DE10214272A1

DE10214272A1 - Holder for wafer for processing in ion implantation device has base plate with recognized diameter for ion implantation device greater than diameter of wafer to be processed, fixing arrangement

Info

Publication number: DE10214272A1
Application number: DE2002114272
Authority: DE
Inventors: Heinz Schwalbach; Siegfried Mantl; Helga Bay
Original assignee: Forschungszentrum Juelich GmbH
Current assignee: Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-10-23
Anticipated expiration: 2022-03-29
Also published as: DE10214272B4

Abstract

The device has a base plate (1) with a recognized diameter for an ion implantation device, whereby the diameter of the base plate is greater than the diameter of the wafer to be processed, and an arrangement for fixing the wafer onto the base plate. The diameter of the base plate is identical to that of the largest wafer to be processed by an ion implantation device. AN Independent claim is also included for the following: a method of processing a wafer in an ion implantation device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halterung für einen zu bearbeitenden Wafer. The invention relates to a holder for a processing wafer.

Bei der industriellen Massenproduktion von Chips für die Halbleiterindustrie werden integrierte Schaltungen auf Träger-Halbleiterscheiben, nachfolgend Wafer genannt, durch verschiedene Verfahren hergestellt. In industrial mass production of chips for the semiconductor industry will become integrated circuits on carrier semiconductor wafers, hereinafter wafers called, manufactured by various processes.

Zur Behandlung der Wafer mit einem Ionenstrahl werden Ionenstrahlimplantierer benutzt. Diese Behandlung kann verwendet werden, um eine n- oder p-Störstellen-dotierung herzustellen, oder sie kann benutzt werden, um Passivierungsschichten während der Herstellung eines integrierten Schaltkreises zu bilden. To treat the wafers with an ion beam Ion beam implanter used. This treatment can used to make an n or p-impurity doping, or it can be used to Passivation layers during the manufacture of a integrated circuit.

Bei der Verwendung für die Dotierung von Halbleitern injiziert der Ionenstrahlimplantierer eine ausgewählte Ionenart, um das gewünschte Störstellenmaterial herzustellen. Das Implantieren von Ionen, die aus Ausgangsstoffen wie Antimon, Arsen oder Phosphor hergestellt werden, führt zu "n"-Störstellenwafern. Werden "p"- Störstellenwafer gewünscht, werden Ionen implantiert, die aus Ausgangsstoffen wie Bor, Gallium oder Indium hergestellt werden. When used for semiconductor doping the ion beam implanter injects a selected one Ion type to the desired impurity material manufacture. Implanting ions from Starting materials such as antimony, arsenic or phosphorus are produced leads to "n" impurity wafers. Become "p" - Impurity wafer desired, ions are implanted, those from raw materials such as boron, gallium or indium getting produced.

Der Ionenstrahlimplantierer enthält eine Ionenquelle zur Herstellung positiv geladener Ionen aus ionisierbaren Ausgangsstoffen. Die erzeugten Ionen werden zu einem Strahl geformt und entlang eines festgelegten Strahlweges zur Implantierstation hin beschleunigt. Der Ionenstrahlimplantierer umfaßt einen Aufbau zur Strahlbildung und Strahlformgebung, der sich zwischen einer Ionenquelle und der Implantierstation erstreckt. Der Strahlbildungs- und -formgebungsaufbau erhält den Ionenstrahl aufrecht und begrenzt einen verlängerten inneren Hohlraum bzw. Gebiet, durch welches der Strahl auf dem Weg zur Implantierstation gelangt. Dort ist ein Waferträger eingebaut, welcher die Aufgabe hat, den Wafer während der Implantation in einer definierten Position zum Ionenstrahl zu halten. Der Waferträger kann als elektrostatischer Halter ausgeführt sein (z. B. clamp assy der Fa. Axcelis: Bauteil Nr. 0952-0201-0002). Während des Betriebs muß das innere Gebiet evakuiert werden, um die Wahrscheinlichkeit der Ablenkung von Ionen vom vorbestimmten Strahlweg durch Kollision mit Luftmolekülen zu reduzieren. The ion beam implanter contains an ion source to produce positively charged ions ionizable starting materials. The ions generated are shaped into a beam and along a set Beam path accelerated to the implantation station. The Ion beam implanter includes a structure for Beam formation and beam shaping, which is between a Ion source and the implant station extends. The The beam formation and shaping structure receives the Ion beam upright and limits an elongated one inner cavity or area through which the beam on the way to the implantation station. There is a Wafer carrier installed, which has the task of Wafer during implantation in a defined Hold position to the ion beam. The wafer carrier can be designed as an electrostatic holder (e.g. clamp assy from Axcelis: component no.0952-0201-0002). During operation, the inner area be evacuated to the likelihood of distraction of ions from the predetermined beam path by collision reduce with air molecules.

Die Wafer werden an der Implantierstation auf der Oberfläche eines sich in Y-Richtung bewegenden Waferträgers befestigt. Ein Manipulator, das ist ein kleiner Roboterarm, entnimmt die zu behandelnden Wafer aus einer Waferkassette und positioniert die Wafer definiert ausgerichtet nach einer Flatkante auf dem Waferträger (clamp assy). Während sich der Waferträger bewegt, passieren die Wafer den Ionenstrahl. Ionen, die sich entlang des Strahlwegs bewegen, kollidieren mit den Wafern und werden implantiert. Nach der Bearbeitung entfernt der Manipulator die Wafer von dem Waferträger und legt die bearbeiteten Wafer zurück in die Waferkassette. The wafers are placed at the implantation station on the Surface of a wafer carrier moving in the Y direction attached. A manipulator is a small one Robotic arm, takes the wafers to be treated from one Wafer cassette and positioned the wafer defined aligned with a flat edge on the wafer carrier (clamp assy). As the wafer carrier moves, the wafers pass the ion beam. Ions that are move along the beam path, collide with the wafers and are implanted. Removed after editing the manipulator removes the wafers from the wafer carrier and places them the processed wafers back into the wafer cassette.

Aus EP 0615 281 B1 ist ein elektrostatischer Halter zum Halten eines Halbleiterwafers bzw. -plättchens gegen den Waferträger bekannt. Vor der Bearbeitung ist der Halbleiterwafer an einem Waferträger befestigt, und zwar durch Erzeugung einer elektrostatischen Anziehung zwischen dem Wafer und dem Träger. Wenn der Wafer bearbeitet wird, ziehen der Wafer und der Waferträger einander aufgrund der gegenseitigen elektrostatischen Anziehung an. Elektrostatische Halter fixieren den Wafer auf dem Waferträger, der wiederum in einem bestimmten Winkel zum Ionenstrahl steht. EP 0615 281 B1 describes an electrostatic holder for Hold a semiconductor wafer or wafer against known the wafer carrier. Before editing is the Semiconductor wafers attached to a wafer carrier, and by generating an electrostatic attraction between the wafer and the carrier. If the wafer processed, the wafer and the wafer carrier pull each other due to the mutual electrostatic Attraction. Electrostatic holders fix the wafer on the wafer carrier, which in turn is in a certain Angle to the ion beam.

