DE10212923A1 - Process for coating a substrate and device for carrying out the process - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates mit einer dünnen Schicht in einer Prozesskammer (2) eines Reaktors (1), wobei ein mindestens in einem Vorratsbehälter (12) bevorrateter fester oder flüssiger Ausgangsstoff (15) als Gas oder Aerosol mittels eines Trägergases in die Prozesskammer (2) gebracht wird und dort auf dem Substrat (3) kondensiert, wobei der feste oder flüssige Ausgangsstoff (15) auf einer Quellentemperatur gehalten wird, die höher ist als die Substrattemperatur. Um eine gezielte Einstellung von Zusammensetzung, Schichtfolge und Eigenschaften der Grenzfläche, die die Eigenschaften der Bauelemente bestimmen, zu erlauben, ist vorgesehen, dass das Trägergas den Ausgangsstoff (15) durchströmt und die Zufuhr des gasförmigen Ausgangsstoffes zur Prozesskammer (2) mittels mindestens eines Ventils (8) und eines Massenflussreglers (9) kontrolliert wird.The invention relates to a method for coating at least one substrate with a thin layer in a process chamber (2) of a reactor (1), wherein a solid or liquid starting material (15) stored as a gas or aerosol at least in a storage container (12) by means of a carrier gas is brought into the process chamber (2) and condensed there on the substrate (3), the solid or liquid starting material (15) being kept at a source temperature which is higher than the substrate temperature. In order to allow a targeted setting of the composition, layer sequence and properties of the interface, which determine the properties of the components, it is provided that the carrier gas flows through the starting material (15) and the supply of the gaseous starting material to the process chamber (2) by means of at least one valve (8) and a mass flow controller (9) is checked.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates mit einer dünnen Schicht in einer Prozesskammer eines Reaktors, wobei mindestens ein in einem Vorratsbehälter bevorrateter fester oder flüssiger Ausgangsstoff als Gas oder Aerosol mittelst eines Trägergases in die Prozesskammer gebracht wird und dort auf einem Substrat kondensiert, wobei der feste oder flüssige Ausgangsstoff auf einer Quellentemperatur gehalten wird, die höher ist als die Substrattemperatur. Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung, insbesondere zur Durchführung dieses Verfahrens mit einem Reaktorgehäuse und einer darin angeordneten Prozesskammer, in welcher sich ein temperierbarer Substrathalter und ein temperierbares Gaseinlassorgan befinden, mit von mehreren temperierbaren Behältern zur Aufnahme je eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes zum Gaseinlassorgan führende, temperierbare Gasleitungen für ein Trägergas und des jeweiligen in die Gasform gebrachten Ausgangsstoffes. In den Behältern wird der Ausgangsstoff bei einem regulierten Druck bevorratet. Die Beschichtung findet in der Prozesskammer ebenfalls bei einem regulierten Druck statt.The invention relates to a method for coating at least one substrate with a thin layer in a process chamber of a reactor, at least one in one Storage container stocked solid or liquid Starting material as a gas or aerosol by means of a carrier gas is brought into the process chamber and condensed there on a substrate, the solid or liquid starting material is maintained at a source temperature that is higher than the substrate temperature. The invention relates above also a device, in particular for performing this method with a reactor housing and a process chamber arranged therein, in which a temperature-controlled substrate holder and a temperature-adjustable gas inlet element are, with several temperature-controlled containers for holding one each solid or liquid Starting material leading to the gas inlet organ, temperable gas lines for a Carrier gas and of the respective raw material brought into the gas form. In the containers the raw material is stored at a regulated pressure. The Coating also takes place in the process chamber at a regulated one Pressure instead.
Eine derartige Vorrichtung beschreibt
die
In dieser
Die zu erzielende Schichtdicke wird bei dem Verdampfungsverfahren durch die Depositionszeit festgelegt. Die Depositionsrate wird durch die Temperatur des Verdampferschiffchens festgelegt. Werden mehrere Quellen, also mehrere Schiffchen oder Tiegel verwendet, kann es zu Querverunreinigung der verschiedenen Quellensubstanzen kommen. Jede Quelle muss daher in einer separaten Prozesskammer angeordnet werden. Ferner tritt eine ungewollte Verteilung von Materialien mit hohem Dampfdruck in dem gesamten Depositionssystem auf. Dies führt zu einer unkontrollierten Verschleppung in nachfolgende Schichten der Struktur oder in den nächsten Prozess.The layer thickness to be achieved in the evaporation process determined by the deposition time. The deposition rate is determined by the temperature of the evaporator boat established. There are several sources, i.e. several boats or crucibles used, it can lead to cross-contamination of the various source substances come. Each source must therefore be in a separate process chamber to be ordered. There is also an unwanted distribution of materials with high vapor pressure in the entire deposition system. This leads to a uncontrolled carry-over into subsequent layers of the structure or in the next Process.
