DE10214247A1

DE10214247A1 - Correcting mask structures involves dividing structure into sub-structures, determining correction parameter per sub-structure, applying associated correction parameter to each sub-structure

Info

Publication number: DE10214247A1
Application number: DE10214247A
Authority: DE
Inventors: Martin Bloecker; Gerd Ballhorn; Jens Schneider
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2002-03-26
Publication date: 2003-10-23

Abstract

The method involves analyzing the mask structure to determine the characteristics to be corrected, dividing the mask structure into sub-structures, determining a correction parameter for each sub-structure depending on the determined characteristics to be corrected and correcting the mask structures by applying the associated correction parameter to each sub-structure. Independent claims are also included for the following: (1) a data processing system for processing data representing a mask structure to be produced and; (2) a computer program for implementing the inventive method.

Description

Insbesondere und nicht ausschließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Korrektur von Maskenstrukturen, in welchem Größenschwankungen der hergestellten oder herzustellenden Strukturen gemessen bzw. mathematisch modelliert werden. Entsprechend den so festgestellten Schwankungen werden für Teilbereiche der Maskenoberfläche Korrekturwerte zur Kompensation der Schwankungen ermittelt. Diese Korrekturwerte werden in einer Zuordnungstabelle abgelegt, die jedem Teilbereich einen Korrekturwert zuordnet. Anschließend werden die Maskenstrukturen korrigiert. Dies geschieht in der Regel dadurch, dass die Strukturgrößen in den Designdaten für die Maskenherstellung den ermittelten Korrekturwerten entsprechend angepasst werden. In particular and not exclusively, the invention relates a method for correcting mask structures, in which Variations in size of the manufactured or manufactured Structures are measured or modeled mathematically. According to the fluctuations so determined, for Subareas of the mask surface correction values for Compensation for fluctuations determined. This Correction values are stored in an assignment table which assigns a correction value to each sub-area. The mask structures are then corrected. This usually happens because the structure sizes in the design data for the mask production Correction values can be adjusted accordingly.

State of the art

Durch die großen Fortschritte in der Mikroelektronik werden die Strukturen integrierter Schaltkreise immer kleiner und die Zahl der auf einem Silizium-Plättchen angeordneten Elemente wie Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren und Leiterbahnen immer größer. Due to the great advances in microelectronics the structures of integrated circuits are getting smaller and smaller the number of those arranged on a silicon wafer Elements such as transistors, diodes, resistors, capacitors and conductor tracks getting bigger.

Im fotolithographischen Herstellungverfahren werden solche Strukturen dadurch hergestellt, dass die Oberfläche eines Siliziumsubstrates mit einem lichtempfindlichen Lack überzogen ist, und dieser mit Hilfe einer Maske an den Stellen belichtet wird, an denen später eingegriffen werden soll. An den belichteten Stellen läßt sich der Fotolack leicht ablösen, wodurch die Siliziumoberfläche zum Ätzen freigegeben wird. In the photolithographic manufacturing process, such Structures that the surface of a Silicon substrates with a light-sensitive lacquer is covered, and this with the help of a mask to the Areas are exposed where intervention will take place later should. The photoresist can be found in the exposed areas easily peel off, causing the silicon surface to etch is released.

Ein bekanntes Problem bei der Herstellung von Halbleiterstrukturen mittels einer Maske durch Lithographie sind Schwankungen der hergestellten Strukturgrößen. A known problem in the manufacture of Semiconductor structures using a mask through lithography are fluctuations in the structure sizes produced.

Strukturgrößenschwankungen haben ihre Ursache in einzelnen Schritten des Herstellungsprozesses, beispielsweise in der Maskenentwicklung, dem Maskenätzen, dem Waferbelichten, dem Waferentwickeln, etc. aber auch in Fehlern der in dem Herstellungsprozess verwendeten Geräte, wie z. B. Linsenfehler der Stepper und Scanner. Structure size fluctuations have their cause in individual Steps of the manufacturing process, for example in the Mask development, mask etching, wafer exposure, the Developing wafers, etc. but also in errors in the Manufacturing process used equipment such. B. lens defects the stepper and scanner.

