm and 157 nm. Due to the high selectivity, the resist layer thicknesses can be chosen to be small. A reduced sidewall roughness was also found on the resist flanks.
Vorteilhaft ist es, wenn der molare Wasserstoff-Anteil dreimal, insbesondere zehnmal größer ist als der molare Anteil des CxFyHZ-Gases. Bei solchen Verhältnissen kann eine im wesentlichen unendliche Selektivität erreicht werden, da Resiste nicht angegriffen werden. It is advantageous if the molar proportion of hydrogen is three times, in particular ten times, greater than the molar proportion of the C x F y H Z gas. At such ratios, an essentially infinite selectivity can be achieved since resists are not attacked.
Vorteilhaft ist es, wenn das erfindungsgemäße Ätzgas einen Anteil eines Trägergases, insbesondere Argon aufweist. It is advantageous if the etching gas according to the invention is one Portion of a carrier gas, in particular argon.
Die Aufgabe wird auch durch ein Verfahren nach Anspruch 4 gelöst. The object is also achieved by a method according to claim 4 solved.
Erfindungsgemäß wird ein Ätzgas mit mindestens einem Anteil von CxFyHZ-Gas; insbesondere wird mindestens ein Anteil an C5F8, C4F6, C4F8 und/oder C2F4H2 verwendet. Erfindungsgemäß weist das Ätzgas einen molaren Wasserstoff-Anteil auf, der größer ist, als der molare Anteil des CxFyHZ-Gases. According to the invention, an etching gas with at least a proportion of C x F y H Z gas; in particular at least a proportion of C 5 F 8 , C 4 F 6 , C 4 F 8 and / or C 2 F 4 H 2 is used. According to the invention, the etching gas has a molar proportion of hydrogen which is greater than the molar proportion of the C x F y H Z gas.
Vorteilhafterweise wird eine SiN-, SiON- und/oder Oxidschicht geätzt. Advantageously, a SiN, SiON and / or Etched oxide layer.
Vorteilhafterweise ist das Trockenätzverfahren als RIE- Verfahren, MERIE-Verfahren, ein Verfahren mit induktiv gekoppelten Quellen, ein Verfahren mit Dual Frequency Quellen, ein Verfahren mit ECR-Quellen oder ein Verfahren mit Helicon Quellen ausgebildet. The dry etching process is advantageously an RIE Process, MERIE process, a process with inductive coupled sources, a process with dual frequency Sources, a procedure with ECR sources or a procedure with Helicon sources trained.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen: The invention is described below with reference to the Figures of the drawings on several embodiments explained in more detail. Show it:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer MERIE-Ätzung mit einem erfindungsgemäßen Ätzgas; Fig. 1 is a schematic view of a MERIE etching with an etching gas according to the invention;
Fig. 2 eine schematische Darstellung des Ergebnisses der erfindungsgemäßen Ätzung gemäß Fig. 1; FIG. 2 shows a schematic illustration of the result of the etching according to the invention according to FIG. 1;
Fig. 3 eine Durchzeichnung einer vergrößerten Aufnahme eines Ätzvorgangs mit einem bekannten Verfahren; Figure 3 is a tracing of a magnified photograph of an etching operation by a known method.
Fig. 4 eine Durchzeichnung einer vergrößerten Aufnahme eines Ätzvorgangs mit dem erfindungsgemäßen Verfahren. Fig. 4 is a tracing of an enlarged picture of an etching process with the inventive method.
In Fig. 1 ist eine zu strukturierende Schicht 1 der Dicke C dargestellt, die auf Substratschichten 2, 3 aufgewachsen ist. Die zu strukturierend Schicht soll mittels eines eine eines grundsätzlich bekannten Trockenätzverfahrens (MERIE: magnetically enhanced reactive ion etching) bearbeitet werden. In Fig. 1 there is shown a layer to be structured one of the thickness C, which is grown on substrate layers 2, 3. The layer to be structured is to be processed using one of a basically known dry etching method (MERIE: magnetically enhanced reactive ion etching).