OLEDs mit hoher Leuchtkraft, niedrigen Betriebsspannungen und langer Lebensdauer benötigen eine Folge aus vielen dotierten und undotierten Schichten. Diese müssen in einem Prozess nacheinander abgeschieden werden. Zu diesen Schichten gehören Elektronen- und Lochleiter, Barriereschichten und aktive lichtemittierende, lichtleitende oder lichtreflektierende Schichten. Diese Schichten sollen bevorzugt so hergestellt werden, dass sich die Zusammensetzung und damit ihre Eigenschaften in Depositionsrichtung ändert. Die Schichteigenschaften, also die Schichtzusammensetzung oder der Dotierstoffgehalt sollen sich sowohl abrupt, als auch kontrolliert stetig ändern können. Ersteres ist für scharfe Grenzflächen zwischen den Schichten erforderlich.OLEDs with high luminosity, low Operating voltages and a long service life require a sequence of many doped and undoped layers. These have to be processed one after the other be deposited. These layers include electron and hole conductors, Barrier layers and active light-emitting, light-guiding or light-reflecting Layers. These layers should preferably be produced in such a way that the composition and thus its properties change in the direction of deposition. The Layer properties, i.e. the layer composition or the dopant content should be able to change both abruptly and in a controlled manner. The former is for sharp interfaces required between layers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die zuvor erörterten Nachteile zu beheben und ein Verfahren anzugeben, mittelst welchem eine gezielte Einstellung von Zusammensetzung, Schichtfolge und Eigenschaften der Grenzfläche, die die Eigenschaften der Bauelemente bestimmen, erlaubt.The invention is based, which previously discussed To remedy disadvantages and to specify a method by which one a targeted setting of composition, layer sequence and properties the interface, which determine the properties of the components allowed.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.The task is solved by the in the claims specified invention.
Der Anspruch 1 zielt auf ein Verfahren ab, bei dem das Trägergas den Ausgangsstoff durchströmt und die Zufuhr des gasförmigen Ausgangsstoffs zur Prozesskammer mittelst mindestens eines Ventils und eines Massenflussreglers kontrolliert wird. Bei dem Ventil handelt es sich bevorzugt um ein Umschaltventil, das zwischen dem Behälter und dem Gaseinlassorgan angeordnet ist. Der Massenflussregler kann vor dem Behälter angeordnet sein. Um die Verdampfungsrate konstant zu halten, ist der Behälter thermostatisiert. Auch die Gaszuleitung zum Behälter ist bevorzugt thermostatisiert, so dass das in dem Behälter einströmende Gas dieselbe Temperatur besitzt, die auch der feste oder flüssige Ausgangsstoff besitzt. Um den Gasdruck innerhalb des Behälters zu kontrollieren, kann sich stromabwärts des Behälters in der Gasleitung ein Druckkontrollorgan befinden, mittels welchem der Druck im Behälter auf einem vordefinierten Wert gehalten wird. Mittelst des Ventils kann der aus dem Behälter strömende Gasfluss, der aus dem Trägergas und dem darin gelösten gasförmigen Ausgangsstoff besteht, entweder in die Prozesskammer oder in einem Auspuff geleitet werden. Mit dieser Vent-Run-Schaltung ist eine genaue Voreinstellung der Gaskonzentration und eine schlagartige Zuschaltung des Ausgangsstoffes möglich. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mindestens zwei verschiedene Behälter voneinander verschiedene Ausgangsstoffe beinhalten und individuell von einem Trägergas durchströmt und die Zufuhr der jeweiligen gasförmigen Ausgangsstoffe zur Prozesskammer mittelst Ventilen und Massenflussreglern kontrolliert werden. Dabei ist jedem Behälter ein Ventil und ein Massenflussregler zugeordnet. Ferner kann vorgesehen sein, dass die Zufuhr mindestens eines der mindestens zwei in je einem Trägergas gelösten Ausgangsstoffe durch Variation des geregelten Massenflusses während des Abscheidungsprozesses geändert wird. Ferner ist vorgesehen, dass der Massenfluss ein- oder ausgeschaltet wird. Der Massenfluss kann aber auch stetig an- oder absteigen. Als Ausgangsstoffe dienen bevorzugt organische Moleküle. Die abgeschiedene Schicht kann zu einer OLED weiterverarbeitet