DE10212923A1 - Process for coating a substrate and device for carrying out the process - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates mit einer dünnen Schicht in einer Prozesskammer (2) eines Reaktors (1), wobei ein mindestens in einem Vorratsbehälter (12) bevorrateter fester oder flüssiger Ausgangsstoff (15) als Gas oder Aerosol mittels eines Trägergases in die Prozesskammer (2) gebracht wird und dort auf dem Substrat (3) kondensiert, wobei der feste oder flüssige Ausgangsstoff (15) auf einer Quellentemperatur gehalten wird, die höher ist als die Substrattemperatur. Um eine gezielte Einstellung von Zusammensetzung, Schichtfolge und Eigenschaften der Grenzfläche, die die Eigenschaften der Bauelemente bestimmen, zu erlauben, ist vorgesehen, dass das Trägergas den Ausgangsstoff (15) durchströmt und die Zufuhr des gasförmigen Ausgangsstoffes zur Prozesskammer (2) mittels mindestens eines Ventils (8) und eines Massenflussreglers (9) kontrolliert wird.The invention relates to a method for coating at least one substrate with a thin layer in a process chamber (2) of a reactor (1), wherein a solid or liquid starting material (15) stored as a gas or aerosol at least in a storage container (12) by means of a carrier gas is brought into the process chamber (2) and condensed there on the substrate (3), the solid or liquid starting material (15) being kept at a source temperature which is higher than the substrate temperature. In order to allow a targeted setting of the composition, layer sequence and properties of the interface, which determine the properties of the components, it is provided that the carrier gas flows through the starting material (15) and the supply of the gaseous starting material to the process chamber (2) by means of at least one valve (8) and a mass flow controller (9) is checked.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates mit einer dünnen Schicht in einer Prozesskammer eines Reaktors, wobei mindestens ein in einem Vorratsbehälter bevorrateter fester oder flüssiger Ausgangsstoff als Gas oder Aerosol mittelst eines Trägergases in die Prozesskammer gebracht wird und dort auf einem Substrat kondensiert, wobei der feste oder flüssige Ausgangsstoff auf einer Quellentemperatur gehalten wird, die höher ist als die Substrattemperatur. Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung, insbesondere zur Durchführung dieses Verfahrens mit einem Reaktorgehäuse und einer darin angeordneten Prozesskammer, in welcher sich ein temperierbarer Substrathalter und ein temperierbares Gaseinlassorgan befinden, mit von mehreren temperierbaren Behältern zur Aufnahme je eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes zum Gaseinlassorgan führende, temperierbare Gasleitungen für ein Trägergas und des jeweiligen in die Gasform gebrachten Ausgangsstoffes. In den Behältern wird der Ausgangsstoff bei einem regulierten Druck bevorratet. Die Beschichtung findet in der Prozesskammer ebenfalls bei einem regulierten Druck statt.The invention relates to a method for coating at least one substrate with a thin layer in a process chamber of a reactor, at least one in one Storage container stocked solid or liquid Starting material as a gas or aerosol by means of a carrier gas is brought into the process chamber and condensed there on a substrate, the solid or liquid starting material is maintained at a source temperature that is higher than the substrate temperature. The invention relates above also a device, in particular for performing this method with a reactor housing and a process chamber arranged therein, in which a temperature-controlled substrate holder and a temperature-adjustable gas inlet element are, with several temperature-controlled containers for holding one each solid or liquid Starting material leading to the gas inlet organ, temperable gas lines for a Carrier gas and of the respective raw material brought into the gas form. In the containers the raw material is stored at a regulated pressure. The Coating also takes place in the process chamber at a regulated one Pressure instead.

Eine derartige Vorrichtung beschreibt die WO 01/61077 A2 . Dort befindet sich in einer Prozesskammer eines Reaktors ein kühlbarer Substrathalter, dem ein beheizbares Gaseinlassorgan in Form eines Duschkopfes gegenüberliegt. In das Gaseinlassorgan münden getrennt voneinander Gasleistungen, durch welche ein Trägergas und im jeweiligen Trägergas gelöste gasförmige Ausgangsstoffe der Prozesskammer zugeführt werden. Die gasförmigen Ausgangsstoffe entstammen Behältern, die auf eine Quellentemperatur aufgeheizt sind. In diesen Behältern befinden sich gasförmige oder flüssige Ausgangsstoffe. Durch die verschließbaren Behälteröffnungen dampft der flüssige oder feste Ausgangsstoff. Dieser Dampf wird vom Trägergas transportiert.Such a device describes the WO 01/61077 A2 , There is a coolable substrate holder in a process chamber of a reactor, which is opposite a heatable gas inlet element in the form of a shower head. Gas outputs, through which a carrier gas and gaseous starting materials dissolved in the respective carrier gas are fed to the process chamber, separate into the gas inlet member. The gaseous raw materials come from containers that are heated to a source temperature. These containers contain gaseous or liquid starting materials. The liquid or solid starting material vapors through the closable container openings. This vapor is carried by the carrier gas.

In dieser WO 01/61071 A1 werden weitere Schriften genannt, die sich ebenfalls mit einem gattungsgemäßen Verfahren zur Kondensationsbeschichtung befassen, beispielsweise die US 5,554,220 . Diese Schrift offenbart ein Verfahren zur OVPD. Mit diesem Verfahren sollen Schichten aus optischen, nicht linearen, organischen Salzen abgeschieden werden. Diese Salze werden in einem Schiffchen (Tiegel) bevorratet, welches sich in einer heizen Zone des Reaktors befindet. Zufolge der dort herrschenden Quellentemperatur verdampft das organische Salz. Mittelst eines über das Schiffchen strömenden Trägergasstroms wird der in die Gasform gebrachte feste Ausgangsstoff weiter in eine Depositionszone transportiert, wo auf einem Substrathalter ein Substrat angeordnet ist. Da die Substrattemperatur niedriger ist, als die Quellentemperatur, kondensiert der gasförmige Ausgangsstoff auf der Substratoberfläche zu einem dünnen Film. Mit dieser Methode bzw. mit den dort beschriebenen Vorrichtungen lassen sich die Basismaterialien, nämlich Schichten, für organische Leuchtdioden OLED aus kleinen Molekülen fertigen.In this WO 01/61071 A1 other documents are mentioned that also deal with a generic method for condensation coating, for example the US 5,554,220 , This document discloses a method for OVPD. This process is intended to deposit layers of optical, non-linear, organic salts. These salts are stored in a boat (crucible), which is located in a hot zone of the reactor. Due to the source temperature there, the organic salt evaporates. By means of a carrier gas stream flowing over the boat, the solid starting material brought into the gas form is transported further into a deposition zone, where a substrate is arranged on a substrate holder. Since the substrate temperature is lower than the source temperature, the gaseous starting material condenses on the substrate surface to form a thin film. With this method or with the devices described there, the base materials, namely layers, for organic light-emitting diodes OLED can be produced from small molecules.