Aus DE 100 24 858 A1 ist eine weitere Halteeinrichtung für einen Wafer zur Positionierung in einem Slot einer Horde bekannt. Diese weist ein Ringelement und zumindest einen in das Ringelement einsetzbaren Haltering auf. Der Wafer ist innerhalb des Ringelements auf einer Auflagefläche positionierbar und wird von dem Haltering planarisiert so fixiert, daß in eingesetztem Zustand eine ursprüngliche Wölbung des Wafers aufgehoben ist. Nachteilig besteht diese Halterung aus einer aufwendigen Mehrfach-Anordnung verschiedener Ringeinrichtungen und Halteringen, die stufenförmig ausgebildet sind. Another holding device is known from DE 100 24 858 A1 for a wafer for positioning in a slot one Horde known. This has a ring element and at least one retaining ring that can be inserted into the ring element on. The wafer is on a inside the ring element Contact surface can be positioned and is held by the retaining ring planarized so fixed that when inserted an original curvature of the wafer is removed. The disadvantage of this bracket consists of a elaborate multiple arrangement of different ring devices and retaining rings, which are step-shaped.

In Ionenimplantierern werden heutzutage Wafer mit 300 mm Durchmesser standardmäßig bearbeitet, wobei auf Grund höherer Speicherkapazität ein Trend zu immer größeren Wafern vorliegt. In kommerziell erhältlichen Ionenimplantierern, beispielsweise der Firma Axcelis (Geräte Nr. NV 8250), werden Wafer mit 150 mm und 100 mm Durchmesser auf einem jeweils gleich großen Waferträger übertragen und während der Bearbeitung durch elektrostatische Energie gehalten. Nowadays, wafers with a diameter of 300 mm are processed as standard in ion implanters, although there is a trend towards ever larger wafers due to the higher storage capacity. In commercially available ion implanters, for example from Axcelis (device no. NV 8250 ), wafers with a diameter of 150 mm and 100 mm are transferred to a wafer carrier of the same size and held in place by electrostatic energy during processing.

Die Ionenimplantierung als kommerziell akzeptierte Technologie zum Einführen von leitfähigkeitsändernden Dotiermitteln in ein Werkstück, wie z. B. einen Halbleiterwafer, gewährleistet prinzipiell die gesteuerte und rasche Implantierung mit den gewünschten Ionen in Serie. Ion implantation accepted as commercially Technology to introduce conductivity changing Dopants in a workpiece, such as. B. one Semiconductor wafers, in principle ensures the controlled and rapid implantation with the desired ions in Series.

Nachteilig ist eine Voraussetzung für die Serienherstellung aber, daß nacheinander eine große Anzahl Wafer mit gleichem Durchmesser bearbeitet werden. Sobald Wafer unterschiedlichen Durchmessers flexibel bearbeitet werden sollen, beispielsweise zunächst ein Wafer mit 150 mm und anschließend einer mit einem geringerem, z. B. 100 mm Durchmesser bearbeitet werden sollen, muß der Ionenimplantierer unter extremen Zeitaufwand durch geschultes Fachpersonal umgebaut werden, da auf Waferträgern bestimmten Durchmessers nur Wafer gleichen Durchmessers übertragen werden können. Beispielsweise wird der Waferträger mit 150 mm Durchmesser mit Wafern mit 150 mm Durchmesser, und der Waferträger mit 100 mm Durchmesser mit Wafern mit 100 mm Durchmesser bestückt. Dadurch kann es vorkommen, daß ganze Chargen an Wafern bestimmten Durchmessers oder, allgemeiner gesprochen, mit bestimmtem Format, zunächst nicht bearbeitet werden können, da sie nicht zum eingebauten Waferträger passen. Damit der Umbau sich finanziert, muß also eine größere Anzahl Wafer mit gleichem Durchmesser bearbeitet werden. A disadvantage is a requirement for Series production, however, that successively a large number of wafers machined with the same diameter. As soon as Wafers of different diameters processed flexibly should be, for example, first with a wafer 150 mm and then one with a smaller, z. B. 100 mm diameter must be processed the ion implanter under extreme time expenditure trained specialist personnel can be rebuilt because of Wafer carriers of a certain diameter only resemble wafers Diameter can be transferred. For example the wafer carrier with 150 mm diameter with wafers with 150 mm diameter, and the wafer carrier with 100 mm Diameter with wafers with a diameter of 100 mm. This can result in entire batches of wafers certain diameter or, more generally speaking, with a certain format, initially not to be edited can since they are not the built-in wafer carrier fit. So that the renovation is financed, one must larger number of wafers with the same diameter to be edited.

Waferträger und Halterungen gemäß Stand der Technik gestatten zudem keine Aufnahme von Wafer-Teilstücken. Sollen Wafer-Teilstücke, z. B. zu Forschungszwecken, bearbeitet werden, so müssen diese zunächst durch Aufkleben auf einem größeren Wafer z. B. mit Photolack fixiert werden. Die Rückseite der Wafer-Teilstücke werden dabei kontaminiert. Nach der Bearbeitung muß der Klebstoff restlos entfernt werden. Diese Arbeiten werden im Reinraum durchgeführt und sind daher aufwendig. Wafer carriers and holders according to the prior art also do not allow the inclusion of wafer sections. Should wafer sections, e.g. B. for research purposes, must be processed first Stick on a larger wafer e.g. B. with photoresist be fixed. The back of the wafer cuts will be contaminated. After processing, the Glue can be removed completely. This work will be done in Clean room performed and are therefore expensive.

Aufgabe der Erfindung ist es eine Halterung bereitzustellen, mit der Wafer beliebigen Durchmessers bzw. Formats und sogar Wafer-Teilstücke beliebigen Formats gehalten werden können. Die Halterung soll auch für Ionenimplantierer mit elektrostatischer Halterung einsetzbar sein. The object of the invention is a holder to provide with the wafer of any diameter or Format and even wafer sections of any format can be held. The bracket is also intended for Ion implanter with electrostatic holder be applicable.

Die Aufgabe wird durch eine Halterung gemäß Anspruch 1 bzw. 20 gelöst. The object is achieved by a holder according to claim 1 or 20 solved.

Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren gemäß Nebenanspruch. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den darauf rückbezogenen Ansprüchen. The task is still solved by a method according to ancillary claim. Advantageous configurations result from the claims referring back to it.