werden. Bevorzugt werden nacheinander eine Vielzahl aus ein oder mehreren Ausgangsstoffen bestehende Schichten abgeschieden. Die Schichten dieser Schichtfolgen können aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Gaströme, die zum Gaseinlassorgan geführt werden, mittelst Ventilen und Gasmassenflussreglern zeitlich kontrollierbar in die Prozesskammer leitbar sind. Hierzu ist insbesondere vorgesehen, dass jeder der Behälter von unten nach oben durchströmt ist. Der gasförmige oder flüssige Ausgangsstoff kann daher auf einer porösen Zwischenwand des Behälters liegen, durch welche das auf die Temperatur des Ausgangsstoffes temperierte Trägergas strömt. Die Massenflussregler sind vorzugsweise dem Behälter vorgeordnet. Ein Umschaltventil ist dem Behälter nachgeordnet. Ein Druckregler kann dem Behälter ebenfalls nachgeordnet sein und befindet sich zwischen Behälter und dem Umschaltventil.The claim 1 aims at a method in which the carrier gas flows through the starting material and the supply of the gaseous starting material to the process chamber is controlled by means of at least one valve and a mass flow controller. The valve is preferably a changeover valve which is arranged between the container and the gas inlet element. The mass flow controller can be arranged in front of the container. The container is thermostatted to keep the evaporation rate constant. The gas feed line to the container is also preferably thermostatted, so that the gas flowing into the container has the same temperature has the same as the solid or liquid starting material. In order to control the gas pressure inside the container, a pressure control element can be located downstream of the container in the gas line, by means of which the pressure in the container is kept at a predefined value. By means of the valve, the gas flow flowing from the container, which consists of the carrier gas and the gaseous starting material dissolved therein, can be directed either into the process chamber or into an exhaust pipe. With this vent-run circuit, an exact presetting of the gas concentration and a sudden connection of the starting material is possible. In a further development of the invention it is provided that at least two different containers contain different starting materials and flow individually through a carrier gas and the supply of the respective gaseous starting materials to the process chamber is controlled by means of valves and mass flow controllers. A valve and a mass flow controller are assigned to each container. It can further be provided that the supply of at least one of the at least two starting materials dissolved in one carrier gas is changed by varying the regulated mass flow during the deposition process. It is also provided that the mass flow is switched on or off. The mass flow can also increase or decrease steadily. Organic molecules are preferably used as starting materials. The deposited layer can be processed into an OLED. A plurality of layers consisting of one or more starting materials are preferably deposited in succession. The layers of these layer sequences can consist of different materials. The device according to the invention is characterized in that the gas flows which are led to the gas inlet element can be conducted into the process chamber in a time-controllable manner by means of valves and gas mass flow controllers. For this purpose, provision is made in particular for each of the containers to be flowed through from bottom to top. The gaseous or liquid starting material can therefore lie on a porous intermediate wall of the container through which the carrier gas heated to the temperature of the starting material flows. The mass flow controllers are preferably arranged upstream of the container. A switch valve is located downstream of the container. A pressure regulator can also be arranged downstream of the container and is located between the container and the changeover valve.
Die gasförmigen Ausgangsstoffe zur Herstellung der Bauelementstrukturen werden in einem Gasstrom, z. B. Stickstoff, Argon oder Helium transportiert.The gaseous raw materials for production the component structures are in a gas stream, for. B. Nitrogen, argon or helium.