Bei Trockenätzverfahren wird in grundsätzlich bekannter Weise ein gasförmiges Medium (Ätzgas) durch Gasentladung in einem hochfrequenten Wechselfeld angeregt. Die im elektrischen Feld beschleunigten Ionen des Ätzgases und angeregte Neutralteilchen übertragen ihre Energie auf die zu strukturierende Schicht 1. Beim reaktiven Ionenätzen (RIE, MERIE) findet ein chemisch/physikalischer Materialabtrag statt. Diese Trockenätzverfahren sind besonders für anisotropes Ätzen geeignet. In dry etching processes, a gaseous medium (etching gas) is excited in a generally known manner by gas discharge in a high-frequency alternating field. The ions of the etching gas accelerated in the electrical field and excited neutral particles transfer their energy to the layer 1 to be structured. With reactive ion etching (RIE, MERIE) chemical / physical material removal takes place. These dry etching processes are particularly suitable for anisotropic etching.
Im vorliegenden Beispiel soll die Schicht 1 im Rahmen der Herstellung eines DRAM mit einem Deep-Trench mit einem MERIE- Verfahren strukturiert werden. Grundsätzlich kann das nachfolgend beschriebene Verfahren auch bei anderen Bauelementenn (z. B. Flashspeicher, Mikroprozessoren, ASIC) und anderen Trockenätzverfahren angewandt werden. In the present example, layer 1 is to be structured using a MERIE method as part of the production of a DRAM with a deep trench. In principle, the method described below can also be used with other components (e.g. flash memories, microprocessors, ASIC) and other dry etching methods.
Auf die zu strukturierende Schicht 1 ist eine Lackschicht 10 (Resist) mit einer Anfangsdicke A aufgebracht worden. Die Resistschicht 10 deckt die Bereiche der zu strukturierenden Schicht 1 ab, die nicht geätzt werden sollen. A lacquer layer 10 (resist) with an initial thickness A has been applied to the layer 1 to be structured. The resist layer 10 covers the areas of the layer 1 to be structured that are not to be etched.
In dem Bereich oberhalb der Resistschicht 10 sind die Gasmoleküle des erfindungsgemäßen Ätzgases dargestellt. Das Ätzgas weist einen Anteil an CxFyHZ-Gas auf. Üblicherweise sind diese Verbindung nur bis fünf Kohlenstoffatome im Moleküle bei den verwendeten Betriebsbedingungen gasförmig. Unter die CxFyHZ-Gase fallen C5F8, C4F6, C4F8 und C2F4H2, sowohl als aliphatische als auch als ringförmige Isomere. Im vorliegenden Beispiel wird ringförmiges C4F8 (Oktafluorcyclobutan) mit Argon als Schutzgas verwendet. In Fig. 1 ist daher nur ein CxFy Molekül symbolisch dargestellt. The gas molecules of the etching gas according to the invention are shown in the area above the resist layer 10 . The etching gas has a proportion of C x F y H Z gas. These compounds are usually only gaseous to five carbon atoms in the molecule under the operating conditions used. The C x F y H Z gases include C 5 F 8 , C 4 F 6 , C 4 F 8 and C 2 F 4 H 2 , both as aliphatic and as ring-shaped isomers. In the present example, ring-shaped C 4 F 8 (octafluorocyclobutane) with argon is used as protective gas. In Fig. 1, therefore, only one C x F y molecule is shown symbolically.
Erfindungsgemäß wird dem Ätzgas ein Anteil an Wasserstoff-Gas zugesetzt, dessen molarer Anteil größer ist als der des CxFyHZ-Gases ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das molare Verhältnis von CxFyHZ-Gas zu Wasserstoffgas eins zu zehn. According to the invention, a proportion of hydrogen gas is added to the etching gas, the molar proportion of which is greater than that of the C x F y H Z gas. In the present exemplary embodiment, the molar ratio of C x F y H Z gas to hydrogen gas is one to ten.