Die Halterung weist eine Grundplatte mit für einen Ionenimplantierer erkennbaren Durchmesser auf. Der Durchmesser der Grundplatte ist größer als der Durchmesser eines zu bearbeitenden Wafers. Die Grundplatte umfaßt Mittel, die den zu bearbeitenden Wafer auf der Grundplatte fixieren. The holder has a base plate for one Ion implanter recognizable diameter. The The diameter of the base plate is larger than the diameter of a wafer to be processed. The base plate includes Means that the wafer to be processed on the Secure the base plate.

Die Grundplatte wird vom Ionenimplantierer als Wafer erkannt. Die Grundplatte ist somit ein Universalhalter mit der Funktion eines Wafers, nur das auf der Grundplatte Wafer mit einem beliebigen kleineren Durchmesser fixiert werden können. Somit sind mit gegebenen Manipulatoren und Waferträgern ohne Umbauarbeiten Wafer jeden kleineren Durchmessers auf den Waferträger übertragbar, obwohl diese eigentlich nicht zu dem Waferträger passen. Die Wafer können anschließend wie jeder andere in Orginalgröße zum Waferträger passende Wafer bearbeitet werden. Dadurch wird der Durchsatz am Ionenimplantierer deutlich erhöht. Umfangreiche, kostspielige Umbauarbeiten an den Ionenimplantierern bzw. Waferträgern entfallen. Kurzfristige Planung am Ionenimplantierer sind möglich und der Ionenimplantierer ist flexibel einsetzbar. The base plate is used by the ion implanter as a wafer recognized. The base plate is therefore a universal holder with the function of a wafer, only that on the Base plate wafer with any smaller diameter can be fixed. Thus are given Manipulators and wafer carriers without remodeling any wafer smaller diameter can be transferred to the wafer carrier, although this actually doesn't go to the wafer carrier fit. The wafers can then be put in like any other Original size processed to match the wafer carrier become. This increases the throughput at the ion implanter clearly increased. Comprehensive, expensive Conversion work on the ion implanters or wafer carriers omitted. Short-term planning at the ion implanter are possible and the ion implanter is flexible used.

Unter dem Begriff "Bearbeitung eines Wafers" ist vorzugsweise die Dotierung durch einem Ionenimplantierer zu verstehen. Allerdings ist die Halterung auch für andere Bearbeitungsschritte einzusetzen, beispielsweise für Kontaktieren, Rückseiten-Implantation, Smard-Card- Anwendungen, Herstellen von vergrabenen Schichten und so weiter. Under the term "processing a wafer" is preferably doping by an ion implanter to understand. However, the bracket is also for use other processing steps, for example for contacting, backside implantation, smart card Applications, making buried layers and so on.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die Grundplatte einen Durchmesser auf, der dem des größten durch den Ionenimplantierer zu bearbeitenden Wafers entspricht. Dies hat unmittelbar zur Folge, daß Wafer jedes beliebigen kleineren Durchmessers bearbeitet werden können, z. B. mit Ionen der gewünschten Art dotiert werden können. Im Falle eines Axcelis- Ionenimplantierers weisen die größten zu bearbeitenden Wafer 150 mm Durchmesser auf. Die erfindungsgemäße Grundplatte weist dann einen Durchmesser von ebenfalls 150 mm auf. Auf dieser Grundplatte können durch geschickte Anordnung der Fixierungsmittel alle zu bearbeitenden Wafer mit kleineren Durchmessern, also beispielsweise Wafer mit 100 mm oder drei Zoll (ca. 76,2 mm) Durchmesser auf der Grundplatte fixiert werden. An anderen Ionenimplantierern werden Wafer mit 300 mm Durchmesser bearbeitet. Die Grundplatte weist dann einen Durchmesser von ebenfalls 300 mm auf. In an advantageous embodiment of the invention the base plate has a diameter that the the largest by the ion implanter processing wafers. As a result, that wafers of any smaller diameter can be edited, e.g. B. with ions of the desired Art can be endowed. In the case of an Axcelis Ion implanters have the largest to be machined Wafer 150 mm in diameter. The invention Base plate then also has a diameter of 150 mm. On this base plate can by clever arrangement of the fixation means all processing wafers with smaller diameters, so for example 100 mm or three inch wafers (approx. 76.2 mm) Diameter can be fixed on the base plate. On other ion implanters use 300 mm wafers Machined diameter. The base plate then points a diameter of also 300 mm.

Genauso gut kann die Grundplatte einen Durchmesser von nur 100 mm aufweisen. Dann sind noch zu bearbeitende Wafer mit einem Durchmesser, der kleiner ist als 100 mm auf der Grundplatte fixierbar, beispielsweise solche mit drei Zoll Durchmesser. The base plate can just as well have a diameter of have only 100 mm. Then there are still to be processed Wafers with a diameter that is smaller than 100 mm fixable on the base plate, for example such with three inches in diameter.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung umfaßt die Grundplatte mechanische Mittel zur Fixierung der Wafer. Beispielsweise können Excenterscheiben die Wafer auf der Grundplatte fixieren. Im fixierten Zustand der Wafer ragen die Excenterscheiben mit einem Teil ihres Randes über die Wafer und halten diesen in der gewünschten Position. Nach der Implantation wird der Wafer einfach durch drehen der Excenterscheiben von der Grundplatte freigegeben. Bevorzugt ragt die Excenterscheibe so über den Waferrand, daß der überragende Teil keinen oder wenig zumindest wenig Druck auf den Wafer ausübt. Der Ausschuß durch Zerbrechen der Wafer wird so minimiert. In an advantageous embodiment of the invention the base plate includes mechanical means for fixation the wafer. For example, eccentric washers Fix the wafer on the base plate. In the fixed The eccentric discs protrude with a state of the wafers Part of their edge over the wafers and hold them in the desired position. After implantation the wafer simply by turning the eccentric discs from the base plate released. The protrudes preferably Eccentric disc so over the edge of the wafer that the outstanding Part of little or no pressure on the Wafer. The committee by breaking the wafers is minimized in this way.