Die Depositionsrate, die Zusammensetzung und die Menge an Dotierstoff, die in die Schicht eingebaut wird, wird durch die Konzentration der jeweiligen Ausgangssubstanzen im Gasstrom bestimmt. Die Einstellung der jeweiligen Konzentration im Gasstrom erfolgt mittelst mehreren unabhängigen Massenflussreglern. Es sind auch Verdünnungsleitungen vorgesehen, die nach dem Umschaltventil in die Zuleitung zum Gaseinlassorgan münden. Es besteht die Möglichkeit durch eine Veränderung der Quellentemperatur den Dampfdruck der Ausgangsstoffe in den jeweiligen Behältern unabhängig voneinander zu verändern, um damit die Konzentration im Gasfluss wesentlich zu erhöhen oder zu erniedrigen. Der jeweilige Quellenbehälter ist so aufgebaut , dass sich die Zusammensetzung des Gasstroms reproduzierbar und nahezu linear mit dem Trägergasfluss ändert. Die Leitungen von den Quellen zum Reaktor sind so aufgebaut, dass die eingestellten Gaszusammensetzungen erhalten bleiben. Die Gasleitungen sind insbesondere derart temperiert, dass der Dampfdruck des gasförmigen Ausgangsstoffes im Trägergas niedriger ist, als der Sättigungsdampfdruck, so dass keine Kondensation entstehen kann. Diese Voraussetzungen gelten auch für die Temperatur des Gaseinlassorganes. Durch eine Separation der Quellen und der Leitungen erfolgt keine gegenseitige Verunreinigung. Die Drucke in den Leitungen bzw. in den Behältern werden über den obengenannten Druckregler geregelt. Ein abruptes und reproduzierbares Ab- und Anschalten der Quelle ist durch die Ventile möglich. Diese befinden sich möglichst in der Nähe des Reaktors. Da alle Quellen räumlich voneinander getrennt sind, erfolgt keine Kreuzkontermination der Quellen. Die Deposition einer Schichtenfolge, die aus mehreren qualitativ unterschiedlichen Schichten besteht, kann in einer Prozesskammer erfolgen, und zwar in unmittelbar aufeinander abfolgenden Schritten. Eine gegenseitige Beeinflussung der Gasströme erfolgt nicht, da die Zusammenführung der stark verdünnten Quellenflüsse erst kurz vor der Prozesskammer erfolgt. Das Gaseinlassorgan des Reaktors und der Gasweg vom Gaseinlassorgan zum Substrat ist so gestaltet, dass die eingestellten Gaszusammensetzungen sich nicht unreproduzierbar verändern. Die Schichtdicken werden somit im Wesentlichen nur durch die Schaltzeiten definiert. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau der Prozesskammer und der Peripherie, also der Anordnung der Ventile der Behälter und der Massenflussregler ist eine sehr schnelle Zusammensetzungsänderung der Gasphase und damit der Schichtzusammensetzung möglich. Die oben beschriebene Vent-Run-Schaltung ermöglicht eine genaue Voreinstellung der Gaskonzentration. Bevorzugt befinden sich in dem gesamten Depositionssystem keine ungespülten Leerräume, so dass keine ungewünschte Vermischung der Gase erfolgt. Aus diesen Gründen sind die Eigenschaften der Grenzflächen zwischen den einzelnen abgeschiedenen Schichten genau einstellbar. In Wachstumspausen können die Oberflächen mit einem Inertgas gespült werden. Die Pausenzeiten sind insbesondere zufolge der Vent-Run-Schaltung frei wählbar. Minimale Pausenzeiten im Bereich von wenigen Sekunden Bruchteilen sind möglich. Schaltzeiten für die Position oder Pausen von einigen Sekundenbruchteilen bis zu mehreren Minuten sind einstellbar. Die Prozessparameter in den Wachstumspausen sind weitestgehend frei einstellbar. Z. B. kann der Gasstrom, die Temperatur voreingestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass das Wachstum der Schichten nicht nur graduell begonnen oder graduell beendet werden kann. Das Schichtwachstum lässt sich vielmehr abrupt ein- oder ausschalten. Dies führt zu einer präzisen Kontrolle der Grenzflächen der einzelnen aufeinander abgeschiedenen Schichten. Die Schichten können eine Dicke von nur wenigen Nanometern aufweisen. Zwischen den einzelnen Schichten können auch subatomare Lagen abgeschieden werden, um die Grenzflächen zu beeinflussen. Mittels dieser subatomaren Lagen können die Oberflächenladungen abgesättigt werden. Dies führt zu einer gewünschten Bandverbiegung. Zur Beeinflussung der Grenzflächen und insbesondere der Grenzflächen-Aufladungen können Metalle oder Polymere abgeschieden werden. Es ist aber auch möglich, die Grenzflächen lediglich durch pausieren des Wachstums zu beeinflussen. Hierzu wird die Deposition abrupt abgeschaltet. Es wird eine gewisse Zeit gewartet. In dieser Zeit findet kein Wachstum statt. In dieser Zeit kann sich die Oberfläche elektronisch verändern. Nach der Wartezeit kann das Schichtwachstum abrupt oder graduell wieder begonnen werden. Erfindungsgemäß werden Festkörper oder Flüssigkeiten als Ausgangsstoffe verwendet. Es können dabei solche Ausgangsstoffe verwendet werden, die sich verdampfen lassen. Es können aber auch solche Ausgangsstoffe verwendet werden, bei denen die Verdampfungstemperatur höher ist als die Zerlegungstemperatur. Solche Stoffe lassen sich nicht verdampfen, da sie sich vorher chemisch zerlegen. Diese Stoffe können als Aerosol, also als Nebel transportiert werden.The deposition rate, the composition and the amount of