Strukturgrößenschwankungen haben auch Auswirkungen auf das CD-Maß der Maske (CD = Critical Dimension). Das CD-Maß gibt eine charakteristische bei der Masken- oder Chipherstellung zu erzeugende Strukturgröße an. Structural size fluctuations also have an impact on that CD dimension of the mask (CD = critical dimension). The CD dimension gives a characteristic when making masks or chips structure size to be generated.

Insbesondere können bei der Herstellung von fotolithographischen Masken Prozesseffekte zu lokalen CD- Schwankungen führen. Beispiele für solche Prozesseffekte sind "Fogging" bei Elektronenstrahlschreibern, "Loading" beim Trockenätzen, oder radiale Effekte durch Spin-Prozessierung beim Entwickeln oder Nassätzen. In particular, in the manufacture of photolithographic masks process effects to local CD Fluctuations. Examples of such process effects are "fogging" with electron beam recorders, "loading" with Dry etching, or radial effects through spin processing when developing or wet etching.

Fogging entsteht dadurch, dass ein Teil der Elektronen des auf die Maskenoberfläche auftreffenden Elektronenstrahles zum Elektronenstrahlschreiber und von dort zurück auf die Maskenoberfläche reflektiert wird. Dadurch werden Bereiche der Maske mit Elektronen bestrahlt, in denen keine Strukturen hergestellt werden sollen. Fogging arises from the fact that some of the electrons of the electron beam hitting the mask surface for Electron beam recorder and from there back to the Mask surface is reflected. This creates areas the mask is irradiated with electrons in which there are no structures to be manufactured.

Beim Loading wird ein Teil des zum Ätzen der Strukturen verwendeten Ätzmittels durch den in Bereichen der Maskenoberfläche befindlichen Fotolack absorbiert. Dies führt insbesondere an den Rändern des zu belichtenden Maskenbereichs zu CD-Schwankungen. During loading, part of the structure is etched etchant used by the in areas of Photoresist located on the mask surface is absorbed. This leads especially at the edges of the to be exposed Mask area for CD fluctuations.

Radiale Effekte treten beim "Spin Processing" auf, wobei die Maske beispielsweise zur gleichmäßigen Auftragung von Entwicklermedium rotiert wird. Die Rotation wirkt sich jedoch nahe der Rotationsachse weniger stark aus, als in weiter von der Rotationsachse entfernten Bereichen. Dadurch kann nahe der Rotationsachse beispielsweise eine höhere Entwicklerkonzentration entstehen als in Randbereichen der Maske. Radial effects occur during "spin processing", whereby the Mask, for example, for the even application of Developer medium is rotated. The rotation affects but less pronounced near the axis of rotation than in areas further from the axis of rotation. Thereby for example, a higher one near the axis of rotation Developer concentration arise as in the peripheral areas of the Mask.

Insgesamt wird durch solche und ähnliche Effekte die Standardabweichung des CD-Maßes auf den Masken vergößert, so dass die zu erreichenden Spezifikationen nicht eingehalten werden können. Overall, such and similar effects Standard deviation of the CD dimension on the masks enlarged, see above that the specifications to be achieved were not met can be.

In gewissen Grenzen lassen sich solche Effekte durch Prozessverbesserungen beheben, wie beispielsweise durch Änderung der Ätzchemie, um Loading-Effekte zu reduzieren. Dies ist jedoch aufwändig und führt zu hohen Kosten bei der Masken- und/oder Chipherstellung. Such effects can be carried out within certain limits Fix process improvements, such as through Change of etching chemistry to reduce loading effects. However, this is complex and leads to high costs in the Mask and / or chip manufacturing.