Bei bekannten Ätzgasen und Ätzverfahren (siehe Fig. 3) wird die Resistschicht 10 durch das Ätzgas angegriffen, so dass für lange Ätzzeiten, die beim Deep-Trench-Ätzen notwendig sind, vorsorglich eine besonders dicke Resistschicht 10 notwendig war, was nachteilig ist. In the case of known etching gases and etching processes (see FIG. 3), the resist layer 10 is attacked by the etching gas, so that a particularly thick resist layer 10 was necessary as a precaution for long etching times which are necessary in deep trench etching, which is disadvantageous.
Durch das erfindungsgemäße Ätzgas und das erfindungsgemäße Ätzen wird die Resistschicht 10 nicht oder nur sehr wenig angegriffen, was in Fig. 2 dargestellt ist. The resist layer 10 is not or only slightly attacked by the etching gas according to the invention and the etching according to the invention, which is shown in FIG. 2.
Fig. 2 zeigt den Zustand nach der Ätzung. Die zu
strukturierende Schicht 1 ist an zwei Stellen bis auf die
Substratschicht 2 geätzt worden. Die Resistschicht 10 weist
nach dem Ätzen eine Enddicke B auf. Die Differenz zwischen
der Anfangsdicke A und Enddicke B ist sehr klein. Die
Differenz kann sogar verschwinden (siehe Fig. 4). Das
erfindungsgemäße Ätzgas hat somit nur die zu strukturierende
Schicht 1 geätzt, nicht die Resistschicht 10. Dies zeigt eine
hohe Selektivität an, die wie folgt definiert ist:
Fig. 2 shows the state after the etching. The layer 1 to be structured has been etched at two points down to the substrate layer 2 . The resist layer 10 has a final thickness B after the etching. The difference between the initial thickness A and final thickness B is very small. The difference can even disappear (see Fig. 4). The etching gas according to the invention has thus only etched the layer 1 to be structured, not the resist layer 10 . This indicates a high selectivity, which is defined as follows:
Für den Fall, dass die Resistschicht 10 nicht geätzt wird, liegt sogar eine unendlich hohe Selektivität vor. In the event that the resist layer 10 is not etched, there is even an infinitely high selectivity.
Der hohe Anteil an Wasserstoff-Gas im Verhältnis zu dem CxFyHZ-Gas sorgt dafür, dass atomares, reaktives Fluor schnell zu HF reagiert, abgepumpt wird und somit nicht mehr reaktiv wirksam wird. The high proportion of hydrogen gas in relation to the C x F y H Z gas ensures that atomic, reactive fluorine reacts quickly to HF, is pumped out and is therefore no longer reactive.
In den Fig. 3 und 4 wird die Wirkungsweise des bekannten Ätzens und des erfindungsgemäßen Ätzens dargestellt. In FIGS. 3 and 4, the operation of the well-known etching and etching according to the invention is illustrated.
In Fig. 3 ist eine Struktur dargestellt, die mit einem bekannten Verfahren hergestellt wurde. Dabei stellt ein eingeblendetes Bild X den Zustand nach dem Ätzen eines Deep- Trenches dar. Das Bild X ist der Darstellung des Anfangszustandes überlagert. FIG. 3 shows a structure which was produced using a known method. An overlaid image X represents the state after the etching of a deep trench. Image X is superimposed on the representation of the initial state.
Die Anfangsdicke A der Resistschicht 10 beträgt 299 nm, die Enddicke B der Resistschicht 10 beträgt 186 nm (siehe Bild X), d. h. beim Ätzen des Deep-Trenches wurde die Dicke der Resistschicht 10 um 113 nm verringert. Die zu ätzende SiN- Schicht 1 weist eine Dicke von 300 nm auf. Daher beträgt die Selektivität des Verfahrens ca. ein Drittel. The initial thickness A of the resist layer 10 is 299 nm, the final thickness B of the resist layer 10 is 186 nm (see Figure X), ie the thickness of the resist layer 10 was reduced by 113 nm when etching the deep trench. The SiN layer 1 to be etched has a thickness of 300 nm. The selectivity of the process is therefore approximately one third.