Die Grundplatte kann zwei, drei, vier oder noch mehr Excenterscheiben aufweisen, die einen Wafer an der Grundplatte fixieren. Natürlich können Wafer auch mit einer noch höheren Anzahl an Excenterscheiben an der Grundplatte fixiert werden. Allerdings steigt dann der Aufwand zur Herstellung der Grundplatten sowie die manuelle Fixierung der Wafer an der Grundplatte beträchtlich. The base plate can be two, three, four or more Have eccentric discs that have a wafer on the Secure the base plate. Of course you can also use wafers an even higher number of eccentric discs on the Base plate can be fixed. However, the then increases Effort to manufacture the base plates and the manual fixation of the wafers on the base plate considerably.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist zwischen den Excenterscheiben und der Grundplatte ein Abstandhalter, z. B. ein Begrenzungsring, angeordnet. Der Begrenzungsring dient einerseits dazu, daß der Wafer exakt in den Begrenzungsring hinein paßt. Er dient aber auch als Abstandhalter für die Excenterscheiben und zur Ausrichtung der Flatkante des Wafers, so daß die Excenterscheiben, ohne mechanischen Druck auszuüben, über den Rand der Waferoberfläche gedreht werden können. In a further embodiment of the invention between the eccentric discs and the base plate Spacers, e.g. B. a limiting ring. The Limiting ring serves on the one hand to ensure that the wafer fits exactly into the limiting ring. But it serves also as a spacer for the eccentric discs and Alignment of the flat edge of the wafer so that the Eccentric washers without exerting mechanical pressure the edge of the wafer surface can be rotated.

Begrenzungsring und/oder Excenterscheiben können an der Grundplatte durch Nieten angebracht sein. Besonders vorteilhaft verwendet man Hohlnieten. Eine spezielle Ausgestaltung der Hohlnieten sieht vor, daß dieser nur am unteren Ende, das heißt in der vom Kopf des Niets entgegengesetzten Seite hohl ist. Die Verwendung dieser Hohlnieten zum Befestigen der Excenterscheiben gewährleistet, daß der Druck auf die Grundplatte minimiert und die Excenterscheiben dennoch fest an der Grundplatte fixiert sind. Es können demnach zwar auch Vollnieten verwendet werden. Allerdings ist hier die Gefahr des undefinierten Stauchens und damit ein ungewolltes Aufwellen der Grundplatte bzw. des Begrenzungsringes nicht ausgeschlossen. Dies kann die Grundplatte unbrauchbar machen. Bounding ring and / or eccentric discs can on the Base plate can be attached by rivets. Especially hollow rivets are advantageously used. A special one Design of the hollow rivets provides that this only at the bottom, that is, from the head of the rivet opposite side is hollow. The use of this Hollow rivets for attaching the eccentric discs ensures that the pressure on the base plate is minimized and the eccentric discs still firmly on the Base plate are fixed. Accordingly, full rivets can also be used be used. However, here is the danger of undefined upsetting and thus an unwanted Do not undulate the base plate or the limiting ring locked out. This can make the base plate unusable do.

Die Erfindung ist hierauf nicht beschränkt. Vielmehr können an einer erfindungsgemäßen Halterung auch Wafer- Teilstücke mit beliebiger Form fixiert und bearbeitet werden. Über die Anordnung der Fixierungsmittel sind so auf einer Grundplatte mit 150 Durchmesser ohne Umbauarbeiten am Ionenimplantierer nicht nur Wafer mit 100 mm und 3 Zoll Durchmesser zu bearbeiten. Es können vielmehr auch Waferteilstücke beliebiger Form problemlos, z. B. über Excenterscheiben, an der Grundplatte fixiert und dann in den Ionenimplantierer überführt und bearbeitet werden. Es gilt nur die Anforderung, daß die Wafer-Teilstücke auf die Grundplatte passen, d. h. das Form bzw. Durchmesser kleiner sind als die bzw. der der Grundplatte. The invention is not limited to this. Much more can also wafer on a holder according to the invention Parts of any shape fixed and processed become. About the arrangement of the fixation means on a base plate with 150 diameter without Conversion work on the ion implanter not only 100 mm wafers and edit 3 inch diameter. It can rather, also wafer sections of any shape without problems, z. B. on eccentric discs, fixed to the base plate and then transferred to the ion implanter and to be edited. The only requirement is that the Wafer sections fit on the base plate, d. H. the Shape or diameter are smaller than that of the Baseplate.

Für Wafer-Teilstücke kann eine speziell an den Bedarfsfall angepaßte Begrenzungsplatte auf der Grundplatte angebracht sein. In der Begrenzungsplatte sind Aussparungen bestimmter Abmessung eingebracht. In diesen Aussparungen der Begrenzungsplatte werden Wafer-Teilstücke entsprechender Größe und/oder Form eingebracht und fixiert. For wafer sections, one can be made specifically to the If necessary, adapted boundary plate on the base plate to be appropriate. Are in the boundary plate Cutouts of certain dimensions introduced. In these Recesses in the boundary plate become wafer sections appropriate size and / or shape introduced and fixed.

Die erfindungsgemäße Halterung mit der Grundplatte ist selbstverständlich auf jedes vollkommen beliebige Waferformat übertragbar. Sollten in der Zukunft Wafer mit 400, oder beispielsweise 700 mm Durchmesser oder Wafer "mit krummen Zahlenwerten", beispielsweise mit 763 mm Durchmesser standardmäßig in Ionenimplantierern bearbeitet werden, dann verwendet man Grundplatten mit entsprechendem, größerem Durchmesser oder auch mit der entsprechenden Waferform. Die Grundplatte wird bei der Herstellung an den Durchmesser und/oder die Form des Wafers angepaßt. Die Grundplatte kann somit bei entsprechenden Waferformaten auch jede andere als eine kreisförmige Form annehmen. The holder according to the invention with the base plate is of course on any completely arbitrary one Transferable wafer format. Should use wafers in the future 400, or for example 700 mm diameter or wafer "with crooked numerical values", for example with 763 mm Standard diameter in ion implanters are processed, then base plates are used corresponding, larger diameter or with corresponding wafer shape. The base plate is at the Manufacture to the diameter and / or shape of the Wafers adjusted. The base plate can thus corresponding wafer formats also any other than one take a circular shape.

Das Bearbeitungsverfahren beruht nämlich darauf, daß das Einbringen der Grundplatte in den Ionenimplantierer das Einbringen eines für den Ionenimplantierer erkennbaren Wafers nur simuliert. Das bedeutet, daß der Ionenimplantierer eine solche erfindungsgemäße Grundplatte als einen zu bearbeitenden Wafer "erkennt", oder anders ausgedrückt die Grundplatte übernimmt die Funktion eines zu bearbeitenden Wafers. The processing method is based on the fact that inserting the base plate into the ion implanter the introduction of one for the ion implanter recognizable wafer only simulated. That means that the Ion implanters such a invention Base plate "recognizes" as a wafer to be processed, or in other words, the base plate takes over the function of a wafer to be processed.