Problematisch ist außerdem, dass bei Designdaten mit einer starken Variation der lokalen Belegungsdichte (z. B. Logik mit eDRAM) durch Loading-Effekte bedingte Variationen der CD lokal korrigiert werden müssen. Dies ist durch reine Prozessverbesserung oft nicht zu erreichen. Another problem is that with design data with a strong variation of the local occupancy density (e.g. logic with eDRAM) variations of the CD caused by loading effects must be corrected locally. This is by pure Process improvement often cannot be achieved.

Eine Aufgabe der vorliegende Erfindung ist es, CD- Schwankungen bei der Herstellung von Masken zu reduzieren und/oder zu kompensieren. Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen. An object of the present invention is to To reduce fluctuations in the manufacture of masks and / or to compensate. This task is carried out by the in solved the independent claims invention. Advantageous refinements and developments are the See subclaims.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Erfindungsgemäß ist ein Verfahren geschaffen zur Korrektur von Maskenstrukturen, mit folgenden Schritten: Analysieren der Maskenstrukturen zur Bestimmung zu korrigierender Eigenschaften; Unterteilen der Maskenstrukturen in Teilstrukturen; Bestimmen einer Korrekturgöße für jede der Teilstrukturen in Abhängigkeit von bestimmten zu korrigierenden Eigenschaften; und Korrigieren der Maskenstrukturen durch Beaufschlagen jeder Teilstruktur mit der zugeordneten Korrekturgröße. According to the invention, a method for correction is created of mask structures, with the following steps: Analyze the mask structures to be corrected for determination Characteristics; Subdivide the mask structures into Substructures; Determine a correction size for each of the Substructures depending on certain ones corrective properties; and correct the Mask structures by applying each substructure the assigned correction quantity.

Die Analyse der Maskenstrukturen kann durch Messung oder Berechnung erfolgen, insbesondere durch Messung von unkorrigierten Masken (Critical Dimension von Linien) oder durch Verarbeitung von Designdaten zur Berechnung der Patterndichte. The analysis of the mask structures can be done by measurement or Calculation done, in particular by measuring uncorrected masks (critical dimension of lines) or by processing design data to calculate the Pattern density.

Durch Analyse der Maskenstrukturen können die zu korrigierenden Effekte bei der Maskenherstellung modelliert und anschließend kompensiert werden. Ein besonderer Vorteil des Verfahrens liegt in der Trennung der Modellierung der zu korrigierenden Effekte von der Kompensation. By analyzing the mask structures, you can corrective effects modeled during mask production and then compensated. A special advantage the method lies in the separation of the modeling of the corrective effects from compensation.

Beispielsweise kann zur Analyse und Bestimmung der zu korrigierenden Eigenschaften die lokale Belegungsdichte der Maskenstrukturen bestimmt werden. Die lokale Belegungsdichte der Maskenstrukturen in verschiedenen Bereichen der herzustellenden Maskenoberfläche gibt Aufschluss über zu erwartende CD-Schwankungen in diesen Bereichen. For example, the analysis and determination of the corrective properties the local occupancy of the Mask structures can be determined. The local occupancy density of the mask structures in different areas of the The mask surface to be produced provides information about expected CD fluctuations in these areas.

Insbesondere kann zur Beschreibung der zu korrigierenden Eigenschaften ein mathematisches Modell gebildet werden. Beispielsweise können Polynome zur Beschreibung des radialen Effektes in Abhängigkeit vom Abstand (Radius) von der Rotationsachse gebildet werden. Anhand der Polynome können Konstanten berechnet werden, die als Eingabeparameter für die anschließende Korrektur dienen. In particular, can be used to describe the correction Properties a mathematical model can be formed. For example, polynomials can be used to describe the radial Effect depending on the distance (radius) from the Rotation axis are formed. Using the polynomials Constants are calculated, which are input parameters for the subsequent correction serve.