Die zu erzielende Schichtdicke wird bei dem Verdampfungsverfahren durch die Depositionszeit festgelegt. Die Depositionsrate wird durch die Temperatur des Verdampferschiffchens festgelegt. Werden mehrere Quellen, also mehrere Schiffchen oder Tiegel verwendet, kann es zu Querverunreinigung der verschiedenen Quellensubstanzen kommen. Jede Quelle muss daher in einer separaten Prozesskammer angeordnet werden. Ferner tritt eine ungewollte Verteilung von Materialien mit hohem Dampfdruck in dem gesamten Depositionssystem auf. Dies führt zu einer unkontrollierten Verschleppung in nachfolgende Schichten der Struktur oder in den nächsten Prozess.The layer thickness to be achieved in the evaporation process determined by the deposition time. The deposition rate is determined by the temperature of the evaporator boat established. There are several sources, i.e. several boats or crucibles used, it can lead to cross-contamination of the various source substances come. Each source must therefore be in a separate process chamber to be ordered. There is also an unwanted distribution of materials with high vapor pressure in the entire deposition system. This leads to a uncontrolled carry-over into subsequent layers of the structure or in the next Process.

OLEDs mit hoher Leuchtkraft, niedrigen Betriebsspannungen und langer Lebensdauer benötigen eine Folge aus vielen dotierten und undotierten Schichten. Diese müssen in einem Prozess nacheinander abgeschieden werden. Zu diesen Schichten gehören Elektronen- und Lochleiter, Barriereschichten und aktive lichtemittierende, lichtleitende oder lichtreflektierende Schichten. Diese Schichten sollen bevorzugt so hergestellt werden, dass sich die Zusammensetzung und damit ihre Eigenschaften in Depositionsrichtung ändert. Die Schichteigenschaften, also die Schichtzusammensetzung oder der Dotierstoffgehalt sollen sich sowohl abrupt, als auch kontrolliert stetig ändern können. Ersteres ist für scharfe Grenzflächen zwischen den Schichten erforderlich.OLEDs with high luminosity, low Operating voltages and a long service life require a sequence of many doped and undoped layers. These have to be processed one after the other be deposited. These layers include electron and hole conductors, Barrier layers and active light-emitting, light-guiding or light-reflecting Layers. These layers should preferably be produced in such a way that the composition and thus its properties change in the direction of deposition. The Layer properties, i.e. the layer composition or the dopant content should be able to change both abruptly and in a controlled manner. The former is for sharp interfaces required between layers.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die zuvor erörterten Nachteile zu beheben und ein Verfahren anzugeben, mittelst welchem eine gezielte Einstellung von Zusammensetzung, Schichtfolge und Eigenschaften der Grenzfläche, die die Eigenschaften der Bauelemente bestimmen, erlaubt.The invention is based, which previously discussed To remedy disadvantages and to specify a method by which one a targeted setting of composition, layer sequence and properties the interface, which determine the properties of the components allowed.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.The task is solved by the in the claims specified invention.

Der Anspruch 1 zielt auf ein Verfahren ab, bei dem das Trägergas den Ausgangsstoff durchströmt und die Zufuhr des gasförmigen Ausgangsstoffs zur Prozesskammer mittelst mindestens eines Ventils und eines Massenflussreglers kontrolliert wird. Bei dem Ventil handelt es sich bevorzugt um ein Umschaltventil, das zwischen dem Behälter und dem Gaseinlassorgan angeordnet ist. Der Massenflussregler kann vor dem Behälter angeordnet sein. Um die Verdampfungsrate konstant zu halten, ist der Behälter thermostatisiert. Auch die Gaszuleitung zum Behälter ist bevorzugt thermostatisiert, so dass das in dem Behälter einströmende Gas dieselbe Temperatur besitzt, die auch der feste oder flüssige Ausgangsstoff besitzt. Um den Gasdruck innerhalb des Behälters zu kontrollieren, kann sich stromabwärts des Behälters in der Gasleitung ein Druckkontrollorgan befinden, mittels welchem der Druck im Behälter auf einem vordefinierten Wert gehalten wird. Mittelst des Ventils kann der aus dem Behälter strömende Gasfluss, der aus dem Trägergas und dem darin gelösten gasförmigen Ausgangsstoff besteht, entweder in die Prozesskammer oder in einem Auspuff geleitet werden. Mit dieser Vent-Run-Schaltung ist eine genaue Voreinstellung der Gaskonzentration und eine schlagartige Zuschaltung des Ausgangsstoffes möglich. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mindestens zwei verschiedene Behälter voneinander verschiedene Ausgangsstoffe beinhalten und individuell von einem Trägergas durchströmt und die Zufuhr der jeweiligen gasförmigen Ausgangsstoffe zur Prozesskammer mittelst Ventilen und Massenflussreglern kontrolliert werden. Dabei ist jedem Behälter ein Ventil und ein Massenflussregler zugeordnet. Ferner kann vorgesehen sein, dass die Zufuhr mindestens eines der mindestens zwei in je einem Trägergas gelösten Ausgangsstoffe durch Variation des geregelten Massenflusses während des Abscheidungsprozesses geändert wird. Ferner ist vorgesehen, dass der Massenfluss ein- oder ausgeschaltet wird. Der Massenfluss kann aber auch stetig an- oder absteigen. Als Ausgangsstoffe dienen bevorzugt organische Moleküle. Die abgeschiedene Schicht kann zu einer OLED weiterverarbeitet werden. Bevorzugt werden nacheinander eine Vielzahl aus ein oder mehreren Ausgangsstoffen bestehende Schichten abgeschieden. Die Schichten dieser Schichtfolgen können aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Gaströme, die zum Gaseinlassorgan geführt werden, mittelst Ventilen und Gasmassenflussreglern zeitlich kontrollierbar in die Prozesskammer leitbar sind. Hierzu ist insbesondere vorgesehen, dass jeder der Behälter von unten nach oben durchströmt ist. Der gasförmige oder flüssige Ausgangsstoff kann daher auf einer porösen Zwischenwand des Behälters liegen, durch welche das auf die Temperatur des Ausgangsstoffes temperierte Trägergas strömt. Die Massenflussregler sind vorzugsweise dem Behälter vorgeordnet. Ein Umschaltventil ist dem Behälter nachgeordnet. Ein Druckregler kann dem Behälter ebenfalls nachgeordnet sein und befindet sich zwischen Behälter und dem Umschaltventil.The claim 1 aims at a method in which the carrier gas flows through the starting material and the supply of the gaseous starting material to the process chamber is controlled by means of at least one valve and a mass flow controller. The valve is preferably a changeover valve which is arranged between the container and the gas inlet element. The mass flow controller can be arranged in front of the container. The container is thermostatted to keep the evaporation rate constant. The gas feed line to the container is also preferably thermostatted, so that the gas flowing into the container has the same temperature has the same as the solid or liquid starting material. In order to control the gas pressure inside the container, a pressure control element can be located downstream of the container in the gas line, by means of which the pressure in the container is kept at a predefined value. By means of the valve, the gas flow flowing from the container, which consists of the carrier gas and the gaseous starting material dissolved therein, can be directed either into the process chamber or into an exhaust pipe. With this vent-run circuit, an exact presetting of the gas concentration and a sudden connection of the starting material is possible. In a further development of the invention it is provided that at least two different containers contain different starting materials and flow individually through a carrier gas and the supply of the respective gaseous starting materials to the process chamber is controlled by means of valves and mass flow controllers. A valve and a mass flow controller are assigned to each container. It can further be provided that the supply of at least one of the at least two starting materials dissolved in one carrier gas is changed by varying the regulated mass flow during the deposition process. It is also provided that the mass flow is switched on or off. The mass flow can also increase or decrease steadily. Organic molecules are preferably used as starting materials. The deposited layer can be processed into an OLED. A plurality of layers consisting of one or more starting materials are preferably deposited in succession. The layers of these layer sequences can consist of different materials. The device according to the invention is characterized in that the gas flows which are led to the gas inlet element can be conducted into the process chamber in a time-controllable manner by means of valves and gas mass flow controllers. For this purpose, provision is made in particular for each of the containers to be flowed through from bottom to top. The gaseous or liquid starting material can therefore lie on a porous intermediate wall of the container through which the carrier gas heated to the temperature of the starting material flows. The mass flow controllers are preferably arranged upstream of the container. A switch valve is located downstream of the container. A pressure regulator can also be arranged downstream of the container and is located between the container and the changeover valve.