dopant that is incorporated into the layer is determined by the concentration of the respective starting substances in the gas stream. The respective concentration in the gas flow is set by means of several independent mass flow controllers. Dilution lines are also provided, which open into the feed line to the gas inlet element after the changeover valve. It is possible to change the vapor pressure of the starting materials in the respective containers independently of one another by changing the source temperature in order to significantly increase or decrease the concentration in the gas flow. The respective source container is constructed in such a way that the composition of the gas flow changes reproducibly and almost linearly with the carrier gas flow. The lines from the sources to the reactor are constructed in such a way that the set gas compositions are retained. The gas lines are in particular tempered in such a way that the vapor pressure of the gaseous starting material in the carrier gas is lower than the saturation vapor pressure, so that no condensation can occur. These requirements also apply to the temperature of the gas inlet element. By separating the sources and the lines, there is no mutual contamination. The pressures in the lines or in the tanks are regulated via the pressure regulator mentioned above. The valves enable the source to be switched off and on abruptly and reproducibly. These are as close as possible to the reactor. Since all sources are spatially separated from one another, there is no cross-termination of the sources. The deposition of a layer sequence, which consists of several qualitatively different layers, can take place in a process chamber, namely in directly successive steps. There is no mutual influence of the gas flows since the highly diluted source flows are only brought together shortly before the process chamber. The gas inlet element of the reactor and the gas path from the gas inlet element to the substrate are designed in such a way that the gas compositions set do not change in an unreproducible manner. The layer thicknesses are therefore essentially only defined by the switching times. Due to the construction of the process chamber and the periphery according to the invention, that is to say the arrangement of the valves of the containers and the mass flow controller, a very rapid change in the composition of the gas phase and thus the layer composition is possible. The vent run circuit described above enables the gas concentration to be precisely preset. Preferably, there are no non-flushed empty spaces in the entire deposition system, so that there is no undesired mixing of the gases. For these reasons, the properties of the interfaces between the individual deposited layers can be set precisely. During growth breaks, the surfaces can be flushed with an inert gas. The pause times can be freely selected, in particular due to the vent-run circuit. Minimum break times in the range of a few seconds are possible. Switching times for the bottom Sition or pauses from a fraction of a second to several minutes can be set. The process parameters in the growth breaks are largely freely adjustable. For example, the gas flow and the temperature can be preset. The method according to the invention is characterized in that the growth of the layers can not only be started gradually or can be ended gradually. The layer growth can rather be switched on or off abruptly. This leads to a precise control of the interfaces of the individual layers deposited on one another. The layers can have a thickness of only a few nanometers. Subatomic layers can also be deposited between the individual layers in order to influence the interfaces. The surface charges can be saturated by means of these subatomic layers. This leads to a desired band bending. Metals or polymers can be deposited to influence the interfaces and in particular the interface charges. However, it is also possible to influence the interfaces only by pausing growth. For this purpose, the deposition is switched off abruptly. There is a period of waiting. There is no growth during this time. During this time, the surface can change electronically. After the waiting period, the layer growth can be started abruptly or gradually. According to the invention, solids or liquids are used as starting materials. It can be used such starting materials that can be evaporated. However, starting materials can also be used in which the evaporation temperature is higher than the decomposition temperature. Such substances cannot be evaporated because they decompose chemically beforehand. These substances can be transported as an aerosol, i.e. as a mist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention are attached Drawings explained. Show it:
Die in der
Das Gaseinlassorgan
Die gasförmigen Ausgangsstoffe werden
in Gasquellen bereitgestellt. Diese Gasquellen bestehen aus einem
Behälter
Die
Der in der
Das Schichtwachstum findet mit einer
gleichmäßigen Wachstumsrate
statt. Lediglich der Dotierstoffeinbau erfolgt zeitlich variabel.