Eine Grundplatte mit 300 mm Durchmesser, welche auf den Waferträger des Ionenimplantierers überführt wird, simuliert dabei die Überführung eines Wafers mit 300 mm Durchmesser. Entsprechend simuliert das Überführen einer Grundplatte mit 150 oder 100 mm Durchmesser das Überführen eines Wafers mit 150 oder 100 mm Durchmesser. Auf den Grundplatten können je nach Lage der Fixierungs-Mittel, Wafer mit beliebigem, kleinerem Durchmesser und Formen fixiert werden. Es ist auch denkbar eine Halterung mit einer Grundplatte von beispielsweise drei Zoll Durchmesser in den Ionenimplantierer einzubringen, um daran Wafer-Teilstücke beliebiger Form zu fixieren. Genauso gut kann die Fixierung von Wafer- Teilstücken auch an Grundplatten mit einem größeren Durchmesser erfolgen. Wichtig ist jeweils nur, daß der Ionenimplantierer eine solche erfindungsgemäße Grundplatte als einen zu bearbeitenden Wafer "erkennt". Die Grundplatte mit den fixierten Wafern, oder dem/den fixierten Wafer-Teilstück(en) wird an Stelle des alleinigen Wafers auf den Waferträger im Ionenimplantierer überführt. A base plate with a diameter of 300 mm, which on the The wafer carrier of the ion implanter is transferred, simulates the transfer of a wafer with 300 mm Diameter. The transfer simulates accordingly a base plate with a diameter of 150 or 100 mm Transfer of a wafer with 150 or 100 mm Diameter. Depending on the location of the Fixing agent, wafers with any, smaller Diameters and shapes can be fixed. It is also conceivable a bracket with a base plate of, for example three inches in diameter in the ion implanter to bring in wafer sections of any shape fix. The fixation of wafer Parts also on base plates with a larger one Diameter. It is only important that the Ion implanters such a invention Base plate "recognizes" as a wafer to be processed. The Base plate with the fixed wafers, or the fixed wafer section (s) is in place of sole wafers on the wafer carrier in the ion implanter transferred.

Im weiteren wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen und den beigefügten Figuren näher beschrieben. Furthermore, the invention is based on Exemplary embodiments and the accompanying figures described.

Figure Legend

Fig. 1 Grundplatte mit 150 mm Durchmesser Fig. 1 base plate with a diameter of 150 mm

Fig. 2 Begrenzungsring für eine Grundplatte mit beispielsweise 150 mm Durchmesser Fig. 2 limiting ring for a base plate with a diameter of 150 mm, for example

Fig. 3 Grundplatte mit 100 mm Durchmesser Fig. 3 base plate with 100 mm diameter

Fig. 4 Begrenzungsring für eine Grundplatte mit beispielsweise 100 mm Durchmesser Fig. 4 limiting ring for a base plate with, for example, 100 mm in diameter

Fig. 5 Hohlniet Fig. 5 hollow rivet

Fig. 6 schematische Einzeldarstellung der erfindungsgemäßen Halterung bestehend aus Querschnitt eines Hohlniets, Querschnitt einer Grundplatte mit Begrenzungsring, Aufsicht einer Excenterscheibe und Unterlegscheibe und wiederum alle Bauteile als Querschnitt in zusammengebauter Weise Fig. 6 schematic individual representation of the holder according to the invention consisting of cross section of a hollow rivet, cross section of a base plate with limiting ring, supervision of an eccentric disc and washer and again all components as a cross section in an assembled manner

Fig. 7 Abmessungen von Hohlniet, Excenterscheibe und Unterlegscheibe Fig. 7 dimensions of hollow rivet, eccentric washer and washer

Fig. 8 Begrenzungsplatte als Befestigungseinrichtung für Wafer-Teilstücke auf Grundplatte mit 150 mm Durchmesser Fig. 8 boundary plate as a fastening device for wafer sections on a base plate with a diameter of 150 mm

Fig. 9 Winkelmaße an Löchern für Nieten Bezugszeichenliste 1, 11 Grundplatte
2, 12 Löcher für Niet
3, 13 Entlüftungslöcher
4, 14 Begrenzungsring
5 Hohlniet
A Bereich im Hohlniet, in dem die Grundplatte und der Begrenzungsring bzw. die Begrenzungsplatte befestigt sind
B Bereich im Hohlniet, indem die Excenterscheibe und die Unterlegscheibe befestigt sind
C Bereich im Hohlniet, der nach dem Stauchen die Excenterscheibe an die Grundplatte befestigt
6 Excenterscheibe
7 Unterlegscheibe
8 Querschnitt der erfindungsgemäßen Halterung im Bereich eines Niets
9 Begrenzungsplatte
10 Aussparungen in der Begrenzungsplatte als Gewichtsausgleich für den Manipulator
11, 12, 13 Aussparungen zur Aufnahme für quadratische Wafer-Teilstücke unterschiedlicher Größe
14 Aussparung zur Aufnahme eines rechteckigen Wafer- Teilstücks
15 Aussparung zur Aufnahme eines Wafer-Teilstückes mit einem Bogen vom Rand eines Wafers
16 Hohlraum des Hohlniet
17 Gestauchter Bereich des Hohlniet nach Stauchen

Fig. 9 angular dimensions of holes for rivets reference numerals 1 , 11 base plate
2 , 12 holes for rivet
3 , 13 vents
4 , 14 limiting ring
5 hollow rivet
A area in the hollow rivet in which the base plate and the limiting ring or the limiting plate are fastened
B Area in the hollow rivet, in which the eccentric disc and the washer are fastened
C Area in the hollow rivet that fixes the eccentric disc to the base plate after upsetting
6 eccentric disc
7 washer
8 cross section of the holder according to the invention in the area of a rivet
9 boundary plate
10 cut-outs in the boundary plate to balance the manipulator
11 , 12 , 13 Cutouts for receiving square pieces of wafer of different sizes
14 Cut-out for receiving a rectangular wafer section
15 cut-out for receiving a wafer section with an arc from the edge of a wafer
16 hollow rivet cavity
17 Upset area of the hollow rivet after upsetting

Fig. 1 zeigt eine Grundplatte 1 mit 150 mm Durchmesser. Dieses Maß entspricht dem Größten für Wafer, welches momentan von handelsüblichen Ionenimplantierern der Firma Axcelis bearbeitet werden kann. Auf dieser Grundplatte können Wafer mit kleinerem Durchmesser fixiert werden, beispielsweise solche mit 100 mm Durchmesser. Das Material der Grundplatte 1 besteht aus 0,5 mm dickem Aluminium. Löcher 2 mit einem Durchmesser von 2 mm für Nieten sind auf einem Radius von 52,5 mm vom Mittelpunkt der Grundplatte eingebracht. Löcher 3 mit einem Durchmesser von 5 mm sind auf einem Radius von weniger als 52,5 mm vom Mittelpunkt eingebracht. In Fig. 1 sind 12 Löcher 2 und vier Löcher 3 in die Grundplatte 1 eingebracht. Fig. 1 shows a base plate 1 with a 150 mm diameter. This dimension corresponds to the largest for wafers, which can currently be processed by commercially available ion implanters from Axcelis. Wafers with a smaller diameter can be fixed on this base plate, for example those with a diameter of 100 mm. The material of the base plate 1 consists of 0.5 mm thick aluminum. Holes 2 with a diameter of 2 mm for rivets are made on a radius of 52.5 mm from the center of the base plate. Holes 3 with a diameter of 5 mm are made with a radius of less than 52.5 mm from the center. In Fig. 1, 12 holes 2 and four holes 3 are made in the base plate 1 .