Die gasförmigen Ausgangsstoffe zur Herstellung der Bauelementstrukturen werden in einem Gasstrom, z. B. Stickstoff, Argon oder Helium transportiert.The gaseous raw materials for production the component structures are in a gas stream, for. B. Nitrogen, argon or helium.

Die Depositionsrate, die Zusammensetzung und die Menge an Dotierstoff, die in die Schicht eingebaut wird, wird durch die Konzentration der jeweiligen Ausgangssubstanzen im Gasstrom bestimmt. Die Einstellung der jeweiligen Konzentration im Gasstrom erfolgt mittelst mehreren unabhängigen Massenflussreglern. Es sind auch Verdünnungsleitungen vorgesehen, die nach dem Umschaltventil in die Zuleitung zum Gaseinlassorgan münden. Es besteht die Möglichkeit durch eine Veränderung der Quellentemperatur den Dampfdruck der Ausgangsstoffe in den jeweiligen Behältern unabhängig voneinander zu verändern, um damit die Konzentration im Gasfluss wesentlich zu erhöhen oder zu erniedrigen. Der jeweilige Quellenbehälter ist so aufgebaut , dass sich die Zusammensetzung des Gasstroms reproduzierbar und nahezu linear mit dem Trägergasfluss ändert. Die Leitungen von den Quellen zum Reaktor sind so aufgebaut, dass die eingestellten Gaszusammensetzungen erhalten bleiben. Die Gasleitungen sind insbesondere derart temperiert, dass der Dampfdruck des gasförmigen Ausgangsstoffes im Trägergas niedriger ist, als der Sättigungsdampfdruck, so dass keine Kondensation entstehen kann. Diese Voraussetzungen gelten auch für die Temperatur des Gaseinlassorganes. Durch eine Separation der Quellen und der Leitungen erfolgt keine gegenseitige Verunreinigung. Die Drucke in den Leitungen bzw. in den Behältern werden über den obengenannten Druckregler geregelt. Ein abruptes und reproduzierbares Ab- und Anschalten der Quelle ist durch die Ventile möglich. Diese befinden sich möglichst in der Nähe des Reaktors. Da alle Quellen räumlich voneinander getrennt sind, erfolgt keine Kreuzkontermination der Quellen. Die Deposition einer Schichtenfolge, die aus mehreren qualitativ unterschiedlichen Schichten besteht, kann in einer Prozesskammer erfolgen, und zwar in unmittelbar aufeinander abfolgenden Schritten. Eine gegenseitige Beeinflussung der Gasströme erfolgt nicht, da die Zusammenführung der stark verdünnten Quellenflüsse erst kurz vor der Prozesskammer erfolgt. Das Gaseinlassorgan des Reaktors und der Gasweg vom Gaseinlassorgan zum Substrat ist so gestaltet, dass die eingestellten Gaszusammensetzungen sich nicht unreproduzierbar verändern. Die Schichtdicken werden somit im Wesentlichen nur durch die Schaltzeiten definiert. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau der Prozesskammer und der Peripherie, also der Anordnung der Ventile der Behälter und der Massenflussregler ist eine sehr schnelle Zusammensetzungsänderung der Gasphase und damit der Schichtzusammensetzung möglich. Die oben beschriebene Vent-Run-Schaltung ermöglicht eine genaue Voreinstellung der Gaskonzentration. Bevorzugt befinden sich in dem gesamten Depositionssystem keine ungespülten Leerräume, so dass keine ungewünschte Vermischung der Gase erfolgt. Aus diesen Gründen sind die Eigenschaften der Grenzflächen zwischen den einzelnen abgeschiedenen Schichten genau einstellbar. In Wachstumspausen können die Oberflächen mit einem Inertgas gespült werden. Die Pausenzeiten sind insbesondere zufolge der Vent-Run-Schaltung frei wählbar. Minimale Pausenzeiten im Bereich von wenigen Sekunden Bruchteilen sind möglich. Schaltzeiten für die Position oder Pausen von einigen Sekundenbruchteilen bis zu mehreren Minuten sind einstellbar. Die Prozessparameter in den Wachstumspausen sind weitestgehend frei einstellbar. Z. B. kann der Gasstrom, die Temperatur voreingestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass das Wachstum der Schichten nicht nur graduell begonnen oder graduell beendet werden kann. Das Schichtwachstum lässt sich vielmehr abrupt ein- oder ausschalten. Dies führt zu einer präzisen Kontrolle der Grenzflächen der einzelnen aufeinander abgeschiedenen Schichten. Die Schichten können eine Dicke von nur wenigen Nanometern aufweisen. Zwischen den einzelnen Schichten können auch subatomare Lagen abgeschieden werden, um die Grenzflächen zu beeinflussen. Mittels dieser subatomaren Lagen können die Oberflächenladungen abgesättigt werden. Dies führt zu einer gewünschten Bandverbiegung. Zur Beeinflussung der Grenzflächen und insbesondere der Grenzflächen-Aufladungen können Metalle oder Polymere abgeschieden werden. Es ist aber auch möglich, die Grenzflächen lediglich durch pausieren des Wachstums zu beeinflussen. Hierzu wird die Deposition abrupt abgeschaltet. Es wird eine gewisse Zeit gewartet. In dieser Zeit findet kein Wachstum statt. In dieser Zeit kann sich die Oberfläche elektronisch verändern. Nach der Wartezeit kann das Schichtwachstum abrupt oder graduell wieder begonnen werden. Erfindungsgemäß werden Festkörper oder Flüssigkeiten als Ausgangsstoffe verwendet. Es können dabei solche Ausgangsstoffe verwendet werden, die sich verdampfen lassen. Es können aber auch solche Ausgangsstoffe verwendet werden, bei denen die Verdampfungstemperatur höher ist als die Zerlegungstemperatur. Solche Stoffe lassen sich nicht verdampfen, da sie sich vorher chemisch zerlegen. Diese Stoffe können als Aerosol, also als Nebel transportiert werden.The deposition rate, the composition and the amount of dopant that is incorporated into the layer is determined by the concentration of the respective starting substances in the gas stream. The respective concentration in the gas flow is set by means of several independent mass flow controllers. Dilution lines are also provided, which open into the feed line to the gas inlet element after the changeover valve. It is possible to change the vapor pressure of the starting materials in the respective containers independently of one another by changing the source temperature in order to significantly increase or decrease the concentration in the gas flow. The respective source container is constructed in such a way that the composition of the gas flow changes reproducibly and almost linearly with the carrier gas flow. The lines from the sources to the reactor are constructed in such a way that the set gas compositions are retained. The gas lines are in particular tempered in such a way that the vapor pressure of the gaseous starting material in the carrier gas is lower than the saturation vapor pressure, so that no condensation can occur. These requirements also apply to the temperature of the gas inlet element. By separating the sources and the lines, there is no mutual contamination. The pressures in the lines or in the tanks are regulated via the pressure regulator mentioned above. The valves enable the source to be switched off and on abruptly and reproducibly. These are as close as possible to the reactor. Since all sources are spatially separated from one another, there is no cross-termination of the sources. The deposition of a layer sequence, which consists of several qualitatively different layers, can take place in a process chamber, namely in directly successive steps. There is no mutual influence of the gas flows since the highly diluted source flows are only brought together shortly before the process chamber. The gas inlet element of the reactor and the gas path from the gas inlet element to the substrate are designed in such a way that the gas compositions set do not change in an unreproducible manner. The layer thicknesses are therefore essentially only defined by the switching times. Due to the construction of the process chamber and the periphery according to the invention, that is to say the arrangement of the valves of the containers and the mass flow controller, a very rapid change in the composition of the gas phase and thus the layer composition is possible. The vent run circuit described above enables the gas concentration to be precisely preset. Preferably, there are no non-flushed empty spaces in the entire deposition system, so that there is no undesired mixing of the gases. For these reasons, the properties of the interfaces between the individual deposited layers can be set precisely. During growth breaks, the surfaces can be flushed with an inert gas. The pause times can be freely selected, in particular due to the vent-run circuit. Minimum break times in the range of a few seconds are possible. Switching times for the bottom Sition or pauses from a fraction of a second to several minutes can be set. The process parameters in the growth breaks are largely freely adjustable. For example, the gas flow and the temperature can be preset. The method according to the invention is characterized in that the growth of the layers can not only be started gradually or can be ended gradually. The layer growth can rather be switched on or off abruptly. This leads to a precise control of the interfaces of the individual layers deposited on one another. The layers can have a thickness of only a few nanometers. Subatomic layers can also be deposited between the individual layers in order to influence the interfaces. The surface charges can be saturated by means of these subatomic layers. This leads to a desired band bending. Metals or polymers can be deposited to influence the interfaces and in particular the interface charges. However, it is also possible to influence the interfaces only by pausing growth. For this purpose, the deposition is switched off abruptly. There is a period of waiting. There is no growth during this time. During this time, the surface can change electronically. After the waiting period, the layer growth can be started abruptly or gradually. According to the invention, solids or liquids are used as starting materials. It can be used such starting materials that can be evaporated. However, starting materials can also be used in which the evaporation temperature is higher than the decomposition temperature. Such substances cannot be evaporated because they decompose chemically beforehand. These substances can be transported as an aerosol, i.e. as a mist.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention are attached Drawings explained. Show it:

1 den grob schematischen Aufbau einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einem eine Prozesskammer aufweisenden Reaktor und zwei Behälter für die Ausgangsstoffe, 1 the roughly schematic structure of an apparatus for carrying out the method with a reactor having a process chamber and two containers for the starting materials,

2a den zeitlichen Verlauf der Konzentration eines in die Prozesskammer geleiteten Dotierstoffes, 2a the time course of the concentration of a dopant fed into the process chamber,

2b den zugehörigen Verlauf der Konzentration eines in die Prozesskammer gebrachten schichtbildenden Ausgangsstoffes (A), 2 B the associated course of the concentration of a layer-forming starting material (A) brought into the process chamber,

2c das resultierende Dotierstoffprofil der Schicht als Funktion der Schichtdicke, 2c the resulting dopant profile of the layer as a function of the layer thickness,

3a den zeitlichem Verlauf der Konzentration eines in die Prozesskammer geleiteten ersten Ausgangsstoffes (A), 3a the time course of the concentration of a first starting material (A) fed into the process chamber,

3b korrespondierend zu 3a den zeitlichen Verlauf der Konzentration eines in die Prozesskammer geleiteten zweiten Ausgangsstoffes (B), 3b corresponding to 3a the time course of the concentration of a second starting material (B) fed into the process chamber,

3c korrespondierend zu den 3a und 3b die Schichtzusammensetzung als Tiefenprofil, 3c corresponding to the 3a and 3b the layer composition as a depth profile,

4 grobschematisch dargestellt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Beschichtungsvorrichtung, 4 roughly schematically represented another embodiment of a coating device,

5 der Grundriss eines kreisförmigen Gasauslassorgans 4, 5 the layout of a circular gas outlet 4 .