Daraus resultiert das in der
In den
In der
In der Phase T1 ist das zum Material
B zugeordnete Umschaltventil
Es ist selbstverständlich auch
möglich,
die durch die Komponenten A oder B beinhaltenden Behälter strömenden Trägergase
zeitlich zu variieren, wie es die
Die Variation der Zusammensetzung
der Gasphase in der Prozesskammer
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. der erfindungsgemäßen Vorrichtung lassen sich die Grenzflächen zwischen den einzelnen, aufeinander abgeschiedenen Schichten beeinflussen. Insbesondere ist vorgesehen, auf die Oberfläche einer der Schichten eine subatomare Lage, beispielsweise eines Metalls oder eines Polymers abzuscheiden. Mittels einer solchen oder einer ähnlichen Zwischenschicht können Oberflächenladungen abgesättigt werden. Dies führt zu einer kontrollierten Bandverbiegung. Es ist aber auch vorgesehen, dass durch ledigliches Unterbrechen des Wachstumsprozesses die Grenzflächen-Eigenschaften beeinflusst werden. Die typische Schichtdicke einer abgeschiedenen Schicht liegt zwischen 10 und 15 Nanometern. Die gesamte, aus einer Vielzahl von Schichten bestehende Struktur hat eine Gesamtdicke von 100 bis 150 Nanometern. Neben den zuvor beschriebenen Einsatzbereichen kann das erfindungsgemäße Verfahren auch zur Herstellung von weißen Lichtemittierern für die Beleuchtungstechnik verwendet werden.With the method according to the invention or the device according to the invention, the interfaces between the individual layers deposited on one another can be influenced. In particular, it is provided to deposit a subatomic layer, for example of a metal or a polymer, on the surface of one of the layers. Surface charges can be saturated by means of such or a similar intermediate layer. This leads to a controlled band bending. However, it is also envisaged that by merely interrupting the growth process Interface properties can be influenced. The typical layer thickness of a deposited layer is between 10 and 15 nanometers. The entire structure, consisting of a large number of layers, has a total thickness of 100 to 150 nanometers. In addition to the fields of application described above, the method according to the invention can also be used to produce white light emitters for lighting technology.
Erfindungsgemäß können auch solche Materialien als Ausgangsstoffe verwendet werden, die sich aufgrund ihrer niedrigen Zerlegungstemperatur nicht verdampfen lassen. Solche, nicht verdampfbare Ausgangsstoffe, bei denen die Verdampfungstemperatur höher liegt als die Zerlegungstemperatur, werden als Aerosol transport.According to the invention, such materials can also be used can be used as starting materials, which due to their low Do not let the decomposition temperature evaporate. Such non-vaporizable raw materials, where the evaporation temperature is higher than the decomposition temperature, are transported as an aerosol.
Die schematische Darstellung in
Die Grundrissform der Gasaustrittsfläche des
Gaseinlassorganes
Es ist möglich, die Schicht durch Masken lateral zu strukturieren. Vorzugsweise werden innerhalb der Prozesskammer eine Vielzahl von Schichten abgeschie den. Auf die Schichtenfolge kann zusätzlich eine Schutz-, Isolier- oder Antireflexschicht aufgebracht werden.It is possible to mask the layer to structure laterally. Preferably inside the process chamber a large number of layers were deposited. On the sequence of layers can additionally a protective, insulating or anti-reflective layer can be applied.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.All disclosed features are (in themselves) essential to the invention. In the disclosure of the application is hereby also the disclosure content of the associated / attached priority documents (Copy of the pre-registration) fully included, too for the purpose of features of these documents in claims of this Registration included.
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