Fig. 2 zeigt eine Ausgestaltung für einen z. B. auf der Grundplatte 1 aus Fig. 1 anzubringenden Begrenzungsring 4. Die Löcher 2' im Begrenzungsring 4 entsprechen in Form, Anzahl und Anordnung den in der Grundplatte 1 von Fig. 1 gezeigten Löchern 2. Fig. 2 shows an embodiment for a z. B. on the base plate 1 of FIG. 1 to be attached limiting ring 4th The holes 2 'in the limiting ring 4 correspond in shape, number and arrangement to the holes 2 shown in the base plate 1 of FIG. 1.

Fig. 3 und 4 zeigen analog zu Fig. 1 und 2 eine Grundplatte 11 und einen Begrenzungsring 14 für zu fixierende Wafer mit drei Zoll Durchmesser (76,2 mm). Auch hier gilt, daß das Maß für den Begrenzungsring 14 auch anders gewählt sein kann. FIGS. 3 and 4 show similar to FIG. 1 and 2, a base plate 11 and a limiting ring 14 for fixing to the wafer with three inch diameter (76.2 mm). It also applies here that the dimension for the limiting ring 14 can also be chosen differently.

Begrenzungsringe 4, 14 mit Löchern 2', 12' werden auf die entsprechenden Löcher 2, 12 der Grundplatte 1, 11 gelegt. Paßgenaue Hohlnieten 5 (Fig. 5) werden in zumindest einige der Löcher 2, 12 sowie 2', 12' eingeführt. Excenterscheiben 6 und, nach Bedarf, Unterlegscheiben 7 werden auf den Hohlniet aufgelegt und befestigen nach Stauchen die Excenterscheiben 6 auf den Begrenzungsringen 4, 14 und diese auf den Grundplatten 1, 11 (Fig. 6). Die Begrenzungsringe 4, 14 dienen hier dazu, Wafer mit 100 mm bzw. drei Zoll Durchmesser aufzunehmen. Limiting rings 4 , 14 with holes 2 ', 12 ' are placed on the corresponding holes 2 , 12 of the base plate 1 , 11 . Precisely fitting hollow rivets 5 ( FIG. 5) are inserted into at least some of the holes 2 , 12 and 2 ', 12 '. Eccentric washers 6 and, if necessary, washers 7 are placed on the hollow rivet and, after upsetting, fasten the eccentric washers 6 on the limiting rings 4 , 14 and these on the base plates 1 , 11 ( FIG. 6). The limiting rings 4 , 14 are used here to accommodate wafers with a diameter of 100 mm or three inches.

Die Hohlnieten 5 weisen im unteren Bereich, also an der von der Kopfseite entgegengesetzten Seite einen Hohlraum 16 auf. Alle Maße in Fig. 5 sind in mm angegeben. Der Hohlraum 16 von Hohlniet 5 ist an der Basis 1 mm breit. Distanz A (0,9 mm) ist der Bereich, indem die Grundplatte (0,5 mm) und der/die Begrenzungsring/Begrenzungsplatte (0,4 mm) befestigt werden. Distanz B (0,8 mm) ist der Bereich, indem die Excenterscheiben 6 (0,4 mm) und die Unterlegscheiben 7 (0,4 mm) befestigt werden. Distanz C (0,5 mm) ist der Bereich des Hohlniets, aus dem das Restmaterial zum Stauchen bereit stellt. Gestrichelte Linien 17 deuten den Verlauf des Hohlniets 5 an der Basis nach dem Stauchvorgang an, durch das die Excenterscheiben und der Begrenzungsring oder die Begrenzungsplatte befestigt werden. The hollow rivets 5 have a cavity 16 in the lower region, that is to say on the side opposite from the head side. All dimensions in Fig. 5 are given in mm. The cavity 16 of hollow rivet 5 is 1 mm wide at the base. Distance A (0.9 mm) is the area in which the base plate (0.5 mm) and the limiting ring / limiting plate (0.4 mm) are attached. Distance B (0.8 mm) is the area in which the eccentric washers 6 (0.4 mm) and the washers 7 (0.4 mm) are attached. Distance C (0.5 mm) is the area of the hollow rivet from which the remaining material is ready for compression. Dashed lines 17 indicate the course of the hollow rivet 5 at the base after the upsetting process, by means of which the eccentric discs and the limiting ring or the limiting plate are attached.

Auf die Löcher 2, 12 und 2', 12', welche noch nicht durch Nieten 5 verschlossen sind, werden Excenterscheiben 6 aus Aluminium mit 0,4 mm Dicke und hierauf Unterlegscheiben 7 aus Aluminium gelegt, welche dann mit Hohlnieten 5 befestigt werden (Fig. 6). Hierdurch wird eine mögliche Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halterung 8 in Fig. 6 gebildet. Die Excenterscheiben 6 fixieren als ein mögliches Mittel den Wafer auf der Grundplatte 1, 11. Eccentric washers 6 made of aluminum with a thickness of 0.4 mm are placed on the holes 2 , 12 and 2 ', 12 ', which are not yet closed by rivets 5 , and washers 7 made of aluminum thereon, which are then fastened with hollow rivets 5 ( FIG . 6). This forms a possible embodiment of the holder 8 according to the invention in FIG. 6. The eccentric discs 6 fix the wafer on the base plate 1 , 11 as a possible means.

Hierzu werden die Wafer in die auf den Grundplatten 1, 11 befestigten Begrenzungsringe 4, 14 gelegt. Zur Fixierung des Wafers muß nun die Excenterscheibe 6 durch Drehung über den inneren Rand des Begrenzungsringes 4, 14 hinaus gedreht werden. Der Wafer ist durch die Excenterscheiben im Begrenzungsring 4, 14 fixiert und kann in einen Ionenimplantierer zur Bearbeitung eingebracht werden. For this purpose, the wafers are placed in the limiting rings 4 , 14 fastened on the base plates 1 , 11 . To fix the wafer, the eccentric disc 6 must now be rotated beyond the inner edge of the limiting ring 4 , 14 . The wafer is fixed in the limiting ring 4 , 14 by the eccentric disks and can be inserted into an ion implanter for processing.