6 der Grundriss eines rechteck-förmigen Gasauslassorgans in Form eines Quadrates, 6 the plan of a rectangular gas outlet element in the form of a square,

7 der Grundriss eines rechteckigen Gasauslassorganes in Form eines schmalen Streifens und 7 the layout of a rectangular gas outlet element in the form of a narrow strip and

8 ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß 4. 8th another embodiment according to 4 ,

Die in der 1 dargestellte Vorrichtung besteht aus einem Reaktor 1, der ein temperierbares Gehäuse aufweist. Die Heizung und die Gasableitung und weitere an sich bekannte Ausgestaltungsmerkmale dieses Reaktors 1 sind der Übersichtlichkeit halber in der Zeichnung nicht dargestellt. Der Boden der sich in dem Reaktor befindlichen Prozesskammer 2 wird von einem Substrathalter 7 ausgebildet, welcher temperierbar ist. In der Regel wird der Substrathalter 7 gekühlt, damit die durch das Gaseinlassorgan 4 in die Prozesskammer 2 hineinströmenden gasförmigen Ausgangsstoffe auf dem auf dem Substrathalter 7 liegenden Substrat 3 aufkondensieren, um eine dünne Schicht auszubilden.The in the 1 The device shown consists of a reactor 1 , which has a temperature-controlled housing. The heating and the gas discharge and other known design features of this reactor 1 are not shown in the drawing for the sake of clarity. The bottom of the process chamber located in the reactor 2 is from a substrate holder 7 trained, which can be tempered. Usually the substrate holder 7 cooled so that through the gas inlet element 4 into the process chamber 2 inflowing gaseous starting materials on the on the substrate holder 7 lying substrate 3 condense to form a thin layer.

Das Gaseinlassorgan 4 kann die Form eines Duschkopfes haben. Oberhalb des Gaseinlassorganes 4 befindet sich eine Gasmischkammer, in welche mehrere temperierte Gasleitungen 5 münden. Im Ausführungsbeispiel sind zwei temperierte Leitungen 5 dargestellt. Die Temperatur der Leitungen 5 und des Gaseinlassorganes 4 ist höher als die Substrattemperatur und so hoch, dass innerhalb der Leitungen der gasförmige Ausgangsstoff nicht kondensiert, sich nicht chemisch verändert, insbesondere sich nicht zerlegt.The gas inlet element 4 can have the shape of a shower head. Above the gas inlet element 4 there is a gas mixing chamber in which several tempered gas lines 5 lead. In the exemplary embodiment there are two temperature-controlled lines 5 shown. The temperature of the lines 5 and the gas inlet member 4 is higher than the substrate temperature and so high that the gaseous starting material does not condense within the lines, does not change chemically, in particular does not decompose.

Die gasförmigen Ausgangsstoffe werden in Gasquellen bereitgestellt. Diese Gasquellen bestehen aus einem Behälter 11, der eine temperierbare Wand 12 besitzt. Die Wand 12 wird auf eine Quellentemperatur geheizt, die höher ist, als die Substrattemperatur. In den Boden des Behälters 11 mündet eine temperierte Zuleitung 13. Die Leitung wird bevorzugt auf derselben Temperatur gehalten, wie die Behälterwand 12. Die Leitung 13 wird mit einem Trägergas gespeist, dessen Fluss von einem Massenflussregler 9 eingestellt wird. Als Trägergas kommen z. B. Stickstoff, Argon oder Helium in Betracht. Dieses Trägergas durchströmt eine poröse Zwischenwand 14. Auf der porösen Zwischenwand 14 liegt der feste, gegebenenfalls auch flüssige Ausgangsstoff. Der Ausgangsstoff besteht aus kleinen organischen Molekülen, wie sie beispielsweise in der US 5,554,220 genannt sind. Das Trägergas durchströmt den flüssigen oder festen Ausgangsstoff 15. Der auf der obenliegenden Behälteröffnung ausströmende Trägergasstrom ist mit dem gasförmigen Ausgangsstoff beladen, bevorzugt gesättigt. Die temperierte Leitung 6 mündet in einen Druckregler 16, mittels welchem der Behälterdruck geregelt wird. Stromabwärts des Druckreglers 16 befindet sich ein temperiertes Umschaltventil 8, mittels welchem der Gasfluss entweder in das Gaseinlassorgan 4 oder in eine Vent-Leitung 10 geleitet werden kann. Kurz vor der Mündung der Gasleitung 5 in das Gaseinlassorgan 4 münden Trägergasleitungen 17 in die Gasleitung 5, um wahlweise eine ergänzende Verdünnung vornehmen zu können oder um einen Bypass-Betrieb zu verwirk lichen. Beispielsweise kann durch die Leitung 17 nur dann ein Gasstrom geleitet werden, wenn das Ventil 8 den aus dem Behälter 15 kommenden Gasstrom in die Vent-Leitung 10 schaltet. Bevorzugt sind die durch die Leitung 17 und die Vent-Leitung 19 strömenden Gasströme gleich groß.The gaseous starting materials are provided in gas sources. These gas sources consist of a container 11 who has a temperable wall 12 has. The wall 12 is heated to a source temperature that is higher than the substrate temperature. In the bottom of the container 11 opens a tempered supply line 13 , The line is preferably kept at the same temperature as the container wall 12 , The administration 13 is fed with a carrier gas, the flow of which is from a mass flow controller 9 is set. As a carrier gas z. B. nitrogen, argon or helium. This carrier gas flows through a porous partition 14 , On the porous partition 14 is the solid, possibly also liquid, starting material. The starting material consists of small organic molecules, such as those in the US 5,554,220 are mentioned. The carrier gas flows through the liquid or solid starting material 15 , The on The carrier gas stream flowing out of the overhead container opening is loaded, preferably saturated, with the gaseous starting material. The tempered line 6 flows into a pressure regulator 16 , by means of which the container pressure is regulated. Downstream of the pressure regulator 16 there is a temperature-controlled changeover valve 8th , by means of which the gas flow either into the gas inlet element 4 or in a vent line 10 can be directed. Shortly before the gas line opens 5 into the gas inlet member 4 open carrier gas lines 17 into the gas pipe 5 in order to be able to carry out a supplementary dilution or to implement bypass operation. For example, through the line 17 a gas flow can only be conducted when the valve 8th from the container 15 coming gas stream into the vent line 10 on. Those through the line are preferred 17 and the vent line 19 flowing gas streams the same size.

Die 2a bis 2c zeigen das erfindungsgemäße Verfahren am Beispiel der Herstellung eines Dotierstoffprofils. Durch eine entsprechende Variation des vom Massenflussregler 9 in den Behälter geleiteten Trägergasstroms kann die Dotierstoffgaskonzentration, die in der 2a abgetragen ist, innerhalb der Gasphase oberhalb des Substrates eingestellt werden. Während der Phase T1 steigt die Dotierstoffkonzentration mit der Zeit linear an. Während der Phase T2 wird sie konstant gehalten, während der Phase T3 steigt die Dotierstoffkonzentration durch eine entsprechende Erhöhung des Gasflusses durch den Behälter 15 weiter stetig an. In der Phase T4 wird durch stetige Reduzierung des Gasstromes die Dotierstoffkonzentration linear bis auf Null reduziert. In der Phase T5 ist das Ventil 8 geschlossen. In der Phase T6 wird der Gasstrom zeitlich nicht linear geändert. In der Phase T7 wird der Gasstrom ebenfalls zeitlich nicht linear reduziert.The 2a to 2c show the inventive method using the example of the production of a dopant profile. By a corresponding variation of that of the mass flow controller 9 Carrier gas flow conducted into the container can the dopant gas concentration, which in the 2a removed, can be adjusted within the gas phase above the substrate. During phase T1, the dopant concentration increases linearly with time. During phase T2 it is kept constant, during phase T3 the dopant concentration increases due to a corresponding increase in the gas flow through the container 15 continues steadily. In phase T4, the dopant concentration is linearly reduced to zero by continuously reducing the gas flow. The valve is in phase T5 8th closed. In phase T6, the gas flow is not changed linearly over time. In phase T7, the gas flow is also not linearly reduced in time.