In einer Ausgestaltung wird eine Verteilungsfunktion zur Beschreibung der Verteilung der Maskenstrukturen auf der Maskenoberfläche gebildet. Anschließend wird mit Hilfe eines mathematischen Modells wie z. B. einer Faltung aus der gebildeten Verteilungsfunktion eine Korrekturfunktion ermittelt. In one embodiment, a distribution function is used Description of the distribution of the mask structures on the Mask surface formed. Then using a mathematical model such as B. a fold from the formed distribution function a correction function determined.

Alternativ zur mathematischen Modellierung kann ein empirisches Modell zur Beschreibung der zu korrigierenden Eigenschaften gebildet werden. Beispielsweise kann das empirische Modell durch Messung der lokalen CD-Schwankungen einer unkorrigierten Maske gebildet werden. Auch kann das empirische Modell durch Vergleich der Strukturen einer unkorrigierten Maske mit denen einer idealisierten Maske gebildet werden. As an alternative to mathematical modeling, a empirical model for the description of the correction Properties are formed. For example, that empirical model by measuring local CD fluctuations an uncorrected mask. It can also empirical model by comparing the structures of a uncorrected mask with an idealized mask be formed.

Die Verwendung einer empirischen Modellierung hat den Vorteil, dass keine komplizierten Berechnungsalgorithmen zur Erzeugung einer modellbasierten Korrekturfunktion benötigt werden. Andererseits ist auf Grundlage eines mathematischen Modells die Erzeugung der Korrekturfunktion einfacher und flexibler. The use of empirical modeling has the Advantage that no complicated calculation algorithms for the Generation of a model-based correction function required become. On the other hand is based on a mathematical Model making the correction function easier and more flexible.

Gegebenfalls können diese beiden Arten der Modellierung kombiniert werden, wodurch eine weitere Erhöhung der Korrekturgenauigkeit erreicht wird. Auch kann das Verfahren dadurch erweitert werden, dass das mathematische oder das empirische Modell nach Durchlauf mehrerer Maskenkorrekturen durch Feststellung verbleibender CD-Schwankungen weiter angepasst wird. If necessary, these two types of modeling can be combined, thereby further increasing the Correction accuracy is achieved. The procedure can also be expanded by the fact that the mathematical or the empirical model after several mask corrections by determining remaining CD fluctuations is adjusted.

In einer Ausgestaltung der Erfindung sind die Teilstrukturen durch Teilbereiche der Maskenstrukturen auf der Maskenoberfläche gebildet. Durch getrennte Korrektur der Teilbereiche können auf vorteilhafte Weise Schwankungen korrigiert werden, die von der Lage der jeweiligen Strukturen auf der Maskenoberfläche abhängen. In one embodiment of the invention, the substructures are through partial areas of the mask structures on the Mask surface formed. By correcting the Partial areas can fluctuate in an advantageous manner to be corrected by the location of the respective structures hang on the mask surface.

Die Teilbereiche können in einfacher Weise durch Abbilden eines Gitters auf die Maskenoberfläche gebildet werden. Je kleiner die durch das Gitter gebildeten Teilbereiche sind, desto größer ist die Korrekturauflösung. The sub-areas can be mapped in a simple manner of a grid are formed on the mask surface. ever the partial areas formed by the grid are smaller, the greater the correction resolution.

Zur Vereinfachung der Korrekturmaßnahmen kann eine Zuordnungstabelle gebildet werden, in der jedem Teilbereich eine Korrekturgröße zugeordnet ist. To simplify the corrective measures, a Allocation table are formed in each sub-area a correction quantity is assigned.

In einer Ausgestaltung der Erfindung werden Korrekturgrößen, die benachbarten Teilbereichen zugeordnet sind, interpoliert. Durch diese Maßnahme wird die Korrekturgenauigkeit erhöht, ohne dass die Maskenoberfläche in kleinere Teilbereiche aufgeteilt werden muß. In one embodiment of the invention, correction variables, the neighboring sub-areas are assigned, interpolated. This measure increases the correction accuracy, without the mask surface in smaller areas must be divided.