Demgegenüber ist in Fig. 4 das Ergebnis eines Ätzvorgangs mit einem erfindungsgemäßen Ätzgas dargestellt. Dabei wird der Endzustand durch das eingeblendetre Bild Y dargestellt. Es ist zu erkennen, dass die Resistschicht 10 nicht angegriffen wurde, d. h. Enddicke B und Anfangsdicke A stimmen überein. Die Selektivität ist unendlich. In contrast, the result of an etching process with an etching gas according to the invention is shown in FIG. 4. The final state is shown by the displayed image Y. It can be seen that the resist layer 10 has not been attacked, ie final thickness B and initial thickness A match. The selectivity is infinite.
Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf
die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele.
Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem
erfindungsgemäßen Ätzgas und dem erfindungsgemäßen
Ätzverfahren auch bei grundsätzlich anders gearteten
Ausführungen Gebrauch machen.
Bezugszeichenliste
1 zu strukturierende Schicht
2, 3 Substratschichten
10 Resistschicht
A Anfangsdicke Resistschicht
B Enddicke Resistschicht
C Dicke der zu strukturierenden Schicht
X eingeblendetes Bild des Endzustandes beim bekannten
Verfahren
Y eingeblendetes Bild des Endzustandes beim
erfindungsgemäßen Verfahren
The embodiment of the invention is not limited to the preferred exemplary embodiments specified above. Rather, a number of variants are conceivable which make use of the etching gas and the etching method according to the invention even in the case of fundamentally different types. Reference Signs List 1 layer to be structured
2 , 3 substrate layers
10 resist layer
A Initial thickness of the resist layer
B Final thickness of the resist layer
C thickness of the layer to be structured
X superimposed image of the final state in the known method
Y superimposed image of the final state in the method according to the invention
Claims (6)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2002124137 DE10224137A1 (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Etching gas and dry etching method |
| TW92113262A TW200401364A (en) | 2002-05-24 | 2003-05-15 | Etching gas and process for dry etching |
| PCT/DE2003/001654 WO2003100843A2 (en) | 2002-05-24 | 2003-05-16 | Etching gas and method for dry etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2002124137 DE10224137A1 (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Etching gas and dry etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10224137A1 true DE10224137A1 (en) | 2003-12-04 |
Family
ID=29414275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2002124137 Ceased DE10224137A1 (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Etching gas and dry etching method |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10224137A1 (en) |
| TW (1) | TW200401364A (en) |
| WO (1) | WO2003100843A2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
| US9748366B2 (en) | 2013-10-03 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Etching oxide-nitride stacks using C4F6H2 |
| US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
| US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
| US10364197B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-07-30 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating |
| US10501843B2 (en) | 2013-06-20 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US10734202B2 (en) | 2013-06-05 | 2020-08-04 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
| US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
| US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
| US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
| US9685356B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
| US8941969B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
| US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
| US9887121B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Protective cover for electrostatic chuck |
| US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3940506A (en) * | 1973-05-17 | 1976-02-24 | Itt Industries, Inc. | Selective plasma etching and deposition |
| US5707486A (en) * | 1990-07-31 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process |
| JP2000340552A (en) * | 1999-04-26 | 2000-12-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Anisotropic nitride etching having high sensitivity with respect to oxide and photoresist layer |
| US6251770B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-26 | Lam Research Corp. | Dual-damascene dielectric structures and methods for making the same |
| DE10053780A1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Process for structuring a silicon oxide layer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0001538B1 (en) * | 1977-10-06 | 1983-01-12 | International Business Machines Corporation | Method for reactive ion etching of an element |
| JP3215151B2 (en) * | 1992-03-04 | 2001-10-02 | 株式会社東芝 | Dry etching method |
| US6184150B1 (en) * | 1992-09-08 | 2001-02-06 | Applied Materials Inc. | Oxide etch process with high selectivity to nitride suitable for use on surfaces of uneven topography |
| JP3553688B2 (en) * | 1995-05-10 | 2004-08-11 | アネルバ株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JPH09167755A (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nec Corp | Plasma oxide film processor |