Der in der 2b dargestellte Fluss durch den das Schichtmaterial beinhaltenden Behälter bleibt konstant. Entsprechend ist die Gaskonzentration des zugehörigen Ausgangsstoffes in der Gasphase oberhalb des Substrates konstant.The Indian 2 B The flow shown through the container containing the layer material remains constant. Accordingly, the gas concentration of the associated starting material in the gas phase above the substrate is constant.

Das Schichtwachstum findet mit einer gleichmäßigen Wachstumsrate statt. Lediglich der Dotierstoffeinbau erfolgt zeitlich variabel. Daraus resultiert das in der 2c dargestellte Dotierstoffprofil.The layer growth takes place with a uniform growth rate. Only the dopant incorporation is variable in time. This results in the 2c dopant profile shown.

In den 3a bis 3c wird beispielhaft gezeigt, wie die Schichtzusammensetzung zeitlich variiert werden kann. In die Prozesskammer 3 sind zwei Ausgangsstoffe A und B unabhängig voneinander einleitbar. Jeder Ausgangsstoff A, B befindet sich in einem separaten Behälter 11. Die Gasströme durch die Behälter 11 sind individuell einstellbar. Der Gasstrom, der durch den Behälter 11 strömt, in welchem sich die Substanz A befindet, ist in 3a dargestellt. Entsprechend verläuft die Konzentration dieses gasförmigen Ausgangsstoffes in der Prozesskammer.In the 3a to 3c shows how the layer composition can be varied over time. In the process chamber 3 two starting materials A and B can be introduced independently of one another. Each raw material A, B is in a separate container 11 , The gas flows through the containers 11 are individually adjustable. The gas flow through the container 11 flows, in which the substance A is, is in 3a shown. The concentration of this gaseous starting material in the process chamber is corresponding.

In der 3b ist der durch den im Ausgangsstoff B beinhaltende Behälter 11 strömende Gasfluss zeitlich dargestellt. Entsprechend dem Gasfluss ändert sich die Konzentration der gasförmigen Komponente B in der Gasphase oberhalb des Substrates 3.In the 3b is the through the container contained in the starting material B. 11 flowing gas flow shown in time. The concentration of the gaseous component B changes in the gas phase above the substrate in accordance with the gas flow 3 ,

In der Phase T1 ist das zum Material B zugeordnete Umschaltventil 8 geschlossen und nur der Ausgangsstoff A wird in die Prozesskammer geleitet. Wie aus der 3c zu entnehmen ist, enthält die zugehörige Schicht nur die Komponente A. In der Phase T2 ist das der Komponente A zugeordnete Umschaltventil auf Vent geschaltet, also geschlossen, und nur die Komponente B wird in die Prozesskammer geleitet. Entsprechend besteht die zugeordnete Schicht nur aus dem Material B. In der Phase T3 wird das Material A durch Umschalten des Ventils 8 zugeschaltet. Die zugehörige Schicht besteht aus beiden Materialien. In der Phase T4 wird der Strom durch den das Material B beinhaltenden Behälter reduziert. Es wird mehr Material A als Material B abgeschieden. In der Phase T5 wird der Gasstrom durch den die Komponente A beinhaltenden Behälter erhöht. In entsprechender Weise ändert sich die Schichtzusammensetzung. In der Phase T6 wird das zur Komponente A gehörende Ventil auf Vent geschaltet. Entsprechend besteht die Schicht nur aus der Komponente B. In der Phase T7 sind beide Ventile 8 auf Vent geschaltet. Es findet kein Schichtwachstum statt. In dieser Phase kann die Prozesskammer mit einem Inertgas gespült werden. In der Phase T8 sind beide Ventile 8 auf Run geschaltet. Es wird eine aus den Komponenten A und B bestehende Schicht abgeschieden.The changeover valve assigned to material B is in phase T1 8th closed and only the starting material A is fed into the process chamber. As from the 3c it can be seen that the associated layer contains only component A. In phase T2, the changeover valve assigned to component A is switched to Vent, that is to say closed, and only component B is passed into the process chamber. Accordingly, the assigned layer consists only of material B. In phase T3, material A is switched by switching the valve 8th switched on. The associated layer consists of both materials. In phase T4, the current through the container containing material B is reduced. More material A than material B is deposited. In phase T5 the gas flow through the container containing component A is increased. The layer composition changes accordingly. In phase T6, the valve belonging to component A is switched to vent. Accordingly, the layer consists only of component B. Both valves are in phase T7 8th switched to vent. There is no layer growth. In this phase, the process chamber can be flushed with an inert gas. Both valves are in phase T8 8th switched to run. A layer consisting of components A and B is deposited.

Es ist selbstverständlich auch möglich, die durch die Komponenten A oder B beinhaltenden Behälter strömenden Trägergase zeitlich zu variieren, wie es die 2a zeigt. Dann ändert sich die Zusammensetzung der Schicht kontinuierlich. Es können so Rampenprofile hergestellt werden.It is of course also possible to vary the carrier gases flowing through the containers containing components A or B over time, as is the case with 2a shows. Then the composition of the layer changes continuously. Ramp profiles can be produced in this way.