In einer weiteren Ausgestaltung ist jede Korrekturgröße eine Größendifferenz. Die Größe der korrigierten Strukturen wird demnach ermittelt durch Addition der Größe der unkorrigierten Strukturen jedes Teilbereiches mit der jeweils zugeordneten Größendifferenz. In a further embodiment, each correction variable is one Size difference. The size of the corrected structures will be therefore determined by adding the size of the uncorrected Structures of each section with the assigned one Size difference.

Erfindungsgemäß ist außerdem ein Datenverarbeitungssystem geschaffen zur Verarbeitung von ersten Daten, die herzustellende Maskenstrukturen darstellen, mit: einem Datenspeicher zur Speicherung der ersten Daten; und einem Prozessor, der programmiert ist zum Abruf der gespeicherten Daten, zur Analyse der ersten Daten, um zu korrigierende Eigenschaften von Teilen der Maskenstrukturen zu bestimmen, zur Bestimmung einer Korrekturfunktion für jeden Teil der Maskenstrukturen gemäß der zu korrigierenden Eigenschaften, zur Erzeugung von korrigierten zweiten Daten mittels Verarbeitung der ersten Daten gemäß der Korrekturfunktionen, und zur Abspeicherung der zweiten Daten in dem Datenspeicher. A data processing system is also in accordance with the invention created for processing the first data represent mask structures to be produced, with: a Data storage for storing the first data; and one Processor that is programmed to retrieve the stored ones Data, to analyze the first data to be corrected Determine properties of parts of the mask structures, to determine a correction function for each part of the Mask structures according to the properties to be corrected, to generate corrected second data using Processing of the first data according to the correction functions, and for storing the second data in the data memory.

Mittels eines derartigen Datenverarbeitungssystem kann eine Kompensation von Maskenfehlern automatisiert werden. Using such a data processing system, a Compensation for mask errors can be automated.

Vorzugsweise ist der Prozessor programmiert zur Bildung von Datensätzen, die je einen Teil der Maskenstrukturen darstellen, und zur Zuordnung jedes Datensatzes zu einer Korrekturfunktion, wobei zur Erzeugung der korrigierten zweiten Daten jeder Datensatz gemäß der zugeordneten Korrekturfunktion verabeitet wird. The processor is preferably programmed to form Records, each a part of the mask structures represent, and to assign each record to a Correction function, whereby to generate the corrected second data each record according to the assigned Corrective function is administered.

Demnach werden die Designdaten, die die Maskenstrukturen darstellen, vor der Korrektur zur Bildung von Datensätzen vorverarbeitet, um die Informationen jedes Datensatzes einzeln zu korrigieren. Beispielsweise kann jeder Datensatz einem unterschiedlichen Bereich auf der Maskenoberfläche entsprechen. Accordingly, the design data that the mask structures represent, before the correction to form records preprocessed to the information of each record to correct individually. For example, any record a different area on the mask surface correspond.

Erfindungsgemäß ist weiterhin ein Computerprogramm zur Durchführung des oben beschriebenen Verfahrens geschaffen. Insbesondere kann das Computerprogramm durch EDA-Software implementiert sein. EDA-(Electronic Design Automation-) Software wird standardmäßig zum Design von Halbleiterstrukturen verwendet. Eine Implementation der beschriebenen Verfahrensschritte in einer solchen EDA- Software hat deshalb den Vorteil, dass vorhandene Designtools weiter verwendet werden können. According to the invention, there is also a computer program for Implementation of the procedure described above created. In particular, the computer program through EDA software be implemented. EDA- (Electronic Design Automation-) By default, software becomes the design of Semiconductor structures used. An implementation of the described process steps in such an EDA Software therefore has the advantage that existing design tools can continue to be used.