Es sei an dieser Stelle erwähnt, daß die Verwendung von Begrenzungsringen und Hohlnieten der dargestellten Art bereits eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Halterung darstellt. Es ist z. B. möglich auf die Begrenzungsringe 4, 14 zu verzichten. Hierzu werden durch Löcher 2, 12 einer Grundplatte 1, 11 Hohlnieten 5 geschoben und die Excenterscheiben 6 mit aufliegenden, 0,4 mm dicken Unterlegscheiben 7 befestigt. Durch geschickte Anordnung der Löcher und damit der Excenterscheiben ist eine Fixierung der zu bearbeitenden Wafer auch ohne Begrenzungsring 4, 14 möglich. It should be mentioned at this point that the use of limiting rings and hollow rivets of the type shown already represents a particularly advantageous embodiment of the holder according to the invention. It is Z. B. possible to do without the limiting rings 4 , 14 . For this purpose, hollow rivets 5 are pushed through holes 2 , 12 of a base plate 1 , 11 and the eccentric discs 6 are fastened with 0.4 mm thick washers 7 lying on them. By cleverly arranging the holes and thus the eccentric discs, the wafers to be processed can also be fixed without a limiting ring 4 , 14 .

Fig. 7 zeigt die Abmessungen von Hohlniet, Excenterscheibe und Unterlegscheibe in mm. Fig. 7 shows the dimensions of the hollow rivet, eccentric disc and washer in mm.

An Stelle eines Begrenzungsringes kann eine speziell ausgestaltete Begrenzungsplatte 9 zur Aufnahme von Wafer-Teilstücken verwendet werden (Fig. 8). Die Begrenzungsplatte 9 ist in Fig. 8 auf einer Grundplatte über die Löcher 2" für Hohlnieten und Excenterscheiben (nicht dargestellt) befestigt. Im vorliegenden Fall sind 13 Löcher 2", von denen beispielhaft nur zwei gekennzeichnet sind, in der Begrenzungsplatte 9 eingebracht. Es können wahlweise quadratische, rechteckige oder auch bogenförmige Wafer-Teilstücke in den entsprechenden Aussparungen 11 bis 15 eingepaßt und über die nicht dargestellten Excenterscheiben fixiert werden. Zentral sind in der Begrenzungsplatte 9 zwei größere Aussparungen 10 angeordnet. In diese Aussparungen 10 werden keine Wafer-Teilstücke eingelegt, das heißt diese Aussparungen bleiben frei. Die Aussparungen 10 dienen dann als Gewichtsausgleich, da der Manipulator nur ein begrenztes Gewicht tragen kann. Die Begrenzungsplatte 9 besteht ebenfalls aus Aluminium und weist eine Dicke auf, die der eines Wafers entspricht, so daß nach Einpassen der Wafer-Teilstücke in die Aussparungen 11 bis 15 plane Oberflächen entstehen. Die Begrenzungsplatte kann natürlich auch mehr oder weniger Aussparungen als gezeigt aufweisen. Die Aussparungen können natürlich auch andere Formen aufweisen. Dies richtet sich danach, welche Form die Wafer-Teilstücke aufweisen. Instead of a delimitation ring, a specially designed delimitation plate 9 can be used for receiving wafer sections ( FIG. 8). The limiting plate 9 is "(not shown) for hollow rivets and eccentric disks mounted. In the present case are 13 holes 2" in Fig. 8 on a base plate over the holes 2, of which are presented by way of example only two, is introduced into the boundary plate 9. Square, rectangular or also arc-shaped wafer sections can optionally be fitted into the corresponding recesses 11 to 15 and fixed using the eccentric disks, not shown. Two larger cutouts 10 are arranged centrally in the boundary plate 9 . No wafer sections are inserted into these cutouts 10 , that is to say these cutouts remain free. The recesses 10 then serve as a weight balance, since the manipulator can only carry a limited weight. The boundary plate 9 is also made of aluminum and has a thickness which corresponds to that of a wafer, so that after fitting the wafer sections into the recesses 11 to 15 flat surfaces are formed. The boundary plate can of course also have more or fewer recesses than shown. The cutouts can of course also have other shapes. This depends on the shape of the wafer sections.

Nachdem ein Wafer in einer erfindungsgemäßen Halterung in einen Ionenimplantierer eingebracht wurde, wird ein Vakuum im Implantierer erzeugt. Die Löcher 3, 13 dienen dem schnellen Druckausgleich zwischen Grundplatte und Wafer. Die elektrostatische Anziehungskraft zieht den Wafer an die Grundplatte 1, 11. Die Entlüftungslöcher 3, 13 gewährleisten, daß sich der Wafer schnell an die Grundplatte anlegen kann. Dadurch entstehen keine Verspannungen im Wafer durch eventuelle Luftpolster zwischen Wafer und Grundplatte, so daß der Wafer plan an dieser zum Anliegen kommt. Der Ionenimplantierer "erkennt" somit die Grundplatte als einen "Wafer" mit ihm bekanntem Durchmesser an. Der in der Halterung fixierte tatsächliche Wafer wird genauso wie der Rest der Halterung durch den Ionenimplantierer bearbeitet, z. B. implantiert. Dadurch entfallen zeitraubende, kostspielige Umbauarbeiten am Ionenimplantierer. After a wafer has been introduced into an ion implanter in a holder according to the invention, a vacuum is created in the implanter. The holes 3 , 13 are used for quick pressure equalization between the base plate and the wafer. The electrostatic attraction pulls the wafer onto the base plate 1 , 11 . The vent holes 3 , 13 ensure that the wafer can quickly contact the base plate. As a result, there is no tension in the wafer due to any air cushions between the wafer and the base plate, so that the wafer comes to rest flat against it. The ion implanter thus "recognizes" the base plate as a "wafer" with a known diameter. The actual wafer fixed in the holder is processed like the rest of the holder by the ion implanter, e.g. B. implanted. This eliminates the time-consuming, costly conversion work on the ion implanter.

Es handelt sich somit bei dem Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers darum, daß man das Einbringen eines Wafers mit erkennbarem Durchmesser in den Ionenimplantierer nur simuliert. Hierzu wird eine Grundplatte mit für den Ionenimplantierer bekannten Durchmesser eingebracht, auf dem ein zu bearbeitender Wafer fixiert ist. Die Grundplatte übernimmt die Funktion des Wafers, und wird an dessen Stelle als zu bearbeitender Wafer durch den Ionenimplantierer erkannt. It is therefore the processing method of a wafer about being able to insert a wafer with recognizable diameter in the ion implanter just simulated. For this purpose, a base plate for the Ion implanters of known diameter, on which a wafer to be processed is fixed. The Base plate takes over the function of the wafer, and will in its place as a wafer to be processed by the Ion implanter recognized.