| JP3305270B2 (en) * | 1998-09-14 | 2002-07-22 | 宮崎沖電気株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2002
- 2002-05-24 DE DE2002124137 patent/DE10224137A1/en not_active Ceased
-
2003
- 2003-05-15 TW TW92113262A patent/TW200401364A/en unknown
- 2003-05-16 WO PCT/DE2003/001654 patent/WO2003100843A2/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3940506A (en) * | 1973-05-17 | 1976-02-24 | Itt Industries, Inc. | Selective plasma etching and deposition |
| US5707486A (en) * | 1990-07-31 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process |
| JP2000340552A (en) * | 1999-04-26 | 2000-12-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Anisotropic nitride etching having high sensitivity with respect to oxide and photoresist layer |
| US6251770B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-26 | Lam Research Corp. | Dual-damascene dielectric structures and methods for making the same |
| DE10053780A1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Process for structuring a silicon oxide layer |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| US 2001/00 54 601 A1 * |
| US 2002/00 00 422 A1 * |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10364197B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-07-30 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating |
| US11279661B2 (en) | 2012-02-22 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating |
| US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
| US10056284B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-08-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck optimized for refurbishment |
| US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
| US11179965B2 (en) | 2013-03-14 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck optimized for refurbishment |
| US10734202B2 (en) | 2013-06-05 | 2020-08-04 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
| US10501843B2 (en) | 2013-06-20 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US11053581B2 (en) | 2013-06-20 | 2021-07-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US11680308B2 (en) | 2013-06-20 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US9748366B2 (en) | 2013-10-03 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Etching oxide-nitride stacks using C4F6H2 |
| US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
| US10679885B2 (en) | 2015-11-17 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
| US11476146B2 (en) | 2015-11-17 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
| US11769683B2 (en) | 2015-11-17 | 2023-09-26 | Applied Materials, Inc. | Chamber component with protective ceramic coating containing yttrium, aluminum and oxygen |
| US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200401364A (en) | 2004-01-16 |
| WO2003100843A2 (en) | 2003-12-04 |
| WO2003100843A3 (en) | 2004-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10224137A1 (en) | Etching gas and dry etching method | |
| DE2930293A1 (en) | ACTION PROCESS IN PRODUCING AN OBJECT | |
| DE69935100T2 (en) | Process for etching a metallization by means of a hard mask | |
| DE10127622B4 (en) | Method of making an isolation trench filled with HDPCVD oxide | |
| DE3037876C2 (en) | ||
| DE10224935A1 (en) | Process for etching high aspect ratio openings | |
| DE3334624C2 (en) | ||
| DE2303798A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS PRODUCED BY THIS METHOD | |
| DE19903196A1 (en) | Alignment mark recognition, in photolithographic production of multilayer metallizations on wafers, is improved by back etching metal present in the marks to expose mark edges after metal deposition and CMP steps | |
| EP0001038B1 (en) | A method for making a silicon mask and its utilisation | |
| EP1579511B1 (en) | Method for roughening a surface of an opto-electronic semiconductor body. | |
| DE2432719B2 (en) | PROCESS FOR CREATING FINE STRUCTURES FROM VAPORIZABLE MATERIALS ON A BASE AND APPLYING THE PROCESS | |
| DE102013223490B4 (en) | Process for producing a structured surface | |
| EP1071981B1 (en) | Method for producing large-surface membrane masks | |
| DE102013105736A1 (en) | Use of a metallization scheme as an etching mask | |
| EP0250611B1 (en) | Process for eliminating a patterned masking layer | |
| EP3303658B1 (en) | Method for producing a diamond electrode and diamond electrode | |
| DE102004032677B4 (en) | Method for producing a mask on a substrate | |
| DE19938481B4 (en) | New technology for forming a bottle-shaped deep trench | |
| DE102017213631A1 (en) | Micromechanical device and corresponding manufacturing method | |
| DE19700854B4 (en) | Method for producing an insulation layer for a semiconductor device | |
| DE3215410A1 (en) | Method of using a mask to produce openings in a layer on a substrate | |
| DE10103524A1 (en) | Method and semiconductor arrangement for etching a layer of a semiconductor substrate by means of a silicon-containing etching mask | |
| DE19707886A1 (en) | Method for producing contact holes in a semiconductor device | |
| DE10141841C1 (en) | Process for the production of a self-adjusting mask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8131 | Rejection |