Description of the drawings

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden an Hand der Zeichnungen erläutert, und es zeigen: Exemplary embodiments of the invention are described below Hand of the drawings, and they show:

Fig. 1 die Verfahrensschritte nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und Figure 1 shows the method steps according to a first embodiment of the invention. and

Fig. 2 die Verfahrensschritte nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Fig. 2 shows the method steps according to a second embodiment of the invention.

Gemäß Fig. 1 wird in einem ersten Schritt 10 die Oberfläche einer unkorrigierten Maske in Bereiche aufgeteilt. Dies kann mit Hilfe eines Gitters umgesetzt werden. In einem nachfolgenden Schritt 11 werden lokale CD-Schwankungen auf der unkorrigierten Maske gemessen. Referring to FIG. 1, the surface areas in an uncorrected mask is divided in a first step 10. This can be done using a grid. In a subsequent step 11 , local CD fluctuations are measured on the uncorrected mask.

Um diese Messung durchführen zu können, wird demnach zuvor eine Maske hergestellt, ohne dass eine Korrektur durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens durchgeführt wird. In order to be able to carry out this measurement, the a mask is made without a correction by Application of the method according to the invention is carried out.

In einem Schritt 12 wird ein Korrekturwert für jeden der Teilbereiche der Maskenoberfläche berechnet. Jeder dieser Korrekturwerte ist beispielsweise eine Größendifferenz ("Sizing-Wert"), die aus der Differenz der jeweils gemessenen Strukturgröße und einer Sollgröße gebildet ist. In a step 12 , a correction value is calculated for each of the partial areas of the mask surface. Each of these correction values is, for example, a size difference (“sizing value”), which is formed from the difference between the structure size measured in each case and a target size.

In einem Schritt 14 werden diese Korrekturwerte in einer Zuordnungstabelle zusammengestellt. Die Zuordnungstabelle ordnet jedem Bereich der Maske einen Korrekturwert zu. Nicht zur Verfügung stehende Korrekturwerte, beispielsweise für Zwischenbereiche der Maskenoberfläche, können durch Interpolation der Korrekturwerte der an dem Zwischenbereich anliegenden Teilbereiche bestimmt werden (Schritt 13). In a step 14 , these correction values are compiled in an assignment table. The assignment table assigns a correction value to each area of the mask. Correction values that are not available, for example for intermediate areas of the mask surface, can be determined by interpolation of the correction values of the partial areas adjacent to the intermediate area (step 13 ).

In einem Schritt 15 wird dann die eigentliche Korrektur durchgeführt. Durch die Korrektur der Maskenstrukturgrößen werden die tatsächlich hergestellten Strukturgrößen den Sollgrößen angenähert. Durch eine feinere Unterteilung der Maskenoberfläche und/oder, wie erwähnt, Interpolation, kann die Annäherung weiter verbessert werden. The actual correction is then carried out in a step 15 . By correcting the mask structure sizes, the structure sizes actually produced are approximated to the target sizes. The approximation can be further improved by a finer subdivision of the mask surface and / or, as mentioned, interpolation.

Fig. 2 stellt ein Ausführungsbeispiel dar, in welchem statt der empirischen Modellierung eine mathematische Modellierung durchgeführt wird. In einem ersten Schritt 20 wird die Maskenoberfläche in Teilbereiche unterteilt. In einem Schritt 21 werden die lokalen Belegungsdichten der einzelnen Teilbereiche der Maske anhand der vorhandenen Designdaten bestimmt. FIG. 2 shows an exemplary embodiment in which a mathematical modeling is carried out instead of the empirical modeling. In a first step 20 , the mask surface is divided into partial areas. In a step 21 the local occupancy densities of the individual partial areas of the mask are determined on the basis of the existing design data.