Der Wafer muß eine kleinere Form bzw. einen kleineren Durchmesser als die Grundplatte bzw. der Waferträger aufweisen. Weitere Anforderungen an Form und Durchmesser des Wafers bestehen nicht. The wafer must have a smaller shape or a smaller one Diameter as the base plate or the wafer carrier exhibit. Further requirements for form and The diameter of the wafer does not exist.

Es sind alle in den Ausführungsbeispielen genannten Maße wahlweise kombinierbar. Das heißt beispielsweise, daß auf eine Grundplatte 1 mit 150 mm Durchmesser auch ein Begrenzungsring 14 zur Begrenzung eines 3-Zoll-Wafers benutzt werden kann. All dimensions mentioned in the exemplary embodiments can be optionally combined. This means, for example, that a limiting ring 14 for limiting a 3-inch wafer can also be used on a base plate 1 with a diameter of 150 mm.

Als ein besonders wichtiger Vorteil ist die Tatsache anzusehen, daß auf den erfindungsgemäßen Halterungen auch Wafer-Teilstücke jeder beliebigen Form, definiert nach Ausrichtung der Flat-Kante, fixiert werden können. Das Wafer-Teilstück muß nur auf die Grundplatte 1, 11 passen und durch ein entsprechend dimensioniertes Mittel, beispielsweise eine Excenterscheibe, mit oder ohne Begrenzungsring/Begrenzungsplatte, fixiert werden. A particularly important advantage is the fact that wafer sections of any shape, defined according to the alignment of the flat edge, can also be fixed on the holders according to the invention. The wafer section only has to fit onto the base plate 1 , 11 and be fixed by means of an appropriately dimensioned means, for example an eccentric disk, with or without a limiting ring / limiting plate.

Alle Bezüge in der Beschreibung, die sich auf den Durchmesser der Grundplatte richten, lassen sich selbstverständlich, durch den allgemeiner gefaßten Begriff der Form einer Grundplatte, ersetzen. Das Prinzip der erfindungsgemäßen Halterung und des Verfahrens kann auf jeden in der Zukunft zu entwickelnden Wafer anderer geometrischer Form angepaßt werden, indem die Form der Grundplatte an die Form der Wafer angepaßt wird. Es muß also keine Scheibenform vorgegeben sein. All references in the description referring to the The diameter of the base plate can be adjusted of course, by the more general Concept of the shape of a base plate, replace. The principle the holder and the method according to the invention on every other wafer to be developed in the future geometric shape can be adjusted by the shape of the Base plate is adapted to the shape of the wafer. It must no disc shape must be specified.

Die Halterung weist dann eine Grundplatte mit für einen Ionenimplantierer erkennbarer Form auf. Die Form der Grundplatte ist größer als die Form eines zu bearbeitenden Wafers. Die Grundplatte umfaßt Mittel, die den zu bearbeitenden Wafer auf der Grundplatte fixieren. Die Grundplatte bleibt immer ein Universalhalter, auf dem Wafer mit einem beliebigen aber kleineren Format fixiert werden können. Es könnten somit z. B. auch verschiedene quadratische oder Wafer anderer Geometrien ohne Umbauarbeiten am Ionenimplantierer bearbeitet werden. The bracket then has a base plate for one Ion implanter of recognizable shape. The shape of the Base plate is larger than the shape of a too processing wafers. The base plate includes means that the Fix the wafer to be processed on the base plate. The base plate always remains a universal holder the wafer with any but smaller format can be fixed. It could, for. Belly various square or wafers of other geometries processed without conversion work on the ion implanter become.

Claims

1. holder for a wafer to be processed, comprising a base plate with for one Ion implanter recognizable diameter, the diameter the base plate is larger than the diameter of the to be processed wafers as well as means that the wafer fix on the base plate.

2. Holder according to claim 1, characterized in that the base plate has a diameter that is identical to the diameter of the largest, to be processed by an ion implanter, Wafer.

3. Holder according to one of the preceding claims, characterized in that the diameter of the base plate is 300 mm.

4. Holder according to one of claims 1 to 2, characterized in that the diameter of the base plate ( 1 ) is 150 mm.

5. Holder according to one of claims 1 to 2, characterized in that the diameter of the base plate ( 11 ) is 100 mm.

6. Holder according to one of the preceding claims, characterized by eccentric disks ( 6 ) as means which fix the wafer to be processed or one or more wafer sections on the base plate.

7. Holder according to one of the preceding claims, characterized by a limiting ring ( 4 , 14 ) on the base plate, which surrounds the wafer to be processed.

8. Holder according to one of the preceding claims, characterized by a boundary plate ( 9 ) with recesses ( 11 , 12 , 13 , 14 , 15 ), the boundary plate ( 9 ) being arranged on the base plate and into the recesses ( 11 , 12 , 13 , 14 , 15 ) the wafer sections are fitted.

9. Holder according to claim 8, characterized by recesses ( 10 ) which serve as a weight balance.

10. Holder according to one of the preceding claims, characterized by rivets, in particular hollow rivets ( 5 ), the eccentric discs ( 6 ) attach to the base plate.

11. Holder according to one of the preceding claims, characterized by semi-tubular rivets ( 5 ) which attach the eccentric discs ( 6 ) to the base plate.

12. Holder according to one of the preceding claims, characterized by ventilation holes ( 3 , 13 ) in the base plate ( 1 , 11 ), via which the wafer to be processed is electrostatically attracted to the base plate ( 1 , 11 ) after evacuation of the holder in the ion implanter.

13. Process for processing a wafer in one ion implanter characterized in that while processing the wafer Presence of one recognizable to the ion implanter Wafer format is simulated.

14. The method according to claim 13, characterized in that
a holder for the wafer to be processed is used, which comprises a base plate with a diameter and / or shape recognizable for the ion implanter, the diameter and / or the shape of the base plate being larger than the diameter and / or the shape of the wafer to be processed
the wafer is fixed on the base plate with means and
the holder with the wafer is transferred to a wafer carrier in the ion implanter for processing,
and the presence of a wafer is simulated for the ion implanter via the diameter and / or the shape of the base plate.

15. The method according to any one of claims 13 to 14, characterized in that a base plate with a diameter of 300 mm is used.

16. The method according to any one of claims 13 to 14, characterized in that a base plate ( 1 ) with a diameter of 150 mm is used.

17. The method according to any one of claims 13 to 14, characterized in that a base plate ( 1 , 11 ) with a diameter of 100 mm is used.

18. The method according to any one of claims 13 to 17, characterized in that Wafer sections fixed on the base plate and then processed in the ion implanter become.

19. The method according to any one of claims 13 to 18, characterized in that the process of doping, contacting, a back implantation, a smard card Application or the production of buried Layers.

20. holder for a wafer to be processed, comprising a base plate with for one Ion implanter recognizable shape, the shape of the Base plate is larger than the shape of the to be machined Wafers as well as means that the wafer on the Secure the base plate.