Die Variation der Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer 2 unmittelbar oberhalb des Substrates 3 ist darüber hinaus auch durch eine Variation der Temperatur innerhalb der Behälter 11 möglich. Eine schnellere Variation lässt sich aber durch die Variation des Gasflusses mittelst der Massenflussregler 9 erzielen. Darüber hinaus kann eine Variation auch durch Änderung des Drucks erzielt werden. Hierzu wird der voreingestellte Wert des Druckregelorganes 16 geändert.The variation in the composition of the gas phase in the process chamber 2 immediately above the substrate 3 is also due to a variation in the temperature within the container 11 possible. A faster variation can be achieved by varying the gas flow using the mass flow controller 9 achieve. In addition, variation can also be achieved by changing the pressure. For this, the preset value of the pressure control element 16 changed.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. der erfindungsgemäßen Vorrichtung lassen sich die Grenzflächen zwischen den einzelnen, aufeinander abgeschiedenen Schichten beeinflussen. Insbesondere ist vorgesehen, auf die Oberfläche einer der Schichten eine subatomare Lage, beispielsweise eines Metalls oder eines Polymers abzuscheiden. Mittels einer solchen oder einer ähnlichen Zwischenschicht können Oberflächenladungen abgesättigt werden. Dies führt zu einer kontrollierten Bandverbiegung. Es ist aber auch vorgesehen, dass durch ledigliches Unterbrechen des Wachstumsprozesses die Grenzflächen-Eigenschaften beeinflusst werden. Die typische Schichtdicke einer abgeschiedenen Schicht liegt zwischen 10 und 15 Nanometern. Die gesamte, aus einer Vielzahl von Schichten bestehende Struktur hat eine Gesamtdicke von 100 bis 150 Nanometern. Neben den zuvor beschriebenen Einsatzbereichen kann das erfindungsgemäße Verfahren auch zur Herstellung von weißen Lichtemittierern für die Beleuchtungstechnik verwendet werden.With the method according to the invention or the device according to the invention, the interfaces between the individual layers deposited on one another can be influenced. In particular, it is provided to deposit a subatomic layer, for example of a metal or a polymer, on the surface of one of the layers. Surface charges can be saturated by means of such or a similar intermediate layer. This leads to a controlled band bending. However, it is also envisaged that by merely interrupting the growth process Interface properties can be influenced. The typical layer thickness of a deposited layer is between 10 and 15 nanometers. The entire structure, consisting of a large number of layers, has a total thickness of 100 to 150 nanometers. In addition to the fields of application described above, the method according to the invention can also be used to produce white light emitters for lighting technology.

Erfindungsgemäß können auch solche Materialien als Ausgangsstoffe verwendet werden, die sich aufgrund ihrer niedrigen Zerlegungstemperatur nicht verdampfen lassen. Solche, nicht verdampfbare Ausgangsstoffe, bei denen die Verdampfungstemperatur höher liegt als die Zerlegungstemperatur, werden als Aerosol transport.According to the invention, such materials can also be used can be used as starting materials, which due to their low Do not let the decomposition temperature evaporate. Such non-vaporizable raw materials, where the evaporation temperature is higher than the decomposition temperature, are transported as an aerosol.

Die schematische Darstellung in 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem mehrere thermostatisierte Kammern 18a, 18b und 18c vorgesehen sind. Die einzelnen thermostatisierten Kammern 18a, 18b und 18c werden auf unterschiedliche Temperaturen Ta, Tb, Tc gehalten. Innerhalb der Kammern 18a, 18b, 18c befinden sich jeweils eine Vielzahl von Behältern 11a, 11b, 11c, in denen sich feste oder flüssige Ausgangsstoffe befinden, die in der vorbeschriebenen Art über ein Gaseinlassorgan 4 der Prozesskammer zugeführt werden, wo sich ein drehangetriebenes Substrat 3 befindet.The schematic representation in 4 shows an embodiment in which several thermostated chambers 18a . 18b and 18c are provided. The individual thermostated chambers 18a . 18b and 18c are kept at different temperatures Ta, Tb, Tc. Inside the chambers 18a . 18b, 18c there are a variety of containers 11a . 11b . 11c , in which there are solid or liquid starting materials, in the manner described above via a gas inlet element 4 be fed to the process chamber, where there is a rotating driven substrate 3 located.

Die Grundrissform der Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorganes 4 kann verschiedene Formen besitzen. Wie in der 5 dargestellt, kann die Form kreisscheibenförmig sein. Wie in der 6 dargestellt, kann die Grundrissform der Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorganes 6 quadratisch sein. Diese Form und die in der 7 dargestellte schmale, quasi lineare Form der Gasaustrittsfläche findet insbesondere bei solchen Vorrichtungen bzw. Verfahren Verwendung, bei denen ein endloses Substrat beschichtet wird. Eine derartige Vorrichtung ist schematisch in der 8 dargestellt. Dort tritt das endlose, flexible Substrat 3 einseitig in den Prozesskammer ein und gleitet über einen temperierbaren Substrathalter 7. Das flexible Substrat 3 tritt auf der anderen Seite der Prozesskammer wieder aus.The layout of the gas outlet surface of the gas inlet element 4 can have different shapes. Like in the 5 shown, the shape can be circular disk-shaped. Like in the 6 shown, the floor plan of the gas outlet surface of the gas inlet member 6 be square. This form and that in the 7 The narrow, quasi-linear form of the gas outlet surface shown is used in particular in devices or methods in which an endless substrate is coated. Such a device is shown schematically in the 8th shown. There is the endless, flexible substrate 3 one-sided into the process chamber and slides over a temperature-adjustable substrate holder 7 , The flexible substrate 3 emerges on the other side of the process chamber.

Es ist möglich, die Schicht durch Masken lateral zu strukturieren. Vorzugsweise werden innerhalb der Prozesskammer eine Vielzahl von Schichten abgeschie den. Auf die Schichtenfolge kann zusätzlich eine Schutz-, Isolier- oder Antireflexschicht aufgebracht werden.It is possible to mask the layer to structure laterally. Preferably inside the process chamber a large number of layers were deposited. On the sequence of layers can additionally a protective, insulating or anti-reflective layer can be applied.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.All disclosed features are (in themselves) essential to the invention. In the disclosure of the application is hereby also the disclosure content of the associated / attached priority documents (Copy of the pre-registration) fully included, too for the purpose of features of these documents in claims of this Registration included.

Claims (21)

Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates mit einer dünnen Schicht in einer Prozesskammer (2) eines Reaktors (1), wobei ein mindestens in einem Vorratsbehälter (12) bevorrateter fester oder flüssiger Ausgangsstoff (15) als Gas oder Aerosol mittelst eines Trägergases in die Prozesskammer (2) gebracht wird und dort auf dem Substrat (3) kondensiert, wobei der feste oder flüssige Ausgangsstoff (15) auf einer Quellentemperatur gehalten wird, die höher ist als die Substrattemperatur, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas den Ausgangsstoff (15) durchströmt und die Zufuhr des gasförmigen Ausgangsstoffes zur Prozesskammer (2) mittelst mindestens eines Ventils (8) und eines Massenflussreglers (9) kontrolliert wird.Method for coating at least one substrate with a thin layer in a process chamber ( 2 ) of a reactor ( 1 ), one in at least one storage container ( 12 ) stored solid or liquid starting material ( 15 ) as gas or aerosol by means of a carrier gas into the process chamber ( 2 ) is brought and there on the substrate ( 3 ) condenses, the solid or liquid starting material ( 15 ) is kept at a source temperature that is higher than the substrate temperature, characterized in that the carrier gas is the starting material ( 15 ) flows through and the supply of the gaseous starting material to the process chamber ( 2 ) by means of at least one valve ( 8th ) and a mass flow controller ( 9 ) is checked. Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei verschiedene Behälter (11) voneinander verschiedene Ausgangsstoffe (15) beinhalten und individuell von einem Trägergas durchströmt und die Zufuhr des jeweiligen gasförmigen Ausgangsstoffes zur Prozesskammer mittelst je mindestens eines Ventils (8) und je mindestens eines Massenflussreglers (9) kontrolliert werden.Method according to claim 1 or in particular according thereto, characterized in that at least two different containers ( 11 ) different starting materials ( 15 ) and individually flowed through by a carrier gas and the supply of the respective gaseous starting material to the process chamber by means of at least one valve each ( 8th ) and at least one mass flow controller ( 9 ) to be controlled. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Zufuhr mindestens eines der mindestens in je einem Trägergas gelösten Ausgangsstoffe durch Variation des geregelten Gasflusses während des Abscheidungsprozesses geändert wird.Method according to one or more of the preceding claims or in particular thereafter, characterized in that the supply at least one of the starting materials dissolved in at least one carrier gas by variation of the regulated gas flow during of the deposition process changed becomes. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Massenfluss sprunghaft ein oder ausgeschaltet wird.Method according to one or more of the preceding claims or especially afterwards, characterized in that the mass flow is leaps and bounds is turned on or off. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Massenfluss stetig an- oder absteigt.Method according to one or more of the preceding claims or especially after that, characterized in that the mass flow steadily increasing or decreasing. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgangsstoff bzw. die Ausgangsstoffe organische Moleküle sind und die abgeschiedene Schicht zu einer OLED weiterverarbeitet wird.Method according to one or more of the preceding claims or in particular thereafter, characterized in that the starting material or the raw materials are organic molecules and the separated ones Layer is processed into an OLED. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass nacheinander eine Vielzahl aus ein- oder mehreren Ausgangsstoffen bestehende Schichten abgeschieden wird.Method according to one or more of the preceding claims or especially afterwards, characterized in that a large number one after the other layers consisting of one or more starting materials are deposited becomes. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtfolge in unmittelbar aufeinanderfolgenden Beschichtungsschritten in derselben Prozesskammer durch ledigliche Änderung der Gaszusammensetzung erfolgt.Method according to one or more of the above claims, or in particular according thereto, characterized in that the layer sequence takes place in directly successive coating steps in the same process chamber by merely changing the gas composition. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass n- und p-leitende Schichten abgeschieden werden.Method according to one or more of the preceding claims or especially thereafter, characterized in that n- and p-type layers be deposited. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den dotierten Schichten undotierte Zwischenschichten abgeschieden werdenMethod according to one or more of the preceding claims or in particular thereafter, characterized in that between the doped Layers undoped intermediate layers are deposited Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Konzentrations-/Zusammensetzungs-Schichtdickenprofil dem zeitlichen Verlauf der durch die Behälter (11) strömenden Trägergasflüsse entspricht.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the concentration / composition layer thickness profile corresponds to the time course of the through the container ( 11 ) corresponds to flowing carrier gas flows. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass aus den abgeschiedenen Schichten/Schichtenfolgen Solarzellen, Sensoren oder Transistoren gefertigt werden.Method according to one or more of the preceding claims or especially afterwards, characterized in that from the deposited Layers / layer sequences of solar cells, sensors or transistors are manufactured. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass durch Variation der Gasführung, des Drucks und der Temperatur eine Deposition einer organischen Schicht lokal auf dem Substrat begrenzt ist.Method according to one or more of the preceding claims or especially afterwards, characterized in that by varying the Gas management, pressure and temperature deposition of an organic Layer is limited locally on the substrate. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung auf endlose, flexible Substrate erfolgt.Method according to one or more of the preceding claims or especially after that, characterized in that the deposition on endless, flexible substrates. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine laterale Strukturierung des Schichtwachstums durch Masken.Method according to one or more of the preceding claims or especially afterwards, characterized by a lateral structuring of layer growth through masks. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten/Schichtenfolgen in einem nachfolgenden Prozess in derselben Prozesskammer mit einer Schutz-, Isolier- oder Antireflexschicht oder mit einem Metall beschichtet werden.Method according to one or more of the preceding claims or characterized especially in that the layers / layer sequences in a subsequent process in the same process chamber with one Protective, insulating or anti-reflective layer or coated with a metal become. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche mit einem Reaktorgehäuse und einer darin angeordneten Prozesskammer (2), in welcher sich ein temperierbarer Substrathalter (7) und ein temperierbares Gaseinlassorgan (4) befinden, mit von mehreren temperierbaren Behältern zur Aufnahme je eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes (15) zum Gaseinlassorgan (4) führende, temperierbare Gasleitungen (5, 6) für ein Trägergas und des jeweiligen in die Gasform gebrachten Ausgangsstoffes (15 ), dadurch gekennzeichnet, dass die Gasströme der im Trägergas gelösten gasförmigen Ausgangsstoffe je für sich mittels Ventilen (8) und Gasmassenflussreglern (9) zeitlich kontrollierbar in die Prozesskammer leitbar sind.Device for carrying out the method according to one or more of the preceding claims with a reactor housing and a process chamber arranged therein ( 2 ) in which a temperature-controlled substrate holder ( 7 ) and a temperable gas inlet element ( 4 ) with several temperature-controlled containers for holding a solid or liquid starting material ( 15 ) to the gas inlet element ( 4 ) leading, temperature-controlled gas pipes ( 5 . 6 ) for a carrier gas and the respective raw material brought into the gas form ( 15 ), characterized in that the gas flows of the gaseous starting materials dissolved in the carrier gas are each individually by means of valves ( 8th ) and gas mass flow controllers ( 9 ) can be conducted into the process chamber in a controllable manner. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch von unten nach oben durchströmbaren Behälter (11).Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by containers through which flow can flow from bottom to top ( 11 ). Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch den Behältern (11) vorgeschalteten Massenflussreglern (9).Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by the containers ( 11 ) upstream mass flow controllers ( 9 ). Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch den Behälter (11) nachgeordnete Umschaltventile, mittelst welchen die gasförmigen Ausgangsstoffe und das sie tragende Trägergas entweder in die Prozesskammer (2) oder in eine Vent-Leitung (10) schaltbar sind.Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by the container ( 11 ) downstream switching valves, by means of which the gaseous starting materials and the carrier gas carrying them either into the process chamber ( 2 ) or in a vent line ( 10 ) are switchable. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein zwischen dem Ventil (8) und dem Behälter (11) angeordnetes Druckregelorgan (16).Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by a between the valve ( 8th ) and the container ( 11 ) arranged pressure regulator ( 16 ).
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