Anschließend wird in einem Schritt 22 eine mathematische Modellierung des physikalischen Effekts (d. h. der CD- Schwankungen) vorgenommen, beispielsweise durch Faltung der aus den Designdaten berechneten Belegungsdichtefunktion mit einer vorbestimmten Verteilungsfunktion. Anhand des Ergebnisses wird ein Korrekturwert für jeden Teilbereich der Maskenoberfläche in einer Zuordnungstabelle (Schritt 24) abgelegt. Der Korrekturwert ist beispielsweise eine Größendifferenz ("Sizing-Wert"), wie bereits in Bezug auf das erste Ausführungsbeispiel erwähnt. Zusätzlich kann ebenfalls eine Interpolation durchgeführt werden (Schritt 23). A mathematical modeling of the physical effect (ie the CD fluctuations) is then carried out in a step 22 , for example by folding the occupancy density function calculated from the design data with a predetermined distribution function. On the basis of the result, a correction value for each partial area of the mask surface is stored in an assignment table (step 24 ). The correction value is, for example, a size difference (“sizing value”), as already mentioned in relation to the first exemplary embodiment. In addition, an interpolation can also be carried out (step 23 ).

In einem Schritt 25 findet die Korrektur analog zu dem Verfahren des ersten Ausführungsbeispieles statt. In step 25 , the correction takes place analogously to the method of the first exemplary embodiment.

Anzumerken ist, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern Modifikationen im Rahmen des durch die Ansprüche definierten Schutzbereiches umfasst. Insbesondere kann die Reihenfolge der in den Verfahrensansprüchen genannten Schritte variiert werden, ohne den Schutzbereich zu verlassen. It should be noted that the invention is not based on the described embodiments is limited, but Modifications within the scope defined by the claims Protection area includes. In particular, the order the steps mentioned in the process claims vary without leaving the protected area.

Claims

1. Procedure for correcting mask structures, with the following steps:
Analyzing the mask structures to determine properties to be corrected;
Dividing the mask structures into substructures;
Determining a correction size for each of the substructures depending on specific properties to be corrected; and
Correction of the mask structures by applying the assigned correction variable to each substructure.

2. The method according to claim 1, comprising: Determine the local occupancy density of the mask structures for analysis and determination of those to be corrected Characteristics.

3. The method according to claim 1 or 2, with the following step: Form a mathematical model to describe the corrective properties.

4. The method according to claim 3, comprising the following step:
Forming a distribution function for describing the distribution of the mask structures on the mask surface; and
Form a correction function using the mathematical model, in particular a convolution, from the distribution function formed.

5. The method according to any one of the preceding claims, with following step: Form an empirical model to describe the corrective properties.

6. The method of claim 5, wherein the empirical model by measuring the local CD fluctuations one uncorrected mask is formed.

7. The method of claim 5, wherein the empirical model by comparing the structures of an uncorrected mask with an idealized mask is formed.

8. The method according to any one of the preceding claims, wherein the substructures through subareas of the mask structures be formed on the mask surface.

9. The method according to claim 8, wherein the partial areas by Imaging a grid formed on the mask surface become.

10. The method according to claim 8 or 9, with the following step: Form a mapping table in which each subarea Correction size is assigned.

11. The method according to any one of claims 8 to 10, with following step: Interpolate associated sub-areas Correction values, for the formation of additional correction values.

12. The method according to any one of the preceding claims, wherein each correction quantity is a size difference.

13. Data processing system for processing first data, which represent mask structures to be produced, with:
a data memory for storing the first data; and
a processor programmed to retrieve the stored first data;
for analyzing the first data in order to determine properties of parts of the mask structures to be corrected;
for determining a correction function for each part of the mask structures in accordance with the properties to be corrected;
to generate corrected second data by processing the first data according to the correction functions;
and for storing the second data in the data memory.

14. The data processing system according to claim 13, wherein the Processor is programmed to form records that each represent part of the mask structures, and for Assignment of each data record to a correction function, whereby to generate the corrected second data of each data record is processed according to the assigned correction function.

15. Data processing system according to claim 13 or 14, for Control of a mask manufacturing process.

16. Computer program for carrying out the method according to one of claims 1 to 12.

17. Computer program according to claim 15, which by EDA Software is implemented.